JP2007073568A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007073568A JP2007073568A JP2005255804A JP2005255804A JP2007073568A JP 2007073568 A JP2007073568 A JP 2007073568A JP 2005255804 A JP2005255804 A JP 2005255804A JP 2005255804 A JP2005255804 A JP 2005255804A JP 2007073568 A JP2007073568 A JP 2007073568A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- electrodes
- electrode
- voltage
- dielectric film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】誘電体製の膜内に配置され試料をこの誘電体膜上に静電気により吸着するために各々電圧が印加されて2つの電極と、試料台の内側に配置された電極に高周波電力を供給する高周波電源とを備え、試料台に前記高周波電力を印加しつつ2つの電極の各々に電圧を印加して一方に正、他方に負の極性を形成して試料を試料台上に保持しつつこの試料台の上方の処理室内に形成したプラズマ用いて処理するプラズマ処理装置において、2つの電極の面積が略同一であって、この試料の処理後に2つの電極の各々に一方を負、他方を正の極性を形成する電力が印加され、一方を負にするための電力が他方を正にするための電力より大きい。
【選択図】図4
Description
(特許文献1)が知られていた。
300mm)のウエハ120を対象とした場合には、直径が340mmで、全体の厚さが40mmである。電極ブロック151は、真空容器110外に配置されたバイアス電源107と、図示していない接続器により接続されている。ウエハ120を吸着保持するための薄膜の静電吸着電極401(a),402(b)は、真空容器110外に配置された直流電源106(a),106(b)とそれぞれ接続されている。
152の材質や厚さは、この例に限られたものではなく、例えば合成樹脂の場合は、それに応じて0.1mm から数mmの厚さが選択できる。
110外部の試料台150下方に配置されたガス源113からガス供給量速度を調節するガス導入調節弁114を介して、誘電体膜152表面に導入される。
112内部を処理対象の半導体ウエハ等の基板状のウエハ120が、図示していない搬送用ロボットアームにより搬送される。
207が下降してウエハ120は所定の位置に配置され、誘電体膜152内の静電吸着用の薄膜電極401に直流電圧が印加されてウエハ120が試料台150上に吸着,保持される。
154が設けられバイアス電位を発生させる電力として高周波(RF)電力が印加される電極ブロック151と、この上部に配置され静電吸着用の薄膜電極401を内部に含む誘電体膜152,電極ブロック151及び誘電体膜152,ウエハ120の外周に配置され、これらをプラズマから保護する試料台リング153とを有している。
120または円筒形上の試料台150の半径方向及び周方向に複数設けられたスリットを備えた伝達溝201が設けられている。誘電体膜152上にウエハ120が載置され、これら伝達溝201のスリット以外の誘電体膜152の表面の部分であって試料台150上方に突出した凸部表面とウエハ120とが吸着されて保持されて出来る、スリットによる空間に、供給された熱伝達ガスが充填される。
152を形成して、上記伝達溝201を形成して、全体としてウエハ120がその上に載置される誘電体膜152としている。
150の上面の誘電体膜152内の静電吸着電極401a,401bに電圧を印加することにより、これら静電吸着電極401a,401bに電荷が蓄積される。また、これらの電極の上に誘電体膜152を備えることにより、誘電分極効果が加わり効果的に電荷が蓄積される。この時、静電吸着電極401a,401bとウエハ120間には電位差が生じ、クーロン力によってウエハ120が誘電体膜152方向に、つまり試料台150上に吸着される。
120を試料台150上から取り外すことが可能となり、処理の効率が向上する。
106a,106bから供給されて、各電極での極が逆にされ(逆電圧が印加され)、当初正電位にされた電極は電圧−V2が印加され、当初負電位にされた電極には電圧+V2が印加される。このようにされて、各静電吸着電極401a,401b各々で誘電体膜
152内に溜められた電荷が取り除かれる。上記の通り、正負の静電吸着電極の面積が略等しい場合には各静電吸着電極への電力印加による電荷の量はほぼ等しいため、逆電圧を印加する時間および電圧値はほぼ等しくされる。
401a,401bの正負の電極における帯電量は異なってしまう。より具体的には、正電圧が印加された側の電極において多く帯電する。
Claims (3)
- 真空容器内に配置された処理室と、この処理室内の下部に配置されその上部に処理対象の試料が配置される載置面を有した試料台と、前記試料載置面上に配置された誘電体製の膜と、この誘電体製の膜内に配置され前記試料をこの誘電体膜上に静電気により吸着するために各々電圧が印加されて2つの電極と、前記試料台の内側に配置された電極に高周波電力を供給する高周波電源とを備え、前記試料台に前記高周波電力を印加しつつ前記2つの電極の各々に電圧を印加して一方に正、他方に負の極性を形成して前記試料を前記試料台上に保持しつつこの試料台の上方の前記処理室内に形成したプラズマ用いて処理するプラズマ処理装置において、
前記2つの電極の面積が略同一であって、この試料の処理後に前記2つの電極の各々に一方を負、他方を正の極性を形成する電力が印加され、一方を負にするための電力が他方を正にするための電力より大きいプラズマ処理装置。 - 請求項1に記載のプラズマ処理装置であって、前記試料の処理後に前記静電吸着電極のうち一方に印加される負の電圧の絶対値が他方に印加される正の電圧の絶対値より大きな電圧を印加して後、前記試料を前記試料台上から搬出するプラズマ処理装置。
- 請求項1に記載のプラズマ処理装置であって、前記試料の処理後に前記静電吸着電極のうち一方を負の極性を与える電力と他方を正の極性を与える電力が印加され、かつ前記一方に電力が印加される時間を他方に印加される時間より長く印加して後、前記試料を前記試料台上から搬出するプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005255804A JP2007073568A (ja) | 2005-09-05 | 2005-09-05 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005255804A JP2007073568A (ja) | 2005-09-05 | 2005-09-05 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007073568A true JP2007073568A (ja) | 2007-03-22 |
Family
ID=37934797
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005255804A Pending JP2007073568A (ja) | 2005-09-05 | 2005-09-05 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007073568A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010008006A1 (ja) * | 2008-07-16 | 2010-01-21 | 住友重機械工業株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP2016032096A (ja) * | 2014-07-25 | 2016-03-07 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
JP2018022756A (ja) * | 2016-08-03 | 2018-02-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置及び試料の離脱方法 |
CN109957775A (zh) * | 2017-12-26 | 2019-07-02 | 佳能特机株式会社 | 静电吸盘、成膜装置、基板的保持及分离方法、成膜方法及电子设备的制造方法 |
JP2019153814A (ja) * | 2014-07-25 | 2019-09-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0685045A (ja) * | 1992-08-31 | 1994-03-25 | Fujitsu Ltd | ウェーハ離脱方法 |
JPH10270539A (ja) * | 1997-03-24 | 1998-10-09 | Mitsubishi Electric Corp | 静電チャックの使用方法 |
-
2005
- 2005-09-05 JP JP2005255804A patent/JP2007073568A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0685045A (ja) * | 1992-08-31 | 1994-03-25 | Fujitsu Ltd | ウェーハ離脱方法 |
JPH10270539A (ja) * | 1997-03-24 | 1998-10-09 | Mitsubishi Electric Corp | 静電チャックの使用方法 |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2010008006A1 (ja) * | 2008-07-16 | 2012-01-05 | 住友重機械工業株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
US8366833B2 (en) | 2008-07-16 | 2013-02-05 | Sumitomo Heavy Industries | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
JP5574962B2 (ja) * | 2008-07-16 | 2014-08-20 | 住友重機械工業株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
WO2010008006A1 (ja) * | 2008-07-16 | 2010-01-21 | 住友重機械工業株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP2019153814A (ja) * | 2014-07-25 | 2019-09-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
JP2016032096A (ja) * | 2014-07-25 | 2016-03-07 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
US11257661B2 (en) | 2014-07-25 | 2022-02-22 | Hitachi High-Tech Corporation | Plasma processing apparatus |
US10825700B2 (en) | 2016-08-03 | 2020-11-03 | Hitachi High-Tech Corporation | Plasma processing apparatus and method for releasing sample |
JP2018022756A (ja) * | 2016-08-03 | 2018-02-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置及び試料の離脱方法 |
JP2019117923A (ja) * | 2017-12-26 | 2019-07-18 | キヤノントッキ株式会社 | 静電チャック、これを含む成膜装置、基板の保持及び分離方法、これを含む成膜方法、及びこれを用いる電子デバイスの製造方法 |
CN109957775A (zh) * | 2017-12-26 | 2019-07-02 | 佳能特机株式会社 | 静电吸盘、成膜装置、基板的保持及分离方法、成膜方法及电子设备的制造方法 |
JP7012962B2 (ja) | 2017-12-26 | 2022-01-31 | キヤノントッキ株式会社 | 静電チャック、これを含む成膜装置、基板の保持及び分離方法、これを含む成膜方法、及びこれを用いる電子デバイスの製造方法 |
CN109957775B (zh) * | 2017-12-26 | 2022-10-21 | 佳能特机株式会社 | 静电吸盘、成膜装置、基板的保持及分离方法、成膜方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102374799B1 (ko) | 정전 흡착 방법 및 기판 처리 장치 | |
EP1166323B1 (en) | Method and apparatus for compensating non-uniform wafer processing in plasma processing | |
TWI781175B (zh) | 電漿處理裝置、靜電吸附方法及靜電吸附程式 | |
JP4992389B2 (ja) | 載置装置、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP4804824B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP7115942B2 (ja) | 載置台、基板処理装置、エッジリング及びエッジリングの搬送方法 | |
KR20160141711A (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 | |
US9011635B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
JP4847909B2 (ja) | プラズマ処理方法及び装置 | |
JP2006060212A (ja) | 基板を開放する方法及び装置 | |
JP2006511945A (ja) | 容量結合型プラズマを増強して局在化させるための方法および装置ならびに磁石アセンブリ | |
JP2007073568A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2019061849A5 (ja) | ||
KR101569904B1 (ko) | 전극 어셈블리, 그리고 기판 처리 장치 및 방법 | |
JP2008042023A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2021010026A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP2021057572A (ja) | 基板支持器及びプラズマ処理装置 | |
JP7170449B2 (ja) | 載置台機構、処理装置及び載置台機構の動作方法 | |
JPH0982787A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
WO2019239946A1 (ja) | 静電チャック、フォーカスリング、支持台、プラズマ処理装置、及びプラズマ処理方法 | |
US9589771B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
JP5875775B2 (ja) | 基板除去方法及び記憶媒体 | |
JP2008118015A (ja) | フォーカスリングおよびプラズマ処理装置 | |
JP6781320B2 (ja) | 静電吸着方法、プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
JP2018164092A (ja) | 静電吸着方法、プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20080411 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080411 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100324 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20100330 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20100528 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20100713 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |