TWI451520B - A substrate processing apparatus, a substrate transfer apparatus, and a substrate transfer apparatus - Google Patents

A substrate processing apparatus, a substrate transfer apparatus, and a substrate transfer apparatus Download PDF

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Description

基板處理裝置、基板搬送裝置及基板搬送裝置之控制方法
本發明係關於一種基板處理裝置、基板搬運裝置以及基板處理裝置之控制方法。
於製造半導體元件之際，係對半導體晶圓依序反覆進行各種薄膜之成膜處置、改質處理、氧化擴散處理、退火處理、蝕刻處理等，藉此於半導體晶圓上製造由多層膜所構成之半導體元件。
作為製造此種半導體元件之製造裝置，有被稱為集束型製程設備(cluster tool)之基板處理裝置。此基板處理裝置，係將用以進行各種處理之複数片式(sheet type)處理室與一個搬運室加以連結，於各個處理室內對半導體晶圓依序進行處理，藉此能以一個基板處理裝置來進行各種處理。此種基板處理裝置，半導體晶圓於處理室間之移動係利用於搬運室所設置之搬運臂之伸縮動作以及旋轉動作等來進行。此搬運臂通常具有靜電夾，半導體晶圓係被搬運臂之靜電夾所吸附而被搬運。
習知技術文獻
專利文獻1日本特開2002-280438號公報
專利文獻2日本特開2004-119635號公報
另一方面，半導體晶圓於處理室間等移動之際，係對靜電夾之電極施加電壓而成為被吸附於搬運臂上之靜電夾的狀態，但若長時間利用靜電夾作吸附，半導體晶圓將變得不容易自搬運臂分離，而有過度吸附之情況發生。因此，乃希望有具備不易發生過度吸附之搬運臂的基板處理裝置、基板搬運裝置以及基板處理裝置之控制方法。
此外，集束型之基板處理裝置，由於提高生產量直接牽連到所製造之半導體元件之製造成本的降低，故特別期望提高生產量，再者，也期望於基板處理裝置運轉之際之省電力化等。
本發明之第1樣態，係提供一種基板處理裝置，具備：搬運臂，係可載置基板，並具有將被載置之該基板加以吸附之靜電夾，進行該基板之搬運；以及控制部，在該基板被載置於該搬運臂之情況下，當該搬運臂之動作停止之時，並不對於該靜電夾的電極間施加用以將該基板吸附於該靜電夾之電壓；在該基板被載置於該搬運臂之情況下，當該搬運臂進行動作之時，將該電壓施加於該電極間。
本發明之第2樣態，係提供一種基板處理裝置，具備：搬運臂，係可載置基板，並具有將被載置之該基板加以吸附之靜電夾，為了進行該基板之搬運可進行伸縮動作以及旋轉動作；以及控制部，在該基板被載置於該搬運臂之情況下，當該搬運臂進行該伸縮動作之時，並不對於該靜電夾的電極間施加用以將該基板吸附於該靜電夾之電壓；在該基板被載置於該搬運臂之情況下，當該搬運臂進行該旋轉動作之時，將該電壓施加於該電極間。
本發明之第3樣態，係提供一種基板處理裝置之控制方法，所控制之基板處理裝置具備搬運臂，其可載置基板，並具有將被載置之該基板加以吸附之靜電夾，進行該基板之搬運。此控制方法包含下述製程：將該基板載置於該搬運臂之製程；對該搬運臂之該靜電夾的電極間施加電壓來將該基板吸附於該搬運臂，藉由該搬運臂使得該基板移動之第1移動製程；於該第1移動製程之後，將該搬運臂之該靜電夾所進行之吸附加以解除之解除製程；以及於該解除製程之後，對該搬運臂之該靜電夾的電極間施加電壓，藉此將該基板吸附於該搬運臂，以該搬運臂來移動該基板之第2移動製程。
本發明之第4樣態，係提供一種基板處理裝置之控制方法，所控制之基板處理裝置具備搬運臂，其可載置基板，並具有將被載置之該基板加以吸附之靜電夾，進行該基板之搬運。此控制方法包含下述製程：將該基板載置於該搬運臂之製程；在該基板未吸附於該靜電夾的情況下，使得該搬運臂進行伸縮來移動該基板之第1移動製程；於該第1移動製程之後，對該搬運臂之該靜電夾的電極間施加電壓來將該基板吸附於該搬運臂，在該搬運臂未進行伸縮的情況下進行旋轉以移動該基板之旋轉製程；於該旋轉製程之後，將該搬運臂之該靜電夾所進行之吸附加以解除之解除製程；以及於該解除製程之後，在未將該基板吸附於該靜電夾的情況下，使得該搬運臂進行伸縮來移動該基板之第2移動製程。
依據本發明之實施形態，可提供一種具有可藉由靜電夾來吸附半導體晶圓之搬運臂的基板處理裝置，其可儘可能防止過度吸附以及固定之發生；另可提供一種基板搬運裝置以及基板處理裝置之控制方法。藉此，晶圓自搬運臂之剝除變得容易，可防止對元件造成之損害。
再者，可提供一種能提升生產量與節省基板處理裝置運轉之際的電量之基板處理裝置、基板搬運裝置以及基板處理裝置之控制方法。亦即，可縮短對搬運臂之靜電夾施加電壓之時間，可節省電量。此外，有時無需施加逆電壓，而可進一步節省電量。
以下，參照所附圖式，針對本發明之非限定性例示的實施形態作說明。於所附全部圖式中，針對同一或是對應之構件或是零件係賦予同一或是對應之參照符號，省略重複之說明。此外，圖式並非以顯示構件或是零件間之相對比為目的，從而，具體之尺寸係參酌以下之非限定性實施形態，而由業界人士來決定。
[第1實施形態]
(基板處理裝置)
針對第1實施形態作說明。本實施形態，係一種被稱為集束型製程設備之基板處理裝置，亦即，具有複數處理室以及與複數處理室連接之搬運室而用以處理半導體晶圓等基板之基板處理裝置。於搬運室，設有利用靜電夾(ESC：Electrostatic Chuck)來吸附半導體晶圓之搬運臂，可利用搬運臂使得作為基板之半導體晶圓在各個處理室間或是處理室與加載互鎖室之間移動。
依據圖1說明本實施形態之基板處理裝置。本實施形態之基板處理裝置，具有：大氣搬運室10、共通搬運室20、4個片式處理室41,42,43,44、以及控制部50。此外，大氣搬運室10以及共通搬運室20具有作為基板搬運裝置之機能，關於大氣搬運室10以及共通搬運室20也稱為基板搬運裝置。
