JPH04196610A - 圧電振動子の周波数調整方法 - Google Patents
圧電振動子の周波数調整方法Info
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- JPH04196610A JPH04196610A JP32177490A JP32177490A JPH04196610A JP H04196610 A JPH04196610 A JP H04196610A JP 32177490 A JP32177490 A JP 32177490A JP 32177490 A JP32177490 A JP 32177490A JP H04196610 A JPH04196610 A JP H04196610A
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Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、イオンビームを利用した圧電振動子の周波数
調整方法に関する。
調整方法に関する。
［従来の技術１
従来の技術を、圧電振動子のひとつであるＡＴ振動子の
周波数調整方法を例にとり説明する。第３図は発振片２
３がハーメチックシールされたステム２２にハンダ付け
され、金属ケース２１により封止されたＡＴ振動子２４
である。第４図は、このＡＴ振動子２４の発振片２３の
Ａ−Ａ’断面を示す。ここで、発振片２３にはあらかじ
め蒸着又はスパッタ等により金又は銀等の金属膜２５が
形成されている。従来はこの金属膜２５に第４図のよう
に垂直にイオンビーム２６を入射させ、金属膜２５をエ
ツチングすることによりＡＴ振動子の周波数調整を行っ
ていた。
周波数調整方法を例にとり説明する。第３図は発振片２
３がハーメチックシールされたステム２２にハンダ付け
され、金属ケース２１により封止されたＡＴ振動子２４
である。第４図は、このＡＴ振動子２４の発振片２３の
Ａ−Ａ’断面を示す。ここで、発振片２３にはあらかじ
め蒸着又はスパッタ等により金又は銀等の金属膜２５が
形成されている。従来はこの金属膜２５に第４図のよう
に垂直にイオンビーム２６を入射させ、金属膜２５をエ
ツチングすることによりＡＴ振動子の周波数調整を行っ
ていた。
この時、周波数調整速度は入射するイオンビームのエネ
ルギー密度（又は出力）に依存し、あるエネルギー密度
の時の金属膜のエツチングレートから特定の周波数調整
速度が得られる。したがって、エネルギー密度をコント
ロールすることにより、周波数調整速度を決めていた。
ルギー密度（又は出力）に依存し、あるエネルギー密度
の時の金属膜のエツチングレートから特定の周波数調整
速度が得られる。したがって、エネルギー密度をコント
ロールすることにより、周波数調整速度を決めていた。
［発明が解決しようとする課Ｂ］
ここで、仮に必要とする周波数調整速度の最大値すなわ
ち、周波数調整速度を決定する金属膜のエツチングレー
トの最大値に対するイオンビームのエネルギー密度（又
は出力）が１００Ｗである時、少なくともイオンビーム
発生源は、１００Ｗ以上のエネルギー密度が得られるよ
うに設計士の配慮をする必要があった。通常は必要とす
る最大値の２〜３割程度アップの余裕を持つようにして
おり、高出力のイオンビーム発生源を必要していた。
ち、周波数調整速度を決定する金属膜のエツチングレー
トの最大値に対するイオンビームのエネルギー密度（又
は出力）が１００Ｗである時、少なくともイオンビーム
発生源は、１００Ｗ以上のエネルギー密度が得られるよ
うに設計士の配慮をする必要があった。通常は必要とす
る最大値の２〜３割程度アップの余裕を持つようにして
おり、高出力のイオンビーム発生源を必要していた。
また、特定の周波数調整速度を得ようとしたとき前記の
ようにイオンビームのエネルギー密度（又は出力）に依
存していたが、細かな速度調整ができなかった。
ようにイオンビームのエネルギー密度（又は出力）に依
存していたが、細かな速度調整ができなかった。
そこで本発明では、周波数調整を行う時従来のイオンビ
ームのエネルギー密度（又は出力）のみに依存する方法
に加え、発振片に対するビーム入射角度を変えることに
よりエツチングレートが変わることを利用し、周波数調
整速度をコントロールできる水晶振動子の周波数調整方
法を提供するものである。
ームのエネルギー密度（又は出力）のみに依存する方法
に加え、発振片に対するビーム入射角度を変えることに
よりエツチングレートが変わることを利用し、周波数調
整速度をコントロールできる水晶振動子の周波数調整方
法を提供するものである。
［課題を解決するための手段１
本発明の圧電振動子の周波数調整方法は、あらかじめ圧
電振動子の表面に蒸着された金、銀またはクロム等の金
属からなる励振電極の薄膜をイオンビームを照射しエツ
チングする圧電振動子の周波数調整方法において、前記
イオンビームの入射角度を前記励振電極に対し垂直から
角度をつけ、周波数調整を行うことを特徴とする。
電振動子の表面に蒸着された金、銀またはクロム等の金
属からなる励振電極の薄膜をイオンビームを照射しエツ
チングする圧電振動子の周波数調整方法において、前記
イオンビームの入射角度を前記励振電極に対し垂直から
角度をつけ、周波数調整を行うことを特徴とする。
［実 施 例］
本発明の周波数調整方法の一例を第１図で説明する。
第１図で、ＡＴ振動子１にイオンビームＢ５から出力さ
れるイオンビーム６がある角度θをもって照射されるよ
うに、イオンビーム源５に取り付けられたパルスモータ
−等を利用した、イオンビーム源５の駆動装置４により
、ＡＴ振動子へのビーム照射角度θを変化させている。
れるイオンビーム６がある角度θをもって照射されるよ
うに、イオンビーム源５に取り付けられたパルスモータ
−等を利用した、イオンビーム源５の駆動装置４により
、ＡＴ振動子へのビーム照射角度θを変化させている。
ここでは１例としてイオンビーム源５を駆動装置４によ
り動かし、ＡＴ振動子に対する照射角度を変化させてい
るが、イオンビーム源を国定しＡＴ振動子を治具等を使
いイオンビームの入射角度をつけることもできる。
り動かし、ＡＴ振動子に対する照射角度を変化させてい
るが、イオンビーム源を国定しＡＴ振動子を治具等を使
いイオンビームの入射角度をつけることもできる。
ここで、イオンビームの入射角度θを変化させたときの
ＡＴ振動子の周波数の変化を、ネットワークアナライザ
等の測定器２を使って測定すると、イオンビームのエネ
ルギー密度が一定である場合、ＡＴ振動子の周波数変化
速度は第２図のような入射角度依存性を示す。これによ
ると、発振片に対しイオンビームを垂直に照射した場合
（目射角度θ＝０度）に比べ、照射角度θが６０〜７０
度の角度を持ったときのほうが、周波数の変化速度が１
３〜１５倍程度速（なる。
ＡＴ振動子の周波数の変化を、ネットワークアナライザ
等の測定器２を使って測定すると、イオンビームのエネ
ルギー密度が一定である場合、ＡＴ振動子の周波数変化
速度は第２図のような入射角度依存性を示す。これによ
ると、発振片に対しイオンビームを垂直に照射した場合
（目射角度θ＝０度）に比べ、照射角度θが６０〜７０
度の角度を持ったときのほうが、周波数の変化速度が１
３〜１５倍程度速（なる。
測定器２によりＡＴ振動子ｌの周波数を測定しコンピュ
ータ３によりデータ処理を行う、それによりあらかじめ
設定された周波数調整速度になるようにイオンビームの
エネルギー密度を変化させ、またイオンビーム源に取り
付けられた駆動装置４によりイオンビーム源の向きを変
えることにより周波数の調整速度をコントロールする。
ータ３によりデータ処理を行う、それによりあらかじめ
設定された周波数調整速度になるようにイオンビームの
エネルギー密度を変化させ、またイオンビーム源に取り
付けられた駆動装置４によりイオンビーム源の向きを変
えることにより周波数の調整速度をコントロールする。
さらに、ここではＡＴ振動子を１例として圧電振動子の
周波数調整にイオンビームを用いた方法に関して説明し
てきたが、他のカット角度を持った振動子（ＢＴ振動子
）、セラミック圧電素子、表面弾性波素子等の周波数調
整に応用できることは言うまでもない。
周波数調整にイオンビームを用いた方法に関して説明し
てきたが、他のカット角度を持った振動子（ＢＴ振動子
）、セラミック圧電素子、表面弾性波素子等の周波数調
整に応用できることは言うまでもない。
［発明の効果］
以上述べたように、本発明の圧電振動子の周波数調整方
法では、発振片に照射するイオンビームの角度を変化さ
せ、圧電振動子の周波数変化速度が変わることを利用す
る。したがって、イオンビームのエネルギー密度の変化
に加え、入射角度を変化させることによっても周波数調
整速度のコントロールを行うことができるという特徴を
何する。
法では、発振片に照射するイオンビームの角度を変化さ
せ、圧電振動子の周波数変化速度が変わることを利用す
る。したがって、イオンビームのエネルギー密度の変化
に加え、入射角度を変化させることによっても周波数調
整速度のコントロールを行うことができるという特徴を
何する。
これにより第１に必要とする周波数調整速度の最大値に
対するビーム源のエネルギー密度（又は出力）の余裕分
を２〜３割考慮した場合、入射角度をつけることによる
周波数の変化速度の増加分が加えられ余裕度が増す。し
たがって、かりに最大エネルギー密度が、必要とする周
波数調整速度の最大値に対し十分でなくても、入射角度
を変えることにより−使用できることになる。
対するビーム源のエネルギー密度（又は出力）の余裕分
を２〜３割考慮した場合、入射角度をつけることによる
周波数の変化速度の増加分が加えられ余裕度が増す。し
たがって、かりに最大エネルギー密度が、必要とする周
波数調整速度の最大値に対し十分でなくても、入射角度
を変えることにより−使用できることになる。
また第２に、周波数の調整においてイオンビームのエネ
ルギー密度と入射角度の２つのパラメータを組み合わせ
ることにより、速い周波数調整が必要な場合は、エネル
ギー密度を増し入射角度を６０〜７０度にし、逆に遅い
周波数調整速度が必要な場合は、エネルギー密度を低く
し入射角度を０度（垂直）とするといったコントロール
をすることにより、周波数調整速度の制御と、周波数合
せ込み精度の同上ができる。
ルギー密度と入射角度の２つのパラメータを組み合わせ
ることにより、速い周波数調整が必要な場合は、エネル
ギー密度を増し入射角度を６０〜７０度にし、逆に遅い
周波数調整速度が必要な場合は、エネルギー密度を低く
し入射角度を０度（垂直）とするといったコントロール
をすることにより、周波数調整速度の制御と、周波数合
せ込み精度の同上ができる。
第１図、本発明の１実施例を示す図。
第２区は、イオンビーム入射角度θに対する周波数変化
速度を示す図。 第３図はＡＴ振動子の一例を示す図。 第４図は、第３図Ａ−Ａ′断面図である。 １・・・ＡＴ振動子 ２・・・測定器 ３ ・・コンピュータ ４・・・駆動装置 ５・・・イオンビーム源 ６・・・イオンビーム ２１・・・金属ケース ２２・・・ハーメチックシール ２３・・・ＡＴ振動子発振片 ２４・・・ＡＴ振動子 ２５・・・金属膜 ２６・・・イオンビーム 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴 木 喜三部（他１名）１、へＴ孟
香のシ 第１図 第２図
速度を示す図。 第３図はＡＴ振動子の一例を示す図。 第４図は、第３図Ａ−Ａ′断面図である。 １・・・ＡＴ振動子 ２・・・測定器 ３ ・・コンピュータ ４・・・駆動装置 ５・・・イオンビーム源 ６・・・イオンビーム ２１・・・金属ケース ２２・・・ハーメチックシール ２３・・・ＡＴ振動子発振片 ２４・・・ＡＴ振動子 ２５・・・金属膜 ２６・・・イオンビーム 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴 木 喜三部（他１名）１、へＴ孟
香のシ 第１図 第２図
Claims (1)
- あらかじめ、圧電振動子の表面に蒸着された金銀また
はクロム等の金属からなる励振電極の薄膜をイオンビー
ムを照射しエッチングする圧電振動子の周波数調整方法
において、前記イオンビームの入射角度を前記励振電極
に対し垂直から角度をつけ、周波数調整を行うことを特
徴とする、圧電振動子の周波数調整方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32177490A JPH04196610A (ja) | 1990-11-26 | 1990-11-26 | 圧電振動子の周波数調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32177490A JPH04196610A (ja) | 1990-11-26 | 1990-11-26 | 圧電振動子の周波数調整方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04196610A true JPH04196610A (ja) | 1992-07-16 |
Family
ID=18136281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32177490A Pending JPH04196610A (ja) | 1990-11-26 | 1990-11-26 | 圧電振動子の周波数調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04196610A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2699765A1 (fr) * | 1992-12-22 | 1994-06-24 | Cepe | Procédé d'ajustage en fréquence d'un dispositif piézoélectrique et équipement pour la mise en Óoeuvre du procédé. |
| JPH0730355A (ja) * | 1993-07-12 | 1995-01-31 | Seiko Epson Corp | 圧電素子の周波数調整方法および装置 |
| JPH0868805A (ja) * | 1994-08-30 | 1996-03-12 | Murata Mfg Co Ltd | イオンビーム加工装置 |
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| JP2006238241A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-07 | Kyocera Kinseki Corp | 圧電デバイスの周波数調整方法 |
-
1990
- 1990-11-26 JP JP32177490A patent/JPH04196610A/ja active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| EP1816233A2 (de) * | 2001-05-22 | 2007-08-08 | Infineon Technologies AG | Verfahren zur Herstellung einer Schicht mit einem vorgegebenen Schichtdickenprofil |
| EP1816233A3 (de) * | 2001-05-22 | 2007-08-22 | Infineon Technologies AG | Verfahren zur Herstellung einer Schicht mit einem vorgegebenen Schichtdickenprofil |
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| JP4567488B2 (ja) * | 2005-02-28 | 2010-10-20 | 京セラキンセキ株式会社 | 圧電デバイスの周波数調整方法 |
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