CN114695194A - 用于处理基板的装置 - Google Patents

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CN114695194A CN202111628192.7A CN202111628192A CN114695194A CN 114695194 A CN114695194 A CN 114695194A CN 202111628192 A CN202111628192 A CN 202111628192A CN 114695194 A CN114695194 A CN 114695194A
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Abstract

提供一种用于处理基板的装置。在示例性实施方式中，用于处理基板的装置包括：处理腔室，其被配置为具有第一主体和第二主体，该第一主体和第二主体彼此结合以具有处理空间，在该处理空间中处理基板；和防摩擦构件，其放置在第一主体和第二主体之间的接触表面上，其中防摩擦构件具有形成在与接触表面对应的表面上的凹槽，在凹槽中可设置有用于粘附在防摩擦构件和第一主体之间或防摩擦构件和第二主体之间的粘合剂，并且凹槽可以形成开口图案。

Description

用于处理基板的装置
技术领域
本发明涉及一种用于处理基板的装置，其包括用于防止处理腔室之间的摩擦的防摩擦构件。
背景技术
通常，半导体器件由诸如晶片的基板制造。具体地，通过沉积工艺、光刻工艺、清洁工艺、干法工艺、蚀刻工艺等在基板的上表面上形成精细电路图案来制造半导体器件。
一般而言，清洁工艺包括向基板供应化学品以去除基板上的异物的化学处理、向基板供应纯水以去除基板上残留的化学品的漂洗处理、以及去除基板上的残留的纯净水的干法处理。
超临界流体用于基板的干法处理。根据示例性实施方式，将基板上的纯水用有机溶剂置换，然后在腔室中，将超临界流体供应至基板的上表面以溶解基板上残余的有机溶剂并将其从基板去除。当使用异丙醇(以下简称IPA)作为有机溶剂时，将临界温度和临界压力较低且使IPA溶解良好的二氧化碳(CO2)作为超临界流体使用。
使用超临界流体对基板的处理如下。当基板被运送入腔室时，将超临界状态的二氧化碳供应到腔室中以对腔室内部加压，然后用超临界流体处理基板，同时重复超临界流体的供应和腔室中的排气。此外，完成当基板的处理时，对腔室内部进行排气和减压。在对腔室排气后，打开腔室以取出基板并恢复腔室。
通常，腔室彼此组合以提供为提供处理空间的两个独立主体，在该处理空间中处理基板。每个主体均由金属材料制成。但是，当主体被驱动时，主体之间会发生碰撞和摩擦。因此，在主体之间的接触表面上设置了用于减少碰撞和摩擦发生的防摩擦层。使用粘合剂将防摩擦层固定到接触表面。
在驱动主体时，由于与主体的撞击，防摩擦层被损坏。结果，产生颗粒而导致工艺缺陷。此外，存在的问题是，由于处理空间的高压，在防摩擦层和主体之间施加真空压力以防止防摩擦层和主体分离。
发明内容
本发明的一个目的是在将处理腔室中的处理空间保持在高压时防止对设置在处理基板的处理腔室中的防摩擦构件的损坏。
此外，本发明的目的是在将处理腔室中的处理空间保持在高压时，防止在设置在处理基板的处理腔室中的防摩擦构件中产生真空压力。
本发明的其他目的不限于上述目的，本领域技术人员根据以下描述将清楚上述未提及的其他目的。
本发明的示例性实施方式提供一种用于处理基板的装置。在示例性实施方式中，用于处理基板的装置包括：处理腔室，所述处理腔室被配置为具有第一主体和第二主体，所述第一主体和所述第二主体彼此结合以具有处理空间，在所述处理空间中处理基板；和防摩擦构件，所述防摩擦构件放置在所述第一主体和所述第二主体之间的接触表面上，其中所述防摩擦构件可具有形成在与所述接触表面对应的表面上的凹槽，其中在所述凹槽中可设置有用于粘附在所述防摩擦构件和所述第一主体之间或所述防摩擦构件和所述第二主体之间的粘合剂，并且其中所述凹槽可以形成开口图案。
在示例性实施方式中，防摩擦构件可以具有形成在没有设置凹槽的区域中的通孔。
在示例性实施方式中，图案可以在一端和另一端之间形成封闭区域。
在示例性实施方式中，封闭区域可以形成有贯穿防摩擦构件的通孔。
在示例性实施方式中，防摩擦构件可以被加工成具有与接触表面对应的表面粗糙度。