共通搬運室20呈現大致6角形之形狀，而與大致6角形之邊相當的部份係連接有4個處理室41、42、43、44。此外，於共通搬運室20與大氣搬運室10之間設有2個加載互鎖室31與32。共通搬運室20與各個處理室41、42、43、44之間設有個別之閘閥61、62、63、64，各個處理室41、42、43、44可和共通搬運室20作遮斷。此外，於共通搬運室20與各個加載互鎖室31以及32之間設有個別之閘閥65以及66，於各個加載互鎖室31以及32與大氣搬運室10之間設有個別之閘閥67以及68。此外，於共通搬運室20連接著未圖示之真空泵，可進行真空排氣，此外，於加載互鎖室31以及32係連接著未圖示之真空泵而可獨立進行排氣。
此外，於大氣搬運室10，在設有2個加載互鎖室31以及32之側的相反側，連結著3個導入埠12A、12B、12C，此等導入埠設置有可收納複数片半導體晶圓之匣體。
於大氣搬運室10內，設有搬入側搬運機構16，其具有用以保持半導體晶圓W之2個搬運臂16A與16B，可藉由使得搬運臂16A與16B進行伸縮、旋轉、昇降以及直線移動等動作，將收納於導入埠12A、12B、12C之匣體內的半導體晶圓W取出，移動至加載互鎖室31與32之其中一者內部。
於共通搬運室20內，設有搬運機構80，其具有用以保持半導體晶圓W之2個搬運臂80A與80B，可藉由使得搬運臂80A或80B進行伸縮動作以及旋轉動作等，來進行半導體晶圓W朝各個處理室41、42、43、44間之移動，或是自加載互鎖室31或32內部朝各個處理室41、42、43、44之移動，或是自各個處理室41、42、43、44朝加載互鎖室31或32內部之移動。
具體而言，半導體晶圓W可藉由搬運臂80A以及80B自加載互鎖室31或32朝各個處理室41、42、43、44移動，而於各個處理室41、42、43、44對半導體晶圓W進行處理。由於在處理室41、42、43、44係個別地進行半導體晶圓W之處理，乃藉由搬運臂80A以及80B使得半導體晶圓W於處理室41、42、43、44間移動而進行處理。在各處理室41、42、43、44對半導體晶圓W之處理結束之後，半導體晶圓W係藉由搬運臂80A或80B而自處理室41、42、43、44朝加載互鎖室31或32移動，進而藉由大氣搬運室10之搬入側搬運機構16的搬運臂16A或16B，而使得結束基板處理之半導體晶圓W被收納於搬運埠12A、12B、12C之匣體內。
此外，半導體晶圓W係載置於搬運臂80A或80B上。換言之，當半導體晶圓W被置於搬運臂80A或80B上，未利用靜電夾進行吸附之狀態下，會成為藉由重力而被載置之狀態。
此外，搬入側搬運機構16之搬運臂16A或16B之動作、以及搬運機構80之搬運臂80A以及80B、以及處理室41、42、43、44之半導體晶圓之處理、以及閘閥61、62、63、64、65、66、67、68和加載互鎖室31或32之排氣等的控制係於控制部50進行。此外，為了利用靜電夾進行吸附而對於靜電夾之電極82與83(後述)之間施加電壓一事亦係由控制部50所控制。關於利用控制部50所控制之電壓施加以及搬運臂80A與80B之動作的關係(時間點)將於後述。
其次，基於圖2以及圖3來針對本實施形態之搬運臂80A作說明。圖3係於圖2之虛線3A-3B作切斷之截面放大圖。搬運臂80A具有分為雙叉之載置半導體晶圓W之U字形的前端部份。搬運臂80A之本體部81係由氧化鋁等陶瓷材料所形成，具有用以載置半導體晶圓W之U字形前端部份。此U字形之前端部份具有由用以進行靜電吸附之金屬材料所形成之電極82以及83，於電極82以及83之表面形成有由聚醯亞胺等所構成之絕緣體層84以及85。此外，於搬運臂80A之本體部81的半導體晶圓W吸附面側，設有由含有矽化合物之矽系橡膠所構成之O型環86，半導體晶圓W在構成上不會與本體部81直接接觸。此外，關於搬運臂80B以及搬入側搬運機構16之搬運臂16A與16B也同樣地構成。
(比較例之基板處理裝置之控制方法)
其次，依據圖4來針對上述基板處理裝置之比較例之控制方法作說明。圖4(a)係顯示搬運臂是否存在有半導體晶圓，圖4(b)係顯示於靜電夾之電極間所施加之電壓，圖4(c)係顯示搬運臂之動作狀態，亦即顯示搬運臂處於動作或停止之狀態，圖4(d)係顯示以靜電夾所產生之在搬運臂與半導體晶圓之間之吸附力。
剛開始於時間t0時，搬運臂係利用靜電夾來吸附半導體晶圓。具體而言，將位於載置有半導體晶圓之處理室與共通搬運室之間之閘閥加以開啟，使得搬運臂之U字形前端部份插入半導體晶圓之下部後，為了使其吸附於在搬運臂所設之靜電夾的電極間而施加電壓V1。藉此，半導體晶圓被吸附於搬運臂。因此，於時間t0，半導體晶圓被吸附於搬運臂，成為搬運臂上載置半導體晶圓之狀態。
其次，從時間t0到時間t1，搬運臂進行伸縮動作以及旋轉動作。具體而言，藉由縮短搬運臂，則置於搬運臂之U字形前端部份的半導體晶圓會從處理室移動到共通搬運室內。之後，藉由進行旋轉使得半導體晶圓移動至共通搬運室內之未載置半導體晶圓之次一處理室附近。
其次，在半導體晶圓移動至下一處理室內之前，成為半導體晶圓移動停止之狀態，亦即，自時間t1至時間t2，搬運臂在共通搬運室內之動作成為停止狀態。於此狀態下，保持於靜電夾之電極間施加V1電壓之狀態而使得吸附力逐漸上昇。
其次，自時間t2至時間t3，搬運臂進行伸縮動作。具體而言，藉由伸長搬運臂，則置於搬運臂之U字形前端部份的半導體晶圓會自共通搬運室移動到處理室內。
其次，將半導體晶圓載置於下一處理室內之既定位置。亦即，使得半導體晶圓移動至既定位置之後，於時間t3將在靜電夾之電極間所施加之電壓調整為0V，藉此則靜電夾所產生之吸附力會被解除，而使半導體晶圓載置於下一處理室內之既定位置。
以上述方式，可進行半導體晶圓在處理室間之移動。但是，此種方法，如圖4(d)所示般，若對電極間施加長時間之電壓V1，則在搬運臂之靜電夾與半導體晶圓之間之吸附力會傾向於逐漸變高，則電壓之施加時間愈長愈容易成為過度吸附之狀態。此種過度吸附之狀態會使得半導體晶圓自搬運臂離開變得不易。
尤其，當挾持在搬運臂與半導體晶圓之間之O型環為含有矽化合物之橡膠等情況，有時會經由O型環而造成半導體晶圓密接，使得半導體晶圓自搬運臂離開變得不易。
(本發明之一實施形態之基板處理裝置之控制方法)
