CN103022100B - 鳍式场效应管的结构及其形成方法 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例提供了一种鳍式场效应管的结构，包括基底；位于所述基底表面的鳍部，所述鳍部包括位于基底表面的第一部件和位于所述第一部件表面的第二部件，所述第一部件的第一横截面面积随所述第一横截面到所述基底表面的距离的增加而减小，所述第二部件的第二横截面面积不随所述第二横截面到所述基底表面的距离变化或随所述第二横截面到所述基底表面的距离的增加而减小，本发明实施例的鳍式场效应管的性能稳定性好。相应的，本发明实施例还提供了一种鳍式场效应管的形成方法，其形成工艺简单。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种鳍式场效应管的结构及其形成方法。
背景技术
随着半导体工艺技术的不断发展，随着工艺节点逐渐减小，后栅(gate-last)工艺得到了广泛应用，来获得理想的阈值电压，改善器件性能。但是当器件的特征尺寸(CD，Critical Dimension)进一步下降时，即使采用后栅工艺，常规的MOS场效应管的结构也已经无法满足对器件性能的需求，多栅器件作为常规器件的替代得到了广泛的关注。
鳍式场效应管(Fin FET)是一种常见的多栅器件，图1示出了现有技术的一种鳍式场效应管的立体结构示意图。如图1所示，包括：半导体衬底10，所述半导体衬底10上形成有凸出的鳍部14，鳍部14一般是通过对半导体衬底10刻蚀后得到的；介质层11，覆盖所述半导体衬底10的表面以及鳍部14的侧壁的一部分；栅极结构12，横跨在所述鳍部14上，覆盖所述鳍部14的顶部和侧壁，栅极结构12包括栅介质层(图中未示出)和位于栅介质层上的栅电极(图中未示出)。对于Fin FET，鳍部14的顶部以及两侧的侧壁与栅极结构12相接触的部分都成为沟道区，即具有多个栅，有利于增大驱动电流，改善器件性能。
然而随着工艺节点的进一步减小，现有技术的鳍式场效应管的器件性能的稳定性变差。
更多关于鳍式场效应管的形成方法请参考专利号为“US7868380B2”的美国专利。
发明内容
本发明的实施例解决的问题是提供一种器件性能的稳定性好的鳍式场效应管的结构及形成方法。
为解决上述问题，本发明的实施例提供了一种鳍式场效应管的结构，包括：
基底；
位于所述基底表面的鳍部，所述鳍部包括位于基底表面的第一部件和位于所述第一部件表面的第二部件，所述第一部件的第一横截面面积随所述第一横截面到所述基底表面的距离的增加而减小，所述第二部件的第二横截面面积不随所述第二横截面到所述基底表面的距离变化或随所述第二横截面到所述基底表面的距离的增加而减小。
可选地，所述第一部件的纵截面为梯形或类梯形；所述第二部件的纵截面为梯形、类梯形或方形中的一种。
可选地，所述鳍部的材料为Si、SiGe或SiC中的一种。
可选地，还包括：位于所述基底表面、且横跨所述鳍部的栅极结构。
可选地，还包括：位于所述栅极结构两侧的源/漏极。
一种鳍式场效应管的形成方法，包括：
提供基底；形成位于所述基底表面的半导体层；形成位于所述半导体层表面的图案层，所述图案层具有开口；
以所述图案层为掩膜刻蚀所述半导体层，形成包括位于基底表面的第一部件和位于所述第一部件表面的第二部件的鳍部，所述第一部件的第一横截面面积随所述第一横截面到所述基底表面的距离的增加而减小，所述第二部件的第二横截面面积不随所述第二横截面到所述基底表面的距离变化或随所述第二横截面到所述基底表面的距离的增加而减小。
可选地，所述鳍部的形成工艺为干法刻蚀。
可选地，所述干法刻蚀包括主刻蚀和过刻蚀。
可选地，所述干法刻蚀的刻蚀气体包括HBr和O2。
可选地，所述第一部件的刻蚀工艺参数包括：刻蚀压力为0.1Torr；流量为200sccm的HBr；O2的流量由10sccm逐渐减小至0sccm；刻蚀时间为15-30S。
可选地，所述干法刻蚀的气体还包括Cl2。
可选地，所述第二部件的刻蚀工艺参数包括：刻蚀压力为0.1Torr；流量为200sccm的HBr；流量为300sccm的Cl2，流量为50sccm的O2；刻蚀时间为1.5-2.5分钟。
可选地，所述第二部件的刻蚀工艺参数包括：刻蚀压力为0.1Torr；流量为200sccm的HBr；流量为300sccm的Cl2，流量由50sccm逐渐减小至10sccm的O2；刻蚀时间为1.5-2.5分钟。
可选地，所述第二部件的厚度为第一部件的厚度的5-9倍。
可选地，还包括：去除所述图案层。
可选地，还包括：形成位于所述基底表面、且横跨所述鳍部的栅极结构。
可选地，所述栅极结构包括位于所述基底表面、且横跨所述鳍部的栅介质层和位于所述栅介质层表面的栅电极层。
可选地，所述栅介质层的材料为氧化硅或高K介质；所述栅电极层的材料为多晶硅或金属。
可选地，还包括：形成位于所述栅极结构两侧的源/漏极。
与现有技术相比，本发明的实施例具有以下优点：
本发明实施例的鳍式场效应管的结构中，所述鳍部的第一部件的第一横截面面积随所述第一横截面到基底的距离的增加而减小，所述鳍部与基底的拐角处过渡得较为平缓，应力分布均匀，结合强度高，形成的鳍式场效应管的器件的稳定性好。
本发明实施例的鳍式场效应管的形成方法中，发明人采用刻蚀工艺，通过控制刻蚀气体中氧气的流量形成包括第一部件和第二部件的鳍部，本发明实施例的形成方法简单，可操作性强。
进一步的，在后续形成横跨所述鳍部的栅极结构时，用于形成栅极结构的材料在鳍部与基底形成的拐角处的沉积质量好，避免了现有技术中在鳍部与基底形成的拐角处沉积不充分的问题，且本发明实施例形成的鳍部在掺杂离子时也更加容易掺杂，形成的鳍式场效应管的器件的性能好。
附图说明
图1是现有技术的鳍式场效应管的立体结构示意图；
图2是现有技术的鳍式场效应管的剖面结构示意图；
图3是本发明实施例的鳍式场效应管的形成方法的流程示意图；
图4-图7是本发明实施例的鳍式场效应管的形成过程的剖面结构示意图。
具体实施方式
正如背景技术所述，随着工艺节点的进一步减小，现有技术的鳍式场效应管的器件性能的稳定性变差。
经过研究，本发明实施例的发明人发现，现有技术的鳍式场效应管的器件性能的稳定性变差与现有技术的鳍部的结构有关。请参考图2，图2为现有技术的鳍式场效应管的剖面结构示意图。现有技术的鳍式场效应管的结构，包括：基底100；位于所述基底100表面的鳍部101，所述鳍部101的侧壁垂直于所述基底100表面；位于所述基底100表面、且横跨所述鳍部101的顶部和侧壁的栅极结构103。
本发明实施例的发明人发现，一方面，由于所述鳍部101的侧壁与基底100表面垂直，后续形成栅极结构时，所述栅极结构的材料在所述鳍部101的侧壁与基底100形成的拐角104处未能充分沉积，所述拐角104处有可能存在空隙，影响了现有技术的鳍式场效应管的器件性能的稳定性。并且后续掺杂离子形成源/漏极时，靠近拐角104处的鳍部也较难以掺杂离子，影响了源/漏极的质量，从而影响了现有技术的鳍式场效应管的器件性能的稳定性。
另一方面，现有技术的所述鳍部101的侧壁与基底100表面垂直，所述鳍部101的侧壁与基底100形成的拐角104处的应力较为集中，鳍部101与基底100的结合强度较低，该处的鳍部101容易发生断裂或移动，影响了现有技术的鳍式场效应管的器件性能的稳定性。
经过仔细研究，本发明实施例的发明人发现，对所述鳍部的结构进行改进，使所述鳍部包括位于基底表面的第一部件和位于所述第一部件表面的第二部件，所述第一部件的第一横截面面积随所述第一横截面到所述基底表面的距离的增加而减小，形成的第一部件与基底形成的拐角处应力分布均匀，不易断裂或移动，此种结构的鳍部的结合强度高，并且后续掺杂离子形成源/漏极的质量好，后续形成栅极结构时拐角处的栅极结构的材料也能充分沉积，形成的鳍式场效应管的器件性能的稳定性好。
相应的，本发明实施例的发明人还提供了一种鳍式场效应管的形成方法。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