在示例性实施方式中，防摩擦构件的材料可被设置为使得防摩擦构件的压缩应力大于防摩擦构件受到的力。
在示例性实施方式中，粘合剂和防摩擦构件之间的粘附力可以设置为大于粘合剂和接触表面之间的粘附力。
本发明的示例性实施方式提供一种用于处理基板的装置，包括：处理腔室，所述处理腔室被配置为具有第一主体和第二主体，所述第一主体和所述第二主体彼此结合以具有高压处理空间，在所述高压处理空间中处理所述基板；驱动器，所述驱动器被配置为将所述处理腔室移动至打开位置或关闭位置；支撑单元，所述支撑单元被配置为在所述处理空间中支撑所述基板；流体供应单元，所述流体供应单元被配置为向所述处理空间供应流体；和防摩擦构件，所述防摩擦构件设置在所述处理腔室的一个表面上，其中所述一个表面包括所述第一主体和所述第二主体之间的接触表面，所述防摩擦构件具有形成在与所述接触表面对应的表面上的凹槽，在所述凹槽中设置有用于粘附在所述防摩擦构件和所述第一主体之间或所述防摩擦构件和所述第二主体之间的粘合剂，并且所述凹槽形成开口图案。
在示例性实施方式中，图案可以在一端和另一端之间形成封闭区域。
在示例性实施方式中，封闭区域可以形成有贯穿防摩擦构件的通孔。
在示例性实施方式中，防摩擦构件可以具有形成在没有设置凹槽的区域中的通孔。
在示例性实施方式中，防摩擦构件可以设置成弧形。
在示例性实施方式中，驱动器可以设置有贯穿第一主体和第二主体并且升降第一主体和第二主体中的任一个的气缸，并且防摩擦构件可以设置为覆盖气缸。
在示例性实施方式中，防摩擦构件可以被加工成具有与所述一个表面对应的表面粗糙度。
在示例性实施方式中，处理腔室可以设置为金属材料。
在示例性实施方式中，防摩擦构件的材料可被设置为使得防摩擦构件的压缩应力大于防摩擦构件受到的力。
在示例性实施方式中，粘合剂和防摩擦构件之间的粘附力可以设置为大于粘合剂和所述一个表面之间的粘附力。
在示例性实施方式中，用于处理基板的装置还可以包括夹持构件，所述夹持构件被配置为在关闭位置夹持所述第一主体和所述第二主体，其中所述防摩擦构件可以设置在所述第一主体和所述夹持构件之间以及所述第二主体和所述夹持构件之间，并且其中所述一个表面可以包括所述第一主体和所述夹持构件之间的接触表面以及所述第二主体和所述夹持构件之间的接触表面。
在示例性实施方式中，防摩擦构件可以设置为环形。
在示例性实施方式中，基板的处理可以是在处理空间中使用超临界流体干燥基板。
根据本发明的示例性实施方式，可以在将处理空间保持在高压时防止对设置在处理基板的处理腔室中的防摩擦构件的损坏。
此外，可以在将处理空间保持在高压时，防止在设置在处理基板的处理腔室中的防摩擦构件中产生真空压力。
本发明的效果不限于上述效果，本领域技术人员根据本说明书和附图中可以清楚地理解未提及的效果。
附图说明
图1是示意性示出根据本发明的示例性实施方式的基板处理装置的平面图。
图2是示意性地表示图1的液体处理装置的示例的横截面图。
图3和图4是分别示意性地示出图1的超临界装置的示例的横截面图。
图5是示意性地示出根据本发明的示例性实施方式的其中防摩擦构件被放置在第二主体上的状态的平面图。
图6是示意性地示出根据本发明的示例性实施方式的防摩擦构件的外观的透视图。
图7和图8是分别示意性地示出根据本发明的另一示例性实施方式的其中防摩擦构件被放置在第二主体上的状态的图。
图9是示意性示出根据本发明另一示例性实施方式的超临界装置的外观的横截面图。
图10是示意性地示出图9的防摩擦构件的外观的平面图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图更详细地描述本发明的示例性实施方式。可以以各种形式修改本发明的示例性实施方式，并且不应将本发明的范围解释为限于以下描述的示例性实施方式。将提供示例性实施方式以向本领域技术人员更完整地描述本发明。因此，附图中的部件的形状等将被夸大以强调更清楚的描述。
图1是示意性地示出根据本发明的示例性实施方式的基板处理装置的平面图。参考图1，基板处理系统包括转位模块10、处理模块20和控制器(未示出)。根据示例性实施方式，转位模块10和处理模块20沿一个方向布置。在下文中，转位模块10和处理模块20布置的方向被定义为第一方向92，当俯视时垂直于第一方向92的方向定义为第二方向94，并且垂直于第一方向92和第二方向94的方向被定义为第三方向96。
