KR101371559B1 - 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 제어 방법 - Google Patents

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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

기판이 배치될 수 있고, 배치된 상기 기판을 흡착하는 정전 척을 가지며, 상기 기판을 반송하는 반송 아암과, 상기 반송 아암에 상기 기판이 배치되어 있는 경우로서, 상기 반송 아암의 동작이 정지해 있을 때에는, 상기 정전 척에 상기 기판을 흡착시키기 위한 전압을 상기 정전 척의 전극 사이에 인가하지 않고, 상기 반송 아암에 상기 기판이 배치되어 있는 경우로서, 상기 반송 아암이 동작하고 있을 때에는, 상기 전압을 상기 전극 사이에 인가하는 제어부를 구비하는 기판 처리 장치를 제공한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 제어 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND METHOD FOR CONTROLLING SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 기판 처리 장치, 기판 반송 장치 및 기판 처리 장치의 제어 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스를 제조할 때는 반도체 웨이퍼에 대하여, 각종 박막의 성막 처치, 개질 처리, 산화 확산 처리, 어닐링 처리, 에칭 처리 등이 순차 반복해서 행해지고, 이에 따라 반도체 웨이퍼 상에 다층막을 포함하는 반도체 디바이스가 제조된다.
이러한 반도체 디바이스를 제조하는 제조 장치로서는, 클러스터 툴이라고 불리는 기판 처리 장치가 있다. 이 기판 처리 장치에서는, 여러 가지 처리를 하기 위한 복수의 매엽식 처리실과 하나의 반송실을 연결하여, 각각의 처리실 내에서 반도체 웨이퍼에 대한 처리를 순차 행함으로써, 하나의 기판 처리 장치로 각종 처리를 행하는 것을 가능하게 하는 것이다. 이러한 기판 처리 장치에서는, 처리실 사이에서의 반도체 웨이퍼의 이동이, 반송실에 설치된 반송 아암의 신축 동작 및 회전 동작 등에 의해 이루어진다. 이 반송 아암은 통상 정전 척을 가지며, 반도체 웨이퍼는 반송 아암의 정전 척에 의해서 흡착되어 반송된다.
일본 특허 공개 2002-280438호 공보 일본 특허 공개 2004-119635호 공보
그런데, 반도체 웨이퍼는 처리실 사이 등을 이동할 때에는, 정전 척의 전극에 전압을 인가함으로써 반송 아암 상의 정전 척에 흡착된 상태가 되지만, 장시간 정전 척에 의해 흡착됨으로써, 반송 아암으로부터 반도체 웨이퍼가 쉽게 떨어지지 않게 되어서 과흡착이 생기는 경우가 있다. 이 때문에, 과흡착이 생기기 어려운 반송 아암을 갖는 기판 처리 장치, 기판 반송 장치 및 기판 처리 장치의 제어 방법이 요구되고 있다.
또한, 클러스터 툴 타입의 기판 처리 장치에서는, 작업 처리량을 향상시키는 것이, 제조되는 반도체 디바이스의 제조 비용의 저하에 직결됨으로써, 작업 처리량의 향상이 특히 요구되고 있고, 또한 기판 처리 장치를 가동할 때의 전력 절약화 등도 요구되고 있다.
본 발명의 제1 양태는, 기판이 배치될 수 있고, 배치된 상기 기판을 흡착하는 정전 척을 가지며, 상기 기판을 반송하는 반송 아암과, 상기 반송 아암에 상기 기판이 배치되어 있는 경우로서, 상기 반송 아암의 동작이 정지해 있을 때에는, 상기 정전 척에 상기 기판을 흡착시키기 위한 전압을 상기 정전 척의 전극 사이에 인가하지 않고, 상기 반송 아암에 상기 기판이 배치되어 있는 경우로서, 상기 반송 아암이 동작하고 있을 때에는, 상기 전압을 상기 전극 사이에 인가하는 제어부를 구비하는 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명의 제2 양태는, 기판이 배치될 수 있고, 배치된 상기 기판을 흡착하는 정전 척을 가지며, 상기 기판을 반송하기 위해서 신축 동작 및 회전 동작이 가능한 반송 아암과, 상기 반송 아암에 상기 기판이 배치되어 있는 경우로서, 상기 반송 아암이 상기 신축 동작을 하고 있을 때에는, 상기 정전 척에 상기 기판을 흡착시키기 위한 전압을 상기 정전 척의 전극 사이에 인가하지 않고, 상기 반송 아암에 상기 기판이 배치되어 있는 경우로서, 상기 반송 아암이 상기 회전 동작을 하고 있을 때에는, 상기 전압을 상기 전극 사이에 인가하는 제어부를 구비하는 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명의 제3 양태는, 기판이 배치될 수 있고, 배치된 상기 기판을 흡착하는 정전 척을 가지며, 상기 기판을 반송하는 반송 아암을 구비하는 기판 처리 장치의 제어 방법을 제공한다. 이 제어 방법은 상기 반송 아암에 상기 기판을 배치하는 공정과, 상기 반송 아암의 상기 정전 척의 전극 사이에 전압을 인가함으로써 상기 기판을 상기 반송 아암에 흡착하고, 그 반송 아암에 의해 상기 기판을 이동시키는 제1 이동 공정과, 상기 제1 이동 공정 후에 상기 반송 아암의 상기 정전 척에 의한 흡착을 해제하는 해제 공정과, 상기 해제 공정 후에 상기 반송 아암의 상기 정전 척의 전극 사이에 전압을 인가함으로써 상기 기판을 상기 반송 아암에 흡착하고, 그 반송 아암에 의해 상기 기판을 이동시키는 제2 이동 공정을 포함한다.
본 발명의 제4 양태는, 기판이 배치될 수 있고, 배치된 상기 기판을 흡착하는 정전 척을 가지며, 상기 기판을 반송하는 반송 아암을 구비하는 기판 처리 장치의 제어 방법을 제공한다. 이 제어 방법은, 상기 반송 아암에 상기 기판을 배치하는 공정과, 상기 정전 척에 상기 기판을 흡착시키는 일없이, 상기 반송 아암이 신축함으로써 상기 기판을 이동시키는 제1 이동 공정과, 상기 제1 이동 공정 후에, 상기 반송 아암의 상기 정전 척의 전극 사이에 전압을 인가함으로써 상기 기판을 상기 반송 아암에 흡착하고, 그 반송 아암이 신축하지 않고 회전하여 상기 기판을 이동시키는 회전 공정과, 상기 회전 공정 후에 상기 반송 아암의 상기 정전 척에 의한 흡착을 해제하는 해제 공정과, 상기 해제 공정 후에 상기 정전 척에 상기 기판을 흡착시키는 일없이, 상기 반송 아암이 신축함으로써 상기 기판을 이동시키는 제2 이동 공정을 포함한다.
도 1은 제1 실시형태에서의 기판 처리 장치의 구성도.
도 2는 반송 아암의 평면도.
도 3은 반송 아암의 단면 확대도.
도 4는 기판 처리 장치에서의 비교예의 제어 방법의 타이밍 차트(1).
도 5는 제1 실시형태에서의 기판 처리 장치의 제어 방법의 타이밍 차트.
도 6은 제1 실시형태에서의 기판 처리 장치의 제어 방법의 설명도(1).
도 7은 제1 실시형태에서의 기판 처리 장치의 제어 방법의 설명도(2).
도 8은 제1 실시형태에서의 기판 처리 장치의 제어 방법의 설명도(3).
도 9는 기판 처리 장치에서의 비교예의 제어 방법의 타이밍 차트(2).
도 10은 제2 실시형태에서의 기판 처리 장치의 제어 방법의 타이밍 차트.
도 11은 기판 처리 장치에서의 비교예의 제어 방법의 타이밍 차트(3).
도 12는 제3 실시형태에서의 기판 처리 장치의 제어 방법의 타이밍 차트.
도 13은 제4 실시형태에서의 기판 처리 장치의 제어 방법의 타이밍 차트.
도 14는 제5 실시형태에서의 기판 처리 장치의 제어 방법의 타이밍 차트.
본 발명의 실시형태에 따르면, 정전 척에 의해 반도체 웨이퍼를 흡착할 수 있는 반송 아암을 갖는 기판 처리 장치에 있어서, 과흡착 및 고착의 발생을 가능한 한 막을 수 있는 기판 처리 장치, 기판 반송 장치 및 기판 처리 장치의 제어 방법을 제공할 수 있다. 이에 따라 반송 아암으로부터의 웨이퍼 분리를 쉽게 하여, 디바이스에의 손상을 방지할 수 있다.
또한, 작업 처리량을 향상시키고, 기판 처리 장치를 가동할 때의 전력을 절약화하는 것이 가능한 기판 처리 장치, 기판 반송 장치 및 기판 처리 장치의 제어 방법을 제공할 수 있다. 즉, 반송 아암의 정전 척에의 전압 인가 시간을 단축할 수 있어 전력을 절약화할 수 있다. 또한, 역전압의 인가를 필요로 하지 않는 경우가 있어 더욱더 전력을 절약화할 수 있다.
이하, 첨부 도면을 참조하면서, 본 발명의 한정적이 아닌 예시의 실시형태에 관해서 설명한다. 첨부하는 전체 도면 중, 동일 또는 대응하는 부재 또는 부품에 관해서는, 동일 또는 대응하는 참조 부호를 붙이고 중복하는 설명을 생략한다. 또한, 도면은 부재 또는 부품 간의 상대비를 도시하는 것을 목적으로 하지 않고, 따라서, 구체적인 치수는 이하의 한정적이지 않은 실시형태에 비추어, 당업자에 의해 결정되어야 한다.
〔제1 실시형태〕
(기판 처리 장치)
제1 실시형태에 관해서 설명한다. 본 실시형태는, 클러스터 툴이라고 불리는 기판 처리 장치, 즉 복수의 처리실과, 복수의 처리실과 접속된 반송실을 갖는 반도체 웨이퍼 등의 기판 처리를 행하는 기판 처리 장치이다. 반송실에는, 정전 척(ESC : Electrostatic Chuck)에 의해 반도체 웨이퍼를 흡착시키는 반송 아암이 설치되어 있고, 반송 아암에 의해 각각의 처리실 사이 또는, 처리실과 로드록 실 사이에서, 기판인 반도체 웨이퍼를 이동시킬 수 있다.
도 1에 기초하여 본 실시형태에서의 기판 처리 장치에 관해서 설명한다. 본 실시형태에서의 기판 처리 장치는 대기(大氣) 반송실(10)과, 공통 반송실(20)과, 4개의 매엽식 처리실(41, 42, 43, 44), 제어부(50)를 갖고 있다. 또한, 대기 반송실(10) 및 공통 반송실(20)은 기판 반송 장치로서의 기능을 갖는 것이므로, 대기 반송실(10) 및 공통 반송실(20)을 기판 반송 장치라고도 한다.
공통 반송실(20)은 대략 6각형의 형상을 하고 있고, 대략 6각형의 변에 해당하는 부분에 있어서, 4개의 처리실(41, 42, 43, 44)이 접속되어 있다. 또한, 공통 반송실(20)과, 대기 반송실(10) 사이에는 2개의 로드록실(31 및 32)이 설치되어 있다. 공통 반송실(20)과 각각의 처리실(41, 42, 43, 44) 사이에는 각각 게이트 밸브(61, 62, 63, 64)가 설치되어 있고, 각각의 처리실(41, 42, 43, 44)은 공통 반송실(20)과 차단될 수 있다. 또한, 공통 반송실(20)과 각각의 로드록실(31 및 32) 사이에는, 각각 게이트 밸브(65 및 66)가 설치되어 있고, 각각의 로드록실(31 및 32)과 대기 반송실(10) 사이에는, 각각 게이트 밸브(67 및 68)가 설치되어 있다. 또한, 공통 반송실(20)에는 도시하지 않는 진공 펌프가 접속되어 있어, 진공 배기가 가능하며, 또한 로드록실(31 및 32)에는 도시하지 않는 진공 펌프가 접속되어 있어 독립적으로 배기 가능하다.
또한, 대기 반송실(10)에 있어서, 2개의 로드록실(31 및 32)이 설치되어 있는 측의 반대측에는, 복수 매의 반도체 웨이퍼를 수납할 수 있는 카세트가 설치되는 3개의 도입 포트(12A, 12B, 12C)가 연결되어 있다.
대기 반송실(10) 내에는, 반도체 웨이퍼(W)를 유지하기 위해서 2개의 반송 아암(16A 및 16B)을 갖는 반입측 반송 기구(16)가 설치되어 있고, 반송 아암(16A 및 16B)이 신축, 회전, 승강 및 직선 이동 등의 동작을 행함으로써, 도입 포트(12A, 12B, 12C)에서의 카세트 내에 수납되어 있는 반도체 웨이퍼(W)를 추출해서, 로드록실(31 및 32) 중 어느 한곳의 내부까지 이동시킬 수 있다.
공통 반송실(20) 내에는, 반도체 웨이퍼(W)를 유지하기 위해서 2개의 반송 아암(80A 및 80B)을 갖는 반송 기구(80)가 설치되어 있고, 반송 아암(80A 또는 80B)이 신축 동작 및 회전 동작 등을 행함으로써, 반도체 웨이퍼(W)를 각각의 처리실(41, 42, 43, 44) 사이에서, 그리고 로드록실(31 또는 32)의 내부로부터 각각의 처리실(41, 42, 43, 44)로, 각각의 처리실(41, 42, 43, 44)로부터 로드록실(31 또는 32)의 내부로 이동시킬 수 있다.
구체적으로는, 반송 아암(80A 및 80B)에 의해 반도체 웨이퍼(W)를 로드록실(31 또는 32)로부터 각각의 처리실(41, 42, 43, 44)로 이동시킬 수 있고, 각각의 처리실(41, 42, 43, 44)에서, 반도체 웨이퍼(W)에 대한 처리가 실시된다. 처리실(41, 42, 43, 44)에서는, 각각 개별로 반도체 웨이퍼(W)가 처리되기 때문에, 반송 아암(80A 및 80B)에 의해, 처리실(41, 42, 43, 44) 사이에서 반도체 웨이퍼(W)를 이동시켜 처리가 행해진다. 각 처리실(41, 42, 43, 44)에 있어서의 반도체 웨이퍼(W)에 대한 처리가 종료된 후에, 반도체 웨이퍼(W)는 반송 아암(80A 또는 80B)에 의해 처리실(41, 42, 43, 44)로부터 로드록실(31 또는 32)로 이동하고, 또한 대기 반송실(10)에서의 반입측 반송 기구(16)의 반송 아암(16A 또는 16B)에 의해 반송 포트(12A, 12B, 12C)에서의 카세트 내에, 기판 처리가 종료된 반도체 웨이퍼(W)가 수납된다.
또한, 반도체 웨이퍼(W)는 반송 아암(80A 또는 80B) 상에 배치된다. 바꿔 말하면, 반송 아암(80A 또는 80B) 상에 반도체 웨이퍼(W)가 배치되어 있고, 정전 척에 의한 흡착이 이루어지지 않은 상태에서는, 중력에 의해 배치된 상태가 된다.
또한, 반입측 반송 기구(16)에서의 반송 아암(16A 또는 16B)의 동작, 반송 기구(80)에서의 반송 아암(80A 및 80B), 처리실(41, 42, 43, 44)에서의 반도체 웨이퍼의 처리, 게이트 밸브(61, 62, 63, 64, 65, 66, 67, 68), 로드록실(31 또는 32)의 배기 등의 제어는 제어부(50)에서 이루어진다. 또한, 정전 척에 의한 흡착을 위한, 정전 척의 전극(82)과 전극(83)(후술) 사이에의 전압 인가도 역시 제어부(50)에 의해 제어된다. 제어부(50)에 의해 제어되는 전압 인가와 반송 아암(80A 및 80B)의 동작과의 관계(타이밍)에 관해서는, 후술한다.
다음에, 도 2 및 도 3에 기초하여 본 실시형태에 있어서의 반송 아암(80A)에 관해서 설명한다. 도 3은 도 2에 있어서의 파선 3A-3B에서 절단한 단면 확대도이다. 반송 아암(80A)은 두 갈래로 갈라지며 반도체 웨이퍼(W)가 배치되는 U자형 선단 부분을 갖고 있다. 반송 아암(80A)의 본체부(81)는 산화알루미늄 등의 세라믹스 재료로 형성되고, 반도체 웨이퍼(W)를 배치하기 위한 U자형 선단 부분을 갖고 있다. 이 U자형 선단 부분에는, 정전 처킹을 하기 위한 금속 재료로 형성되는 전극(82 및 83)을 갖고 있고, 전극(82 및 83)의 표면에는, 폴리이미드 등으로 이루어지는 절연체층(84 및 85)이 형성되어 있다. 또한, 반송 아암(80A)에서의 본체부(81)의 반도체 웨이퍼(W)의 흡착면측에는, 실리콘 화합물을 함유하는 실리콘계 고무로 이루어지는 O링(86)이 마련되어 있고, 반도체 웨이퍼(W)는 본체부(81)와 직접 접촉하는 일이 없도록 구성되어 있다. 또한, 반송 아암(80B), 및 반입측 반송 기구(16)에서의 반송 아암(16A 및 16B)에 대해서도 마찬가지로 구성되어 있다.
(비교예의 기판 처리 장치의 제어 방법)
다음에, 도 4에 기초하여, 전술한 기판 처리 장치에서의 비교예의 제어 방법에 관해서 설명한다. 도 4의 (a)는 반송 아암에 반도체 웨이퍼가 존재하고 있는지의 여부를 나타내는 것이고, 도 4의 (b)는 정전 척의 전극 사이에 인가되는 전압을 나타내는 것이며, 도 4의 (c)는 반송 아암의 동작 상태, 즉 반송 아암이 동작하고 있는지 정지해 있는지의 상태를 나타내는 것이고, 도 4의 (d)는 정전 척에 의한 반송 아암과 반도체 웨이퍼의 흡착력을 나타내는 것이다.
맨 처음, 시간 t0에서, 반송 아암은 반도체 웨이퍼를 정전 척에 의해 흡착한다. 구체적으로는, 반도체 웨이퍼가 배치되어 있는 처리실과 공통 반송실 사이의 게이트 밸브를 개방하고, 반송 아암의 U자형 선단 부분이 반도체 웨이퍼의 하부에 삽입된 후, 반송 아암에 설치된 정전 척의 전극 사이에 흡착시키기 위한 전압 V1가 인가된다. 이에 따라, 반도체 웨이퍼는 반송 아암에 흡착된다. 이에, 시간 t0에서는, 반도체 웨이퍼가 반송 아암에 흡착되어 있어, 반송 아암 상에는 반도체 웨이퍼가 배치된 상태가 된다.
다음에, 시간 t0부터 시간 t1까지, 반송 아암은 신축 동작 및 회전 동작을 한다. 구체적으로는, 반송 아암이 수축함으로써, 반송 아암의 U자형 선단 부분에 배치되어 있는 반도체 웨이퍼는 처리실로부터 공통 반송실 내로 이동한다. 이 후, 회전함으로써, 공통 반송실 내에서의 반도체 웨이퍼가 배치되어 있지 않은 다음 처리실의 근방까지 반도체 웨이퍼가 이동한다.
다음에, 다음 처리실 내에 반도체 웨이퍼를 이동시킬 때까지, 반도체 웨이퍼의 이동은 정지한 상태, 즉 시간 t1부터 시간 t2까지, 공통 반송실 내에서 반송 아암의 동작은 정지한 상태가 된다. 이 상태에서, 정전 척의 전극 사이에는 V1의 전압이 인가된 상태 그대로이고 흡착력은 상승하게 된다.
다음에, 시간 t2부터 시간 t3까지 반송 아암은 신축 동작을 한다. 구체적으로는, 반송 아암이 신장함으로써, 반송 아암의 U자형 선단 부분에 배치되어 있는 반도체 웨이퍼는 공통 반송실로부터 처리실 내로 이동한다.
다음에, 다음 처리실 내의 정해진 위치에 반도체 웨이퍼를 배치한다. 즉, 반도체 웨이퍼를 정해진 위치까지 이동시킨 후, 시간 t3에서 정전 척의 전극 사이에 인가되는 전압을 0 V로 함으로써, 정전 척에 의한 흡착력은 해제되고, 다음 처리실 내의 정해진 위치에 반도체 웨이퍼가 배치된다.
이와 같이 하여, 처리실 사이에서 반도체 웨이퍼를 이동시킬 수 있다. 그러나, 이 방법에서는 도 4의 (d)에 도시하는 바와 같이, 전극 사이에 장시간에 걸쳐 전압 V1이 인가되면, 반송 아암의 정전 척과 반도체 웨이퍼 사이의 흡착력이 점차 높아지게 되는 경향에 있어, 전압의 인가 시간이 길어지면 질수록, 과흡착 상태가 되어 버린다. 이러한 과흡착 상태에서는, 반송 아암으로부터 반도체 웨이퍼를 분리하는 것이 용이하지 않다.
특히, 반송 아암과 반도체 웨이퍼 사이에 끼워지는 O 링이 실리콘 화합물을 함유하는 고무 등인 경우에는, O링을 사이에 두고 반도체 웨이퍼가 밀착해 버리는 경우가 있어, 반송 아암으로부터 반도체 웨이퍼를 분리하는 것은 용이하지 않다.
(본 발명의 일 실시형태에 의한 기판 처리 장치의 제어 방법)
다음에, 도 5에 기초하여, 도 1에 도시하는 기판 처리 장치를 이용한 본 발명의 일 실시형태에서의 기판 처리 장치의 제어 방법에 관해서 설명한다. 도 5의 (a)는 반송 아암(80A)에 반도체 웨이퍼(W)가 존재하고 있는지의 여부를 나타내는 것이고, 도 5의 (b)는 정전 척의 전극(82과 83) 사이에 인가되는 전압을 나타내는 것이며, 도 5의 (c)는 반송 아암(80A)의 동작 상태, 즉 반송 아암(80A)이 동작하고 있는지 정지해 있는지의 상태를 나타내는 것이고, 도 5의 (d)는 정전 척에 의한 반송 아암(80A)과 반도체 웨이퍼(W)와의 흡착력을 나타내는 것이다.
맨 처음, 시간 t0에서, 반도체 웨이퍼(W)를 정전 척에 의해 흡착한다. 구체적으로는, 도 6에 도시하는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(W)가 배치되어 있는 처리실(41)과 공통 반송실(20) 사이의 게이트 밸브(61)를 개방하고, 반송 아암(80A)의 U자형 선단 부분이 반도체 웨이퍼(W)의 하부에 삽입된 후, 반송 아암(80A)에 설치된 정전 척의 전극(82)과 전극(83) 사이에, 정전 척에 의해 반도체 웨이퍼(W)를 흡착시키기 위한 전압 V1가 인가된다. 이에 따라, 반도체 웨이퍼(W)는 정전 척에 흡착된다. 이에, 시간 t0에서는, 반도체 웨이퍼(W)가 반송 아암(80A)에 흡착된다.
다음에, 시간 t0부터 시간 t1까지, 반송 아암(80A)은 신축 동작 및 회전(선회)동작을 한다(제1 이동 공정 및 회전 공정). 구체적으로는, 반송 아암(80A)이 수축함으로써, 반송 아암(80A)의 U자형 선단 부분에 배치되어 있는 반도체 웨이퍼(W)는 처리실(41)로부터 공통 반송실(20) 내로 이동한다. 이후, 도 7에 도시하는 바와 같이, 회전 동작을 함으로써, 공통 반송실(20) 내에서의 반도체 웨이퍼(W)가 배치되어 있지 않은 다음 처리실(42)의 근방까지 반도체 웨이퍼(W)가 이동한다.
다음에, 다음 처리실(42) 내에 반도체 웨이퍼(W)를 이동시킬 때까지, 반도체 웨이퍼(W)의 이동은 정지한 상태, 즉 시간 t1부터 시간 t2까지 공통 반송실(20) 내에서 반송 아암(80A)의 동작은 정지한 상태가 된다. 이 상태에서, 전극(82)과 전극(83) 사이에의 흡착시키기 위한 전압 인가를 정지한다(해제 공정). 즉, 시간 t1에 있어서, 전극(82)과 전극(83) 사이에 인가되는 전압이 V1에서 0 V가 되기 때문에, 시간 t1부터 시간 t2까지의 동안에, 정전 척이 반도체 웨이퍼(W)를 흡착하는 흡착력은 저하한다. 또한, 이 상태에서도, 반도체 웨이퍼(W)는 반송 아암(80A) 상에 중력에 의해 배치된 상태 그대로이다.
다음에, 시간 t2부터 시간 t3까지, 반송 아암(80A)은 신축 동작을 한다. 구체적으로는, 반송 아암(80A)이 신장함으로써, 반송 아암(80A)의 U자형 선단 부분에 배치되어 있는 반도체 웨이퍼(W)는 공통 반송실(20)로부터 처리실(42) 내로 이동한다. 이때, 다시 반송 아암(80A)에서의 전극(82)과 전극(83) 사이에 전압 V1가 인가되고, 반송 아암(80A)에 반도체 웨이퍼(W)가 흡착되게 된다(제2 이동 공정).
다음에, 다음 처리실(42) 내의 정해진 위치에 반도체 웨이퍼(W)를 배치한다. 즉, 도 8에 도시하는 바와 같이, 시간 t3에서 반도체 웨이퍼를 정해진 위치까지 이동시킨 후, 정전 척의 전극 사이에 인가되는 전압을 0 V로 함으로써, 정전 척에 의한 흡착은 해제되고, 다음 처리실(42) 내의 정해진 위치에 반도체 웨이퍼(W)가 배치된다.
이와 같이 하여 본 실시형태에서의 기판 처리 장치에서 처리실 사이에 반도체 웨이퍼(W)를 이동시킬 수 있다. 본 실시형태에서의 기판 처리 장치의 제어 방법에서는, 반송 아암(80A)이 동작하고 있는 시간 이외, 즉 시간 t0부터 시간 t1, 시간 t2부터 시간 t3 이외에서는, 전극(82)과 전극(83) 사이에 인가되는 전압은 0 V가 된다. 바꿔 말하면, 시간 t1부터 시간 t2에서는, 정전 척에 의한 흡착을 해제하여, 반송 아암(80A)과 반도체 웨이퍼(W)의 과흡착을 방지할 수 있다. 즉, 반송 아암(80A)이 동작하고 있는 시간에만 전극(82)과 전극(83) 사이에 전압 V1가 인가되어, 반도체 웨이퍼(W)가 단시간 흡착해 있기 때문에, 흡착력의 상승이 적다. 따라서, 과흡착의 발생을 막을 수 있다.
또한, 반송 아암(80A)이 동작하지 않는 시간, 즉 시간 t1부터 시간 t2에서는, 전극(82)과 전극(83) 사이에 전압 V1가 인가되지 않기 때문에, 그 사이에는 전력을 소비하지 않으므로, 전력 절약화, 저비용화가 가능하다.
〔제2 실시형태〕
다음에, 제2 실시형태에 관해서 설명한다. 본 실시형태는 제1 실시형태의 기판 처리 장치에 있어서, 정전 척의 잔류 전하에 의한 흡착력을 제거하는 경우의 기판 처리 장치의 제어 방법이다.
(비교예의 기판 처리 장치의 제어 방법)
도 9에 기초하여, 기판 처리 장치에서의 비교예의 제어 방법에 관해서 설명한다. 이 제어 방법에서는 정전 척 제거가 이루어진다. 도 9의 (a)는 반송 아암에 반도체 웨이퍼가 존재하고 있는지의 여부를 나타내는 것이고, 도 9의 (b)는 정전 척에 흡착시키기 위해서 정전 척의 전극 사이에 인가되는 전압의 인가 상태를 나타내는 것이며, 도 9의 (c)는 정전 척에 의한 잔류 전하를 제거하기 위해서 정전 척의 전극 사이에 인가되는 전압의 인가 상태를 나타내는 것이고, 도 9의 (d)는 반송 아암의 상태, 즉 반송 아암이 신장해 있는지 수축해 있는지의 상태를 나타내는 것이며, 도 9의 (e)는 반송 아암이 회전 동작을 하고 있는지의 여부를 나타내는 것이고, 도 9의 (f)는 최초로 반도체 웨이퍼가 배치되어 있는 처리실(이하,「처리실 A」라고 기재)에서 반도체 웨이퍼를 승강시키기 위한 핀의 상하 위치를 나타내는 것이며, 도 9의 (g)는 다음으로 반도체 웨이퍼가 배치되는 처리실(이하, 「처리실 B」라고 기재)에서 반도체 웨이퍼를 승강시키기 위한 핀의 상하 위치를 나타내는 것이고, 도 9의 (h)는 정전 척에 의한 반송 아암과 반도체 웨이퍼의 흡착력을 나타내는 것이다.
맨 처음, 시간 t10부터 시간 t11에서, 반송 아암은 최초로 반도체 웨이퍼가 배치되어 있는 처리실 A를 향해서 신장 동작을 한다. 이때, 반송 아암에는, 반도체 웨이퍼는 배치되어 있지 않고, 반송 아암의 정전 척의 전극 사이에는 전압이 인가되지 않는다. 또한, 처리실 A에서는, 이미 처리실 A에서 반도체 웨이퍼를 들어 올리기 위한 핀이 상승해 있어, 반도체 웨이퍼는 들어 올려진 상태가 된다. 따라서, 시간 t11에서는, 반송 아암이 신장한 상태가 되고, 처리실 A 내에서 반도체 웨이퍼의 아래쪽에, 반송 아암의 U자형 선단부가 삽입된 상태가 된다.
다음에, 시간 t11부터 시간 t12에서, 처리실 A 내에서의 핀이 강하함으로써 반도체 웨이퍼는 반송 아암의 U자형 선단부에 배치된다.
다음에, 시간 t12부터 시간 t13에서, 반송 아암에 설치된 정전 척의 전극 사이에, 정전 척에 의해 흡착시키기 위한 전압 V1가 인가됨으로써, 반도체 웨이퍼는 반송 아암의 정전 척에 흡착되고, 또한 반송 아암이 수축 동작을 함으로써, 처리실 A로부터 공통 반송실로 반도체 웨이퍼를 이동시킨다.
다음에, 시간 t13부터 시간 t14에서, 반송 아암은 회전 동작을 하여, 처리실 B의 근방까지 반도체 웨이퍼를 이동시킨다.
다음에, 시간 t14부터 시간 t15에서, 반송 아암은 처리실 B 내부를 향하여 신장 동작을 함으로써, 반도체 웨이퍼를 처리실 B 내까지 이동시킨다.
다음에, 시간 t15에서 반송 아암의 정전 척의 전극 사이에 인가되는 전압 V1을 오프로 하고, 시간 t15부터 시간 t16에서, 시간 t12부터 시간 t15에서 전극 사이에 인가되는 전압과는 역방향의 전압 V2를 전극 사이에 인가함으로써, 반송 아암에서의 반도체 웨이퍼와 정전 척에 잔류해 있는 전하를 제거하여, 흡착력을 확실하게 해제한다.
다음에, 시간 t16부터 시간 t17에서, 처리실 B 내에서의 반도체 웨이퍼를 들어 올리기 위한 핀이 상승하여, 반송 아암에 배치된 반도체 웨이퍼를 들어 올린다.
다음에, 시간 t17부터 시간 t18에서, 반송 아암은 수축 동작을 함으로써, U자형 선단부를 처리실 B로부터 공통 반송실로 이동시킨다.
다음에, 시간 t18부터 시간 t19에서, 처리실 B 내에서의 핀이 강하하고, 반도체 웨이퍼는 처리실 B의 정해진 위치에 배치된다.
이상에 의해, 처리실 A로부터 처리실 B에 반도체 웨이퍼를 이동시킬 수 있다.
(본 발명의 일 실시형태에 의한 기판 처리 장치의 제어 방법)
다음에, 도 10에 기초하여, 도 1에 도시하는 기판 처리 장치를 이용한 본 발명의 일 실시형태에서의 기판 처리 장치의 제어 방법에 관해서 설명한다. 도 10의 (a)는 반송 아암(80A)에 반도체 웨이퍼(W)가 존재하고 있는지의 여부를 나타내는 것이고, 도 10의 (b)는 정전 척의 전극(82)과 전극(83) 사이에 인가하는 정전 척에 의해 흡착시키기 위한 전압의 인가 상태를 나타내는 것이며, 도 10의 (c)는 정전 척에 의한 잔류 전하를 제거하기 위해서 전극(82)과 전극(83) 사이에 인가되는 전압의 상태를 나타내는 것이고, 도 10의 (d)는 반송 아암(80A)의 상태, 즉 반송 아암(80A)이 신장해 있는지 수축해 있는지의 상태를 나타내는 것이며, 도 10의 (e)는 반송 아암(80A)이 회전 동작을 하고 있는지의 여부를 나타내는 것이고, 도 10의 (f)는 처리실(41)에서 반도체 웨이퍼(W)를 승강시키기 위한 도시하지 않는 핀의 상하 위치를 나타내는 것이며, 도 10의 (g)는 처리실(42)에서 반도체 웨이퍼(W)를 승강시키기 위한 도시하지 않는 핀의 상하 위치를 나타내는 것이고, 도 10의 (h)는 정전 척에 의한 반송 아암(80A)과 반도체 웨이퍼(W)의 흡착력을 나타내는 것이다. 본 실시형태에서의 기판 처리 장치의 제어 방법은 반송 아암(80A)이 회전 동작을 할 때에만 정전 척에 의한 흡착을 하는 것이다. 즉, 반송 아암(80A)의 동작에 있어서, 반송 아암(80A)의 회전 동작에서는, 반도체 웨이퍼(W)에 원심력이 작동하기 때문에, 신축 동작보다도 회전 동작인 경우에 반도체 웨이퍼(W)에는 강한 힘이 걸린다. 따라서, 반송 아암(80A)에 반도체 웨이퍼(W)를 배치한 상태에서, 정전 척에 의해 흡착하지 않고 신축 동작이 가능한 경우이더라도, 회전 동작에서는, 정전 척에 의해 흡착시키는 것이 필요하다.
맨 처음, 시간 t20부터 시간 t21에서, 반송 아암(80A)은 처리실(41)을 향해서 신장 동작을 한다. 이때, 반송 아암(80A)에는, 반도체 웨이퍼(W)가 배치되어 있지 않고, 반송 아암(80A)의 정전 척의 전극(82)과 전극(83) 사이에 인가되는 전압은 0 V이다. 또한, 처리실(41)에서는, 반도체 웨이퍼(W)를 들어 올리기 때문에 도시하지 않는 핀이 상승함으로써, 반도체 웨이퍼(W)는 핀 상에 들어 올려져 있다. 그리고, 시간 t21에서는, 반송 아암(80A)이 신장한 상태가 되고, 반송 아암(80A)의 U자형 선단부가 처리실(41) 내에서 반도체 웨이퍼(W)의 아래쪽으로 진입한 상태가 된다. 구체적으로는, 도 6에 도시하는 상태가 된다.
다음에, 시간 t21부터 시간 t22에서, 처리실(41)에서의 도시하지 않는 핀이 강하함으로써 반도체 웨이퍼(W)는 반송 아암(80A)의 U자형 선단부에 배치된다.
다음에, 시간 t22부터 시간 t23에서, 반송 아암(80A)은 수축 동작을 함으로써, 처리실(41)로부터 반도체 웨이퍼(W)를 공통 반송실(20)로 이동시킨다(제1 이동 공정).
다음에, 시간 t23부터 시간 t24에서, 반송 아암(80A)에 설치된 정전 척의 전극(82)과 전극(83) 사이에, 정전 척에 의한 흡착을 시키기 위한 전압 V1를 인가함으로써, 반도체 웨이퍼(W)는 정전 척에 흡착된다. 또한, 상기 정전 척의 각 전극에의 전압 V1의 인가 후에, 반송 아암(80A)은 회전 동작을 하여, 처리실(42)의 근방까지, 반도체 웨이퍼(W)를 이동시킨다(회전 공정). 구체적으로는, 도 7에 도시하는 바와 같이 회전 동작을 한다.
다음에, 시간 t24에서 반송 아암(80A)의 정전 척의 전극(82)과 전극(83) 사이에 인가되는 정전 척에 의한 흡착을 시키기 위한 전압 V1를 오프로 하고 (해제 공정), 전극 사이에 0 V의 전압을 인가한다. 또한, 시간 t24부터 시간 t25에서, 전극(82)과 전극(83) 사이에 시간 t23부터 시간 t24 사이에 인가되는 전압 V1과는 극성이 반대인 전압 V2를 인가함으로써, 반송 아암(80A)의 정전 척에 의한 반도체 웨이퍼(W)의 흡착을 확실하게 해제하고, 동시에, 반송 아암(80A)은 처리실(42) 내부를 향하여 신장 동작을 함으로써, 반도체 웨이퍼(W)를 처리실(42) 내까지 이동시킨다(제2 이동 공정). 구체적으로는, 도 8에 도시하는 상태가 된다. 또한, 이 상태에서도, 반도체 웨이퍼(W)는 반송 아암(80A) 상에 중력에 의해 배치된 상태 그대로이다.
다음에, 시간 t25부터 시간 t26에서, 처리실(42) 내에서의 도시하지 않는 핀이 상승하여, 반송 아암(80A)에 배치된 반도체 웨이퍼(W)를 들어 올린다.
다음에, 시간 t26부터 시간 t27에서, 반송 아암(80A)은 수축 동작을 함으로써, U자형 선단부를 처리실(42)로부터 공통 반송실(20)로 이동시킨다.
다음에, 시간 t27부터 시간 t28에서, 처리실(42) 내에서의 도시하지 않는 핀이 강하하여, 반도체 웨이퍼(W)는 처리실(42)의 정해진 위치에 배치된다.
이상의 공정에 의해, 처리실(41)로부터 처리실(42)로 반도체 웨이퍼(W)를 이동시킬 수 있다.
본 실시형태에서는, 반송 아암(80A)의 신축 동작과 정전 척을 확실하게 해제하기 위한 역전압의 인가를 동시에 행하기 때문에, 처리실 사이를 단시간에 반도체 웨이퍼(W)를 이동시킬 수 있어, 작업 처리량을 향상시킬 수 있다. 즉, 비교예의 제어 방법(도 9)에 나타내는 경우에는, 시간 t14부터 시간 t16까지 필요하였던 시간이, 본 실시형태에서는 시간 t24부터 시간 t25까지 단축할 수 있어, 작업 처리량을 향상시킬 수 있다. 또한, 정전 척에 의해 흡착되어 있는 시간에 관해서도, 비교예의 제어 방법(도 9)에 나타내는 경우에서는, 시간 t12부터 시간 t15까지인 데 대하여, 본 실시형태에서는 시간 t23부터 시간 t24까지로 단축할 수 있어, 반도체 웨이퍼(W)의 과흡착을 방지할 수 있고, 전력을 절약화하는 것이 가능하다. 또한, 도 9에 나타내는 시간 t10부터 시간 t14와, 도 10에 나타내는 시간 t20부터 시간 t24는 같은 시간이며, 도 9에 나타내는 시간 t16부터 시간 t19과, 도 10에 나타내는 시간 t25부터 시간 t28은 같은 시간이다.
〔제3 실시형태〕
다음에, 제3 실시형태에 관해서 설명한다. 본 실시형태는 제1 실시형태의 기판 처리 장치에 있어서, 제2 실시형태와 다르고, 반도체 웨이퍼의 반송에 대기 시간을 필요로 하고, 정전 척의 흡착력 제거를 위한 역전압을 인가하지 않는 경우의 기판 처리 장치의 제어 방법이다.
(비교예의 기판 처리 장치의 제어 방법)
도 11에 기초하여, 기판 처리 장치에 있어서의 비교예의 제어 방법에 관해서 설명한다. 이 제어 방법에서는 정전 척 제거가 이루어진다. 도 11의 (a)는 반송 아암에 반도체 웨이퍼가 존재하고 있는지의 여부를 나타내는 것이고, 도 11의 (b)는 정전 척의 전극 사이에 인가되는 전압을 나타내는 것이며, 도 11의 (c)는 반송 아암의 상태, 즉 반송 아암이 신장해 있는지 수축해 있는지의 상태를 나타내는 것이고, 도 11의 (d)는 반송 아암이 회전 동작을 하고 있는지의 여부를 나타내는 것이며, 도 11의 (e)는 최초로 반도체 웨이퍼가 배치되어 있는 처리실(이하, 「처리실 A」라고 기재)에서 반도체 웨이퍼를 승강시키기 위한 핀의 상하 위치를 나타내는 것이고, 도 11의 (f)는 다음에 반도체 웨이퍼가 배치되는 처리실(이하, 「처리실 B」라고 기재)에서 반도체 웨이퍼를 승강시키기 위한 핀의 상하 위치를 나타내는 것이며, 도 11의 (g)는 정전 척에 의한 반송 아암과 반도체 웨이퍼의 흡착력을 나타내는 것이다.
맨 처음, 시간 t30부터 시간 t31에서, 반송 아암은 최초로 반도체 웨이퍼가 배치되어 있는 처리실 A를 향해서 신장 동작을 한다. 이때, 반송 아암에는, 반도체 웨이퍼는 배치되어 있지 않고, 반송 아암의 정전 척의 전극 사이에 인가되는 전압은 0 V가 된다. 또한, 처리실 A에서는, 이미 처리실 A에서 반도체 웨이퍼를 들어 올리기 위한 핀이 상승해 있고, 반도체 웨이퍼는 들어 올려진 상태가 된다. 시간 t31에서는, 반송 아암이 신장한 상태가 되고, 처리실 A 내에서 상기 핀에 의해서 들어 올려져 있는 반도체 웨이퍼의 아래쪽에, 반송 아암의 U자형 선단부가 삽입된 상태가 된다.
다음에, 시간 t31부터 시간 t32에서, 처리실 A 내에서의 핀이 강하함으로써 반도체 웨이퍼는 반송 아암의 U자형 선단부에 배치된다.
다음에, 시간 t32부터 시간 t33에서, 반송 아암에 설치된 정전 척의 전극 사이에, 정전 척에 의해 흡착시키기 위한 전압 V1가 인가됨으로써, 반도체 웨이퍼는 정전 척에 흡착되고, 또한 반송 아암은 수축 동작을 함으로써, 처리실 A로부터 반도체 웨이퍼를 공통 반송실로 이동시킨다.
다음에, 시간 t33부터 시간 t34에서, 반송 아암은 회전 동작을 하여, 처리실 B의 근방까지 반도체 웨이퍼를 이동시킨다.
다음에, 시간 t34부터 시간 t35에서, 처리실 B 등에서의 준비가 완료될 때까지, 공통 반송실 내에서 반도체 웨이퍼의 이동은 정지한 상태, 즉 반송 아암의 동작은 정지한 상태가 된다. 이때, 전극 사이에는 V1의 전압이 인가된 상태 그대로이므로, 흡착력은 점차 상승하게 되다.
다음에, 시간 t35부터 시간 t36에서, 반송 아암은 처리실 B 내부를 향하여 신장 동작을 함으로써, 반도체 웨이퍼를 처리실 B 내까지 이동시킨다.
다음에, 시간 t36에서 반송 아암의 정전 척의 전극 사이에 인가되는 전압을 V1에서 0 V로 변경한다. 이 시간 t36에서 정전 척의 전극 사이에 인가되는 전압을 0 V로 변경할 때까지의 사이, 전압 V1가 장시간에 걸쳐 인가되기 때문에, 이 사이에 정전 척의 흡착력은 서서히 증가한다. 이 때문에, 시간 t36에서 전극 사이에의 인가 전압을 0 V로 변경하더라도, 흡착력은 바로 0이 되지 않고 서서히 저하해 간다. 이 때문에 흡착력이 정해진 값 이하가 되는 시간 t37까지, 이 상태를 유지한다.
다음에, 시간 t37부터 시간 t38에서, 처리실 B 내에서의 반도체 웨이퍼를 들어 올리기 위한 핀이 상승하고, 반송 아암에 배치된 반도체 웨이퍼를 들어 올린다.
다음에, 시간 t38부터 시간 t39에서, 반송 아암은 수축 동작을 함으로써, U자형 선단부를 처리실 B로부터 공통 반송실로 이동시킨다.
다음에, 시간 t39부터 시간 t40에서, 처리실 B 내에서의 핀이 강하하여, 반도체 웨이퍼는 처리실 B의 정해진 위치에 배치된다.
이상에 의해, 처리실 A로부터 처리실 B로 반도체 웨이퍼를 이동시킬 수 있다.
(본 발명의 일 실시형태에 의한 기판 처리 장치의 제어 방법)
다음에, 도 12에 기초하여 도 1에 도시하는 기판 처리 장치를 이용한 본 발명의 일 실시형태에서의 기판 처리 장치의 제어 방법에 관해서 설명한다. 도 12의 (a)는 반송 아암(80A)에 반도체 웨이퍼(W)가 존재하고 있는지의 여부를 나타내는 것이고, 도 12의 (b)는 정전 척의 전극(82)과 전극(83) 사이에 인가되는 전압을 나타내는 것이며, 도 12의 (c)는 반송 아암(80A)의 상태, 즉 반송 아암(80A)이 신장해 있는지 수축해 있는지의 상태를 나타내는 것이고, 도 12의 (d)는 반송 아암(80A)이 회전 동작을 하고 있는지의 여부를 나타내는 것이며, 도 12의 (e)는 처리실(41)에서 반도체 웨이퍼(W)를 승강시키기 위한 도시하지 않는 핀의 상하 위치를 나타내는 것이고, 도 12의 (f)는 처리실(42)에서 반도체 웨이퍼(W)를 승강시키기 위한 도시하지 않는 핀의 상하 위치를 나타내는 것이며, 도 12의 (g)는 정전 척에 의한 반송 아암(80A)과 반도체 웨이퍼(W)의 흡착력을 나타내는 것이다.
맨 처음, 시간 t50부터 시간 t51에서, 반송 아암(80A)은 최초로 반도체 웨이퍼(W)가 배치되어 있는 처리실(41)을 향해서 신장 동작을 한다. 이때, 반송 아암(80A)에는, 반도체 웨이퍼(W)는 배치되어 있지 않고, 반송 아암(80A)의 정전 척의 전극(82)과 전극(83) 사이에 인가되는 전압은 0 V이다. 또한, 처리실(41)에서는, 이미 처리실(41)에서 반도체 웨이퍼를 들어 올리기 위한 도시하지 않는 핀이 상승해 있어, 반도체 웨이퍼(W)는 들어 올려진 상태가 된다. 따라서, 시간 t51에서는, 반송 아암(80A)이 신장한 상태가 되고, 처리실(41) 내에서 상기 핀에 의해서 들어 올려져 있는 반도체 웨이퍼(W)의 아래쪽에, 반송 아암(80A)의 U자형 선단부가 삽입된 상태가 된다.
다음에, 시간 t51부터 시간 t52에서, 처리실(41)에서의 도시하지 않는 핀이 강하함으로써 반도체 웨이퍼(W)는 반송 아암(80A)의 U자형 선단부에 배치된다.
다음에, 시간 t52부터 시간 t53에서, 반송 아암(80A)은 수축 동작을 함으로써, 처리실(41)로부터 반도체 웨이퍼(W)를 공통 반송실(20)로 이동시킨다(제1 이동 공정).
다음에, 시간 t53부터 시간 t54에서, 반송 아암(80A)에 설치된 정전 척의 전극(82)과 전극(83) 사이에, 정전 척에 의해 흡착시키기 위한 전압 V1가 인가됨으로써, 반도체 웨이퍼(W)는 정전 척에 흡착되고, 또한 반송 아암(80A)은 회전 동작을 하여, 처리실(42)의 근방까지 반도체 웨이퍼(W)를 이동시킨다. 구체적으로는, 도 7에 도시하는 바와 같이 회전 동작을 한다(회전 공정).
다음에, 시간 t54부터 시간 t55에서, 처리실(42)에 반도체 웨이퍼(W)를 반입하기 위한 준비가 완료될 때까지, 공통 반송실(20) 내에서 반도체 웨이퍼(W)의 이동은 정지한 상태, 즉 반송 아암(80A)의 동작은 정지한 상태가 된다. 또한, 시간 t54에서, 전극(82)과 전극(83) 사이에의 흡착시키기 위한 전압 인가를 정지하는(해제 공정), 즉 전극 사이에 인가되는 전압은 0 V가 되고, 정전 척에 의한 흡착은 해제된다. 또한, 이 상태에서도, 반도체 웨이퍼(W)는 반송 아암(80A) 상에 중력에 의해 배치된 상태 그대로이다.
다음에, 시간 t55부터 시간 t56에서, 반송 아암(80A)은 처리실(42) 내부를 향하여 신장 동작을 함으로써, 반도체 웨이퍼(W)를 처리실(42) 내까지 이동시킨다(제2 이동 공정). 구체적으로는, 도 8에 도시하는 상태가 된다.
다음에, 시간 t56부터 시간 t57에서, 처리실(42) 내에서의 도시하지 않는 핀이 상승하여, 반송 아암(80A)에 배치된 반도체 웨이퍼(W)를 들어 올린다.
다음에, 시간 t57부터 시간 t58에서, 반송 아암(80A)은 수축 동작을 함으로써, U자형 선단부를 처리실(42)로부터 공통 반송실(20)로 이동시킨다.
다음에, 시간 t58부터 시간 t59에서, 처리실(42) 내에서의 도시하지 않는 핀이 강하하여, 반도체 웨이퍼(W)는 처리실(42)의 정해진 위치에 배치된다.
이상에 의해, 본 실시형태에서의 제어 방법에 의해, 처리실(41)로부터 처리실(42)로 반도체 웨이퍼(W)를 이동시킬 수 있다.
본 실시형태에서는, 반송 아암(80A)에 설치된 정전 척의 전극 사이에, 흡착시키기 위한 전압 V1를 인가하는 것은, 반송 아암(80A)이 회전 동작을 행하는 시간, 즉 시간 t53부터 시간 t54까지의 동안에만 이루어진다. 따라서, 과흡착이 생기는 일이 없고, 흡착력이 저하하기까지의 시간, 즉 도 11에 나타내는 시간 t36부터 시간 t37까지의 시간을 설정할 필요가 없다. 따라서, 기판 처리 장치에서의 작업 처리량을 향상시킬 수 있고, 또한 전력 절약화가 가능하다. 또한, 도 11에 나타내는 시간 t30부터 시간 t36과, 도 12에 나타내는 시간 t50부터 시간 t56은 같은 시간이며, 도 11에 나타내는 시간 t37부터 시간 t40과, 도 12에 나타내는 시간 t56부터 시간 t59는 같은 시간이다.
〔제4 실시형태〕
다음에, 본 발명의 제4 실시형태에 관해서 설명한다. 본 실시형태는 제1 실시형태에서의 기판 처리 장치에 있어서, 제3 실시형태와 다르고, 반송 아암(80A)의 신축 동작에서도 정전 처킹을 하는 경우에서의 기판 처리 장치의 제어 방법이다.
도 13에 기초하여, 도 1에 도시하는 기판 처리 장치를 이용한 본 실시형태에서의 기판 처리 장치의 제어 방법에 관해서 설명한다. 도 13의 (a)는 반송 아암(80A)에 반도체 웨이퍼(W)가 존재하고 있는지의 여부를 나타내는 것이고, 도 13의 (b)는 정전 척의 전극(82)과 전극(83) 사이에 인가되는 전압을 나타내는 것이며, 도 13의 (c)는 반송 아암(80A)의 상태, 즉 반송 아암(80A)이 신장해 있는지 수축해 있는지의 상태를 나타내는 것이고, 도 13의 (d)는 반송 아암(80A)이 회전 동작을 하고 있는지의 여부를 나타내는 것이며, 도 13의 (e)는 처리실(41)에서 반도체 웨이퍼(W)를 승강시키기 위한 도시하지 않는 핀의 상하 위치를 나타내는 것이고, 도 13의 (f)는 처리실(42)에서 반도체 웨이퍼(W)를 승강시키기 위한 도시하지 않는 핀의 상하 위치를 나타내는 것이며, 도 13의 (g)는 정전 척에 의한 반송 아암(80A)과 반도체 웨이퍼(W)의 흡착력을 나타내는 것이다.
맨 처음, 시간 t60부터 시간 t61에서, 반송 아암(80A)은 최초로 반도체 웨이퍼(W)가 배치되어 있는 처리실(41)을 향해서 신장 동작을 한다. 이때, 반송 아암(80A)에는, 반도체 웨이퍼(W)가 배치되어 있지 않고, 반송 아암(80A)의 정전 척의 전극(82)과 전극(83) 사이에는 전압은 인가되지 않는다. 또한, 처리실(41)에서는, 이미 처리실(41)에서 반도체 웨이퍼를 들어 올리기 위한 도시하지 않는 핀이 상승해 있어, 반도체 웨이퍼(W)는 그 핀에 의해서 들어 올려진 상태가 된다. 따라서, 시간 t61에서는, 반송 아암(80A)이 신장한 상태가 되고, 처리실(41) 내에서 반도체 웨이퍼(W)의 아래쪽에, 반송 아암(80A)의 U자형 선단부가 들어간 상태가 된다.
다음에, 시간 t61부터 시간 t62에서, 처리실(41)에서의 도시하지 않는 핀이 강하함으로써 반도체 웨이퍼(W)는 반송 아암(80A)의 U자형 선단부에 배치된다.
다음에, 시간 t62에서, 반송 아암(80A)에 설치된 전극(82)과 전극(83) 사이에, 정전 척에 의해서 흡착시키기 위한 전압 V1가 인가됨으로써, 반도체 웨이퍼(W)는 반송 아암(80A)의 정전 척에 흡착되고, 또한 시간 t62부터 시간 t63에서, 반송 아암(80A)은 수축 동작을 함으로써, 처리실(41)로부터 반도체 웨이퍼(W)를 공통 반송실(20)로 이동시킨다(제1 이동 공정).
다음에, 시간 t63부터 시간 t64에서, 반송 아암(80A)은 회전 동작을 하여, 처리실(42)의 근방까지 반도체 웨이퍼(W)를 이동시킨다(회전 공정). 구체적으로는, 도 7에 도시하는 바와 같이 회전 동작을 한다.
다음에, 시간 t64부터 시간 t65에서, 처리실(42)에 반도체 웨이퍼(W)를 반입하기 위한 준비가 완료될 때까지, 공통 반송실(20) 내에서 반도체 웨이퍼(W)의 이동은 정지한 상태, 즉, 반송 아암(80A)의 동작은 정지한 상태가 된다. 또한, 시간 t64에서, 전극(82)과 전극(83) 사이에의 흡착시키기 위한 전압 인가를 정지한다(해제 공정). 즉 전극 사이에 인가되는 전압은 0 V이기 때문에, 시간 t64부터 시간 t65의 동안에는 정전 척의 흡착이 해제된다. 또한, 이 상태에서도, 반도체 웨이퍼(W)는 반송 아암(80A) 상에 중력에 의해 배치된 상태 그대로이다.
다음에, 시간 t65에서, 반송 아암(80A)에 설치된 정전 척의 전극(82)과 전극(83) 사이에 전압 V1가 인가되고, 반도체 웨이퍼(W)는 반송 아암(80A)의 정전 척에 흡착되고, 또한 시간 t65부터 시간 t66에서, 반송 아암(80A)은 처리실(42) 내부를 향하여 신장 동작을 함으로써, 반도체 웨이퍼(W)를 처리실(42) 내까지 이동시킨다(제2 이동 공정). 구체적으로는, 도 8에 도시하는 상태가 된다. 또한, 시간 t66에서, 전극(82)과 전극(83) 전극 사이에 인가되는 전압은 0 V가 됨으로써, 정전 척의 흡착은 해제된다.
다음에, 시간 t66부터 시간 t67에서, 처리실(42) 내에서의 도시하지 않는 핀이 상승하여, 반송 아암(80A)에 배치된 반도체 웨이퍼(W)를 들어 올린다.
다음에, 시간 t67부터 시간 t68에서, 반송 아암(80A)은 수축 동작을 함으로써, U자형 선단부를 처리실(42)로부터 공통 반송실(20)로 이동시킨다.
다음에, 시간 t68부터 시간 t69에서, 처리실(42) 내에서의 도시하지 않는 핀이 강하하여, 반도체 웨이퍼(W)는 처리실(42)의 정해진 위치에 배치된다.
이상의 본 실시형태에서의 제어 방법에 의해, 처리실(41)로부터 처리실(42)로 반도체 웨이퍼(W)를 이동시킬 수 있다.
본 실시형태에서는, 반송 아암(80A)에서의 반도체 웨이퍼(W)의 정전 척의 전극 사이에, 정전 척에 의해 흡착시키기 위한 전압 V1를 인가하는 것은, 반도체 웨이퍼(W)가 반송 아암(80A)에 배치된 상태로서, 반송 아암(80A)이 신축 동작, 회전 동작을 행하는 시간, 즉 시간 t62부터 시간 t64까지의 사이, 시간 t65부터 시간 t66까지의 사이에만 이루어진다. 이와 같이 흡착시키기 위한 전압을 인가하는 시간이 짧기 때문에 과흡착이 생기는 일이 없어, 작업 처리량을 향상시킬 수 있고, 또한 전력 절약화가 가능하다. 또한, 도 11에 나타내는 시간 t30부터 시간 t36과, 도 13에 나타내는 시간 t60부터 시간 t66은 같은 시간이며, 도 11에 나타내는 시간 t37부터 시간 t40과, 도 13에 나타내는 시간 t66부터 시간 t69는 같은 시간이다.
본 실시형태에서는, 처리실(41)로부터 처리실(42)에 반도체 웨이퍼(W)를 반송하는 경우에 관해서 설명했지만, 처리실(41, 42, 43, 44)의 상호 간에 반도체 웨이퍼(W)를 반송하는 경우에도 마찬가지이며, 또한, 로드록실(31 및 32)과 처리실(41, 42, 43, 44) 사이에 반도체 웨이퍼(W)를 반송하는 경우에도 마찬가지이다. 더욱이, 반송 아암(80B), 반입측 반송 기구(16)에서의 반송 아암(16A 및 16B)에 관해서도, 반송 아암(80A)과 마찬가지로 동작시키는 것이 가능하다.
〔제5 실시형태〕
다음에, 본 발명의 제5 실시형태에 관해서 설명한다. 본 실시형태는 제1 실시형태의 기판 처리 장치에 있어서, 제3 실시형태와 다르고, 반송 아암(80A) 상에 웨이퍼를 유지하여 대기하고 있을 때와, 그 후 신축 동작을 할 때에는, 정전 척의 전극 사이에 전압을 인가하지 않고, 개방 상태로 하여 반송 아암(80A) 상의 웨이퍼를 반송 아암(80A)으로부터 분리하기 전에, 정전 척의 전극 사이에 0 V의 전압을 인가하는 기판 처리 장치의 제어 방법이다.
도 14의 (a)는 반송 아암(80A)에 반도체 웨이퍼(W)가 존재하고 있는지의 여부를 나타내는 것이고, 도 14의 (b)는 정전 척의 전극(82)과 전극(83) 전극 사이에 인가되는 전압을 나타내는 것이며, 도 14의 (c)는 반송 아암(80A)의 상태, 즉 반송 아암(80A)이 신장해 있는지 수축해 있는지의 상태를 나타내는 것이고, 도 14의 (d)는 반송 아암(80A)이 회전 동작을 하고 있는지의 여부를 나타내는 것이며, 도 14의 (e)는 처리실(41)에서 반도체 웨이퍼(W)를 승강시키기 위한 도시하지 않는 핀의 상하 위치를 나타내는 것이고, 도 14의 (f)는 처리실(42)에서 반도체 웨이퍼(W)를 승강시키기 위한 도시하지 않는 핀의 상하 위치를 나타내는 것이며, 도 14의 (g)는 정전 척에 의한 반송 아암(80A)과 반도체 웨이퍼(W)의 흡착력을 나타내는 것이다.
맨 처음, 시간 t50부터 시간 t51에서, 반송 아암(80A)은 최초로 반도체 웨이퍼(W)가 배치되어 있는 처리실(41)을 향해서 신장 동작을 한다. 이때, 반송 아암(80A)에는, 반도체 웨이퍼(W)는 배치되어 있지 않고, 반송 아암(80A)의 정전 척의 전극(82)과 전극(83) 사이에 인가되는 전압은 0 V이다. 또한, 처리실(41)에서는, 이미 처리실(41)에서 반도체 웨이퍼를 들어 올리기 위한 도시하지 않는 핀이 상승해 있어, 반도체 웨이퍼(W)는 들어 올려진 상태가 된다. 따라서, 시간 t51에서는, 반송 아암(80A)이 신장한 상태가 되고, 처리실(41) 내에서 상기 핀에 의해서 들어 올려진 반도체 웨이퍼(W)의 아래쪽에, 반송 아암(80A)의 U자형 선단부가 삽입된 상태가 된다.
다음에, 시간 t51부터 시간 t52에서, 처리실(41)에서의 도시하지 않는 핀이 강하함으로써, 반도체 웨이퍼(W)는 반송 아암(80A)의 U자형 선단부에 배치된다.
다음에, 시간 t52부터 시간 t53에서, 반송 아암(80A)은 수축 동작을 함으로써, 처리실(41)로부터 반도체 웨이퍼(W)를 공통 반송실(20)로 이동시킨다(제1 이동 공정).
다음에, 시간 t53부터 시간 t54에서, 반송 아암(80A)에 설치된 정전 척의 전극(82)과 전극(83) 사이에, 정전 척에 의해 흡착시키기 위한 전압 V1가 인가됨으로써, 반도체 웨이퍼(W)는 정전 척에 흡착된다. 또한, 반송 아암(80A)은 회전 동작을 하여, 처리실(42)의 근방까지 반도체 웨이퍼(W)를 이동시킨다. 구체적으로는, 도 7에 도시하는 바와 같이 회전 동작을 한다(회전 공정).
다음에, 시간 t54부터 시간 t55에서, 처리실(42)에 반도체 웨이퍼(W)를 반입하기 위한 준비가 완료될 때까지, 공통 반송실(20) 내에서 반도체 웨이퍼(W)의 이동은 정지한 상태, 즉 반송 아암(80A)의 동작은 정지한 상태가 된다. 또한, 시간 t54에서, 전극(82)과 전극(83) 사이에의 흡착시키기 위한 전압 인가를 정지하고, 개방으로 한다(해제 공정). 이에 따라, 각 전극과 반도체 웨이퍼(W)에 축적된 전하(잔류 전하)는 거의 그대로 유지되거나, 누설로 감소한다. 즉 정전 척에 의한 흡착력은 전극 사이를 개방하기 직전의 상태를 유지하거나, 또는 전극 사이에 전압 0 V를 인가한 경우와 비교하여 완만하게 감소한다. 또한, 이 상태에서도, 반도체 웨이퍼(W)는 잔류 전하에 의한 흡착력에 의해 반송 아암(80A) 상에 흡착된 상태 그대로이거나, 또는 서서히 흡착력이 저하하여 잠시 시간이 경과한 뒤에는 중력에 의해 배치된 상태가 된다.
다음에, 시간 t55부터 시간 t56에서, 반송 아암(80A)은 처리실(42) 내부를 향하여 신장 동작을 함으로써, 반도체 웨이퍼(W)를 처리실(42) 내까지 이동시킨다(제2 이동 공정). 구체적으로는, 도 8에 도시하는 상태가 된다. 또한 시간 t55에서, 전극(82)과 전극(83) 사이에 인가되는 전압은 0 V가 된다. 이에 따라 정전 척의 각 전극과 반도체 웨이퍼(W)에 축적된 잔류 전하는 제거되고, 정전 척의 흡착력은 없어진다. 이에 따라, 반도체 웨이퍼(W)는 반송 아암(80A) 상에 중력에 의해 배치된 상태 그대로이다.
다음에, 시간 t56부터 시간 t57에서, 처리실(42) 내에서의 도시하지 않는 핀이 상승하여, 반송 아암(80A)에 배치된 반도체 웨이퍼(W)는 그 핀 상에 들어 올려진다.
다음에, 시간 t57부터 시간 t58에서, 반송 아암(80A)은 수축 동작을 함으로써, U자형 선단부를 처리실(42)로부터 공통 반송실(20)로 이동시킨다.
다음에, 시간 t58부터 시간 t59에서, 처리실(42) 내에서의 도시하지 않는 핀이 강하하여, 반도체 웨이퍼(W)는 처리실(42)의 정해진 위치에 배치된다.
이상에 의해, 본 실시형태에서의 제어 방법에 의해 처리실(41)로부터 처리실(42)로 반도체 웨이퍼(W)를 이동시킬 수 있다.
본 실시형태에서는, 반송 아암(80A)에 설치된 정전 척의 전극 사이에, 흡착시키기 위한 전압 V1이 인가하는 것은, 반송 아암(80A)의 회전 동작을 행하는 시간, 즉 시간 t53부터 시간 t54의 동안에만 이루어진다. 따라서, 과흡착이 생기는 일이 없고, 흡착력이 저하하기까지의 시간, 즉 도 11에 나타내는 시간 t36부터 시간 t37까지의 시간을 설정할 필요가 없다. 따라서, 기판 처리 장치에서의 작업 처리량을 향상시킬 수 있고, 또한 전력 절약화가 가능하다. 또한, 도 11에 나타내는 시간 t30부터 시간 t36과, 도 12에 나타내는 시간 t50부터 시간 t56은 같은 시간이며, 도 11에 나타내는 시간 t37부터 시간 t40과, 도 12에 나타내는 시간 t56부터 시간 t59는 같은 시간이다.
본 실시형태에서는, 처리실(41)로부터 처리실(42)로 반도체 웨이퍼(W)를 반송하는 경우에 관해서 설명했지만, 처리실(41, 42, 43, 44)의 상호 간에 반도체 웨이퍼(W)를 반송하는 경우에도 마찬가지이며, 또한 로드록실(31 및 32)과 처리실(41, 42, 43, 44) 사이에서 반도체 웨이퍼(W)를 반송하는 경우에도 마찬가지이다. 또한, 반송 아암(80B), 반입측 반송 기구(16)에서의 반송 아암(16A 및 16B)에 관해서도, 반송 아암(80A)과 마찬가지로 동작시키는 것이 가능하다.
이상, 본 발명의 실시형태를 참조하면서, 본 발명을 설명했지만, 본 발명은 상기한 실시형태에 한정되는 일없이, 후술하는 특허청구범위에 비추어서 여러 가지 변경 또는 변형이 가능하다.
예를 들면, 전술한 실시형태에서는, 처리실(41)로부터 처리실(42)로 반도체 웨이퍼(W)를 반송하는 경우에 관해서 설명했지만, 처리실(41, 42, 43, 44)의 상호 간에 반도체 웨이퍼(W)를 반송하는 경우에도 마찬가지이며, 또한 로드록실(31 및 32)과 처리실(41, 42, 43, 44) 사이에서 반도체 웨이퍼(W)를 반송하는 경우에도 마찬가지이다. 또한, 반송 아암(80B), 반입측 반송 기구(16)에서의 반송 아암(16A 및 16B)에 관해서도, 반송 아암(80A)과 마찬가지로 동작시키는 것이 가능하다.
또한, 본 발명의 본 실시형태에서의 기판 처리 장치에서는, 반송 아암(80A 및 80B)에 반도체 웨이퍼(W)가 배치되어 있는 상태로, 반송 아암(80A 및 80B)이 슬라이드 동작하고 있을 때에, 정전 척의 전극(82)과 전극(83) 사이에 흡착시키기 위한 전압을 인가하고(도 12 및 도 13 참조), 반송 아암(80A 및 80B)이 신축 동작을 하고 있을 때에는, 정전 척의 전극(82)과 전극(83) 사이에 인가되는 전압을 0 V로 하는 것도 가능하다. 또, 슬라이드 동작이란 반송 아암(80A 및 80B) 전체가 수평 방향으로 이동하는 동작이다.
또한, 정전 척에 의한 반도체 웨이퍼(W)의 흡착을 해제하기 위해서, 정전 척에 반도체 웨이퍼(W)를 흡착시킬 때에 인가되는 전압의 극성과는 역의 극성을 갖는 전압을 정전 척의 전극 사이에 인가하는 경우에, 이 역극성을 갖는 전압은 반도체 웨이퍼와 정전 척에 잔류해 있는 전하를 제거하기에 충분한 시간 동안 인가되는 것이 좋다. 정전 척의 전극 사이에 0 V를 인가하는 경우도 마찬가지로, 인가 시간은 적절하게 설정되면 좋다.
또한, 예컨대, 제1, 2, 3 실시형태에서, 반송 아암(80A) 상에 반도체 웨이퍼(W)가 배치되어 있는 경우, 정전 척의 전극(82)과 전극(83) 사이에 0 V를 인가하는 공정에서, 제5 실시형태에서 설명한 바와 같이, 전극(82)과 전극(83)을 개방하고, 그 후 반송 아암(80A)에 배치된 반도체 웨이퍼(W)를, 예를 들면 반송 아암(80A)으로부터 처리실의 핀 상에 전달하기에 앞서서, 전극(82)과 전극(83) 사이에 0 V를 인가하더라도 좋다.
또한, 예컨대 반송 아암(80A)이 갖는 정전 척은, 그 정전 척의 전극(82 및 83)의 표면에 절연체층(84 및 85)이 형성된 쿨롱력 타입을 이용한 정전 척을 설명하였지만, 절연체층(84 및 85) 대신에, 약간의 도전성을 갖는 유전층이 형성된 존슨 라벡력 타입의 정전 척으로 해도 좋다.
또, 존슨 라벡력 타입의 정전 척과 같이, 전극 사이를 개방하는 것만으로 잔류 전하가 방출되는 정전 척을 이용하는 경우에는, 전극 사이에 0 V를 인가하거나, 역극성을 갖는 전압을 인가할 필요는 없고, 해제 공정에서 전극 사이를 개방하면 좋다.
또한, 전술한 실시형태에서는 복수의 매엽식 처리실을 구비하는 클러스터 툴 타입의 기판 처리 장치를 예시했지만, 본 발명은 그와 같은 기판 처리 장치에 한정되지 않고, 기판을 흡착하는 정전 척을 가지며, 기판을 반송하는 반송 아암과, 기판이 배치되어 있는 반송 아암의 동작 상태(정지도 포함)에 따라서 정전 척의 전극 사이로의 전압 인가를, 전술한 바와 같이 제어하는 제어부를 갖는 기판 처리 장치에 적용할 수 있다.
본 출원은 2009년 11월 9일에 일본 특허청에 출원된 특허 출원 제2009-256301호에 기초하는 우선권을 주장하는 것으로, 이 내용 전부를 여기에 원용한다.

Claims (20)

  1. 기판이 배치될 수 있고, 배치된 상기 기판을 흡착하는 정전 척을 가지며, 상기 기판을 반송하는 반송 아암과,
    상기 반송 아암에 상기 기판이 배치되어 있는 경우로서, 상기 반송 아암의 동작이 정지해 있을 때에는, 상기 정전 척에 상기 기판을 흡착시키기 위한 전압을 상기 정전 척의 전극 사이에 인가하지 않고, 상기 반송 아암에 상기 기판이 배치되어 있는 경우로서, 상기 반송 아암이 동작하고 있을 때에는, 상기 전압을 상기 전극 사이에 인가하는 제어부
    를 구비하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 기판을 처리하는 복수의 처리실과,
    상기 복수의 처리실이 접속된 반송실과,
    상기 반송실에 접속된 로드록실
    을 더 구비하고,
    상기 반송 아암은 상기 반송실 내에 설치되며, 상기 복수의 처리실 사이 또는 상기 처리실과 상기 로드록실 사이에서 상기 기판을 반송하는 것인 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 기판을 처리하는 복수의 처리실과,
    상기 복수의 처리실이 접속된 반송실과,
    상기 반송실에 접속된 로드록실과,
    상기 로드록실에 접속된 대기(大氣) 반송실과,
    상기 대기 반송실에 접속되며, 복수의 기판을 수납하는 카세트를 설치하기 위한 도입 포트
    를 더 구비하고,
    상기 반송 아암은 상기 대기 반송실에 설치되며, 상기 로드록실과 상기 도입포트 사이에서 상기 기판을 반송하는 것인 기판 처리 장치.
  4. 기판이 배치될 수 있고, 배치된 상기 기판을 흡착하는 정전 척을 가지며, 상기 기판을 반송하기 위해서 신축 동작 및 회전 동작이 가능한 반송 아암과,
    상기 반송 아암에 상기 기판이 배치되어 있는 경우로서, 상기 반송 아암이 상기 신축 동작을 하고 있을 때에는, 상기 정전 척에 상기 기판을 흡착시키기 위한 전압을 상기 정전 척의 전극 사이에 인가하지 않고, 상기 반송 아암에 상기 기판이 배치되어 있는 경우로서, 상기 반송 아암이 상기 회전 동작을 하고 있을 때에는, 상기 전압을 상기 전극 사이에 인가하는 제어부
    를 구비하는 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서, 기판을 처리하는 복수의 처리실과,
    상기 복수의 처리실이 접속된 반송실과,
    상기 반송실에 접속된 로드록실
    을 더 구비하고,
    상기 반송 아암은 상기 반송실 내에 설치되며, 상기 복수의 처리실 사이 또는 상기 처리실과 상기 로드록실 사이에서 상기 기판을 반송하는 것인 기판 처리 장치.
  6. 제4항에 있어서, 기판을 처리하는 복수의 처리실과,
    상기 복수의 처리실이 접속된 반송실과,
    상기 반송실에 접속된 로드록실과,
    상기 로드록실에 접속된 대기 반송실과,
    상기 대기 반송실에 접속되며, 복수의 기판을 수납하는 카세트를 설치하기 위한 도입 포트
    를 더 구비하고,
    상기 반송 아암은 상기 대기 반송실에 설치되며, 상기 로드록실과 상기 도입 포트 사이에서 상기 기판을 반송하는 것인 기판 처리 장치.
  7. 제4항에 있어서, 상기 반송 아암은 상기 신축 동작 및 상기 회전 동작 외에 슬라이드 동작이 가능하고,
    상기 제어부는, 상기 반송 아암에 상기 기판이 배치되어 있는 경우로서, 상기 반송 아암이 상기 슬라이드 동작을 하고 있을 때에는, 상기 정전 척에 상기 기판을 흡착시키기 위한 전압을 상기 정전 척의 전극 사이에 인가하는 것인 기판 처리 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 정전 척에 상기 기판을 흡착시키기 위한 전압을 상기 정전 척의 전극 사이에 인가하지 않는다는 것은, 상기 전극 사이에 제로 V의 전압을 인가하는 것인 기판 처리 장치.
  9. 제4항에 있어서, 상기 정전 척에 상기 기판을 흡착시키기 위한 전압을 상기 정전 척의 전극 사이에 인가하지 않는다는 것은, 상기 전극 사이에 제로 V의 전압을 인가하는 것인 기판 처리 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 정전 척에 상기 기판을 흡착시키기 위한 전압을 상기 정전 척의 전극 사이에 인가하지 않는다는 것은, 상기 전극 사이를 개방하는 것인 기판 처리 장치.
  11. 제4항에 있어서, 상기 정전 척에 상기 기판을 흡착시키기 위한 전압을 상기 정전 척의 전극 사이에 인가하지 않는다는 것은, 상기 전극 사이를 개방하는 것인 기판 처리 장치.
  12. 기판이 배치될 수 있고, 배치된 상기 기판을 흡착하는 정전 척을 가지며, 상기 기판을 반송하는 반송 아암을 구비하는 기판 처리 장치의 제어 방법에 있어서,
    상기 반송 아암에 상기 기판을 배치하는 공정과,
    상기 반송 아암의 상기 정전 척의 전극 사이에 전압을 인가함으로써 상기 기판을 상기 반송 아암에 흡착하고, 그 반송 아암에 의해 상기 기판을 이동시키는 제1 이동 공정과,
    상기 제1 이동 공정 후에, 상기 반송 아암의 상기 정전 척에 의한 흡착을 해제하는 해제 공정과,
    상기 해제 공정 후에, 상기 반송 아암의 상기 정전 척의 전극 사이에 전압을 인가함으로써 상기 기판을 상기 반송 아암에 흡착하고, 그 반송 아암에 의해 상기 기판을 이동시키는 제2 이동 공정
    을 포함하는 기판 처리 장치의 제어 방법.
  13. 기판이 배치될 수 있고, 배치된 상기 기판을 흡착하는 정전 척을 가지며, 상기 기판을 반송하는 반송 아암을 구비하는 기판 처리 장치의 제어 방법에 있어서,
    상기 반송 아암에 상기 기판을 배치하는 공정과,
    상기 정전 척에 상기 기판을 흡착시키는 일없이, 상기 반송 아암이 신축함으로써 상기 기판을 이동시키는 제1 이동 공정과,
    상기 제1 이동 공정 후에, 상기 반송 아암의 상기 정전 척의 전극 사이에 전압을 인가함으로써 상기 기판을 상기 반송 아암에 흡착하고, 그 반송 아암이 신축하지 않고 회전하여 상기 기판을 이동시키는 회전 공정과,
    상기 회전 공정 후에, 상기 반송 아암의 상기 정전 척에 의한 흡착을 해제하는 해제 공정과,
    상기 해제 공정 후에, 상기 정전 척에 상기 기판을 흡착시키는 일없이, 상기 반송 아암이 신축함으로써 상기 기판을 이동시키는 제2 이동 공정
    을 포함하는 기판 처리 장치의 제어 방법.
  14. 기판이 배치될 수 있고, 배치된 상기 기판을 흡착하는 정전 척을 가지며, 상기 기판을 반송하는 반송 아암을 구비하는 기판 처리 장치의 제어 방법에 있어서,
    상기 반송 아암에 상기 기판을 배치하는 공정과,
    상기 정전 척에 상기 기판을 흡착시키는 일없이, 상기 반송 아암이 신축함으로써 상기 기판을 이동시키는 제1 이동 공정과,
    상기 제1 이동 공정 후에, 상기 반송 아암의 상기 정전 척의 전극 사이에 전압을 인가함으로써 상기 기판을 상기 반송 아암에 흡착하고, 상기 반송 아암이 슬라이드 동작하여 상기 기판을 이동시키는 슬라이드 공정과,
    상기 슬라이드 공정 후에, 상기 반송 아암의 상기 정전 척에 의한 흡착을 해제하는 해제 공정과,
    상기 해제 공정 후에, 상기 정전 척에 상기 기판을 흡착시키는 일없이, 상기 반송 아암이 신축함으로써 상기 기판을 이동시키는 제2 이동 공정
    을 포함하는 기판 처리 장치의 제어 방법.
  15. 제12항에 있어서, 상기 해제 공정에서는, 상기 정전 척의 상기 전극 사이에 제로 V가 인가되는 것인 기판 처리 장치의 제어 방법.
  16. 제12항에 있어서, 상기 해제 공정에서는, 상기 정전 척의 상기 전극 사이가 개방되는 것인 기판 처리 장치의 제어 방법.
  17. 제13항에 있어서, 상기 해제 공정에서는, 상기 정전 척에 상기 기판을 흡착시킬 때에 인가되는 전압의 극성과는 역의 극성을 갖는 전압이 상기 정전 척의 상기 전극 사이에 인가되는 것인 기판 처리 장치의 제어 방법.
  18. 제13항에 있어서, 상기 해제 공정에서는, 상기 정전 척의 상기 전극 사이에 제로 V가 인가되는 것인 기판 처리 장치의 제어 방법.
  19. 제13항에 있어서, 상기 해제 공정에서는, 상기 정전 척의 상기 전극 사이가 개방되는 것인 기판 처리 장치의 제어 방법.
  20. 제13항에 있어서, 상기 해제 공정은,
    상기 정전 척에 상기 기판을 흡착시킬 때에 인가되는 전압의 극성과는 역의 극성을 갖는 전압을 상기 정전 척의 상기 전극 사이에 인가하는 공정과,
    상기 정전 척의 상기 전극 사이에 제로 V를 인가하는 공정
    을 포함하는 것인 기판 처리 장치의 제어 방법.
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