JP2014123655A - 基板搬送装置、基板搬送方法及び基板処理システム - Google Patents

Abstract

【課題】基板搬送アームが基板を搬送する際の基板と基板搬送アームに設けられたパッドとの固着を防止しながら、基板のずれや落下等を確実に防止する。
【解決手段】基板処理システム１０が備える第１の搬送装置１７は、真空雰囲気に保持されたトランスファモジュール１１内に配置されており、ウエハＷに対してプラズマ処理を施すプロセスモジュール１２に対してウエハＷの搬入出を行うための、ウエハＷを搬送する搬送アーム１７ａと、搬送アーム１７ａの先端に配置されてウエハＷが載置されるフォーク１７ｂと、ウエハＷの裏面に当接してウエハＷを保持するようにフォーク１７ｂに配置されたパッド１７ｃとを有する。フォーク１７ｂ又はパッド１７ｃにペルチェ素子２２を取り付けて、パッド１７ｃを一定温度に保持した状態でウエハＷを搬送する。
【選択図】図２

Description

本発明は、半導体ウエハ等の基板を搬送する基板搬送装置及び基板搬送方法と、基板搬送装置を備える基板処理システムに関する。

半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）にプラズマエッチング等の処理を施す基板処理システムとして、複数枚のウエハが収容された容器であるフープ（ＦＯＵＰ）を載置するロードポートとウエハにプラズマ処理を施すプロセスモジュール（真空処理室）との間に、大気圧雰囲気に維持されてフープに対して半導体ウエハの搬入出を行うローダーモジュールと、真空圧雰囲気に維持されてプロセスモジュールに対してウエハの搬入出を行うトランスファモジュールと、ローダーモジュールとトランスファモジュールとの間に配置されて大気圧雰囲気と真空雰囲気とを選択的に切り替え可能なロードロックモジュールとを設けたものが知られている。このような基板処理システムでは、トランスファモジュールに第１のウエハ搬送装置を配置し、ローダーモジュールに第２のウエハ搬送装置を配置して、これらのウエハ搬送装置によりウエハをロードポートとプロセスモジュールとの間で搬送している。

第１のウエハ搬送装置は、一般的に、屈曲や伸縮が可能なアームの先端部にフォーク（エンドエフェクタ）を備えた構造を有しており、このフォークに、ウエハの裏面に当接（接触）してウエハを支持する保持部材（パッド）を、例えば、３点支持で設けている。この保持部材には、一般的にゴム等の弾性材料が用いられているため、ウエハの熱により保持部材自体の材料特性が変化し、これに伴って保持部材のウエハに対する保持力が変化する。その結果、ウエハと保持部材とが固着し、ウエハの受け渡し時にウエハが保持部材から剥がれ難くなってしまうことがある。このようなウエハと保持部材との固着に対する対策としては、従来から保持部材の材質改善や形状変更等が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

国際公開第２００９／００５０２７号

フォークに設けられた保持部材とウエハとの固着は、直径が３００ｍｍサイズのウエハでは大きな問題となることはなかった。しかし、近年の直径４５０ｍｍのウエハでは、この不具合が顕著に現れ始めている。即ち、ウエハの大型化に伴って、ウエハの熱と重量とに起因して、ウエハと保持部材との固着が発生しやすくなっており、この問題に対しては、従来の保持部材の材質改善や形状変更等では、十分に対応することが困難となってきている。

本発明の目的は、基板搬送アームが基板を搬送する際の基板と基板搬送アームに設けられたパッドとの固着を防止しながら、基板のずれや落下等を確実に防止することができる基板搬送装置及び基板搬送方法と、この基板搬送装置を備える基板処理システムを提供することにある。

上記課題を解決するために、請求項１記載の基板搬送装置は、基板に対して所定の熱処理を施す処理室に対して熱処理前の基板の搬入と熱処理後の基板の搬出とを行う基板搬送装置であって、前記基板を搬送する搬送アームと、前記搬送アームの先端に配置され、前記基板が載置される載置部と、前記載置部の少なくとも３カ所に配置され、前記基板の裏面に当接して前記基板を保持する弾性材料からなる保持部材と、前記保持部材又は前記載置部に取り付けられて前記保持部材を所定の温度に維持する温度調節手段とを備えることを特徴とする。

請求項２記載の基板搬送装置は、請求項１記載の基板搬送装置において、前記保持部材は、前記所定の温度において保持した基板の位置ずれ及び落下が生じず、且つ、前記基板との固着が生じないように表面加工がなされていることを特徴とする。

請求項３記載の基板搬送装置は、請求項１又は２記載の基板搬送装置において、前記温度調節手段はペルチェ素子であることを特徴とする。

請求項４記載の基板搬送装置は、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板搬送装置において、前記所定の温度は、前記保持部材に保持される基板の温度範囲内であることを特徴とする。

請求項５記載の基板搬送装置は、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板搬送装置において、前記基板は直径が４５０ｍｍの円板状の半導体ウエハであることを特徴とする。

上記課題を解決するために、請求項６記載の基板搬送方法は、基板に対して所定の熱処理を施す処理室に対して熱処理前の基板の搬入と熱処理後の基板の搬出を行う基板搬送装置による基板搬送方法であって、前記基板搬送装置において前記基板の裏面に当接して前記基板を保持する弾性材料からなる保持部材を所定の温度に維持する温度調節ステップと、前記温度調節ステップにより温度調節された前記保持部材に前記処理前の基板又は前記処理後の基板を保持させる保持ステップと、前記保持ステップにより保持した前記基板を搬送する搬送ステップとを有することを特徴とする。

請求項７記載の基板搬送方法は、請求項６記載の基板搬送方法において、前記保持部材は、前記所定の温度において保持した基板の位置ずれ及び落下が生じず、且つ、前記基板との固着が生じないように表面加工がなされていることを特徴とする。

請求項８記載の基板搬送方法は、請求項６又は７記載の基板搬送方法において、前記温度調節ステップは、前記保持部材又は前記載置部に取り付けられたペルチェ素子によって行われることを特徴とする。

請求項９記載の基板搬送方法は、請求項６乃至８のいずれか１項に記載の基板搬送方法において、前記所定の温度を、前記保持部材に保持される基板の温度範囲内の温度とすることを特徴とする。

請求項１０記載の基板搬送方法は、請求項６乃至９のいずれか１項に記載の基板搬送方法において、前記搬送ステップでは、前記基板として直径が４５０ｍｍの円板状の半導体ウエハを搬送することを特徴とする。

上記課題を解決するために、請求項１１記載の基板搬送システムは、基板を載置する載置台を有する基板載置室と、前記基板に対して所定の熱処理を施す処理室と、前記基板載置室と前記処理室との間で前記基板を搬送する基板搬送装置とを備える基板処理システムであって、前記基板搬送装置は、前記基板を搬送する搬送アームと、前記搬送アームの先端に配置され、前記基板が載置される載置部と、前記載置部の少なくとも３カ所に配置され、前記基板の裏面に当接して前記基板を保持する弾性材料からなる保持部材と、前記保持部材又は前記載置部に取り付けられて前記保持部材を所定の温度に維持する温度調節手段とを備えることを特徴とする。

請求項１２記載の基板搬送システムは、請求項１１記載の基板処理システムにおいて、前記保持部材は、前記所定の温度において保持した基板の位置ずれ及び落下が生じず、且つ、前記基板との固着が生じないように表面加工がなされていることを特徴とする。

請求項１３記載の基板搬送システムは、請求項１１又は１２記載の基板処理システムにおいて、前記温度調節手段はペルチェ素子であることを特徴とする。

請求項１４記載の基板搬送システムは、請求項１１乃至１３のいずれか１項に記載の基板処理システムにおいて、前記基板は直径が４５０ｍｍの円板状の半導体ウエハであることを特徴とする。

請求項１５記載の基板搬送システムは、請求項１１乃至１４のいずれか１項に基板処理システムにおいて、前記基板載置室は、大気圧雰囲気と真空雰囲気とを選択的に切り替え可能に構成され、前記処理室は、真空雰囲気に保持されて、その内部に収容された基板に対して前記所定の熱処理を施し、前記基板搬送装置は、真空雰囲気に保持された搬送室内に配置されていることを特徴とする。

本発明によれば、基板搬送装置において、基板を保持する保持部材の温度を一定に維持する。また、この略一定の温度で保持部材の基板に対する保持力が適切となるように、保持部材を調整しておく。これにより、保持部材が基板を搬送する際に基板を保持する保持力を一定に保つことができるため、搬送する基板の温度にかかわらず、搬送中の基板に位置ずれや落下が生じることを回避しつつ、保持部材と基板との固着を防止することができる。このような効果は、特に、温度の異なる大型の基板を搬送する基板搬送装置に極めて顕著に得ることができる。

本発明の実施の形態に係る基板搬送装置を備える基板処理システムの概略構成を示す平面図である。 図１の基板処理システムが備える第１の搬送装置が備えるフォークの構造と、図１の基板処理システムが備えるプロセスモジュールに対する第１の搬送機構による基板の搬入出時のフォークとリフトピンとの位置関係を示す平面図及び断面図である。 図２に示すフォークに配置されたパッドに対するペルチェ素子（温度調節手段）の配置例を示す断面図である。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。ここでは、基板として直径が４５０ｍｍ（φ４５０）の半導体ウエハ（ウエハ）を取り上げ、ウエハに高温処理の一例であるプラズマ処理を施す基板処理システムを取り上げることとする。

図１は、本発明の実施の形態に係る基板搬送装置を備える基板処理システム１０の概略構成を示す平面図である。基板処理システム１０は、ウエハＷを枚葉で（１枚ずつ）プラズマ処理を施すように構成されている。詳しくは、基板処理システム１０は、平面視略五角形状のトランスファモジュール１１（基板搬送室）と、トランスファモジュール１１の周りに放射状に配置されてトランスファモジュール１１に接続された６つのプロセスモジュール１２（基板処理室）と、トランスファモジュール１１に対向して配置されたローダーモジュール１３と、トランスファモジュール１１及びローダーモジュール１３の間に介在する２つのロードロックモジュール１４（大気／真空切替室）とを備える。

プロセスモジュール１２は真空チャンバを有し、真空チャンバ内にはウエハＷを載置するための円柱状のステージ１５が設けられている。プロセスモジュール１２では、ステージ１５にウエハＷが載置された後に、真空チャンバ内を減圧して処理ガスを導入すると共に、真空チャンバ内に高周波電力を印加してプラズマを生成させ、生成したプラズマによってウエハＷにエッチング処理等のプラズマ処理を施す。なお、プロセスモジュール１２とトランスファモジュール１１とは、開閉自在なゲートバルブ１６で仕切られる。

プロセスモジュール１２が備えるステージ１５には、ステージ１５の上面から突出自在に、複数（ここでは３本とする）の細棒状のリフトピン１５ａが設けられている。これらのリフトピン１５ａは、平面視において同一円周上に配置されており、ステージ１５の上面から突出することによってステージ１５に載置されたウエハＷを支持して持ち上げるとともに、ステージ１５内へ退出することによって支持したウエハＷをステージ１５へ載置する。

トランスファモジュール１１は、真空（減圧）状態に維持されており、その内部には、２つのスカラアームタイプの２本の搬送アーム１７ａと、内部に配置された不図示のガイドレールとを有する第１の搬送機構１７が配置されている。２本の搬送アーム１７ａはそれぞれ、旋回自在かつ伸縮自在に構成されており、その先端にはウエハＷを支持するフォーク（エンドエフェクタ）１７ｂが取り付けられている。第１の搬送機構１７は、ガイドレールに沿って移動自在であり、各プロセスモジュール１２及び各ロードロックモジュール１４の間でウエハＷを搬送する。なお、第１の搬送機構１７によるウエハＷの搬送方法とフォーク１７ｂの構造については、後に図２及び図３を参照して詳細に説明する。

ロードロックモジュール１４は、真空雰囲気と大気圧雰囲気とに切り換え可能な内圧可変室として構成されている。ロードロックモジュール１４の内部には、ウエハＷを載置するための円柱状のステージ１８が配置されており、ステージ１８には、リフトピン１５ａと同等のリフトピン１８ａが、ステージ１８の上面から突出自在に設けられている。

ロードロックモジュール１４は、ウエハＷをローダーモジュール１３からトランスファモジュール１１へ搬送する際には、先ず、内部を大気圧に維持してローダーモジュール１３からウエハＷを受け取り、次いで、内部を真空まで減圧してトランスファモジュール１１へウエハＷを受け渡す。逆に、ウエハＷをトランスファモジュール１１からローダーモジュール１３へ搬送する際には、先ず、内部を真空に維持してトランスファモジュール１１からウエハＷを受け取り、次いで、内部を大気圧へと昇圧してローダーモジュール１３へウエハＷを受け渡す。

ローダーモジュール１３は、直方体状の大気搬送室として構成されており、長手方向の一方の側面にロードロックモジュール１４が接続され、長手方向の他方の側面には、複数のウエハＷを収容する容器である不図示のフープを載置するための複数（ここでは３つ）のフープ載置台１９が接続されている。

ローダーモジュール１３の内部には、ウエハＷを搬送する第２の搬送機構２０が配置されており、第２の搬送機構２０は、不図示のガイドレールと、スカラアームタイプの搬送アーム２０ａとを有している。搬送アーム２０ａは、ガイドレールに沿って移動自在であり、また、旋回自在かつ伸縮自在に構成されている。第１の搬送装置１７と同様に、搬送アーム２０ａの先端にはウエハＷを支持するフォーク２０ｂが取り付けられている。ローダーモジュール１３では、第２の搬送機構２０が、フープ載置台１９に載置されたフープと各ロードロックモジュール１４との間でウエハＷを搬送する。

基板処理システム１０は、例えば、コンピュータからなる制御装置２１を有し、基板処理システム１０の各構成要素（例えば、トランスファモジュール１１やプロセスモジュール１２）の動作は制御装置２１によって制御される。

図２（ａ）は、フォーク１７ｂの構造と、プロセスモジュール１２に対する第１の搬送機構１７によるウエハＷの搬入出時のフォーク１７ｂとリフトピン１５ａとの位置関係を示す平面図（上面図）である。また、図２（ｂ）は、図２（ａ）に示す矢視Ａ−Ａ断面図である。

第１の搬送機構１７のフォーク１７ｂには、３カ所に、ウエハＷと当接（接触）してウエハＷを保持する保持部材であるパッド１７ｃが配置されている。なお、パッド１７ｃは、ウエハＷをフォーク１７ｂに直接接触させることのない範囲で、３カ所よりも多く設けてもよい。

プロセスモジュール１２へのウエハＷの搬入時には、先ず、フォーク１７ｂがウエハＷをパッド１７ｃ上に保持した状態でプロセスモジュール１２に進入する。続いて、プロセスモジュール１２に設けられたリフトピン１５ａが上昇して、ウエハＷをフォーク１７ｂから持ち上げて支持する。そして、フォーク１７ｂがプロセスモジュール１２から退出すると、リフトピン１５ａが降下して、支持したウエハＷがステージ１５上に載置される。逆に、プロセスモジュール１２からのウエハＷの搬出時には、先ず、ウエハＷを支持したリフトピン１５ａが所定位置まで上昇した後、ウエハＷの下側の所定位置にフォーク１７ｂが進入し、続いて、リフトピン１５ａが降下することで、ウエハＷはリフトピン１５ａからフォーク１７ｂへ受け渡される。このようなウエハＷの受け渡しが可能となるように、フォーク１７ｂは、リフトピン１５ａと干渉しない形状に設計されている。

なお、第１の搬送機構１７のフォーク１７ｂとロードロックモジュール１４に設けられたリフトピン１８ａとの間でのウエハＷの受け渡しは、フォーク１７ｂとリフトピン１５ａとの間でのウエハＷの受け渡しと同じ手順で行われる。

上述したように、リフトピン１５ａ（リフトピン１８ａ）が上昇して、ウエハＷをフォーク１７ｂから持ち上げて支持する際には、ウエハＷがフォーク１７ｂに設けられたパッド１７ｃから容易に離れる必要がある。つまり、搬送されてきたウエハＷとパッド１７ｃとが固着することのないようにする必要がある。

一方で、第１の搬送機構１７は、ウエハＷがパッド１７ｃに支持された状態でウエハＷを搬送するために、パッド１７ｃには、ウエハＷの搬送中にウエハＷの位置ずれや落下を確実に防止することができるだけの保持力（摩擦力や粘着力等）が必要とされる。このとき、第１の搬送機構１７により搬送されるウエハＷには、プロセスモジュール１２での処理前の常温近傍のものもあれば、プロセスモジュール１２でのプラズマ処理後の温度の高い（例えば、約３００℃の）ものもあるため、パッド１７ｃには、いずれの温度のウエハＷを搬送する際にも適切な保持力を有していることが必要とされる。

ここで、パッド１７ｃには、一般的に耐熱性に優れたゴム（パーフロロ系ゴムやフッ素系ゴム等のエラストマ）等の弾性材料が用いられ、プロセスモジュール１２においてプラズマ処理された後の高温のウエハＷを保持する必要性から、パッド１７ｃとして用いることができる材料の選択余地は広いものではない。前掲のゴム系弾性材料は、温度が変化すると材料の硬さが変化し、これによってウエハＷを保持する保持力が変化するため、例えば、フープ載置台１９に載置された１個乃至３個のフープに収容された複数枚のウエハＷを処理する間に、ウエハＷの保持力が大きく変化してしまうことを防止する必要がある。特に、ウエハＷのサイズがφ４５０ｍｍの場合には、ウエハＷの自重が大きくなることによって、ウエハＷとパッド１７ｃとの固着が生じやすくなるため、これを回避する必要がある。

そこで、本実施の形態では、常時、ウエハＷの搬送時におけるパッド１７ｃの温度を一定温度に維持することとし、そのために、パッド１７ｃの温度調節を行うための温度調節手段をパッド１７ｃ又はフォーク１７ｂに配置する。具体的には、温度調節手段として、電熱変換素子の一例であるペルチェ素子２２を用い、図２に示すように、パッド１７ｃの下面にペルチェ素子２２を接着等により取り付けている。なお、ペルチェ素子２２の駆動制御は、不図示の配線を通して、制御装置２１により行われる。

ここで、パッド１７ｃは、ペルチェ素子２２により維持されている一定温度において、ウエハＷの搬送中にウエハＷに位置ずれや落下が生じないように十分な保持力を有しつつ、リフトピン１５ａ（リフトピン１８ａ）へウエハＷを受け渡すときにウエハＷとの固着が生じることなくスムーズな受け渡しができるように、予め形状設計や表面処理（表面加工）等が行われて、ウエハＷの保持力（保持特性）が最適化されている。換言すれば、パッド１７ｃのウエハＷに対する保持特性が最適化された温度で常にウエハＷを搬送することができるようにパッド１７ｃの温度を一定に制御することにより、ウエハＷの搬送中の位置ずれや落下を防止しつつ、リフトピン１５ａ（リフトピン１８ａ）に対するスムーズな受け渡しを可能とする。

パッド１７ｃの維持温度は、搬送されるウエハＷの温度範囲内、且つ、ペルチェ素子２２による温度制御が可能な温度範囲内において設定することが望ましい。例えば、フープから取り出したウエハＷの処理を連続して行う場合、処理の開始最初は、未処理のウエハＷを搬送するために、概ね、パッド１７ｃの温度は常温近傍となるが、ウエハＷの処理が進むにしたがって、プロセスモジュール１２での処理後のウエハＷを搬送することによって、パッド１７ｃの温度は常温よりも高くなる。そこで、例えば、ペルチェ素子２２を冷却手段として用い、パッド１７ｃを常温（２７℃近傍）に維持するという用い方が可能である。一方、ペルチェ素子２２は、電流極性を反転させることで、加熱手段として用いることも可能である。そこで、プロセスモジュール１２でのプラズマ処理を終えたウエハＷのプロセスモジュール１２からの搬出開始時の温度が、例えば、３００℃であるとすると、常温と３００℃の略中間の１７０℃（近傍）でパッド１７ｃの温度を一定に維持するという用い方も可能である。

図３は、パッド１７ｃに対するペルチェ素子２２の配置形態を示す断面図であり、図２（ｂ）と同じ視点で示されている。図３（ａ）は、図２（ｂ）を拡大して示したものであり、平板状のペルチェ素子２２をパッド１７ｃの裏面に取り付けた形態を示している。図３（ｂ）は、リング状のペルチェ素子２２の中央孔部にパッド１７ｃの裏面側の部分を収容した形態を示している。

図３（ｃ）は、パッド１７ｃの裏面側の部分とペルチェ素子２２とが接触するように、フォーク１７ｂの裏面にペルチェ素子２２を取り付けた構造を示している。図３（ｃ）の構成とする場合、パッド１７ｃとペルチェ素子２２との接触面積ができるだけ広くなるように、パッド１７ｃの裏面側の部分とペルチェ素子２２の形状を設計することが好ましい。図３（ｄ）は、パッド１７ｃの裏面側の部分にペルチェ素子２２を埋設した構造を示している。図３の各形態に限定されず、パッド１７ｃの温度調節が可能な限りにおいて、ペルチェ素子２２の配設形態に制限はなく、また、パッド１７ｃの温度調節が可能な限りにおいて、ペルチェ素子２２以外の温度調節手段を用いてもよい。

ところで、第２の搬送装置２０が備えるフォーク２０ｂにもウエハＷに接触してウエハＷを支持するパッド（不図示）が配置されている。第２の搬送装置２０は、プロセスモジュール１２での処理前の常温のウエハＷやプロセスモジュール１２での処理が終了してから所定温度にまで冷却されたウエハＷを搬送する。このように、第２の搬送装置２０は、第１の搬送装置１７のように、極端に温度の異なるウエハＷを搬送することがないために、フォーク２０ｂに配置されるパッドに対しては、原則として、ペルチェ素子２２等による温度調節を行う必要性は高くはなく、例えば、常温でウエハＷを適切な保持力で保持することができるように形状設計や表面処理（表面加工）等が行われたものを用いることができる。

以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではない。例えば、上記実施の形態では、ウエハＷにプラズマ処理を施す基板処理システムを取り上げたが、これに限定されず、ウエハＷに対して施される熱処理は、大気中や不活性ガス中で行われるものであってもよい。その場合、第１の搬送装置１７は、大気雰囲気又は不活性ガス雰囲気においてウエハＷを搬送し、その際に、パッド１７ｃの温度が制御される。また、例えば、ステージ１５は３本のリフトピン１５ａを有するとしたが、リフトピン１５ａは３本に限られず、ウエハＷを安定的に支持可能であれば、４本以上であってもよい。

１０ 基板処理システム
１２ プロセスモジュール
１４ ロードロックモジュール
１５ａ リフトピン
１８ａ リフトピン
１７ 第１の搬送装置
１７ｂ フォーク
１７ｃ パッド（保持部材）
２２ ペルチェ素子

Claims (15)

1. 基板に対して所定の熱処理を施す処理室に対して熱処理前の基板の搬入と熱処理後の基板の搬出とを行う基板搬送装置であって、
   前記基板を搬送する搬送アームと、
   前記搬送アームの先端に配置され、前記基板が載置される載置部と、
   前記載置部の少なくとも３カ所に配置され、前記基板の裏面に当接して前記基板を保持する弾性材料からなる保持部材と、
   前記保持部材又は前記載置部に取り付けられて前記保持部材を所定の温度に維持する温度調節手段とを備えることを特徴とする基板搬送装置。
2. 前記保持部材は、前記所定の温度において保持した基板の位置ずれ及び落下が生じず、且つ、前記基板との固着が生じないように表面加工がなされていることを特徴とする請求項１記載の基板搬送装置。
3. 前記温度調節手段はペルチェ素子であることを特徴とする請求項１又は２記載の基板搬送装置。
4. 前記所定の温度は、前記保持部材に保持される基板の温度範囲内であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板搬送装置。
5. 前記基板は直径が４５０ｍｍの円板状の半導体ウエハであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板搬送装置。
6. 基板に対して所定の熱処理を施す処理室に対して熱処理前の基板の搬入と熱処理後の基板の搬出を行う基板搬送装置による基板搬送方法であって、
   前記基板搬送装置において前記基板の裏面に当接して前記基板を保持する弾性材料からなる保持部材を所定の温度に維持する温度調節ステップと、
   前記温度調節ステップにより温度調節された前記保持部材に前記処理前の基板又は前記処理後の基板を保持させる保持ステップと、
   前記保持ステップにより保持した前記基板を搬送する搬送ステップとを有することを特徴とする基板搬送方法。
7. 前記保持部材は、前記所定の温度において保持した基板の位置ずれ及び落下が生じず、且つ、前記基板との固着が生じないように表面加工がなされていることを特徴とする請求項６記載の基板搬送方法。
8. 前記温度調節ステップは、前記保持部材又は前記載置部に取り付けられたペルチェ素子によって行われることを特徴とする請求項６又は７記載の基板搬送方法。
9. 前記所定の温度を、前記保持部材に保持される基板の温度範囲内の温度とすることを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１項に記載の基板搬送方法。
10. 前記搬送ステップでは、前記基板として直径が４５０ｍｍの円板状の半導体ウエハを搬送することを特徴とする請求項６乃至９のいずれか１項に記載の基板搬送方法。
11. 基板を載置する載置台を有する基板載置室と、
    前記基板に対して所定の熱処理を施す処理室と、
    前記基板載置室と前記処理室との間で前記基板を搬送する基板搬送装置とを備える基板処理システムであって、
    前記基板搬送装置は、
    前記基板を搬送する搬送アームと、
    前記搬送アームの先端に配置され、前記基板が載置される載置部と、
    前記載置部の少なくとも３カ所に配置され、前記基板の裏面に当接して前記基板を保持する弾性材料からなる保持部材と、
    前記保持部材又は前記載置部に取り付けられて前記保持部材を所定の温度に維持する温度調節手段とを備えることを特徴とする基板搬送システム。
12. 前記保持部材は、前記所定の温度において保持した基板の位置ずれ及び落下が生じず、且つ、前記基板との固着が生じないように表面加工がなされていることを特徴とする請求項１１記載の基板処理システム。
13. 前記温度調節手段はペルチェ素子であることを特徴とする請求項１１又は１２記載の基板処理システム。
14. 前記基板は直径が４５０ｍｍの円板状の半導体ウエハであることを特徴とする請求項１１乃至１３のいずれか１項に記載の基板処理システム。
15. 前記基板載置室は、大気圧雰囲気と真空雰囲気とを選択的に切り替え可能に構成され、
    前記処理室は、真空雰囲気に保持されて、その内部に収容された基板に対して前記所定の熱処理を施し、
    前記基板搬送装置は、真空雰囲気に保持された搬送室内に配置されていることを特徴とする請求項１１乃至１４のいずれか１項に基板処理システム。

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