转位模块10将基板W从接收基板W的容器80传送到处理模块20，并且将在处理模块20中处理过的基板W接收在容器80中。转位模块10的纵向方向被提供为沿第二方向94。转位模块10具有装载端口12和转位框架14。装载端口12基于转位框架14定位在处理模块20的相反侧。在其中接收基板W的容器80放置在装载端口12上。可以设置多个装载端口12，并且多个装载端口12可以沿着第二方向94布置。
作为容器80，可以使用诸如正面开口标准箱(FOUP)的封闭容器。容器80可以放置在传送装置(未示出)例如高架传送机、高架输送机或自动引导车上或由操作者放置在装载端口12上。
在转位框架14中设置转位机械手120。在转位框架14中，设置导轨140，其纵向方向被设置为沿第二方向94，并且转位机械手120可以被设置为可在导轨140上移动。转位机械手120包括手部122，基板W被放置在手部122上，手部122可以设置为前后移动、绕第三方向96的轴线旋转并且可以沿第三方向96移动。多个手部122设置成在竖直方向上彼此间隔开，并且手部122可以彼此独立地前后移动。
处理模块20包括缓冲单元200、传送装置300、液体处理装置400和超临界装置500。缓冲单元200提供用于被运送到处理模块20中的基板W和被从处理模块20中运送出的基板W暂时停留的空间。液体处理装置400执行将液体供应到基板W上以对基板W进行液体处理的液体处理工艺。超临界装置500执行去除基板W上残留液体的干燥工艺。传送装置300在缓冲单元200、液体处理装置400和超临界装置500之间传送基板W。
传送装置300的纵向可以沿第一方向92设置。缓冲单元200可以设置在转位模块10和传送装置300之间。液体处理装置400和超临界装置500可以设置在传送装置300的侧部。液体处理装置400和传送装置300可以沿着第二方向94设置。超临界装置500和传送装置300可以沿着第二方向94设置。缓冲单元200可以位于传送装置300的一端。
根据示例性实施方式，液体处理装置400设置在传送装置300的两侧，超临界装置500设置在传送装置300的两侧，并且液体处理装置400可以设置在比超临界装置500更靠近缓冲单元200的位置。在传送装置300的一侧，液体处理装置400可以分别沿第一方向92和第三方向96以A×B阵列设置(A和B分别是1或大于1的自然数)。在传送装置300的一侧，超临界装置500可分别沿第一方向92和第三方向96以C×D(C和D分别为1或大于1的自然数)设置。与此不同，可以在传送装置300的一侧仅设置液体处理装置400，而在传送装置300的另一侧仅设置超临界装置500。
传送装置300具有传送机械手320。在传送装置300中，设置导轨340，其纵向设置为沿第一方向92，传送机械手320可设置为可在导轨上移动340。传送机械手320包括手部322，基板W被放置在手部322上，手部322可设置为前后移动、绕第三方向96的轴线旋转以及可沿第三方向96移动。多个手部322设置成在竖直方向上彼此间隔开，并且手部322可以彼此独立地前后移动。
缓冲单元200包括其上放置基板W的多个缓冲器220。缓冲器220可以被设置为沿第三方向96彼此间隔开。缓冲器单元200以正面和背面开口。前面是面对转位模块10的面，后面是面对传送装置300的面。转位机械手120通过前面触及缓冲单元200，并且传送机械手320可以通过背面触及缓冲单元200。
图2是示意性地图示出图1的液体处理装置400的示例。参考图2，液体处理装置400具有壳体410、杯状部420、支撑单元440、液体供应单元460、升降单元480和控制器40。控制器40控制液体供应单元460、支撑单元440和升降单元480的操作。壳体410设置为大致长方体形状。杯状部420、支撑单元440和液体供应单元460设置在壳体410中。
杯状部420具有上部开口的处理空间，基板W在该处理空间中被进行液体处理。支撑单元440可以在处理空间中支撑基板W。液体供应单元460将液体供应到由支撑单元440支撑的基板W上。提供多种类型的液体并且可以依次将其供应到基板W上。升降单元480控制杯状部420和支撑单元440之间的相对高度。