其次，依據圖5來針對使用圖1所示基板處理裝置之本發明之一實施形態之基板處理裝置之控制方法作說明。圖5(a)係顯示搬運臂80A是否存在有半導體晶圓W，圖5(b)係顯示於靜電夾之電極82與83之間所施加之電壓，圖5(c)係表示搬運臂80A之動作狀態，亦即，搬運臂80A處於動作或停止之狀態，圖5(d)係顯示靜電夾所產生之在搬運臂80A與半導體晶圓W之間的吸附力。
剛開始於時間t0時，將半導體晶圓W以靜電夾來吸附。具體而言，圖6所示般，載置有半導體晶圓W之處理室41與共通搬運室20之間的閘閥61開啟，使得搬運臂80A之U字形前端部份插入於半導體晶圓W之下部之後，施加電壓V1以藉由靜電夾將半導體晶圓W吸附於在搬運臂80A所設之靜電夾的電極82與83之間。藉此，半導體晶圓W被吸附於靜電夾。因此，於時間t0，半導體晶圓W被吸附於搬運臂80A。
其次，自時間t0至時間t1，搬運臂80A係進行伸縮動作以及旋轉(旋回)動作(第1移動製程以及旋轉製程)。具體而言，藉由縮短搬運臂80A，置於搬運臂80之U字形前端部份的半導體晶圓W會自處理室81朝共通搬運室20內移動。之後，如圖7所示般，藉由進行旋轉動作，半導體晶圓W會移動至共通搬運室20內之未載置半導體晶圓W之下一處理室42附近。
其次，在半導體晶圓W移動至下一處理室42內之前，半導體晶圓W之移動成為停止之狀態，亦即，自時間t1至時間t2，於共通搬運室20內，搬運臂80A之動作成為停止狀態。於此狀態下，將為了吸附於電極82與83之電極間所施加之電壓予以停止(解除製程)。亦即，於時間t1，由於對電極82與83之間所施加之電壓係從V1成為0V，故自時間t1到時間t2之間，靜電夾對半導體晶圓W進行吸附之吸附力會降低。此外，即便於此狀態下，半導體晶圓W仍會因為重力之力而維持載置於搬運臂80A上之狀態。
其次，自時間t2至時間t3，搬運臂80A係進行伸縮動作。具體而言，藉由伸長搬運臂80A，置於搬運臂80A之U字形前端部份的半導體晶圓W會自共通搬運室20朝處理室42內移動。此時，再次於搬運臂80A之電極82與83之間施加電壓V1，使得半導體晶圓W吸附於搬運臂80A(第2移動製程)。
其次，將半導體晶圓W載置於下一處理室42內之既定位置。亦即，如圖8所示般，於時間t3使得半導體晶圓移動至既定位置之後，將施加於靜電夾電極間之電壓調整為0V，藉以解除靜電夾所產生之吸附，而使半導體晶圓W載置於下一處理室42內之既定位置。
以此方式，於本實施形態之基板處理裝置，可進行處理室間之半導體晶圓W的移動。在本實施形態之基板處理裝置之控制方法，在搬運臂80A動作之時間以外，亦即從時間t0到時間t1、從時間t2到時間t3以外，於電極82與83之間所施加之電壓為0V。換言之，從時間t1到時間t2，靜電夾所作之吸附被解除，可防止搬運臂80A與半導體晶圓W之過度吸附。亦即，僅在搬運臂80A動作之時間於電極82與83之間施加電壓V1，由於半導體晶圓W受到短時間吸附，故吸附力之上昇少。從而，可防止過度吸附之發生。
此外，在搬運臂80A未動作之時間，亦即從時間t1至時間t2，由於在電極82與83之間未施加電壓V1，這期間電力並未消耗，所以可達成省電力化、低成本化。
[第2實施形態]
其次，針對第2實施形態作說明。本實施形態，乃就第1實施形態之基板處理裝置，在進行將靜電夾之殘留電荷所致吸附力加以去除之情況的基板處理裝置之控制方法。
(比較例之基板處理裝置之控制方法)
依據圖9針對基板處理裝置之比較例之控制方法作說明。於此控制方法中係進行靜電夾去除。圖9(a)係顯示於搬運臂是否存在有半導體晶圓，圖9(b)係顯示為了吸附於靜電夾而於靜電夾之電極間所施加之電壓之施加狀態，圖9(c)係顯示為了去除靜電夾所致殘留附著而於靜電夾之電極間所施加之電壓之施加狀態，圖9(d)係顯示搬運臂之狀態，亦即搬運臂處於伸展或縮短狀態，圖9(e)係顯示搬運臂是否進行著旋轉動作，圖9(f)係顯示最初於載置著半導體晶圓之處理室(以下記為「處理室A」)中用以使得半導體晶圓上下移動之銷的上下位置，圖9(g)係顯示接著於載置著半導體晶圓之處理室(以下記為「處理室B」)中用以使得半導體晶圓上下移動之銷的上下位置，圖9(h)係顯示靜電夾所致在搬運臂與半導體晶圓之吸附力。
一開始，從時間t10至時間t11，搬運臂係朝向一開始載置著半導體晶圓之處理室A進行伸長動作。此時，於搬運臂並未載置半導體晶圓，於搬運臂之靜電夾的電極間並未施加電壓。此外，於處理室A，係使得已經於處理室A用以上提半導體晶圓之銷上昇，成為半導體晶圓受到上提之狀態。是以，於時間t11，搬運臂成為伸長狀態，搬運臂之U字形前端部於處理室A內成為進入半導體晶圓下側之狀態。
其次，從時間t11至時間t12，係使得處理室A內之銷下降來讓半導體晶圓載置於搬運臂之U字形前端部。
其次，從時間t12至時間t13，係對於在搬運臂所設之靜電夾的電極間施加為藉由靜電夾進行吸附之電壓V1，來讓半導體晶圓吸附於搬運臂之靜電夾，進而，藉由進行搬運臂之縮短動作，讓半導體晶圓從處理室A移動到共通搬運室。
其次，從時間t13至時間t14，搬運臂係進行旋轉動作，將半導體晶圓移動至處理室B之附近。
其次，從時間t14至時間t15，搬運臂係朝處理室B內進行伸長動作，藉此將半導體晶圓移動至處理室B內。
其次，於時間t15，將對於搬運臂之靜電夾的電極間所施加之電壓V1斷開，且於時間t15至時間t16，對電極間施加與從時間t12至時間t15對電極間所施加之電壓為逆向之電壓V2，將於搬運臂之半導體晶圓與靜電夾所殘留之電荷去除，確實地解除吸附力。
其次，從時間t16至時間t17，使得用以上提處理室B內半導體晶圓之銷上昇，將載置於搬運臂之半導體晶圓上提。
其次，從時間t17至時間t18，搬運臂係進行縮短動作，而將U字形前端部從處理室B移動到共通搬運室。
其次，從時間t18至時間t19，係讓處理室B內之銷下降，半導體晶圓會被載置於處理室B之既定位置。
藉由以上方式，可將半導體晶圓從處理室A移動到處理室B。
(本發明之一實施形態之基板處理裝置之控制方法)
