KR20170004870A - 반송 장치 및 그 제어 방법 - Google Patents

반송 장치 및 그 제어 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20170004870A
KR20170004870A KR1020160081100A KR20160081100A KR20170004870A KR 20170004870 A KR20170004870 A KR 20170004870A KR 1020160081100 A KR1020160081100 A KR 1020160081100A KR 20160081100 A KR20160081100 A KR 20160081100A KR 20170004870 A KR20170004870 A KR 20170004870A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
terminal
pick
arm
carrier
terminals
Prior art date
Application number
KR1020160081100A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102338237B1 (ko
Inventor
히로시 고이즈미
타케히로 신도
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20170004870A publication Critical patent/KR20170004870A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102338237B1 publication Critical patent/KR102338237B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67712—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrate being handled substantially vertically
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

암부의 동작을 제한하지 않고, 내구성이 뛰어난 반송 장치를 제공한다. 제 1 반송 장치(17)의 정전 픽(44)을 프로세스 모듈(12)로 진입시키고, 웨이퍼(W)를 정전 픽(44)에 정전 흡착한다. 제 1 반송 장치(17)를 구동하여 웨이퍼(W)를 로드록 모듈(14)로 반송할 시, 정전 픽(44)을 전기적으로 플로트 상태로 하여 웨이퍼(W)를 정전 픽(44)에 정전 흡착시킨 상태를 유지하고, 웨이퍼(W)의 로드록 모듈(14)로의 반송이 종료된 후에 정전 픽(44)을 제전하여, 웨이퍼(W)가 정전 픽(44)에 정전 흡착된 상태를 해제한다.

Description

반송 장치 및 그 제어 방법{TRANSFER DEVICE AND CONTROL METHOD THEREOF}
본 발명은 반송체를 반송하는 반송 장치 및 그 제어 방법에 관한 것이다.
예를 들면, 반도체 웨이퍼(이하 '웨이퍼'라고 함)에 플라즈마 에칭 처리 등의 처리를 행하는 플라즈마 처리 장치에서는, 반송 장치(반송 로봇)를 이용하여, 용기에 수용된 웨이퍼를 진공 분위기로 유지된 플라즈마 처리실로 반송하고 있다.
일반적으로, 플라즈마 처리 장치는, 복수의 플라즈마 처리실을 구비하고, 1 대의 반송 장치가 각 플라즈마 처리실에 대하여 액세스 가능하게 구성되어 있다. 이 때문에, 반송 장치의 일례로서, 복수의 암부가 관절부를 개재하여 회전 가능하게 접속된 다관절 구조의 반송 암을 가지는 것이 이용되고 있고, 관절부에서의 회전에 의해 암부끼리의 교차 각도를 바꿈으로써, 각 플라즈마 처리실에의 액세스를 가능하게 하고 있다.
이러한 반송 장치에서는, 선단측의 암부의 선단에 픽이 장착되어 있고, 웨이퍼는 픽 상에 놓인 상태로 반송된다. 이 때, 픽 상에서의 웨이퍼의 이탈 또는 픽으로부터의 웨이퍼의 낙하를 방지하기 위하여, 웨이퍼를 정전 흡착하는 기구를 구비하는 픽이 제안되고 있다(특허 문헌 1 참조).
일본특허공개공보 2011-077288호
정전 흡착 기구를 가지는 픽을 구비하는 종래의 다관절형의 반송 장치에는, 반송 장치의 기부(基部)로부터 암을 따라 정전 흡착 기구에 전력 공급을 행하기 위한 케이블이 설치되어 있다. 이 때문에, 암부끼리를 최대 각도로 굴곡시킨 상태에서 케이블이 끊어지지 않도록, 관절부 근방에 여분의 케이블 길이를 확보해 둘 필요가 있다고 하는 문제가 있다. 반대로 말하면, 케이블 길이에 따라 관절부에서의 회전 각도가 제한된다고 하는 문제가 있다. 또한, 관절부에 배치되는 여분의 케이블은, 관절부에서의 회전에 수반하여 휨을 반복하기 때문에, 내구성에 문제가 있다.
본 발명의 목적은, 암부의 동작이 제한되지 않고, 내구성이 뛰어난 반송 장치와 그 제어 방법을 제공하는 것에 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 청구항 1에 기재된 반송 장치는, 반송체를 반송하는 반송 암과, 상기 반송 암을 구동하는 구동 수단과, 상기 반송 암의 선단에 마련되고, 상기 반송체가 배치되는 픽과, 상기 픽에 마련된 내부 전극을 포함하고, 상기 반송체를 상기 픽에 정전 흡착시키는 정전 흡착 수단과, 상기 정전 흡착 수단 및 상기 구동 수단을 제어하는 제어 수단을 구비하고, 상기 제어 수단은, 상기 정전 흡착 수단 및 상기 구동 수단을 제어하여, 상기 반송체를 상기 픽에 정전 흡착한 후에, 상기 내부 전극을 전기적으로 플로트 상태로 함으로써 상기 반송체가 상기 픽에 정전 흡착된 상태를 유지하여, 상기 반송체를 상기 반송 암에 의해 반송하는 것을 특징으로 한다.
청구항 2에 기재된 반송 장치는, 청구항 1에 기재된 반송 장치에 있어서, 상기 반송 암은, 적어도 하나의 암부와, 상기 암부를 회전 가능하게 유지하는 관절부를 구비하고, 상기 관절부는, 환상(環狀)의 단자와, 상기 환상의 단자를 유지하는 기대(基臺)를 가지고, 상기 암부는, 다른 단자와, 상기 다른 단자를 상기 환상의 단자에 접촉시키는 부세(付勢) 수단을 가지고, 상기 암부를 상기 관절부를 중심으로서 회전시켰을 때, 상기 다른 단자는 상기 환상의 단자의 둘레 방향으로 상기 환상의 단자에 대하여 슬라이드 이동하는 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 청구항 3에 기재된 반송 장치는, 반송체를 반송하는 반송 암과, 상기 반송 암을 구동하는 구동 수단과, 상기 반송 암의 선단에 마련되고, 상기 반송체가 배치되는 픽과, 상기 픽에 마련된 내부 전극을 포함하고, 상기 반송체를 상기 픽에 정전 흡착시키는 정전 흡착 수단과, 상기 정전 흡착 수단을 제어하는 제어 수단과, 상기 반송체의 반송원과 반송처의 각각에 상기 픽이 있을 때 상기 제어 수단과 상기 내부 전극을 도통시키고, 상기 픽을 상기 반송원으로부터 상기 반송처로 이동시키는 동안에는 상기 제어 수단과 상기 내부 전극 간의 도통이 끊어지도록 구성된 단자부를 구비하고, 상기 제어 수단은, 상기 정전 흡착 수단을 제어하여, 상기 픽이 상기 반송원에 있을 때 상기 반송체를 상기 픽에 정전 흡착시키고, 상기 픽이 상기 반송처에 있을 때 상기 픽의 제전을 행하고, 상기 픽이 상기 반송원으로부터 상기 반송처로 이동하는 동안에는, 상기 단자부에 의해 상기 내부 전극이 전기적으로 플로트 상태가 됨으로써 상기 반송체가 상기 픽에 정전 흡착된 상태가 유지되는 것을 특징으로 한다.
청구항 4에 기재된 반송 장치는, 청구항 3에 기재된 반송 장치에 있어서, 상기 반송 암은, 적어도 하나의 암부와, 상기 암부를 회전 가능하게 유지하는 관절부를 구비하고, 상기 단자부는, 상기 관절부에 마련된 단자 기대와 동일 원주 상의 정해진 위치에 배치되도록 상기 단자 기대의 일면에 마련된 복수의 단자와, 상기 암부에 마련된 다른 단자와, 상기 다른 단자를 상기 단자 기대의 상기 일면에 접촉시키는 부세 수단을 가지고, 상기 암부가 상기 관절부를 중심으로서 회전할 때에 상기 다른 단자가 상기 동일 원주 상을 둘레 방향으로 이동함으로써, 상기 복수의 단자와 상기 다른 단자와의 접촉 상태와 비접촉 상태가 전환되고, 상기 복수의 단자와 상기 다른 단자가 접촉 상태에 있을 때, 상기 제어 수단과 상기 내부 전극이 도통하고, 상기 복수의 단자와 상기 다른 단자가 비접촉 상태에 있을 때, 상기 제어 수단과 상기 내부 전극 간의 도통이 끊어지는 것을 특징으로 한다.