根据示例性实施方式，杯状部420具有多个回收罐422、424和426。回收罐422、424和426分别具有回收用于基板处理的液体的回收空间。回收罐422、424和426中的每一个以覆盖支撑单元440的环形形状设置。当进行液体处理工艺时，通过基板W的旋转而散落的预处理液体通过回收罐422、424和426的入口422a、424a和426a被引入回收空间。根据示例性实施方式，杯状部420具有第一回收罐422、第二回收罐424和第三回收罐426。第一回收罐回收罐422设置为覆盖支撑单元440，第二回收罐424设置为覆盖第一回收罐422，第三回收罐426设置为覆盖第二回收罐424。将液体引入到第二回收罐424的第二入口424a可以位于将液体引入第一回收罐422的第一入口422a上方，并且将液体引入第三回收罐426的第三入口426a可以位于第二入口424a上方。
支撑单元440具有支撑板442和驱动轴444。支撑板442的上表面设置为大致圆形并且可以具有大于基板W的直径。在支撑板442的中心部分，设置支撑基板W的后表面的支撑销442a，支撑销442a的上端设置为从支撑板442突出，使得基板W与支撑板442间隔开预定距离。在支撑板442的边缘部分中设置卡盘销442b。
卡盘销442b设置为从支撑板442向上突出，并且支撑基板W的侧部，使得当基板W旋转时基板W不从支撑单元440偏离。驱动轴444由驱动构件446驱动并连接到基板W的中心，并且基于其中心轴线旋转支撑板442。
根据示例性实施方式，液体供应单元460具有第一喷嘴462、第二喷嘴464和第三喷嘴466。第一喷嘴462将第一液体供应到基板W上。第一液体可以是用于去除残留在基板W上的薄膜或异物的液体。第二喷嘴464将第二液体供应到基板W上。第二溶液可以是很好地溶解在第三液体中的液体。例如，第二液体可以是比第一液体更好地溶解在第三溶液中的液体。第二液体可以是中和供应到基板W上的第一液体的液体。此外，第二液体可以是中和第一液体并且比第一液体更好地溶解在第三溶液中的液体。
根据示例性实施方式，第二液体可以是水。第三喷嘴466将第三液体供应到基板W上。第三液体可以是很好地溶解在超临界装置500中使用的超临界流体中的液体。例如，第三液体可以是比第二液体更好地溶解在超临界装置500中使用的超临界流体中的液体。根据示例性实施方式，第三液体可以是有机溶剂。有机溶剂可以是异丙醇(IPA)。根据示例性实施方式，超临界流体可以是二氧化碳。
第一喷嘴462、第二喷嘴464和第三喷嘴466由不同的臂461支撑，并且这些臂461可以独立移动。可选地，第一喷嘴462、第二喷嘴464和第三喷嘴466可以安装在同一臂上并且可以同时移动。
升降单元480在竖直方向上移动杯状部420。杯状部420和基板W之间的相对高度通过杯状部420的竖直移动而改变。因此，由于用于回收预处理液体的回收罐422、424和426根据供应到基板W的液体类型而改变，所以可以单独回收液体。与上述不同，杯状部420是固定的并且升降单元480可以在竖直方向上移动支撑单元440。
图3和图4分别是示意性地示出图1的超临界装置500的示例的横截面图。根据示例性实施方式，超临界装置500使用超临界流体去除基板W上的液体。根据示例性实施方式，基板W上的液体是异丙醇(IPA)。超临界装置500将超临界流体供应到基板上以将基板W上的IPA溶解在超临界流体中并从基板W去除IPA。
参考图3和图4，超临界装置500包括处理腔室520、流体供应管线540、支撑单元580、驱动构件590和排气单元550。
处理腔室520具有处理空间502，在处理空间502中进行超临界工艺。在示例性实施方式中，处理腔室520可以设置为圆柱形。或者，与此不同，处理腔室520可以设置为长方体形状。处理腔室520具有第一本体522和第二本体524。第一本体522与第二本体524彼此结合以提供上述处理空间502。在示例性实施方式中，当俯视时，第一主体522设置为圆形。类似地，当俯视时，第二主体524设置为圆形。在示例性实施方式中，第一主体522设置在第二主体524上。可选地，第一主体522和第二主体524可以设置在相同的高度，并且第一主体522和第二主体524可以向左和向右打开和关闭。
当第一本体522与第二本体524间隔开时，处理空间502打开，此时基板W被运送入或运送出。驱动构件590升降第一本体522或第二本体524，使得处理腔室520移动至打开位置或关闭位置。