其次，依據圖10，針對使用圖1所示之基板處理裝置之本發明之一實施形態之基板處理裝置之控制方法作說明。圖10(a)係顯示於搬運臂80A是否存在半導體晶圓W，圖10(b)係顯示於靜電夾之電極82與83之間所施加之用以利用靜電夾來作吸附之電壓的施加狀態，圖10(c)係顯示為了將靜電夾所致殘留附著加以去除而於電極82與83之間所施加之電壓之狀態，圖10(d)係顯示搬運臂80A之狀態，亦即顯示搬運臂80A處於伸長或縮短之狀態，圖10(e)係顯示搬運臂80A是否進行著旋轉動作，圖10(f)係顯示於處理室41用以使得半導體晶圓W上下移動之未圖示之銷的上下位置，圖10(g)係顯示於處理室42用以使得半導體晶圓W上下移動之未圖示之銷的上下位置，圖10(h)係顯示靜電夾所致搬運臂80A與半導體晶圓W之吸附力。本實施形態之基板處理裝置之控制方法，僅於搬運臂80A進行旋轉動作之際以靜電夾進行吸附。亦即，搬運臂80A之動作，由於搬運臂80A之旋轉動作中會對半導體晶圓W產生離心力，所以旋轉動作之情況會比伸縮動作對半導體晶圓W施加更強之力。因此，在半導體晶圓W載置於搬運臂80A之狀態下，即便是可無需靜電夾作吸附而進行伸縮動作之情況，於旋轉動作中，必需以靜電夾作吸附。
一開始，從時間t20至時間t21，搬運臂80A係朝向處理室41進行伸長動作。此時，於搬運臂80A並未載置半導體晶圓W，於搬運臂80A之靜電夾的電極82與83之間所施加之電壓為0V。此外，於處理室41，藉由用以上提半導體晶圓W之未圖示之銷的上昇，半導體晶圓W會被上提至銷上。然後，於時間t21，搬運臂80A成為伸長狀態，搬運臂80A之U字形前端部於處理室41內成為進入半導體晶圓W下側之狀態。具體而言，成為圖6所示之狀態。
其次，從時間t21至時間t22，藉由下降處理室41之未圖示之銷，半導體晶圓W會被載置於搬運臂80A之U字形前端部。
其次，從時間t22至時間t23，搬運臂80A藉由進行縮短動作，而將半導體晶圓W從處理室41移動到共通搬運室20(第1移動製程)。
其次，從時間t23至時間t24，藉由對搬運臂80A所設之靜電夾的電極82與83之間施加用以利用靜電夾進行吸附之電壓V1，將半導體晶圓W吸附於靜電夾。再者，對前述靜電夾之各電極施加電壓V1之後，搬運臂80A進行旋轉動作，將半導體晶圓W移動至處理室42之附近(旋轉製程)。具體而言，如圖7所示進行旋轉動作。
其次，於時間t24，將對於搬運臂80A之靜電夾的電極82與83之間所施加之為利用靜電夾進行吸附之電壓V1關閉(解除製程)，於電極間施加0V之電壓。此外，從時間t24至時間t25，對電極82與83之間施加和從時間t23至時間t24之間所施加之電壓V1為極性相反之電壓V2，以確實解除利用搬運臂80A之靜電夾所進行之半導體晶圓W的吸附，同時，搬運臂80A朝向處理室42內進行伸長動作，以將半導體晶圓W移動至處理室42內(第2移動製程)。具體而言，成為圖8所示之狀態。此外，即使於此狀態下，半導體晶圓W仍藉由重力之力而維持載置於搬運臂80A上之狀態。
其次，從時間t25至時間t26，使得處理室42內之未圖示之銷上昇，將載置於搬運臂80A之半導體晶圓W上提。
其次，從時間t26至時間t27，搬運臂80A進行縮短動作，以使U字形前端部從處理室42移動至共通搬運室20。
其次，從時間t27至時間t28，使得處理室42內之未圖示之銷下降，半導體晶圓W被載置於處理室42之既定位置。
藉由以上之製程，半導體晶圓W從可將處理室41移動至處理室42。
於本實施形態，由於搬運臂80A之伸縮動作和為了確實解除靜電夾之逆電壓的施加係同時進行，故可使得半導體晶圓W於短時間移動於處理室間，可提高生產量。亦即，於比較例之控制方法(圖9)所示之情況下，從時間t14至時間t16所需時間，在本實施形態中則可減縮為從時間t24至時間t25，可提高生產量。此外，關於利用靜電夾進行吸附之時間也同樣地，比較例之控制方法(圖9)所示之情況為從時間t12至時間t15，相對於此，於本實施形態，可減縮為從時間t23至時間t24，可防止半導體晶圓W之過度吸附，且可達成省電力化。此外，於圖9所示之從時間t10至時間t14和於圖10所示之從時間t20至時間t24為相同時間，於圖9所示之從時間t16至時間t19和於圖10所示之從時間t25至時間t28為相同時間。
[第3實施形態]
其次，針對第3實施形態作說明。於本實施形態，針對第1實施形態之基板處理裝置，有別於第2實施形態，乃是一種半導體晶圓之搬運需要待機時間，而不進行用以去除靜電夾之吸附力的逆電壓施加之情況的基板處理裝置之控制方法。
(比較例之基板處理裝置之控制方法)
基於圖11針對基板處理裝置之比較例之控制方法作說明。於此控制方法係進行靜電夾去除。圖11(a)係顯示於搬運臂是否存在著半導體晶圓，圖11(b)係顯示於靜電夾的電極間所施加之電壓，圖11(c)係顯示搬運臂之狀態，亦即顯示搬運臂處於伸長或縮短狀態，圖11(d)係顯示搬運臂是否進行著旋轉動作，圖11(e)係顯示一開始載置著半導體晶圓之處理室(以下，記為「處理室A」)中，用以使得半導體晶圓上下移動之銷的上下位置，圖11(f)係顯示接下來於載置半導體晶圓載置之處理室(以下記為「處理室B」)，用以使得半導體晶圓上下移動之銷的上下位置，圖11(g)係顯示靜電夾所致搬運臂與半導體晶圓之吸附力。
一開始，從時間t30至時間t31，搬運臂首先係朝載置著半導體晶圓之處理室A進行伸長動作。此時，於搬運臂並未載置半導體晶圓，於搬運臂之靜電夾的電極間所施加之電壓為0V。此外，於處理室A，已經讓用以於處理室A上提半導體晶圓之銷上昇，半導體晶圓處於被上提之狀態。於時間t31，搬運臂成為伸長狀態，搬運臂之U字形前端部於處理室A內成為進入前述藉由銷而被上提之半導體晶圓下側之狀態。
其次，從時間t31至時間t32，藉由使得處理室A內之銷下降，半導體晶圓會被載置於搬運臂之U字形前端部。
其次，從時間t32至時間t33，藉由對搬運臂所設之靜電夾的電極間施加用以利用靜電夾進行吸附之電壓V1，讓半導體晶圓吸附於靜電夾，再者，搬運臂藉由進行縮短動作，而將半導體晶圓從處理室A移動至共通搬運室。
其次，從時間t33至時間t34，搬運臂係進行旋轉動作，將半導體晶圓移動至處理室B之附近。
其次，從時間t34至時間t35，在處理室B等之準備結束之前，於共通搬運室內之半導體晶圓之移動成為停止狀態，亦即，搬運臂之動作成為停止狀態。此時，電極間維持在施加著V1電壓之狀態，吸附力逐漸上昇。
