JPH0548363A - 水晶振動子用連続成膜装置 - Google Patents
水晶振動子用連続成膜装置Info
- Publication number
- JPH0548363A JPH0548363A JP2433991A JP2433991A JPH0548363A JP H0548363 A JPH0548363 A JP H0548363A JP 2433991 A JP2433991 A JP 2433991A JP 2433991 A JP2433991 A JP 2433991A JP H0548363 A JPH0548363 A JP H0548363A
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- Japan
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- film forming
- substrate
- film
- crystal resonator
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- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】多数枚の水晶振動子基板に不純物の混入の少な
い電極膜を成膜速度を制御しながら形成すること。 【構成】真空室内１に用意した複数の水晶振動子基板３
に電極膜を形成する成膜手段を、水晶振動子基板と対向
する前面にターゲット１１を取り付けたスパッタ電極１
２で構成した。 【効果】１枚のターゲットで多くの基板に対して水晶振
動子の電極膜を形成することができ、長時間に亘り不純
物の混入の少ない成膜を比較的正確に成膜速度をコント
ロールしながら行え良質の電極膜を形成できる。
い電極膜を成膜速度を制御しながら形成すること。 【構成】真空室内１に用意した複数の水晶振動子基板３
に電極膜を形成する成膜手段を、水晶振動子基板と対向
する前面にターゲット１１を取り付けたスパッタ電極１
２で構成した。 【効果】１枚のターゲットで多くの基板に対して水晶振
動子の電極膜を形成することができ、長時間に亘り不純
物の混入の少ない成膜を比較的正確に成膜速度をコント
ロールしながら行え良質の電極膜を形成できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、水晶発振器等に使用さ
れる水晶振動子の電極膜を形成する連続成膜装置に関す
る。
れる水晶振動子の電極膜を形成する連続成膜装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の連続成膜装置として、図
１及び図２に示すように、真空室ａ内に、移動自在の円
環状のホルダーｂに複数の水晶振動子基板ｃを取り付
け、順次に成膜ステーションｄへ該基板ｃを送り込み、
該基板ｃに電極膜を形成して水晶振動子とする装置が知
られている。これの成膜ステーションｄは、蒸発材ｅを
収めた蒸発源ｆから成る成膜手段ｇと、該基板ｃに接触
して電極膜の堆積量を測定する周波数測定手段ｈとで構
成され、該蒸発源ｆには上下が蓋で覆われ該基板ｃに対
向する側面に蒸気の噴出口ｉを備えた特殊なるつぼを使
用している。また、周波数測定手段ｈは蒸発源ｆの電源
コントローラｊに接続され、該蒸発源ｆと基板ｃとの間
には電源コントローラｊにより開閉作動されるシャッタ
ーｋが設けられる。
１及び図２に示すように、真空室ａ内に、移動自在の円
環状のホルダーｂに複数の水晶振動子基板ｃを取り付
け、順次に成膜ステーションｄへ該基板ｃを送り込み、
該基板ｃに電極膜を形成して水晶振動子とする装置が知
られている。これの成膜ステーションｄは、蒸発材ｅを
収めた蒸発源ｆから成る成膜手段ｇと、該基板ｃに接触
して電極膜の堆積量を測定する周波数測定手段ｈとで構
成され、該蒸発源ｆには上下が蓋で覆われ該基板ｃに対
向する側面に蒸気の噴出口ｉを備えた特殊なるつぼを使
用している。また、周波数測定手段ｈは蒸発源ｆの電源
コントローラｊに接続され、該蒸発源ｆと基板ｃとの間
には電源コントローラｊにより開閉作動されるシャッタ
ーｋが設けられる。
【０００３】この装置は、真空室ａ内を１０- 4〜１０-
6Ｔｏｒｒの高真空に排気し、電源コントローラｊから
蒸発源ｆに電力を供給すると、蒸発源ｆの噴出口ｉから
蒸発材ｅの蒸気が噴き出すもので、該基板ｃに堆積する
量を周波数測定手段ｈで計測し、成膜速度が一定になる
ように制御する信号と該基板ｃの膜厚が設定膜厚になる
とシャッターｋを閉じる信号を電源コントローラｊにフ
ィードバックする。該基板ｃへの成膜が終わると、ホル
ダーｂが旋回して次の基板ｃを成膜ステーションｄに位
置させることを繰り返す。ｍは排気口である。
6Ｔｏｒｒの高真空に排気し、電源コントローラｊから
蒸発源ｆに電力を供給すると、蒸発源ｆの噴出口ｉから
蒸発材ｅの蒸気が噴き出すもので、該基板ｃに堆積する
量を周波数測定手段ｈで計測し、成膜速度が一定になる
ように制御する信号と該基板ｃの膜厚が設定膜厚になる
とシャッターｋを閉じる信号を電源コントローラｊにフ
ィードバックする。該基板ｃへの成膜が終わると、ホル
ダーｂが旋回して次の基板ｃを成膜ステーションｄに位
置させることを繰り返す。ｍは排気口である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の装置は、水
晶振動子基板ｃへの成膜手段ｇとして特殊なるつぼの蒸
発源ｆを使用しているため、蒸発物がるつぼの上に付着
して蒸発効率が悪く、蒸発源ｆに充填した蒸発材ｅは７
０枚程度の基板にしか成膜できないので、度々蒸発材ｅ
を補充する必要があり、るつぼが変形したり割れたりし
てその寿命が短く、また、るつぼからの不純物が基板ｃ
に付着し、成膜速度のコントロールが難しい等の問題が
あった。
晶振動子基板ｃへの成膜手段ｇとして特殊なるつぼの蒸
発源ｆを使用しているため、蒸発物がるつぼの上に付着
して蒸発効率が悪く、蒸発源ｆに充填した蒸発材ｅは７
０枚程度の基板にしか成膜できないので、度々蒸発材ｅ
を補充する必要があり、るつぼが変形したり割れたりし
てその寿命が短く、また、るつぼからの不純物が基板ｃ
に付着し、成膜速度のコントロールが難しい等の問題が
あった。
【０００５】本発明は、水晶振動子基板への連続成膜装
置の上記問題を解消することをその目的とするものであ
る。
置の上記問題を解消することをその目的とするものであ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明では、真空室内に
複数の水晶振動子基板を移動自在に用意し、該真空室内
の成膜手段と周波数測定手段を備えた成膜ステーション
に該水晶振動子基板を順次に移動させて該基板に成膜を
施すことにより水晶振動子を製造する装置に於いて、該
成膜手段を、水晶振動子基板と対向する前面にターゲッ
トを取り付けたスパッタ電極で構成することにより、上
記の目的を達成するようにした。この場合、成膜手段
を、水晶振動子基板と対向する前面にターゲットを取り
付けたスパッタ電極と、水晶振動子基板とターゲットの
間に介在させたアノード電位の多孔板から成るプラズマ
シールドとで構成すれば、基板のダメージを防ぐことが
できる。
複数の水晶振動子基板を移動自在に用意し、該真空室内
の成膜手段と周波数測定手段を備えた成膜ステーション
に該水晶振動子基板を順次に移動させて該基板に成膜を
施すことにより水晶振動子を製造する装置に於いて、該
成膜手段を、水晶振動子基板と対向する前面にターゲッ
トを取り付けたスパッタ電極で構成することにより、上
記の目的を達成するようにした。この場合、成膜手段
を、水晶振動子基板と対向する前面にターゲットを取り
付けたスパッタ電極と、水晶振動子基板とターゲットの
間に介在させたアノード電位の多孔板から成るプラズマ
シールドとで構成すれば、基板のダメージを防ぐことが
できる。
【０００７】
【作用】真空室ａ内を１０- 4〜１０- 6Ｔｏｒｒの高真
空に排気したのち該真空室内に不活性ガスを導入して１
０- 2〜１０- 3Ｔｏｒｒに調整し、スパッタ電極に電力
を供給する。該スパッタ電極付近にはプラズマが発生
し、プラズマ中のイオンがターゲットをスパッタし始め
る。設定時間経過後、シャッターを開くと水晶振動子基
板にターゲット材の薄膜が形成される。周波数測定手段
が該基板に堆積する速度と膜厚を監視し、成膜速度を一
様にすると共に設定膜厚になると成膜を止めるようにス
パッタ電極の電源を制御する。スパッタ電極により水晶
振動子基板の電極膜を形成すると、約７０００枚の基板
に対して連続的に成膜を行え、不純物が膜に混入するこ
とも少なく、長時間の成膜が可能になり、成膜速度のコ
ントロールも容易になる。
空に排気したのち該真空室内に不活性ガスを導入して１
０- 2〜１０- 3Ｔｏｒｒに調整し、スパッタ電極に電力
を供給する。該スパッタ電極付近にはプラズマが発生
し、プラズマ中のイオンがターゲットをスパッタし始め
る。設定時間経過後、シャッターを開くと水晶振動子基
板にターゲット材の薄膜が形成される。周波数測定手段
が該基板に堆積する速度と膜厚を監視し、成膜速度を一
様にすると共に設定膜厚になると成膜を止めるようにス
パッタ電極の電源を制御する。スパッタ電極により水晶
振動子基板の電極膜を形成すると、約７０００枚の基板
に対して連続的に成膜を行え、不純物が膜に混入するこ
とも少なく、長時間の成膜が可能になり、成膜速度のコ
ントロールも容易になる。
【０００８】該基板がプラズマにより異常放電して汚れ
たり、膜が炭化することを嫌う場合には、プラズマシー
ルドをスパッタ電極と基板の間に介在させ、プラズマの
発生領域をスパッタ電極とプラズマシールドの間に限定
する。これにより、基板にプラズマが直接接触すること
がなくなり、基板の汚れや膜の炭化が防げる。
たり、膜が炭化することを嫌う場合には、プラズマシー
ルドをスパッタ電極と基板の間に介在させ、プラズマの
発生領域をスパッタ電極とプラズマシールドの間に限定
する。これにより、基板にプラズマが直接接触すること
がなくなり、基板の汚れや膜の炭化が防げる。
【０００９】
【実施例】本発明の実施例を図３に基づき説明すると、
同図に於いて符号１は図１に示すような円筒形の真空室
で、該真空室１内には旋回する円環状のホルダー２が設
けられる。該ホルダー２には複数の水晶振動子基板３が
直立して取り付けられ、順次に該真空室１内の成膜ステ
ーション４に送られる。該成膜ステーション４は成膜手
段５と周波数測定手段６とを備え、そこに送られてくる
水晶振動子基板３に該成膜手段５により堆積する膜厚を
周波数測定手段６で測定する。該周波数測定手段６は、
該基板３に接触してこれに膜が堆積する堆積速度と設定
膜厚に達したことを検出するもので、該周波数測定手段
６で検出された電気信号は成膜手段５の電源コントロー
ラ７に送られ、該基板３の膜堆積速度を一定に制御する
と共に所定の膜厚が形成されるように制御する。また、
該成膜手段５と基板３との間には該電源コントローラ７
により開閉作動するシャッター８が設けられる。９は不
活性ガスの導入口、１０は真空ポンプに接続された真空
排気口である。
同図に於いて符号１は図１に示すような円筒形の真空室
で、該真空室１内には旋回する円環状のホルダー２が設
けられる。該ホルダー２には複数の水晶振動子基板３が
直立して取り付けられ、順次に該真空室１内の成膜ステ
ーション４に送られる。該成膜ステーション４は成膜手
段５と周波数測定手段６とを備え、そこに送られてくる
水晶振動子基板３に該成膜手段５により堆積する膜厚を
周波数測定手段６で測定する。該周波数測定手段６は、
該基板３に接触してこれに膜が堆積する堆積速度と設定
膜厚に達したことを検出するもので、該周波数測定手段
６で検出された電気信号は成膜手段５の電源コントロー
ラ７に送られ、該基板３の膜堆積速度を一定に制御する
と共に所定の膜厚が形成されるように制御する。また、
該成膜手段５と基板３との間には該電源コントローラ７
により開閉作動するシャッター８が設けられる。９は不
活性ガスの導入口、１０は真空ポンプに接続された真空
排気口である。
【００１０】こうした装置構成の概要は従来のものと略
同様であるが、本発明に於いては成膜手段５を、水晶振
動子基板３と対向する前面に銀やアルミ等のターゲット
１１を取り付けたスパッタ電極１２で構成し、該スパッ
タ電極１２にはＤＣ或いはＲＦ電源を備えた電源コント
ローラ７から電力を供給するようにした。該ターゲット
１１の材料は、スパッタ電極１２の前方で発生するプラ
ズマ中のイオンによりスパッタされ、対向する基板３の
表面に薄膜状に堆積するが、基板３がプラズマによるダ
メージを嫌う場合のために、該基板３とターゲット１１
との間に例えばアースされたアノード電位のメッシュ等
の多孔金属板から成るプラズマシールド１３を設け、該
基板３にプラズマが直接接触することを防止するように
した。
同様であるが、本発明に於いては成膜手段５を、水晶振
動子基板３と対向する前面に銀やアルミ等のターゲット
１１を取り付けたスパッタ電極１２で構成し、該スパッ
タ電極１２にはＤＣ或いはＲＦ電源を備えた電源コント
ローラ７から電力を供給するようにした。該ターゲット
１１の材料は、スパッタ電極１２の前方で発生するプラ
ズマ中のイオンによりスパッタされ、対向する基板３の
表面に薄膜状に堆積するが、基板３がプラズマによるダ
メージを嫌う場合のために、該基板３とターゲット１１
との間に例えばアースされたアノード電位のメッシュ等
の多孔金属板から成るプラズマシールド１３を設け、該
基板３にプラズマが直接接触することを防止するように
した。
【００１１】その作動を説明すると、真空室１内を１０
- 4〜１０- 6Ｔｏｒｒの高真空に排気してから導入口９
を介してアルゴンガスを１０- 2〜１０- 3Ｔｏｒｒまで
導入し、電源コントローラ７からスパッタ電極１２に電
力を供給する。これにより該スパッタ電極１２付近にア
ルゴンガスのプラズマが発生し、プラズマ中のイオンが
銀やアルミのターゲット１１をスパッタする。設定時間
後シャッター８を開くと該基板３に膜が堆積するが、そ
の堆積量は周波数測定手段６で計測され、膜堆積速度が
一様になるようにその検出信号を電源コントローラ７に
フィードバックすると共に膜厚が設定膜厚に達したらシ
ャッター８を閉じる信号を該電源コントローラ７に出
し、該シャッター８を閉じさせる。次いでホルダー２が
旋回し、次の基板３に対して成膜を行ない、水晶振動子
が製造される。該基板３のプラズマによる損傷を防止し
たい場合には、プラズマシールド１３を設けるように
し、基板３にプラズマが直接接触することを防いで基板
３に電極膜を堆積させることができる。
- 4〜１０- 6Ｔｏｒｒの高真空に排気してから導入口９
を介してアルゴンガスを１０- 2〜１０- 3Ｔｏｒｒまで
導入し、電源コントローラ７からスパッタ電極１２に電
力を供給する。これにより該スパッタ電極１２付近にア
ルゴンガスのプラズマが発生し、プラズマ中のイオンが
銀やアルミのターゲット１１をスパッタする。設定時間
後シャッター８を開くと該基板３に膜が堆積するが、そ
の堆積量は周波数測定手段６で計測され、膜堆積速度が
一様になるようにその検出信号を電源コントローラ７に
フィードバックすると共に膜厚が設定膜厚に達したらシ
ャッター８を閉じる信号を該電源コントローラ７に出
し、該シャッター８を閉じさせる。次いでホルダー２が
旋回し、次の基板３に対して成膜を行ない、水晶振動子
が製造される。該基板３のプラズマによる損傷を防止し
たい場合には、プラズマシールド１３を設けるように
し、基板３にプラズマが直接接触することを防いで基板
３に電極膜を堆積させることができる。
【００１２】真空室１内に成膜ステーション４を２か所
に設けるようにすれば、基板３の両面に電極膜を備えた
水晶振動子を製造することができる。
に設けるようにすれば、基板３の両面に電極膜を備えた
水晶振動子を製造することができる。
【００１３】
【発明の効果】以上のように本発明に於いては、真空室
内の複数の水晶振動子基板を、該真空室内の成膜手段と
周波数測定手段を備えた成膜ステーションに移動させて
水晶振動子を製造する装置に於いて、該成膜手段を、タ
ーゲットを取り付けたスパッタ電極で構成したので、従
来のるつぼの蒸発源の場合に比べ１枚のターゲットで多
くの基板に対して水晶振動子の電極膜を形成することが
でき、長時間に亘り不純物の混入の少ない成膜を比較的
正確に成膜速度をコントロールしながら行え、良質の電
極膜を形成できる等の効果がある。
内の複数の水晶振動子基板を、該真空室内の成膜手段と
周波数測定手段を備えた成膜ステーションに移動させて
水晶振動子を製造する装置に於いて、該成膜手段を、タ
ーゲットを取り付けたスパッタ電極で構成したので、従
来のるつぼの蒸発源の場合に比べ１枚のターゲットで多
くの基板に対して水晶振動子の電極膜を形成することが
でき、長時間に亘り不純物の混入の少ない成膜を比較的
正確に成膜速度をコントロールしながら行え、良質の電
極膜を形成できる等の効果がある。
【図１】 従来例の截断平面図
【図２】 図１の截断側面図
【図３】 本発明の実施例の截断側面図
１ 真空室 ３ 水晶振動子基板 ４ 成膜ステーション ５ 成膜手段 ６
周波数測定手段 ７ 電源コントローラ ８ シャッター １１
ターゲット １２ スパッタ電極 １３ プラズマシールド
周波数測定手段 ７ 電源コントローラ ８ シャッター １１
ターゲット １２ スパッタ電極 １３ プラズマシールド
Claims (3)
- 【請求項１】 真空室内に複数の水晶振動子基板を移動
自在に用意し、該真空室内の成膜手段と周波数測定手段
を備えた成膜ステーションに該水晶振動子基板を順次に
移動させて該基板に成膜を施すことにより水晶振動子を
製造する装置に於いて、該成膜手段を、水晶振動子基板
と対向する前面にターゲットを取り付けたスパッタ電極
で構成したことを特徴とする水晶振動子用連続成膜装
置。 - 【請求項２】 上記成膜手段を、水晶振動子基板と対向
