JP7470192B2 - 設置面積の縮小した半導体処理ツールのプラットフォーム構成 - Google Patents
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Description
Claims (21)
- 基板処理システムであって、
制御された環境を有するファクトリインターフェースと、
移送チャンバであって、
4つの第1ファセットと、
3つの第2ファセットであって、各々が、前記4つの第1ファセットの各々の幅よりも狭い幅を有する、3つの第2ファセットと
を含む、移送チャンバと、
前記4つの第1ファセットのうちの1つに取り付けられた第1の処理チャンバと、
前記3つの第2ファセットのうちの1つ目に取り付けられた第1の補助チャンバであって、前記第1の処理チャンバよりも小さい第1の補助チャンバと、
前記3つの第2ファセットのうちの2つ目及び前記ファクトリインターフェースに取り付けられたロードロックと、
前記移送チャンバの底部に取り付けられたロボットであって、前記第1の処理チャンバ、前記第1の補助チャンバ、及び前記ロードロックの内外へ基板を移送するように適合されたロボットと
を備える、基板処理システム。 - 前記第1の処理チャンバはエピタキシャル処理チャンバであり、前記制御された環境は、周囲条件における酸素及び湿度レベルの25%以下を含む超低酸素及び超低湿度の環境である、請求項1に記載の基板処理システム。
- 前記制御された環境は不活性ガス環境である、請求項1に記載の基板処理システム。
- 前記第1の補助チャンバに隣接して、又は前記第1の補助チャンバの上方に位置決めされたガスパネルと、
前記ガスパネルから前記第1の補助チャンバに処理ガスを供給するために、前記ガスパネルと前記第1の補助チャンバとの間に接続された1又は複数のガスラインと
を更に備える、請求項1に記載の基板処理システム。 - 前記3つの第2ファセットのうちの3つ目に取り付けられた第2の補助チャンバを更に備え、前記ロードロックは、前記第1の補助チャンバと前記第2の補助チャンバとの間の前記移送チャンバに取り付けられる、請求項1に記載の基板処理システム。
- 前記第1の補助チャンバ又は前記第2の補助チャンバの少なくとも1つは、前洗浄チャンバ、後洗浄チャンバ、ガス抜きチャンバ、又はバッチ式ウエハストレージを含む、請求項5に記載の基板処理システム。
- 前記第1の補助チャンバ及び前記第2の補助チャンバのうちの1つと前記基板処理システムの床との間に位置決めされたガスパネルを更に備え、前記ガスパネルは、前記第1の補助チャンバ又は前記第2の補助チャンバに処理ガスを供給する、請求項5に記載の基板処理システム。
- 前記4つの第1ファセットは、前記ロードロックが取り付けられた前端とは反対側の前記移送チャンバの後端に沿って順次位置決めされ、更に、
前記4つの第1ファセットのうちの2つ目に取り付けられた第2の処理チャンバと、
前記4つの第1ファセットのうちの3つ目に取り付けられた第3の処理チャンバと、
前記4つの第1ファセットのうちの4つ目に取り付けられた第4の処理チャンバと
を備える、請求項5に記載の基板処理システム。 - 前記ロードロックは、バッチ式ロードロック、シングルスロット式ロードロック、ダブルスロット式ロードロックのうちの1つである、請求項1に記載の基板処理システム。
- 前記4つの第1ファセットのうちの3つに取り付けられた3つの追加の処理チャンバを更に備え、2つの対向する処理チャンバ間の外側距離は140インチの20%以内であり、前記ファクトリインターフェースの前面と隣接する処理チャンバの後端との間の長さは150インチの20%以内である、請求項1に記載の基板処理システム。
- 前記ロボットの中心と前記第1の補助チャンバのうちの1つの中心との間の距離は、35インチの20%以内である、請求項1に記載の基板処理システム。
- 前記ロボットは、前記第1の処理チャンバ、前記第1の補助チャンバ、及び前記ロードロックの中心に基板を到達させるのに十分な結合長さのアーム及びエンドエフェクタを含む、請求項1に記載の基板処理システム。
- 前記第1の補助チャンバは、前記ロードロックの第1の側面に隣接して前記移送チャンバに取り付けられ、更に、
前記第1の補助チャンバに電力を供給する交流(AC)電源ボックスであって、前記第1の処理チャンバに隣接して位置するAC電源ボックスと、
前記第1の補助チャンバの機能を制御する電気制御ボックスであって、前記AC電源ボックスに取り付けられた電気制御ボックスと、
前記AC電源ボックスに取り付けられたACケーブルであって、前記AC電源ボックスと前記第1の補助チャンバとの間に延びるACケーブルと
を含む、請求項1に記載の基板処理システム。 - 半導体製造装置用メインフレームであって、
移送チャンバであって、
底部と、
前記底部に取り付けられた4つの第1ファセットであって、各々は、処理チャンバに取り付けるために適合される、4つの第1ファセットと、
前記底部に取り付けられた2つの第2ファセットであって、各々は、前記4つの第1ファセットの各々の幅よりも狭い幅を有し、前記処理チャンバよりも小さい補助チャンバに取り付けるために適合される、2つの第2ファセットと、
前記底部に取り付けられた単一の第3ファセットであって、前記4つの第1ファセットの各々の幅よりも狭い幅も有し、ロードロックに取り付けるために適合される、単一の第3ファセットと、
前記底部に取り付けられたロボットであって、前記処理チャンバ、前記補助チャンバ、及び前記ロードロックの内外へ基板を移送するように適合されたロボットと
を含む移送チャンバ
を備える、半導体製造装置用メインフレーム。 - 前記単一の第3ファセットは、2つの第2ファセットの間に位置決めされる、請求項14に記載のメインフレーム。
- 前記移送チャンバは更に上部を有し、前記4つの第1ファセットは、前記単一の第3ファセットとは反対側の前記移送チャンバの後端において前記底部と前記上部との間に順次取り付けられる、請求項14に記載のメインフレーム。
- 前記ロボットの中心と前記補助チャンバの中心との間の距離が35インチの20%以内である、請求項14に記載のメインフレーム。
- 前記ロボットは、取り付けられた処理チャンバ、前記補助チャンバ、又は前記ロードロックのいずれかの中心に基板を到達させるのに十分な結合長さのアーム及びエンドエフェクタを含む、請求項14に記載のメインフレーム。
- 基板処理システムを操作する方法であって、前記基板処理システムは、制御された環境とファクトリインターフェースロボットとを有するファクトリインターフェースと、4つの第1ファセットと3つの第2ファセットとを含む移送チャンバであって、前記3つの第2ファセットの各々は、前記4つの第1ファセットの各々の幅よりも狭い幅を有する、移送チャンバと、前記4つの第1ファセットの1つ目に取り付けられた第1の処理チャンバと、前記3つの第2ファセットの1つ目に取り付けられた第1の補助チャンバと、前記3つの第2ファセットの2つ目及び前記ファクトリインターフェースに取り付けられたロードロックと、前記移送チャンバの底部に取り付けられた移送チャンバロボットとを含み、前記方法は、
前記ファクトリインターフェースロボットに、前記ファクトリインターフェースから前記ロードロックへ基板を移送させることと、
前記移送チャンバロボットに、前記ロードロックから前記第1の補助チャンバへ前記基板を移送させることと、
前記移送チャンバロボットに、前記第1の補助チャンバから前記第1の処理チャンバへ前記基板を移送させることと、
前記移送チャンバロボットに、前記第1の処理チャンバから前記ロードロックへ前記基板を移送させることと
を含む方法。 - 前記ロードロックへ前記基板を移送する前に、前記移送チャンバロボットに、冷却のために、前記移送チャンバの基板支持体へ前記基板を移送させることと、
前記ファクトリインターフェースロボットに、前記ロードロックから前記ファクトリインターフェースに取り付けられた前方開口型統一ポッドへ前記基板を移送させることと
を更に含む、請求項19に記載の方法。 - 前記基板に予め堆積された膜のパターンを除去して、前記基板の表面を洗浄するために、前記第1の補助チャンバによって前記基板を処理させることと、
前記基板に堆積された結晶膜のエピタキシャル成長を実行するために、前記第1の処理チャンバによって前記基板を処理させることと
を更に含む、請求項19に記載の方法。
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Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11996307B2 (en) * | 2020-12-23 | 2024-05-28 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing tool platform configuration with reduced footprint |
US20230154766A1 (en) * | 2021-11-18 | 2023-05-18 | Applied Materials, Inc. | Pre-clean chamber assembly architecture for improved serviceability |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003115518A (ja) | 2001-10-02 | 2003-04-18 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
CN105463406A (zh) | 2014-09-04 | 2016-04-06 | 沈阳拓荆科技有限公司 | 原子层沉积设备 |
JP2017500755A (ja) | 2013-11-04 | 2017-01-05 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 側面数増強対応移送チャンバ、半導体デバイスの製造処理ツール及び処理方法 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100584818B1 (ko) | 1999-04-16 | 2006-05-30 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 반도체 장치의 제조 방법 및 그 제조 라인 |
US8796589B2 (en) * | 2001-07-15 | 2014-08-05 | Applied Materials, Inc. | Processing system with the dual end-effector handling |
US6851170B2 (en) * | 2001-12-14 | 2005-02-08 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for alignment of carriers, carrier handlers and semiconductor handling equipment |
US20030131458A1 (en) * | 2002-01-15 | 2003-07-17 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for improving throughput in a cluster tool for semiconductor wafer processing |
US20030213560A1 (en) | 2002-05-16 | 2003-11-20 | Yaxin Wang | Tandem wafer processing system and process |
JP4818589B2 (ja) | 2004-02-26 | 2011-11-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
CN101341574B (zh) | 2005-12-20 | 2012-11-28 | 应用材料公司 | 用于半导体设备制造装备的延伸主机设计 |
KR101252742B1 (ko) | 2011-08-02 | 2013-04-09 | 주식회사 유진테크 | 에피택셜 공정을 위한 반도체 제조설비 |
KR101271246B1 (ko) * | 2011-08-02 | 2013-06-07 | 주식회사 유진테크 | 에피택셜 공정을 위한 반도체 제조설비 |
TWI614102B (zh) * | 2013-03-15 | 2018-02-11 | 應用材料股份有限公司 | 基板沉積系統、機械手臂運輸設備及用於電子裝置製造之方法 |
US10672591B2 (en) * | 2013-06-21 | 2020-06-02 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for removing particles from a twin chamber processing system |
CN105378907A (zh) * | 2013-07-24 | 2016-03-02 | 应用材料公司 | 钴基板处理系统、设备及方法 |
KR20220120714A (ko) | 2013-08-12 | 2022-08-30 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 팩토리 인터페이스 환경 제어들을 갖는 기판 프로세싱 시스템들, 장치, 및 방법들 |
WO2017052905A1 (en) | 2015-09-22 | 2017-03-30 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for selective deposition |
KR102655137B1 (ko) | 2018-03-20 | 2024-04-04 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 계측 통합형 기판 프로세싱 툴 및 그 이용 방법 |
US11177183B2 (en) * | 2018-09-19 | 2021-11-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Thickness measurement system and method |
US11756840B2 (en) * | 2018-09-20 | 2023-09-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Reflectance measurement system and method thereof |
JP7124103B2 (ja) | 2018-09-27 | 2022-08-23 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
US11049740B1 (en) * | 2019-12-05 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Reconfigurable mainframe with replaceable interface plate |
US20220139740A1 (en) * | 2020-11-02 | 2022-05-05 | Applied Materials, Inc. | Chamber interface for linked processing tools |
US11996307B2 (en) * | 2020-12-23 | 2024-05-28 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing tool platform configuration with reduced footprint |
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JP2017500755A (ja) | 2013-11-04 | 2017-01-05 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 側面数増強対応移送チャンバ、半導体デバイスの製造処理ツール及び処理方法 |
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