WO2018179295A1 - 露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法 - Google Patents

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WO2018179295A1
WO2018179295A1 PCT/JP2017/013477 JP2017013477W WO2018179295A1 WO 2018179295 A1 WO2018179295 A1 WO 2018179295A1 JP 2017013477 W JP2017013477 W JP 2017013477W WO 2018179295 A1 WO2018179295 A1 WO 2018179295A1
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gas
substrate
shuttle
holding member
exposure
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PCT/JP2017/013477
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Inventor
真路 佐藤
貴行 舩津
一ノ瀬 剛
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株式会社ニコン
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere

Definitions

  • the present invention relates to an exposure technique for exposing a substrate and a device manufacturing technique using the exposure technique.
  • an exposure apparatus (hereinafter referred to as an ultraviolet light exposure apparatus) that is used in a lithography process for manufacturing electronic devices (microdevices) such as semiconductor elements and uses ultraviolet light from the far ultraviolet region to the vacuum ultraviolet region as an exposure beam.
  • an ultraviolet light exposure apparatus that is used in a lithography process for manufacturing electronic devices (microdevices) such as semiconductor elements and uses ultraviolet light from the far ultraviolet region to the vacuum ultraviolet region as an exposure beam.
  • the exposure wavelength has been shortened, the illumination conditions have been optimized, and the immersion method has been applied to further increase the numerical aperture of the projection optical system.
  • an exposure apparatus that exposes a substrate held by a substrate holding member with an energy beam, the movable body to which the substrate holding member is detachably attached, and the substrate on the substrate holding member
  • An adsorption mechanism that electrostatically adsorbs, and a gas supply mechanism that supplies gas to a space between the substrate holding member and the substrate in at least a part of a period in which the substrate is adsorbed by the adsorption mechanism.
  • an exposure apparatus that exposes a substrate held by a substrate holding member with an energy beam, the movable body to which the substrate holding member is detachably attached, and the substrate on the substrate holding member
  • An exposure apparatus includes an adsorption mechanism that electrostatically adsorbs, and in which a gas is sealed in a space between the substrate holding member and the substrate.
  • an exposure method for exposing a substrate held on a substrate holding member with an energy beam and an exposure method for exposing a substrate held on a substrate holding member with an energy beam, the substrate Holding the substrate by the holding member, attaching the substrate holding member holding the substrate to the moving body in a detachable manner, electrostatically adsorbing the substrate to the substrate holding member, and statically holding the substrate
  • An exposure method includes supplying a gas to a space between the substrate holding member and the substrate during at least a part of the period of electroadsorption.
  • an exposure method for exposing a substrate held by a substrate holding member with an energy beam for exposing a substrate held by a substrate holding member with an energy beam, the holding of the substrate by the substrate holding member, and the substrate holding member and the substrate.
  • An exposure method comprising: enclosing gas in a space; attaching the substrate holding member holding the substrate to the movable body in a detachable manner; and electrostatically adsorbing the substrate to the substrate holding member Is provided.
  • FIG. 5A is a plan view showing the shuttle
  • FIG. 5B is a bottom view showing the shuttle
  • FIG. 5C is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 5A
  • 6A is a plan view showing the shuttle
  • FIG. 6B is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 6A. It is sectional drawing which shows the inside of the storage case of two shuttle carriers.
  • FIG. 9A is a cross-sectional view showing the shuttle held on the movable stage of the stage apparatus
  • FIG. 9B is a view showing a part of the control system of the exposure apparatus. It is a figure which shows the control system of an exposure system.
  • FIG. 11A is a flowchart illustrating an example of a wafer carry-in method
  • FIG. 11B is a flowchart illustrating an example of a wafer exposure method and an unload method.
  • FIG. 12A is a plan view showing the operation of the first transfer arm when the wafer is carried in
  • FIG. 12B is a plan view showing the operation of the second transfer arm when the wafer is carried out.
  • FIG. 14A is a cross-sectional view showing a shuttle of the second modified example
  • FIG. 14B is a cross-sectional view showing a shuttle of the third modified example.
  • FIG. 16A is a cross-sectional view showing a shuttle and a gas supply mechanism of a fifth modification
  • FIG. 16B is a cross-sectional view showing a shuttle according to the second embodiment. It is a flowchart which shows an example of the electronic device manufacturing method.
  • FIG. 1 is a plan view showing a mechanism part of an exposure system 10 according to this embodiment
  • FIG. 2 is a view showing a part of the configuration in FIG. 1 and 2, the exposure system 10 is installed, for example, in a clean room of a semiconductor device manufacturing factory.
  • the exposure system 10 is arranged in a line along the first direction, and each of the five exposure apparatuses 12A, 12B, (hereinafter referred to as the first line) that performs exposure (including drawing) using exposure light.
  • 12C, 12D, 12E, and exposure apparatuses 12A to 12E are arranged in a line in parallel with each other, and similarly to the exposure apparatuses 12A to 12E, five exposure apparatuses (hereinafter referred to as second columns) that perform exposure using exposure light. 12F, 12G, 12H, 12I, 12J are provided.
  • a configuration using an electron beam will be described as an example of exposure light.
  • the exposure light is not limited to the electron beam, and an energy beam such as a charged particle beam (charged particle beam), an ion beam, or ultraviolet light from the far ultraviolet region to the vacuum ultraviolet region may be used.
  • at least one exposure apparatus for example, the exposure apparatus 12A may be used.
  • the exposure apparatus 12A is capable of holding and moving an exposure vacuum chamber 13A capable of exhausting the internal space to a vacuum state, and two vacuum chambers 13B and 13C for transfer, and an exposure target (target).
  • the vacuum chambers 13B and 13C are arranged to be stacked (see FIG. 2). At least a part of stage device WST and electron beam irradiation device 15 is installed in exposure chamber 14A in vacuum chamber 13A.
  • the exposure chamber 14A is maintained in a high vacuum state during exposure.
  • parts other than the exposure apparatuses 12A to 12J are arranged in an atmospheric pressure environment.
  • the exposure object (target) of the present embodiment is a semiconductor wafer (hereinafter referred to as “wafer” in this specification) W coated with a photosensitive agent or a sensitive agent (electron beam resist).
  • the wafer W is a disk-shaped semiconductor substrate having a diameter of 300 mm and a thickness of about 700 to 800 ⁇ m (for example, 775 ⁇ m).
  • shots area which is a unit of an area exposed by one exposure (or scanning exposure) by the ultraviolet light exposure apparatus
  • a wafer having a diameter of 300 mm 300 mm wafer
  • Approximately 100 shots are formed on the exposed surface.
  • the size of the wafer W is arbitrary, and as the wafer W, for example, a substrate having a diameter of 200 mm or 450 mm can be used.
  • the electron beam irradiation device 15 of the exposure device 12A is disposed in a lens barrel (not shown).
  • the electron beam irradiation device 15 may include, for example, an electron gun that emits an electron beam.
  • the electron beam irradiation device 15 may include, for example, a molding device that can shape an electron beam (for example, a plate-shaped molding diaphragm provided with an opening of an arbitrary shape, an electromagnetic lens, or the like).
  • the electron beam irradiation device 15 may include, for example, an objective lens (for example, an electromagnetic lens) that can form an image of the electron beam on the surface of the wafer at a predetermined magnification.
  • the electron beam irradiation device 15 is, for example, a deflector that deflects an electron beam (for example, an electromagnetic deflector that deflects an electron beam using a magnetic field, an electrostatic deflector that deflects an electron beam using an electric field, or the like). May be included.
  • the electron beam irradiation device 15 has, for example, a rotation amount (that is, a position in the ⁇ z direction) of an image formed on an optical surface intersecting an optical path of the electron beam, a magnification of the image, and a focal point corresponding to the imaging position.
  • An adjuster for example, an electromagnetic lens that can adjust at least one of the positions may be included.
  • the electron beam irradiation device 15 includes, for example, a sensor capable of detecting an alignment mark formed on the wafer (for example, a semiconductor type reflected electron detection device using a pn junction or pin junction semiconductor) in order to perform alignment of the wafer. May be included. Note that the lens barrel is not necessarily provided.
  • the exposure apparatus 12A is a single beam type exposure apparatus in which the electron beam irradiation apparatus 15 draws or transfers a pattern on a wafer using a single electron beam.
  • the exposure apparatus 12A may be a variable shaping type exposure apparatus that shapes the cross section of the electron beam irradiated to the wafer by the electron beam irradiation apparatus 15 into a variable size rectangle.
  • the exposure apparatus 12A may be a point beam type exposure apparatus in which the electron beam irradiation apparatus 15 irradiates the wafer with a spot-shaped electron beam.
  • the exposure apparatus 12A may be a stencil mask type exposure apparatus in which the electron beam irradiation apparatus 15 forms an electron beam into a desired shape using a stencil mask in which a beam passage hole having a desired shape is formed.
  • the exposure apparatus 12A may be a multi-beam type exposure apparatus in which the electron beam irradiation apparatus 15 draws or transfers a pattern on a wafer using a plurality of electron beams.
  • the exposure apparatus 12A generates a plurality of electron beams via a blanking aperture array having a plurality of openings, and individually draws the pattern on the wafer by turning on / off the plurality of electron beams according to the drawing pattern.
  • An exposure apparatus may be used.
  • the exposure apparatus 12A may be an exposure apparatus that includes a surface emission type electron beam source having a plurality of electron emission portions from which the electron beam irradiation apparatus 15 emits a plurality of electron beams. *
  • a drawing method for drawing a pattern on an exposure object with a single beam a pattern of a micro mask is transferred via an electron beam, and an exposure object is moved.
  • a repetitive transfer system or any other system can be used.
  • the inside of the vacuum chamber 13B below the exposure apparatus 12A is a load lock chamber (hereinafter also referred to as “first vacuum chamber”) 14B, and the inside of the upper vacuum chamber 13C is an unload lock. It is a chamber (hereinafter also referred to as “second vacuum chamber”) 14C.
  • Auxiliary tables 46A and 46B on which transfer objects (objects) including an exposure object are placed are installed in the load lock chamber 14B and the unload lock chamber 14C, respectively.
  • each of the auxiliary tables 46A and 46B is U-shaped, and the auxiliary tables 46A and 46B can be controlled to have a rotation angle within a range of about 90 ° to 180 °, and the height (position in the Z direction) is also set. Control is possible within a predetermined range.
  • the normal height of the upper surface of the auxiliary table 46A in the load lock chamber 14B is approximately the same as the height of the upper surface of the stage apparatus WST in the exposure chamber 14A during exposure.
  • Shutters are provided at the boundaries between the vacuum chambers 13A and 13B and the boundaries between the vacuum chambers 13A and 13C, and shutters 14Ba and 14Ca are provided at the outer surfaces of the vacuum chambers 13B and 13C, respectively.
  • the shutters 14Ba and 14Ca may be part of a gate valve, for example.
  • the load lock chamber 14B is temporarily in an atmospheric pressure environment when the conveyance object is carried in, and the unload lock chamber 14C is temporarily in the atmospheric pressure environment when the conveyance object is carried out.
  • the exposure apparatus 12A is provided with a control system 12Ac (see FIG. 8) composed of a computer for controlling the operation of the entire exposure apparatus.
  • the control system 12Ac transmits and receives control information to and from the host computer 62 (see FIG. 8) for process management.
  • the configurations of the exposure apparatuses 12A to 12E are the same as each other, and the configurations of the exposure apparatuses 12F to 12J are symmetric with respect to the exposure apparatus 12A.
  • the exposure apparatuses 12B and 12C to 12J also have control systems 12Bc and 12Cc to 12Jc, respectively (see FIG. 9). Note that the configurations of the exposure apparatuses 12A to 12J may be different from each other.
  • the Y axis is taken along the common arrangement direction of the exposure apparatuses 12A to 12E in the first row and the exposure apparatuses 12F to 12J in the second row, and is perpendicular to the Y axis
  • a description will be given by taking the X axis along the direction and taking the Z axis along the direction perpendicular to the installation surface (vertical direction in the present embodiment).
  • the directions parallel to the X axis, Y axis, and Z axis are the X direction, Y direction, and Z direction, respectively, and the directions around the X axis, Y axis, and Z axis are parallel to the ⁇ x direction, respectively.
  • the description will be made with the ⁇ y direction and the ⁇ z direction.
  • an exposure system 10 includes a track 16 that carries a wafer W coated with an electron beam resist in an in-line manner with a coater / developer (not shown), and a wafer W that is carried in via the track 16. And an alignment unit 18 that performs the above alignment.
  • wafer W is placed or held in a recess 37 ⁇ / b> Aj (see FIG. 4) on the surface of a wafer shuttle (hereinafter simply referred to as “shuttle”) 36 that is a holding member.
  • the exposure system 10 includes a shuttle transport system 30 for transporting the shuttle 36 (conveyance target) that holds the wafer W.
  • the shuttle transfer system 30 holds the first shuttle carrier 32A for transferring the shuttle 36 holding the wafer W before exposure from the alignment unit 18 to the exposure apparatuses 12A to 12J, and the exposed wafer W.
  • a second shuttle carrier 32B for returning the shuttle 36 to the alignment unit 18 from the exposure apparatuses 12A to 12J.
  • Each of the shuttle carriers 32A and 32B includes transfer arms 42A and 42B that support the shuttle 36, and storage cases 40A and 40B that can transfer the transfer arms 42A and 42B that support the shuttle 36, respectively.
  • the shuttle 36 that holds the wafer W reciprocates between the alignment unit 18 and the exposure apparatuses 12A to 12J. Therefore, the shuttle 36 is referred to as a shuttle (wafer shuttle).
  • FIGS. 4 and 5A to 6B show a state in which the wafer W is separated from the shuttle 36 and the shuttle 36 is disassembled for convenience of explanation
  • FIG. 4 also shows an auxiliary table 46A in the load lock chamber 14B in FIG. 5A and 5B are a plan view and a bottom view of the shuttle 36
  • FIG. 5C is a cross-sectional view of the shuttle 36 along the line AA in FIG. 5A
  • FIG. 6A is a wafer.
  • FIG. 6B is a cross-sectional view of the shuttle 36 when the shuttle 36 is transferred from the transfer arm 42A to the auxiliary table 46A.
  • the coordinate system (X, Y, Z) in FIGS. 4 to 6B shows the coordinate system in a state where the shuttle 36 is placed on the auxiliary table 46A.
  • the shuttle 36 includes a first member 37A (hereinafter also referred to as a “support portion”) on which the wafer W is placed, and three bolts Bt at three positions with respect to the first member 37A. And a flat plate-shaped second member 37B (hereinafter also referred to as “connecting portion”).
  • the first member 37A is a triangular plate-like member in which three convex portions 37An are provided at equiangular intervals on the peripheral edge of a substantially circular outer shape.
  • a circular recess 37Aj (wafer W holding region) having a diameter slightly larger than that of the wafer W is formed at the center of the upper surface 37Aa of the first member 37A.
  • the concave portion is formed so that the upper surface 37Aa of the first member 37A and the surface of the wafer W are at the same height.
  • a depth of 37Aj is set.
  • a slit-shaped cutout portion is provided between two adjacent convex portions 37An.
  • Flexure portions 37Ac, 37Ad, 37Ae are provided as elastic members that can be elastically deformed with Bc interposed therebetween, and substantially square flat plate-like fixing portions 37Af, 37Ag are provided on the outer surfaces of the centers of the flexure portions 37Ac, 37Ad, 37Ae. , 37Ah are integrally provided.
  • through holes 37Ai through which the bolts Bt are inserted are provided.
  • the fixing portions 37Af, 37Ag, and 37Ah can be displaced in the radial direction (outside or toward the center) with respect to the center of the recess 37Aj of the first member 37A. .
  • small cylindrical pedestal portions 37Bc, 37Bd, and 37Be are formed on the upper surface 37Ba of the second member 37B at positions facing the fixing portions 37Af, 37Ag, and 37Ah of the first member 37A, respectively. ing.
  • a screw hole 37Bf for the bolt Bt is formed in the center of each of the pedestal portions 37Bc, 37Bd, and 37Be.
  • the fixing portions 37Af, 37Ag, 37Ah of the first member 37A are fixed to the pedestals 37Bc, 37Bd, 37Be of the second member 37B by bolts Bt, respectively.
  • the first member 37A is connected to the second member 37B via the flexure portions 37Ac, 37Ad, 37Ae and the fixing portions 37Af, 37Ag, 37Ah. Since the width of the upper part of the through hole 37Ai of the fixing parts 37Af, 37Ag, 37Ah is formed wide, the upper end of the bolt Bt is at a position lower than the upper surface 37Aa of the first member 37A (see FIG. 5C). .
  • the first member 37A and the second member 37B are composed of the flexure portions 37Ac, 37Ad, 37Ae and the fixing portions 37Af, 37Ag, 37Ah of the first member 37A, the pedestal portions 37Bc, 37Bd, 37Be of the second member 37B, and the bolt Bt.
  • the three engaging portions 37C1, 37C2, and 37C3 (hereinafter also referred to as “connecting portions”) are configured to be connected (coupled) in a displaceable manner. For this reason, even when the second member 37B is slightly deformed, the portion of the first member 37A on which the wafer W is placed is not deformed, and the deformation of the wafer W during exposure and transfer is extremely small. Furthermore, since the back surface of the convex portion 37Am of the first member 37A and the back surface 37Bb of the second member 37B are substantially on the same plane, the shuttle 36 can be handled as a single flat plate member as a whole.
  • hemispherical portions 44A is provided at a position corresponding to the middle of the pedestal portions 37Bc, 37Bd, and 37Be.
  • a second set of three hemispherical portions 44B is provided on the inner side of the first set of hemispherical portions 44A (the central direction side of the second member 37B).
  • the first set of hemispherical portions 44A (hereinafter also referred to as “first connecting members”) is used when the shuttle 36 is supported by the stage device WST of the exposure apparatuses 12A to 12J, the auxiliary tables 46A, 46B, and the like.
  • the hemispherical portion 44B (hereinafter also referred to as “second connecting member”) is used when the shuttle 36 is supported by the transport arms 42A and 42B of the shuttle transport system 30 and the like.
  • the hemispherical part 44A and the hemispherical part 44B have the same size. Note that the size of the hemispherical portion 44A may be different from the size of the hemispherical portion 44B.
  • the hemispherical portions 44A and 44B can be formed by embedding the upper part of a sphere (ball) in the back surface 37Ab of the second member 37B.
  • a convex portion may be integrally formed on the back surface 37Ab of the second member 37B, and the surface of the convex portion polished into a hemispherical shape may be used as the hemispherical portions 44A and 44B.
  • the first member 37A and the second member 37B (including the hemispherical portions 44A and 44B) of the shuttle 36 are formed of an insulator having a high thermal conductivity, for example, an insulator ceramic as an example.
  • the insulator ceramic for example, aluminum nitride (AlN), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), silicon nitride (Si 3 N 4 ), or the like can be used.
  • the bolt Bt is made of metal, for example.
  • the hemispherical portions 44A and 44B can be made of a metal having a small coefficient of thermal expansion.
  • three mounts are arranged on the upper surface of the auxiliary table 46A of the exposure apparatus 12A (the surface on which the shuttle 36 is placed) in the same arrangement as the first hemisphere portion 44A of the first set of the shuttle 36.
  • the portions 46Aa, 46Ab, and 46Ac are fixed.
  • the mount portions 46Aa, 46Ab, and 46Ac are made of metal having a low coefficient of thermal expansion.
  • the upper portion of the mount portion 46Aa is a flat surface, a V-shaped groove portion (V-shaped groove) is formed on the upper portion of the mount portion 46Ab, and a conical recess portion (conical surface) is formed on the upper portion of the mount portion 46Ac. ing.
  • the three hemispherical portions 44A are engaged with the flat surface, the V-shaped groove, and the conical surface of the mount portions 46Aa, 46Ab, and 46Ac, respectively. Is stably held (supported) by its own weight by a kinematic coupling method with respect to the mounting surface.
  • an arm 46Ah (see FIG. 3) of a transfer arm 42A (details will be described later) of the shuttle carrier 32A for transferring the shuttle 36 may be inserted between the rear surface of the shuttle 36 and its mounting surface. Space is available.
  • three mount portions 46Ba, 46Bb, 46Bc for the shuttle 36 are also fixed to the auxiliary table 46B.
  • auxiliary tables 46A and 46B on the upper surfaces of the auxiliary tables 46A and 46B, as shown in the stage device WST of the exposure apparatus 12A in FIG.
  • Three mount portions 47A, 47B, 47C formed with V-shaped grooves inclined at approximately 120 ° may be provided.
  • the second surface of the shuttle 36 is provided on the upper surface of the T-shaped arms 42Ah and 42Bh of the transfer arms 42A and 42B (details will be described later) of the shuttle carriers 32A and 32B on which the shuttle 36 is placed.
  • metal mount portions 42Aa, 42Ab, 42Ac and 42Ba, 42Bb, 42Bc are fixed at three locations in the same arrangement as the three hemispherical portions 44B of the set.
  • conical recesses conical surfaces
  • V-shaped groove portions V-shaped grooves
  • a later-described robot hand 46E of the exposure apparatus 12A is also provided with mount portions 47D, 47E, and 47F having the same shape as the mount portions 47A, 47B, and 47C in an arrangement that can be engaged with the three hemispherical portions 44B of the shuttle 36. (See FIG. 8).
  • a ring-shaped side wall 38A having an outer diameter slightly smaller than the diameter of the wafer W is formed in the recess 37Aj of the first member 37A of the shuttle 36.
  • a large number of small cylindrical protrusions 38B having the same height as the side wall 38A are periodically formed inside the side wall 38A.
  • a large number of convex portions 38B are arranged at the positions of the vertices of a large number of triangles, for example, but the arrangement is arbitrary. As indicated by the dotted lines, the wafer W is placed so as to cover the numerous convex portions 38B and the side wall portions 38A, and the space surrounded by the back surface of the wafer W, the side wall portions 38A, and the surfaces of the concave portions 37Aj is an almost airtight space. 37S.
  • two electrode portions 50A and 50B for electrostatic attraction are embedded in the concave portion 37Aj of the first member 37A, and the back surface of the convex portion 37Am of the first member 37A is electrically connected to the electrode portion 50A 2.
  • Two flat terminal portions 51A1 and 51A2 and two flat terminal portions 51B1 and 51B2 (see FIG. 6A) that are electrically connected to the electrode portion 50B are provided.
  • one set of terminal portions 51A2 and 51B2 are arranged along a straight line passing through the hemispherical portion 44A and the center of the engaging portion 37C1, and the other set of terminal portions 51A1 and 51B1 are terminal portions 51A2 and 51B2. Is disposed at a position shifted toward the engaging portion 37C2.
  • a material having a high frictional resistance such as titanium aluminum nitride (TiAlN) is coated on the mounting surface (contact surface with the back surface of the wafer W) of the recess 37Aj on which the wafer W of the first member 37A of the shuttle 36 is mounted. May be.
  • a material having a high frictional resistance such as titanium aluminum nitride, may be coated on at least a portion in contact with the back surface of the wafer W among the side wall portion 38A and the many convex portions 38B of the mounting surface of the concave portion 37Aj.
  • an insulating portion 41A2 on the surface of an arm 42Ah of a transfer arm 42A which will be described later, has a terminal portion that can contact the terminal portions 51A2 and 51B2 of the shuttle 36 and is flexible in the Z direction.
  • 94A2 and 94B2 are fixed.
  • a variable voltage can be supplied to the terminal portions 94A2 and 94B2 through the flexible signal cables 92A2 and 92B2 from the power supply portion 74C of FIG.
  • the main controller 60 and the electrostatic adsorption device EH1 can also be regarded as a part of the exposure device 12A.
  • the hemispherical portion 44B of the shuttle 36 is supported by the mount portions 42Aa to 42Ac of the transfer arm 42A, and the terminal portions 94A2 and 94B2 of the transfer arm 42A are brought into contact with the terminal portions 51A2 and 51B2 of the shuttle 36, and the terminal portion 51A2 is connected from the power supply portion 74C. , 51B2 is applied with a predetermined voltage. At this time, the wafer W can be stably held on the shuttle 36 by electrostatic chucking by the electrostatic chucking device EH1.
  • the hemispherical portion 44A or 44B is made of metal, and the two electrode portions for electrostatic adsorption of the first member 37A are connected to the hemispherical portion 44A or 44B via two flexible signal lines (not shown). It is also possible to connect to two of these hemispheres and use these two hemispheres as terminal parts.
  • terminal portions 94A3 and 94B3 similar to the terminal portions 94A2 and 94B2 are also provided on the arm 42Bh of the transfer arm 42B shown in FIG.
  • a variable voltage can be supplied via (not shown).
  • the auxiliary table 46A shown in FIG. 4 is provided with flexible terminal portions 94A5 and 94B5 that can come into contact with the terminal portions 51A1 and 51B1 of the shuttle 36.
  • a variable voltage can be supplied via the cables 92A5 and 92B5. The same applies to the other auxiliary table 46B. Therefore, the wafer W can be electrostatically attracted to the shuttle 36 also in the transfer arm 42B and the auxiliary tables 46A and 46B.
  • the wafer W can be attracted to the shuttle 36 by the residual charge distribution, and a certain amount of positional deviation may occur between the wafer W and the shuttle 36 after exposure.
  • the terminal portions 94A5 and 94B5 for electrostatic attraction may be omitted from the 46A and 46B and the transfer arm 42B.
  • an air supply hole 38D is formed at the center of the shuttle 36 in the region surrounded by the side wall 38A of the recess 37Aj of the first member 37A of the shuttle 36, and the side wall 38A.
  • a plurality of exhaust holes 38 ⁇ / b> F smaller than the air supply holes 38 ⁇ / b> D are formed at substantially equal angular intervals in the inner region (the peripheral portion of the shuttle 36).
  • the air supply hole 38D and the exhaust hole 38F are connected to the air holes 38C and 38E inside the first member 37A, respectively.
  • the connecting pipes 39A, 39B, 39C are fixed to the back surface of the projection 37Am of the first member 37A (see FIG.
  • vent hole 38C communicates with the connecting pipe 39C.
  • rotary open / close valves 39D, 39E, and 39F that can be opened and closed outside the shuttle 36 are provided in the connecting pipes 39A to 39C.
  • a vent hole is formed from a gas supply device VH1 in FIG. 10 described later or a gas supply unit 220a in FIG.
  • a predetermined gas can be supplied to 38C.
  • the gas in the space 37S is circulated (supply and exhaust) by opening the open / close valve 39F and exhausting the gas in the space 37S through the vent hole 38E in the exhaust part 220b of FIG. 9B.
  • a backflow prevention unit such as a check valve for preventing gas from flowing out from the side of the vent holes 38C, 38E to the outside of the shuttle 36 may be provided.
  • the shuttle arm 36A is composed of an L-shaped pipe that is supported by the arm 42Ah of the transfer arm 42A so as to be rotatable to some extent.
  • the distal end portion of the coupling pipe 39B of the shuttle 36 is inserted into the distal end portion of the coupling portion 39H via the O-ring 39Ha, and the opening / closing valve 39E is opened by the rotating portion 39J provided on the arm 42Ah.
  • the gas GC in the gas source 90C is supplied to the vent hole 38C through the flexible pipe 93B and the connecting part 39B by the switching control unit 90 in FIG.
  • the gas GC for example, clean and low humidity clean dry air (CDA) can be used.
  • CDA clean and low humidity clean dry air
  • the space GC between the wafer W and the shuttle 36 is filled or purged with the gas GC at a pressure lower than the atmospheric pressure (for example, about 500 Pa).
  • Clean dry air is dehumidified by a dehumidifying filter so that the humidity becomes, for example, 30% or less (more preferably 1% or less), and fine dry by a dustproof filter such as an ULPA filter (ultra-low-penetration-air-filter). Air from which foreign matter has been removed.
  • a dehumidified gas for example, an inert gas such as nitrogen gas may be used instead of clean dry air.
  • the pressure of the gas GC in the space 37S is not limited to 500 Pa, and can be appropriately set within a range in which the gas GC does not leak from the space 37S.
  • the wafer W is continuously held on the shuttle 36 with the same suction force. While being able to hold
  • the shuttle 36 is delivered to the auxiliary table 46A, as shown in FIG. 4, the O-ring is attached to the distal end portion of the connecting portion 39G1 made of an L-shaped pipe supported so as to be rotatable to some extent by the auxiliary table 46A.
  • gas GC can be supplied to the space 37S via the piping 93E1 from the switching control part 90 of FIG.
  • a gas supply device controlled by the main controller 60 including an air supply hole 38D, a vent hole 38C, connection pipes 39A and 39B, connection parts 39H and 39G1, a pipe 93B, a switching control part 90, and a gas source 90C of the shuttle 36.
  • VH1 is configured.
  • the switching control unit 90 controls the opening / closing operation of the opening / closing valves 39D to 39F by the rotating unit 39J.
  • the gas supply device VH1 can be regarded as a part of the exposure device 12A.
  • the transfer arm 42B is also provided with a connecting portion 39H1, a pipe 93D, and a rotating portion 39J for vacuum suction (see FIG. 3), and the auxiliary table 46B also has a connecting portion 39E1, a rotating portion 39J And the connection part for vacuum suction, the rotation part, and piping (not shown) similar to piping not shown are provided.
  • the gas GC can be purged into the space 37S between the wafer W being electrostatically attracted and the shuttle 36 by the gas supply device VH1. In the exposed wafer W, there is no problem even if a certain amount of misalignment occurs between the wafer W and the shuttle 36.
  • the alignment unit 18 stores a first wafer cassette 20 ⁇ / b> A for storing a plurality of wafers W transferred via the track 16 and a plurality of exposed wafers W.
  • the alignment unit 18 holds the shuttle 36 on which the wafer W is not placed and maintains the temperature of the shuttle 36 at the target temperature, and the temperature adjustment table 22A for separating the wafer W from the shuttle 36.
  • the shuttle 36 can be stably placed on the upper surfaces of the tables 22A to 22D and the stage 24a via the first set of hemispherical parts 44A.
  • the tables 22A to 22D and the stage 24a can respectively adjust the rotation angle of the shuttle 36 held in the ⁇ z direction and the position in the Z direction.
  • terminal portions 94A6 and 94B6 that can contact the terminal portions 51A and 51B of the shuttle 36 shown in FIG. 6A are provided on the upper surface of the stage 24a.
  • a voltage for electrostatic attraction can be supplied via 92B6.
  • connecting portions 39H4, 39H3 and 39H2 similar to the connecting portion 39H in FIG. 6B and a rotating portion (not shown) similar to the rotating portion 39J are provided on the upper surfaces of the tables 22B and 22C and the stage 24a.
  • connecting portions 39H4, 39H3 and 39H2 similar to the connecting portion 39H in FIG. 6B and a rotating portion (not shown) similar to the rotating portion 39J are provided on the upper surfaces of the tables 22B and 22C and the stage 24a.
  • the connecting parts 39H2 and 39H3 are connected to the connecting pipe 39A of the shuttle 36, and the gas GC can be supplied to the space 37S of the shuttle 36 via the pipes 93E2 and 93E3 by the switching control part 90 of FIG.
  • the connecting portion 39H4 of the separation table 22B is connected to the connecting tube 39A of the shuttle 36, and the switching control unit 90 supplies a gas having a pressure exceeding the atmospheric pressure from the compressed gas source 90P into the shuttle 36 via the pipe 93E.
  • the wafer W can be easily separated from the shuttle 36.
  • the alignment unit 18 is provided with the alignment system 24, the first and second articulated robot hands 26A and 26B for delivering the wafer W, and the third and fourth for delivering the shuttle 36.
  • Multi-joint type robot hands 26C and 26D The robot hands 26A and 26B respectively have Bernoulli cups BC1 and BC2 for supporting the wafer W from above by negative pressure. Instead of the Bernoulli cup or in combination with the Bernoulli cup, a support member of a type that supports the side surface of the wafer W from above with a plurality of arms may be used.
  • the robot hands 26C and 26D have T-shaped arms 27A and 27B on which the shuttle 36 is placed, respectively. The positions of the arms 27A, 27B, etc.
  • At least one of the robot hands 26A to 26D may include a plurality of arms that can move independently of each other.
  • the upper surfaces of the arms 27A and 27B are also similar to the mount portions 46Aa, 46Ab, and 46Ac (or the mount portions 47A to 47C of FIG. 8) of FIG. 4 that can be engaged with the second set of three hemispherical portions 44B of the shuttle 36.
  • the mount part of the shape is provided.
  • the shuttle 36 is stably held on the upper surfaces of the arms 27A and 27B by the kinematic coupling method through the hemispherical portion 44B and their mount portions.
  • a connecting portion similar to the connecting portion 39H in FIG. 6B and a rotating portion (not shown) similar to the rotating portion 39J are provided, and the same electrostatic as the terminal portions 94A2 and 94B2.
  • a suction terminal (not shown) is also provided.
  • the wafer W can be electrostatically attracted to the shuttle 36 being transferred by the arm 27A, and the gas GC can be purged to the space 37S.
  • the robot hands 26D and 26C can be regarded as components of the first and second shuttle carriers 32A and 32B, respectively.
  • the robot hand 26 ⁇ / b> B transports the unexposed wafer W loaded via the track 16 to the wafer cassette 20 ⁇ / b> A.
  • the robot hand 26A transports the exposed wafer W separated from the shuttle 36 to the wafer cassette 20B.
  • a robot hand (not shown) on the track 16 side moves the exposed wafer W in the wafer cassette 20B to the track 16, and the moved exposed wafer W is transferred to the coater / developer (not shown) via the track 16. ) And developed.
  • the alignment system 24 includes a stage 24a for positioning the shuttle 36 holding the wafer W with six degrees of freedom including the X direction, the Y direction, and the Z direction, and a diffraction grating (not shown) provided on the stage 24a.
  • an encoder apparatus including a detection head (not shown) for detecting the position thereof, and an FIA (Fie1d Image) that detects wafer marks (not shown) of a large number of shots (shot areas) on the surface of the wafer W by an image processing method, for example.
  • the stage 24a is driven based on the position of the stage 24a required by the encoder device. Further, when the shuttle 36 is attached or detached, the stage 24a can be pulled out in the ⁇ X direction with respect to the mark detection system 24b.
  • a laser interferometer type measuring device may be used.
  • the alignment system 24 includes, for example, a multipoint autofocus sensor 24c of an oblique incidence method by an optical method in order to focus the surface of the wafer W on the mark detection system 24b by an autofocus method at the time of mark detection.
  • the position of a mark (not shown) provided on the shuttle 36 can also be detected by the mark detection system 24b.
  • the stage 24a of the alignment system 24 is moved in the -X direction, and the shuttle 36 is moved from the temperature adjustment table 22A to the upper surface of the stage 24a by the robot hand 26D.
  • the three hemispherical parts 44A of the shuttle 36 are engaged with the mount part 24e of the stage 24a, the connecting part 39H2 is connected to the connecting pipe 39A of the shuttle 36, and the terminal parts 94A6 and 94B6 are in contact with the terminal parts 51A1 and 51B1 of the shuttle 36.
  • one unexposed wafer W is taken out from the wafer cassette 20A by the robot hand 26B, and this wafer W is placed in the recess 37Aj of the shuttle 36 supported by the stage 24a.
  • the gas GC is supplied to the space 37S of the shuttle 36 via the connecting pipe 39H2 by the gas supply device VH1, and the voltage is applied between the terminal portions 94A6 and 94B6 by the electrostatic adsorption device EH1, so that the wafer W is damaged.
  • the wafer W is electrostatically attracted to the shuttle 36 in a state where it does not occur.
  • the stage 24a is moved below the mark detection system 24b, the mark detection system 24b detects the position of a predetermined wafer mark on the wafer W and the mark on the shuttle 36, and the alignment result of the wafer W is detected using the detection result. Is done.
  • the detected alignment information includes the positional relationship between the wafer W and the shuttle 36 in addition to the shot arrangement of the wafer W.
  • This alignment information is supplied to the exposure control system 12Ac of the exposure apparatus (herein referred to as the exposure apparatus 12A) that exposes the wafer W via the main controller 60 and the host computer 62 of FIG.
  • the shuttle 36 holding the wafer W after the alignment is taken out of the stage 24a while being electrostatically attracted by the robot hand 26D, and the relay table 22C so that the hemispherical portion 44A of the shuttle 36 engages the mount portion 22Ca. It is mounted on the upper surface.
  • a terminal portion (not shown) for applying a voltage between the terminal portions 51A1 and 51B1 of the shuttle 36 is also provided on the upper surface of the relay table 22C, and the wafer W is electrostatically attracted to the shuttle 36.
  • the shuttle 36 is transported to the exposure apparatuses 12A to 12J by the shuttle carrier 32A.
  • the wafer W is electrostatically attracted to the shuttle 36 substantially continuously from the alignment time to the exposure time, and the relative positional relationship between the wafer W and the shuttle 36 does not change.
  • the relative position shift between the shuttle 36 and the wafer W after alignment and deformation of the wafer W are suppressed, and the alignment information (array coordinates of each shot) of the wafer W is suppressed. Since the wafer W is not substantially changed during conveyance and exposure, the wafer W can be exposed with high overlay accuracy or exposure accuracy. Since the wafer W and the shuttle 36 have a residual charge distribution, even if a short period in which a predetermined voltage is not applied between the electrode portions 50A and 50B in the shuttle 36 occurs when the shuttle 36 is delivered, the wafer W and the shuttle 36 It can be considered that the relative positional relationship with the shuttle 36 does not substantially change.
  • the shuttle 36 holding the exposed wafer W is placed on the upper surface of the relay table 22C by the shuttle carrier 32B so that the hemispherical portion 44A of the shuttle 36 engages the mount portion 22Da, as will be described later. Then, in order to detach the exposed wafer W from the shuttle 36, the shuttle 36 holding the wafer W by the robot hand 26C is taken out from the relay table 22D and placed on the separation table 22B. In this state, the compressed gas is supplied from the connecting portion 39H4 to the space 37S of the shuttle 36 by the gas supply device VH1, and the wafer W is easily separated from the shuttle 36 by supporting the wafer W from above by the robot hand 26A. . The separated wafer W is transferred to the wafer cassette 20B. Then, the shuttle 36 on the separation table 22B is returned to the shuttle stocker 20C by the robot hand 26C.
  • the shuttle transport system 30 will be described.
  • 3 is a perspective view showing the inside of the housing cases 40A and 40B of the first and second shuttle carriers 32A and 32B of the shuttle transport system 30, and
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing the inside of the housing cases 40A and 40B.
  • the first shuttle carrier 32A for transporting the shuttle 36 holding the unexposed wafer W includes the first row exposure devices 12A to 12E and the second row exposure devices 12F to 12J.
  • a pair of guide members 34A disposed at a predetermined interval in the X direction and in parallel along the Y direction, and a flat support member 41A supported by the guide member 34A so as to be movable in the Y direction.
  • a Y-axis drive unit 54A such as a linear motor that drives the support member 41A in the Y direction along the guide member 34.
  • a box-shaped storage case 40A is disposed on the upper surface of the support member 41A, and a transfer arm 42A that supports the shuttle 36 that holds the wafer W is stored in the storage case 40A.
  • the shuttle carrier 32A includes a Z-axis drive unit 54B that moves the storage case 40A in the Z direction within a predetermined range with respect to the support member 41A (see FIG. 7), and the storage case 40A with respect to the Z-axis drive unit 54B. and a rotation driving unit 54C that rotates in a range of about ⁇ 90 ° in the ⁇ z direction.
  • the storage case 40A includes a top plate 40Aa, a floor plate 40Ab, a back plate 40Ac, a front plate 40Ad, and a rectangular parallelepiped box-shaped member (hereinafter referred to as a “first container”) having two side walls 40Ae and 40Af.
  • the transfer arm 42A is accommodated in the internal space 40Ag.
  • a rectangular window portion 40Ah larger than the side shape of the shuttle 36 is formed on the front plate 40Ad so as to deliver the shuttle 36 between the housing case 40A and the outside.
  • the transfer arm 42A includes a fixing portion 42Ad fixed to the floor plate 40Ab of the housing case 40A, and a flat slide portion 42As (hereinafter referred to as “first”) supported so as to be movable in a direction passing through the window portion 40Ah with respect to the fixing portion 42Ad. (Also referred to as “1 slider mechanism”) (see FIG. 12A), a T-shaped arm 42Ah (hereinafter referred to as “first support mechanism”) supported so as to be movable in a direction passing through the window 40Ah with respect to the slide part 42As. ").
  • Mount portions 42Aa, 42Ab, and 42Ac that can be engaged with the second set of hemispherical portions 44B of the shuttle 36 as described above are provided on the upper surface of the arm 42Ah.
  • the arm 42Ah can pass through the window 40Ah while supporting the shuttle 36.
  • the arm 42Ah is positioned with respect to the Y direction, the Z direction, the ⁇ z direction, and the center of the housing case 40A by the Y axis drive unit 54A, the Z axis drive unit 54B, the rotation drive unit 54C, and the transfer arm 42A. It can move in the radial direction. Supported by the arm 42Ah of the transfer arm 42A in a state where the housing case 40A is at the center of the movement stroke in the Z direction and the auxiliary table 46A in the load lock chamber 14B of the exposure apparatuses 12A to 12J is at the center of the movement stroke in the Z direction.
  • the height of the shuttle 36 to be supported and the height of the shuttle 36 supported by the auxiliary table 46A are substantially the same.
  • the second shuttle carrier 32B for transporting the shuttle 36 holding the exposed wafer W includes a pair of guide members 34B arranged in parallel along the Y direction above the guide members 34A.
  • the guide member 34B has a flat plate-like support member 41B supported so as to be driven in the Y direction by the Y-axis drive unit 54D. Both ends of the guide members 34A and 34B in the Y direction are fixed to the floor surface via a common frame (not shown).
  • a box-shaped storage case 40B in which the transfer arm 42B is stored is disposed on the bottom surface side of the support member 41B.
  • the storage case 40B is disposed above the storage case 40A.
  • the shuttle carrier 32B also has a Z-axis drive unit 54E that moves the storage case 40B in the Z direction with respect to the support member 41B (see FIG. 7), and a rotation that rotates the storage case 40B in the ⁇ z direction with respect to the Z-axis drive unit 54E. And a drive unit 54F.
  • the storage case 40B is a rectangular parallelepiped box-shaped member (hereinafter also referred to as “second container”) surrounded by a plurality of side walls, like the storage case 40A, and a wafer 40B is placed in the internal space 40Bg.
  • a transfer arm 42B for supporting W is accommodated.
  • a window 40Bh is also formed on the front surface of the housing case 40B.
  • the transfer arm 42B includes a fixed portion 42Bd fixed to the floor plate of the housing case 40B, and a flat slide portion 42Bs (hereinafter referred to as “second”) supported so as to be movable in a direction passing through the window portion 40Bh with respect to the fixed portion 42Bd.
  • a T-shaped arm 42Bh (hereinafter referred to as “second support mechanism”) supported so as to be movable in a direction passing through the window 40Bh with respect to the slide part 42Bs. Also called).
  • Mount portions 42Ba, 42Bb, and 42Bc that can be engaged with the second set of hemispherical portions 44B of the shuttle 36 as described above are provided on the upper surface of the arm 42Bh.
  • the arm 42Bh can pass through the window portion 40Bh while supporting the shuttle 36.
  • the windows 40Ah and 40Bh may be closed by a shutter (not shown).
  • the arm 42Bh can move in the radial direction with respect to the Y direction, the Z direction, the ⁇ z direction, and the center of the housing case 40B.
  • the arm 42Bh of the transfer arm 42B The height of the shuttle 36 supported is substantially the same as the height of the shuttle 36 supported by the auxiliary table 46B.
  • the housing case 40A of the first shuttle carrier 32A moves in the Y direction as indicated by the arrow A5 in FIG. 2, rotates in the ⁇ z direction as indicated by the arrow A7 as necessary, and via the transfer arm 42A,
  • the shuttle 36 holding the unexposed wafer W is transferred from the relay table 22C of the alignment unit 18 to the auxiliary table 46A in the load lock chamber 14B of the exposure apparatuses 12A to 12j. After this loading, the process returns to the alignment unit 18 and the operation of loading the shuttle 36 holding another unexposed wafer W into the exposure apparatuses 12A to 12j is repeated.
  • the storage case 40B of the second shuttle carrier 32B moves in the Y direction as indicated by the arrow A6, rotates in the ⁇ z direction as indicated by the arrow A8 as necessary, and exposes via the transfer arm 42B.
  • the shuttle 36 holding the exposed wafer W is transferred from the auxiliary table 46B in the unload lock chamber 14C of the apparatuses 12A to 12J to the relay table 22D of the alignment unit 18. After this unloading, the process returns to the exposure apparatuses 12A to 12J, and the operation of unloading the shuttle 36 holding another exposed wafer W from another auxiliary table 46B to the relay table 22D of the alignment unit 18 is repeated.
  • shuttle 36 supported by auxiliary table 46A in load lock chamber 14B is conveyed to the upper surface of stage apparatus WST by a robot hand (not shown). Then, exposure is performed on the wafer W held by the shuttle 36 supported by the stage apparatus WST. The shuttle 36 that holds the exposed wafer W is unloaded from the stage apparatus WST to the auxiliary table 46B in the unload lock chamber 14C, as indicated by an arrow A3. At this time, during the normal operation of the present embodiment, the height of the shuttle 36 held by the transfer arm 42A in the housing case 40A of the shuttle carrier 32A and the shuttle 36 supported by the auxiliary table 46A in the load lock chamber 14B.
  • the height of the shuttle 36 supported by the auxiliary table 46A and the height of the shuttle 36 supported by the stage device WST are substantially equal. Therefore, the shuttle 36 holding the unexposed wafer W can be efficiently carried in a short time from the shuttle carrier 32A to the stage apparatus WST via the auxiliary table 46A in the load lock chamber 14B. For this reason, the throughput of the exposure process can be improved.
  • the shape of the plurality of air outlets 48Aa and 49Aa is a rectangle elongated in the Y direction (a method perpendicular to the window), and the shape and number of the air outlets 48Ba and 49Ba are the same as the shape of the air outlets 48Aa and 49Aa. It is almost the same as the number.
  • the present invention is not limited to this.
  • the shape and the number of the plurality of exhaust ports 48Ba and 49Ba may be different from the shape and the number of the air ports 48Aa and 49Aa.
  • the temperature-adjusted clean gas (for example, air) blown from the air conditioner main body 75 controlled by the sub-control system 72A in FIG. 10 passes through the dehumidifying part 78, the blower fan part 80, and the piping 82A. 7 is supplied to the air passage 48A on the side wall of the housing case 40A.
  • the gas may have characteristics such as pressure, temperature, and humidity set in the same manner as the gas GC, or the gas GC itself may be supplied.
  • the supplied gas (GC) is blown in the ⁇ X direction (a direction parallel to the shuttle 36) into the space 40Ag in which the transfer arm 42A (the shuttle 36 holding the wafer W) is accommodated via the blower opening 48Aa on the side wall. Is done.
  • the target temperature of the gas blown into the space 40Ag is set to the target temperature of the wafer W being transferred.
  • a temperature sensor (not shown) is arranged in the housing case 40A, and the temperature of the gas is adjusted by the air conditioner main body 75 so that the temperature of the gas (atmosphere) measured by the temperature sensor becomes the target temperature. You may control. *
  • the blown gas is exhausted toward the pipe 84A through the exhaust port 48Ba and the exhaust path 48B on the side wall of the housing case 40A.
  • the gas guided to the pipe 84A is returned to the air conditioner main body 75 via the exhaust fan part 86 and the filter part 88 of FIG. 9 as indicated by an arrow B2, and again enters the housing case 40A via the pipe 82A.
  • the filter unit 88 includes, for example, a dustproof filter (for example, an ULPA filter (ultra-low-penetration-air-filter)) and a chemical filter.
  • the air conditioner main body 75, the dehumidifying part 78, the blower fan part 80, the pipes 82A and 84A, the exhaust fan part 86, the filter part 88, and the air passage 48A and the exhaust path 48B of the housing case 40A are included.
  • a local air conditioning system 76A for the shuttle carrier 32A that supplies clean and dehumidified gas to the local space 40Ag in which the shuttle 36 is accommodated is configured.
  • the exhaust fan unit 86 can be omitted.
  • a local air conditioning system 76B for the shuttle carrier 32B is also provided.