청구항 5에 기재된 반송 장치는, 청구항 4에 기재된 반송 장치에 있어서, 상기 부세 수단에 의한 부세력에 맞서 상기 다른 단자를 상기 단자 기대의 상기 일면으로부터 부상하게 함으로써 상기 복수의 단자와 상기 다른 단자를 비접촉 상태로 하는 부상 수단을 가지는 것을 특징으로 한다.
청구항 6에 기재된 반송 장치는, 청구항 3에 기재된 반송 장치에 있어서, 상기 반송 암을 일방향으로 진퇴 가능하게 유지하고, 상기 일방향으로 정해진 간격으로 배치된 복수의 단자를 가지는 유지 수단을 구비하고, 상기 반송 암은, 다른 단자와, 상기 다른 단자를 상기 유지 수단에 있어서 상기 복수의 단자가 배치된 면에 접촉시키는 부세 수단을 가지고, 상기 일방향에서의 상기 반송 암의 진퇴에 수반하여 상기 다른 단자가 상기 일방향으로 이동함으로써, 상기 복수의 단자와 상기 다른 단자와의 접촉 상태와 비접촉 상태가 전환되고, 상기 복수의 단자와 상기 다른 단자가 접촉 상태에 있을 때, 상기 제어 수단과 상기 내부 전극이 도통하고, 상기 복수의 단자와 상기 다른 단자가 비접촉 상태에 있을 때, 상기 제어 수단과 상기 내부 전극 간의 도통이 끊어지는 것을 특징으로 한다.
청구항 7에 기재된 반송 장치는, 청구항 4 ~ 6 중 어느 한 항에 기재된 반송 장치에 있어서, 상기 제어 수단은, 상기 반송체의 반송 중에는, 상기 픽에 정전 흡착력을 발생시키기 위한 전압 신호를 상기 복수의 단자에 계속 인가하는 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 청구항 8에 기재된 반송 장치의 제어 방법은, 반송체를 반송원으로부터 반송처로 반송하는 반송 장치의 제어 방법으로서, 상기 반송원에 있어서, 반송 암에 마련된 픽에 상기 반송체를 배치하는 배치 단계와, 상기 픽에 마련된 내부 전극에 전압을 인가함으로써 상기 픽에 정전 흡착력을 발생시켜, 상기 반송체를 상기 픽에 정전 흡착시키는 정전 흡착 단계와, 상기 반송체를 상기 반송처로 반송하기 위하여 상기 반송 암을 구동하는 구동 단계와, 상기 반송체의 반송 중에 상기 내부 전극을 전기적으로 플로트 상태로 하여, 상기 반송체를 상기 픽에 정전 흡착시킨 상태를 유지하는 정전 흡착 유지 단계와, 상기 반송체의 상기 반송처로의 반송이 종료된 후에 상기 픽을 제전하는 제전 단계를 가지는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 정전 흡착 기구를 가지는 픽을 구비하는 반송 장치에 있어서, 반송체를 픽에 정전 흡착력에 의해 유지한 상태를 유지하면서, 관절부에서의 회전 각도에 제한이 없는 구성을 실현할 수 있고, 이에 의해, 반송체의 반송에 요하는 시간을 단축할 수 있다. 또한, 관절부에 종래와 같이 케이블을 이용하지 않는 구성으로 함으로써, 내구성을 높일 수 있다. 또한, 관절부에 케이블을 통과시킬 필요가 없기 때문에, 관절부에서의 구성의 자유도를 높일 수 있어, 보다 콤팩트한 관절부를 실현할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시의 형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 시스템이 구비하는 제 1 반송 장치의 개략 구성을 나타내는 평면도 및 측면도이다.
도 3은 도 2의 제 1 반송 장치의 제 2 관절부에서의 단자 구조를 나타내는 개략 평면도 및 개략 단면도이다.
도 4는 도 2의 제 1 반송 장치가 구비하는 정전 픽에 정전 흡착력을 발생시키는 시퀀스를 나타내는 도이다.
도 5는 도 2의 제 1 반송 장치의 제 2 관절부에서의 다른 단자 구조를 나타내는 개략 평면도이다.
도 6은 도 2의 제 1 반송 장치의 제 2 관절부가 도 5의 단자 구조를 구비하는 경우에 있어서 정전 픽에 정전 흡착력을 발생시키기 위한 시퀀스를 나타내는 도이다.
도 7은 도 2의 제 1 반송 장치의 제 2 관절부에서의 또 다른 단자 구조를 나타내는 개략 평면도, 개략 단면도, 부분적인 평면 전개도이다.
도 8은 도 7에 나타낸 단자 구조에 있어서, 단자의 접촉 상태 / 비접촉 상태를 간이적으로 나타내는 단면도이다.
도 9는 직진형의 반송 장치의 개략 구성을 나타내는 부분적인 평면도 및 부분 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시의 형태에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 여기서는, 반송체로서 직경이 450 mm(φ 450 mm)인 반도체 웨이퍼(이하 '웨이퍼'라고 함)를 채택하고, 웨이퍼에 대하여 플라즈마 처리를 실시하는 기판 처리 시스템(플라즈마 처리 시스템)을 채택하는 것으로 한다.
도 1은 본 발명의 실시의 형태에 따른 기판 처리 시스템(10)의 개략 구성을 나타내는 평면도이다. 기판 처리 시스템(10)은 웨이퍼(W)를 매엽으로(1 매씩) 플라즈마 처리를 실시하도록 구성되어 있다. 구체적으로, 기판 처리 시스템(10)은 평면에서 봤을 때 대략 오각형 형상의 트랜스퍼 모듈(11)(기판 반송실)과, 트랜스퍼 모듈(11)의 둘레에 방사 형상으로 배치되어 트랜스퍼 모듈(11)에 접속된 6 개의 프로세스 모듈(12)(기판 처리실)과, 트랜스퍼 모듈(11)에 대향하여 배치된 로더 모듈(13)과, 트랜스퍼 모듈(11)과 로더 모듈(13)의 사이에 개재하는 2 개의 로드록 모듈(14)(대기 / 진공 전환실)을 구비한다.
프로세스 모듈(12)은 진공 챔버를 가지고, 진공 챔버 내에는 웨이퍼(W)를 배치하는 배치대로서의 원주(圓柱) 형상의 스테이지(15)가 마련되어 있다. 프로세스 모듈(12)에서는, 스테이지(15)에 웨이퍼(W)가 배치된 후에 진공 챔버 내를 정해진 진공도로 하고, 처리 가스를 도입하고 또한 진공 챔버 내에 고주파 전력을 인가하여 플라즈마를 생성시키고, 생성한 플라즈마에 의해 웨이퍼(W)에 에칭 처리 등의 플라즈마 처리를 실시한다. 프로세스 모듈(12)과 트랜스퍼 모듈(11)은 개폐 가능한 게이트 밸브(16)로 구획되어 있다.
프로세스 모듈(12)이 구비하는 스테이지(15)에는, 스테이지(15)의 상면으로부터 돌출 가능하게, 복수(예를 들면 3 개)의 가는 봉 형상의 리프트 핀이 마련되어 있다. 이들 리프트 핀은, 평면에서 봤을 때 동일 원주 상에 배치되어 있고, 스테이지(15)의 상면으로부터 돌출됨으로써 스테이지(15)에 배치된 웨이퍼(W)를 지지하여 들어올리고, 반대로, 스테이지(15) 내로 퇴출함으로써 지지한 웨이퍼(W)를 스테이지(15)에 배치한다.
트랜스퍼 모듈(11)은 진공(감압) 분위기로 유지되어 있고, 그 내부에는 제 1 반송 장치(17)가 배치되어 있다. 제 1 반송 장치(17)는 3 개소의 관절부를 가지는 다관절 구조를 가지고, 그 선단부에, 정전 흡착력에 의해 웨이퍼(W)를 유지하는 픽(이하 '정전 픽(44)'이라고 기술함)을 구비하고 있다. 제 1 반송 장치(17)는, 트랜스퍼 모듈(11)의 내부 저벽에 X 방향으로 연장되도록 배치된 미도시의 가이드 레일을 따라, X 방향으로 이동 가능하며, 각 프로세스 모듈(12) 및 각 로드록 모듈(14)의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송한다. 제 1 반송 장치(17)의 구조와 동작의 상세에 대해서는 후술한다.
로드록 모듈(14)은, 진공 분위기와 대기압 분위기로 전환 가능한 내압 가변실로서 구성되어 있다. 로드록 모듈(14)과 트랜스퍼 모듈(11)은 개폐 가능한 게이트 밸브(19a)로 구획되어 있고, 로드록 모듈(14)과 로더 모듈(13)은 개폐 가능한 게이트 밸브(19b)로 구획되어 있다. 로드록 모듈(14)의 내부에는, 웨이퍼(W)를 배치하는 배치대로서의 원주 형상의 스테이지(18)가 배치되어 있고, 스테이지(18)에는, 프로세스 모듈(12)의 스테이지(15)와 마찬가지로, 리프트 핀이 스테이지(18)의 상면으로부터 돌출 가능하게 마련되어 있다.
로드록 모듈(14)은, 웨이퍼(W)를 로더 모듈(13)로부터 트랜스퍼 모듈(11)로 반송할 시에는, 내부를 대기압으로 유지하여 로더 모듈(13)로부터 웨이퍼(W)를 수취하고, 이어서, 내부를 진공까지 감압하여 트랜스퍼 모듈(11)로 웨이퍼(W)를 전달한다. 반대로, 웨이퍼(W)를 트랜스퍼 모듈(11)로부터 로더 모듈(13)로 반송할 시에는, 내부를 진공으로 유지하여 트랜스퍼 모듈(11)로부터 웨이퍼(W)를 수취하고, 이어서, 내부를 대기압으로 승압하여 로더 모듈(13)로 웨이퍼(W)를 전달한다.
로더 모듈(13)은 직육면체 형상의 대기 반송실로서 구성되어 있고, 일방의 긴 변 측의 측면에 로드록 모듈(14)이 접속되고, 타방의 긴 변 측의 측면에, 복수의 웨이퍼(W)를 수용하는 용기인 미도시의 풉(FOUP)을 배치하기 위한 복수(여기서는 3 개)의 풉 배치대(21)가 접속되어 있다.
로더 모듈(13)의 내부에는 웨이퍼(W)를 반송하는 제 2 반송 장치(20)가 배치되어 있고, 제 2 반송 장치(20)는 Y 방향으로 연장되는 미도시의 가이드 레일과, 스카라 암 타입의 반송 암(20a)을 가지고 있다. 반송 암(20a)은 가이드 레일을 따라 Y 방향으로 이동 가능하며, 또한 선회 가능 또한 신축 가능하게 구성되어 있다. 반송 암(20a)의 선단에는 웨이퍼(W)를 배치하여 유지하는 픽(20b)이 장착되어 있다. 또한, 픽(20b)은 패드 등에 의해 웨이퍼(W)를 마찰력에 의해 지지한다. 로더 모듈(13)에서는, 제 2 반송 장치(20)가 풉 배치대(21)에 배치된 풉과 각 로드록 모듈(14)과의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송한다.
기판 처리 시스템(10)은 컴퓨터로 이루어지는 제어 장치(22)를 가진다. 제어 장치(22)는 기판 처리 시스템(10) 전체의 동작 제어를 행한다.
이어서, 제 1 반송 장치(17)의 구성, 동작과 그 제어 방법에 대하여 설명한다. 도 2의 (a)는 제 1 반송 장치(17)의 개략 구성을 나타내는 평면도(상면도)이며, 도 2의 (b)는 제 1 반송 장치(17)의 개략 구성을 나타내는 측면도이다.
제 1 반송 장치(17)는 제 1 관절부(31), 제 2 관절부(32), 제 3 관절부(33), 제 1 암부(41), 제 2 암부(42), 제 3 암부(43) 및 정전 픽(44)을 구비한다. 또한 도 2에서는, 제 1 암부(41)와 제 2 암부(42)를 X 방향으로 신장시킨 상태가 나타나 있다. 또한, 도 2에서는 제 1 반송 장치(17)의 구동계의 도시를 생략하고 있다.
제 1 관절부(31), 제 2 관절부(32) 및 제 3 관절부(33)는 각각, 롤러 베어링 등을 포함하는 복수의 부재로 구성되어 있다. 제 1 관절부(31)는 미도시의 기대에 배치되어 있고, 제 1 암부(41)의 일방의 단부는 제 1 관절부(31)에 회전 가능하게 장착되어 있다. 제 1 암부(41)의 타방의 단부는 제 2 관절부(32)에 고정되어 있다. 제 2 암부(42)의 일방의 단부는 제 2 관절부(32)에 회전 가능하게 장착되어 있고, 타방의 단부는 제 3 관절부(33)에 고정되어 있다. 제 3 암부(43)의 일방의 단부는 제 3 관절부(33)에 회전 가능하게 장착되어 있고, 타방의 단부에 정전 픽(44)이 고정되어 있다. 또한, 제 3 암부(43)와 정전 픽(44)은 기재에 동일 소재를 이용한 일체 구조를 가지는 것이어도 된다.
제 1 암부(41)는 제 1 관절부(31) 둘레로 회전 가능하다. 제 2 암부(42)는 제 2 관절부(32) 둘레로 회전 가능하기 때문에, 제 1 암부(41)와 제 2 암부(42)의 굴곡 각도는 제 2 관절부(32)에 따라 가변이다. 제 3 암부(43)는 제 3 관절부(33) 둘레로 회전 가능하기 때문에, 제 2 암부(42)와 제 3 암부(43)의 굴곡 각도는 제 3 관절부(33)에 따라 가변이다. 이러한 동작이 가능하면, 각 관절부에서의 암부끼리의 접속 형태는 상기 형태에 한정되지 않는다.
정전 픽(44)은 그 내부에 미도시의 전극을 구비하고 있고, 이 전극에 정해진 전압을 인가함으로써 정전기력을 발생시켜, 정전 픽(44) 상에 배치된 웨이퍼(W)를 정전 흡착한다. 따라서, 정전 픽(44)이 웨이퍼(W)를 정전 흡착한 상태에서는, 제 1 반송 장치(17)를 고속 구동해도, 웨이퍼(W)가 정전 픽(44) 상에서 위치 이탈하거나 정전 픽(44)으로부터 낙하하는 것을 방지할 수 있기 때문에, 스루풋을 향상시킬 수 있고, 또한 반송처의 정확한 위치로 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
이어서, 정전 픽(44)의 내부에 마련된 전극에 전압을 인가하기 위한 구성(케이블 및 접속 단자의 설치 형태)과 그 제어 방법(전압 인가 방법)에 대하여 설명한다. 도 2의 (b)에 나타내는 바와 같이, 제 1 관절부(31)에 마련된 내홀을 이용하여, 전압 인가용의 제 1 케이블(51)이, 기대로부터 제 1 관절부(31)와 제 1 암부(41)를 통과하여 둘러지고, 제 2 관절부(32)에 마련된 단자부에 접속되어 있다. 또한, 전압 인가용의 제 2 케이블(52)이 제 2 관절부(32)에 마련된 다른 단자에 접속되어 있고, 이 다른 단자로부터 제 2 암부(42)의 내부를 통과하여 제 3 관절부(33)로 둘러지고, 또한 정전 픽(44)의 내부 전극에 접속되어 있다. 제 2 관절부(32)에서의 단자 구조의 상세는 후술한다.
또한 본 실시의 형태에서는, 로드록 모듈(14)과 프로세스 모듈(12)의 각각의 내부에 대한 정전 픽(44)의 삽입 인출을 가능하게 하는 동작을 실현할 시, 제 1 관절부(31)를 중심으로 한 제 1 암부(41)의 회전 각도와 제 3 관절부(33)를 중심으로 한 제 3 암부(43)의 회전 각도는 각각 일정한 좁은 범위로 충분한 것으로 한다. 그 경우, 제 1 관절부(31)와 제 3 관절부(33)에서는, 후술하는 제 2 관절부(32)에서의 단자 구조를 이용하지 않고, 제 1 암부(41)와 제 3 암부(43)의 각각의 회전에 따라 휨량이 변화하는 여분 길이부(51a, 52a)를 마련하고 있고, 이에 의해 제 1 케이블(51) 및 제 2 케이블(52)의 단선을 방지하고 있다. 또한, 제 1 관절부(31)와 제 3 관절부(33)에서의 회전 각도는 크지 않기 때문에, 제 1 암부(41)와 제 3 암부(43)를 회전시켰을 때의 여분 길이부(51a, 52a)에 걸리는 부하는 작고, 따라서 여분 길이부(51a, 52a)를 마련해도 그 내구성에 문제는 없다.
도 3의 (a)는 제 2 관절부(32)에서의 제 1 암부(41)측의 단자 구조를 나타내는 개략 평면도이며, 도 3의 (b)는 제 2 관절부(32)에서의 단자 구조를 나타내는 개략 단면도이다. 이하의 설명에서는, 도 3에 나타내는 단자 구조를, 적절히 제 1 단자 구조라고 한다.
제 1 암부(41)의 프레임에는, 원주 형상을 가지고, 절연 재료(유전 재료)로 이루어지는 단자 기대(61)가 고정되어 있다. 단자 기대(61)의 상면에는, 동심원이 되도록 배치된 환상의 제 1 단자(62)와 제 2 단자(63)가 마련되어 있다. 제 1 단자(62)와 제 2 단자(63)는 각각, 구리 등의 도전성이 좋은 금속으로 이루어지고, 후술하는 제 3 단자(72) 및 제 4 단자(73)의 슬라이드 이동에 대하여 내구성을 가지도록 일정한 두께를 가지고 있다.
단자 기대(61)의 상면에 있어서, 제 1 단자(62)와 제 2 단자(63)의 사이에는 환상의 절연 부재(65)가 배치되어 있다. 제 1 반송 장치(17)는 진공(감압) 분위기에 배치되기 때문에, 제 1 단자(62)와 제 2 단자(63) 간의 전위차에 의해 방전이 발생하는 것을 절연 부재(65)에 의해 방지하고 있다. 또한 제 1 단자(62)와 제 2 단자(63) 간의 거리가 충분히 크기 때문에 정전 픽(44)에 정전 흡착력을 발생시키기 위한 전압을 제 1 단자(62)와 제 2 단자(63)에 인가했을 때 방전이 발생할 우려가 없는 경우에는, 절연 부재(65)는 반드시 필요하지는 않다.
제 1 케이블(51)은 단자 기대(61)의 측면에 마련된 접속 단자(66a, 66b)에 접속되어 있고, 접속 단자(66a, 66b)는 각각, 단자 기대(61) 내에 마련된 배선을 통과하여, 제 1 단자(62)와 제 2 단자(63)에 접속되어 있다. 제 1 케이블(51)에는 제어 장치(22)에 의한 동작 제어가 가능한 스위치(64a, 64b)가 마련되어 있다. 스위치(64a, 64b)는 제어 장치(22) 내, 제 1 암부(41) 내 혹은 제어 장치(22)와 제 1 암부(41)의 사이의 어느 위치에 마련되어 있어도 된다.
제 2 암부(42)의 내부에는 제 2 암부(42)의 프레임에 고정된 지지 부재(71)가 배치되어 있다. 지지 부재(71)에는 스프링(75, 76)(예를 들면, 신축에 의해 부세력을 발생시키는 코일 스프링)이 배치되어 있고, 스프링(75, 76)의 각각에 제 3 단자(72)와 제 4 단자(73)가 장착되어 있다. 스프링(75)은 제 3 단자(72)를 제 1 단자(62)에 누르고, 스프링(76)은 제 4 단자(73)를 제 2 단자(63)에 누르고 있다. 절연 부재(65)는 제 3 단자(72)와 제 4 단자(73)의 사이에서 방전이 발생하는 것을 방지할 수 있는 높이(두께)를 가지고 있다. 제 3 단자(72)와 제 4 단자(73)에는 각각 제 2 케이블(52)이 접속되어 있다.
제 2 암부(42)가 제 2 관절부(32)를 중심으로서 제 1 암부(41)에 대하여 회전하면, 제 3 단자(72)는 제 1 단자(62)와 접촉(가압 접촉)한 상태에서 제 1 단자(62)의 원주를 따라 슬라이드 이동하고, 제 4 단자(73)는 제 2 단자(63)와 접촉한 상태에서 제 2 단자(63)의 원주를 따라 슬라이드 이동한다. 따라서, 제 2 암부(42)를 제한 없이, 제 1 암부(41)에 대하여 회전시킬 수 있고, 그 때, 항상, 제 3 단자(72)와 제 4 단자(73)가 각각 제 1 단자(62)와 제 2 단자(63)에 접촉하여 도통한 상태로 유지된다.
이와 같이, 제 2 관절부(32)에서는, 정전 픽(44)에 전압을 공급하기 위한 케이블을 제 2 관절부(32) 내에 통과시킬 필요가 없기 때문에, 제 2 관절부(32) 내의 구성의 자유도를 높일 수 있어, 콤팩트화가 가능해진다.
도 3의 (c)는 제 3 단자(72)와 제 4 단자(73)를 각각 제 1 단자(62)와 제 2 단자(63)에 접촉시키는 다른 형태를 나타내는 도이다. 도 3의 (b)에는 스프링(75, 76)으로서 코일 스프링을 이용 했지만, 제 3 단자(72)와 제 4 단자(73)를 각각 제 1 단자(62)와 제 2 단자(63)에 접촉시키는 부세 수단으로서는 판 스프링(78, 79)를 이용해도 되며, 부세 수단은 특별히 한정되는 것은 아니다.
도 4는 정전 픽(44)에 정전 흡착력을 발생시키는 시퀀스를 나타내는 도이다. 도 4 중의 '척'은, 정전 픽(44)이 웨이퍼(W)를 정전 흡착하고 있는 상태를 나타내고 있고 '디척'은, 정전 픽(44)이 제전된 상태(웨이퍼(W)에 대한 정전 흡착력이 발생하고 있지 않은 상태)를 나타내고 있다. '전압'의 '정 / 제로 / 부'는 정전 픽(44)의 내부 전극에 인가되고 있는 전압을 나타내고 있다. '스위치(64a, 64b)'의 '온 / 오프'는 스위치(64a, 64b)의 온 상태와 오프 상태를 나타내고 있다. 본 실시의 형태에서는, 스위치(64a)가 온 상태, 또한 스위치(64b)가 오프 상태일 때에는, 제어 장치(22)로부터 정전압이 정전 픽(44)의 내부 전극에 인가되고, 반대로, 스위치(64a)가 오프 상태, 또한 스위치(64b)가 온 상태일 때에는, 제어 장치(22)로부터 부전압이 정전 픽(44)의 내부 전극에 인가되는 것으로 한다.
시간(t0)에서, 정전 픽(44)은 웨이퍼(W)를 유지하고 있지 않고, 따라서 '디척', '스위치(64a, 64b) : 오프', '전압 : 제로'의 상태로 되어 있다. 예를 들면, 프로세스 모듈(12)(반송원)에서의 처리를 종료한 웨이퍼(W)를 로드록 모듈(14)(반송처)로 반송하기 위하여, 정전 픽(44)이 프로세스 모듈(12) 내로 진입하고, 시간(t1)에서 정전 픽(44) 상에 웨이퍼(W)가 배치되면, '스위치(64b) : 온'으로 제어되고, 이에 의해 '전압 : 부'가 되어 정전 흡착력이 발생하여 '척'의 상태가 된다.
시간(t1)으로부터 정해진 시간이 경과한 시간(t2)에서 '스위치(64b) : 오프'로 제어된다. 이에 의해, 정전 픽(44)은 전기적으로 플로트 상태가 되기 때문에, 정전 흡착력이 발생한 상태는 유지된다. 따라서, 제 1 반송 장치(17)를 구동하여 웨이퍼(W)를 로드록 모듈(14)로 반송해도, 반송 중에 정전 픽(44) 상에서 웨이퍼(W)의 위치가 이탈하거나 웨이퍼(W)가 정전 픽(44)으로부터 낙하하는 것이 방지된다. 그리고, 제 2 관절부(32)에서의 제 2 암부(42)의 회전 각도에는 제한이 없기 때문에, 반송처에 가장 효율이 좋은 회전 각도로 회전시킬 수 있고, 이에 의해 반송 시간을 단축할 수 있다.
또한 시간(t1) ~ 시간(t2) 사이의 시간은, 웨이퍼(W)를 유지하기 위한 충분한 정전 흡착력을 발생시키는 시간으로 설정하면 된다. 또한, 시간(t1) ~ 시간(t2) 사이의 정해진 타이밍에 정전 픽(44)을 프로세스 모듈(12)로부터 반출하는 동작을 개시할 수 있기 때문에, 시간(t2)은 기판 처리 시스템(10)에서의 스루풋에 영향을 주지 않는다.
정전 픽(44)이 로드록 모듈(14)로 진입하고, 정지한 시간(t3)에서 '스위치(64a) : 온'으로 제어된다. 이에 의해, 정전 픽(44)의 내부 전극에 정전압이 인가되어 정전 픽(44)의 제전이 행해지고, 시간(t4)에서 '디척'의 상태가 됨으로써, 정전 픽(44) 상의 웨이퍼(W)를 로드록 모듈(14) 내에 마련된 스테이지 상으로 전달하는 것이 가능해진다. 또한, '스위치(64a) : 온'의 상태를 길게 계속하면, 제전 후에 다시 정전 흡착력이 발생하기 때문에, '스위치(64a) : 온'의 상태는, 정전 픽(44)의 제전에 필요한 시간에 한정된다.
정전 픽(44)이 로드록 모듈(14)로부터 퇴출하고, 웨이퍼(W)가 배치되어 있지 않은 시간(t5)의 상태는, 시간(t0)의 상태와 동일하므로, 이후, 프로세스 모듈(12) 사이에서 혹은 프로세스 모듈(12)과 로드록 모듈(14)과의 사이에서, 상기와 마찬가지로 웨이퍼(W)의 반송을 행할 수 있다.
또한 도 4의 설명에서는, 정전 픽(44)의 내부 전극에 부전압을 인가하여 정전 흡착력을 발생시키고, 역전위의 정전압을 인가함으로써 제전을 행했는데, 인가하는 전압의 정부는 반대여도 된다. 즉, 정전 픽(44)의 내부 전극에 정전압을 인가하여 정전 흡착력을 발생시키고, 역전위의 부전압을 인가함으로써 제전을 행해도 된다.
또한, 프로세스 모듈(12) 또는 로드록 모듈(14)에서 웨이퍼(W)를 리프트 핀으로 전달할 시에는, 그라운드 전위에 접속된(어스된) 리프트 핀이 웨이퍼(W)에 접촉함으로써 웨이퍼(W)의 이면의 정전기를 제거할 수 있다. 이와 마찬가지로, 예를 들면, 웨이퍼(W)를 정전 흡착한 정전 픽(44)을 정해진 모듈에 삽입시켜 정지시킨 후, 리프트 핀을 웨이퍼(W)에 접촉시키기 전에, 스위치(64a, 64b) 및 제어 장치(22)에 의해, 정전 픽(44)의 내부 전극을 그라운드 전위에 접속함(어스함)으로써 정전 픽(44)의 제전을 행할 수도 있다.
도 5는 제 2 관절부(32)에서의 단자 기대(61)측의 다른 단자 구조를 나타내는 개략 평면도이다. 이하의 설명에서는, 도 5에 나타내는 단자 구조를 적절히 제 2 단자 구조라고 한다.
도 3에 나타낸 제 1 단자 구조에서는, 원환 형상의 제 1 단자(62)와 제 2 단자(63)가 단자 기대(61)에 배치(매설)된 구성으로 했다. 이에 대하여, 도 5에 나타내는 제 2 단자 구조는, 2 개의 동심원의 각 원주 상에 3 조, 즉 1 조의 제 1 단자(62a) 및 제 2 단자(63a), 1 조의 제 1 단자(62b) 및 제 2 단자(63b), 1 조의 제 1 단자(62c) 및 제 2 단자(63c)가 배치(매설)된 구성을 가진다.
또한 제 1 단자 구조에서는, 제 1 케이블(51)에 대하여 스위치(64a, 64b)를 마련했지만, 제 2 단자 구조에서는 스위치(64a, 64b)는 마련되어 있지 않다. 도 5에서는 각 단자와 제 1 케이블(51) 및 제어 장치(22)와의 접속을 간략적으로 나타내고 있다. 제 1 단자(62a ~ 62c) 및 제 2 단자(63a ~ 63c)는, 여기서는 평면에서 봤을 때 원형을 가지지만, 이에 한정되지 않고, 예를 들면 단자 기대(61)의 둘레 방향으로 일정한 길이를 가지는 대략 타원형 등의 형상이어도 된다. 단자 기대(61)에 마련되는 단자의 조 수는 3 조에 한정되지 않고, 2 조여도 되고, 4 조 이상이어도 된다.
제 2 관절부(32)에서의 제 1 암부(41)측의 제 2 단자 구조를 채용할 수 있는 이유는 다음과 같다. 즉, 제 1 반송 장치(17)는 도 1에 나타내는 X 방향에서의 위치를 조정함으로써, 정전 픽(44)이 임의의 로드록 모듈(14) 및 프로세스 모듈(12)로 진입한 상태에서, 제 2 관절부(32)에서의 제 1 암부(41)에 대한 제 2 암부(42)의 각도가 항상 2 개 또는 3 개의 값이 되도록 구성할 수 있다. 그 경우, 원환 형상의 제 1 단자(62)와 제 2 단자(63)를 이용할 필요는 없고, 제 1 암부(41)측의 단자 구조는, 제 1 암부(41)에 대하여 제 2 암부(42)가 정해진 각도가 되었을 때만, 제 3 단자(72)와 제 4 단자(73)가 제 1 케이블(51)과 도통하는 구성으로 되어 있으면 된다. 따라서, 도 5에 나타낸 제 2 단자 구조로 할 수 있다.
제 2 단자 구조에서의 제 1 단자(62a ~ 62c) 및 제 2 단자(63a ~ 63c)의 각 단자의 위치는 일례로, 이에 한정되지 않는다. 제 1 단자 구조에서의 제 2 암부(42)측의 제 3 단자(72) 및 제 4 단자(73)의 구성은 제 2 단자 구조에도 그대로 적용이 가능하다.
도 2의 (a)에 나타낸 상태에서, 제 1 관절부(31)에서 제 2 관절부(32)측을 봤을 때, 제 2 암부(42)가 왼쪽으로 90 도 구부러져, 제 1 암부(41)의 길이 방향과 제 2 암부(42)의 길이 방향이 직교한 상태에서는, 제 3 단자(72) 및 제 4 단자(73)는 제 1 단자(62a) 및 제 2 단자(63a)에 접촉한다. 마찬가지로, 제 1 관절부(31)에서 제 2 관절부(32)측을 봤을 때, 제 2 암부(42)가 오른쪽으로 90 도 구부러져, 제 1 암부(41)의 길이 방향과 제 2 암부(42)의 길이 방향이 직교한 상태에서는, 제 3 단자(72) 및 제 4 단자(73)는 제 1 단자(62b) 및 제 2 단자(63b)에 접촉한다. 제 1 암부(41)와 제 2 암부(42)가 도 2의 (b)의 Z 방향에서 봤을 때 중첩된 상태에서는, 제 3 단자(72) 및 제 4 단자(73)는 제 1 단자(62c) 및 제 2 단자(63c)에 접촉한다.
도 6은 제 2 관절부(32)가 제 2 단자 구조를 구비하는 경우의, 정전 픽(44)에 정전 흡착력을 발생시키기 위한 시퀀스를 나타내는 도이다. 도 6 중의 '척'은, 정전 픽(44)이 웨이퍼(W)를 정전 흡착하고 있는 상태를 나타내고 있고, '디척'은, 정전 픽(44)이 제전된 상태(웨이퍼(W)에 대한 정전 흡착력이 발생하고 있지 않은 상태)를 나타내고 있다. '도통'의 '온'은, 제어 장치(22)와 정전 픽(44)의 내부 전극이 도통하고 있는 상태(제 2 관절부(32)에서 제 1 단자(62a ~ 62c) 및 제 2 단자(63a ~ 63c) 중 어느 1 조의 단자가 제 3 단자(72) 및 제 4 단자(73)와 접촉하고 있는 상태)를 나타내고 있고, '도통'의 '오프'는, 제어 장치(22)와 정전 픽(44)의 내부 전극이 도통하고 있지 않은 상태를 나타내고 있다. '제어 신호'의 '온'은, 제어 장치(22)로부터 정전 픽(44)에 정전 흡착력을 발생시키기 위한 전압 신호가 출력되고 있는 상태를 나타내고, '제어 신호'의 '오프'는, 제어 장치(22)에 의해 정전 픽(44)을 그라운드 전위에 접속하고 있는 상태(정전 픽(44)의 정전 흡착력을 소실시키는 상태)를 나타내고 있다.
시간(t0)에서, 정전 픽(44)은 웨이퍼(W)를 유지하고 있지 않고, 제 3 단자(72) 및 제 4 단자(73)는 제 1 단자(62a ~ 62c) 및 제 2 단자(63a ~ 63c) 어느 것에도 접촉하고 있지 않다고 한다. 그 경우에, 시간(t0)에서는, '디척', '도통 : 오프', '제어 신호 : 오프'가 된다.
예를 들면, 프로세스 모듈(12)에서의 처리를 종료한 웨이퍼(W)를 로드록 모듈(14)로 반송하기 위하여, 정전 픽(44)이 프로세스 모듈(12) 내로 진입하고, 시간(t1)에서 정전 픽(44) 상에 웨이퍼(W)가 배치된다고 한다. 이 경우, 시간(t1)보다 전에 정전 픽(44)은 프로세스 모듈(12) 내에서 정지하고 있고, 따라서 시간(t1)보다 전의 정해진 타이밍에서, 제 3 단자(72) 및 제 4 단자(73)는, 예를 들면 제 1 단자(62a) 및 제 2 단자(63a)에 접촉하여, '도통 : 온'의 상태가 된다. 또한 '도통 : 온'이 되는 타이밍은, 제 2 관절부(32)에서의 동작(회전)이 종료되는 타이밍에 의해 정해진다. 그리고, 시간(t1)에 대하여 '제어 신호 : 온'이 됨으로써, 신속하게 '척'의 상태가 된다.
시간(t2)에서, 정전 픽(44)을 프로세스 모듈(12)로부터 반출하는 동작을 개시시키면, 제 2 관절부(32)에서의 회전이 행해지는 타이밍에 따라, 상술한 예의 경우에는 제 3 단자(72) 및 제 4 단자(73)가 제 1 단자(62a) 및 제 2 단자(63a)와 비접촉 상태가 된다. 따라서, 시간(t2) 후의 정해진 타이밍에 '도통 : 오프'가 되지만, 정전 픽(44)은 전기적으로 플로트 상태가 되기 때문에, 정전 흡착력이 발생하고 있는 '척'의 상태가 유지된다. 이에 의해, 제 1 반송 장치(17)를 구동하여 웨이퍼(W)를 로드록 모듈(14)로 반송해도, 정전 픽(44) 상에서 웨이퍼(W)의 위치가 이탈하거나 웨이퍼(W)가 정전 픽(44)으로부터 낙하하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제 2 관절부(32)에서의 제 2 암부(42)의 회전 각도에는 제한이 없기 때문에, 반송처에 가장 효율이 좋은 회전 각도로 회전시킬 수 있고, 이에 의해 반송 시간을 단축할 수 있다.
웨이퍼(W)의 반송처인 로드록 모듈(14)에서는, 제 3 단자(72) 및 제 4 단자(73)는 제 1 단자(62c) 및 제 2 단자(63c)에 접촉하는 것으로 한다.
정전 픽(44)이 로드록 모듈(14)로 진입하고, 시간(t3)에서 정전 픽(44)이 정지한 것으로 한다. 그 경우, 시간(t3)보다 전의 정해진 타이밍에 제 3 단자(72) 및 제 4 단자(73)가 제 1 단자(62c) 및 제 2 단자(63c)에 접촉하여, '도통 : 온'의 상태가 된다. 이 때, 시간(t2) 후에도 '제어 신호 : 온'의 상태가 유지되고 있기 때문에, 시간(t3)보다 전의 정해진 타이밍에서 '도통 : 온'이 되어도, 정전 픽(44)의 정전 흡착력이 소실되지 않는다.
시간(t3)에서, 정전 픽(44)의 제전을 행하기 위하여 '제어 신호 : 오프'로 제어되고, 이에 의해 '디척'의 상태가 됨으로써, 정전 픽(44) 상의 웨이퍼(W)를 로드록 모듈(14) 내에 마련된 스테이지 상으로 전달하는 것이 가능해진다.
시간(t4)에서, 정전 픽(44)을 로드록 모듈(14)로부터 퇴출시키면, 제 2 관절부(32)에서의 회전을 행하는 타이밍에 따라, 상술한 예의 경우에는 제 3 단자(72) 및 제 4 단자(73)가 제 1 단자(62c) 및 제 2 단자(63c)와 비접촉 상태가 된다. 따라서, 시간(t4) 후의 정해진 타이밍에 '도통 : 오프'가 된다. 그 후의 시간(t5)의 상태는, 시간(t0)의 상태와 동일하므로, 이후, 프로세스 모듈(12) 사이에서 혹은 프로세스 모듈(12)과 로드록 모듈(14)과의 사이에서, 상기와 마찬가지로 웨이퍼(W)의 반송을 행할 수 있다.
이어서, 제 3 단자(72) 및 제 4 단자(73)의 마모를 경감하는 구성에 대하여, 도 7 및 도 8을 참조하여 설명한다. 도 7의 (a)는 제 2 관절부(32)에서의 단자 기대(61)측의 또 다른 단자 구조를 나타내는 평면도이다. 도 7의 (a)에 나타내는 단자 구조는, 단자 기대(61)의 상면 외주에 입벽부(81)가 마련되어 있는 점에서 제 2 단자 구조(도 5))와 상이하지만, 그 외의 구성은 동일하다. 따라서, 이하, 입벽부(81)의 구성에 대하여 설명한다.
도 7의 (b)는 도 7의 (a)에 나타낸 화살표 A-A의 단면도이며, 도 7의 (c)는 입벽부(81)의 평면 전개도이다. 입벽부(81)는 제 1 단자(62a) 및 제 2 단자(63a)의 외측에 대응하는 부분, 제 1 단자(62b) 및 제 2 단자(63b)의 외측에 대응하는 부분, 제 1 단자(62c) 및 제 2 단자(63c)의 외측에 대응하는 영역에서, 그 외의 영역보다 높이가 낮은 구조를 가지고 있다.
도 8의 (a)는 제 1 단자(62c) 및 제 2 단자(63c)와 제 3 단자(72) 및 제 4 단자(73)가 접촉한 상태를 간이적으로 나타내는 단면도이다. 도 8의 (b)는 도 8의 (a)에 나타낸 상태로부터 제 2 암부(42)를 45도 회전시킨 상태를 간이적으로 나타내는 단면도이다. 또한 도 8에서는, 제 3 단자(72) 및 제 4 단자(73)에 접속되는 제 2 케이블(52)의 도시를 생략하고 있다.
제 3 단자(72) 및 제 4 단자(73)는 봉 형상의 지지 부재(82)의 일방의 단부에 장착되어 있다. 지지 부재(82)의 타방의 단부(82a)는 부세 수단인 스프링(83)을 개재하여 제 2 암부(42)의 프레임에 고정되어 있다.
도 8의 (a)의 상태에서는, 지지 부재(82)의 길이 방향의 중간 부분이 입벽부(81)의 상면에 접촉하고 있고, 스프링(83)은 지지 부재(82)의 단부(82a)를 항상 화살표(F) 방향으로 부세하고 있다. 따라서, 제 3 단자(72) 및 제 4 단자(73)는 지렛대의 원리에 의해 단자 기대(61)측으로 눌려, 제 1 단자(62c) 및 제 2 단자(63c)와 접촉하고 있다.
제 2 암부(42)를 회전시켜 도 8의 (a)의 상태에서 도 8의 (b)의 상태로 천이 시키면, 입벽부(81)에서 지지 부재(82)가 접촉하는 위치가 입벽부(81)의 상면을 따라 이동하고, 입벽부(81)가 스프링(83)의 부세력에 맞서 지지 부재(82)를 들어올린다. 즉, 입벽부(81)와 지지 부재(82)의 접촉점을 지점으로서, 스프링(83)이 압축되어, 제 3 단자(72) 및 제 4 단자(73)는 단자 기대(61)의 상면으로부터 부상하고, 단자 기대(61)의 표면과의 접촉이 해제된다. 이렇게 하여, 제 3 단자(72) 및 제 4 단자(73)와 단자 기대(61)가 슬라이드 이동하지 않는 구성으로 함으로써, 제 3 단자(72) 및 제 4 단자(73)의 내구성을 높일 수 있다. 도 8의 (b)의 상태로부터 도 8의 (a)로의 상태의 변화는, 도 8의 (a)의 상태로부터 도 8의 (b)로의 상태의 변화와 가역적인 것은 말할 필요도 없다.
또한 제 1 단자 구조(도 3)에서 단자 기대(61)에 입벽부(81)를 마련하고, 스위치(64a, 64b)를 마련하지 않고, 항상, 접속 단자(66a, 66b)와 제어 장치(22)가 도통한 구성으로 한 단자 구조는, 실질적으로 제 2 단자 구조(도 5)와 동일하게 기능한다. 따라서, 이 경우에는 도 6에 나타낸 시퀀스가 적용된다.
상술한 제 1 단자 구조(도 3) 및 제 2 단자 구조(도 5)는 상술한 바와 같이 회전 동작을 행하기 위한 관절부에 한정되지 않고, 정전 픽(44)을 일방향으로 직선적으로 이동시키는 반송 장치에도 적용이 가능하다. 따라서, 이어서 정전 픽(44)을 일방향으로 직선적으로 이동시키는 반송 장치에 제 2 단자 구조를 적용한 예에 대하여 설명한다.
