TW201430940A - 減壓處理裝置 - Google Patents

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Sakae Matsuzaki
Takatoshi Masuda
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Abstract

本發明是一種減壓處理裝置，其可在朝處理被加工物之減壓室將被加工物搬入與搬出時，將減壓室維持在減壓的狀態。本發明之減壓處理裝置是在減壓狀態下處理被加工物，其具有：殼體，具有處理被加工物之第1減壓室、以及與該第1減壓室利用分隔壁所區劃並且透過設於該分隔壁之連通開口而連通的第2減壓室；快門機構，將設於該分隔壁之該連通開口加以開關；閘門機構，形成於該殼體並將與該第2減壓室連通的被加工物搬入搬出用開口加以開關；被加工物保持機構，配置於該第1減壓室並保持被加工物；處理機構，對保持於該被加工物保持機構之被加工物實施處理；第1減壓機構，將該第1減壓室減壓；第2減壓機構，將該第2減壓室減壓；暫存機構，配置於該第2減壓室並暫存被加工物；被加工物搬運機構，在暫存機構與被加工物保持機構之間來搬運被加工物。

Description

減壓處理裝置 發明領域
本發明是有關於一種減壓處理裝置，其是對於半導體晶圓等之被加工物在減壓狀態下實施電漿處理等的加工處理。
發明背景
在半導體元件製造流程中，大致圓板形狀之半導體晶圓表面利用形成為格子狀且稱為格線的分割預定線，來區劃複數個區域，在該被區劃之區域來形成IC、LSI等之元件。且，將半導體晶圓沿著分割預定線來切斷，藉此將形成有元件之區域加以分割而製造各個半導體晶片。而，半導體晶圓在分割成各個元件之前，會將其之背面利用研削裝置來研削並形成為預定之厚度。
然而，如上所述，當將晶圓背面研削時，晶圓背面就會有研削歪曲殘存，會有所分割之元件的抗折強度降低之問題。
為了解決上述問題，提案了藉由對晶圓背面實施電漿蝕刻，來除去在晶圓背面生成之研削歪曲，使元件之抗折 強度提升之技術(例如，參照專利文獻1)。
又，沿著上述晶圓之格線的切斷通常會利用稱為切割鋸之切削裝置來進行。該切削裝置具有：保持被加工物之夾台、具備用以切削保持於該夾台之被加工物的切削刀的切削機構、及使夾台與切削機構相對地移動的加工輸送機構，又，使切削刀旋轉並將保持被加工物之夾台藉由加工輸送，將晶圓沿著分割預定線切斷。
當利用上述切削裝置之切削刀來切斷晶圓時，在被分割之各個元件側面就會有切削歪殘存，而變成使元件之抗折強度降低的原因。為了解決上述問題，提案了在將晶圓分割成各個元件後，對元件背面與側面實施電漿蝕刻，藉此除去元件背面與側面所生成之研削歪曲與切削歪曲，來使元件之抗折強度提升的技術(例如，參照專利文獻2)。
上述實施電漿蝕刻之電漿蝕刻裝置具備有：形成電漿處理室即減壓室的殼體、在配置於減壓室之上面具有保持被加工物之被加工物保持部的下部電極、具備具有與該下部電極之該被加工物保持部相對向地來配置且朝向該被加工物保持部來噴出電漿產生用氣體之複數個噴出口之氣體噴出部的上部電極、及將形成於上述殼體之被加工物搬入搬出用之開口加以開關的閘門(例如，參照專利文獻3)。
[先行技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2004-221175號公報
[專利文獻2]日本特開2005-252126號公報
[專利文獻3]日本特開2008-28021號公報
發明概要
且，上述電漿蝕刻裝置在將被加工物朝下部電極之被加工物保持部搬入時，會開啟閘門，故，減壓室會變成大氣壓。另一方面，要對保持於下部電極之被加工物保持部的被加工物實施電漿蝕刻，就必須將減壓室減壓。然而，在將被加工物搬入時，要使已變成大氣壓之減壓室減壓到例如20Pa以下，相當地需要時間，會有生產性不佳之問題。
本發明是有鑑於上述事實而成，其目的在於提供一種減壓處理裝置，其之主要技術課題是朝處理被加工物之減壓室將被加工物搬入與搬出時，可使減壓室維持成減壓之狀態。
為了解決上述主要之技術課題，根據本發明，提供一種在減壓狀態下處理被加工物之減壓處理裝置，其特徵在於具有：殼體，具有處理被加工物之第1減壓室、以及與該第1減壓室利用分隔壁所區劃並且透過設於該分隔壁之連通開口而連通的第2減壓室；快門機構，將設於該分隔壁之該連通開口加以開關；閘門機構，形成於該殼體並將與該第2減壓室連通的被加工物搬入搬出用開口加 以開關；加工物保持機構，配置於該第1減壓室並保持被加工物；處理機構，對保持於該被加工物保持機構之被加工物實施處理；第1減壓機構，將該第1減壓室減壓；第2減壓機構，將該第2減壓室減壓；暫存機構，配置於該第2減壓室並暫存被加工物；被加工物搬運機構，使載置於該暫存機構之被加工物通過設於該分隔壁的該連通開口，朝配置於該第1減壓室之該被加工物保持機構來搬運，並將載置於該被加工物保持機構之被加工物通過設於該分隔壁的該連通開口，朝該暫存機構來搬運；又，該被加工物保持機構具有：保持被加工物之中央區域的中央保持台、與昇降該中央保持台之昇降機構，且，該被加工物搬運機構具有支持被加工物之外周區域的外周支持構件。
上述被加工物搬運機構之該外周支持構件具備2根支持部，而該2根支持部具有比該中央保持台更大之間隔，並支持被加工物之外周區域。
又，被加工物是黏貼於環狀框體所安裝之切割膠帶的半導體晶圓，中央保持台可保持半導體晶圓之區域，且外周支持構件之2根支持部可支持環狀框體的區域。
本發明之減壓處理裝置中，由於具有：殼體，是具有處理被加工物之第1減壓室以及由該第1減壓室與分隔壁所區劃並透過設於該分隔壁之連通開口而連通的第2減壓室；快門機構，將設於該分隔壁之該連通開口加以開關； 閘門機構，形成於該殼體並將與該第2減壓室連通的被加工物搬入搬出用開口加以開關；加工物保持機構，配置於該第1減壓室並保持被加工物；處理機構，對保持於該被加工物保持機構之被加工物實施處理；第1減壓機構，將該第1減壓室減壓；第2減壓機構，將該第2減壓室減壓；暫存機構，將配置於該第2減壓室之被加工物暫存；被加工物搬運機構，使載置於該暫存機構之被加工物通過設於該分隔壁的該連通開口，朝配置於該第1減壓室之該被加工物保持機構來搬運，並將載置於該被加工物保持機構之被加工物通過設於該分隔壁的該連通開口，朝該暫存機構來搬運；又，配置於第1減壓室之被加工物保持機構具有：保持被加工物之中央區域的中央保持台、與昇降該中央保持台之昇降機構，被加工物搬運機構具有支持被加工物之外周區域的外周支持構件，因此在朝處理被加工物之第1減壓室將被加工物搬入與搬出時，第1減壓室可維持減壓之狀態，故，可直接實施加工處理，生產性便會提升。
2‧‧‧殼體
3‧‧‧快門機構
4‧‧‧閘門機構
6‧‧‧被加工物保持機構
7‧‧‧電漿產生用氣體噴射機構
8‧‧‧暫存機構
9‧‧‧被加工物搬運機構
10‧‧‧半導體晶圓
10a‧‧‧半導體晶圓表面
10b‧‧‧半導體晶圓背面
21‧‧‧第1減壓室
22‧‧‧第2減壓室
23‧‧‧分隔壁
31‧‧‧快門
32‧‧‧快門動作機構
41‧‧‧閘門
42‧‧‧閘門動作機構
51‧‧‧第1減壓機構
52‧‧‧第2減壓機構
61‧‧‧保持基台
62‧‧‧保持台
63‧‧‧昇降機構
81‧‧‧支持基台
82‧‧‧暫存台
91‧‧‧外周支持構件
92‧‧‧搬運移動機構
93‧‧‧臂機構
94‧‧‧昇降機構
95‧‧‧回旋機構
96‧‧‧外殼
97‧‧‧動作軸
101‧‧‧格線
102‧‧‧(晶片)元件
211‧‧‧第1減壓室的上壁
212‧‧‧第1減壓室的底壁
221a‧‧‧被加工物搬入搬出用開口
221‧‧‧第2減壓室之側壁
222‧‧‧第2減壓室之上壁
223‧‧‧第2減壓室之底壁
231‧‧‧連通開口
321‧‧‧空氣汽缸
322‧‧‧活塞桿
421‧‧‧空氣汽缸
422‧‧‧活塞桿
611‧‧‧圓形凹部
612‧‧‧電極
613‧‧‧直流電壓施加機構
631‧‧‧空氣汽缸機構
631a‧‧‧空氣汽缸
631b‧‧‧活塞桿
632‧‧‧電磁3向閥
633‧‧‧吸引源
911‧‧‧支持部
931‧‧‧第1臂
932‧‧‧第2臂
F‧‧‧環狀框體
T‧‧‧切割膠帶
W‧‧‧被加工物
[圖1]是依據本發明所構成之作為減壓處理裝置之電漿蝕刻裝置的截面圖。
[圖2]是構成圖1所示之電漿蝕刻裝置之被加工物保持機構的重要部立體圖。
[圖3]是圖2所示之被加工物保持機構的截面圖。
[圖4]是構成圖1所示電漿蝕刻裝置之被加工物搬運機構的立體圖。
[圖5]是顯示將被加工物即半導體晶圓黏貼於環狀框體所安裝之切割膠帶表面之狀態的立體圖。
用以實施發明的形態
以下，針對利用本發明所構成之減壓處理裝置之適宜實施形態，參照附加圖式來詳細地說明。
圖1中，顯示了作為利用本發明所構成之減壓處理裝置之電漿蝕刻裝置的截面圖。
電漿蝕刻裝置具備有：用以將被加工物電漿處理之第1減壓室21、與具有用以將被加工物暫存之第2減壓室22的殼體2。形成於該殼體2之第1減壓室21與第2減壓室22由分隔壁23所區劃並透過設於該分隔壁23之連通開口231而連通。又，形成殼體2之第2減壓室22之側壁221設有與第2減壓室22連通之被加工物搬入搬出用開口221a。而，第2減壓室22宜形成為比第1減壓室21之容積更小之容積。
電漿蝕刻裝置具有用以開關設於上述分隔壁23之連通開口231的快門機構3。快門機構3是由在分隔壁23之第2減壓室22側沿著分隔壁23配置成可朝上下方向移動之快門31、與使該快門31朝上下方向動作之快門動作機構32來構成。快門動作機構32是由空氣汽缸321與配置於該空氣汽缸321內之未圖示之活塞所連結之活塞桿322來構成，空氣汽缸321安裝於形成上述殼體2之第1減壓室21的上壁211，活塞桿322之前端(圖1中為下端)與上述快門31連結。如上所述，所構成之快門機構3利用快門動作機構32來使快 門31朝上方移動，並定位於圖1中實線所示之開啟位置，藉此將設於分隔壁23之連通開口231開放，並使第1減壓室21與第2減壓室22連通。另一方面，快門機構3利用快門動作機構32來使快門31朝下方移動，並定位於圖1中鏈線所示之關閉位置，藉此將設於分隔壁23之連通開口231封閉，並使第1減壓室21與第2減壓室22之連通遮斷。
電漿蝕刻裝置具有用以開關設於形成上述殼體2之第2減壓室22之側壁221的被加工物搬入搬出用開口221a的閘門機構4。閘門機構4是由沿著形成殼體2之第2減壓室22之側壁221而配置成朝上下方向可移動之閘門41、與使該閘門41朝上下方向動作之閘門動作機構42來構成。閘門動作機構42是由空氣汽缸421及與配置於該空氣汽缸421內之未圖示之活塞連結之活塞桿422來構成，且空氣汽缸421安裝於形成上述殼體2之第2減壓室22之上壁222，活塞桿422之前端(圖1中為下端)則與上述閘門41連結。如此所構成之閘門機構4利用閘門動作機構42使閘門41朝上方移動，並定位於圖1中實線所示之開啟位置，藉此來開放設於側壁221之被加工物搬入搬出用開口221a，並利用閘門動作機構42使閘門41朝下方移動，並定位於圖1中鏈線所示之關閉位置，藉此來封閉設於側壁221之被加工物搬入搬出用開口221a。
如上所述，形成於殼體2之第1減壓室21與第1減壓機構51連通，第2減壓室22與第2減壓機構52連通。因此，藉由使第1減壓機構51動作，將第1減壓室21減壓，並藉由 使第2減壓機構52動作，將第2減壓室22減壓。
上述殼體2之第1減壓室21配置有用以維持被加工物之被加工物保持機構6。被加工物保持機構6具備有：保持基台61、配置於該保持基台61之中央部之中央保持台62、及使該中央保持台62昇降之昇降機構63。針對該被加工物保持機構6，參照圖2與圖3來說明。構成被加工物保持機構6之保持基台61在本實施形態中由陶瓷材料構成，在中央部具有收容中央保持台62之圓形凹部611，並配置於形成殼體2之第1減壓室21的底壁212上。如圖3所示，該保持基台61配置有藉由施加電力而產生電荷之電極612。該電極612與直流電壓施加機構613連接(參照圖1)。如此所構成之保持基台61會利用直流電壓施加機構613對電極612來施加直流電壓，並藉此具有作為利用與被加工物之間作用之庫倫力來吸引保持被加工物之靜電夾的功能。
構成被加工物保持機構6之中央保持台62在本實施形態中由陶瓷材料構成，並具有比形成於上述保持基台61之圓形凹部611直徑稍小之直徑，形成為與圓形凹部611之深度大致相同厚度。上述昇降機構63具有3個空氣汽缸機構631、631、631。3個空氣汽缸機構631、631、631個別是由空氣汽缸631a及與配置於該空氣汽缸631a內之未圖示之活塞連結的活塞桿631b來構成，空氣汽缸631a安裝於形成上述殼體2之第1減壓室21的底壁212，活塞桿631b將底壁212與設於保持基台61之連通孔插通來配置，其之前端(上端)與上述保持台62下面連結。如此所構成之3個空氣汽缸 機構631、631、631中，空氣汽缸631a之動作室透過電磁3向閥632與吸引源633連通。空氣汽缸631a之動作室透過電磁3向閥632朝大氣開放時，在第1減壓室21減壓之狀態下，昇降機構63中會將活塞桿631b拉升並使保持台62定位於裝脫位置(圖2中為實線所示之位置，圖1與圖3中為鏈線所示之位置)。另一方面，空氣汽缸631a之動作室透過電磁3向閥632與吸引源633連通時，在第1減壓室21減壓之狀態下，昇降機構63會將活塞桿631b拉升並使中央保持台62定位於加工位置(圖3中為實線所示之位置)。
電漿蝕刻裝置具有作為對於配置於殼體2之第1減壓室21之被加工物保持機構6所保持的被加工物來實施處理之處理機構的電漿產生用氣體噴射機構7。該電漿產生用氣體噴射機構7在被加工物保持機構6上方配置成與被加工物保持機構6相對向，並將以例如SF6、CF4、C2F6等之氟系氣體與氦(He)為主體之電漿產生用的混合氣體加以噴射。
參照圖1來繼續說明時，殼體2之第2減壓室22之被加工物搬入搬出用開口221a附近區域會配置有暫存被加工物之暫存機構8。該暫存機構8是由配置於形成殼體2之第2減壓室22的底壁223上的支持基台81、與設於該支持基台81上之暫存台82來構成。暫存台82會形成為與構成上述被加工物保持機構6之保持台62相同直徑。
電漿蝕刻裝置具備有配置於殼體2之第2減壓室22之暫存機構8與分隔壁23之間的被加工物搬運機構9。針 對該被加工物搬運機構9，參照圖4來說明。被加工物搬運機構9具有：具備支持後述被加工物外周部的2根支持部911、911的外周支持構件91、與將該外周支持構件91朝預定位置搬運之搬運移動機構92。外周支持構件91利用薄板材使2根支持部911、911形成為叉狀。構成該外周支持構件91之2根支持部911、911的間隔會設定為比上述保持台62直徑更大的間隔。上述搬運移動機構92具有：支持外周支持構件91之臂機構93與使該臂機構93朝上下方向移動之昇降機構94、及使臂機構93回旋之回旋機構95。臂機構93是由第1臂931與第2臂932來構成，第2臂932安裝有上述外周支持構件91。另一方面，構成臂機構93之第1臂931會安裝於在外殼96可旋轉且支持成朝上下方向可移動的動作軸97。該動作軸97利用昇降機構94與回旋機構95朝上下方向動作，並回轉旋動。昇降機構94包含有：可正轉、逆轉之電動馬達與由該電動馬達所驅動之螺旋機構，當使電動馬達正轉驅動時，就使動作軸97上昇，當使電動馬達逆轉驅動時，就使動作軸97下降。回旋機構95包含有可正轉、逆轉之電動馬達與由該電動馬達所驅動之驅動機構，當使電動馬達正轉驅動時，就使動作軸97朝其中一方向旋動，當使電動馬達逆轉驅動時，就使動作軸97朝另一方向旋動。
本實施形態之電漿蝕刻裝置如以上來構成，以下針對在作為被加工物之半導體晶圓背面進行電漿蝕刻之例來說明。
在此，針對作為被加工物之半導體晶圓，參照圖5來說 明。圖5所示之半導體晶圓10是由圓板狀之矽晶圓所構成，表面10a形成有格子狀格線101，由該格子狀格線101所區劃之複數個區域會形成有元件102。如此所構成之半導體晶圓10會將背面研削而形成為預定之厚度(例如，100μm)，並黏貼表面10a於安裝有外周部之切割膠帶T的表面而使其包覆環狀框體F之內側開口部。因此，黏貼於切割膠帶T表面的導體晶圓10中，背面10b會成為上側。而，本申請說明書中，將環狀框體F、切割膠帶T及半導體晶圓10當作被加工物W來說明。
要對上述被加工物W之半導體晶圓10實施電漿蝕刻，將快門機構3之快門31定位於圖1中實線所示之開啟位置，並使閘門機構4之閘門41定位於圖1中實線所示之開啟位置。且，利用未圖示之被加工物搬入、搬出機構來使被加工物W通過被加工物搬入搬出用開口221a並朝第2減壓室22搬入，且將作為被加工物W之中央區域的半導體晶圓10的區域載置於暫存機構8的暫存台82上。如此一來，如將被加工物W朝暫存機構8搬運後，便會將閘門機構4之閘門41定位於圖1中鏈線所示之關閉位置。
接著，使被加工物搬運機構9之搬運移動機構92動作，將構成外周支持構件91之2根支持部911、911朝載置於暫存機構8之暫存台82上的被加工物W下側來插入而朝上方移動，藉此在2根支持部911、911上來支持作為被加工物W之外周區域的環狀框體F。且，將支持於外周支持構件91之2根支持部911、911上的被加工物W通過設於分隔壁23 之連通開口231並朝第1減壓室21搬入，在被加工物保持機構6之中央保持台62上將作為被加工物W之中央區域之半導體晶圓10的區域加以載置。如此一來，如將被加工物W朝被加工物保持機構6之中央保持台62上搬運後，便會使被加工物搬運機構9回到圖1所示之位置，並將快門機構3之快門31定位於圖1中鏈線所示之關閉位置。且，使被加工物保持機構6之昇降機構63動作而將中央保持台62定位於加工位置(圖3中實線所示之位置)，並使直流電壓施加機構613動作而對電極612施加直流電壓，藉此具有作為靜電夾之功能，利用庫倫力來吸引保持被加工物W。
如上所述，如利用被加工物保持機構6來使被加工物W由庫倫力所吸引保持後，對保持於被加工物保持機構6之被加工物，使作為實施處理之處理機構的電漿產生用氣體噴射機構7動作，將電漿產生用之混合氣體朝向保持於被加工物保持機構6之被加工物W上面即背面10b來噴射，並使第1減壓機構51動作來使第1減壓室21減壓到例如20Pa左右。且，對被加工物保持機構6與電漿產生用氣體噴射機構7施加高頻率電力。此結果，在被加工物保持機構6與電漿產生用氣體噴射機構7之間的空間會有電漿產生，並由於利用該電漿而產生之活性物質會對半導體晶圓10之背面10b(上面)作用，因此將背面10b蝕刻而可除去在背面10b殘存的研削歪曲(電漿蝕刻步驟)。
實施上述電漿蝕刻步驟後，將作為已蝕刻處理之被加工物W的半導體晶圓10從被加工物保持機構6搬出。 而，實施上述電漿蝕刻步驟時，使第2減壓機構52動作來將第2減壓室22減壓完成。欲將作為已蝕刻處理之被加工物W之半導體晶圓10從被加工物保持機構6搬出，得解除因直流電壓施加機構613之朝電極612的電壓施加，並使昇降機構63之電磁3向閥632動作來使空氣汽缸631a之動作室朝大氣開放。此結果，朝空氣汽缸631a之動作室會有大氣流入，由於第1減壓室21在減壓之狀態下，因此使活塞桿631b拉升，並將載置有被加工物W中央區域之半導體晶圓10的中央保持台62定位於裝脫位置(圖2中實線所示之位置，圖1與圖3中鏈線所示之位置)。
接著，使快門機構3之快門動作機構32動作來使快門31朝上方移動，定位於圖1中實線所示之開啟位置，藉此使設於分隔壁23之連通開口231開放，並使第1減壓室21與第2減壓室22連通。如此一來，如使設於分隔壁23之連通開口231開放後，便會使被加工物搬運機構9之搬運移動機構92動作，並使外周支持構件91從第1減壓室21通過連通開口231朝第1減壓室21移動，並將構成外周支持構件91之2根支持部911、911朝載置於被加工物保持機構6之中央保持台62之已蝕刻處理的被加工物W下側來插入而朝上方移動，藉此在2根支持部911、911上支持作為被加工物W之外周區域的環狀框體F。且，使支持於外周支持構件91之2根支持部911、911上的被加工物W通過設於分隔壁23之連通開口231來朝第2減壓室22搬入，將作為被加工物W之中央區域之半導體晶圓10的區域載置於暫存機構8的暫存台82上。如 此一來，使已蝕刻處理之被加工物W朝暫存機構8之暫存台82搬運之被加工物搬運機構9的外周支持構件91就會回到圖1所示之位置。而，使已蝕刻處理之被加工物W從第1減壓室21朝第2減壓室22搬出時，設於分隔壁23之連通開口231就會解放，但由於第2減壓室22如上所述地減壓，因此第1減壓室21不會有成為大氣壓之情形。
如上所述，如使已蝕刻處理之被加工物W載置於暫存機構8之暫存台82上後，便會將快門機構3之快門31定位於圖1中鏈線所示之關閉位置。且，將閘門機構4之閘門41定位於圖1中實線所示之開啟位置。此結果，第2減壓室22會成為大氣壓，但由於將快門機構3之快門31定位於圖1中鏈線所示之關閉位置，因此第1減壓室21便可維持已減壓之狀態。
接著，使未圖示之被加工物搬入、搬出機構通過被加工物搬入搬出用開口221a來朝第2減壓室22侵入，並將載置於暫存機構8之暫存台82上之已蝕刻處理的被加工物W加以保持，通過被加工物搬入搬出用開口221a來搬出。且，利用未圖示之被加工物搬入、搬出機構，使蝕刻處理前之被加工物W通過被加工物搬入搬出用開口221a來朝第2減壓室22搬入，並將作為被加工物W之中央區域之半導體晶圓10的區域載置於暫存機構8之暫存台82上。如此一來，如使被加工物W朝暫存機構8搬運後，便會將閘門機構4之閘門41定位於圖1中鏈線所示之關閉位置。且，使第2減壓機構52動作來將第2減壓室22減壓。
如上所述，如將已搬入蝕刻處理前之被加工物W的第2減壓室22加以減壓後，便會使快門機構3之快門動作機構32動作來使快門31朝上方移動，並定位於圖1中實線所示之開啟位置，藉此使設於分隔壁23之連通開口231開放，來使第1減壓室21與第2減壓室22連通。如此一來，如使設於分隔壁23之連通開口231開放後，便會使被加工物搬運機構9之搬運移動機構92動作來使構成外周支持構件91之2根支持部911、911朝載置於暫存機構8之暫存台82上的被加工物W下側來插入而朝上方移動，藉此在2根支持部911、911上支持作為被加工物W之外周區域之環狀框體F。且，使支持於外周支持構件91之2根支持部911、911上的被加工物W通過設於分隔壁23之連通開口231來朝第1減壓室21搬入，在被加工物保持機構6之中央保持台62上將作為被加工物W之中央區域之半導體晶圓10的區域加以載置。如此一來，如使蝕刻處理前之被加工物W朝被加工物保持機構6之中央保持台62上搬運後，便會使被加工物搬運機構9回到圖1所示之位置，並將快門機構3之快門31定位於圖1中鏈線所示之關閉位置。如此一來，使被加工物W從第2減壓室22朝第1減壓室21搬運時，設於分隔壁23之連通開口231便會開放，但由於第2減壓室22如上所述地已減壓，因此第1減壓室21不會有成為大氣壓之情形。
接著，如上所述地利用庫倫力來吸引保持載置於加工物保持機構6之中央保持台62上的被加工物W，並實施上述電漿蝕刻步驟。該電漿蝕刻步驟是在已將第1減壓室21 減壓之狀態來實施，但由於第1減壓室21如上所述地維持在減壓狀態，因此直接可實施電漿蝕刻，即減壓處理，故，生產性便會提升。如此一來，如實施電漿蝕刻步驟後，就實施用以使已蝕刻處理之被加工物W從電漿蝕刻裝置搬出的上述各步驟。
以上，雖顯示了將本發明適用於電漿蝕刻裝置之例，但本發明可廣泛地適用於在減壓加工室之狀態下來處理被加工物的減壓處理裝置。
2‧‧‧殼體
3‧‧‧快門機構
4‧‧‧閘門機構
6‧‧‧被加工物保持機構
7‧‧‧電漿產生用氣體噴射機構
8‧‧‧暫存機構
9‧‧‧被加工物搬運機構
21‧‧‧第1減壓室
22‧‧‧第2減壓室
23‧‧‧分隔壁
31‧‧‧快門
32‧‧‧快門動作機構
41‧‧‧閘門
42‧‧‧閘門動作機構
51‧‧‧第1減壓機構
52‧‧‧第2減壓機構
61‧‧‧保持基台
62‧‧‧保持台
63‧‧‧昇降機構
81‧‧‧支持基台
82‧‧‧暫存台
91‧‧‧外周支持構件
92‧‧‧搬運移動機構
96‧‧‧外殼
211‧‧‧第1減壓室的上壁
212‧‧‧第1減壓室的底壁
221a‧‧‧被加工物搬入搬出用開口
221‧‧‧第2減壓室之側壁
222‧‧‧第2減壓室之上壁
223‧‧‧第2減壓室之底壁
231‧‧‧連通開口
321‧‧‧空氣汽缸
322‧‧‧活塞桿
421‧‧‧空氣汽缸
422‧‧‧活塞桿
612‧‧‧電極
613‧‧‧直流電壓施加機構
631‧‧‧空氣汽缸機構
631a‧‧‧空氣汽缸
632‧‧‧電磁3向閥
633‧‧‧吸引源

Claims (3)

  1. 一種減壓處理裝置，是在減壓狀態下處理被加工物，其特徵在於具備有：殼體，具有處理被加工物之第1減壓室、以及與該第1減壓室利用分隔壁所區劃並且透過設於該分隔壁之連通開口而連通的第2減壓室；快門機構，將設於該分隔壁之該連通開口加以開關；閘門機構，形成於該殼體並將與該第2減壓室連通的被加工物搬入搬出用開口加以開關；被加工物保持機構，配置於該第1減壓室並保持被加工物；處理機構，對保持於該被加工物保持機構之被加工物實施處理；第1減壓機構，將該第1減壓室減壓；第2減壓機構，將該第2減壓室減壓；暫存機構，配置於該第2減壓室並暫存被加工物；被加工物搬運機構，使載置於該暫存機構之被加工物通過設於該分隔壁的該連通開口，朝配置於該第1減壓室之該被加工物保持機構來搬運，並將載置於該被加工物保持機構之被加工物通過設於該分隔壁的該連通開口，朝該暫存機構來搬運；又，該被加工物保持機構具有：保持被加工物之中 央區域的中央保持台、與昇降該中央保持台之昇降機構，且，該被加工物搬運機構具有支持被加工物之外周區域的外周支持構件。
  2. 如請求項1之減壓處理裝置，其中該被加工物搬運機構之該外周支持構件具備2根支持部，而該2根支持部具有比該中央保持台更大之間隔，並支持被加工物之外周區域。
  3. 如請求項2之減壓處理裝置，其中該被加工物是黏貼於環狀框體所安裝之切割膠帶的半導體晶圓，該中央保持台可保持半導體晶圓之區域，且該外周支持構件之該2根支持部可支持環狀框體的區域。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9564348B2 (en) * 2013-03-15 2017-02-07 Applied Materials, Inc. Shutter blade and robot blade with CTE compensation
JP6541374B2 (ja) * 2014-07-24 2019-07-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US10096495B2 (en) 2014-12-26 2018-10-09 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
JP6457334B2 (ja) * 2015-05-13 2019-01-23 株式会社ディスコ 切削装置
JP2018085408A (ja) * 2016-11-22 2018-05-31 株式会社ディスコ 減圧処理装置
JP2023012964A (ja) 2021-07-14 2023-01-26 株式会社ディスコ 貼着方法及び貼着装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63204726A (ja) * 1987-02-20 1988-08-24 Anelva Corp 真空処理装置
KR0162102B1 (ko) * 1991-05-29 1999-02-01 이노우에 아키라 반도체 제조장치
JP3429786B2 (ja) * 1991-05-29 2003-07-22 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置
US5433780A (en) * 1992-11-20 1995-07-18 Tokyo Electron Limited Vacuum processing apparatus and exhaust system that prevents particle contamination
US6672819B1 (en) * 1995-07-19 2004-01-06 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus and semiconductor manufacturing line using the same
JP4282379B2 (ja) * 2003-06-06 2009-06-17 オリンパス株式会社 ウエハ検査装置
JP4705418B2 (ja) * 2005-06-29 2011-06-22 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
WO2007080779A1 (ja) * 2006-01-12 2007-07-19 Nikon Corporation 物体搬送装置、露光装置、物体温調装置、物体搬送方法、及びマイクロデバイスの製造方法
JP2007208284A (ja) * 2007-03-22 2007-08-16 Hitachi Ltd 真空処理装置における真空処理方法
JP5511273B2 (ja) * 2008-09-12 2014-06-04 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び基板処理方法
JP5548430B2 (ja) * 2008-11-26 2014-07-16 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP2011035281A (ja) * 2009-08-05 2011-02-17 Disco Abrasive Syst Ltd ワーク収納機構および研削装置

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