JPH07240458A - 半導体基板処理装置及び方法 - Google Patents
半導体基板処理装置及び方法Info
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- JPH07240458A JPH07240458A JP3161294A JP3161294A JPH07240458A JP H07240458 A JPH07240458 A JP H07240458A JP 3161294 A JP3161294 A JP 3161294A JP 3161294 A JP3161294 A JP 3161294A JP H07240458 A JPH07240458 A JP H07240458A
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Abstract
性を損なわずに、ウェハ離脱時に発生することがある放
電に起因する歩留りの低下を抑えることを目的とする。 【構成】 真空チャンバ11内にウェハ18を固定する
静電チャックステージ12及びプラズマを発生させる電
極13,14を有する。装置40は、ウェハ18をステ
ージ12より浮き上げて離脱させるときにウェハ18と
ステージ12との間で発生することがある放電を感知す
る装置41を有する。放電感知装置41は、アンテナ4
5と電圧計46とを有する。放電感知装置41が放電を
感知したときだけに、次にプラズマエッチングされたウ
ェハ18を除電するように構成する。
Description
方法に係り、特に、静電チャックステージ上のウェハに
プラズマ処理をする装置及び方法に関する。
える構成であることが望ましい。
0を示す。
ージ12、電極13、対向電極14が設けてある。
ージ用電源、17はウェハ離脱用ピンである。
テージ12上にクーロン力により固定し、真空チャンバ
11内にCHF3 ガスを導入し、電極13,14間にプ
ラズマを発生させ、ウェハ18の上面に対してプラズマ
エッチングを行い、プラズマエッチング終了後に、ピン
17を上動させてウェハ18を突き上げて静電チャック
ステージ12から浮かせて離脱させる動作を繰り返して
行う。
12による静電的固定及び発生したプラズマによって、
ウェハ18は帯電し易い。帯電の状況によっては、ウェ
ハ18を静電チャックステージ12より浮き上がらせて
離脱させるときに、図9に示すように、ウェハ18と静
電チャックステージ12との間でスパーク放電20が発
生することがある。
は、放電が起きた個所が損傷し、ウェハから半導体チッ
プを切り出した場合に、損傷した個所を含む半導体チッ
プが組込まれた半導体装置は不良品となってしまう。
ことが分からず、次々にウェハにプラズマエッチングを
続けてしまい、結果的に不良品の半導体装置が多くなっ
て、半導体装置の歩留りが低下していた。
ラズマをたてて除電を行うとすると、上記の放電が起き
ず、放電に起因する不良の発生は防止出来る。
チャンバ11内のCHF3 ガスを抜いてArガスを導入
する作業が必要となり、除電作業には、2分程度かかっ
てしまう。工場において多数枚のウェハを次々に処理す
る場合には、除電に要する延べ時間は無視出来ないもの
となり、半導体装置の生産性が低くなってしまう。
導体基板処理装置及び方法を提供することを目的とす
る。
明の半導体基板処理装置30は、ステージ31上に固定
された半導体基板32に処理を行う。
基板32をステージ31から浮かせて離脱させるときに
発生することがある放電を感知する。
32の除電が必要であることを知らしめるように作用す
る。
チング装置40を示す。
分には同一符号を付し、その説明は省略する。
放電感知装置41、プラズマ除電装置42及びマイクロ
コンピュータ43を有する。
のうち、静電チャックステージ12の近傍に配されてお
り、ウェハ18−静電チャックステージ12間の電位分
布を検出するアンテナ45と、アンテナ45に接続され
て真空チャンバ11外に配されており、電圧波形を記憶
するデジタルストレージ機能付の電圧計46を有する。
き出されている配線の途中に常開のスイッチ47が設け
てある。
より制御されて、図3に示すように動作する。
置10と同様に動作する。 〈1〉真空チャンバ11内に運び込まれて静電チャック
ステージ12上に固定されたウェハ18に対してプラズ
マエッチングを行う(ST1)。
マを発生させる関係上開成させておいたスイッチ47を
閉成し、放電感知装置41を放電感知可能状態とする。 〈2〉電源16をオフとし、ピン17を上動させて、ウ
ェハ18を突き上げて、プラズマエッチングされたウェ
ハ18を静電チャックステージ12より浮かして離脱さ
せる(ST2)。 〈3〉この離脱時の、電圧計46よりの情報に基づい
て、離脱時にウェハ18と静電チャックステージ12と
の間で放電が起きたか否かを判断する(ST3)。 〈4〉ST3の判断結果が「NO」であるときには、S
T1に戻って次に運び込まれたウェハに対してプラズマ
エッチングを行う。 〈5〉ST3の判断結果が「YES」であるときには、
nを0とセットする(ST4)。 〈6〉次いで、1を加算し、n=n+1とする(ST
5)。 〈7〉次いで、次に運び込まれたウェハに対してプラズ
マエッチングを行う(ST6)。 〈8〉プラズマエッチングが終了すると、プラズマ除電
装置42を動作させる(ST7)。
を抜き、代わりにArガスが導入し、この状態で、RF
電源15を入れ電源13,14の間でプラズマを発生さ
せる。これにより、ウェハの帯電が除去されて除電され
る。 〈9〉次いで、電源16をオフとし、ピン17によりウ
ェハ18を突き上げて、ウェハを静電チャックステージ
12より浮かして離脱させる(ST8)。 〈10〉次いでnをNと比較する(ST9)。
る。
ろ、放電が一旦発生すると、続いて処理される5枚程度
のウェハについてステージから離脱するときに連続して
発生し、その後は放電がおさまって発生しなくなること
が分かったためである。
は、ST5を行い、判断結果が「NO」となると、ST
1を行う。
理有りのループ(ST5→ST6→ST7→ST8→S
T9→ST5)に入り、これに続く5枚のウェハについ
ては、プラズマエッチング処理を終了した後に除電処理
を行ってから静電チャックステージ12より離脱され、
離脱時に放電は起きない。
チング処理を行った後に、除電処理を行わずに、静電チ
ャックステージ12より離脱される。このときも、放電
は既に起きにくくなっているため、放電は起きない。
に対して図4に示すように動作する。
テージよりの離脱、Cは除電を示す。
しているうちに、放電が再開したときには、また次の5
枚には除電処理が施される。
ずにプラズマエッチング→離脱の動作を繰り返して行な
い、放電が発生する都度、次の5枚のウェハについては
プラズマエッチング→除電→離脱の動作を行ないつつ動
作し続ける。
効果を有する。
を従来の装置の場合の1/5程度に抑えることが出来、
よって放電に起因する不良の数を従来の装置の場合の1
/5程度に少なくし得、半導体装置の歩留りを向上し得
る。
るため、全部のウェハについて除電を行う場合に比べ
て、ウェハの処理の効率を向上し得る。
合、全部のウェハについてプラズマエッチング−除電−
離脱のプロセスをとると3時間30分要するのに対し
て、上記装置40によれば、2時間40分で完了し、5
0分の時間短縮が図られた。
レージ機能を有しているものであるため、放電の様子を
目で観察できる。
(A)に符号50で示す鋭い電圧波形が観察される。
51で示す略台形状の電圧波形が観察される。 〔変形例〕次に、放電感知装置の変形例について説明す
る。
静電チャックステージ12の近傍に位置するように配さ
れて真空チャンバ11外に引き出されている光ファイバ
61と、光ファイバ61に接続された光強度計62とよ
りなる構成である。
は不要である。
するアーム71を図2中のアンテナ45として利用した
構成である。
れている。
ナ45は不要であり、スイッチ47も不要である。ま
た、ウェハの上面側に発生した放電も感知できる。
の処理を行う装置にも、また静電チャックステージ以外
のステージを備えた構成にも適用しうる。
テージ12を備えた装置においては、上記放電の発生の
頻度等を静電チャックステージ12に異常が発生したか
否かの判断をするときの情報として利用することが出来
る。
40を除電のために停止させるようにすることもでき
る。
ージ12の全ての電極、ウェハ固定時とは逆極性の電圧
を印加することによって行うこともできる。
ハ上の回路が形成されている部分を損傷させない。
に、多少圧力をあげて真空チャンバ11内を、グロー放
電が起こりうる圧力(約0.2Torr)とするように
制御するように構成することもできる。
以下の効果を有する。
導体基板の処理を続けてしまい、不良を多く発生させ
て、半導体装置の歩留りを低下させてしまうという不都
合を防止し得、半導体装置の歩留りを従来に比べて向上
し得る。
行うようにすることが出来るため、処理の都度除電を行
う場合に比べて、除電に要する延べ時間を短くし得、半
導体装置の生産性を向上し得る。
置を示す図である。
る。
る。
ときに発生した放電を示す図である。
Claims (3)
- 【請求項1】 ステージ上に固定された半導体基板に処
理を行う半導体基板処理装置において、 プラズマ処理を終えた上記半導体基板を上記ステージか
ら離脱させるときに発生することがある放電を感知する
放電感知手段を有する構成としたことを特徴とする半導
体基板処理装置。 - 【請求項2】 前記放電感知手段が放電を検知した場
合、それに応じて半導体基板の帯電を消失するための帯
電除去手段を有することを特徴とする請求項1記載の半
導体基板処理装置。 - 【請求項3】 ステージ上に固定された半導体基板にプ
ラズマ処理を行なう工程と、 該プラズマ処理を終えた半導体基板を該ステージから離
脱させる工程とを有し、この離脱させる工程の後、該基
板とステージの間の放電を検知し、放電を検知した場合
は、基板の帯電の除電を行なうことを特徴とする半導体
基板の処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3161294A JP3664745B2 (ja) | 1994-03-01 | 1994-03-01 | 基板処理装置及び方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3161294A JP3664745B2 (ja) | 1994-03-01 | 1994-03-01 | 基板処理装置及び方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07240458A true JPH07240458A (ja) | 1995-09-12 |
JP3664745B2 JP3664745B2 (ja) | 2005-06-29 |
Family
ID=12336036
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3161294A Expired - Lifetime JP3664745B2 (ja) | 1994-03-01 | 1994-03-01 | 基板処理装置及び方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3664745B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19980055955A (ko) * | 1996-12-28 | 1998-09-25 | 김영환 | 반도체 소자의 제조방법 |
WO2003083933A1 (fr) * | 2002-03-29 | 2003-10-09 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de traitement d'un element a traiter et procede de traitement associe |
JP2006128676A (ja) * | 2004-10-22 | 2006-05-18 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
US7137352B2 (en) * | 2000-12-28 | 2006-11-21 | Renesas Technology Corp. | Plasma processing system in which wafer is retained by electrostatic chuck |
KR20190077685A (ko) * | 2017-12-26 | 2019-07-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 공정의 제어 방법 |
-
1994
- 1994-03-01 JP JP3161294A patent/JP3664745B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19980055955A (ko) * | 1996-12-28 | 1998-09-25 | 김영환 | 반도체 소자의 제조방법 |
US7137352B2 (en) * | 2000-12-28 | 2006-11-21 | Renesas Technology Corp. | Plasma processing system in which wafer is retained by electrostatic chuck |
WO2003083933A1 (fr) * | 2002-03-29 | 2003-10-09 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de traitement d'un element a traiter et procede de traitement associe |
JP2006128676A (ja) * | 2004-10-22 | 2006-05-18 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
KR20190077685A (ko) * | 2017-12-26 | 2019-07-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 공정의 제어 방법 |
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---|---|
JP3664745B2 (ja) | 2005-06-29 |
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