도 9의 (a)는 직진형의 반송 장치의 개략 구성을 나타내는 부분적인 평면도이다. 정전 픽(44)은 유지 부재(91)(스테이지)에 고정되어 있다. 유지 부재(91)는 일방향(여기서는, X 방향)으로 진퇴(슬라이드) 가능하게, X 방향으로 연장되도록 기대(90)에 마련된 가이드(93)와 감합되어 있다. 또한, 유지 부재(91)는 X 방향으로 연장되도록 기대(90)에 배치된 스크류(92)와 나사 결합되어 있다. 미도시의 모터에 의해 스크류(92)를 회전시킴으로써, 유지 부재(91)를 X 방향으로 이동시킬 수 있다.
유지 부재(91)에는 Y 방향으로 나란히 2 개의 제 1 단자(94)가 배치되어 있다. 또한, 기대(90)에는 Y 방향으로 나열된 2 개의 단자로 이루어지는 제 2 단자(95a, 95b, 95c)가, X 방향으로 정해진 간격으로 배치되어 있고, 유지 부재(91)를 X 방향으로 이동시켰을 때, 제 1 단자(94)와 제 2 단자(95a, 95b, 95c)와의 접촉 상태 / 비접촉 상태가 발생한다.
도 9의 (b)는 제 1 단자(94)와 제 2 단자(95b)가 접촉하고 있는 상태를 나타내는 단면도이다. 제 1 단자 구조(도 3)와 마찬가지로, 여기서는, 스프링(96)을 이용하여 기대(90)측으로 제 1 단자(94)를 누름으로써, 제 1 단자(94)와 제 2 단자(95b)와의 접촉, 도통을 확보하고 있다. 또한, 도 9의 반송 장치는 도 6에 나타낸 시퀀스에 의해 제어된다.
이상, 본 발명의 실시의 형태에 대하여 설명했지만, 본 발명은 상기한 실시의 형태에 한정되지 않는다. 예를 들면, 도 3 또는 도 5 등을 참조하여 설명한 제 1 단자 구조 및 제 2 단자 구조를, 제 1 반송 장치(17)의 제 2 관절부(32)에 적용했는데, 이들 단자 구조는, 제 1 관절부(31) 또는 제 3 관절부(33)에도 적용할 수 있고, 또한 제 2 반송 장치(20)의 관절부에도 적용할 수 있다.
또한, 도 3의 단자 구조에 대하여, 도 6에 나타낸 제어 신호를 적용하여 웨이퍼(W)를 반송할 수도 있다. 그 경우에는, 스위치(64a, 64b)를 항상 닫은 상태(즉, 스위치(64a, 64b)를 마련하지 않고, 제 1 케이블(51)과 제어 장치(22)와 접속 단자(66a, 66b)를 접속한 상태)로 함으로써, 제어 장치(22)와 제 2 케이블(52)을 항상 도통한 상태로 유지한다. 이에 의해, 정전 픽(44)이 웨이퍼(W)를 유지하고 있는 동안에는 계속 정전 흡착력을 발생시키기 위한 전압이 정전 픽(44)의 내부 전압에 인가되어 있는 상태가 된다. 이 경우에도, 제 2 관절부(32)에서의 회전 각도에 제한이 없고, 최소의 회전 각도에서의 웨이퍼(W)의 반송이 가능하다고 하는 효과는 얻어진다.
또한, 상기 실시의 형태에서는, 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 장치에 대하여 설명했지만, 피반송체는 웨이퍼(W)에 한정되지 않고, 그 외의 기판 또는 부품 등이어도 된다.
10 : 기판 처리 시스템
11 : 트랜스퍼 모듈
12 : 프로세스 모듈
14 : 로드록 모듈
17 : 제 1 반송 장치
22 : 제어 장치
32 : 제 2 관절부
41 : 제 1 암부
42 : 제 2 암부
44 : 정전 픽
51 : 제 1 케이블
52 : 제 2 케이블
61 : 단자 기대
62, 62a, 62b, 62c : 제 1 단자
63, 63a, 63b, 63c : 제 2 단자
72 : 제 3 단자
73 : 제 4 단자
75, 76 : 스프링

Claims (8)

  1. 반송체를 반송하는 반송 암과,
    상기 반송 암을 구동하는 구동 수단과,
    상기 반송 암의 선단에 마련되고, 상기 반송체가 배치되는 픽과,
    상기 픽에 마련된 내부 전극을 포함하고, 상기 반송체를 상기 픽에 정전 흡착시키는 정전 흡착 수단과,
    상기 정전 흡착 수단 및 상기 구동 수단을 제어하는 제어 수단을 구비하고,
    상기 제어 수단은, 상기 정전 흡착 수단 및 상기 구동 수단을 제어하여, 상기 반송체를 상기 픽에 정전 흡착한 후에, 상기 내부 전극을 전기적으로 플로트 상태로 함으로써 상기 반송체가 상기 픽에 정전 흡착된 상태를 유지하여, 상기 반송체를 상기 반송 암에 의해 반송하는 것을 특징으로 하는 반송 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 반송 암은,
    적어도 하나의 암부와,
    상기 암부를 회전 가능하게 유지하는 관절부를 구비하고,
    상기 관절부는,
    환상의 단자와,
    상기 환상의 단자를 유지하는 기대를 가지고,
    상기 암부는,
    다른 단자와,
    상기 다른 단자를 상기 환상의 단자에 접촉시키는 부세 수단을 가지고,
    상기 암부를 상기 관절부를 중심으로서 회전시켰을 때, 상기 다른 단자는 상기 환상의 단자의 둘레 방향으로 상기 환상의 단자에 대하여 슬라이드 이동하는 것을 특징으로 하는 반송 장치.
  3. 반송체를 반송하는 반송 암과,
    상기 반송 암을 구동하는 구동 수단과,
    상기 반송 암의 선단에 마련되고, 상기 반송체가 배치되는 픽과,
    상기 픽에 마련된 내부 전극을 포함하고, 상기 반송체를 상기 픽에 정전 흡착시키는 정전 흡착 수단과,
    상기 정전 흡착 수단을 제어하는 제어 수단과,
    상기 반송체의 반송원과 반송처의 각각에 상기 픽이 있을 때 상기 제어 수단과 상기 내부 전극을 도통시키고, 상기 픽을 상기 반송원으로부터 상기 반송처로 이동시키는 동안에는 상기 제어 수단과 상기 내부 전극 간의 도통이 끊어지도록 구성된 단자부를 구비하고,
    상기 제어 수단은, 상기 정전 흡착 수단을 제어하여, 상기 픽이 상기 반송원에 있을 때 상기 반송체를 상기 픽에 정전 흡착시키고, 상기 픽이 상기 반송처에 있을 때 상기 픽의 제전을 행하고, 상기 픽이 상기 반송원으로부터 상기 반송처로 이동하는 동안에는, 상기 단자부에 의해 상기 내부 전극이 전기적으로 플로트 상태가 됨으로써 상기 반송체가 상기 픽에 정전 흡착된 상태가 유지되는 것을 특징으로 하는 반송 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 반송 암은,
    적어도 하나의 암부와,
    상기 암부를 회전 가능하게 유지하는 관절부를 구비하고,
    상기 단자부는,
    상기 관절부에 마련된 단자 기대와,
    동일 원주 상의 정해진 위치에 배치되도록 상기 단자 기대의 일면에 마련된 복수의 단자와,
    상기 암부에 마련된 다른 단자와,
    상기 다른 단자를 상기 단자 기대의 상기 일면에 접촉시키는 부세 수단을 가지고,
    상기 암부가 상기 관절부를 중심으로서 회전할 때 상기 다른 단자가 상기 동일 원주 상을 둘레 방향으로 이동함으로써, 상기 복수의 단자와 상기 다른 단자와의 접촉 상태와 비접촉 상태가 전환되고,
    상기 복수의 단자와 상기 다른 단자가 접촉 상태에 있을 때, 상기 제어 수단과 상기 내부 전극이 도통하고, 상기 복수의 단자와 상기 다른 단자가 비접촉 상태에 있을 때, 상기 제어 수단과 상기 내부 전극 간의 도통이 끊어지는 것을 특징으로 하는 반송 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 부세 수단에 의한 부세력에 맞서 상기 다른 단자를 상기 단자 기대의 상기 일면으로부터 부상하게 함으로써 상기 복수의 단자와 상기 다른 단자를 비접촉 상태로 하는 부상 수단을 가지는 것을 특징으로 하는 반송 장치.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 반송 암을 일방향으로 진퇴 가능하게 유지하고, 상기 일방향으로 정해진 간격으로 배치된 복수의 단자를 가지는 유지 수단을 구비하고,
    상기 반송 암은,
    다른 단자와,
    상기 다른 단자를 상기 유지 수단에 있어서 상기 복수의 단자가 배치된 면에 접촉시키는 부세 수단을 가지고,
    상기 일방향에서의 상기 반송 암의 진퇴에 수반하여 상기 다른 단자가 상기 일방향으로 이동함으로써, 상기 복수의 단자와 상기 다른 단자와의 접촉 상태와 비접촉 상태가 전환되고,
    상기 복수의 단자와 상기 다른 단자가 접촉 상태에 있을 때, 상기 제어 수단과 상기 내부 전극이 도통하고, 상기 복수의 단자와 상기 다른 단자가 비접촉 상태에 있을 때, 상기 제어 수단과 상기 내부 전극 간의 도통이 끊어지는 것을 특징으로 하는 반송 장치.
  7. 제 4 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제어 수단은, 상기 반송체의 반송 중에는, 상기 픽에 정전 흡착력을 발생시키기 위한 전압 신호를 상기 복수의 단자에 계속 인가하는 것을 특징으로 하는 반송 장치.
  8. 반송체를 반송원으로부터 반송처로 반송하는 반송 장치의 제어 방법으로서,
    상기 반송원에 있어서, 반송 암에 마련된 픽에 상기 반송체를 배치하는 배치 단계와,
    상기 픽에 마련된 내부 전극에 전압을 인가함으로써 상기 픽에 정전 흡착력을 발생시켜, 상기 반송체를 상기 픽에 정전 흡착시키는 정전 흡착 단계와,
    상기 반송체를 상기 반송처로 반송하기 위하여 상기 반송 암을 구동하는 구동 단계와,
    상기 반송체의 반송 중에 상기 내부 전극을 전기적으로 플로트 상태로 하여 상기 반송체를 상기 픽에 정전 흡착시킨 상태를 유지하는 정전 흡착 유지 단계와,
    상기 반송체의 상기 반송처로의 반송이 종료된 후에 상기 픽을 제전하는 제전 단계를 가지는 것을 특징으로 하는 반송 장치의 제어 방법.
KR1020160081100A 2015-07-01 2016-06-28 반송 장치 및 그 제어 방법 KR102338237B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2015-132614 2015-07-01
JP2015132614A JP6513508B2 (ja) 2015-07-01 2015-07-01 搬送装置、その制御方法及び基板処理システム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170004870A true KR20170004870A (ko) 2017-01-11
KR102338237B1 KR102338237B1 (ko) 2021-12-10

Family

ID=57684422

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160081100A KR102338237B1 (ko) 2015-07-01 2016-06-28 반송 장치 및 그 제어 방법

Country Status (4)

Country Link
US (2) US10586729B2 (ko)
JP (1) JP6513508B2 (ko)
KR (1) KR102338237B1 (ko)
TW (2) TWI679160B (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112582320B (zh) * 2020-12-08 2024-02-09 北京晶亦精微科技股份有限公司 一种交替式调度晶圆的方法、装置及晶圆清洗传输系统

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0883832A (ja) * 1994-07-13 1996-03-26 Shinko Electric Co Ltd 電力供給装置
KR20010019899A (ko) * 1999-08-31 2001-03-15 이철환 자동차용 자동 등화스위치
KR20100053005A (ko) * 2008-11-12 2010-05-20 삼성전자주식회사 조인트유닛의 전기연결장치와 이를 구비한 로봇
JP2011077288A (ja) 2009-09-30 2011-04-14 Tokyo Electron Ltd 搬送装置
KR20110104991A (ko) * 2009-01-11 2011-09-23 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 로봇 및 로봇의 전기 엔드 이펙터로 전기 연결을 하기 위한 시스템, 장치 및 방법

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63162176A (ja) * 1986-12-24 1988-07-05 フアナツク株式会社 水平関節型ロボツトの第１ア−ム構造
US4990022A (en) * 1988-03-07 1991-02-05 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Robot hand coupling assembly
US5069524A (en) * 1988-03-07 1991-12-03 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Robot hand optical fiber connector coupling assembly
ES2130295T3 (es) * 1989-10-20 1999-07-01 Applied Materials Inc Aparato de tipo robot.
US5293107A (en) * 1993-02-24 1994-03-08 Fanuc Robotics North America, Inc. Motorized rotary joint and method of constructing a modular robot utilizing same
US5523662A (en) * 1994-05-02 1996-06-04 Engineering Services, Inc. Modular, expandable and reconfigurable robot
JP4150992B2 (ja) * 2000-04-07 2008-09-17 日本サーボ株式会社 ステップリング付同軸出力中空軸減速体を有する回転電機
JP3607929B2 (ja) * 2001-01-31 2005-01-05 ビー・エル・オートテック株式会社 ロータリジョイント
KR101554514B1 (ko) * 2009-01-21 2015-09-21 삼성전자 주식회사 로봇용 전원공급유닛 및 이를 갖는 로봇
JP4954255B2 (ja) * 2009-09-25 2012-06-13 東京エレクトロン株式会社 静電吸着部材、静電吸着部材保持機構、搬送モジュール、半導体製造装置及び搬送方法
CN103094166B (zh) * 2011-10-31 2015-04-15 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 晶圆承载装置及具有它的半导体处理设备
US20180114528A1 (en) 2016-10-26 2018-04-26 IPsoft Incorporated Systems and methods for generic flexible dialogue management

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0883832A (ja) * 1994-07-13 1996-03-26 Shinko Electric Co Ltd 電力供給装置
KR20010019899A (ko) * 1999-08-31 2001-03-15 이철환 자동차용 자동 등화스위치
KR20100053005A (ko) * 2008-11-12 2010-05-20 삼성전자주식회사 조인트유닛의 전기연결장치와 이를 구비한 로봇
KR20110104991A (ko) * 2009-01-11 2011-09-23 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 로봇 및 로봇의 전기 엔드 이펙터로 전기 연결을 하기 위한 시스템, 장치 및 방법
JP2011077288A (ja) 2009-09-30 2011-04-14 Tokyo Electron Ltd 搬送装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP6513508B2 (ja) 2019-05-15
TW201713588A (zh) 2017-04-16
TWI679160B (zh) 2019-12-11
TWI706907B (zh) 2020-10-11
KR102338237B1 (ko) 2021-12-10
US11075106B2 (en) 2021-07-27
TW202010699A (zh) 2020-03-16
US20200161163A1 (en) 2020-05-21
US10586729B2 (en) 2020-03-10
JP2017017184A (ja) 2017-01-19
US20170004992A1 (en) 2017-01-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105826218B (zh) 半导体工艺设备
KR101247712B1 (ko) 기판을 디처킹하기 위한 방법 및 장치
KR101400453B1 (ko) 기판 반송 방법 및 기판 반송 시스템
JP2581066B2 (ja) ウエ−ハ搬送方法及び装置
US20180374736A1 (en) Electrostatic carrier for die bonding applications
JPH05315429A (ja) 半導体製造装置の搬送装置
CN211788912U (zh) 离子注入机的作业平台
JP2004265894A (ja) 基板処理装置
JPH04253356A (ja) プッシャーピン付き静電チャック
KR20170004870A (ko) 반송 장치 및 그 제어 방법
CN106469669B (zh) 基板移送系统
JPH07321176A (ja) 基板搬送方法
JP6667028B2 (ja) 搬送装置、その制御方法及び基板処理システム
US11183411B2 (en) Method of pre aligning carrier, wafer and carrier-wafer combination for throughput efficiency
JPH11145266A (ja) 静電吸着装置および静電吸着方法、ならびにそれを用いた基板搬送装置および基板搬送方法
KR102352650B1 (ko) 무선충전 정전척 및 이를 이용한 기판 처리 시스템
KR101877339B1 (ko) 기판처리시스템의 기판캐리어 및 그를 가지는 기판처리시스템
KR102236374B1 (ko) 정전척, 기판 이송장치 및 이송방법
KR102225937B1 (ko) 기판 반송 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 시스템
KR100322620B1 (ko) 스탠더드 메커니컬 인터페이스 시스템의 카세트 캐리어 이송장치
JPH09120985A (ja) 基板搬送方法
JP2022154234A (ja) プラズマ処理システム、搬送アーム及び環状部材の搬送方法
JP5373198B2 (ja) 搬送処理装置及び処理装置
JPH09260457A (ja) 静電帯電した物体の放電防止装置
JPH10189688A (ja) 基板搬送方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant