JP2008042023A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板処理装置は、プラズマにより基板を処理する処理容器203と、前記処理容器203の中に設けられ、アース電極22を有するサセプタ217と、少なくとも基板の周縁部を支持する支持部11を有して前記サセプタ上に設けられる基板載置体10とを備えている。
【選択図】 図1
Description
本発明の課題は、上述した従来技術の問題点を解消して、基板に付着するパーティクルを低減することが可能な基板処理装置を提供することにある。
本発明の基板処理装置にはプラズマ処理装置が一般に適用される。プラズマ処理装置の一例示として、電界と磁界により高密度プラズマを生成できる変形マグネトロン型プラズマ源(ModifiedMagnetron Typed Plasma Source)を用いてウェハ等の基板をプラズマ処理する基板処理装置(以下、MMT装置と称する)がある。
このMMT装置は、気密性を確保した処理室に基板を設置し、シャワーヘッドを介して反応ガスを処理室に導入し、処理室をある一定の圧力に保ち、放電用電極に高周波電力を供給して電界を形成するとともに磁界を形成し、マグネトロン放電を起こす。放電用電極から放出された電子がドリフトしながらサイクロイド運動を続けて周回することにより長寿命となって電離生成率を高めるので高密度プラズマを生成できる。このように反応ガスを励起分解させて基板表面を酸化または窒化等の拡散処理、または基板表面に薄膜を形成する、または基板表面をエッチングする等、基板へ各種のプラズマ処理を施すことができる。
第1の実施の形態は、静電力が距離の二乗に反比例することから、ウェハとアース電極との間に一定の距離を設けることにより、ウェハ200裏面へのパーティクルの付着数を減少させることが可能であるとの知見に基づいてなされている。
図1は、第1の実施の形態における基板処理装置としてのMMT装置の概略断面図である。このMMT装置は、先に説明した図8と基本的構成は同じであり、異なる点は、ウェハ200とサセプタ217との間に基板載置体10が介設されている点である。従って、図1において、先に説明した図8と同じ機能を有する部分には、同一符号を付して詳細な説明を省略する。
MMT装置は、プラズマ生成領域224で生成されたプラズマによりウェハ200を処理する処理容器203を備える。処理容器203の外側には筒状電極215が配置される。処理容器203の中には、ウェハ200を保持するためのサセプタ217が設けられる。サセプタ217は昇降可能に設けられている。このサセプタ217には、サセプタ217を介してウェハ200を加熱するためのヒータ線21が内蔵されている。また、サセプタ217には、高密度プラズマを生成して、ウェハ200上へプラズマ化した反応ガス20を引き込むためのアース電極22が内蔵されている。このアース電極22は、図示しない高周波整合器を介して接地される。サセプタ217の表面には、ウェハ200とサセプタ217との間に介設されて、ウェハ200を支持する支持部11を有する基板載置体10が搭載される。基板載置体10は非金属材料ないし絶縁体(誘電体)で形成されている。
ところで、上述した第1の実施の形態では、ウェハ200の裏面全面を支持しているが、本発明の一態様によれば、少なくともウェハ200の周縁部を支持すればよい。図2は、そのようなウェハ200の周縁部を支持するようにした第2の実施の形態を示す。本実施の形態は、セプタ217とウェハ200との接触面積が少ないほど、ウェハ200裏面へのパーティクルの付着数を減少させることが可能であるとの知見に基づいてなされている。
第3の実施の形態は、ウェハ200の周縁部を支持するようにした第2の実施の形態に加えて、図3に示すように、ウェハ200の中央部の一部を支持する第2の支持部として突起45を円板40に設けたものである。ウェハ200の中央部の一部としては、例えば、ウェハ中心部、及びその周辺に少なくとも3箇所以上、合計4箇所以上とすることが好ましい。突起45の高さは凸部41と同じ高さとする。
第4の実施の形態は、第3の実施の形態において、図4に示すように、さらに基板載置体としての円板50の裏面にサセプタ固定手段としての凸状の係止部56を設け、これに対応してサセプタ217の表面に、凸状の係止部56と係合する凹状の被係止部57を設けたものである。本実施の形態では、円板50をサセプタ217上へ搭載する時に、サセプタ217の被係止部57に円板50の係止部56を係止する。
本実施の形態では、サセプタ217の被係止部57に円板50の係止部56が係止されているので、円板50の回転ずれを有効に防止することができる。なお、凸状係止部、凹状被係止部を設ける場合、円板側を凹状被係止部、サセプタ側を凸状係止部としてもよいが、本実施の形態のように、円板側を凸状係止部、サセプタ側を凹状被係止部にする方が、サセプタ217からウェハ200への熱伝導性の均一化がはかれるので好ましい。
基板処理装置を構成する基板載置体として、図3に示した構成の円板40を用いた。シリコンウェハの直径は12インチ=300mmである。
円板40の板厚は0.7〜1.5mmである。円板40の板厚は0.7mm〜1.5mmであれば、静電力が十分に低くなり、割れにくくなり加工性も向上し、ウェハ温度の低下も少ない。0.7mm未満だと加工性が難しい。また、持ち運ぶときに割れ易いのでメンテナンスも難しい。1.5mmを超えると加熱源となるサセプタ217とウェハ200との距離が大きくなるため、ウェハ温度が大きく低下するため好ましくない。
円板40は、ウェハ200の直径より約10%大きい形状とした。これはサセプタ217に設けたウェハ200を収納する凹溝となるウェハポケットの大きさと整合させるためである。
実施例1では、直径12インチウェハの中心でたわみ量が最大となるため、そのたわみが起こらないようにする必要があったので、円板40の中心に1点の突起と、円周上に3点の突起を設けた。なお、突起の高さは、凹部の深さと同じ0.3mmまたは0.5mmとした。
図9に示すように、式F=9×109×Q1Q2/r2[N]より、二つの点電荷Q1とQ2に働く静電力Fは、両電荷Q1とQ2の積に比例し、距離rの二乗に反比例する。
この法則を実施例1に適用するために、
(1)静電力Fを、基板が円板に張り付く力とする、
(2)両電荷Q1とQ2を、基板の電荷Q1と円板の電荷Q2とする、
(3)距離rを、基板Q1と円板Q2間の距離とする、
(4)基板電荷Q1と円板電荷Q2を、上記距離が変わっても同じであるとする、
と仮定する。
そして、上記距離rが0.3mm、0.5mmのときの静電力を上記式からそれぞれ求めると、
F0.3=1/0.32×U
F0.5=1/0.52×U
ここで、U=9×109×Q1Q2/(10-3)2
となる。
2つの距離に応じた静電力の比較をすると、
F0.3/F0.5=(1/0.32×U)/(1/0.52×U)
=2.8倍
が得られる。これより距離0.3mmのときの静電力の方が0.5mmよりも2.8倍大きいことがわかる。
図7に示すように、ウェハ200を保持する保持手段として、基板載置体は用いずにサセプタ217のみを用いた。サセプタ217に基板載置体を設置すると、サセプタ217からウェハ200への熱伝導が悪くなる。このため、サセプタ217のウェハ200と接触する表面に、実施例1における凹部や凸部を直接加工した。これによれば、サセプタと基板載置体とが一体になるので、部品(基板載置体、サセプタ)単位での交換ができず、メンテナンスが困難であった。また、加工も困難であった。
本発明の第1の態様は、プラズマにより基板を処理する処理容器と、前記処理容器の中に設けられ、アース電極を有するサセプタと、少なくとも基板の周縁部を支持する支持部を有し、前記サセプタ上に設けられる基板載置体とを設けた基板処理装置である。
基板とアース電極との間に基板載置体が設けられるので、プラズマ処理時に基板へ吸着されるパーティクルを低減できる。
サセプタに設けた基板載置体で基板を支持する場合、特にサセプタと基板載置体との接触面積が問題になり、それがパーティクル低減効果に影響するが、本発明によれば凸状の支持部により基板が支持されるので、上記接触面積が低減されてパーティクル低減効果をより向上できる。
基板周縁部以外を支持する第2の支持部を有すると、基板の口径が大きくなっても、第2の支持部により、たわみやすい基板周縁部以外を支持できるため、基板のたわみを防止できる。
11 支持部
22 アース電極
200 ウェハ(基板)
203 処理容器
217 サセプタ
224 プラズマ生成領域
Claims (1)
- プラズマにより基板を処理する処理容器と、
前記処理容器の中に設けられアース電極を有するサセプタと、
前記サセプタの上に設けられ少なくとも前記基板の周縁部を支持する支持部を有する基板載置体と
を備えた基板処理装置。
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