  • the temperature-adjusted gas B3 supplied from the air conditioner main body 75 of the local air conditioning system 76B is sent to the space 40Bg in the housing case 40B via the dehumidifying part 78, the blower fan part 80, and the pipe 82B.
  • the blown gas is returned to the air conditioner main body 75 via the pipe 84B, the exhaust fan 86, and the filter 88 as indicated by an arrow B4.
  • the flexible pipes 82A to 84B and the signal cable (not shown) are collectively arranged in a flexible cover member (not shown) (member for supplying power), and the cover member is guided. You may arrange
  • the air exhausted from the housing cases 40A, 40B may not be collected by the air conditioner main body 75.
  • the exhausted gas is exhausted to the outside of the clean room through the filter unit, and the air conditioner body unit 75 is configured to supply the gas taken from the atmosphere to the housing cases 40A and 40B through the filter unit. May be.
  • the shuttle transport system 30 does not include the air conditioner main body 75, but allows gas supplied from a gas supply source (not shown) provided in the factory to pass through the filter unit, the dehumidifying unit, the temperature control unit, and the like. You may supply to storage case 40A, 40B.
  • the air conditioner can be significantly downsized and the manufacturing cost of the air conditioner can be greatly reduced as compared to the case where the entire conveyance path along which the housing cases 40A and 40B move is air-conditioned with high accuracy.
  • FIG. 8 a ring-shaped flange portion 232 and a measurement frame 234 are attached to the electron beam irradiation device 15 of the exposure apparatus 12A, and the flange portion 232 is supported by a frame (not shown) via a vibration isolator (not shown).
  • the electron beam irradiation device 15 is installed in the opening at the top of the vacuum chamber 13A.
  • a bellows 13Ab having a certain degree of flexibility is provided between the peripheral edge of the flange portion 232 of the electron beam irradiation device 15 and the opening of the vacuum chamber 13A via a ring-shaped attachment portion 13Aa.
  • the bellows 13Ab seals between the flange portion 232 and the opening of the vacuum chamber 13A, and the degree of vacuum of the exposure chamber 14A in the vacuum chamber 13A is maintained high.
  • the transfer port 14Bd between the exposure chamber 14A and the load lock chamber 14B in the adjacent vacuum chamber 13B is opened and closed by the shutter 14Bc, and the transfer port 14Bb between the load lock chamber 14B and the outside thereof is opened and closed by the shutter 14Ba.
  • the boundary portion between the exposure chamber 14A and the unload lock chamber 14C (not shown) is similarly configured.
  • a stage device WST as a so-called wafer stage for moving a shuttle 36 holding the wafer W under the electron beam irradiation device 15 and a robot hand 46E are installed.
  • the robot hand 46E has an arm 46Ea that can be driven in the X direction, the Y direction, the Z direction, and the ⁇ z direction.
  • the same arrangement as the second set of hemispherical parts 44B of the shuttle 36, and mounting parts 47D, 47E, similar to the mounting parts 47A, 47B, 47C of the stage device WST, are provided.
  • 47F is provided on the upper surface of the substantially T-shaped arm 46Ea.
  • the arm 46Ea supports the hemispherical portion 44B of the shuttle 36 via the mount portions 47D to 47F by the kinematic coupling method.
  • terminal portions 94A4 and 94B4 having flexibility in the Z direction are fixed so as to be able to contact the terminal portions 51A2 and 51B2 of the shuttle 36.
  • a voltage for electrostatic adsorption can be supplied to the terminal portions 94A4 and 94B4 via a signal cable (not shown) from the power supply unit 220c (part of the electrostatic adsorption device EH1) in FIG. 9B.
  • the terminal portions 94A2 and 94B2 of the arm 46Ea come into contact with the terminal portions 51A2 and 51B2 of the shuttle 36.
  • electrostatic chucking of the wafer W to the shuttle 36 is continued, and the wafer W is stably held.
  • the robot hand 46E transfers the shuttle 36 between the auxiliary table 46A in the load lock chamber 14B and the auxiliary table 46B (see FIG. 2) in the unload lock chamber 14C and the stage device WST.
  • the stage apparatus WST is inserted into a surface parallel to the XY plane of the base member 200 through a movable stage 204 placed via a support unit 202 such as a magnetic bearing, and a hollow part 204c that penetrates the movable stage 204 in the X direction. And a movable portion 210 that is connected to the bottom surfaces of both ends in the X direction of the guide portion 206 and extends in the Y direction.
  • the movable stage 204 can move with a predetermined stroke in the Y direction with respect to the guide unit 206 and also move within a predetermined range in the X direction, the Y direction, the Z direction, the ⁇ x direction, the ⁇ y direction, and the ⁇ z direction. Or it is rotatable.
  • a closed magnetic type and moving magnet type drive motor 208 is configured to be driven in the direction including six degrees of freedom.
  • the movable unit 210 is provided with a drive motor 212 such as a linear motor that can drive the movable unit 210 (and the movable stage 204) with respect to the base member 200 in the Y direction with a predetermined stroke.
  • Mounted portions 47A, 47B, and 47C that can be engaged with the first set of hemispherical portions 44A of the shuttle 36 are provided in the concave portion 204a on the upper surface of the movable stage 204.
  • the terminal portions 94A1, 94B1 movable in the Z direction provided in the recess 204a come into contact with the terminal portions 51A1, 51B1 of the shuttle 36.
  • the arm 46Ea of the robot hand 46E is inserted between the rear surface of the shuttle 36 and the movable stage 204 in a state where the first set of hemispherical parts 44A of the shuttle 36 is supported by the mounting parts 47A to 47C of the movable stage 204.
  • the mount portions 47D to 47F of the arm 46Ea can be engaged with the second set of hemispherical portions 44B of the shuttle 36. Therefore, the shuttle 36 can be transferred between the movable stage 204 and the auxiliary tables 46A and 46B via the robot hand 46E.
  • L-shaped connecting pipes 39G and 39I that can be connected to the connecting pipes 39A and 39C of the shuttle 36 are provided in the recess 204a of the movable stage 204 so as to be rotatable to some extent. .
  • the connecting pipes 39G and 39I are connected to the connecting pipes 39A and 39C of the shuttle 36 via O-rings 39Ga and the like, respectively.
  • the opening / closing valves 39D and 39F are opened by two rotating portions 39J (one rotating portion is not shown) provided in the recess 204a.
  • the exposure chamber 14A is in a high vacuum state, and the wafer W is electrostatically attracted to the shuttle 36 during exposure of the wafer W, and the connecting tube 39G has flexibility from the gas supply unit 220a of FIG.
  • a clean gas GH that is inert and has good thermal conductivity and is cooled and dehumidified is supplied through the pipe 93A.
  • the supplied gas GH is purged into the space 37S between the wafer W and the shuttle 36 through the vent hole 38C and the air supply hole 38D.
  • the gas GH supplied to the space 37S flows to the connecting pipe 39I through the exhaust hole 38F, the vent hole 38E, and the connecting pipe 39C.
  • the gas GH that has flowed through the connecting pipe 39I is recovered by the gas recovery unit 220b of FIG.
  • the recovered gas GH is returned to the gas supply unit 220a through the cooling unit, the dehumidification filter, and the dustproof filter in the gas recovery unit 220b, and is supplied again to the space 37S through the connecting pipe 39G.
  • the connecting pipes 39G and 39I, the pipes 93A and 93C, the gas supply part 220a, and the gas recovery part 220b are part of the gas supply apparatus VH1.
  • the gas GH it is preferable to use a gas having a thermal conductivity k higher than that of air (2.4 (10 ⁇ 2 Wm ⁇ 1 K ⁇ 1 ) at 0 ° C. and 1 atm).
  • a gas having a thermal conductivity k higher than that of air (2.4 (10 ⁇ 2 Wm ⁇ 1 K ⁇ 1 ) at 0 ° C. and 1 atm).
  • a heat conductive gas such a gas is called a heat conductive gas.
  • helium gas (k is 0 ° C., 1 atm, 14.2 (10 ⁇ 2 Wm ⁇ 1 K ⁇ 1 ) as a heat conductive gas (gas GH) having a thermal conductivity k approximately six times that of air. )).
  • the thermal conductivity of the gas GH is about 3.0 (10 ⁇ 2 Wm ⁇ 1 K ⁇ 1 ) by setting the pressure of injected helium to about 500 Pa at the temperature of 23 ° C. I made it.
  • the gas GH may leak from the space 37S. It is sufficient to set an appropriate pressure while balancing with the above.
  • the gas GH has good thermal conductivity, when the temperature of the wafer W and the shuttle 36 rises due to electron beam exposure, the heat accumulated in the shuttle 36 can be discharged via the gas GH. The temperature rise of the wafer W can be suppressed. For this reason, thermal deformation of the wafer W can be suppressed, and the wafer W can be exposed with high accuracy.
  • the gas GH instead of helium gas, neon having a thermal conductivity k approximately twice that of air or a dehumidified inert gas such as nitrogen having a thermal conductivity k substantially equal to that of air may be used.
  • the force applied to the wafer W is prevented from changing by making the pressure of the clean dry air (CDA) purged in the space 37S and the pressure of the gas GH substantially equal in the alignment unit 18. But not necessarily equal. For example, different pressures may be used as long as the shape of the wafer W does not change even if the force applied to the wear W changes.
  • CDA clean dry air
  • the ⁇ X direction end and the ⁇ Y direction end are periodic in the X and Y directions, respectively.
  • Two-dimensional predetermined-shaped diffraction gratings 224A to 224C are provided.
  • the height of the surfaces of the diffraction gratings 224A to 224C is substantially the same as the height of the upper surface (the surface of the wafer W) of the shuttle 36 held by the movable stage 204.
  • the widths of the diffraction gratings 224A to 224C in the X direction and the Y direction are set larger than the movement stroke of the movable stage 204 in the X direction and the Y direction.
  • the bottom surface (the surface on the stage device WST side) of the measurement frame 234 of the electron beam irradiation device 15 is arranged in the X direction, Y direction, and the corresponding diffraction grating so as to face the diffraction gratings 224A and 224B of the movable stage 204.
  • Detection head portions 226A, 226B, and the like that detect positions with three degrees of freedom in the Z direction (relative positions with respect to the electron beam irradiation device 15) are provided.
  • An encoder device EN1 for measuring the position of the movable stage 204 in the direction of six degrees of freedom with respect to the electron beam irradiation device 15 at a predetermined sampling rate is configured from the diffraction grating 224A and the like and the detection head unit 226A and the like.
  • the position detected by the detection head unit 226A and the like is supplied to the stage position measurement unit 216 of the control system 12Ac, and the stage position measurement unit 216 has six degrees of freedom of the movable stage 204 with respect to the electron beam irradiation device 15 from the supplied position.
  • the direction position is calculated, and the calculated position is supplied to the stage control unit 218.
  • the stage control unit 218 drives the drive motors 208 and 212 so that the measured position (trajectory) becomes the position (target trajectory) supplied from the exposure control unit 220.
  • mark detectors 230A and 230B for detecting the position of the mark of the shuttle 36 held on the movable stage 204 are provided on the bottom surface of the measurement frame 234.
  • the detection results of the mark detectors 230A, 230B, etc. are supplied to the shuttle position measuring unit 232 of the control system 12Ac.
  • the shuttle position measurement unit 232 calculates the position of the six-degree-of-freedom direction of the shuttle 36 with respect to the electron beam irradiation device 15 from the detection result of the mark detector 230A and the like, and supplies the calculated result to the exposure control unit 220.
  • the drive motor 208 is driven via the stage control unit 218 so that the position of the six-degree-of-freedom direction of the shuttle 36 becomes a target position.
  • alignment information is supplied in advance to the exposure control unit 220 via the host computer 62.
  • the exposure control unit 220 obtains the position of a predetermined wafer mark on the wafer W from the position of the shuttle 36 supplied from the shuttle position measurement unit 232 and its alignment information, and uses the information on the position of the wafer mark as the stage control unit. 218.
  • the stage controller 218 drives the drive motors 208 and 212 so that the wafer W held on the shuttle 36 moves along a predetermined target locus with respect to the electron beam irradiation device 15. Further, under the control of the exposure control unit 220, the control system 222 of the electron optical system controls a plurality of electron beams irradiated on the wafer W from the electron beam irradiation device 15 in synchronization with the operation of the drive motors 208 and 212. Control on / off. As a result, the target pattern can be exposed on the entire surface of the wafer W with high accuracy and high overlay accuracy.
  • the exposure control unit 220 controls the operations of the robot hand 46E and the gas supply unit 220a, the gas recovery unit 220b, and the power supply unit 220c of FIG. 9B.
  • the control system of the exposure system (including the shuttle transport system 30) comprises a computer and controls the main controller 60 that controls the operation of the entire apparatus and the operations of the shuttle carriers 32A and 32B.
  • the main controller 60 controls the operations of the sub control systems 72A and 72B, the control systems 64A to 64C, and the control system 66.
  • main controller 60 transmits and receives various control information (including information indicating the timing of delivery of shuttle 36) to and from exposure control systems 12Ac to 12Jc of exposure apparatuses 12A to 12J via host computer 62. .
  • the main controller 60 controls the operation of the stage 24a of the alignment system 24 via the stage control system 68A, and the shot arrangement of the wafer W obtained by processing the detection result of the mark detection system 24b by the signal processing unit 68B.
  • Information is supplied to the exposure control systems 12Ac to 12Jc via the host computer 62.
  • control systems 74A and 74B for controlling the operations of the Y-axis drive unit 54A, the Z-axis drive unit 54B, and the rotation drive unit 54C of the shuttle carrier 32A are connected to the sub-control system 72A.
  • the sub-control system 72A controls the operation of the control systems 74A and 74B, and controls the operation of the air conditioner main body 75 of the local air conditioning system 76A.
  • control systems 74A and 74B for controlling the operations of the Y-axis drive unit 54D, the Z-axis drive unit 54E, and the rotation drive unit 54F of the shuttle carrier 32B are connected to the sub-control system 72B.
  • the sub-control system 72B controls the operation of the control systems 74A and 74B, and controls the operation of the air conditioner main body 75 of the local air conditioning system 76B.
  • step 102 in FIG. 11A the shuttle 36 holds the unexposed wafer W.
  • the shuttle 36 on which the wafer W is not placed is placed in advance on the position A11 on the stage 24a of the alignment system 24 via the temperature adjustment table 22A from the shuttle stocker 20C by the robot hands 26C and 26D.
  • the wafer W is held by the shuttle 36 by lowering the wafer W coated with the unexposed electron beam resist from the wafer cassette 20A to the shuttle 36 by the robot hand 26B.
  • step 104 electrostatic adsorption is started on the shuttle 36 of the wafer W by the electrostatic adsorption device EH1, and the opening / closing valve 39D of the shuttle 36 is opened (assuming that the opening / closing valves 39E and 39F are closed).
  • Supply of the dehumidified clean gas GC (here, clean dry air) to the space 37S between the wafer W and the shuttle 36 is started via the connecting portion 39H2 of the stage 24a by the supply device VH1. Further, the electrostatic adsorption of the wafer W to the shuttle 36 may be started with the gas GC supplied, or may be performed simultaneously.
  • step 106 the alignment of the wafer W is performed using the alignment system 24.
  • the alignment information is supplied to the exposure control system 12Ac of the exposure apparatus 12A that exposes the wafer W.
  • step 108 the robot hand 26D moves the shuttle 36 holding the aligned wafer W from the stage 24a to the position A12 on the relay table 22C.
  • the gas GC is supplied through the connecting pipe 39H3.
  • the storage case 40 ⁇ / b> A of the shuttle carrier 32 ⁇ / b> A is moved to a position close to the alignment unit 18.
  • the arm 42Ah of the transfer arm 42A is extended in the ⁇ Y direction through the window 40Ah of the housing case 40A, and the shuttle 36 is received from the relay table 22C by the arm 42Ah. Further, the arm 42Ah holding the shuttle 36 is accommodated in the accommodation case 40A, and the accommodation case 40A (and the transfer arm 42A) is moved to the front of the load lock chamber 14B of the exposure apparatus 12A. At this time, the electrostatic adsorption of the wafer W by the electrostatic adsorption device EH1 and the supply of the gas GC to the space 37S by the gas supply device VH1 are continued.
  • the open / close valves 39D and 39F of the shuttle 36 are closed, the open / close valve 39F is opened, and the gas GC is supplied to the space 37S via the connecting pipe 39H of the transport arm 42A.
  • the housing case 40A For example, during the movement of the housing case 40A, the atmospheric pressure in the load lock chamber 14B is released to the atmospheric pressure, and the shutter 14Ba is opened. Then, as shown by an arrow A14 in FIG. 12A, the housing case 40A is rotated so that the window 40Ah of the housing case 40A faces the load lock chamber 14B of the exposure apparatus 12A, and the housing case 40A is slightly moved. Move in + Z direction. Further, in step 110, as indicated by an arrow A15 in FIG. 12A, the arm 42Ah of the transfer arm 42A supported by the housing case 40A is passed through the window 40Ah and the window 14Bb of the load lock chamber 14B to load lock.
  • the auxiliary table 46A in the chamber 14B moves slightly upward, and the storage case 40A (and the arm 42Ah) is lowered.
  • the shuttle 36 is transferred from the arm 42Ah to the auxiliary table 46A, and the connecting portion 39G1 of the auxiliary table 46A is connected to the connecting pipe 39A of the shuttle 36.
  • the electrostatic adsorption of the wafer W to the shuttle 36 is continued through the terminal portions 94A5 and 94B5 of the auxiliary table 46A, the open / close valve 39D is opened, and the space 37S is connected via the connecting portion 39G1 of the auxiliary table 46A.
  • the supply of gas GC to is continued.
  • the application of the electrostatic adsorption voltage to the terminal portions 94A2 and 94B2 of the transfer arm 42A is stopped, the open / close valve 39E is closed, and the supply of the gas GC from the transfer arm 42A to the space 37S is stopped.
  • the arm 42Ah is lowered and the connecting portion 39H of the arm 42Ah is removed from the connecting pipe 39B.
  • the arm 42Ah is housed in the housing case 40A, the housing case 40A is rotated so that the window 40Ah of the housing case 40A faces the alignment unit 18, and the housing case 40A (and the transport arm 42A) is moved to the alignment unit 18. Move to a close position.
  • the shutter 14Ba of the load lock chamber 14B is closed, and the exhaust of the load lock chamber 14B is started.
  • the gas GC may be exhausted from the space 37S, but the gas GH is supplied to the space 37S and recovered from the space 37S in step 116 described later.
  • the gas GC may also be exhausted.
  • step 114 the exhaust of the load lock chamber 14B is completed.
  • step 116 the shuttle 36 holding the unexposed wafer W by the robot hand 46E in the exposure chamber 14A is moved from the position P11 on the auxiliary table 46A in FIG. 8 to the position P12 on the movable stage 204 of the stage apparatus WST. To be passed on. At this time, electrostatic attraction of the wafer W to the shuttle 36 is continued through the terminal portions 94A4 and 94B4 of the robot hand 46E.
  • step 118 electrostatic attraction of the wafer W to the shuttle 36 is continued via the terminal portions 94A1 and 94B1 of the movable stage 204, and between the wafer W and the shuttle 36 via the connecting tube 39G of the movable stage 204. Then, supply of the clean and dehumidified gas GH (here, helium gas) to the space 37S and exhaust (recovery) of the gas GH from the space 37S via the connecting pipe 39I are started.
  • the first shuttle carrier 32A repeats the above-described operation to transport the shuttle 36 holding the unexposed wafer W to the exposure apparatuses 12A to 12J.
  • step 122 of FIG. 11B exposure is performed by the electron beam irradiation device 15 on the wafer W held by the shuttle 36 supported by the stage device WST.
  • step 124 the supply and recovery of the gas GH from the movable stage 204 to the space 37S is stopped, the shutter 14Ca of the unload lock chamber 14C is closed, and the inside of the unload lock chamber 14C is evacuated.
  • the robot hand 46E transfers the shuttle 36 holding the exposed wafer W from the stage apparatus WST to the auxiliary table 46B in the unload lock chamber 14C.
  • step 126 the inside of the unload lock chamber 14C is released to atmospheric pressure.
  • step 1208 the shutter 14Ca of the unload lock chamber 14C is opened, the accommodation case 40B of the second shuttle carrier 32B is moved to the front of the unload lock chamber 14C of the exposure apparatus 12A, and the window portion 40Bh of the accommodation case 40B. Is rotated so that the housing case 40B faces the unload lock chamber 14C, and the housing case 40B is slightly moved in the ⁇ Z direction. 12B, the arm 42Bh of the transfer arm 42B of the housing case 40B is supported by the auxiliary table 46B in the unload lock chamber 14C through the window 40Bh and the window portion 14Cb of the unload lock chamber 14C. The shuttle 36 is transferred from the auxiliary table 46B to the arm 42Bh by moving the storage case 40B below the shuttle 36 and raising the housing case 40B.
  • step 130 the electrostatic chucking of the wafer W to the shuttle 36 is continued via the terminal portions 94A3 and 94B3 of the arm 42Bh, the open / close valve 39E is opened, and the space 37S is connected to the arm 42Bh via the connecting portion 39H1. Gas GC is supplied. If the wafer W is not sucked when the wafer W (shuttle 36) is unloaded, step 130 can be omitted. Thereafter, as indicated by an arrow A16 in FIG. 12B, the arm 42Bh is accommodated in the accommodation case 40B. Then, the storage case 40B is rotated so that the window 40Bh of the storage case 40B faces the alignment unit 18 as indicated by an arrow A17. Thereafter, the storage case 40B (and the transfer arm 42B) is moved to a position close to the alignment unit 18.
  • step 132 the arm 42Bh of the transfer arm 42B is moved above the relay table 22D of the alignment unit 18 and the housing case 40B is lowered, so that the shuttle 36 supported by the arm 42Bh is placed on the relay table 22D. Delivered to position A13. Further, the shuttle 36 placed on the relay table 22D is moved to the separation table 22B by the robot hand 26C. Further, in step 134, electrostatic attraction of the wafer W to the shuttle 36 by the electrostatic attraction device EH1 is stopped, and compressed gas is supplied to the connecting portion 39H4 of the separation table 22B by the gas supply device VH1, and the exposure has been completed. The wafer W is received by the robot hand 26A, and the wafer W is moved to the wafer cassette 20B, whereby the wafer W and the shuttle 36 are separated.
  • step 136 the wafer W in the wafer cassette 20B is unloaded to the coater / developer (not shown) via the robot hand (not shown) of the track 16. Further, the shuttle 36 left on the separation table 22B is stored in the shuttle stocker 20C by the robot hand 26C.
  • the second shuttle carrier 32B repeats the above-described operation, and transports the shuttle 36 holding the exposed wafer W from the exposure apparatuses 12A to 12J to the alignment unit 18.
  • the first shuttle carrier 32A transports the shuttle 36 holding the unexposed wafer W from the alignment unit 18 to the exposure apparatuses 12A to 12J
  • the second shuttle carrier. 32B transports the shuttle 36 that holds the exposed wafer W from the exposure apparatuses 12A to 12J to the alignment unit 18, so that adhesion of foreign matter to the unexposed and exposed wafer W can be prevented or suppressed, and the shuttle The conveyance efficiency of 36 is high.
  • the wafer W is held on the shuttle 36 with substantially the same suction force (holding force) by electrostatic attraction from alignment to exposure. For this reason, the change in the relative positional relationship between the wafer W and the shuttle 36 and the deformation amount of the wafer W become extremely small, and high exposure accuracy (such as overlay accuracy) is obtained by performing exposure based on the alignment information. It is done.
  • the shuttle 36 holding the wafer W is transferred by the shuttle transfer system 30 under an atmospheric pressure environment, clean dry air is supplied as the gas GC to the space 37S between the wafer W and the shuttle 36. Further, damage due to electrostatic breakdown or the like of the wafer W and the shuttle 36 is reduced, and generation of foreign matter (contamination) is suppressed. Further, during exposure of the wafer W under the vacuum environment by the exposure apparatus 12A, the gas 37 having been cooled and dehumidified and supplied with clean and high thermal conductivity is supplied to the space 37S. Is reduced, the generation of foreign matter is suppressed, the heat due to electron beam exposure can be efficiently wasted through the gas GH, the temperature rise of the wafer W can be suppressed, and exposure can be performed with high accuracy. Increase device yield.
  • the exposure apparatus 12A of the present embodiment is an exposure apparatus that exposes a wafer W (hereinafter also referred to as a substrate) held on a shuttle 36 (hereinafter also referred to as a substrate holding member) with an electron beam.
  • a gas supply device VH1 (hereinafter also referred to as a gas supply mechanism) that supplies gas GC or GH to the space 37S between the shuttle 36 and the wafer W during at least a part of the period of adsorbing gas.
  • the exposure method using the exposure apparatus 12A is an exposure method in which the wafer W held on the shuttle 36 is exposed by an electron beam.
  • the exposure method uses the shuttle 36 to hold the wafer W and the shuttle 36 holds the wafer W.
  • the wafer W can be continuously held stably by electrostatic adsorption to the shuttle 36 during the transfer of the shuttle 36 (wafer W) from alignment to exposure, the shuttle 36 and the wafer W The relative change in the amount of displacement and the deformation amount of the wafer W become extremely small, and the wafer W can be exposed with high accuracy based on the alignment information.
  • the gas GC is supplied to the space 37S between the wafer W and the shuttle 36, so electrostatic breakdown due to a minute gap and minute etching are performed. The damage of the wafer W and the shuttle 36 due to the above and the generation of foreign matter (contamination) are suppressed.
  • the unexposed wafer W is accommodated in the accommodating case 40A of the shuttle carrier 32A while being mounted on the shuttle 36, and is transferred to the exposure apparatus 12A. For this reason, it is possible to prevent or suppress the adhesion of foreign matter to the unexposed wafer surface. Furthermore, it has a storage case 40B that isolates the exposed wafer W and the entire surface of the shuttle 36 from the outside air, and the shuttle carrier 32B moves the shuttle 36 and the storage case 40B from the exposure apparatus 12A to the alignment unit 18, The adhesion of foreign matter to the exposed wafer W can also be prevented or suppressed.
  • the housing cases 40A and 40B may be configured such that at least a part of the surfaces of the wafer W and the shuttle 36 are isolated from the outside air.
  • the shuttle transport system 30 includes local air conditioning systems 76A and 76B that supply clean gas to the spaces 40Ag and 40Bg in the housing cases 40A and 40B. For this reason, when the shuttle 36 holding the wafer W is moved between the exposure apparatus 12A and the alignment unit 18, foreign matter adhering to the wafer W can be reduced, and the yield of manufactured electronic devices can be improved.
  • the shuttle 36 has a first set of hemispherical portions 44A and a second set of hemispherical portions 44B.
  • the stage 24a, the relay tables 22C and 22D, the stage device WST, and the auxiliary tables 46A and 46B support the shuttle 36 via the first set of hemispherical parts 44A, and the robot hands 26C and 26D and the transfer arm 42A.
  • FIGS. 13 to 16A referred to below portions corresponding to those in FIGS. 6B and 9B are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
  • a plurality of small cylindrical convex portions 38B1 that receive the wafer W may be provided in a region outside the side wall portion 38A of 37Aj at substantially equal angular intervals.
  • an exhaust hole 38F1 for exhausting or sucking gas may be provided in a part of the side wall portion 38A.
  • the exhaust hole 38F1 is not necessarily provided in the side wall portion 38A.
  • the plurality of convex portions 38B1 may not be arranged at equiangular intervals.
  • the air supply hole 38D of the gas supply device VH1 is provided at the center of the shuttle 36, and the exhaust hole 38F is provided at the peripheral edge of the shuttle 36.
  • the cooled gas GH here, helium gas
  • the pressure of the gas GH and the efficiency of exhaust heat are different. There is a risk of temperature distribution in W and shuttle 36.
  • gas is also introduced into the space 37S in the inner region (peripheral portion) near the side wall 38A of the recess 37Aj of the first member 37A of the shuttle 36C.
  • a plurality of air supply holes 38D1 may be provided at substantially equal angular intervals.
  • the gas GH is supplied to the space 37S from the air supply hole 38D at the center and the air supply hole 38D1 at the periphery, and the gas GH is exhausted from the exhaust hole 38F at the periphery, so that the pressure distribution of the gas GH in the space 37S is It becomes more uniform, the temperature distribution on the wafer W and the shuttle 36 becomes uniform, and the deformation of the wafer W is further suppressed.
  • the plurality of air supply holes 38D1 may not be arranged at equiangular intervals.
  • a plurality of air supply holes for supplying the gas GH to the space 37S in the region surrounded by the side wall 38A of the recess 37Aj of the shuttle 36C, as indicated by the shuttle 36D of the third modification of FIG. 38D, 38D1, 38D3, 38D3, etc., and a plurality of exhaust holes 38F1, 38F2, 38F, etc. for exhausting the gas GH may be alternately provided from the center of the region in the radial direction.
  • the pressure distribution of the gas GH in the space 37S becomes more uniform, the temperature distribution of the wafer W and the shuttle 36 becomes uniform, and the wafer W Is further suppressed.
  • the shuttle 36E of the fourth modified example of FIG. 15 in the region surrounded by the side wall 38A of the concave portion 37Aj of the shuttle 36C, the back surface of the wafer W arranged from the central portion toward the peripheral portion is supported. It is also possible to gradually narrow the distance between the wide area portion of the convex portions 38B3, 38B4, 38B5 facing the wafer W and the wafer W so that the resistance to the gas gradually increases toward the outside. This reduces the amount of gas leaking from the space 37S, so that the gas pressure distribution in the space 37S becomes more uniform, and the temperature distribution of the wafer W and shuttle 36 becomes uniform.
  • the shuttle 36E may be housed in a container having a gas supply mechanism.
  • the shuttle 36B has a first member 37A for holding the wafer W and a second member 37B connected to the first member 37A, and the first member 37A has an electrode for electrostatic attraction. Only the parts 50A and 50B are provided.
  • the container 40C that accommodates the shuttle 36B during the transportation of the shuttle 36B is formed so as to cover the two opposite side surfaces and the bottom surface of the shuttle 36B, and the shuttle 36B is mounted on the mounts 40Ca to 40Cc at the center of the container 40C.
  • the hemispherical portion 44A is engaged, and the terminal portions 94A7 and 94B7 installed on the support member 41A3 at the center of the container 40C come into contact with the terminal portions 51A1 and 51B1 of the shuttle 36B, and electrostatic adsorption is performed via the terminal portions 94A7 and 94B7.
  • the voltage for is applied.
  • gas supply parts 40D and 40E are provided in the opposing part of the upper part of the container 40C.
  • the gas supply units 40D and 40E supply the gas GC to the space 37S between the wafer W and the shuttle 36B by supplying the gas GC made of, for example, clean dry air to the space where the shuttle 36B is placed.
  • the gas supply units 40D and 40E of the container 40F in which the shuttle 36B that holds the wafer W being exposed is accommodated, for example, by supplying the gas GH made of helium gas to the space where the shuttle 36B is placed, Gas GH is supplied to the space 37S. Also in this modification, since the gas GC or GH is supplied to the space 37S, damage to the wafer W and the shuttle 36B at the time of electrostatic attraction is suppressed, generation of foreign matters is suppressed, and a cooling effect is also obtained during exposure. It is done.
  • FIG. 16B portions corresponding to those in FIGS. 1, 6B, 9B, and 16A are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
  • FIG. 16B shows a sub-chamber 18A in which the alignment system of the alignment unit 18 of the present embodiment is installed.
  • the hemispherical portion 44A of the shuttle 36B that holds the wafer W is engaged with the mount portions 24e1 to 24e3 of the stage 24a in the sub chamber 18A.
  • the terminal portions 94A6 and 94B6 installed on the support member 41A4 on the upper surface of the stage 24a come into contact with the terminal portions 51A1 and 51B1 of the shuttle 36B, and a voltage for electrostatic adsorption is applied via the terminal portions 94A6 and 94B6.
  • a gas GH made of, for example, clean dry air is supplied into the sub-chamber 18A.
  • Other configurations are the same as those of the first embodiment.
  • the gas GC is sealed in the space 37S between the wafer W and the shuttle 36B.
  • the configuration of the shuttle 36B is simplified, the gas supply device VH1 is unnecessary, damage to the wafer W and the shuttle 36B at the time of electrostatic attraction is suppressed, and generation of foreign matters is also suppressed.
  • a gas GH made of helium gas may be supplied into the sub-chamber 18A. In this case, the gas GH is sealed in the space 37S. For this reason, damage to the wafer W and the shuttle 36B at the time of electrostatic attraction is suppressed, the generation of foreign matter is also suppressed, and a cooling effect is also obtained during exposure.
  • the exposure apparatus 12A of the present embodiment includes the transfer arm 42A and the movable stage 204 to which the shuttle 36B is detachably attached, and the electrostatic chuck EH1 that electrostatically chucks the wafer W to the shuttle 36B.
  • Gas GC or GH is enclosed in a space 37S between 36B and the wafer W.
  • the configuration of the shuttle 36B and the exposure apparatus 12A is simple, the damage to the wafer W and the shuttle 36B during electrostatic adsorption is suppressed, and the generation of foreign matter is also suppressed.
  • the accommodation cases 40A and 40B of the shuttle carriers 32A and 32B can accommodate one shuttle 36
  • the movable part including the accommodation cases 40A and 40B can be downsized.
  • at least one of the storage cases 40A and 40B includes a storage rack that can store a plurality of shuttles 36, and a transfer arm that transfers the shuttle 36 between the storage rack and the auxiliary tables 46A and 46B, and the like. May be provided.
  • the load lock chamber 14B and the unload lock chamber 14C of the exposure apparatuses 12A to 12J are arranged separately in the vertical direction (Z direction), and the housing cases 40A and 40B are respectively separated in the vertical direction.
  • the Y-axis drive units 54A and 54D are moved in the Y direction along the 34A and 34B independently of each other. For this reason, the accommodation cases 40A and 40B can be moved in the most efficient manner.
  • the guide members 34A and 34B may be omitted, and a flat traveling path may be installed at the position of the upper guide member 34B.
  • the storage case 40A is supported via a Z-axis drive unit and a rotation drive unit with respect to a self-propelled moving unit (such as a four-wheel drive unit) that can move along the floor surface.
  • the housing case 40B is supported by a self-propelled moving part that can move along the upper surface of the traveling path via a Z-axis driving part and a rotation driving part.
  • the load lock chamber 14B and the unload lock chamber 14C of the exposure apparatuses 12A to 12J are arranged separately in the vertical direction, but the load lock chamber 14B and the unload lock chamber 14C are arranged in the horizontal direction ( They may be arranged separately in the Y direction). Further, the vacuum chambers 13B and 14B may be used as a load lock chamber and an unload lock chamber, respectively. In these cases, the heights of the storage cases 40A and 40B of the shuttle carriers 32A and 32B may be set to substantially the same height.
  • the shuttle 36 and the like are configured by the first member 37A and the second member 37B, but the shuttle 36 may be configured by one member.
  • the shuttle 36 and the like include the first set and the second set of hemispherical portions 44A and 44B, but the shuttle 36 may include only the first set of hemispherical portions 44A.
  • the number of the hemispherical parts 44A is set to 6 or more, for example, and the transport arms 42A, 42B, etc. support the hemispherical part 44A different from the hemispherical part 44A used in the auxiliary tables 46A, 46B, etc. Also good.
  • the hemisphere portions 44A and 44B are provided in the shuttle 36 or the like.
  • a plurality of (for example, three) portions (engaging portions) having a flat surface, V-shaped groove surface, and conical surface similar to the mount portions 46Aa to 46Ac are provided on the second member 37B such as the shuttle 36.
  • a plurality of hemispherical portions (support members) that can be engaged with a part of these portions may be provided on the arms 42Ah and 42Bh of the assembly arms 42A and 42B.
  • the exposure apparatuses 12A to 12J are arranged in two rows. However, for example, a plurality of exposure apparatuses 12A may be arranged in one row. Further, a plurality of exposure apparatuses 12A and the like may be arranged in three or more rows.
  • the Z-axis drive units 54B and 54E for raising and lowering the storage cases 40A and 40B of the shuttle carriers 32A and 32B are provided. However, the Z-axis drive unit can be omitted.
  • each of the alignment part 18 and the shuttle conveyance system 30 may accommodate each of the alignment part 18 and the shuttle conveyance system 30 in the chamber which can be air-conditioned.
  • a damper device such as an air suspension that reduces high-frequency vibration is provided between the installation surface and the frame that supports the guide members 34A and 34B. Also good.
  • the shuttle 36 that holds the wafer W is transported to the exposure apparatus 12A or the like.
  • the shuttle 36 that holds the wafer W is used as a coating and developing apparatus, a wafer inspection apparatus, various substrate processing apparatuses, or the like.
  • the same transport device as the shuttle transport system 30 can be used when transporting the optical device to a stage, holder, or the like.
  • an electronic device microdevice
  • the exposure system 10 exposure apparatuses 12A to 12J
  • a step 321 for designing the function / performance of the device a step 322 for producing an exposure pattern by a mask (reticle) or an electron beam based on the design step, a step 323 for producing a substrate (wafer) as a substrate of the device,
  • Substrate processing step 324 including a step of exposing a substrate with a mask or an exposure pattern by the exposure system or exposure method according to the embodiment, a step of developing the exposed substrate, a heating (curing) of the developed substrate, an etching step, and the like. Step (dicing process, bonding process, packaging Including working process such as step) 325, and an inspection step 326, and the like.
  • the device manufacturing method includes the steps of forming the substrate (wafer W) through a predetermined pattern using the exposure apparatus (exposure system 10) or the exposure method of the above-described embodiment, And processing the substrate through the pattern.
  • the exposure accuracy of the exposure process can be improved and the throughput can be increased. Therefore, an electronic device can be manufactured with high accuracy and at low cost.
  • the exposure system according to the present embodiment also forms a fine pattern on a glass substrate when manufacturing a mask. It can be suitably applied.
  • an exposure apparatus using a charged particle beam is used as the exposure apparatus.
  • the above-described embodiment can also be applied to an exposure apparatus that uses an EUV exposure apparatus that uses, for example, extreme ultraviolet light (EUV light) such as soft X-rays as an exposure beam. .
  • EUV light extreme ultraviolet light

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Abstract

シャトルに保持されたウエハを電子ビームで露光する露光装置であって、ウエハを保持するシャトルが着脱可能に取り付けられる可動ステージと、シャトルにウエハを静電吸着する静電吸着装置と、静電吸着装置によってウエハを吸着している期間の少なくとも一部で、シャトルとウエハとの間の空間に気体を供給する気体供給装置とを備える。基板の搬送中又は露光中において基板を吸着保持するときの吸着による基板の損傷及び基板からの異物の発生を抑制できる。

Description

露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法
 本発明は、基板を露光する露光技術、及び露光技術を用いるデバイス製造技術に関する。
 半導体素子等の電子デバイス(マイクロデバイス)を製造するためのリソグラフィ工程で使用され、露光ビームとして遠紫外域から真空紫外域にかけての紫外光を用いる露光装置(以下、紫外光露光装置という)においては、解像度を高めるために、露光波長の短波長化、照明条件の最適化、及び投影光学系の開口数をさらに増大するための液浸法の適用等が行われてきた。
 近年では、紫外光露光装置の解像限界よりも微細なピッチの回路パターンを形成するために、紫外光露光装置の解像限界よりも小さい多数の円形スポットを電子ビームで形成し、この電子ビームの円形スポットとウエハとを相対的に走査する電子ビーム露光装置も提案されている(例えば、特許文献1参照)。
 電子ビーム露光装置において、電子ビームによる露光対象物(半導体ウエハ等)の露光は真空中で行われるが、露光前及び露光後の露光対象物は例えば大気圧の雰囲気中を搬送される。このため、搬送時及び露光時の露光対象物の保持に際しては、例えば露光前と露光中とで微小な変形の差等が生じないように考慮することが求められている。
米国特許第7,173,263号明細書
 第1の態様によれば、基板保持部材に保持された基板をエネルギビームで露光する露光装置であって、その基板保持部材が着脱可能に取り付けられる移動体と、その基板保持部材にその基板を静電吸着する吸着機構と、その吸着機構によってその基板を吸着している期間の少なくとも一部で、その基板保持部材とその基板との間の空間に気体を供給する気体供給機構と、を備える露光装置が提供される。
 第2の態様によれば、基板保持部材に保持された基板をエネルギビームで露光する露光装置であって、その基板保持部材が着脱可能に取り付けられる移動体と、その基板保持部材にその基板を静電吸着する吸着機構と、を備え、その基板保持部材とその基板との間の空間に気体が封入されている露光装置が提供される。
 第3の態様によれば、基板保持部材に保持された基板をエネルギビームで露光する露光方法であって、基板保持部材に保持された基板をエネルギビームで露光する露光方法であって、その基板保持部材でその基板を保持することと、その基板を保持するその基板保持部材を着脱可能に移動体に取り付けることと、その基板保持部材にその基板を静電吸着することと、その基板を静電吸着している期間の少なくとも一部で、その基板保持部材とその基板との間の空間に気体を供給することと、を含む露光方法が提供される。
 第4の態様によれば、基板保持部材に保持された基板をエネルギビームで露光する露光方法であって、その基板保持部材でその基板を保持することと、その基板保持部材とその基板との間の空間に気体を封入することと、その基板を保持するその基板保持部材を着脱可能に移動体に取り付けることと、その基板保持部材にその基板を静電吸着することと、を含む露光方法が提供される。
第1の実施形態に係る露光システムの機構部を示す平面図である。 露光システムの機構部の要部を示す斜視図である。 2つのシャトルキャリアの収容ケースを示す斜視図である。 シャトルを示す分解斜視図である。 図5(A)は、シャトルを示す平面図、図5(B)は、シャトルを示す底面図、図5(C)は図5(A)のAA線に沿う断面図である。 図6(A)はシャトルを示す平面図、図6(B)は図6(A)のAA線に沿う断面図である。 2つのシャトルキャリアの収容ケースの内部を示す断面図である。 露光装置の機構部及び制御系を示す一部を切り欠いた図である。 図9(A)はステージ装置の可動ステージに保持されているシャトルを示す断面図、図9(B)は露光装置の制御系の一部を示す図である。 露光システムの制御系を示す図である。 図11(A)は、ウエハの搬入方法の一例を示すフローチャート、図11(B)はウエハの露光方法及び搬出方法の一例を示すフローチャートである。 図12(A)はウエハ搬入時の第1の搬送アームの動作を示す平面図、図12(B)はウエハ搬出時の第2の搬送アームの動作を示す平面図である。 第1変形例のシャトルを示す断面図である。 図14(A)は第2変形例のシャトルを示す断面図、図14(B)は第3変形例のシャトルを示す断面図である。 第4変形例のシャトルを示す断面図である。 図16(A)は第5変形例のシャトル及び気体供給機構を示す断面図、図16(B)は第2の実施形態に係るシャトルを示す断面図である。 電子デバイス製造方法の一例を示すフローチャートである。
 [第1の実施形態]
 第1の実施形態について、図1~図12(B)を参照して説明する。図1は、本実施形態に係る露光システム10の機構部を示す平面図、図2は、図1中の一部の構成を示す図である。図1及び図2において、露光システム10は、例えば半導体デバイス製造工場のクリーンルーム内に設置されている。また、露光システム10は、第1方向に沿って一列に配置され、それぞれ露光光を用いて露光(描画を含む)を行う5台(以下、第1列と称する)の露光装置12A,12B,12C,12D,12E、及び露光装置12A~12Eと平行に一列に配置され露光装置12A~12Eと同様に、露光光を用いて露光を行う5台(以下、第2列と称する)の露光装置12F,12G,12H,12I,12Jを備えている。本実施形態では、露光光の一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。ただし、露光光は、電子ビームに限るものではなく、荷電粒子線(荷電粒子ビーム)、イオンビーム、又は遠紫外域から真空紫外域にかけての紫外光等のエネルギビームを用いてもよい。また、露光装置は少なくとも1台(例えば露光装置12A)あればよい。
 露光装置12Aは、一例としてそれぞれ内部の空間を真空状態まで排気可能な露光用の真空チャンバ13A、及び搬送用の2つの真空チャンバ13B,13Cと、露光対象物(ターゲット)を保持して移動可能なステージ装置WSTと、ステージ装置WSTで保持される露光対象物に電子ビームを照射する電子ビーム照射装置15と、露光対象物の受け渡しを行うためのロボットハンド46E(図8参照)とを備えている。一例として、真空チャンバ13B,13Cは積み重ねるように配置されている(図2参照)。ステージ装置WST及び電子ビーム照射装置15の少なくとも一部は、真空チャンバ13A内の露光室14Aに設置されている。露光室14Aは、露光中には高真空状態に維持されている。本実施形態の露光システム10において、露光装置12A~12J以外の部分は、大気圧環境内に配置されている。
 本実施形態の露光対象物(ターゲット)は、感光剤又は感応剤(電子線レジスト)が塗布された半導体ウエハ(以下、本明細書では「ウエハ」と称する)Wである。ウエハWは、一例として直径300mmで、厚さが700~800μm(例えば775μm)程度の円板状の半導体基板である。また、紫外光露光装置により1回の露光(又は走査露光)で露光される領域の単位である一つのショット(ショット領域)の大きさを26mm×33mmとすると、直径300mmのウエハ(300mmウエハ)の露光面にはほぼ100個のショットが形成される。なお、ウエハWの大きさは任意であり、ウエハWとしては、例えば直径200mm又は450mmなどの基板も使用できる。
 本実施形態では、露光装置12Aの電子ビーム照射装置15は、鏡筒(不図示)内に配置される。電子ビーム照射装置15は、例えば、電子ビームを放出する電子銃を含んでいてもよい。この電子ビーム照射装置15は、例えば、電子ビームを成形可能な成形装置(例えば、任意の形状の開口が設けられた板状の成形絞りや、電磁レンズ等)を含んでいてもよい。また、電子ビーム照射装置15は、例えば、電子ビームを所定の倍率でウエハの表面に結像可能な対物レンズ(例えば、電磁レンズ等)を含んでいてもよい。さらに、電子ビーム照射装置15は、例えば、電子ビームを偏向させる偏向器(例えば、磁場を用いて電子ビームを偏向させる電磁偏向器や、電場を用いて電子ビームを偏向させる静電偏向器等)を含んでいてもよい。また、電子ビーム照射装置15は、例えば、電子ビームの光路に交差する光学面上に形成する像の回転量(つまり、θz方向の位置)、当該像の倍率、及び結像位置に対応する焦点位置の少なくとも一つを調整できる調整器(例えば、電磁レンズ等)を含んでいてもよい。電子ビーム照射装置15は、例えば、ウエハのアライメントを行うために、ウエハに形成されたアライメントマークを検出可能なセンサ(例えば、pn接合やpin接合の半導体を使用した半導体型反射電子検出装置)を含んでいてもよい。なお、鏡筒は必ずしも設ける必要はない。本実施形態では、露光装置12Aは、電子ビーム照射装置15が単一の電子ビームを用いてウエハにパターンを描画又は転写するシングルビーム型の露光装置である場合を想定している。この場合、露光装置12Aは、電子ビーム照射装置15がウエハに照射する電子ビームの断面をサイズ可変の矩形に成形する可変成形型の露光装置であってもよい。または、露光装置12Aは、電子ビーム照射装置15がスポット状の電子ビームをウエハに照射するポイントビーム型の露光装置であってもよい。または、露光装置12Aは、電子ビーム照射装置15が所望の形状のビーム通過孔が形成されたステンシルマスクを用いて電子ビームを所望の形状に成形するステンシルマスク型の露光装置であってもよい。
 或いは、露光装置12Aは、電子ビーム照射装置15が複数の電子ビームを用いてウエハにパターンを描画又は転写するマルチビーム型の露光装置であってもよい。例えば、露光装置12Aは、複数の開口を有するブランキングアパーチャアレイを介して複数の電子ビームを発生させ、描画パターンに応じて複数の電子ビームを個別にオン/オフしてパターンをウエハに描画する露光装置であってもよい。または、例えば、露光装置12Aは、電子ビーム照射装置15が複数の電子ビームを射出する複数の電子放出部を有する面放出型電子ビーム源を備える露光装置であってもよい。 
 なお、電子ビームを用いる露光方法としては、シングルビームで露光対象物にパターンを描画する描画方式、微小マスクのパターンを、電子ビームを介して転写することと、露光対象物を移動することとを繰り返す転写方式、又は他の任意の方式を使用できる。
 本実施形態では、図2に示すように、露光装置12Aの下方の真空チャンバ13B内がロードロック室(以下「第1真空室」ともいう)14Bとなり、上方の真空チャンバ13C内がアンロードロック室(以下「第2真空室」ともいう)14Cとなっている。ロードロック室14B及びアンロードロック室14Cにそれぞれ露光対象物を含む搬送対象物(物体)が載置される補助テーブル46A,46Bが設置されている。一例として、補助テーブル46A,46BはそれぞれU字型であり、補助テーブル46A,46Bは回転角を90°~180°程度の範囲内で制御可能であり、その高さ(Z方向の位置)も所定範囲内で制御可能である。また、ロードロック室14B内の補助テーブル46Aの上面の通常の高さは、露光室14A内のステージ装置WSTの上面の露光時の高さと同じ程度である。
 真空チャンバ13A,13Bの境界部、及び真空チャンバ13A,13Cの境界部にはそれぞれシャッタ(不図示)が設けられ、真空チャンバ13B,13Cの外面にはそれぞれシャッタ14Ba,14Caが設けられている。シャッタ14Ba,14Caは例えばゲートバルブの一部であってもよい。ロードロック室14Bは、搬送対象物の搬入時に一時的に大気圧環境となり、アンロードロック室14Cは、搬送対象物の搬出時に一時的に大気圧環境となる。
 さらに、露光装置12Aは、露光装置全体の動作を制御するためのコンピュータよりなる制御系12Ac(図8参照)を備えている。制御系12Acは、工程管理用のホストコンピュータ62(図8参照)等との間で制御情報等の送信及び受信を行う。露光装置12A~12Eの構成は互いに同一であり、露光装置12F~12Jの構成は露光装置12Aと対称である。露光装置12B,12C~12Jもそれぞれ制御系12Bc,12Cc~12Jcを有する(図9参照)。なお、露光装置12A~12Jの構成は互いに異なっていてもよい。
 以下、露光装置12A~12Jの設置面において、第1列の露光装置12A~12E、及び第2列の露光装置12F~12Jの共通の配列方向に沿ってY軸を取り、Y軸に垂直な方向に沿ってX軸を取り、その設置面に垂直な方向(本実施形態では鉛直方向)に沿ってZ軸を取って説明する。また、X軸、Y軸、及びZ軸に平行な方向をそれぞれX方向、Y方向、及びZ方向として、X軸、Y軸、及びZ軸に平行な軸の回りの方向をそれぞれθx方向、θy方向、及びθz方向として説明する。
 図1において、露光システム10は、不図示のコータ・デベロッパとの間で、電子線レジストが塗布されたウエハWの搬送をインライン方式で行うトラック16と、トラック16を介して搬入されたウエハWのアライメントを行うアライメント部18とを備えている。アライメント部18において、ウエハWは、保持部材であるウエハシャトル(以下、単に「シャトル」と称する)36の表面の凹部37Aj(図4参照)内に載置又は保持される。
 本実施形態において、ウエハWは、シャトル36に保持された状態でアライメントが行われ、その後、各露光装置12A~12Jに搬送される。そして、ウエハWは、シャトル36に保持された状態で電子ビームによる露光が行われ、露光後もシャトル36に載置された状態でアライメント部18に戻される。このため、露光システム10は、ウエハWを保持するシャトル36(搬送対象物)を搬送するためのシャトル搬送系30を備えている。一例として、シャトル搬送系30は、露光前のウエハWを保持するシャトル36を、アライメント部18から露光装置12A~12Jに搬送するための第1のシャトルキャリア32Aと、露光済みのウエハWを保持するシャトル36を、露光装置12A~12Jからアライメント部18に戻すための第2のシャトルキャリア32Bとを備えている。
 シャトルキャリア32A,32Bはそれぞれシャトル36を支持する搬送アーム42A,42Bと、シャトル36を支持する搬送アーム42A,42Bを収容して移動可能な収容ケース40A,40Bとを有する。このように、ウエハWを保持するシャトル36は、アライメント部18と露光装置12A~12Jとの間を繰り返し往復するため、シャトル36をシャトル(ウエハシャトル)と称している。
 ここで、本実施形態のシャトル36の構成につき、図4、図5(A)~図6(B)を参照して説明する。図4は、説明の便宜上、シャトル36からウエハWを分離し、シャトル36を分解した状態を示し、図4には、図2中のロードロック室14B内の補助テーブル46Aも示されている。また、図5(A)、(B)はシャトル36の平面図及び底面図、図5(C)は図5(A)のAA線に沿うシャトル36の断面図、図6(A)はウエハWを取り外したときのシャトル36の平面図、図6(B)は、搬送アーム42Aから補助テーブル46Aにシャトル36を受け渡す場合のシャトル36の断面図である。図4~図6(B)の座標系(X,Y,Z)は、シャトル36を補助テーブル46Aに載置した状態での座標系を示す。
 図4に示すように、シャトル36は、ウエハWが載置される第1部材37A(以下「支持部」ともいう)と、第1部材37Aに対して3箇所で3本のボルトBtを介して連結される平板の環状の第2部材37B(以下「連結部」ともいう)とを有する。第1部材37Aは、ほぼ円形の外形の周縁部に等角度間隔で3箇所の凸部37Anが設けられたような三角形状の平板状部材である。
 第1部材37Aの上面37Aaの中央にウエハWより僅かに大きい直径の円形の凹部37Aj(ウエハWの保持領域)が形成されている。図5(C)に示すように、第1部材37Aの凹部37Aj内にウエハWを載置したときに、第1部材37Aの上面37AaとウエハWの表面とが同じ高さになるように凹部37Ajの深さが設定されている。なお、シャトル36にウエハWを載置する際に、ウエハWを複数の昇降可能なピンで支持する場合には、それらのピン用の開閉可能な貫通孔を第1部材37Aの凹部37Ajに設けてもよい。第1部材37Aの裏面37Abの中央部は、凹部37Ajよりもわずかに大きい円形の凸部37Amとなっている。
 図5(A)に示すように、第1部材37Aの周縁部(凸部37Amの外側の厚さの薄い部分)において、隣接する2つの凸部37Anの間に、それぞれスリット状の切り欠き部Bcを隔てて弾性変形可能な板ばね状の弾性部材としてのフレクシャ部37Ac,37Ad,37Aeが設けられ、フレクシャ部37Ac,37Ad,37Aeの中央の外面にほぼ正方形の平板状の固定部37Af,37Ag,37Ahが一体的に設けられている。固定部37Af,37Ag,37Ahの中央には、それぞれボルトBtを挿通させるための貫通穴37Aiが設けられている。フレクシャ部37Ac,37Ad,37Aeが弾性変形することによって、固定部37Af,37Ag,37Ahは、第1部材37Aの凹部37Ajの中心に対して半径方向(外側又は中心に向かう方向)に変位可能である。
 一方、図4に示すように、第2部材37Bの上面37Baにおいて、第1部材37Aの固定部37Af,37Ag,37Ahに対向する位置にそれぞれ小さい円柱状の台座部37Bc,37Bd,37Beが形成されている。台座部37Bc,37Bd,37Beの中央には、それぞれボルトBt用のねじ穴37Bfが形成されている。第1部材37Aの固定部37Af,37Ag,37Ahが、それぞれボルトBtによって第2部材37Bの台座部37Bc,37Bd,37Beに固定される。言い換えると、第1部材37Aは、フレクシャ部37Ac,37Ad,37Ae及び固定部37Af,37Ag,37Ahを介して第2部材37Bに連結されている。固定部37Af,37Ag,37Ahの貫通穴37Aiの上部の幅は広く形成されているため、ボルトBtの上端は、第1部材37Aの上面37Aaよりも低い位置にある(図5(C)参照)。
 第1部材37Aのフレクシャ部37Ac,37Ad,37Ae及び固定部37Af,37Ag,37Ahと、第2部材37Bの台座部37Bc,37Bd,37Beと、ボルトBtとから、第1部材37Aと第2部材37Bとを変位可能に接続(連結)する3箇所の係合部37C1,37C2,37C3(以下、「接続部」ともいう)が構成されている。このため、第2部材37Bがわずかに変形した場合でも、第1部材37AのウエハWが載置されている部分は変形することがなく、露光中及び搬送中におけるウエハWの変形がきわめて小さい。さらに、第1部材37Aの凸部37Amの裏面と、第2部材37Bの裏面37Bbとはほぼ同一平面上にあるため、シャトル36は全体として一つの平板状部材のように扱うことができる。
 また、シャトル36の第1部材37Aの上面37Aaには、シャトル36のX方向、Y方向、Z方向の位置、及びθx方向、θy方向、θz方向の回転角を含む6自由度の位置を検出可能な複数の2次元マーク及び複数の反射マーク(不図示)が形成されている。なお、これらのマークは省略することができる。
 また、第2部材37Bの裏面37Bbにおいて、台座部37Bc,37Bd,37Beの中間に対応する位置に、第1組の3個の半球状の部材(以下、半球部と称する)44Aが設けられ、第1組の半球部44Aの内側(第2部材37Bの中心方向側)に第2組の3個の半球部44Bが設けられている。第1組の半球部44A(以下「第1連結部材」ともいう)は、シャトル36を露光装置12A~12Jのステージ装置WST及び補助テーブル46A,46B等で支持する際に使用され、第2組の半球部44B(以下「第2連結部材」ともいう)は、シャトル36をシャトル搬送系30の搬送アーム42A,42B等で支持する際に使用される。一例として、半球部44Aと半球部44Bとは同じ大きさである。なお、半球部44Aの大きさと半球部44Bの大きさとを異ならせてもよい。
 半球部44A及び44Bは、一例として球体(ボール)の上部を第2部材37Bの裏面37Abに埋め込むことによって形成できる。または、第2部材37Bの裏面37Abに一体的に凸部を形成しておき、この凸部の表面を半球面状に研磨した部分を半球部44A及び44Bとしてもよい。シャトル36の第1部材37A及び第2部材37B(半球部44A及び44Bを含む)は、一例として熱伝導率の高い絶縁体、例えば絶縁体セラミックスから形成されている。絶縁体セラミックスとしては、例えば窒化アルミニウム(AlN)、酸化アルミニウム(Al23)、又は窒化ケイ素(Si34)などが使用できる。また、ボルトBtは例えば金属製である。また、半球部44A及び44Bを熱膨張率の小さい金属製とすることもできる。
 また、図4に示すように、露光装置12Aの補助テーブル46Aの上面(シャトル36の載置面)に、シャトル36の第1組の3個の半球部44Aと同じ配置で、3個のマウント部46Aa,46Ab,46Acが固定されている。一例として、マウント部46Aa,46Ab,46Acは低熱膨張率の金属製である。また、マウント部46Aaの上部は平面で、マウント部46Abの上部にはV字型の溝部(V字溝)が形成され、マウント部46Acの上部には円錐状の凹部(円錐面)が形成されている。シャトル36をその載置面に載置する際には、3個の半球部44Aをそれぞれマウント部46Aa,46Ab,46Acの平坦面、V字溝、及び円錐面に係合させることで、シャトル36は、自重によってその載置面に対してキネマティックカップリング方式で安定に保持(支持)される。この状態で、シャトル36の裏面とその載置面との間には、シャトル36の受け渡しを行うためのシャトルキャリア32Aの搬送アーム42A(詳細後述)のアーム46Ah(図3参照)を差し込むことができるスペースが確保されている。
 同様に、補助テーブル46Bにもシャトル36用の3個のマウント部46Ba,46Bb,46Bcが固定されている。
 なお、補助テーブル46A,46Bの上面には、図8の露光装置12Aのステージ装置WSTに示すように、シャトル36の第1組の3個の半球部44Aと同じ配置で、溝の方向が互いにほぼ120°で傾斜しているV字溝が形成された3個のマウント部47A,47B,47Cを設けておいてもよい。シャトル36の3個の半球部44Aをマウント部47A,47B,47CのV字溝にそれぞれ係合させることで、シャトル36は自重によってステージ装置WSTの上面に対してキネマティックカップリング方式で安定に保持される。
 また、シャトル36が載置されるシャトルキャリア32A,32Bの搬送アーム42A,42B(詳細後述)のT字型のアーム42Ah,42Bhの上面には、図3に示すように、シャトル36の第2組の3個の半球部44Bと同じ配置で3箇所に例えば金属製のマウント部42Aa,42Ab,42Ac及び42Ba,42Bb,42Bcが固定されている。一例として、マウント部42Aa,42Baの上部には円錐状の凹部(円錐面)が形成され、マウント部42Ab,42Bbの上部にはV字型の溝部(V字溝)が形成され、マウント部42Ac,42Bcの上面は平坦である。シャトル36をアーム42Ah又は42Bhで支持する際には、シャトル36の3個の半球部44Bがそれぞれマウント部42Aa,42Ab,42Ac又は42Ba,42Bb,42Bcにキネマティックカップリング方式で係合する。このため、シャトル36は、自重によってアーム42Ah又は42Bhで安定に保持(支持)される。なお、アーム42Ah又は42Bhの上面の3箇所には、図8のマウント部47A~47Cと同様の溝の方向が互いにほぼ120°で傾斜しているV字溝が形成されたマウント部を設けておいてもよい。
 露光装置12Aの後述のロボットハンド46Eにもシャトル36の3個の半球部44Bに係合可能な配置で、マウント部47A,47B,47Cと同様な形状のマウント部47D,47E,47Fが設けられている(図8参照)。
 また、図6(A)及び(B)に示すように、シャトル36の第1部材37Aの凹部37Ajに、ウエハWの直径よりも僅かに小さい外径のリング状の側壁部38Aが形成され、側壁部38Aの内側に、側壁部38Aと同じ高さの多数の小さい円柱状の凸部38Bが周期的に形成されている。多数の凸部38Bは、例えば多数の三角形の頂点の位置に配置されているが、その配置は任意である。点線で示すように、多数の凸部38B及び側壁部38Aを覆うようにウエハWが載置され、ウエハWの裏面、側壁部38A、及び凹部37Ajの表面で囲まれた空間がほぼ気密な空間37Sとなる。
 また、第1部材37Aの凹部37Ajの内部に、静電吸着用の2つの電極部50A,50Bが埋め込まれ、第1部材37Aの凸部37Amの裏面に、電極部50Aに導通している2つの平板状の端子部51A1,51A2、及び電極部50Bに導通している2つの平板状の端子部51B1,51B2(図6(A)参照)が設けられている。一例として、1組の端子部51A2,51B2は、半球部44Aと係合部37C1の中心とを通る直線に沿って配置され、他の1組の端子部51A1,51B1は、端子部51A2,51B2に対して係合部37C2側にずれた位置に配置されている。
 なお、シャトル36の第1部材37AのウエハWが載置される凹部37Ajの載置面(ウエハWの裏面との接触面)に、窒化チタンアルミニウム(TiAlN)などの摩擦抵抗の高い材料をコーティングしてもよい。また、凹部37Ajの載置面の側壁部38A及び多数の凸部38Bのうち、少なくともウエハWの裏面と接触する部分に、上記窒化チタンアルミニウムなどの摩擦抵抗の高い材料をコーティングしてもよい。このように、摩擦抵抗の高い材料をコーティングすることで、ウエハWが温度変化により伸縮したとき、第1部材37A(シャトル36)に対するウエハWの滑りを抑制することができる。
 図6(B)に示すように、後述の搬送アーム42Aのアーム42Ahの表面の絶縁部41A2には、シャトル36の端子部51A2,51B2に接触可能に、Z方向に可撓性を持つ端子部94A2,94B2が固定されている。端子部94A2,94B2には図10の電源部74Cから可撓性を持つ信号ケーブル92A2,92B2を介して可変の電圧が供給可能である。電源部74C、信号ケーブル92A2,92B2、端子部51A1,51B1、端子部51A2,51B2、及び電極部50A,50Bを含んで、主制御装置60及び制御系12Ac等に制御される静電吸着装置EH1が構成されている。主制御装置60及び静電吸着装置EH1は露光装置12Aの一部であるとみなすこともできる。
 シャトル36の半球部44Bを搬送アーム42Aのマウント部42Aa~42Acで支持し、搬送アーム42Aの端子部94A2,94B2をシャトル36の端子部51A2,51B2に接触させて、電源部74Cから端子部51A2,51B2間に所定の電圧を印加する。このとき、静電吸着装置EH1による静電吸着によってウエハWをシャトル36に安定に保持できる。なお、半球部44A又は44Bを金属製として、第1部材37Aの静電吸着用の2つの電極部を、可撓性を持つ2つの信号ライン(不図示)を介して半球部44A又は44Bのうちの2つの半球部に接続し、これら2つの半球部を端子部として使用することも可能である。
 また、図3に示す搬送アーム42Bのアーム42Bhにも端子部94A2,94B2と同様の端子部94A3,94B3が設けられ、端子部94A3,94B3にも電源部74Cから可撓性を持つ信号ケーブル(不図示)を介して可変の電圧が供給可能である。また、図4に示す補助テーブル46Aには、シャトル36の端子部51A1,51B1と接触可能な可撓性を持つ端子部94A5,94B5が設けられ、端子部94A5,94B5にも電源部74Cから信号ケーブル92A5,92B5を介して可変の電圧が供給可能である。他方の補助テーブル46Bも同様である。このため、搬送アーム42B及び補助テーブル46A,46Bにおいてもシャトル36にウエハWを静電吸着できる。なお、短時間であれば、残留電荷分布によってシャトル36にウエハWを吸着できるとともに、露光後はウエハWとシャトル36との間にある程度の位置ずれが生じても差し支えないため、一例として補助テーブル46A,46B及び搬送アーム42Bでは静電吸着用の端子部94A5,94B5等を省略してもよい。
 また、図6(A)に示すように、シャトル36の第1部材37Aの凹部37Ajの側壁部38Aで囲まれた領域内において、シャトル36の中心部に給気孔38Dが形成され、側壁部38Aの内側の領域(シャトル36の周縁部)にほぼ等角度間隔で給気孔38Dより小さい複数の排気孔38Fが形成されている。図5(C)又は図6(B)に示すように、給気孔38D及び排気孔38Fはそれぞれ第1部材37Aの内部の通気孔38C及び38Eに接続されている。第1部材37Aの凸部37Amの裏面の3箇所(図6(A)参照)に連結管39A,39B,39Cがネジ機構等によって固定され、通気孔38Cの一端及び他端は、それぞれ連結管39A及び39Bに連通し、通気孔38Eが連結管39Cに連通している。さらに、凸部37Amの裏面の近傍において、連結管39A~39Cに、シャトル36の外部で開閉動作を行うことが可能な回転式の開閉バルブ39D,39E,39Fが設けられている。開閉バルブ39A~39Cを閉じることによって、ウエハW、側壁部38A、及び凹部37Ajの表面で囲まれた空間37Sを気密化できる。一方、シャトル36が大気圧の環境下にある状態で、開閉バルブ39D,39Eの少なくとも一方を開いて、後述の図10の気体供給装置VH1又は図9(B)の気体供給部220aから通気孔38Cに所定の気体を供給できる。さらに、開閉バルブ39Fを開いて、図9(B)の排気部220bで通気孔38Eを介して空間37Sの気体を排気することによって、空間37S内の気体の循環(供給及び排気)を行うことができる。なお、開閉バルブ39D~39Fの代わりに、通気孔38C,38E側からシャトル36の外側への気体の流出を阻止する逆止弁等の逆流防止部を設けてもよい。
 図6(B)に示すように、大気圧の環境下で搬送アーム42Aでシャトル36を支持する際には、搬送アーム42Aのアーム42Ahにある程度回転可能に支持されたL字型の配管よりなる連結部39Hの先端部に、オーリング39Haを介してシャトル36の連結管39Bの先端部を差し込み、アーム42Ahに設けた回転部39Jによって開閉バルブ39Eを開く。そして、図10の切り換え制御部90によって、気体源90C中にある気体GCを、可撓性を持つ配管93B及び連結部39Bを介して通気孔38Cに供給する。気体GCとしては、例えば、清浄で低湿度のクリーンドライエアー(CDA)を使用できる。これによって、ウエハWとシャトル36との間の空間37Sに、大気圧よりも低い圧力(例えば、約500Pa)で気体GCが充填又はパージされる。クリーンドライエアーは、除湿フィルタによって湿度が、例えば、30%以下(さらに好ましくは1%以下)になるように除湿されるとともに、ULPAフィルタ(ultra low penetration air-filter)等の防塵フィルタによって微細な異物が除去された空気である。なお、気体GCとしては、クリーンドライエアーの代わりに、除湿された気体、例えば、窒素ガス等の不活性ガスを用いてもよい。また、空間37Sでの気体GCの圧力は、500Paに限定されるものではなく、例えば、気体GCが空間37Sから漏れない範囲で適宜することが可能である。
 ウエハWとシャトル36との間の空間37S中の気体の湿度が30%より高い場合には、ウエハWをシャトル36に静電吸着する際に、空間37S中の気体の水分によって微小な電流が流れて、静電吸着の吸着力が低下する恐れがある。さらに、例えば大気中で静電吸着を行うと、正極側ではシャトル36側に、負極側ではウエハW側にそれぞれ微小ギャップによる微小な静電破壊が生じ、さらに気体中の水がイオン化してウエハWの裏面の例えばシリコン層をエッチングすることによって異物(コンタミネーション)が発生する恐れがある。
 これに対して、本実施形態のように大気圧の環境下で空間37Sに例えばクリーンドライエアーよりなる気体GCをパージすることによって、シャトル36にウエハWを同じ大きさの吸着力で継続して保持できるとともに、微小な静電破壊及びエッチングを抑制して異物の発生を抑制できる。このため、ウエハWに微細なパターンを高精度に露光できる。
 また、補助テーブル46Aにシャトル36を受け渡す際には、図4に示すように、補助テーブル46Aにある程度回転可能に支持されたL字型の配管よりなる連結部39G1の先端部に、オーリングを介してシャトル36の連結管39Aの先端部を差し込み、補助テーブル46Aに設けた回転部39Jによって開閉バルブ39Dを開く。そして、図9の切り換え制御部90から配管93E1を介して空間37Sに気体GCを供給できる。シャトル36の給気孔38D、通気孔38C、連結管39A,39B、連結部39H,39G1、配管93B、切り換え制御部90、及び気体源90Cを含んで、主制御装置60に制御される気体供給装置VH1が構成されている。切り換え制御部90は、回転部39Jによる開閉バルブ39D~39Fの開閉動作を制御する。気体供給装置VH1は露光装置12Aの一部であるとみなすことができる。
 同様に、搬送アーム42Bにも真空吸着用の連結部39H1、配管93D、及び回転部39Jが設けられ(図3参照)、補助テーブル46Bにも、補助テーブル46Aの連結部39E1、回転部39J、及び不図示の配管と同様の真空吸着用の連結部、回転部、及び配管(不図示)が設けられている。気体供給装置VH1によって、搬送アーム42B及び補助テーブル46Bに支持されているシャトル36でも、静電吸着中のウエハWとシャトル36との間の空間37Sに気体GCをパージできる。なお、露光済みのウエハWにおいては、ウエハWとシャトル36との間にある程度の位置ずれが生じても差し支えないため、シャトル36に対する静電吸着を解除し、空間37Sに気体GCを供給しなくともよい。この場合には、搬送アーム42B及び補助テーブル46Bには連結管39H1等を設ける必要がないため、気体供給装置VH1の構成が簡素化できる。
 次に、図1において、アライメント部18は、トラック16を介して搬送されて来た複数枚のウエハWを保管するための第1のウエハカセット20Aと、露光済みの複数枚のウエハWを保管するための第2のウエハカセット20Bと、ウエハWが載置されていない複数のシャトル36を保管するシャトルストッカ20Cとを有する。
 また、アライメント部18は、ウエハWが載置されていないシャトル36を保持してシャトル36の温度を目標温度に維持するための温度調節用テーブル22Aと、シャトル36からウエハWを分離するために使用される分離テーブル22Bと、未露光のウエハWを保持するシャトル36が載置される第1の中継テーブル22Cと、露光済みのウエハWを保持するシャトル36が載置される第2の中継テーブル22Dと、アライメント系24のステージ24aとを有する。
 テーブル22A,22B,22C,22D、及びステージ24aの上面には、それぞれシャトル36の第1組の半球部44Aに係合可能な図4のマウント部46Aa~46Ac(又は図8のマウント部47A,47C等)と同様の3個のマウント部22Aa,22Ba,22Ca,22Da,24eが設けられている。このため、シャトル36は第1組の半球部44Aを介してそれぞれテーブル22A~22D及びステージ24aの上面に安定に載置できる。テーブル22A~22D及びステージ24aはそれぞれ保持しているシャトル36のθz方向の回転角及びZ方向の位置を調整できる。
 また、ステージ24aの上面に、図6(A)のシャトル36の端子部51A,51Bに接触可能な端子部94A6,94B6が設けられ、端子部94A6,94B6にも電源部74Cから信号ケーブル92A6,92B6を介して静電吸着用の電圧が供給可能である。また、テーブル22B,22C、及びステージ24aの上面に、図6(B)の連結部39Hと同様の連結部39H4,39H3,39H2、及び回転部39Jと同様の回転部(不図示)が設けられている。連結部39H2,39H3をシャトル36の連結管39Aに連結し、図9の切り換え制御部90で配管93E2,93E3を介してシャトル36の空間37Sに気体GCを供給できる。さらに、分離テーブル22Bの連結部39H4をシャトル36の連結管39Aに連結し、切り換え制御部90で配管93Eを介して圧縮気体源90Pから大気圧を超える気圧の気体をシャトル36内に供給することで、シャトル36からウエハWを容易に分離できる。
 さらに、アライメント部18は、アライメント系24と、ウエハWの受け渡しを行うための第1及び第2の多関節型のロボットハンド26A,26Bと、シャトル36の受け渡しを行うための第3及び第4の多関節型のロボットハンド26C,26Dとを有する。ロボットハンド26A,26Bは、それぞれウエハWを上方から負圧によって支持するためのベルヌーイカップBC1,BC2を有する。なお、ベルヌーイカップの代わりに、又はベルヌーイカップと併用して、複数のアームで上方からウエハWの側面を支持するタイプの支持部材を使用してもよい。ロボットハンド26C,26Dは、それぞれシャトル36が載置されるT字型のアーム27A,27Bを有する。アーム27A,27B等のX方向、Y方向、Z方向の位置、及びθz方向の回転角がそれぞれ所定範囲内で制御可能である。なお、ウエハW及び/又はシャトル36の搬送効率を高めるために、ロボットハンド26A~26Dの少なくとも一つは複数の互いに独立に移動可能なアームを備えていてもよい。
 アーム27A,27Bの上面にも、シャトル36の第2組の3個の半球部44Bに係合可能な図4のマウント部46Aa,46Ab,46Ac(又は図8のマウント部47A~47C)と同様の形状のマウント部が設けられている。シャトル36は半球部44B及びそれらのマウント部を介してキネマティックカップリング方式で安定にアーム27A,27Bの上面に保持される。さらに、アーム27Bの上面には、図6(B)の連結部39Hと同様の連結部及び回転部39Jと同様の回転部(不図示)が設けられ、端子部94A2,94B2と同様の静電吸着用の端子部(不図示)も設けられている。これにより、アーム27Aで搬送中のシャトル36にウエハWを静電吸着し、空間37Sに気体GCをパージできる。本実施形態において、ロボットハンド26D及び26Cはそれぞれ第1及び第2のシャトルキャリア32A,32Bの構成部材とみなすことができる。
 アライメント部18において、一例として、ロボットハンド26Bが、トラック16を介して搬入された未露光のウエハWを、ウエハカセット20Aに搬送する。また、ロボットハンド26Aが、シャトル36から分離された露光済みのウエハWを、ウエハカセット20Bに搬送する。そして、トラック16側のロボットハンド(不図示)がウエハカセット20B内の露光済みのウエハWをトラック16に移動し、移動された露光済みのウエハWはトラック16を介してコータ・デベロッパ(不図示)に搬出されて現像される。
 アライメント系24は、一例として、ウエハWを保持するシャトル36のX方向、Y方向、及びZ方向を含む6自由度の位置決めを行うステージ24aと、ステージ24aに設けられた回折格子(不図示)及びその位置を検出する検出ヘッド(不図示)を含むエンコーダ装置と、例えば画像処理方式でウエハWの表面の多数のショット(ショット領域)のウエハマーク(不図示)の検出を行うFIA(Fie1d Image A1ignment )方式のマーク検出系24bと、マーク検出系24bの検出結果を処理して例えばエンハンスト・グローバル・アライメント(EGA)方式でウエハWの全部のショットの配列座標を求める信号処理部68B(図10参照)とを有する。ステージ24aは、そのエンコーダ装置で求められるステージ24aの位置に基づいて駆動される。また、シャトル36の着脱時には、ステージ24aは、マーク検出系24bに対して-X方向に引き出すことができる。なお、そのエンコーダ装置の代わりに、レーザ干渉計方式の計測装置を使用してもよい。
 さらに、アライメント系24は、マーク検出時にオートフォーカス方式でウエハWの表面をマーク検出系24bに合焦させるために、例えば光学方式で斜入射方式の多点のオートフォーカスセンサ24cを有する。アライメント系24においては、マーク検出系24bによってシャトル36に設けられたマーク(不図示)の位置も検出できる。
 アライメント部18において、シャトル36に未露光のウエハWを載置する際には、ロボットハンド27Aによってシャトルストッカ20Cから一つのシャトル36を取り出し、シャトル36の3つの半球部44Aがそれぞれ対応するマウント部22Aaに接触するように、シャトル36を温度調節用テーブル22Aの上面に載置する。その後、アライメント系24のステージ24aを-X方向に移動し、ロボットハンド26Dによって温度調節用テーブル22Aからステージ24aの上面にシャトル36を移動する。シャトル36の3つの半球部44Aはステージ24aのマウント部24eに係合し、連結部39H2はシャトル36の連結管39Aに連結され、端子部94A6,94B6はシャトル36の端子部51A1,51B1に接触する。そして、ロボットハンド26Bによってウエハカセット20Aから1枚の未露光のウエハWを取り出し、このウエハWをステージ24aに支持されたシャトル36の凹部37Ajに載置する。さらに、気体供給装置VH1によって連結管39H2を介してシャトル36の空間37Sに気体GCを供給し、静電吸着装置EH1によって端子部94A6,94B6間に電圧を印加することで、ウエハWに損傷が生じない状態でウエハWがシャトル36に静電吸着される。
 この後、ステージ24aをマーク検出系24bの下方に移動して、マーク検出系24bでウエハWの所定のウエハマーク及びシャトル36のマークの位置を検出し、この検出結果を用いてウエハWのアライメントが行われる。検出されるアライメント情報には、ウエハWのショット配列の他に、ウエハWとシャトル36との位置関係の情報も含まれている。このアライメント情報は、図9の主制御装置60及びホストコンピュータ62を介して当該ウエハWを露光する露光装置(ここでは露光装置12Aとする)の露光制御系12Acに供給される。アライメント終了後のウエハWを保持するシャトル36は、ロボットハンド26Dによって静電吸着された状態でステージ24aから取り出されて、シャトル36の半球部44Aがマウント部22Caに係合するように中継テーブル22Cの上面に載置される。中継テーブル22Cの上面にもシャトル36の端子部51A1,51B1間に電圧を印加するための端子部(不図示)が設けられ、ウエハWはシャトル36に静電吸着される。その後、シャトルキャリア32Aによって、シャトル36は露光装置12A~12Jに搬送される。ウエハWは、アライメント時から露光時まで実質的に継続してシャトル36に静電吸着され、ウエハWとシャトル36との相対的な位置関係が変化しない。
 このため、アライメント後のシャトル36とウエハWとの相対的な位置ずれ、及びウエハWの変形(アライメント後のウエハWの歪み)が抑制されて、ウエハWのアライメント情報(各ショットの配列座標)は、ウエハWの搬送中及び露光中に実質的に変化しないため、ウエハWに高い重ね合わせ精度又は露光精度で露光を行うことができる。なお、ウエハW及びシャトル36には残留電荷分布があるため、シャトル36の受け渡し時等にシャトル36内の電極部50A,50B間に所定の電圧が印加されない短い期間が生じても、ウエハWとシャトル36との相対的な位置関係は実質的に変化しないとみなすことができる。
 露光後のウエハWを保持するシャトル36は、後述のように、シャトルキャリア32Bによって、シャトル36の半球部44Aがマウント部22Daに係合するように、中継テーブル22Cの上面に載置される。そして、シャトル36から露光済みのウエハWを離脱させるために、ロボットハンド26CによってウエハWを保持したシャトル36を中継テーブル22Dから取り出して分離テーブル22Bに載置する。この状態で、気体供給装置VH1によって連結部39H4からシャトル36の空間37Sに圧縮気体を供給し、ロボットハンド26AによってウエハWを上方から支持することで、ウエハWがシャトル36から容易に分離される。分離されたウエハWはウエハカセット20Bに搬送される。そして、分離テーブル22B上のシャトル36がロボットハンド26Cによってシャトルストッカ20Cに戻される。
 次に、シャトル搬送系30につき説明する。図3は、シャトル搬送系30の第1及び第2のシャトルキャリア32A,32Bの収容ケース40A,40Bの内部を示す斜視図、図7は、収容ケース40A,40Bの内部を示す断面図である。図1、図2において、未露光のウエハWを保持するシャトル36を搬送するための第1のシャトルキャリア32Aは、第1列の露光装置12A~12Eと第2列の露光装置12F~12Jとの間に、X方向に所定間隔で、且つ、Y方向に沿って平行に配置された1対のガイド部材34Aと、ガイド部材34AにY方向に移動可能に支持された平板状の支持部材41Aと、支持部材41Aをガイド部材34に沿ってY方向に駆動するリニアモータ等のY軸駆動部54Aとを有する。支持部材41Aの上面に箱状の収容ケース40Aが配置され、収容ケース40A内にウエハWを保持するシャトル36を支持する搬送アーム42Aが収容される。また、シャトルキャリア32Aは、支持部材41Aに対して収容ケース40AをZ方向に所定範囲内で移動するZ軸駆動部54Bと(図7参照)、Z軸駆動部54Bに対して収容ケース40Aをθz方向に±90°程度の範囲内で回転する回転駆動部54Cとを有する。
 図3に示すように、収容ケース40Aは、天板40Aa、床板40Ab、背面板40Ac、正面板40Ad、及び2つの側壁40Ae,40Afを有する直方体の箱状部材(以下、「第1容器」ともいう)であり、この内部の空間40Agに搬送アーム42Aが収容されている。正面板40Adに、収容ケース40Aと外部との間でシャトル36を受け渡すための、シャトル36の側面形状よりも大きい矩形の窓部40Ahが形成されている。搬送アーム42Aは、収容ケース40Aの床板40Abに固定された固定部42Adと、固定部42Adに対して窓部40Ahを通過する方向に移動可能に支持された平板状のスライド部42As(以下「第1スライダ機構」ともいう)と(図12(A)参照)、スライド部42Asに対して窓部40Ahを通過する方向に移動可能に支持されたT字型のアーム42Ah(以下「第1支持機構」ともいう)とを有する。アーム42Ahの上面には、上述のようにシャトル36の第2組の半球部44Bに係合可能なマウント部42Aa,42Ab,42Acが設けられている。アーム42Ahは、シャトル36を支持した状態で窓部40Ahを通過できる。
 シャトルキャリア32Aにおいて、Y軸駆動部54A、Z軸駆動部54B、回転駆動部54C、及び搬送アーム42Aによって、アーム42Ahは、Y方向、Z方向、θz方向、及び収容ケース40Aの中心に対して半径方向に移動可能である。収容ケース40AがZ方向の移動ストロークの中央にあり、露光装置12A~12Jのロードロック室14B内の補助テーブル46AがZ方向の移動ストロークの中央にある状態で、搬送アーム42Aのアーム42Ahで支持されるシャトル36の高さと、補助テーブル46Aで支持されるシャトル36の高さとはほぼ同じである。
 また、露光済みのウエハWを保持するシャトル36を搬送するための第2のシャトルキャリア32Bは、ガイド部材34Aの上方に、Y方向に沿って平行に配置された1対のガイド部材34Bと、ガイド部材34BにY軸駆動部54DによってY方向に駆動可能に支持された平板状の支持部材41Bとを有する。ガイド部材34A及び34BのY方向の両端部は共通のフレーム(不図示)を介して床面に固定されている。支持部材41Bの底面側に搬送アーム42Bが収容される箱状の収容ケース40Bが配置されている。収容ケース40Bは収容ケース40Aの上方に配置されている。シャトルキャリア32Bも、支持部材41Bに対して収容ケース40BをZ方向に移動するZ軸駆動部54Eと(図7参照)、Z軸駆動部54Eに対して収容ケース40Bをθz方向に回転する回転駆動部54Fとを有する。
 図3に示すように、収容ケース40Bも、収容ケース40Aと同様に複数の側壁で囲まれた直方体の箱状部材(以下「第2容器」ともいう)であり、この内部の空間40BgにウエハWを支持する搬送アーム42Bが収容されている。収容ケース40Bの正面にも窓部40Bhが形成されている。搬送アーム42Bは、収容ケース40Bの床板に固定された固定部42Bdと、固定部42Bdに対して窓部40Bhを通過する方向に移動可能に支持された平板状のスライド部42Bs(以下「第2スライダ機構」ともいう)と(図12(B)参照)、スライド部42Bsに対して窓部40Bhを通過する方向に移動可能に支持されたT字型のアーム42Bh(以下「第2支持機構」ともいう)とを有する。アーム42Bhの上面には、上述のようにシャトル36の第2組の半球部44Bに係合可能なマウント部42Ba,42Bb,42Bcが設けられている。アーム42Bhは、シャトル36を支持した状態で窓部40Bhを通過できる。なお、収容ケース40A,40B内にシャトル36を支持した搬送アーム42A,42Bが収容されているときには、シャッタ(不図示)によって窓部40Ah,40Bhを閉じておいてもよい。
 シャトルキャリア32Bにおいても、アーム42Bhは、Y方向、Z方向、θz方向、及び収容ケース40Bの中心に対して半径方向に移動可能である。収容ケース40BがZ方向の移動ストロークの中央にあり、露光装置12A~12Jのアンロードロック室14C内の補助テーブル46BがZ方向の移動ストロークの中央にある状態で、搬送アーム42Bのアーム42Bhで支持されるシャトル36の高さと、補助テーブル46Bで支持されるシャトル36の高さとはほぼ同じである。
 第1のシャトルキャリア32Aの収容ケース40Aは、図2の矢印A5で示すようにY方向に移動し、必要に応じて矢印A7で示すようにθz方向に回転し、搬送アーム42Aを介して、アライメント部18の中継テーブル22Cから未露光のウエハWを保持するシャトル36を露光装置12A~12jのロードロック室14B内の補助テーブル46Aに搬入する。この搬入後はアライメント部18に戻り、別の未露光のウエハWを保持するシャトル36を露光装置12A~12jに搬入する動作を繰り返す。一方、第2のシャトルキャリア32Bの収容ケース40Bは、矢印A6で示すようにY方向に移動し、必要に応じて矢印A8で示すようにθz方向に回転し、搬送アーム42Bを介して、露光装置12A~12Jのアンロードロック室14C内の補助テーブル46Bから露光済みのウエハWを保持するシャトル36をアライメント部18の中継テーブル22Dに搬出する。この搬出後は、露光装置12A~12Jに戻り、別の補助テーブル46Bから別の露光済みのウエハWを保持するシャトル36をアライメント部18の中継テーブル22Dに搬出する動作を繰り返す。
 露光装置12A~12Jにおいては、図1の矢印A2で示すように、ロードロック室14B内の補助テーブル46Aで支持されているシャトル36は、不図示のロボットハンドによってステージ装置WSTの上面に搬送され、ステージ装置WSTに支持されているシャトル36で保持されているウエハWに露光が行われる。露光済みのウエハWを保持するシャトル36は、矢印A3で示すように、ステージ装置WSTからアンロードロック室14C内の補助テーブル46Bに搬出される。この際に、本実施形態の通常の動作時には、シャトルキャリア32Aの収容ケース40A内の搬送アーム42Aで保持されるシャトル36の高さと、ロードロック室14B内の補助テーブル46Aで支持されるシャトル36の高さとはほぼ等しく、補助テーブル46Aで支持されるシャトル36の高さとステージ装置WSTで支持されるシャトル36の高さとはほぼ等しい。このため、未露光のウエハWを保持するシャトル36を、シャトルキャリア32Aからロードロック室14B内の補助テーブル46Aを介してステージ装置WSTに効率的に短時間に搬入できる。このため、露光工程のスループットを向上できる。
 次に、図7において、収容ケース40A,40Bの窓部40Ah,40Bhが-Y方向(アライメント部18側)を向いている状態で、収容ケース40A,40Bの+X方向の側壁の内面に複数の送風口48Aa,49Aaが設けられ、これらの送風口48Aa,49Aaは、側壁内の送風路48A,49Aを介して、それぞれ可撓性を有する配管82A,82Bに連通している。また、収容ケース40A,40Bの-X方向の側壁の内面に複数の排気口48Ba,49Baが設けられ、これらの排気口48Ba,49Baは、側壁内の排気路48B,49Bを介して、それぞれ可撓性を有する配管84A,84Bに連通している。
 一例として、複数の送風口48Aa,49Aaの形状はそれぞれY方向(窓部に垂直な方法)に細長い矩形であり、複数の排気口48Ba,49Baの形状及び個数は送風口48Aa,49Aaの形状及び個数とほぼ同じである。ただし、これに限るものではなく、例えば、複数の排気口48Ba,49Baの形状及び個数を送風口48Aa,49Aaの形状及び個数と異ならせてもよい。
 図10の副制御系72Aに制御される空調機本体部75から送風される温度調整された清浄な気体(例えば空気)は、除湿部78、送風ファン部80、及び配管82Aを介して、図7の収容ケース40Aの側壁の送風路48Aに供給される。また、気体は、例えば、圧力や温度、湿度等の特性を気体GCと同様に設定してもよいし、気体GCそのものが供給されるようにしてもよい。供給された気体(GC)は、側壁の送風口48Aaを介して、搬送アーム42A(ウエハWを保持するシャトル36)が収容された空間40Agに-X方向(シャトル36に平行な方向)に送風される。空間40Agに送風される気体の目標温度は、一例として搬送中のウエハWの目標温度に設定されている。このため、例えば収容ケース40A内に温度センサ(不図示)を配置し、この温度センサで計測される気体(雰囲気)の温度が目標温度になるように、空調機本体部75で気体の温度を制御してもよい。 
 送風された気体は、収容ケース40Aの側壁の排気口48Ba及び排気路48Bを介して配管84Aに向けて排気される。配管84Aに導かれた気体は、矢印B2で示すように、図9の排気ファン部86及びフィルタ部88を介して空調機本体部75に戻され、再び配管82Aを介して収容ケース40A内に供給される。フィルタ部88は、例えば防塵フィルタ(例えばULPAフィルタ(ultra low penetration air-filter))及びケミカルフィルタを有する。
 空調機本体部75、除湿部78、送風ファン部80、配管82A,84A、排気ファン部86、フィルタ部88、並びに収容ケース40Aの送風路48A及び排気路48Bを含んで、収容ケース40A内のシャトル36が収容される局所的な空間40Agに清浄で除湿された気体を供給するシャトルキャリア32A用の局所空調系76Aが構成されている。なお、排気ファン部86は省略することが可能である。
 同様に、シャトルキャリア32B用の局所空調系76Bも設けられている。局所空調系76Bの空調機本体部75から供給される温度調整された気体B3は、除湿部78、送風ファン部80、及び配管82Bを介して収容ケース40B内の空間40Bgに送風される。送風された気体は、矢印B4で示すように配管84B、排気ファン部86、及びフィルタ部88を介して空調機本体部75に戻される。可撓性を持つ配管82A~84B及び信号ケーブル(不図示)等をまとめて可撓性を持つカバー部材(不図示)(用力を供給するための部材)内に配置し、このカバー部材をガイド部材34A,34Bの側面に沿わせて配置してもよい。
 なお、局所空調系76A,76Bにおいて、収容ケース40A,40Bから排気された気体を空調機本体部75で回収しない構成とすることもできる。例えば、その排気された気体は、フィルタ部を介してクリーンルーム外に排気され、空調機本体部75は、大気から取り込んだ気体を、フィルタ部を介して収容ケース40A,40Bに供給するように構成してもよい。さらに、シャトル搬送系30では空調機本体部75を備えることなく、工場に備えられている気体供給源(不図示)から供給される気体を、フィルタ部、除湿部、温度制御部等を介して収容ケース40A,40Bに供給してもよい。
 シャトルキャリア32A,32Bの収容ケース40A,40Bをアライメント部18と露光装置12A~12Jとの間で移動する際に、収容ケース40A,40B内のシャトル36を収容した局所的な空間40Ag,40Bgには清浄な気体が常時循環するように供給されている。このため、収容ケース40A,40Bが移動する搬送経路上の微小な異物(コンタミネーション)、及びシャトル36に保持されているウエハWに塗布されている感光剤から発生する気体に含まれる微小な異物等がウエハWに付着することを防止できる。このため、露光装置12A~12Jにおいて、ウエハWに高精度に露光を行うことができ、その後の現像工程における歩留まりを向上できる。また、収容ケース40A,40Bが移動する搬送経路の全体を高精度に空調する場合に比べて、空調装置を大幅に小型化することができ、空調装置の製造コストを大幅に低減できる。
 ここで、露光装置12Aの機構部及び制御系12Acの構成につき、図8~図9(B)を参照して説明する。図8において、露光装置12Aの電子ビーム照射装置15にはそれぞれ輪帯状のフランジ部232及び計測フレーム234が取り付けられ、フランジ部232が、不図示の防振装置を介して不図示のフレームに支持されている。電子ビーム照射装置15は、真空チャンバ13Aの上部の開口内に設置されている。電子ビーム照射装置15のフランジ部232の周縁部と真空チャンバ13Aの開口との間には、輪帯状の取付部13Aaを介してある程度の可撓性を持つベローズ13Abが設けられている。ベローズ13Abによって、フランジ部232と真空チャンバ13Aの開口との間が封止され、真空チャンバ13A内の露光室14Aの真空度が高く維持されている。露光室14Aと、隣接する真空チャンバ13B内のロードロック室14Bとの間の受け渡し口14Bdはシャッタ14Bcによって開閉され、ロードロック室14Bとその外部との間の受け渡し口14Bbはシャッタ14Baによって開閉される。露光室14Aとアンロードロック室14C(不図示)との境界部も同様に構成されている。
 露光室14A内には、電子ビーム照射装置15の下方でウエハWを保持するシャトル36を移動するいわゆるウエハステージとしてのステージ装置WSTと、ロボットハンド46Eとが設置されている。ロボットハンド46Eは、X方向、Y方向、Z方向、及びθz方向に駆動可能なアーム46Eaを有する。一例として、ほぼT字型のアーム46Eaの上面には、シャトル36の第2組の半球部44Bと同じ配置で、ステージ装置WSTのマウント部47A,47B,47Cと同様のマウント部47D,47E,47Fが設けられている。アーム46Eaは、マウント部47D~47Fを介してシャトル36の半球部44Bをキネマティックカップリング方式で支持する。また、アーム46Eaの上面には、シャトル36の端子部51A2,51B2に接触可能に、Z方向に可撓性を持つ端子部94A4,94B4が固定されている。端子部94A4,94B4には図9(B)の電源部220c(静電吸着装置EH1の一部)から不図示の信号ケーブルを介して静電吸着用の電圧が供給可能である。
 シャトル36の半球部44Bがアーム46Eaのマウント部47D~47Fに係合すると、アーム46Eaの端子部94A2,94B2がシャトル36の端子部51A2,51B2に接触する。この状態で端子部94A2,94B2に電源部220cから所定の電圧を印加することで、ウエハWのシャトル36への静電吸着が継続されて、ウエハWが安定に保持される。ロボットハンド46Eは、ロードロック室14B内の補助テーブル46A及びアンロードロック室14C内の補助テーブル46B(図2参照)とステージ装置WSTとの間でシャトル36の受け渡しを行う。
 ステージ装置WSTは、ベース部材200のXY平面に平行な表面に、磁気軸受け等の支持部202を介して載置された可動ステージ204と、可動ステージ204をX方向に貫通する中空部204cに挿通されたガイド部206と、ガイド部206のX方向の両端部の底面に連結されてY方向に延びる可動部210と、を有する。可動ステージ204は、ガイド部206に対して、Y方向に所定ストロークで移動可能であるとともに、X方向、Y方向、Z方向、並びにθx方向、θy方向、及びθz方向でそれぞれ所定範囲内で移動又は回転可能である。ガイド部206内の固定子と、可動ステージ204内の可動子とから、ガイド部206に対して可動ステージ204を、X方向、Y方向、Z方向、及びθx方向、θy方向、及びθz方向を含む6自由度の方向に駆動する閉磁界型でかつムービングマグネット型の駆動モータ208が構成されている。
 また、可動部210には、ベース部材200に対して可動部210(及び可動ステージ204)をY方向に所定ストロークで駆動可能な例えばリニアモータ等の駆動モータ212が設けられている。可動ステージ204の上面の凹部204aには、シャトル36の第1組の半球部44Aに係合可能なマウント部47A,47B,47Cが設けられている。シャトル36の半球部44Aがマウント部47A~47Cに係合すると、凹部204aに設けられたZ方向に可動の端子部94A1,94B1がシャトル36の端子部51A1,51B1に接触する。この状態で端子部94A1,94B1に電源部220cから信号ケーブル92A1,92B1を介して所定の電圧を印加することで、ウエハWのシャトル36への静電吸着が継続される。端子部94A1,94B1、信号ケーブル92A1,92B1、及び電源部220cは静電吸着装置EH1の一部である。
 図8において、可動ステージ204のマウント部47A~47Cでシャトル36の第1組の半球部44Aを支持した状態で、シャトル36の裏面と可動ステージ204との間にロボットハンド46Eのアーム46Eaを差し込み、アーム46Eaのマウント部47D~47Fをシャトル36の第2組の半球部44Bに係合させることが可能である。このため、ロボットハンド46Eを介して、可動ステージ204と補助テーブル46A,46Bとの間でシャトル36の受け渡しを行うことができる。
 さらに図9(A)に示すように、可動ステージ204の凹部204aにはシャトル36の連結管39A及び39Cにそれぞれ連結可能なL字型の連結管39G,39Iがある程度回転可能に設けられている。シャトル36の半球部44Aがマウント部47A~47Cに係合すると、シャトル36の連結管39A,39Cにそれぞれオーリング39Ga等を介して連結管39G,39Iが連結される。そして、後述の露光制御部220の制御のもとで、凹部204aに設けた2つの回転部39J(一方の回転部は不図示)によって開閉バルブ39D,39Fが開かれる。露光室14A内は高真空状態であり、ウエハWの露光時にウエハWはシャトル36に静電吸着されており、連結管39Gには、図9(B)の気体供給部220aから可撓性を持つ配管93Aを介して、不活性で熱伝導性が良好であるとともに冷却されて除湿された清浄な気体GHが供給される。供給された気体GHは通気孔38C及び給気孔38Dを通してウエハWとシャトル36との間の空間37Sにパージされる。空間37Sに供給された気体GHは、排気孔38F、通気孔38E、及び連結管39Cを介して連結管39Iに流れる。連結管39Iに流れた気体GHは、可撓性を持つ配管93Cを介して図9(B)の気体回収部220bで回収される。回収された気体GHは、気体回収部220b内の冷却部、除湿フィルタ、及び防塵フィルタを介して気体供給部220aに戻され、再び連結管39Gを介して空間37Sに供給される。連結管39G,39I、配管93A,93C、気体供給部220a、及び気体回収部220bは、気体供給装置VH1の一部である。
 気体GHとしては、熱伝導率kが空気の熱伝導率(0℃、1atmで2.4(10-2Wm-1K-1))より高い気体を使用することが好ましい。本実施形態では、このような気体を、熱伝導性気体と呼ぶ。また、本実施形態では、熱伝導性気体(気体GH)として熱伝導率kが空気のほぼ6倍のヘリウムガス(kが0℃、1atmで14.2(10-2Wm-1K-1))を使用する。そして、本実施形態では、気温23℃において、注入するヘリウムの圧力を約500Paとすることで、気体GHの熱伝導率が約3.0(10-2Wm-1K-1)となるようにした。なお、気体GHの熱伝導率を高めるためには気体GHの圧力を高くした方がよいが、圧力を高くすると空間37Sから気体GHが漏れる(リークする)恐れがあるので、所望の熱伝導率とのバランスを取りつつ適切な圧力を設定すればよい。このようにウエハWをシャトル36に静電吸着している際に空間37Sに気体GHを供給することによって、微小な静電破壊及びウエハWの微小なエッチングを抑制でき、異物(コンタミネーション)の発生を抑制できる。さらに、気体GHは熱伝導性が良好であるため、電子ビーム露光によってウエハW及びシャトル36の温度が上昇する場合に、シャトル36に蓄積される熱を気体GHを介して排出でき、シャトル36及びウエハWの温度上昇を抑制できる。このため、ウエハWの熱変形を抑制でき、ウエハWに高精度に露光を行うことができる。なお、気体GHとしては、ヘリウムガスの代わりに、熱伝導率kが空気のほぼ2倍のネオン又は熱伝導率kが空気とほぼ同じ窒素等の除湿された不活性ガスを用いてもよい。なお、本実施形態では、アライメント部18において、空間37Sにパージされるクリーンドライエアー(CDA)の圧力と、気体GHの圧力をほぼ等しくすることで、ウエハWに掛かる力が変わるのを防いでいるが、必ずしも等しくする必要はない。例えば、ウエアWに掛かる力が変わってもウエハWの形状が変化しないようであれば、異なる圧力としてもよい。
 また、可動ステージ204の凹部204a(シャトル36が載置される領域)を囲む側壁部の上面において、-X方向の端部、及び±Y方向の端部にそれぞれX方向、Y方向に周期性を持つ2次元の所定形状の回折格子224A~224C(回折格子224B,224Cは不図示)が設けられている。回折格子224A~224Cの表面の高さは、可動ステージ204に保持されるシャトル36の上面(ウエハWの表面)の高さとほぼ同じである。回折格子224A~224CのX方向、Y方向の幅は、可動ステージ204のX方向、Y方向の移動ストロークよりも大きく設定されている。
 電子ビーム照射装置15の計測フレーム234の底面(ステージ装置WST側の面)には、可動ステージ204の回折格子224A,224B等に対向するように、対応する回折格子のX方向、Y方向、及びZ方向の3自由度の位置(電子ビーム照射装置15に対する相対位置)を検出する検出ヘッド部226A,226B等が設けられている。検出ヘッド部226A,226B等は、それぞれ対応する回折格子に計測用のレーザビームを照射し、その回折格子から発生する回折光(0次回折光を含む)を検出して、その回折格子の3自由度の位置を0.5nm程度の精度で検出する。回折格子224A等及び検出ヘッド部226A等から、電子ビーム照射装置15に対する可動ステージ204の6自由度の方向の位置を所定のサンプリングレートで計測するためのエンコーダ装置EN1が構成されている。
 検出ヘッド部226A等で検出される位置は制御系12Acのステージ位置計測部216に供給され、ステージ位置計測部216は、供給される位置から電子ビーム照射装置15に対する可動ステージ204の6自由度の方向の位置を算出し、算出される位置をステージ制御部218に供給する。ステージ制御部218は、計測された位置(軌道)が、露光制御部220から供給される位置(目標軌道)になるように駆動モータ208,212を駆動する。
 さらに、計測フレーム234の底面には、可動ステージ204に保持されているシャトル36のマークの位置を検出するためのマーク検出器230A,230B等が設けられている。マーク検出器230A,230B等の検出結果は制御系12Acのシャトル位置計測部232に供給される。シャトル位置計測部232では、マーク検出器230A等の検出結果より電子ビーム照射装置15に対するシャトル36の6自由度の方向の位置を算出し、算出した結果を露光制御部220に供給する。
 露光制御部220では、そのシャトル36の6自由度の方向の位置が目標とする位置になるようにステージ制御部218を介して駆動モータ208を駆動する。また、予めアライメント情報が、ホストコンピュータ62を介して露光制御部220に供給されている。そこで、露光制御部220では、シャトル位置計測部232から供給されるシャトル36の位置及びそのアライメント情報から、ウエハWの所定のウエハマークの位置を求め、このウエハマークの位置の情報をステージ制御部218に供給する。
 この後、ステージ制御部218では、電子ビーム照射装置15に対してシャトル36に保持されているウエハWが所定の目標とする軌跡に沿って移動するように駆動モータ208,212を駆動する。さらに、露光制御部220の制御のもとで、駆動モータ208,212の動作と同期して、電子光学系の制御系222が電子ビーム照射装置15からウエハWに照射される複数の電子ビームのオン/オフを制御する。これによって、ウエハWの全面に目標とするパターンを、高精度に、かつ高い重ね合わせ精度で露光できる。また、露光制御部220は、ロボットハンド46E、並びに図9(B)の気体供給部220a、気体回収部220b及び電源部220cの動作を制御する。
 次に、図10において、露光システム(シャトル搬送系30を含む)の制御系は、コンピュータよりなり装置全体の動作を制御する主制御装置60と、シャトルキャリア32A,32Bの動作をそれぞれ制御する第1及び第2の副制御系72A,72Bと、アライメント部18のロボットハンド26A,26Bの動作を制御する制御系64Aと、ロボットハンド26C,26Dの動作を制御する制御系64B,64Cと、テーブル22A~22Dの動作を制御する制御系66とを有する。主制御装置60は、副制御系72A,72B、制御系64A~64C、及び制御系66の動作を制御する。
 さらに、主制御装置60は、ホストコンピュータ62を介して露光装置12A~12Jの露光制御系12Ac~12Jcとの間で各種制御情報(シャトル36の受け渡しのタイミングを示す情報を含む)の送受信を行う。また、主制御装置60はステージ制御系68Aを介してアライメント系24のステージ24aの動作を制御し、マーク検出系24bの検出結果を信号処理部68Bで処理して得られるウエハWのショット配列の情報を、ホストコンピュータ62を介して露光制御系12Ac~12Jcに供給する。
 また、副制御系72Aには、シャトルキャリア32AのY軸駆動部54A、Z軸駆動部54B、及び回転駆動部54Cの動作を制御する制御系74A,74Bが接続されている。副制御系72Aは、制御系74A,74Bの動作を制御し、局所空調系76Aの空調機本体部75の動作を制御する。同様に、副制御系72Bには、シャトルキャリア32BのY軸駆動部54D、Z軸駆動部54E、回転駆動部54Fの動作を制御する制御系74A,74Bが接続されている。副制御系72Bは、制御系74A,74Bの動作を制御し、局所空調系76Bの空調機本体部75の動作を制御する。
 以下、本実施形態の露光システム10を用いる露光方法(搬送方法を含む)の一例につき、図11(A)、(B)のフローチャートを参照して説明する。説明の便宜上、露光装置12Aで露光を行うものとして説明するが、他の露光装置12B~12Jでも同様に露光が行われる。この動作は主に主制御装置60及び露光装置12Aの露光制御系12Acによって制御される。
 まず、未露光のウエハWを保持するシャトル36を、露光装置12Aに搬送(搬入)するフローについて説明する。図11(A)のステップ102において、シャトル36に未露光のウエハWを保持させる。この際に予め、ロボットハンド26C,26Dによってシャトルストッカ20Cから、ウエハWが載置されていないシャトル36が温度調節用テーブル22Aを介してアライメント系24のステージ24a上の位置A11に載置される。この状態で、ロボットハンド26Bによってウエハカセット20Aから未露光の電子線レジストが塗布されたウエハWをシャトル36に降下させることで、ウエハWがシャトル36に保持される。なお、ウエハWがシャトル37の凸部38Bに接触する前、例えば、凸部38Bとの間隔が数um~数mmの時に、給気孔38Dから圧縮空気あるいは気体GCを供給し、排気孔38Fからその圧縮空気または気体GCを排気することで、給気孔38Dと排気孔38Dとの間に気流を発生させて、凸部38上の異物をその気流により取り除くようにしてもよい。
 この後、ステップ104において、静電吸着装置EH1によってウエハWのシャトル36へ静電吸着を開始し、シャトル36の開閉バルブ39Dを開き(開閉バルブ39E,39Fは閉じているものとする)、気体供給装置VH1によってステージ24aの連結部39H2を介してウエハWとシャトル36との間の空間37Sへの除湿された清浄な気体GC(ここではクリーンドライエアー)の供給を開始する。また、気体GCを供給した状態で、ウエハWのシャトル36への静電吸着を開始させてもよいし、同時に行ってもよい。 
 そして、ステップ106において、アライメント系24を用いてウエハWのアライメントを行う。アライメント情報は、当該ウエハWを露光する露光装置12Aの露光制御系12Acに供給される。
 そして、ステップ108において、ロボットハンド26Dによって、ステージ24aから中継テーブル22C上の位置A12に、アライメントが行われたウエハWを保持するシャトル36を移動させる。この際に連結管39H3を介して気体GCの供給が行われる。さらに、シャトルキャリア32Aの収容ケース40Aをアライメント部18に近接する位置まで移動させる。そして、収容ケース40Aの窓部40Ahを通して搬送アーム42Aのアーム42Ahを-Y方向に伸ばし、アーム42Ahによって中継テーブル22Cからシャトル36を受け取る。さらに、シャトル36を保持するアーム42Ahを収容ケース40A内に収容し、収容ケース40A(及び搬送アーム42A)を露光装置12Aのロードロック室14Bの前方に移動させる。この際に、静電吸着装置EH1によるウエハWの静電吸着、及び気体供給装置VH1による空間37Sへの気体GCの供給が継続されている。搬送アーム42Aでシャトル36を搬送している際には、シャトル36の開閉バルブ39D,39Fが閉じ、開閉バルブ39Fが開き、搬送アーム42Aの連結管39Hを介して空間37Sに気体GCが供給される。
 例えば、収容ケース40Aの移動中に、ロードロック室14B内の気圧が大気圧に開放され、シャッタ14Baが開かれる。そして、図12(A)の矢印A14で示すように、収容ケース40Aの窓部40Ahが露光装置12Aのロードロック室14Bに対向するように、収容ケース40Aを回転させ、収容ケース40Aをわずかに+Z方向に移動させる。さらに、ステップ110において、図12(A)に矢印A15で示すように、収容ケース40Aで支持されている搬送アーム42Aのアーム42Ahを窓部40Ah及びロードロック室14Bの窓部14Bbを通して、ロードロック室14B内の補助テーブル46Aのわずかに上方に移動し、収容ケース40A(及びアーム42Ah)を降下させる。この動作によって、アーム42Ahから補助テーブル46Aにシャトル36が受け渡されて、補助テーブル46Aの連結部39G1がシャトル36の連結管39Aに連結される。そして、ステップ112において、補助テーブル46Aの端子部94A5,94B5を介してウエハWのシャトル36への静電吸着を継続し、開閉バルブ39Dを開き、補助テーブル46Aの連結部39G1を介して空間37Sへの気体GCの供給を継続する。
 さらに、搬送アーム42Aの端子部94A2,94B2への静電吸着用の電圧の印加を停止し、開閉バルブ39Eを閉じて、搬送アーム42Aから空間37Sへの気体GCの供給を停止する。また、アーム42Ahを降下させて、アーム42Ahの連結部39Hを連結管39Bから取り外す。さらに、アーム42Ahを収容ケース40A内に収容し、収容ケース40Aの窓部40Ahがアライメント部18に対向するように収容ケース40Aを回転させ、収容ケース40A(及び搬送アーム42A)をアライメント部18に近接する位置まで移動させる。そして、露光装置12A側では、ロードロック室14Bのシャッタ14Baを閉じ、ロードロック室14Bの排気を開始する。この排気の過程で、気体GCを空間37Sから排気するようにしてもよいが、後述のステップ116で、気体GHが空間37Sへの供給及び空間37Sからの回収が行われるので、その際に、気体GCも併せて排気されるようにしてもよい。
 次のステップ114において、ロードロック室14Bの排気が完了する。さらに、ステップ116において、露光室14A内のロボットハンド46Eによって、未露光のウエハWを保持するシャトル36は、図8の補助テーブル46A上の位置P11からステージ装置WSTの可動ステージ204上の位置P12に受け渡される。この際に、ロボットハンド46Eの端子部94A4,94B4を介してウエハWのシャトル36への静電吸着が継続されている。さらに、ステップ118において、可動ステージ204の端子部94A1,94B1を介してウエハWのシャトル36への静電吸着が継続され、可動ステージ204の連結管39Gを介したウエハWとシャトル36との間の空間37Sへの冷却及び除湿された清浄な気体GH(ここではヘリウムガス)の供給、及び連結管39Iを介した空間37Sからの気体GHの排気(回収)が開始される。なお、第1のシャトルキャリア32Aは、上述の動作を繰り返して、露光装置12A~12Jに未露光のウエハWを保持するシャトル36を搬送する。
 次に、露光済みのウエハWを保持するシャトル36を露光装置12Aからアライメント部18に搬送(搬出)するフローについて説明する。図11(B)のステップ122において、ステージ装置WSTで支持されるシャトル36で保持されるウエハWに対して電子ビーム照射装置15によって露光が行われる。そして、ステップ124において、可動ステージ204から空間37Sへの気体GHの供給及び回収を停止し、アンロードロック室14Cのシャッタ14Caを閉じ、アンロードロック室14C内を真空にする。その後、ロボットハンド46Eによって、ステージ装置WSTからアンロードロック室14C内の補助テーブル46Bに、露光済みのウエハWを保持するシャトル36を受け渡す。そして、ステップ126において、アンロードロック室14C内を大気圧に開放する。
 また、ステップ128において、アンロードロック室14Cのシャッタ14Caを開き、第2のシャトルキャリア32Bの収容ケース40Bを露光装置12Aのアンロードロック室14Cの前方まで移動させ、収容ケース40Bの窓部40Bhがアンロードロック室14Cに対向するように、収容ケース40Bを回転させ、収容ケース40Bをわずかに-Z方向に移動させる。そして、図12(B)に示すように、収容ケース40Bの搬送アーム42Bのアーム42Bhを窓部40Bh及びアンロードロック室14Cの窓部14Cbを通して、アンロードロック室14C内の補助テーブル46Bで支持されているシャトル36の下方に移動させ、さらに収容ケース40Bを上昇させることで、補助テーブル46Bからアーム42Bhにシャトル36が受け渡される。
 そして、ステップ130において、アーム42Bhの端子部94A3,94B3を介してウエハWのシャトル36への静電吸着を継続し、開閉バルブ39Eを開き、アーム42Bhの連結部39H1を介して空間37Sへの気体GCの供給を行う。なお、ウエハW(シャトル36)の搬出時に、ウエハWの吸着を行わない場合には、ステップ130は省略できる。この後、図12(B)に矢印A16で示すように、アーム42Bhを収容ケース40B内に収容する。そして、矢印A17で示すように、収容ケース40Bの窓部40Bhがアライメント部18に対向するように収容ケース40Bを回転させる。その後、収容ケース40B(及び搬送アーム42B)をアライメント部18に近接する位置まで移動させる。
 そして、ステップ132において、搬送アーム42Bのアーム42Bhをアライメント部18の中継テーブル22Dの上方に移動し、収容ケース40Bを降下させることで、アーム42Bhで支持されていたシャトル36を中継テーブル22D上の位置A13に受け渡す。さらに、ロボットハンド26Cによって、中継テーブル22Dに載置されているシャトル36を分離テーブル22Bに移動させる。さらに、ステップ134において、静電吸着装置EH1によるウエハWのシャトル36への静電吸着は停止されており、気体供給装置VH1によって分離テーブル22Bの連結部39H4に圧縮気体を供給して、露光済みのウエハWをロボットハンド26Aで受け取り、ウエハWをウエハカセット20Bに移動させることで、ウエハWとシャトル36とを分離する。
 そして、ステップ136において、ウエハカセット20B内のウエハWは、トラック16のロボットハンド(不図示)を介してコータ・デベロッパ(不図示)に搬出される。さらに、分離テーブル22B上に残されたシャトル36を、ロボットハンド26Cによってシャトルストッカ20Cに格納する。第2のシャトルキャリア32Bは、上述の動作を繰り返して、露光装置12A~12Jからアライメント部18に露光済みのウエハWを保持するシャトル36を搬送する。
 このように本実施形態の露光方法によれば、第1のシャトルキャリア32Aによって、アライメント部18から露光装置12A~12Jに未露光のウエハWを保持するシャトル36を搬送し、第2のシャトルキャリア32Bによって、露光装置12A~12Jからアライメント部18に露光済みのウエハWを保持するシャトル36を搬送しているため、未露光及び露光済みのウエハWに対する異物の付着を防止又は抑制できるとともに、シャトル36の搬送効率が高い。さらに、ウエハWはアライメント時から露光時まで、静電吸着によってほぼ同じ吸着力(保持力)でシャトル36に保持されている。このため、ウエハWとシャトル36との相対的な位置関係の変化、及びウエハWの変形量が極めて小さくなり、アライメント情報に基づいて露光することで、高い露光精度(重ね合わせ精度等)が得られる。
 また、ウエハWを保持するシャトル36が大気圧の環境下でシャトル搬送系30によって搬送されるときには、ウエハWとシャトル36との間の空間37Sに気体GCとしてクリーンドライエアーを供給しているため、ウエハW及びシャトル36の静電破壊等による損傷が軽減され、異物(コンタミネーション)の発生が抑制される。さらに、露光装置12Aによる真空環境下でのウエハWの露光中には、空間37Sに冷却及び除湿されて清浄な高い熱伝導性を持つ気体GHを供給しているため、静電破壊等による損傷が軽減され、異物の発生が抑制されるとともに、気体GHを介して電子ビーム露光による熱を効率的に廃熱でき、ウエハWの温度上昇を抑制でき、高精度に露光を行うことができる。デバイスの歩留まりを高くできる。
 上述のように、本実施形態の露光装置12Aは、シャトル36(以下、基板保持部材ともいう)に保持されたウエハW(以下、基板ともいう)を電子ビームで露光する露光装置であって、ウエハWが着脱可能に取り付けられる搬送アーム42A及び可動ステージ204と、シャトル36にウエハWを静電吸着する静電吸着装置EH1(以下、吸着機構ともいう)と、静電吸着装置EH1によってウエハWを吸着している期間の少なくとも一部で、シャトル36とウエハWとの間の空間37Sに気体GC又はGHを供給する気体供給装置VH1(以下、気体供給機構ともいう)とを備えている。
 また、露光装置12Aを用いる露光方法は、シャトル36に保持されたウエハWを電子ビームで露光する露光方法であって、シャトル36でウエハWを保持するステップ102と、ウエハWを保持するシャトル36を着脱可能に搬送アーム42A又は可動ステージ204に取り付けるステップ108,116と、シャトル36にウエハWを静電吸着するステップ112,118と、ウエハWを静電吸着している期間の少なくとも一部で、シャトル36とウエハWとの間の空間37Sに気体GC又はGHを供給するステップ112,118と、を含んでいる。
 本実施形態によれば、アライメントから露光までのシャトル36(ウエハW)の搬送中に、ウエハWをシャトル36に対して静電吸着で連続して安定に保持できるため、シャトル36とウエハWとの相対的な位置ずれ量の変化及びウエハWの変形量が極めて小さくなり、アライメント情報に基づいてウエハWに高精度に露光を行うことができる。さらに、大気圧の環境下でシャトル36を搬送している際には、ウエハWとシャトル36との間の空間37Sに気体GCを供給しているため、微小ギャップによる静電破壊及び微小なエッチング等によるウエハW及びシャトル36の損傷、並びに異物(コンタミネーション)の発生が抑制される。また、真空環境下でシャトル36のウエハWを露光している際には、空間37Sに気体GHを供給しているため、ウエハW及びシャトル36の損傷、並びに異物の発生が抑制されるとともに、露光によってウエハW及びシャトル36に蓄積される熱を効率的に廃熱できる。このため、高精度に露光を行うことができる。
 また、本実施形態によれば、未露光のウエハWはシャトル36に装着された状態でシャトルキャリア32Aの収容ケース40Aに収容されて露光装置12Aに搬送される。このため、未露光のウエハ表面への異物の付着を防止又は抑制できる。
 さらに、露光済みのウエハW及びシャトル36の表面の全部を外気から隔離する収容ケース40Bを有し、シャトルキャリア32Bは、シャトル36及び収容ケース40Bを露光装置12Aからアライメント部18に移動するため、露光済みのウエハWに対する異物の付着も防止又は抑制できる。
 なお、収容ケース40A,40Bは、ウエハW及びシャトル36の表面の少なくとも一部が外気から隔離されるように構成されていてもよい。
 また、シャトル搬送系30は、収容ケース40A,40B内の空間40Ag,40Bgに清浄な気体を供給する局所空調系76A,76Bを備えている。このため、ウエハWを保持するシャトル36を露光装置12Aとアライメント部18との間で移動している際に、ウエハWに付着する異物を減少でき、製造される電子デバイスの歩留まりを向上できる。
 なお、例えばシャトルキャリア32Aの収容ケース40A(又はシャトルキャリア32Bの収容ケース40B)内の空間のみに清浄な気体を供給するようにしてもよい。さらに、シャトル36の搬送経路の雰囲気中の異物が少ない場合には、局所空調系76A,76Bを省略することもできる。
 また、シャトル36は第1組の半球部44A及び第2組の半球部44Bを有する。この構成によって、ステージ24a、中継テーブル22C,22D、ステージ装置WST、及び補助テーブル46A,46Bで第1組の半球部44Aを介してシャトル36を支持するとともに、ロボットハンド26C,26D及び搬送アーム42A,42Bでは第2組の半球部44Bを介してシャトル36を支持できる。このため、ステージ24a、中継テーブル22C,22D、及び補助テーブル46A,46Bと、ロボットハンド26C,26D又は搬送アーム42A,42Bとの間で、シャトル36の位置ずれが小さい状態で、効率的に円滑にシャトル36の受け渡しを行うことができる。
 なお、本実施形態では次のような変形が可能である。なお、以下で参照する図13~図16(A)において図6(B)及び図9(B)に対応する部分には同一の符号を付してその詳細な説明を省略する。
 まず、上述に実施形態において、ウエハWが大型で周縁部の変形が生じる恐れのある場合には、図13の第1変形例のシャトル36Aで示すように、シャトル36Aの第1部材37Aの凹部37Ajの側壁部38Aの外側の領域にもウエハWを受ける小さい円柱状の複数の凸部38B1を、例えば、ほぼ等角度間隔で設けてもよい。この場合には、さらに側壁部38Aの一部に気体を排気又は吸引するための排気孔38F1を設けてもよい。この場合、ウエハWの周縁部が曲線C13で示すように変形していても、排気孔38F1からの吸引によってその周縁部の変形が抑制され、凸部38B1によってその周縁部が下方に変形することが抑制される。なお、側壁部38Aには必ずしも排気孔38F1を設ける必要はない。なお、複数の凸部38B1は、等角度間隔で配置されていなくてもよい。
 また、上述の実施形態では、気体供給装置VH1の給気孔38Dはシャトル36の中央部に設けられており、排気孔38Fがシャトル36の周縁部に設けられているため、ウエハWとシャトル36との間の空間37Sに冷却された気体GH(ここではヘリウムガス)を供給する際に、ウエハW及びシャトル36の中心部と周縁部とで気体GHの圧力、ひいては排熱の効率が異なり、ウエハW及びシャトル36に温度分布が生じる恐れがある。
 このため、図14(A)の第2変形例のシャトル36Cで示すように、シャトル36Cの第1部材37Aの凹部37Ajの側壁部38Aに近い内側の領域(周縁部)にも空間37Sに気体を供給するための複数の給気孔38D1を、例えば、ほぼ等角度間隔で設けてもよい。この場合、中心部の給気孔38D及び周縁部の給気孔38D1から空間37Sに気体GHが供給され、周縁部の排気孔38Fから気体GHが排気されるため、空間37Sにおける気体GHの圧力分布がより一様になり、ウエハW及びシャトル36に温度分布が一様になり、ウエハWの変形がさらに抑制される。なお、複数の給気孔38D1は、等角度間隔で配置されていなくてもよい
 また、図14(B)の第3変形例のシャトル36Dで示すように、シャトル36Cの凹部37Ajの側壁部38Aで囲まれた領域において、空間37Sに気体GHを供給するための複数の給気孔38D,38D1,38D3,38D3等と、気体GHを排気するための複数の排気孔38F1,38F2,38F等とを、その領域の中心部から半径方向に向けて交互に設けてもよい。この場合、気体GHの供給及び排気が近接して交互に行われるため、空間37Sにおける気体GHの圧力分布がより一様になり、ウエハW及びシャトル36の温度分布が一様になり、ウエハWの変形がさらに抑制される。
 また、図15の第4変形例のシャトル36Eで示すように、シャトル36Cの凹部37Ajの側壁部38Aで囲まれた領域において、中心部から周縁部に向けて配置されたウエハWの裏面を支持する凸部38B3,38B4,38B5のウエハWに対向する広い面積の部分とウエハWとの間隔を次第に狭くして、外側に向けて次第に気体に対する抵抗が大きくなるようにしてもよい。これによって空間37Sから気体がリークする量が軽減されるので、空間37Sにおける気体の圧力分布がより一様になり、ウエハW及びシャトル36の温度分布が一様になる。
 また、上述の実施形態において、シャトル36に通気孔38C,38E及び連結管39A~39C等を設けることが困難な場合には、図16(A)の第5変形例のシャトル36Bで示すように、シャトル36Eを気体の供給機構を備えた容器に収容してもよい。
 図16(A)において、シャトル36BはウエハWを保持する第1部材37Aと、第1部材37Aに連結される第2部材37Bとを有し、第1部材37Aには静電吸着用の電極部50A,50Bのみが設けられている。また、シャトル36Bの搬送中にシャトル36Bを収容する容器40Cは、シャトル36Bの対向する2つの側面と底面とを覆うように形成され、容器40Cの中央部のマウント部40Ca~40Ccにシャトル36Bの半球部44Aが係合し、容器40Cの中央部の支持部材41A3に設置された端子部94A7,94B7がシャトル36Bの端子部51A1,51B1に接触し、端子部94A7,94B7を介して静電吸着用の電圧が印加されている。また、容器40Cの上部の対向する部分に気体供給部40D及び40Eが設けられている。気体供給部40D及び40Eは例えばクリーンドライエアーよりなる気体GCをシャトル36Bが載置された空間に供給することで、ウエハWとシャトル36Bとの間の空間37Sに気体GCを供給する。
 また、露光中のウエハWを保持するシャトル36Bが収容される容器40Fの気体供給部40D及び40Eは、例えば、ヘリウムガスよりなる気体GHをシャトル36Bが載置された空間に供給することで、空間37Sに気体GHを供給する。この変形例においても、空間37Sに気体GC又はGHが供給されるため、静電吸着時のウエハW及びシャトル36Bの損傷が抑制され、異物の発生も抑制され、露光中には冷却効果も得られる。
 [第2の実施形態]
 第2の実施形態につき、図16(B)を参照して説明する。上述の実施形態及び変形例(図16(A)の変形例を除く)においては、シャトル36等に通気孔38C,38E及び連結管39A~39C等を設けて空間37Sに気体を供給しているが、本実施形態では、その空間37Sに予め気体を封入しておく。なお、図16(B)において、図1、図6(B)、図9(B)、図16(A)に対応する部分には同一符号を付してその詳細な説明を省略する。
 図16(B)は本実施形態のアライメント部18のアライメント系が設置されるサブチャンバ18Aを示す。図16(B)において、サブチャンバ18A内のステージ24aのマウント部24e1~24e3に、ウエハWを保持するシャトル36Bの半球部44Aが係合している。また、ステージ24aの上面の支持部材41A4に設置された端子部94A6,94B6がシャトル36Bの端子部51A1,51B1に接触し、端子部94A6,94B6を介して静電吸着用の電圧が印加されている。また、この実施形態において、サブチャンバ18A内には、例えばクリーンドライエアーよりなる気体GHが供給されている。この他の構成は第1の実施形態と同様である。
 この実施形態において、サブチャンバ18A内でシャトル36BにウエハWを装着する際に、ウエハWとシャトル36Bとの間の空間37Sに気体GCが封入される。このため、シャトル36Bの構成が簡素化されて、気体供給装置VH1が不要であるとともに、静電吸着時のウエハW及びシャトル36Bの損傷が抑制され、異物の発生も抑制される。
 なお、サブチャンバ18A内には、例えば、ヘリウムガスよりなる気体GHを供給してもよい。この場合には、空間37Sに気体GHが封入される。このため、静電吸着時のウエハW及びシャトル36Bの損傷が抑制され、異物の発生も抑制され、露光中には冷却効果も得られる。
 このように本実施形態の露光装置12Aは、シャトル36Bが着脱可能に取り付けられる搬送アーム42A及び可動ステージ204と、シャトル36BにウエハWを静電吸着する静電吸着装置EH1と、を備え、シャトル36BとウエハWとの間の空間37Sに気体GC又はGHが封入されている。この実施形態によれば、シャトル36B及び露光装置12Aの構成が簡素であり、かつ静電吸着時のウエハW及びシャトル36Bの損傷が抑制され、異物の発生も抑制される。
 なお、上述の実施形態では、シャトルキャリア32A,32Bの収容ケース40A,40Bはそれぞれ一つのシャトル36を収容可能であるため、収容ケース40A,40Bを含む可動部を小型化できる。別の構成として、収容ケース40A,40Bの少なくとも一方は複数個のシャトル36を収容可能な収容棚と、この収容棚と補助テーブル46A,46B等との間でシャトル36の受け渡しを行う搬送アームとを備えてもよい。
 また、上述の実施形態では、露光装置12A~12Jのロードロック室14B及びアンロードロック室14Cは上下(Z方向)に分離して配置され、収容ケース40A,40Bはそれぞれ上下に分かれたガイド部材34A,34Bに沿ってY軸駆動部54A,54Dによって互いに独立にY方向に移動される。このため、収容ケース40A,40Bをそれぞれ最も効率的な方法で移動できる。別の構成として、ガイド部材34A,34Bを省略し、上方のガイド部材34Bの位置に平板状の走行路を設置してもよい。この例では、一例として、収容ケース40Aは床面に沿って移動可能な自走式の移動部(4輪駆動部等)に対して、Z軸駆動部及び回転駆動部を介して支持され、収容ケース40Bはその走行路の上面に沿って移動可能な自走式の移動部に、Z軸駆動部及び回転駆動部を介して支持される。
 また、上述の実施形態では、露光装置12A~12Jのロードロック室14B及びアンロードロック室14Cは上下に分離して配置されているが、ロードロック室14B及びアンロードロック室14Cを横方向(Y方向)に分離して配置してもよい。さらに、真空チャンバ13B,14Bをそれぞれロードロック室及びアンロードロック室として兼用できるようにしてもよい。これらの場合には、シャトルキャリア32A,32Bの収容ケース40A,40Bの高さをほぼ同じ高さに設定しもよい。
 また、上述の実施形態では、シャトル36等は第1部材37A及び第2部材37Bから構成されているが、シャトル36を一つの部材から構成してもよい。
 また、上述の実施形態では、シャトル36等は第1組及び第2組の半球部44A,44Bを備えているが、シャトル36は第1組の半球部44Aを備えるのみでもよい。この場合、半球部44Aの数を例えば6個以上にしておき、搬送アーム42A,42B等では、補助テーブル46A,46B等で使用される半球部44Aと別の半球部44Aを支持するようにしてもよい。
 また、上述の実施形態では、シャトル36等に半球部44A,44Bが設けられている。他の構成として、シャトル36等の第2部材37Bにマウント部46Aa~46Acと同様の平坦面、V字溝面、及び円錐面を持つ複数(例えば3個)の部分(係合部)を2組設け、搬送アーム42A,42Bのアーム42Ah,42Bhにはそれらの部分の一部に係合可能な複数の半球部(支持部材)を設けてもよい。
 また、上述の実施形態では、露光装置12A~12Jは2列に配置されているが、例えば複数の露光装置12A等を一列に配置してもよい。さらに複数の露光装置12A等を3列以上の配列で配置してもよい。また、上述の実施形態では、シャトルキャリア32A,32Bの収容ケース40A,40Bを昇降させるZ軸駆動部54B,54Eを設けているが、このZ軸駆動部を省略することも可能である。
 また、アライメント部18及びシャトル搬送系30のそれぞれを空調可能なチャンバに収容してもよい。
 また、シャトルキャリア32A,32Bを移動させる時の振動を低減するために、設置面とガイド部材34A,34Bを支持するフレームとの間に、高周波振動を低減させるエアサスペンション等のダンパー装置を設けてもよい。
 また、上述の実施形態では、ウエハWを保持するシャトル36を露光装置12A等に搬送しているが、ウエハWを保持するシャトル36を、塗布現像装置、ウエハ検査装置、各種基板処理装置、又は光学装置が備えるステージやホルダ等に搬送する際にシャトル搬送系30と同様の搬送装置を使用できる。
 また、上記の実施形態の露光システム10(露光装置12A~12J)又は露光方法を用いて半導体デバイス等の電子デバイス(マイクロデバイス)を製造する場合、この電子デバイスは、図17に示すように、デバイスの機能・性能設計を行うステップ321、この設計ステップに基づいたマスク(レチクル)又は電子ビームによる露光パターンを製作するステップ322、デバイスの基材である基板(ウエハ)を製造するステップ323、前述した実施形態の露光システム又は露光方法によりマスク又は露光パターンを基板に露光する工程、露光した基板を現像する工程、現像した基板の加熱(キュア)及びエッチング工程などを含む基板処理ステップ324、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む)325、並びに検査ステップ326等を経て製造される。
 言い替えると、上記のデバイスの製造方法は、上記の実施形態の露光装置(露光システム10)又は露光方法を用いて、所定のパターンを介して基板(ウエハW)に形成する工程と、その所定のパターンを介して基板を加工する工程と、を含んでいる。
 このデバイス製造方法によれば、露光工程の露光精度を向上できるとともに、スループットを高めることができるため、電子デバイスを高精度にかつ安価に製造できる。
 なお、上記実施形態では、ターゲットが半導体素子製造用のウエハである場合について説明したが、本実施形態に係る露光システムは、ガラス基板上に微細なパターンを形成してマスクを製造する際にも好適に適用できる。また、上記実施形態では、露光装置として荷電粒子線を用いる露光装置を使用している。別の構成として、露光装置として、例えば軟X線等の極端紫外光(Extreme Ultraviolet Light:EUV光)を露光ビームとして用いるEUV露光装置等を用いる場合にも、上記実施形態を適用することができる。
 W…ウエハ、VH1…気体供給装置、EH1…静電吸着装置、WST…ステージ装置、10…露光システム、12A~12J…露光装置、13A~13C…真空チャンバ、14B…ロードロック室、14C…アンロードロック室、15…電子ビーム照射装置、18…アライメント部、24…アライメント系、26A,26B…ウエハ用のロボットハンド、26C,26D…シャトル用のロボットハンド、30…シャトル搬送系、32A,32B…シャトルキャリア、36…シャトル、38A…側壁部、40A,40B…収容ケース、42A,42B…搬送アーム、46A,46B…補助テーブル、74C…電源部、76A,76B…局所空調系

Claims (42)

  1.  基板保持部材に保持された基板をエネルギビームで露光する露光装置であって、
     前記基板保持部材が着脱可能に取り付けられる移動体と、
     前記基板保持部材に前記基板を静電吸着する吸着機構と、
     前記吸着機構によって前記基板を吸着している期間の少なくとも一部で、前記基板保持部材と前記基板との間の空間に気体を供給する気体供給機構と、
    を備える露光装置。
  2.  前記基板を保持する前記基板保持部材が前記移動体に取り付けられるまでの第1期間及び前記基板保持部材が前記移動体から取り外された後の第2期間の少なくとも一部で、前記吸着機構によって前記基板を吸着し、前記気体供給機構によって前記空間に前記気体を供給する、請求項1に記載の露光装置。
  3.  前記気体は、該気体の特性のうちの少なくとも湿度が所定の値よりも低い値である請求項1又は2に記載の露光装置。
  4.  前記気体は、該気体の特性のうちの少なくとも熱伝導性が所定の値よりも高い値である請求項1~3のいずれか一項に記載の露光装置。
  5.  前記基板を保持する前記基板保持部材が前記移動体に取り付けられて、前記基板が前記エネルギビームで露光される第3期間の少なくとも一部で、前記吸着機構によって前記基板を吸着し、前記気体供給機構によって前記空間に前記気体として熱伝導性気体を供給する請求項2に記載の露光装置。
  6.  前記第2期間の少なくとも一部に前記空間に供給する気体と、前記第3期間の少なくとも一部で前記空間に供給される気体とが、互いに異なる種類の気体である請求項5に記載の露光装置。
  7.  前記基板保持部材から前記基板を離脱させる際に、前記気体供給機構は、前記空間に前記基板の雰囲気の気圧よりも高い圧力の気体を供給する請求項1~6のいずれか一項に記載の露光装置。
  8.  前記気体供給機構は、
     前記基板保持部材の側面の少なくとも一部及び底面を覆うことが可能な箱状の容器を有し、
     前記気体供給機構は、前記空間に前記気体を供給するために、前記基板保持部材が載置された前記容器内に前記気体を供給する請求項1~7のいずれか一項に記載の露光装置。
  9.  前記吸着機構は、
     前記基板保持部材に設けられた複数の電極と、前記移動体に設けられて、前記電極に電力を供給するための複数の端子とを有する請求項1~8のいずれか一項に記載の露光装置。
  10.  前記気体供給機構は、
     前記空間に前記気体を供給する供給部と、
     前記空間に供給された前記気体を排気する排気部と、を有する請求項1~9のいずれか一項に記載の露光装置。
  11.  前記気体供給機構の前記供給部は、
     前記基板保持部材に設けられて前記気体を供給する給気孔と、前記移動体に設けられると共に、前記給気孔に連通可能で、前記基板保持部材に着脱可能な第1連結部と、前記第1連結部に接続された気体源とを有する請求項10に記載の露光装置。
  12.  前記供給部は、
     複数の気体源と、前記複数の気体源から選択された一つの前記気体源と前記第1連結部とを接続する切り換え部とを有する請求項11に記載の露光装置。
  13.  前記気体供給機構の前記排気部は、
     前記基板保持部材に設けられて前記気体を排気する排気孔と、前記移動体に設けられると共に、前記排気孔に連通可能で、前記基板保持部材に着脱可能な第2連結部と、前記第2連結部に接続された排気部とを有する請求項11又は12に記載の露光装置。
  14.  前記給気孔は前記基板保持部材の中心部に設けられ、
     前記排気孔は前記基板保持部材の周縁部に複数個設けられる請求項13に記載の露光装置。
  15.  前記給気孔は前記基板保持部材の周縁部にも複数個設けられる請求項14に記載の露光装置。
  16.  前記給気孔及び前記排気孔は、前記基板保持部材の中心部から半径方向に向けて交互にそれぞれ複数個設けられる請求項13に記載の露光装置。
  17.  基板保持部材に保持された基板をエネルギビームで露光する露光装置であって、
     前記基板保持部材が着脱可能に取り付けられる移動体と、
     前記基板保持部材に前記基板を静電吸着する吸着機構と、を備え、
     前記基板保持部材と前記基板との間の空間に気体が封入されている露光装置。
  18.  前記空間に封入されている気体は、該気体の特性のうちの少なくとも湿度が所定の値よりも低い値である請求項17に記載の露光装置。
  19.  前記空間に封入されている気体は、該気体の特性のうちの少なくとも熱伝導性が所定の値よりも高い値である請求項17に記載の露光装置。
  20.  前記基板保持部材は、前記基板が載置される領域に複数の凸部が設けられるとともに、前記複数の凸部を囲むようにリング状の側壁部が設けられた基板載置部を有する請求項1~19のいずれか一項に記載の露光装置。
  21.  前記基板載置部の前記側壁部の外側にも、前記基板に接触可能な少なくとも一つの凸部が設けられた請求項20に記載の露光装置。
  22.  前記基板載置部の中心部から半径方向に沿って配置された前記複数の凸部の前記基板との接触部の面積が、前記半径方向に向かうほど小さく設定されている請求項20又は21に記載の露光装置。
  23.  基板保持部材に保持された基板をエネルギビームで露光する露光方法であって、
     前記基板保持部材で前記基板を保持することと、
     前記基板を保持する前記基板保持部材を着脱可能に移動体に取り付けることと、
     前記基板保持部材に前記基板を静電吸着することと、
     前記基板を静電吸着している期間の少なくとも一部で、前記基板保持部材と前記基板との間の空間に気体を供給することと、
    を含む露光方法。
  24.  前記基板を保持する前記基板保持部材が前記移動体に取り付けられるまでの第1期間及び前記基板保持部材が前記移動体から取り外された後の第2期間の少なくとも一部で、前記基板を吸着し、前記空間に前記気体を供給することを含む請求項23に記載の露光方法。
  25.  前記気体は、該気体の特性のうちの少なくとも湿度が所定の値よりも低い値である請求項23又は24に記載の露光方法。
  26.  前記気体は、該気体の特性のうちの少なくとも熱伝導性が所定の値よりも高い値である請求項23~25のいずれか一項に記載の露光方法。
  27.  前記基板を保持する前記基板保持部材が前記移動体に取り付けられて、前記基板が前記エネルギビームで露光される第3期間の少なくとも一部で、前記基板を吸着し、前記空間に前記気体として熱伝導性気体を供給することを含む請求項24に記載の露光方法。
  28.  前記第2期間の少なくとも一部に前記空間に供給する気体と、前記第3期間の少なくとも一部で前記空間に供給される気体とが、互いに異なる種類の気体である請求項27に記載の露光方法。
  29.  前記基板保持部材から前記基板を離脱させる際に、前記空間に前記基板の雰囲気の気圧よりも高い圧力の気体を供給することを含む請求項23~28のいずれか一項に記載の露光方法。
  30.  前記空間に前記気体を供給することは、前記基板保持部材に設けられた給気孔を通して前記空間に前記気体を供給することと、前記空間に供給された前記気体を、前記基板保持部材に設けられた排気孔を通して排気することと、を含む請求項23~29のいずれか一項に記載の露光方法。
  31.  前記給気孔は前記基板保持部材の中心部に設けられ、
     前記排気孔は前記基板保持部材の周縁部に複数個設けられる請求項30に記載の露光方法。
  32.  前記給気孔は前記基板保持部材の周縁部にも複数個設けられる請求項31に記載の露光方法。
  33.  前記給気孔及び前記排気孔は、前記基板保持部材の中心部から半径方向に向けて交互にそれぞれ複数個設けられる請求項30に記載の露光方法。
  34.  前記空間に前記気体を供給することは、
     前記基板保持部材の側面の少なくとも一部及び底面を覆うことが可能な箱状の容器に、前記基板保持部材を載置し、前記容器内に前記気体を供給することを含む請求項23~29のいずれか一項に記載の露光方法。
  35.  基板保持部材に保持された基板をエネルギビームで露光する露光方法であって、
     前記基板保持部材で前記基板を保持することと、
     前記基板保持部材と前記基板との間の空間に気体を封入することと、
     前記基板を保持する前記基板保持部材を着脱可能に移動体に取り付けることと、
     前記基板保持部材に前記基板を静電吸着することと、
    を含む露光方法。
  36.  前記空間に封入されている気体は、該気体の特性のうちの少なくとも湿度が所定の値よりも低い値である請求項35に記載の露光方法。
  37.  前記空間に封入されている気体は、該気体の特性のうちの少なくとも熱伝導性が所定の値よりも高い値である請求項35に記載の露光方法。
  38.  前記基板保持部材は、前記基板が載置される領域に複数の凸部が設けられるとともに、前記複数の凸部を囲むようにリング状の側壁部が設けられた基板載置部を有する請求項23~37のいずれか一項に記載の露光方法。
  39.  前記基板載置部の前記側壁部の外側に設けられた少なくとも一つの凸部によって、前記基板の平面度を補正することを含む請求項38に記載の露光方法。
  40.  前記基板載置部の中心部から半径方向に沿って配置された前記複数の凸部の前記基板との接触部の面積が、前記半径方向に向かうほど小さく設定されている請求項38又は39に記載の露光方法。
  41.  請求項1~22のいずれか一項に記載の露光装置を用いて、所定のパターンを基板に形成することと、
     前記所定のパターンを介して前記基板を加工することと、を含むデバイス製造方法。
  42.  請求項23~40のいずれか一項に記載の露光方法を用いて、所定のパターンを基板に形成することと、
     前記所定のパターンを介して前記基板を加工することと、を含むデバイス製造方法。
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