其次，從時間t35至時間t36，搬運臂朝向處理室B內進行伸長動作，藉此將半導體晶圓移動至處理室B內。
其次，於時間t36，將於搬運臂之靜電夾的電極間所施加之電壓從V1改變為0V。於此時間t36，在對靜電夾的電極間所施加之電壓改變至0V之間，由於長時間施加電壓V1，故其間靜電夾之吸附力會緩緩增加。因此，於時間t36，即使對電極間之施加電壓改變為0V，吸附力也不會立刻變為0而是緩緩地降低。因此，在到吸附力成為既定值以下之時間t37為止會維持此狀態。
其次，從時間t37至時間t38，使得用以將處理室B內之半導體晶圓上提之銷上昇，將載置於搬運臂之半導體晶圓上提。
其次，從時間t38至時間t39，搬運臂係進行縮短動作，藉此使U字形前端部從處理室B移動至共通搬運室。
其次，從時間t39至時間t40，使處理室B內之銷下降，半導體晶圓被載置於處理室B之既定位置。
藉由以上方式，可將半導體晶圓從處理室A移動至處理室B。
(本發明之一實施形態之基板處理裝置之控制方法)
其次，依據圖12，針對使用圖1所示之基板處理裝置之本發明之一實施形態之基板處理裝置之控制方法作說明。圖12(a)係顯示於搬運臂80A是否存在著半導體晶圓W，圖12(b)係顯示於靜電夾的電極82與83之間所施加之電壓，圖12(c)係顯示搬運臂80A之狀態，亦即顯示搬運臂80A處於伸長或縮短狀態，圖12(d)係顯示搬運臂80A是否進行著旋轉動作，圖12(e)係顯示於處理室41用以使得半導體晶圓W上下移動之未圖示之銷的上下位置，圖12(f)係顯示於處理室42用以使得半導體晶圓W上下移動之未圖示之銷的上下位置，圖12(g)係顯示靜電夾所致搬運臂80A與半導體晶圓W之吸附力。
一開始，從時間t50至時間t51，搬運臂80A首先朝載置著半導體晶圓W之處理室41進行伸長動作。此時，於搬運臂80A並未載置半導體晶圓W，於搬運臂80A之靜電夾的電極82與83之間所施加之電壓為0V。此外，於處理室41，位於處理室41內之用以上提半導體晶圓之未圖示之銷業已上昇，半導體晶圓W成為被上提之狀態。從而，於時間t51，搬運臂80A成為伸長狀態，搬運臂80A之U字形前端部於處理室41內成為進入前述已被銷所上提之半導體晶圓W下側之狀態。
其次，從時間t51至時間t52，藉由使得處理室41之未圖示之銷下降，半導體晶圓W會被載置於搬運臂80A之U字形前端部。
其次，從時間t52至時間t53，搬運臂80A藉由進行縮短動作，將半導體晶圓W從處理室41移動至共通搬運室20(第1移動製程)。
其次，從時間t53至時間t54，藉由對於搬運臂80A所設之靜電夾的電極82與83之間施加用以利用靜電夾進行吸附之電壓V1，半導體晶圓W會被靜電夾所吸附，再者，搬運臂80A係進行旋轉動作，將半導體晶圓W移動至處理室42之附近。具體而言，如圖7所示般進行旋轉動作(旋轉製程)。
其次，從時間t54至時間t55，在用以將半導體晶圓W搬入處理室42之準備結束之前，於共通搬運室20內之半導體晶圓W的移動成為停止狀態，亦即，搬運臂80A之動作成為停止狀態。此外，於時間t54，將用以吸附於電極82與83之間之電壓施加停止(解除製程)，亦即於電極間所施加之電壓成為0V，靜電夾所作之吸附被解除。此外，即使於此狀態下，半導體晶圓W仍藉由重力之力而維持載置於搬運臂80A上之狀態。
其次，從時間t55至時間t56，搬運臂80A係朝向處理室42內進行伸長動作，藉此，將半導體晶圓W移動至處理室42內(第2移動製程)。具體而言，成為圖8所示之狀態。
其次，從時間t56至時間t57，於處理室42內之未圖示之銷上昇，而將載置於搬運臂80A之半導體晶圓W上提。
其次，從時間t57至時間t58，搬運臂80A係進行縮短動作，藉此，U字形前端部從處理室42移動至共通搬運室20。
其次，從時間t58至時間t59，使得處理室42內之未圖示之銷下降，半導體晶圓W被載置於處理室42之既定位置。
如以上所述，依據本實施形態之控制方法，可將半導體晶圓W從處理室41移動至處理室42。
於本實施形態，對搬運臂80A所設之靜電夾的電極間施加吸附用之電壓V1係僅於進行搬運臂80A之旋轉動作之時間，亦即從時間t53至時間t54之間進行。是以，不會發生過度吸附，因此無須設置直至吸附力降低之時間、亦即無須設置圖11所示之時間t36至時間t37之間的時間。從而，可提高基板處理裝置之生產量，進而，可達成省電力化。此外，圖11所示之時間t30至時間t36係和圖12所示之時間t50至時間t56為相同時間，圖11所示之時間t37至時間t40係和圖12所示之時間t56至時間t59為相同時間。
[第4實施形態]
其次，針對本發明之第4實施形態作說明。本實施形態，針對第1實施形態之基板處理裝置，有別於第3實施形態，乃即使於搬運臂80A之伸縮動作中也進行靜電夾之情況的基板處理裝置之控制方法。
基於圖13，針對使用圖1所示之基板處理裝置之本實施形態之基板處理裝置之控制方法作說明。圖13(a)係顯示於搬運臂80A是否存在著半導體晶圓W，圖13(b)係顯示於靜電夾的電極82與83之間所施加之電壓，圖13(c)係顯示搬運臂80A之狀態，亦即，搬運臂80A處於伸長或縮短之狀態，圖13(d)係顯示搬運臂80A是否進行著旋轉動作，圖13(e)係顯示於處理室41中，用以使得半導體晶圓W上下移動之未圖示之銷的上下位置，圖13(f)係顯示於處理室42中，用以使得半導體晶圓W上下移動之未圖示之銷的上下位置，圖13(g)係顯示靜電夾所致搬運臂80A與半導體晶圓W之吸附力。
一開始，從時間t60至時間t61，搬運臂80A首先朝向載置著半導體晶圓W之處理室41進行伸長動作。此時，於搬運臂80A並未載置半導體晶圓W，於搬運臂80A之靜電夾的電極82與83之間並未施加電壓。此外，於處理室41，於處理室41內之用以上提半導體晶圓之未圖示之銷業已上昇，半導體晶圓W藉由該銷而成為被上提之狀態。從而，於時間t61，搬運臂80A係成為伸長狀態，搬運臂80A之U字形前端部於處理室41內成為進入半導體晶圓W下側之狀態。
其次，從時間t61至時間t62，使得處理室41之未圖示之銷下降，藉此，半導體晶圓W被載置於搬運臂80A之U字形前端部。
其次，於時間t62，對搬運臂80A所設之電極82與83之間施加以靜電夾進行吸附之電壓V1，藉此，半導體晶圓W被吸附於搬運臂80A之靜電夾，再者，從時間t62至時間t63，搬運臂80A進行縮短動作，藉此，將半導體晶圓W從處理室41移動至共通搬運室20(第1移動製程)。
其次，從時間t63至時間t64，搬運臂80A係進行旋轉動作，將半導體晶圓W移動至處理室42之附近(旋轉製程)。具體而言，如圖7所示進行旋轉動作。
其次，從時間t64至時間t65，在用以將半導體晶圓W搬入至處理室42之準備完成之前，共通搬運室20內之半導體晶圓W之移動成為停止狀態，亦即，搬運臂80A之動作成為停止狀態。此外，於時間t64，將用以吸附於電極82與83之間之電壓施加停止(解除製程)。亦即，於電極間所施加之電壓成為0V，故從時間t64至時間t65之間，靜電夾之吸附被解除。此外，即使於此狀態下，半導體晶圓W藉由重力之力而維持載置在搬運臂80A上之狀態。
其次，於時間t65，於搬運臂80A所設之靜電夾的電極82與83之間施加電壓V1，半導體晶圓W被吸附於搬運臂80A之靜電夾，再者，從時間t65至時間t66，搬運臂80A朝向處理室42內進行伸長動作，藉此，將半導體晶圓W移動至處理室42內(第2移動製程)。具體而言，成為圖8所示之狀態。此外，於時間t66，於電極82與83之電極間所施加之電壓為0V，藉此，靜電夾之吸附被解除。
其次，從時間t66至時間t67，使得處理室42內之未圖示之銷上昇，將載置於搬運臂80A之半導體晶圓W上提。
其次，從時間t67至時間t68，搬運臂80A進行縮短動作，藉此，將U字形前端部從處理室42移動至共通搬運室20。
其次，從時間t68至時間t69，使得處理室42內之未圖示之銷下降，半導體晶圓W會被載置於處理室42之既定位置。
藉由以上之本實施形態之控制方法，可將半導體晶圓W從處理室41移動至處理室42。
於本實施形態，對搬運臂80A之靜電夾的電極間施加用以將半導體晶圓W吸附於靜電夾之電壓V1，乃是在半導體晶圓W被置於搬運臂80A之狀態下，僅於搬運臂80A進行伸縮動作、旋轉動作之時間(亦即從時間t62至時間t64之間、從時間t65至時間t66之間)進行。由於施加用以達成此吸附之電壓的時間短，所以不會發生過度吸附，可提高生產量，進而可達成省電力化。此外，圖11所示之從時間t30至時間t36係和圖13所示之從時間t60至時間t66為相同時間，圖11所示之從時間t37至時間t40係和圖13所示之從時間t66至時間t69為相同時間。
於本實施形態，係針對將半導體晶圓W從處理室41搬運至處理室42之情況作了說明，惟於處理室41、42、43、44之相互間之進行半導體晶圓W搬運之情況也同樣，此外，於加載互鎖室31以及32與處理室41、42、43、44之間進行半導體晶圓W之搬運之情況也同樣。再者，搬運臂80B、搬入側搬運機構16之搬運臂16A以及16B亦可進行與搬運臂80A同樣的動作。
[第5實施形態]
其次，針對本發明之第5實施形態作說明。本實施形態，針對第1實施形態之基板處理裝置，有別於第3實施形態，係一種當晶圓保持於搬運臂80A上待機之時、以及其後進行伸縮動作之時，並不對靜電夾的電極間施加電壓而呈開放狀態，在使得搬運臂80A上之晶圓從搬運臂80A離開之前，對靜電夾的電極間施加0V之電壓之基板處理裝置之控制方法。
圖14(a)係顯示於搬運臂80A是否存在著半導體晶圓W，圖14(b)係顯示於靜電夾的電極82與83之電極間所施加之電壓，圖14(c)係顯示搬運臂80A之狀態、亦即顯示搬運臂80A處於伸長或縮短之狀態，圖14(d)係顯示搬運臂80A是否進行著旋轉動作，圖14(e)係顯示於處理室41中使得半導體晶圓W上下移動之未圖示之銷的上下位置，圖14(f)係顯示於處理室42中使得半導體晶圓W上下移動之未圖示之銷的上下位置，圖14(g)係顯示靜電夾所致搬運臂80A與半導體晶圓W之吸附力。
一開始，從時間t50至時間t51，搬運臂80A首先朝向載置著半導體晶圓W之處理室41進行伸長動作。此時，搬運臂80A並未載置半導體晶圓W，於搬運臂80A之靜電夾的電極82與83之電極間所施加之電壓為0V。此外，於處理室41，處理室41之內用以將半導體晶圓上提之未圖示之銷業已上昇，半導體晶圓W處於被上提之狀態。從而，於時間t51，搬運臂80A成為伸長狀態，搬運臂80A之U字形前端部於處理室41內成為進入前述藉由銷所上提之半導體晶圓W下側之狀態。
其次，從時間t51至時間t52，使得處理室41之未圖示之銷下降，藉此，半導體晶圓W被載置於搬運臂80A之U字形前端部。
其次，從時間t52至時間t53，搬運臂80A係進行縮短動作，藉此，將半導體晶圓W從處理室41移動至共通搬運室20(第1移動製程)。
其次，從時間t53至時間t54，對搬運臂80A所設之靜電夾的電極82與83之電極間施加用以利用靜電夾進行吸附之電壓V1，藉此，半導體晶圓W被吸附於靜電夾。再者，搬運臂80A係進行旋轉動作，將半導體晶圓W移動至處理室42之附近。具體而言，如圖7所示般進行旋轉動作(旋轉製程)。
其次，從時間t54至時間t55，在用以將半導體晶圓W搬入至處理室42之準備結束之前，共通搬運室20內之半導體晶圓W的移動成為停止狀態，亦即，搬運臂80A之動作成為停止狀態。此外，於時間t54，停止對電極82與83之電極間施加吸附用之電壓，成為開放狀態(解除製程)。藉此，於各電極與半導體晶圓W所累積之電荷(殘留電荷)會大致維持原來狀態或是因漏洩而減少。亦即靜電夾所產生之吸附力會維持在電極間將要開放之前之狀態，或是相較於對電極間施加電壓0V之情況略為減少。此外，即使於此狀態下，半導體晶圓W會因為殘留電荷所致吸附力而維持被吸附在搬運臂80A上之狀態，或是吸附力慢慢地降低，於經過一段時間後受重力之力而成為被載置之狀態。
其次，從時間t55至時間t56，搬運臂80A朝向處理室42內進行伸長動作，藉此，將半導體晶圓W移動至處理室42內(第2移動製程)。具體而言，成為圖8所示之狀態。又於時間t55，於電極82與83之電極間所施加之電壓為0V。藉此，累積於靜電夾之各電極與半導體晶圓W之殘留電荷被移除，靜電夾之吸附力消失。藉此，半導體晶圓W會因為重力之力而成為被載置於搬運臂80A上之狀態。
其次，從時間t56至時間t57，使得處理室42內之未圖示之銷上昇，載置於搬運臂80A之半導體晶圓W被上提至該銷上。
其次，從時間t57至時間t58，搬運臂80A進行縮短動作，藉此，U字形前端部從處理室42移動至共通搬運室20。
其次，從時間t58至時間t59，使得處理室42內之未圖示之銷下降，半導體晶圓W被載置於處理室42之既定位置。
藉由以上方式，本實施形態之控制方法可將半導體晶圓W從處理室41移動至處理室42。
於本實施形態，對設置於搬運臂80A之靜電夾的電極間施加用以吸附至靜電夾之電壓V1，係於進行搬運臂80A之旋轉動作之時間，亦即僅於從時間t53至時間t54之間進行。是以，不會發生過度吸附，無須設置到吸附力降低為止之時間，亦即無須設置圖11所示之從時間t36至時間t37之間的時間。從而，可提高基板處理裝置之生產量，進而，可達成省電力化。此外，圖11所示之從時間t30至時間t36係和圖12所示之從時間t50至時間t56為相同時間，圖11所示之從時間t37至時間t40係和圖12所示之從時間t56至時間t59為相同時間。
於本實施形態，係針對將半導體晶圓W從處理室41搬運至處理室42之情況作了說明，惟即使於處理室41、42、43、44相互間進行半導體晶圓W搬運之情況也同樣，此外，於加載互鎖室31以及32與處理室41、42、43、44之間進行半導體晶圓W搬運之情況也同樣。再者，即使是搬運臂80B、搬入側搬運機構16之搬運臂16A以及16B也可和搬運臂80A同樣來動作。
以上，參照本發明之實施形態說明了本發明，惟本發明並不限定於上述實施形態，可參照所附申請專利範圍進行各種變更或是變形。
例如，於上述之實施形態，係針對從處理室41到處理室42進行半導體晶圓W搬運之情況作了說明，惟即使是於處理室41、42、43、44相互間進行半導體晶圓W搬運之情況也同樣，此外，即使於加載互鎖室31以及32與處理室41、42、43、44之間進行半導體晶圓W搬運之情況也同樣。再者，搬運臂80B、搬入側搬運機構16之搬運臂16A以及16B也可與搬運臂80A同樣來動作。
此外，本發明之本實施形態之基板處理裝置，亦可於半導體晶圓W載置於搬運臂80A以及80B之狀態下，當搬運臂80A以及80B進行滑動動作之際，施加用以吸附於靜電夾的電極82與83之間之電壓(參照圖12以及13)，於搬運臂80A以及80B進行伸縮動作之際，將對於靜電夾的電極82與83之電極間所施加之電壓設定為0V。此外，所謂的滑動動作乃指搬運臂80全體朝水平方向移動之動作。
此外，為了解除靜電夾所產生之半導體晶圓W之吸附，只要當將相對於使得半導體晶圓W吸附於靜電夾之際所施加之電壓的極性為相反極性之電壓施加於靜電夾的電極間之情況下，此具有相反極性之電壓施加充分的時間來將殘留於半導體晶圓與靜電夾之電荷加以去除即可。即使是於靜電夾的電極間施加0V之情況也同樣地適宜設定施加時間即可。
此外，例如亦可於第1、2、3實施形態中，當半導體晶圓W載置於搬運臂80A上之情況，於靜電夾的電極82與83之間施加0V之製程中，如第5實施形態所說明般，開放電極82與83，之後，在將載置於搬運臂80A之半導體晶圓W例如從搬運臂80A移到處理室之銷上之前，對電極82與83之間施加0V。
再者，例如，搬運臂80A所具有之靜電夾係說明了於該靜電夾的電極82以及83之表面形成有絕緣體層84以及85之採庫倫力型之靜電夾，惟亦可取代絕緣體層84以及85改用形成有具些微導電性之介電層之喬生-蘭貝克(Johnsen-Rahbek)力型之靜電夾。
此外，當使用喬生-蘭貝克力型之靜電夾般，僅以開放電極間來釋放殘留電荷之靜電夾的情況，無須於電極間施加0V或是施加具有相反極性之電壓，只要於解除製程中開放電極間即可。
此外，於上述之實施形態中，係舉出具備複數片式處理室之集束型基板處理裝置，惟本發明不限於此種基板處理裝置，亦可適用於具備搬運臂(具有吸附基板之靜電夾，用以搬運基板)與控制部(對應於載置著基板之搬運臂之動作狀態(包含靜止)而將施加於靜電夾的電極間之電壓以上述方式進行控制)之基板處理裝置。
本申請案出願係基於2009年11月9日對日本特許廳提出申請之之專利申請第2009-256301號主張優先権，將其內容悉數援引於本案。
10．．．大氣搬運室
12A、12B、12C．．．導入埠
16．．．搬入側搬運機構
16A,16B．．．搬運臂
20．．．共通搬運室
31,32．．．加載互鎖室
41,42,43,44．．．片式處理室
50．．．控制部
61,62,63,64,65,66,67,68．．．閘閥
80．．．搬運機構
80A,80B．．．搬運臂
81．．．本體部
82,83．．．電極
84,85．．．絕緣體層
86．．．O型環
圖1係第1實施形態之基板處理裝置之構成圖。
圖2係搬運臂之俯視圖。
圖3係搬運臂之截面放大圖。
圖4係基板處理裝置之比較例之控制方法之時間圖(1)。
圖5係第1實施形態之基板處理裝置之控制方法之時間圖。
圖6係第1實施形態之基板處理裝置之控制方法之說明圖(1)。
圖7係第1實施形態之基板處理裝置之控制方法之說明圖(2)。
圖8係第1實施形態之基板處理裝置之控制方法之說明圖(3)。
圖9係基板處理裝置之比較例之控制方法之時間圖(2)。
圖10係第2實施形態之基板處理裝置之控制方法之時間圖。
圖11係基板處理裝置之比較例之控制方法之時間圖(3)。
圖12係第3實施形態之基板處理裝置之控制方法之時間圖。
圖13係第4實施形態之基板處理裝置之控制方法之時間圖。
圖14係第5實施形態之基板處理裝置之控制方法之時間圖。
10．．．大氣搬運室
12A、12B、12C．．．導入埠
16．．．搬入側搬運機構
16A,16B．．．搬運臂
20．．．共通搬運室
31,32．．．加載互鎖室
41,42,43,44．．．片式處理室
50．．．控制部
61,62,63,64,65,66,67,68．．．閘閥
80．．．搬運機構
80A,80B．．．搬運臂

Claims (20)

