KR20080054576A - 기판 이송 장치 - Google Patents

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KR20080054576A
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Abstract

본 발명은 기판 이송 장치를 제공한다. 기판 이송 장치는 상면에 반도체 기판을 안착시키는 엔드 이펙터, 엔드 이펙터 내에 설치되어 엔드 이펙터를 소정 온도로 유지시키는 히팅 장치, 엔드 이펙터와 연결되어 엔드 이펙터를 전후 이동시키는 로봇 암 및 로봇 암과 연결되어 로봇 암을 회전 및 전후 이동시키는 구동부를 포함한다.
엔드 이펙터, 히팅 장치, 잔류 가스

Description

기판 이송 장치{Apparatus for transferring substrate}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 이송 장치를 구비한 반도체 소자 제조용 장비의 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 기판 이송 장치를 나타낸 도면이다.
도 3은 도 2의 엔드 이펙터를 보다 상세히 나타낸 도면이다.
도 4는 도 3에 도시된 엔드 이펙터의 단면도이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
100: 공정 테이블 110a, 110b: 리프트 핀
120: 리프트 핀 플레이트 130: 구동부
본 발명은 기판 이송 장치에 관한 것으로 더욱 상세하게는, 공정 종료 후 언로딩되는 반도체 기판 상의 잔류 가스를 제거할 수 있는 기판 이송 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자는 반도체 기판에 박막을 형성할 수 있는 확 산(deposition) 공정, 마스크(mask) 또는 레티클(reticle)의 패턴을 이용하여 반도체 기판 상의 박막 표면에 패턴을 형성하는 사진(photo lithography) 공정, 박막 표면의 패턴을 따라 반응 가스 또는 화학 용액을 이용하여 박막을 선택적으로 제거하는 식각(etch) 공정 등을 반복적으로 수행하여 제조된다.
따라서 이러한 각 공정들을 모두 수행하기 위해서 각 공정을 수행한 후 반도체 기판들이 다음 공정으로 이송되어야 한다. 이를 위해 반도체 소자 제조 공정이 진행되는 프로세스 모듈로부터 반도체 기판을 보관하는 로드락 챔버 또는 다른 프로세스 모듈로 반도체 기판을 이송하는 기판 이송 장치가 사용된다.
그런데, 단위 공정들이 저온에서 진행되는 경우, 기판 이송 장치를 이용하여 공정 종료 후 반도체 기판을 언로딩할 때 반도체 기판 상에 공정 가스들이 잔류할 수 있다. 그리고 반도체 기판 상에 잔류하는 공정 가스는 언로딩되면서 프로세스 모듈과 트랜스퍼 모듈 간의 온도 차이로 인해 파우더 형태 등의 불순물을 발생시킬 수 있다. 이와 같은 현상은 다수의 반도체 기판에 대해 공정을 진행할수록 잔류하는 공정 가스가 증가함에 따라 불순물 또한 증가한다.
이와 같이 반도체 기판 상에 불순물이 발생하면 반도체 기판에 형성되는 반도체 소자의 불량 원인이 될 수 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 고려하여 안출된 것으로서, 공정 종료 후 언로딩되는 반도체 기판 상의 잔류 가스를 제거할 수 있는 기판 이송 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 목적들은 이상에서 언급한 목적들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 이송 장치는 상면에 반도체 기판을 안착시키는 엔드 이펙터, 엔드 이펙터 내에 설치되어 엔드 이펙터를 소정 온도로 유지시키는 히팅 장치, 엔드 이펙터와 연결되어 엔드 이펙터를 전후 이동시키는 로봇 암 및 로봇 암과 연결되어 로봇 암을 회전 및 전후 이동시키는 구동부를 포함한다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 이송 장치를 구비한 반도체 소자 제조용 장비의 평면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 반도체 소자 제조용 장비는 로드 포트(10), 로더부(20), 로드락 챔버(30), 트랜스퍼 모듈(40), 프로세스 모듈(50)을 포함한다.
로드 포드(10)는 다수(예를 들면, 25매)의 반도체 기판(W)들이 놓여지는 장치로서, 대구경(예를 들면, 300㎜ 웨이퍼)의 반도체 기판(W)들을 보관하기 위해서 로드 포트(10) 내부에 다수의 슬릿이 소정의 간격으로 이격 설치되어 있어 다수의 반도체 기판(W)들을 수평으로 보관할 수 있다. 이러한 로드 포트(10)는 반도체 기판(W)들이 보관되어 있는 캐리어와 캐리어를 적재한 상태로 이송하는 캐리어 박스가 통합되어 전방 개방형 일체식 포드(Front Opening Unified Pod; FOUP) 방식이 대표적이다.
로더부(20)는 대기 상태의 로드 포트(10) 내에 보관된 반도체 기판(W)을 진공 상태의 공간인 로드락 챔버(30)로 제공한다. 로더부(20)는 반도체 기판(W)이 이송될 때 오염 물질에 노출되는 것을 억제하기 위해 챔버 형태로 이루어져 있으며, 로더부(20)의 일측은 로드 포트(10)의 개방된 전면과 연결되어 있으며, 반대측은 로드락 포트(30)와 연결되어 있다. 그리고 로더부(20) 내에는 반도체 기판(W)을 한 매씩 이송하기 위한 이송 로봇(22)과, 이송 로봇(22)에 의해 이송되는 반도체 기판(W)을 정렬하기 위한 얼라이너(미도시)가 구비된다. 이러한 로더부(20)는 대개 EFEM(Equipment Front End Module) 시스템이 대표적이다.
로드락 챔버(30; load lock chamber)는 반도체 기판(W)들을 반도체 소자를 제조하기 위한 단위 공정이 진행되는 프로세스 모듈(50)들로 이송하기 전에 프로세 스 모듈(50) 내의 환경 조건에 근접한 환경 조건을 접할 수 있도록 하고, 프로세스 모듈(50) 내의 환경 조건이 외부로부터 영향을 받지 않도록 차단하는 역할을 한다. 이러한 로드락 챔버(30)의 일면은 로더부(20)와 연결되어 있으며 다른 일면은 트랜스퍼 모듈(40)과 연결된다. 따라서 단위 공정 진행 전, 후의 반도체 기판(W)들이 로드락 챔버(210) 내로 이송되어 로드락 챔버(30) 내에 위치한다.
트랜스퍼 모듈(40)은 로드락 챔버(30)와 프로세스 모듈(50)을 연결하는 부재로써 일정한 진공 상태에서 반도체 기판(W)을 이송한다. 이러한 트랜스퍼 모듈(40) 내부에는 기판 이송 장치(100)가 구비되어 있다. 따라서 기판 이송 장치(100)에 의해 로드락 챔버(210) 내의 반도체 기판(W)들이 한 매씩 프로세스 모듈(50)로 이송되며, 단위 공정을 마친 프로세스 모듈(50) 내의 반도체 기판(W)은 로드락 챔버(30)로 이송된다.
프로세스 모듈(50)은 반도체 소자를 제조하기 위한 단위 공정들이 수행되는 공간으로써 각 단위 공정들의 공정 조건에 따라 일정한 분위기로 유지된다. 이에 따라 프로세스 모듈(50)에서는 기판 이송 장치(100)를 통해 반도체 기판(W)을 한 매씩 이송받아 반도체 기판(W)에 확산, 식각 또는 클리닝 공정 등이 진행된다.
이하, 도 2 내지 도 4를 참조하여 트랜스퍼 모듈(40) 내에 구비되는 기판 이송 장치(100)에 대해 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 기판 이송 장치를 나타낸 도면이다. 도 3은 도 2의 엔드 이펙터를 보다 상세히 나타낸 도면이다. 도 4는 도 3에 도시된 엔드 이펙터의 단면도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 기판 이송 장치(100)는 구동부(110), 로봇 암(120; robot arm) 및 엔드 이펙터(140; end effector)를 포함한다.
구체적으로, 기판 이송 장치(100)는 구동부(110)를 중심으로 2개의 로봇 암(120)이 대칭으로 양측에 연결되어 있으며, 각 로봇 암(120)의 전방에 엔드 이펙터(140)가 연결되어 있다.
구동부(110)는 로봇 암(120)과 연결되어 있어, 로봇 암(120)을 회전 또는 상하 이동시킬 수 있다. 또한, 로봇 암(120)을 수축 및 이완시켜 전후방으로 이동시킬 수 있다.
이와 같은 구동부(110)에서 대칭으로 연결된 로봇 암(120)은 전방에 엔드 이펙터(140)가 설치되며, 구동부(110)에 의해 수축 및 이완이 가능하여 엔드 이펙터(140)를 전진 및 후진시킬 수 있다. 이에 따라 엔드 이펙터(140)를 전진시켜 프로세스 모듈(50) 또는 로드락 챔버(30) 내에 위치하는 반도체 기판(W) 사이로 진입시키고, 상/하로 이동하여 이송할 반도체 기판(W)을 엔드 이펙터(140)에 안착시키고, 엔드 이펙터(140)를 후진시켜 반도체 기판(W)을 언로딩 시킬 수 있다.
엔드 이펙터(140)는 각 로봇 암(120)의 전방에 설치되어 프로세스 모듈(50) 또는 로드락 챔버(30)로 반도체 기판(W)을 로딩 또는 언로딩한다. 그리고 로봇 암(120) 전방에는 포크(fork) 형상의 지지대(130)가 연결될 수 있으며, 지지대(130)의 각 갈래 끝에 엔드 이펙터(140)가 설치될 수 있다. 즉, 각 로봇 암(120)의 전방에 하나 이상의 엔드 이펙터(140)가 설치되어 다수의 반도체 기판(W)을 동시에 이송시킬 수 있다.
이어서, 도 3 및 도 4를 참조하여 도 4의 기판 이송 장치에 포함된 엔드 이펙터에 대해 보다 상세히 설명한다.
엔드 이펙터(140)는 'U'자 형태를 가지며 반도체 기판(W) 이송시 상면에 반도체 기판(W)을 안착시킨다. 그리고 반도체 기판(W)과 접하는 엔드 이펙터(140)의 표면에는 반도체 기판(W) 이송시 기판이 슬라이딩되는 것을 방지하기 위한 다수의 진공 홀(142)들이 형성되어 있다. 이러한 진공 홀(142)은 두 개 이상 형성될 수 있으며, 구체적으로 엔드 이펙터(140)의 각 끝단 및 반도체 기판(W)의 가장자리가 접하는 면에 형성될 수 있다. 이와 같은 진공 홀(142)이 형성되는 위치는 이에 한정되지 않으며 경우에 따라 위치를 변경하여 보다 효율적으로 반도체 기판(W)이 엔드 이펙터(140)에서 슬라이딩되는 것을 방지할 수 있다.
그리고 진공 홀(142)은 엔드 이펙터(140) 내의 진공 라인(144)과 연결되어 반도체 기판(W) 안착시 반도체 기판(W)과 엔드 이펙터(140) 사이에 진공 분위기를 형성한다. 이에 따라 반도체 기판(W)이 엔드 이펙터(140) 표면에 흡착되어 이송될 수 있다.
또한, 엔드 이펙터(140)에는 반도체 기판(W)을 언로딩시 반도체 기판(W) 상에 잔류하는 공정 가스를 제거하기 위한 히팅 장치(146)가 구비된다.
보다 상세하게 설명하면, 히팅 장치(146)는 반도체 기판(W)이 접하는 표면 아래에 설치되어 잔류 가스를 제거시킬 수 있을 정도의 소정 온도로 엔드 이펙터(140)를 유지시킬 수 있다. 예를 들어, 히팅 장치(146)는 엔드 이펙터(140)를 약 30 ~ 50℃로 유지될 수 있다. 이러한 히팅 장치(146)는 히팅 코일이나 고온의 유체 또는 고온의 기체를 발열 수단으로 이용할 수 있을 것이다.
따라서, 반도체 기판(W)을 언로딩시, 엔드 이펙터(140) 내의 히팅 장치(146)에서 발생하는 고온에 의해 반도체 기판(W) 상에 잔류하는 기체를 제거할 수 있다.
이와 같은 기판 이송 장치(100)의 동작에 대해 대략적으로 설명하면 다음과 같다.
먼저, 구동부(110) 양측에 설치된 로봇 암(120)들이 이완되어 엔드 이펙터(140)를 프로세스 모듈(50) 또는 로드락 챔버(30)로 진입시킨다. 프로세스 모듈(50) 또는 로드락 챔버(30)로 진입된 엔드 이펙터(140)는 이송할 반도체 기판(W) 하부에 위치한다.
반도체 기판(W) 하부에 위치한 엔드 이펙터(140)는 구동부(110)에 의해 상승되어 반도체 기판(W)의 일면과 접촉된다. 이 때, 엔드 이펙터(140)에 형성된 진공 홀(142) 및 진공 라인(144)에 의해 반도체 기판(W)이 엔드 이펙터(140)의 표면에 흡착된다.
이와 같이 엔드 이펙터(140) 표면에 반도체 기판(W)이 안착되면 로봇 암(120)이 다시 수축되어 반도체 기판(W)이 프로세스 모듈(50) 또는 로드락 챔버(30)에서 언로딩된다.
여기서, 프로세스 모듈(50)에서 반도체 기판(W)을 언로딩하는 경우라면, 엔드 이펙터(140)가 히팅 장치(146)에 의해 고온으로 유지되고 있으므로 반도체 기판(W) 상의 공정 가스가 빠르게 제거될 수 있다.
이 후, 구동부(110)를 180도 회전시켜 반도체 기판(W)을 각각 반대편으로 위 치시킨다. 그리고 다시 로봇 암(120)을 이완시켜 로드락 챔버(210) 또는 프로세스 모듈(50)로 반도체 기판(W)을 로딩한다.
이와 같은 과정을 반복하여 반도체 기판(W)이 연속적으로 로드락 챔버(30)와 프로세스 모듈(50) 사이를 이동한다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지로 치환, 변형 및 변경이 가능하므로 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
본 발명에 따르면, 엔드 이펙터를 고온으로 유지시킬 수 있는 히팅 장치를 엔드 이펙터 내에 설치함으로써, 프로세스 모듈에서 공정 종료 후 언로딩되는 반도체 기판 상에 잔류하는 공정 가스를 제거할 수 있다.

Claims (4)

  1. 상면에 반도체 기판을 안착시키는 엔드 이펙터;
    상기 엔드 이펙터 내에 설치되어 상기 엔드 이펙터를 소정 온도로 유지시키는 히팅 장치;
    상기 엔드 이펙터와 연결되어 상기 엔드 이펙터를 전후 이동시키는 로봇 암; 및
    상기 로봇 암과 연결되어 상기 로봇 암을 회전 및 전후 이동시키는 구동부를 포함하는 기판 이송 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 히팅 장치는 상기 엔드 이펙터를 약 30 ~ 50℃로 유지시키는 기판 이송 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 히팅 장치는 히팅 코일을 이용하여 상기 엔드 이펙터를 소정 온도로 유지시키는 기판 이송 장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 히팅 장치는 고온의 유체 또는 기체를 이용하여 상기 엔드 이펙터를 소 정 온도로 유지시키는 기판 이송 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101028409B1 (ko) * 2008-12-29 2011-04-13 주식회사 케이씨텍 세미 배치 타입 프로세스 모듈 및 이를 구비하는 원자층 증착장치

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