其次，本发明利用示意图进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是实例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
请参考图3，图3为本发明实施例的鳍式场效应管的形成方法的流程示意图。本发明实施例的鳍式场效应管的形成方法，包括：
步骤S201，提供基底；形成位于所述基底表面的半导体层；形成位于所述半导体层表面的图案层，所述图案层具有开口；
步骤S203，以所述图案层为掩膜，形成包括位于基底表面的第一部件和位于所述第一部件表面的第二部件的鳍部，所述第一部件的第一横截面面积随所述第一横截面到所述基底表面的距离的增加而减小，所述第二部件的第二横截面面积不随所述第二横截面到所述基底表面的距离变化或随所述第二横截面到所述基底表面的距离的增加而减小。
请参考图4，提供基底300，形成位于所述基底300表面的半导体层；形成位于所述半导体层表面的图案层303，所述图案层303具有开口305。
所述基底300用于为后续工艺提供工作平台，所述基底300的材料为氧化物(oxide)，例如氧化硅。
所述半导体层用于后续形成鳍部，所述半导体层包括位于所述基底300表面的第一半导体层3011和位于所述第一半导体层3011表面的第二半导体层3012，所述第一半导体层3011用于后续形成第一部件，所述第二半导体层3012用于后续形成第二部件。为了节省后续刻蚀工艺时间，所述第二半导体层3012的厚度为所述第一半导体层3011的厚度的5-9倍。本发明的实施例中，所述第二半导体层3012的厚度为所述第一半导体层3011的厚度的9倍。
所述半导体层的材料为Si、SiC或SiGe中的一种。在本发明的实施例中，所述半导体层的材料为Si。
需要说明的是，为使得鳍式场效应管的电路设计更加简单，更易实现集成化，本发明实施例的基底300与半导体层用于共同形成绝缘体上硅(SOI)。
所述图案层303用于后续作为掩膜刻蚀所述半导体层形成鳍部，且所述图案层303还用于保护后续用于作为鳍部的部分半导体层不被损坏。所述图案层303的材料为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等中的一种。在本发明的实施例中，选择氮化硅作为图案层303的材料。
所述开口305定义出相邻两个鳍部之间的距离。所述开口305的形成工艺为刻蚀工艺。由于刻蚀工艺已为本领域技术人员所熟知，在此不再赘述。
之后，以所述图案层303为掩膜，刻蚀所述半导体层，通过控制刻蚀气体中氧气的含量刻蚀所述半导体层，形成包括位于基底300表面的第一部件和位于所述第一部件表面的第二部件的鳍部，所述第一部件的第一横截面面积随所述第一横截面到所述基底表面的距离的增加而减小，所述第二部件的第二横截面面积不随所述第二横截面到所述基底表面的距离变化、或随所述第二横截面到所述基底表面的距离的增加而减小。
刻蚀所述半导体层采用的工艺为干法刻蚀，所述干法刻蚀的刻蚀气体包括HBr和O2，采用HBr和O2的混合气体刻蚀半导体的工艺过程中，首先O2将半导体层的材料氧化为氧化硅(SiO2)，随后HBr将氧化硅腐蚀以达到刻蚀所述半导体层的效果。并且，为了加快刻蚀半导体层的速率，所述刻蚀气体还可以包括Cl2。
为了充分刻蚀所述半导体层，形成的鳍部两侧没有半导体材料残留，所述刻蚀工艺包括主刻蚀(main etch)和过刻蚀(over etch)两个工艺过程。
在本发明的实施例中，采用干法刻蚀工艺形成鳍部的步骤包括：利用HBr、Cl2和O2的混合气体刻蚀所述第二半导体层，形成第二部件3072，刻蚀所述第二半导体层为主刻蚀；利用HBr和O2的混合气体刻蚀所述第一半导体层，形成第一部件3071，为充分刻蚀所述第一半导体层，刻蚀所述第一半导体的刻蚀工艺包括主刻蚀和过刻蚀两个工艺过程。
由于所述第一部件由刻蚀第一半导体层后形成，所述第二部件由刻蚀所述第二半导体层后形成，所述第二部件的厚度为所述第一部件的厚度的5-9倍。本发明实施例的第二部件的厚度为所述第一部件的厚度的9倍。
本发明实施例发明人发现，刻蚀工艺过程中，刻蚀所述半导体层的速率与通入的刻蚀气体中O2的流量有关，至少有以下两种方法控制刻蚀气体中O2的流量：