在示例性实施方式中，驱动构件590可以设置为驱动升降第一主体522或第二主体524的气缸595。例如，驱动构件590可以设置为升降第二主体524。此处，打开位置是第一主体522和第二主体524彼此间隔开的位置，关闭位置是第一主体522和第二主体524的面对彼此的接触表面彼此接触的位置。即，在打开位置，处理空间502被从外部打开，在关闭位置，处理空间502关闭。
在示例性实施方式中，可以在第一主体522中形成与第一供应管线542连接的第一喷射孔525。流体可以通过第一喷射孔525供应到处理空间502。在示例性实施方式中，在第二主体524中，可以形成与第二供应管线562连接的第二喷射孔526和与排气管线552连接的排气孔527。可选地，在处理腔室520中可以仅设置第一喷射孔525和第二喷射孔526中的一个。在示例性实施方式中，在处理腔室520的壁内设置加热器570。加热器570加热处理处理腔室520的空间502以将供应到处理腔室520的内部空间的流体保持在超临界状态。在处理空间502内形成超临界流体的气氛。
支撑单元580可以在处理腔室520的处理空间502中支撑基板W。被运送到处理腔室520的处理空间502中的基板W放置在支撑单元580上。根据示例性实施方式，基板W由支撑单元580支撑，使得图案表面面对顶部。在示例性实施方式中，支撑单元580在第二排出孔526上方支撑基板W。在示例性实施方式中，支撑单元580可以联接到第一主体522。可选地，支撑单元580可以联接到第二主体524。
此外，排气单元550连接到第二主体524。处理腔室520的处理空间502中的超临界流体通过排气单元550被排放到处理腔室520的外部。排气单元550包括排气管线552和排气阀5521。排气阀5521设置在排气管线552上以调节处理空间502的排气和排气流速。
当执行工艺时，第一主体522和第二主体524彼此接触以从外部关闭处理空间502。
在示例性实施方式中，第一主体522和第二主体524设置为金属材料。例如，第一主体522和第二主体524可以设置为不锈钢。当第一主体522和第二主体524彼此接触时，在第一主体522和第二主体524之间的接触表面上产生冲击和振动。因此，设置防摩擦层510以减小在第一主体522和第二主体524之间的接触表面上产生的冲击和振动。
在下文中，将参考图5至图6描述本发明的防摩擦构件510。图5是示意性地示出根据本发明的示例性实施方式的其中防摩擦构件510被放置在第二主体524上的状态的平面图，图6是示意性示出根据本发明示例性实施方式的防摩擦构件510的外观的透视图。
在示例性实施方式中，防摩擦层510设置在第一主体522和第二主体524之间的接触表面上。在示例性实施方式中，防摩擦层510放置在第二主体524上，如图5所示。
防摩擦层510防止第一主体522和第二主体524彼此直接碰撞。因此，防摩擦层510防止由于第一主体522和第二主体524的碰撞而产生颗粒。在示例性实施方式中，防摩擦层510被提供为对供应到处理空间502的处理流体稳定的材料。在示例性实施方式中，将处于超临界状态的二氧化碳提供给处理空间502以干燥基板，并且防摩擦层510设置为聚酰亚胺(PI)、聚醚醚酮(PEEK)、聚对苯二甲酸乙二醇酯中(PET)、氧化锆、碳化硅(SiC)、氮化硅(SiN)和铝氧化物(氧化铝)中的任一种。在示例性实施方式中，防摩擦层510具有0.5mm至3mm的厚度。
气缸595升降处理腔室520，其中处理腔室520和气缸595之间的碰撞在气缸595附近频繁发生。因此，防摩擦构件510可设置在气缸595附近。在示例性实施方式中，防摩擦构件510可以设置为覆盖气缸595。例如，防摩擦构件510可以设置为环形。防摩擦构件510具有中空部512并且设置有开口513，使得设置中空部512的区域可以通过开口513装配到气缸595。
在示例性实施方式中，防摩擦构件510可以在对应于接触表面的表面上形成有凹槽514，如图6所示。凹槽514设置有粘合剂，其用于粘合在防摩擦构件510和第一主体522之间或防摩擦构件510和第二主体524之间。在示例性实施方式中，粘合剂设置为增强设置为金属的处理腔室520和防摩擦构件510的接触力的材料。在示例性实施方式中，粘合剂设置为与金属材料具有高接触的材料。在示例性实施方式中，粘合剂可以设置为与金属材料具有高接触和具有优异的高温性能的材料。例如，粘合剂可以设置为丙烯酸材料。在示例性实施方式中，粘合剂可以以诸如双面胶带的形式提供。可选地，粘合剂可以设置为涂覆在凹槽514中的液体。在示例性实施方式中，粘合剂粘附在凹槽514和第一主体522之间。可选地，粘合剂粘附在凹槽514和第二主体524之间。凹槽514在防摩擦构件510中形成预定图案。在示例性实施方式中，凹槽514形成开放图案。例如，如图6所示，其中形成凹槽514的图案在区域A中开口。因此，其中未设置凹槽514的区域516被凹槽514隔离以防止产生真空压力。因此，如有必要，凹槽514防止处理腔室520和防摩擦构件510不被真空压力分开。
在示例性实施方式中，防摩擦构件510可以在没有设置凹槽514的区域516中形成有通孔。因此，防摩擦构件510防止在没有设置凹槽514的区域516中产生真空压力。在示例性实施方式中，图案可以在一端和另一端之间形成封闭区域。可以形成多个封闭区域。通孔可以形成在被封闭区域包围的区域中。
在示例性实施方式中，防摩擦构件510可以被加工成具有与接触表面对应的表面粗糙度。例如，可以对防摩擦构件510的上表面和下表面的粗糙度进行加工。防摩擦构件510的上表面和下表面的粗糙度可以被加工为具有的粗糙度使得不会在防摩擦构件510和处理腔室520之间产生真空压力。
在示例性实施方式中，防摩擦构件510的材料可被设置为使得防摩擦构件510的压缩应力大于防摩擦构件510受到的力。在示例性实施方式中，防摩擦构件510的压缩应力可以大于通过将防摩擦构件510的面积、防摩擦构件510的数量和在处理空间502中产生的力相乘而获得的值。例如，防摩擦构件510的面积、防摩擦构件510的数量和防摩擦构件510的材料可以根据上述条件来确定。
在示例性实施方式中，粘合剂和防摩擦构件510之间的粘附力可以设置为大于粘合剂和接触表面之间的粘附力。例如，粘合剂被设置为双重性，并且与防摩擦构件510接触的表面的粘附力可以设置为大于与处理腔室520接触的表面的粘附力。可选地，粘合剂被提供为单层，并且可以粘合剂的材料选择为使得粘合剂和防摩擦构件510之间的粘附力大于粘合剂和处理腔室之间的粘附力。
在示例性实施方式中，已经描述了防摩擦构件510在气缸595的附近以环形设置。然而，与此不同的是，防摩擦构件510可以设置为弧形，如图7和8所示。
在示例性实施方式中，已经描述了防摩擦构件510设置在第一主体522和第二主体524之间。然而，与此不同，防摩擦构件510可以设置在夹持处理腔室的夹持构件5000和处理腔室520之间。
图9示出了本发明的基板处理装置的另一个示例性实施方式。
参考图9，在示例性实施方式中，基板处理装置4000包括壳体4020、处理腔室4100、基板支撑单元4400、升降构件4500、加热构件4600、阻挡构件4800、排气单元4700、流体供应单元4900、夹持构件5000和移动构件5500。在示例性实施方式中，处理腔室4100可以设置为图3所示的处理腔室520。
壳体4020包括主体4040和中间板4060。主体4040设置为圆柱形，其中具有空间。例如，主体4040可以设置为长方体形状。在主体4040的上表面中形成狭缝形通孔4050。通孔4050被设置为在彼此不同的位置处具有彼此相同的纵向方向。中间板4060位于主体4040中。中间板4060将主体4040的内部分隔成上部空间4080a和下部空间4080b。中间板4060设置为具有中空部4040a的板状。第二主体4200被设置为可插入到中空部4040a中。中空部4040a可以设置为具有大于第二主体4200的下端的直径。处理腔室4100和夹持构件5000可以定位在上部空间4080a中，并且升降构件4500可以定位在下部空间4080b中。移动构件5500可以位于壳体4020的外壁上。
处理腔室4100具有处理空间4120，用于在其中处理基板W。处理腔室4100在处理基板W时相对于外部封闭处理空间4120。处理腔室4100包括第二主体4200、第一主体4300和密封构件4140。第二主体4200的下表面被设置为台阶状。第二主体4200设置为其中下表面的中心部分低于其边缘部分的形状。例如，第二主体4200可以设置为大致圆柱形。第二主体4200可以通过升降构件4500被升降到主体4040的上部空间4080a和下部空间4080b。在第二主体4200的下表面上形成下供应口4220和排气口4260。当俯视时，下供应口4220可以位于第二主体4200的中心轴线之外。下供应口4220用作用于将超临界流体供应到处理空间4120的流动通道。
第一主体4300与第二主体4200结合以在其中形成处理空间4120。第一主体4300位于第二主体4200上。第一主体4300位于壳体4020的上部空间4080a中。第一主体4300通过缓冲构件4350联接到主体4040的顶表面。例如，缓冲构件4350可以是弹簧。在第一主体4300中形成上供应口4320。上供应口4320用作将超临界流体供应到处理空间4120的流动通道。上供应口4320可定位成与第一主体4300的中心一致。。根据示例性实施方式，第一主体4300和第二主体4200中的每一个都可以设置为金属材料。
密封构件4140密封第一主体4300和第二主体4200之间的间隙。密封构件4140位于第一主体4300和第二主体4200之间。基板支撑单元4400可以在处理空间4120中支撑基板W。
升降构件4500调节第一主体4300和第二主体4200之间的相对位置。升降构件4500将第一主体4300和第二主体4200中的任何一个升降为与其另一个分开或接触。升降构件4500升降第一主体4300或第二主体4200，使得处理腔室4100移动至打开位置或关闭位置。升降构件4500包括支撑板4520、升降轴4540和驱动器4560。支撑板4520在下部空间4080b中支撑第二主体4200。升降轴4540在下部空间4080b中支撑支撑板4520的下表面。升降轴4540固定地联接到支撑板4520。驱动器4560升降升降轴4540。当驱动力被提供给驱动器4560时，第二主体4200和升降轴4540升降，并且第一主体4300第二本体4200移动至密封处理空间的关闭位置。当驱动器4560的驱动力在关闭位置被释放时，第一主体4300和第二主体4200可以保持关闭位置。
阻挡构件4800防止从下供应口4220供应的超临界流体直接供应到基板W的未处理表面。阻挡构件4800包括阻挡板4820和支撑部4840。阻挡板4820被定位在下供应口4220和基板支撑单元4400之间。支撑部4840支撑阻挡板4820。
排气单元4700可以对处理空间4120的气氛进行排气。在处理空间4120中产生的工艺副产物通过排气单元4700排出。排气可以是自然排气或强制排气。此外，排气单元4700还可以在排放工艺副产物时调节处理空间4120的压力。排气单元4700包括排气管线4720和压力测量构件4740。排气管线4720与排气口4260连接。设置在排气管线4720中的排气阀4760可以调节处理空间4120的排气量。压力测量构件4740设置在排气管线4720上，并测量排气管线4720的压力。压力测量构件4740沿排气方向位于排气阀4760的上游。处理空间4120可通过排气单元4700减压至常压或对应于处理腔室4100外部的压力。
第一夹具5100和第二夹具5200定位在处理腔室4100的侧部上。根据示例性实施方式，第一夹具5100和第二夹具5200定位为彼此面对，处理腔室4100位于其间。第一夹具5100和第二夹具5200中的每一个以覆盖处理腔室4100的形状提供。
第一夹具5100和第二夹具5200中的每一个具有形成在面对处理腔室4100的内表面上的夹具凹槽5120。在关闭位置，夹具凹槽5120可供第一主体4300的边缘部分和第二主体4200的边缘部分插入。夹持构件5000可移动至锁定位置或释放位置。此处，锁定位置定义为其中第一夹具5100和第二夹具5200彼此靠近以夹持第一主体4300和第二主体4200的位置，释放位置定义为其中第一夹具5100和第二夹具5200与第一主体4300和第二主体4200间隔开的位置。第一夹具5100和第二夹具5200在锁定位置彼此结合以具有环孔形状。
在第一夹具5100和第二夹具5200与处理腔室5200之间可以设置防摩擦构件510b。例如，如图9所示，防摩擦构件510b可以设置在与第一夹具5100和第二夹具5200接触的上表面和下表面上。在示例性实施方式中，防摩擦构件510b可以设置为如图10所示的环形。在示例性实施方式中，防摩擦构件510b可以设置成开口的形状。
前面的详细描述说明了本发明。此外，以上内容示出和描述了本发明的示例性实施方式，并且本发明可以在各种其他组合、修改和环境中使用。即，在本说明书所公开的发明构思的范围内、与本公开内容等同的范围和/或本领域技术或知识的范围内，可以对前述内容进行修改或修正。上述示例性实施方式描述了实现本发明技术精神的最佳状态，并且本发明的特定应用领域和用途中所需要的各种变化都是可能的。因此，以上对本发明的详细描述并非旨在将本发明限制于所公开的示例性实施方式。此外，所附权利要求应被解释为也包括其他示例性实施方式。

Claims (20)

1.一种用于处理基板的装置，包括：
处理腔室，所述处理腔室被配置为具有第一主体和第二主体，所述第一主体和所述第二主体彼此结合以具有处理空间，在所述处理空间中处理基板；和
防摩擦构件，所述防摩擦构件放置在所述第一主体和所述第二主体之间的接触表面上，
其中所述防摩擦构件具有形成在与所述接触表面对应的表面上的凹槽，
其中在所述凹槽中设置有用于粘附在所述防摩擦构件和所述第一主体之间或所述防摩擦构件和所述第二主体之间的粘合剂，并且
其中所述凹槽形成开口图案。
2.根据权利要求1所述的用于处理基板的装置，其中所述防摩擦构件具有形成在没有设置所述凹槽的区域中的通孔。
3.根据权利要求1所述的用于处理基板的装置，其中所述图案在一端和另一端之间形成封闭区域。
4.根据权利要求3所述的用于处理基板的装置，其中所述封闭区域形成有贯穿所述防摩擦构件的通孔。
5.根据权利要求1所述的用于处理基板的装置，其中所述防摩擦构件被加工成具有与所述接触表面对应的表面粗糙度。
6.根据权利要求1所述的用于处理基板的装置，其中所述防摩擦构件的材料被设置为使得所述防摩擦构件的压缩应力大于所述防摩擦构件受到的力。
7.根据权利要求1所述的用于处理基板的装置，其中所述粘合剂和所述防摩擦构件之间的粘附力大于所述粘合剂和所述接触表面之间的粘附力。
8.一种用于处理基板的装置，包括：
处理腔室，所述处理腔室被配置为具有第一主体和第二主体，所述第一主体和所述第二主体彼此结合以具有高压处理空间，在所述高压处理空间中处理所述基板；
驱动器，所述驱动器被配置为将所述处理腔室移动至打开位置或关闭位置；
支撑单元，所述支撑单元被配置为在所述处理空间中支撑所述基板；
流体供应单元，所述流体供应单元被配置为向所述处理空间供应流体；和
防摩擦构件，所述防摩擦构件设置在所述处理腔室的一个表面上，
其中所述一个表面包括在所述第一主体和所述第二主体之间的接触表面，
其中所述防摩擦构件具有形成在与所述接触表面对应的表面上的凹槽，
其中在所述凹槽中设置有用于粘附在所述防摩擦构件和所述第一主体之间或所述防摩擦构件和所述第二主体之间的粘合剂，并且
其中所述凹槽形成开口图案。
9.根据权利要求8所述的用于处理基板的装置，其中所述图案在一端和另一端之间形成封闭区域。
10.根据权利要求9所述的用于处理基板的装置，其中所述封闭区域形成有贯穿所述防摩擦构件的通孔。
11.根据权利要求8所述的用于处理基板的装置，其中所述防摩擦构件具有形成在没有设置所述凹槽的区域中的通孔。
12.根据权利要求8所述的用于处理基板的装置，其中所述防摩擦构件设置为弧形。
13.根据权利要求8所述的用于处理基板的装置，其中所述驱动器设置有气缸，所述气缸贯穿所述第一主体和所述第二主体并升降所述第一主体和所述第二主体中的任一个，并且
其中所述防摩擦构件被设置为覆盖所述气缸。
14.根据权利要求8所述的用于处理基板的装置，其中所述防摩擦构件被加工成具有与所述一个表面对应的表面粗糙度。
15.根据权利要求8所述的用于处理基板的装置，其中所述处理腔室设置为金属材料。
16.根据权利要求8所述的用于处理基板的装置，其中所述防摩擦构件的材料被设置为使得所述防摩擦构件的压缩应力大于所述防摩擦构件受到的力。
17.根据权利要求8所述的用于处理基板的装置，其中所述粘合剂和所述防摩擦构件之间的粘附力大于所述粘合剂和所述一个表面之间的粘附力。
18.根据权利要求8所述的用于处理基板的装置，还包括：
夹持构件，所述夹持构件被配置为夹持在所述关闭位置放置的所述第一主体和所述第二主体，
其中所述防摩擦构件设置在所述第一主体和所述夹持构件之间以及所述第二主体和所述夹持构件之间，并且
其中所述一个表面包括在所述第一主体和所述夹持构件之间的接触表面以及在所述第二主体和所述夹持构件之间的接触表面。
19.根据权利要求18所述的用于处理基板的装置，其中所述防摩擦构件设置为环形。
20.根据权利要求18所述的用于处理基板的装置，其中所述基板的所述处理是在所述处理空间中使用超临界流体干燥所述基板。
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