  1. 一種基板處理裝置，具備有：搬運臂，係可載置基板，並具有將被載置之該基板加以吸附之靜電夾而進行該基板之搬運；以及控制部，係在該基板被載置於該搬運臂之情況下，當該搬運臂之動作停止時，並不對於該靜電夾的電極間施加用以將該基板吸附於該靜電夾之電壓；在該基板被載置於該搬運臂之情況下，當該搬運臂進行動作時，則將該電壓施加於該電極間。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中進一步具備有：複數處理室，係用以進行基板之處理；搬運室，係與該複數處理室連接著；以及加載互鎖室，係與該搬運室連接著；此外，該搬運臂係設置於該搬運室內，於該複數處理室間或是於該處理室與該加載互鎖室之間進行該基板之搬運。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中進一步具備有：大氣搬運室；導入埠，係與該大氣搬運室連接著，用以設置收納複數基板之匣體；以及加載互鎖室，係與該大氣搬運室連接著；此外，該搬運臂係設置於該大氣搬運室，於該加載互 鎖室與該導入埠之間進行該基板之搬運。
  4. 一種基板處理裝置，具備有：搬運臂，係可載置基板，並具有將被載置之該基板加以吸附之靜電夾，為了進行該基板之搬運而可進行伸縮動作以及旋轉動作；以及控制部，係在該基板被載置於該搬運臂之情況下，當該搬運臂進行該伸縮動作時，並不對於該靜電夾的電極間施加用以將該基板吸附於該靜電夾之電壓；在該基板被載置於該搬運臂之情況下，當該搬運臂進行該旋轉動作之時，則將該電壓施加於該電極間。
  5. 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中進一步具備有：複數處理室，係用以進行基板之處理；搬運室，係與該複數處理室連接著；以及加載互鎖室，係與該搬運室連接著；此外，該搬運臂係設置於該搬運室內，於該複數處理室間或是於該處理室與該加載互鎖室之間進行該基板之搬運。
  6. 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中進一步具備有：大氣搬運室；導入埠，係與該大氣搬運室連接著，用以設置收納複數基板之匣體；以及加載互鎖室，係與該大氣搬運室連接著； 該搬運臂係設置於該大氣搬運室，於該加載互鎖室與該導入埠之間進行該基板之搬運。
  7. 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中該搬運臂除了可進行該伸縮動作以及該旋轉動作以外尚可進行滑動動作；該控制部，係在該基板被載置於該搬運臂之情況下，當該搬運臂進行該滑動動作時，對該靜電夾的電極間施加用以將該基板吸附於該靜電夾之電壓。
  8. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中不對該靜電夾的電極間施加用以將該基板吸附於該靜電夾之電壓一事，係對該電極間施加0V之電壓。
  9. 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中不對該靜電夾的電極間施加用以將該基板吸附於該靜電夾之電壓一事，係對該電極間施加0V之電壓。
  10. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中不對該靜電夾的電極間施加用以將該基板吸附於該靜電夾之電壓一事，係讓該電極間開放。
  11. 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中不對該靜電夾的電極間施加用以將該基板吸附於該靜電夾之電壓一事，係讓該電極間開放。
  12. 一種基板處理裝置之控制方法，所控制之基板處理裝置具備搬運臂，其可載置基板，並具有將被載置之該基板加以吸附之靜電夾而進行該基板之搬運；此控制方法包含下述製程： 將該基板載置於該搬運臂之製程；對該搬運臂之該靜電夾的電極間施加電壓來將該基板吸附於該搬運臂，藉由該搬運臂使得該基板移動之第1移動製程；於該第1移動製程之後，將該搬運臂之該靜電夾所進行之吸附加以解除之解除製程；以及於該解除製程之後，對該搬運臂之該靜電夾的電極間施加電壓，藉此將該基板吸附於該搬運臂，以該搬運臂來移動該基板之第2移動製程。
  13. 一種基板處理裝置之控制方法，所控制之基板處理裝置具備搬運臂，其可載置基板，並具有將被載置之該基板加以吸附之靜電夾而進行該基板之搬運；此控制方法包含下述製程：將該基板載置於該搬運臂之製程；不將該基板吸附於該靜電夾，而藉由伸縮該搬運臂來移動該基板之第1移動製程；於該第1移動製程之後，對該搬運臂之該靜電夾的電極間施加電壓來將該基板吸附於該搬運臂，不伸縮而旋轉該搬運臂來移動該基板之旋轉製程；於該旋轉製程之後，將該搬運臂之該靜電夾所進行之吸附加以解除之解除製程；以及於該解除製程之後，不將該基板吸附於該靜電夾，而使得該搬運臂進行伸縮來移動該基板之第2移動製程。
  14. 如申請專利範圍第13項之基板處理裝置之控制方法， 係進一步包含下述製程：對該搬運臂之該靜電夾的電極間施加電壓來將該基板吸附於該搬運臂，使得該搬運臂進行滑動動作來移動該基板之滑動製程。
  15. 如申請專利範圍第12項之基板處理裝置之控制方法，其中該解除製程係對該靜電夾之該電極間施加0V。
  16. 如申請專利範圍第12項之基板處理裝置之控制方法，其中該解除製程係讓該靜電夾之該電極間開放。
  17. 如申請專利範圍第13項之基板處理裝置之控制方法，其中該解除製程係對該靜電夾之該電極間施加與使得該基板吸附於該靜電夾之際所施加之電壓的極性為相反極性之電壓。
  18. 如申請專利範圍第13項之基板處理裝置之控制方法，其中該解除製程係對該靜電夾之該電極間施加0V。
  19. 如申請專利範圍第13項之基板處理裝置之控制方法，其中該解除製程係讓該靜電夾之該電極間開放。
  20. 如申請專利範圍第13項之基板處理裝置之控制方法，其中該解除製程包含下述製程：對該靜電夾之該電極間施加與使得該基板吸附於該靜電夾之際所施加之電壓的極性為相反極性之電壓之製程；以及，對該靜電夾之該電極間施加0V之製程。
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