实例1
请参考图5，逐渐减小刻蚀所述第二半导体层和第一半导体层时的O2的流量，使得形成的半导体层的纵截面为梯形或类梯形。
刻蚀所述第二半导体层和第一半导体层的具体步骤包括：在刻蚀压力为0.1Torr的环境下，通入流量为300sccm的Cl2，流量为200sccm的HBr，及初始流量为50sccm的O2，在刻蚀所述第二半导体层的过程中，O2的流量逐渐减小，例如减小至10sccm；当刻蚀完所述第二半导体层后，即形成第二部件3072后，停止通入Cl2；继续通入HBr和O2刻蚀所述第一半导体层，所述HBr的流量仍然为200sccm，所述O2的流量继续逐渐减小，例如由10sccm逐渐减小至0sccm或者由10sccm逐渐减小5sccm等，只要能刻蚀完所述第一半导体层形成第一部件3071即可。
由于刻蚀所述第二半导体层时的刻蚀气体中包括Cl2，刻蚀工艺的刻蚀速率大，因此，刻蚀所述第二半导体层的时间为1.5-2.5分钟；而在刻蚀所述第一半导体层时，由于所述第一半导体层较薄，为了防止刻蚀速率过快严重损害基底300，因此，刻蚀所述第一半导体层的气体中不包括Cl2，刻蚀所述第一半导体层的时间为15-30S。
实例1形成的第一部件3071和第二部件3072的纵截面均为梯形或类梯形，且形成的所述鳍部的纵截面为梯形或类梯形。所述梯形或类梯形包括：斜边中的任一边为直线或曲线的情况，只要满足鳍部的横截面面积随着所述横截面积到基底的距离的增加而减小即可。
本发明的实例1中的形成鳍部的方法简单，控制形成第一部件3071和第二部件3072时的氧气的流量即可，操作性强，且实例1形成的鳍部有助于后续形成栅极结构和源/漏极。
请继续参考图5，采用本发明实例1所述的形成方法，形成的鳍式场效应管，包括：
基底300；
位于所述基底300表面的鳍部，所述鳍部包括位于基底表面的第一部件3071和位于所述第一部件3071表面的第二部件3072，所述第一部件3071和第二部件3072的横截面面积均随所述横截面到基底表面300距离的增加而减小。
其中，所述基底300的材料为氧化硅；所述鳍部的材料为Si、SiGe或SiC中的一种；所述第一部件3071的纵截面为梯形或类梯形；所述第二部件3072的纵截面为梯形或类梯形。
实例1中的鳍式场效应管的鳍部与基底的拐角处过渡的较为平缓，所述拐角处的应力分布均匀，结合强度高。
实例2
本发明实施例的发明人发现，现有技术中在形成栅极结构时，用于形成栅极结构的材料主要不易沉积在鳍部与基底的拐角处。因此，主要需要对鳍部与基底的拐角处进行改进。
请参考图6，刻蚀所述第二半导体层时，保持刻蚀气体中O2的流量不变；当刻蚀完所述第二半导体层，形成所述第二部件4072后，逐渐减小刻蚀气体中O2的流量，形成第一部件4071。
具体地，在本发明的实施例中，刻蚀所述第二半导体层时的刻蚀工艺参数包括：刻蚀压力0.1Torr，流量为300sccm的Cl2，流量为200sccm的HBr，流量为50sccm的O2；刻蚀所述第一半导体层时的刻蚀工艺参数包括：刻蚀压力0.1Torr，流量为200sccm的HBr，及流量逐渐减小的O2，例如O2的流量由50sccm逐渐减小至10sccm。
本发明实施例的方法形成的第一部件4071的形状为梯形或类梯形，所述第二部件4071的形状为方形。
实例2在形成所述第二部件时并未改变刻蚀其他中O2的流量，氧化所述第二半导体层的速率更快，可以较快的形成第二部件4072；在刻蚀所述第一半导体层时逐渐减小O2的流量，使得第一部件4071与基底的拐角处过渡平缓，有助于后续形成栅极结构和源/漏极。
请继续参考图6，采用实例2所述的形成方法，形成的鳍式场效应管的结构，包括：
基底300；
位于所述基底300表面的鳍部，所述鳍部包括位于基底300表面的第一部件4071和位于所述第一部件4071表面的第二部件4072，所述第一部件4071的第一横截面面积随所述第一横截面到所述基底300表面的距离的增加而减小，所述第二部件4072的第二横截面面积不随所述第二横截面到所述基底300表面的距离变化。
其中，所述基底300的材料为氧化硅；所述鳍部的材料为Si、SiGe或SiC中的一种；所述第一部件的纵截面为梯形或类梯形；所述第二部件的纵截面为方形。
实例2中的鳍式场效应管的鳍部与基底300拐角处过渡的较为平缓，应力分布均匀，结合强度高。
在形成所述鳍部之后，还包括：去除所述图案层。所述去除所述图案层的工艺为刻蚀工艺或化学机械抛光工艺。由于所述去除图案层的工艺已为本领域技术人员所熟知，在此不再赘述。
需要说明的是，本发明实施例的鳍式场效应管的形成方法，还包括：形成位于所述基底表面、且横跨所述鳍部的栅极结构；形成位于所述栅极结构两侧的源/漏极。在本发明的实施例中，由于实例1和实例2的后续形成步骤相同，在此以实例1为例进行说明。
请参考图7，形成位于所述基底300表面、且横跨鳍部的栅介质层(未图示)和位于所述栅介质层表面的栅电极层(未图示)。
所述栅极结构309包括所述栅介质层和栅电极层。其中，所述栅介质层的材料为绝缘材料，例如氧化硅或高K介质；所述栅电极层的材料为多晶硅或金属。在本发明的实施例中，所述栅介质层为高K介质，所述栅电极层的材料为金属材料。
本发明实施例中，所述栅极结构309的形成步骤包括：形成位于所述基底300表面、且横跨所述鳍部的伪栅极结构；去除所述伪栅极结构形成位于所述基底300表面、且横跨所述鳍部的栅介质层和位于所述栅介质层表面的栅电极层。
需要说明的是，在本发明的实施例中，所述横跨鳍部指的是覆盖所述鳍部的侧壁和顶部。
由于本发明实施例形成的鳍部的第一部件3071的纵截面为梯形或类梯形结构，且所述第一部件3071的第一横截面面积随所述第一横截面到基底300的距离的增加而减小，所述鳍部的第一部件3071与基底300组成的拐角的角度大于90°，形成栅极结构309的工艺过程中，用于形成栅极结构的材料在沉积时较容易覆盖所述拐角处，而不会存在沉积不充分，在此处形成空隙的问题，形成的栅极结构紧密的覆盖所述鳍部的侧壁和顶部，形成的鳍式场效应管的器件性能的稳定。
需要说明的是，本发明实施例的鳍式场效应管的形成方法，还包括：形成位于所述栅极结构两侧的源/漏极(未图示)。
所述源/漏极的形成工艺为掺杂工艺。本发明的实施例中，所述源/漏极的形成步骤包括：在形成所述伪栅极结构之后，以所述伪栅极结构为掩膜，向所述伪栅极结构两侧的鳍部内掺杂离子，形成源/漏极。在形成所述源/漏极后，再去除所述伪栅结构，形成横跨所述鳍部的栅极结构。
由于本发明实施例形成的鳍部至少第一部件的横截面面积随着所述横截面到基底的距离的增加而减小，所述第一部件的纵截面为梯形或类梯形，掺杂离子时离子也更加容易掺杂，进一步提高了鳍式场效应管的稳定性。
本发明实施例的鳍式场效应管的结构，所述鳍部的第一部件的第一横截面面积随所述第一横截面到基底的距离的增加而减小，所述鳍部与基底的拐角处过渡得较为平缓，应力分布均匀，结合强度高，形成的鳍式场效应管的器件的稳定性好。
本发明实施例的鳍式场效应管的形成方法中，发明人采用刻蚀工艺，通过控制刻蚀气体中氧气的流量形成包括第一部件和第二部件的鳍部，本发明实施例的形成方法简单，可操作性强。
进一步的，在后续形成横跨所述鳍部的栅极结构时，用于形成栅极结构的材料在鳍部与基底形成的拐角处的沉积质量好，避免了现有技术中在鳍部与基底形成的拐角处沉积不充分的问题，且本发明实施例形成的鳍部在掺杂离子时也更加容易掺杂，形成的鳍式场效应管的器件的性能好。
本发明虽然已以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。
Claims (15)
1.一种鳍式场效应管的形成方法，包括：
提供基底；形成位于所述基底表面的半导体层；形成位于所述半导体层表面的图案层，所述图案层具有开口；
其特征在于，还包括：
以所述图案层为掩膜刻蚀所述半导体层，形成包括位于基底表面的第一部件和位于所述第一部件表面的第二部件的鳍部，所述第一部件的第一横截面面积随所述第一横截面到所述基底表面的距离的增加而减小，所述第二部件的第二横截面面积不随所述第二横截面到所述基底表面的距离变化或随所述第二横截面到所述基底表面的距离的增加而减小；
所述鳍部的形成工艺为干法刻蚀，所述第一部件的刻蚀气体包括O2，用于氧化所述半导体层，以供刻蚀；
O2的流量逐渐减小。
2.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述干法刻蚀包括主刻蚀和过刻蚀。
3.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述干法刻蚀的刻蚀气体还包括HBr。
4.如权利要求3所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述第一部件的刻蚀工艺参数包括：刻蚀压力为0.1Torr；流量为200sccm的HBr；O2的流量由10sccm逐渐减小至0sccm；刻蚀时间为15-30S。
5.如权利要求3所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述干法刻蚀的气体还包括Cl2。
6.如权利要求5所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述第二部件的刻蚀工艺参数包括：刻蚀压力为0.1Torr；流量为200sccm的HBr；流量为300sccm的Cl2，流量为50sccm的O2；刻蚀时间为1.5-2.5分钟。
7.如权利要求5所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述第二部件的刻蚀工艺参数包括：刻蚀压力为0.1Torr；流量为200sccm的HBr；流量为300sccm的Cl2，流量由50sccm逐渐减小至10sccm的O2；刻蚀时间为1.5-2.5分钟。
8.如权利要求1中所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述第二部件的厚度为第一部件的厚度的5-9倍。
9.如权利要求1中所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，还包括：去除所述图案层。
10.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，还包括：形成位于所述基底表面、且横跨所述鳍部的栅极结构。
11.如权利要求10中所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述栅极结构包括位于所述基底表面、且横跨所述鳍部的栅介质层和位于所述栅介质层表面的栅电极层。
12.如权利要求11中所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述栅介质层的材料为氧化硅或高K介质；所述栅电极层的材料为多晶硅或金属。
13.如权利要求10中所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，还包括：形成位于所述栅极结构两侧的源/漏极。
14.如权利要求1中所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述半导体层的材料为Si、SiGe或SiC中的一种。
15.如权利要求1中所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述基底的材料为氧化物；所述图案层的材料为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅中的一种。
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| CN201110297064.9A CN103022100B (zh) | 2011-09-27 | 2011-09-27 | 鳍式场效应管的结构及其形成方法 |
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