する前面にターゲットを取り付けたスパッタ電極と、水
晶振動子基板とターゲットの間に介在させたアノード電
位の多孔板から成るプラズマシールドとで構成したこと
を特徴とする請求項１に記載の水晶振動子用連続成膜装
置。 - 【請求項３】 上記ターゲットとプラズマシールドとの
間に、スパッタ電極の電源コントローラにより作動制御
された開閉自在のシャッタを設けたことを特徴とする請
求項１に記載の水晶振動子用連続成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2433991A JPH0548363A (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | 水晶振動子用連続成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2433991A JPH0548363A (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | 水晶振動子用連続成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0548363A true JPH0548363A (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=12135428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2433991A Pending JPH0548363A (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | 水晶振動子用連続成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0548363A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0730355A (ja) * | 1993-07-12 | 1995-01-31 | Seiko Epson Corp | 圧電素子の周波数調整方法および装置 |
| JP2001332948A (ja) * | 1993-05-27 | 2001-11-30 | Seiko Epson Corp | 圧電素子の周波数調整加工装置 |
| JP2002016465A (ja) * | 1993-05-27 | 2002-01-18 | Seiko Epson Corp | 圧電素子の周波数調整加工装置 |
| JP2003037464A (ja) * | 1993-05-27 | 2003-02-07 | Seiko Epson Corp | 周波数調整加工装置 |
| JP2011193288A (ja) * | 2010-03-15 | 2011-09-29 | Seiko Instruments Inc | パターン形成方法、パターン形成装置、圧電振動子、圧電振動子の製造方法、発振器、電子機器および電波時計 |
-
1991
- 1991-02-19 JP JP2433991A patent/JPH0548363A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001332948A (ja) * | 1993-05-27 | 2001-11-30 | Seiko Epson Corp | 圧電素子の周波数調整加工装置 |
| JP2002016465A (ja) * | 1993-05-27 | 2002-01-18 | Seiko Epson Corp | 圧電素子の周波数調整加工装置 |
| JP2003037464A (ja) * | 1993-05-27 | 2003-02-07 | Seiko Epson Corp | 周波数調整加工装置 |
| JPH0730355A (ja) * | 1993-07-12 | 1995-01-31 | Seiko Epson Corp | 圧電素子の周波数調整方法および装置 |
| JP2011193288A (ja) * | 2010-03-15 | 2011-09-29 | Seiko Instruments Inc | パターン形成方法、パターン形成装置、圧電振動子、圧電振動子の製造方法、発振器、電子機器および電波時計 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010313 |