CN103177965B - 鳍式场效应管的形成方法 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例提供了一种鳍式场效应管的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括氧化层，在所述氧化层表面形成有鳍部和栅极结构；在所述栅极结构两侧形成栅极侧墙，所述鳍部两侧形成有鳍部侧墙；形成第一牺牲层，所述第一牺牲层覆盖所述栅极结构，鳍部以及氧化层表面；去除部分所述第一牺牲层，形成第二牺牲层，所述第二牺牲层的高度不小于所述鳍部的高度且小于栅极结构的高度；形成位于所述栅极结构两侧的保护侧墙；以所述保护侧墙为掩膜，去除所述第二牺牲层和鳍部侧墙。本发明实施例中保护侧墙的特征尺寸大于栅极侧墙的特征尺寸，在以保护侧墙为掩膜去除鳍部侧墙的时候，可以充分保护栅极侧墙。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种鳍式场效应管的形成方法。
背景技术
随着半导体工艺技术的不断发展，工艺节点逐渐减小，后栅(gate-last)工艺得到了广泛应用，以获得理想的阈值电压，改善器件性能。但是当器件的特征尺寸(CD，CriticalDimension)进一步下降时，即使采用后栅工艺制作的场效应管也已经无法满足对器件性能的需求，多栅器件获得到了广泛的关注。
鳍式场效应晶体管(FinFET)是一种常见的多栅器件，图1示出了现有技术的一种鳍式场效应晶体管的鳍部和栅极结构的立体结构示意图。如图1所示，包括：半导体衬底10，所述半导体衬底10上形成有凸出的鳍部14；介质层11，覆盖所述半导体衬底10的表面以及鳍部14的侧壁的一部分；栅极结构12，横跨所述鳍部14上并覆盖所述鳍部14的顶部和侧壁，栅极结构12包括栅介质层(图中未示出)和位于栅介质层上的栅电极(图中未示出)。与栅极结构12相接触的鳍部14的顶部以及两侧的侧壁构成沟道区，因此，FinFET具有多个栅，这有利于增大驱动电流，改善器件性能。
在形成上述鳍部和栅极结构以后，需要在源/漏区上方进行硅的外延生长并形成侧墙以包围所述栅极结构。现有工艺在形成栅极侧墙的时候，容易在鳍部两侧同时形成寄生的鳍部侧墙。而为了减少寄生串联电阻，增大驱动电流，需要在形成源/漏区之前去除所述鳍部两侧的侧墙，同时要保证栅极侧墙的完整性。
J.Kedzierski等人在IEEETransactiononElectronDevices，50-4，952(2003)上发表了一篇名为：Extensionandsource/draindesignforhighperformanceFinFETdevices的文章，揭示了一种去除鳍部两侧侧墙保留栅极侧墙的方法，其利用鳍部侧墙和栅极侧墙之间的高度差，采用过刻蚀的方法去除鳍部两侧的侧墙。具体如图2a-图2b所示，图2a-图2b给出了J.Kedzierski等人揭示的去除鳍部侧墙的立体结构示意图。如图2a所示，所述FinFET包括形成在衬底(未示出)上的鳍部12、横跨在鳍部12上的栅极结构10、沉积在栅极10上的硬掩膜11、形成在栅极结构两侧的栅极侧墙13，以及形成在鳍部两侧的鳍部侧墙14。接着，以硬掩膜11为掩膜进行过刻蚀以去除所述鳍部侧墙14形成如图2b所示的结构。同时，部分硬掩膜被刻蚀去除，剩余部分硬掩膜11’，并且部分栅极侧墙被刻蚀去除，剩余部分栅极侧墙13’，鳍部12两侧的鳍部侧墙14在过刻蚀的作用下完全被去除。上述方法实施起来比较简单，但是在实际操作中过刻蚀比较难控制，过刻蚀容易影响栅极侧墙的宽度以及均匀性，进而影响后续形成的FinFET器件的性能。
因此，需要提供一种有效地去除鳍部两侧侧墙并保证栅极侧墙完整性的方法。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种鳍式场效应管的形成方法，能够有效地去除鳍部两侧侧墙并保证栅极侧墙完整性的方法。
为解决上述问题，本发明提供了一种鳍式场效应管的形成方法，包括：
提供基底，所述基底包括氧化层，在所述氧化层表面形成有凸出的鳍部和横跨在所述鳍部上的栅极结构；
在所述栅极结构两侧形成栅极侧墙，所述鳍部两侧形成有鳍部侧墙；
形成保护侧墙，所述保护侧墙的底部表面距离基底表面的距离大于所述鳍部顶部表面距离基底表面的距离；以及
以所述保护侧墙为掩膜，去除所述鳍部侧墙。
可选的，所述保护侧墙的特征尺寸与栅极侧墙的特征尺寸的比值为1.1～5。
可选的，形成保护侧墙的方法包括：
形成第一牺牲层，所述第一牺牲层完全覆盖所述栅极结构，鳍部以及未被栅极结构和鳍部覆盖的氧化层表面；
去除部分所述第一牺牲层，形成第二牺牲层，所述第二牺牲层的高度不小于所述鳍部的高度且小于栅极结构的高度；以及
形成位于所述栅极结构两侧且覆盖所述栅极侧墙的保护侧墙。
可选的，所述鳍部和栅极结构的形成工艺为：光刻、纳米压印(nano-imprint)、DSA、干法刻蚀或者湿法刻蚀。
可选的，所述形成的鳍部的特征尺寸为1-8nm。
可选的，所述栅极侧墙或者鳍部侧墙的材料为：SiO2、Si3N4或者SiON。
可选的，所述栅极侧墙和鳍部侧墙的材料相同。
可选的，所述栅极侧墙的形成方法包括：
沉积覆盖所述氧化层，栅极结构以及鳍部的侧墙层；
刻蚀栅极结构侧壁上的侧墙层，直到所述侧墙层沿垂直于栅极结构侧壁方向的厚度达到预定尺寸；以及
刻蚀所述覆盖栅极结构和氧化层的侧墙层，直到栅极结构顶部和氧化层上的侧墙被去除。
可选的，所述第一牺牲层的材料为：底部抗反射涂层(BARC，bottomanti-reflectivecoating)、先进图膜(APF，advancedpatterningfilm)、SiO2、Si3N4、SiON或者多晶硅。
优选的，所述第一牺牲层的材料为BARC或者APF。
可选的，所述保护侧墙的材料为：底部抗反射涂层(BARC，bottomanti-reflectivecoating)、先进图膜(APF，advancedpatterningfilm)、SiO2、Si3N4、SiON或者多晶硅。
优选的，所述保护侧墙的材料为BARC或者APF。
可选的，所述保护侧墙的材料与第一牺牲层、第二牺牲层的材料不同，与栅极侧墙、鳍部侧墙的材料不同。
可选的，所述鳍式场效应管的形成方法还包括：刻蚀去除保护侧墙。
可选的，去除所述部分第一牺牲层形成第二牺牲层采用的工艺为刻蚀工艺，刻蚀气体为Cl2和O2，刻蚀工艺参数包括：温度30-200℃，压力为1～30个毫大气压，Cl2的流量为10-300sccm，O2的流量为5-300sccm。
可选的，去除所述第二牺牲层和鳍部侧墙的工艺为刻蚀工艺，刻蚀气体为CH3F和O2，刻蚀工艺参数包括：温度30-65℃，压力为1～50个毫大气压，CH3F的流量为50-300sccm，O2的流量为5-300sccm。
可选的，鳍式场效应管的形成方法还包括：在形成鳍部以后，对所述鳍部进行氧化工艺和退火工艺。
可选的，所述氧化工艺的参数范围为：在温度为600℃-800℃的环境下，通入O2，氧化时间为2-4min。
可选的，所述退火工艺的参数范围为：在温度为600℃-800℃的环境下，通入N2，退火时间为2-4min。
与现有技术相比，本发明具有以下优点：
本发明实施例的鳍式场效应管的形成方法，在栅极结构两侧形成栅极侧墙，鳍部两侧形成有鳍部侧墙以后，形成保护侧墙，所述保护侧墙的底部表面距离基底表面的距离大于所述鳍部顶部表面距离基底表面的距离，且所述保护侧墙的特征尺寸大于所述栅极侧墙的特征尺寸。以所述保护侧墙为掩膜，去除所述鳍部侧墙。由于形成的牺牲层侧墙覆盖所述栅极侧墙，且所述牺牲层侧墙的特征尺寸大于所述栅极侧墙的特征尺寸，在以所述牺牲层侧墙为掩膜去除鳍部侧墙的时候，可以保证所述去除过程不会影响栅极侧墙的厚度以及表面均匀性，有利于后续源/漏区的形成以及其他工艺过程的进行，进而改善最终形成的鳍式场效应管的性能。同时，上述方法简单、易操作，工业应用性强。
附图说明
图1是现有技术的鳍式场效应管的立体结构示意图；
图2a-图2b是现有技术在形成鳍式场效应管时去除鳍部侧墙的立体结构示意图；
图3是本发明实施例的鳍式场效应管的形成方法的流程示意图；
图4-图9是本发明实施例的鳍式场效应管的形成过程的立体结构示意图；
图10是本发明实施例的鳍式场效应管在形成保护侧墙后的剖面结构示意图。
具体实施方式
正如背景技术所述，在FinFET器件的形成过程中，在形成栅极侧墙的时候容易在鳍部形成寄生侧墙，因此，在形成源/漏区之前需要去除鳍部两侧的寄生侧墙，同时保证栅极侧墙的完整性。
经过研究，本发明实施例的发明人发现现有技术提供的利用栅极侧墙与鳍部侧墙高度差，采用过刻蚀的方法去除鳍部寄生侧墙的方法，实施起来比较难控制，容易造成对栅极侧墙的损伤，影响栅极侧墙的厚度以及表面均匀性，不利于提高多栅器件的驱动电流，限制了多栅器件的性能。
经过进一步研究，本发明实施例的发明人提供了一种鳍式场效应管的形成方法。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
其次，本发明利用示意图进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是实例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
首先，请参考图3，图3为本发明实施例的鳍式场效应管的形成方法的流程示意图。在本实施例中，上述鳍式场效应管的形成方法包括：
步骤S201，提供基底，所述基底包括氧化层，在所述氧化层表面形成有凸出的鳍部和横跨在所述鳍部上的栅极结构；
步骤S203，在所述栅极结构两侧形成栅极侧墙，所述鳍部两侧形成有鳍部侧墙；
步骤S205，形成第一牺牲层，所述第一牺牲层覆盖所述栅极结构，鳍部以及没有被栅极结构和鳍部覆盖的氧化层；
步骤S207，刻蚀去除部分所述第一牺牲层，形成第二牺牲层，所述第二牺牲层的高度不小于所述鳍部的高度且小于栅极结构的高度；
步骤S209，形成位于栅极结构两侧且覆盖所述栅极侧墙的保护侧墙；
步骤S211，以所述保护侧墙为掩膜，刻蚀去除第二牺牲层和全部鳍部侧墙。
为了详细说明本实施例给出的鳍式场效应管的形成方法，下面结合图4-图9示出的鳍式场效应管的形成过程的中间结构立体结构示意图进行详细的说明。
参考图4，执行步骤S201，提供基底，所述基底包括氧化层300，在所述氧化层300表面形成有凸出的鳍部301和横跨在所述鳍部301上的栅极结构302。
作为本发明的一个实施例，为使得多栅器件的电路设计更加简单，更易实现集成化，所述基底为绝缘体上硅(SOI)。
其中，所述氧化层300的材料为氧化硅(oxide)。栅极结构302包括栅氧化层、栅电极以及沉积在栅电极之上的硬掩膜层(未示出)。所述鳍部301和栅极结构302的形成工艺可以为：光刻、纳米压印(nano-imprint)、DSA、干法刻蚀、湿法刻蚀、或者本领域技术人员熟知的其他技术。
本发明的实施例中，所述鳍部301的材料为硅，鳍部301的特征尺寸为1-8nm。需要说明的是，在本发明的实施例中，鳍部301的特征尺寸指的是剖面结构示意图中平行于基底表面方向的尺寸。
需要说明的是，在本发明的实施例中，为了保护鳍部301和对鳍部301的表面缺陷进行修复，还要对所述鳍部301进行氧化(oxidation)和退火(anneal)工艺。
氧化工艺后，所述鳍部301表面形成氧化薄膜，可以用于保护鳍部301。在本发明的实施例中，所述氧化工艺的参数范围为：在温度为500℃-1000℃的环境下，通入O2，氧化时间为2-4min。
退火工艺有助于鳍部301内部的硅原子分布更加均匀，形成的鳍部301的表面更加平整，后续形成的多栅器件的性能更好。本发明的实施例中，所述退火工艺的参数范围为：在温度为500℃-1000℃的环境下，通入N2，退火时间为2-4min。
参考图5，执行步骤S203，在所述栅极结构302两侧形成栅极侧墙303，同时，所述鳍部301两侧形成有鳍部侧墙304。
在本发明的实施例中，所述栅极侧墙303的形成方法为：沉积覆盖所述氧化层300、栅极结构302以及鳍部301的侧墙层(为示出)；刻蚀栅极结构侧壁上的侧墙层，直到所述侧墙层沿垂直于栅极结构侧壁方向的厚度达到预定尺寸；刻蚀所述覆盖栅极结构302和氧化层300的侧墙层，直到栅极结构302顶部和氧化层300上的侧墙层被去除。上述形成栅极侧墙的方法提高了栅极侧墙沿垂直于栅极结构侧壁方向的厚度的精确度。需要注意的是，在其他实施例中，所述栅极侧墙303也可以采用本领域技术人员所熟知的其他工艺形成，在此不再赘述。
由上述形成栅极侧墙303的工艺流程可知，在形成栅极侧墙303的过程中，很容易有部分侧墙层会残留在鳍部两侧，不能被去除干净，形成寄生的鳍部侧墙304。
所述栅极侧墙303和所述鳍部侧墙304的材料相同，为下述材料中的一种：SiO2、Si3N4或者SiON。
参考图6，执行步骤S205，形成第一牺牲层305，所述第一牺牲层305完全覆盖所述栅极结构302、鳍部301以及氧化层300。
在本发明的实施例中，所述第一牺牲层305的材料为：底部抗反射涂层(BARC，bottomanti-reflectivecoating)、先进图膜(APF，advancedpatterningfilm)、SiO2、Si3N4、SiON或者多晶硅。在优选的实施例中，所述第一牺牲层的材料为BARC或者APF。需要注意的是，第一牺牲层的材料和栅极侧墙和鳍部侧墙的材料不能为相同的材料。第一牺牲层的形成工艺与第一牺牲层的材料相关。在本发明优选的实施例中，所述第一牺牲层的材料为BARC或者APF，形成工艺为化学气相沉积(CVD)，具体工艺参数为：温度300～600℃，压力为1-30个大气压，功率100～1000W，C3H3的流量为100～1000sccm，以及He的流量为100～1000sccm。
参考图7，执行步骤S207，刻蚀去除部分第一牺牲层305，剩余部分形成第二牺牲层306。经过刻蚀后，栅极结构302以及栅极侧墙303部分被暴露出来，鳍部301以及鳍部侧墙304仍然被第二牺牲层306完全覆盖。换句话说，所述第二牺牲层306的高度小于所述栅极结构302的高度，但是不小于所述鳍部301的高度。在本发明的实施例中，所述第二牺牲层306的高度为只需略高于鳍部301的高度，远小于栅极结构302的高度。第二牺牲层306的高度略高于所述鳍部301的高度，是为了避免在栅极结构形成保护侧墙的同时在鳍部301也形成保护侧墙，从而阻碍后续鳍部侧墙的去除。所述去除所述部分第一牺牲层305的方法视第一牺牲层305的材料而定，在本实施例中，所述第一牺牲层的材料为BARC或者APF，去除第一牺牲层305的方法为刻蚀工艺，刻蚀气体为Cl2和O2，刻蚀工艺参数包括：温度30-200℃，压力为1～30个毫大气压，Cl2的流量为10-300sccm，O2的流量为5-300sccm。
需要说明的是，在本发明的实施例中，第二牺牲层306的高度、鳍部301的高度以及栅极结构302的高度指的是剖面结构示意图中其顶部垂直于氧化层300表面方向的尺寸。
参考图8，执行步骤S209，在栅极结构302的两侧第二牺牲层的表面形成保护侧墙307。
在本发明的实施例中，所述保护侧墙307的形成工艺包括：沉积一侧墙层(未图示)覆盖所述第二牺牲层以及暴露出来的部分栅极结构以及栅极侧墙；刻蚀栅极结构侧壁上的侧墙层，直到所述侧墙层沿垂直于栅极结构侧壁方向的厚度达到预定尺寸；刻蚀所述覆盖栅极结构302和栅极侧墙303的侧墙层，直到栅极结构302顶部和栅极侧墙303顶部的侧墙层被去除。上述形成保护侧墙307的方法提高了保护侧墙307沿垂直于栅极结构侧壁方向的厚度的精确度。需要注意的是，在其他实施例中，所述保护侧墙307也可以采用本领域技术人员所熟知的其他工艺形成，在此不再赘述。
保护侧墙307的材料为：底部抗反射涂层(BARC，bottomanti-reflectivecoating)、先进图膜(APF，advancedpatterningfilm)、SiO2、Si3N4、SiON或者多晶硅。在本发明优选的实施例中，保护侧墙307的材料为SiO2、Si3N4或者SiON。需要注意的是，保护侧墙307的材料与第二牺牲层306的材料不同，与栅极侧墙303以及鳍部侧墙304的材料也不相同。
参考图10，图10是图9形成保护侧墙307后沿(x-y)平面的截面示意图，其中，CD1为保护侧墙307的特征尺寸，CD2为审计侧墙303的特征尺寸，需要注意的是，执行步骤S209后形成的保护侧墙307的特征尺寸CD1大于栅极侧墙303的特征尺寸CD2，这样在后续去除鳍部侧墙304的工艺中，才能够充分保护栅极侧墙，不会损伤栅极侧墙表面。在本发明的实施例中，保护侧墙307的特征尺寸CD1与栅极侧墙303的特征尺寸CD2的比值为1.1～5。需要说明的是，在本发明的实施例中，保护侧墙307以及栅极侧墙303的特征尺寸指的是剖面结构示意图中平行于基底表面方向的尺寸。
参考图9，执行步骤S211，以所述保护侧墙307为掩膜，刻蚀去除部分或者全部第二牺牲层306以及全部鳍部侧墙304。在本发明的实施例中，去除所述第二牺牲层和鳍部侧墙采用干法刻蚀，刻蚀气体为CH3F和O2，刻蚀工艺参数包括：温度30-65℃，压力为1～50个毫大气压，CH3F的流量为50-300sccm，O2的流量为5-300sccm。在上述实施例中，去除所述第二牺牲层和鳍部侧墙是在同一工艺步骤中完成，简化了工艺步骤，节省了成本。
可选的，如果在步骤S211中仅有部分第二牺牲层被去除，还可以继续去除剩余第二牺牲层以及保护侧墙307；如果保护侧墙307未被完全消耗，还可以继续去除剩余保护侧墙307。在本发明的实施例中，去除所述剩余牺牲层以及保护侧墙的工艺为干法刻蚀，湿法刻蚀或者灰化。由于保护侧墙307和栅极侧墙303的材料不同，且具有较大的刻蚀选择比，所以在采用刻蚀工艺去除保护侧墙的时候，不会对栅极侧墙303造成影响。在本发明示例性的实施例中，采用干法刻蚀，刻蚀气体为CH2F2和N2，刻蚀工艺参数为：温度30-65℃，压力为1～50个毫大气压，CH2F2的流量为50-300sccm，N2的流量为5-300sccm。
综上，本发明实施例的鳍式场效应管的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括氧化层，在所述氧化层表面形成有凸出的鳍部和横跨在所述鳍部上的栅极结构；在所述栅极结构两侧形成栅极侧墙，所述鳍部两侧形成有鳍部侧墙；形成保护侧墙，所述保护侧墙的底部表面距离基底表面的距离大于所述鳍部顶部表面距离基底表面的距离；以所述保护侧墙为掩膜，去除所述鳍部侧墙。由于形成的牺牲层侧墙覆盖所述栅极侧墙，且所述牺牲层侧墙的特征尺寸大于所述栅极侧墙的特征尺寸，在以所述牺牲层侧墙为掩膜去除鳍部侧墙的时候，可以保证所述去除过程不会影响栅极侧墙的厚度以及表面均匀性，有利于后续源/漏区的形成以及其他工艺过程的进行，进而改善最终形成的鳍式场效应管的性能。同时，上述方法简单、易操作，工业应用性强。
本发明虽然已以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。
Claims (16)
1.一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底包括氧化层，在所述氧化层表面形成有凸出的鳍部和横跨在所述鳍部上的栅极结构；
在所述栅极结构两侧形成栅极侧墙，所述鳍部两侧形成有鳍部侧墙；
形成保护侧墙，所述保护侧墙的底部表面距离基底表面的距离大于所述鳍部顶部表面距离基底表面的距离；
以所述保护侧墙为掩膜，去除所述鳍部侧墙，
其中，所述形成保护侧墙的方法包括：
形成第一牺牲层，所述第一牺牲层完全覆盖所述栅极结构，鳍部以及未被栅极结构和鳍部覆盖的氧化层表面；
去除部分所述第一牺牲层，形成第二牺牲层，所述第二牺牲层的高度不小于所述鳍部的高度且小于栅极结构的高度；
形成位于所述栅极结构两侧且覆盖所述栅极侧墙的保护侧墙，
所述栅极侧墙和所述鳍部侧墙的材料相同，
所述保护侧墙的材料与所述第一牺牲层、所述第二牺牲层的材料不同，与栅极侧墙、鳍部侧墙的材料不同。
2.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述保护侧墙的特征尺寸与栅极侧墙的特征尺寸的比值为1.1～5。
3.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述鳍部和栅极结构的形成工艺为：光刻、纳米压印(nano-imprint)、DSA、干法刻蚀或者湿法刻蚀。
4.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述形成的鳍部的特征尺寸为1-8nm。
5.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述栅极侧墙或者鳍部侧墙的材料为：SiO2、Si3N4或者SiON。
6.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述栅极侧墙的形成方法包括：
沉积覆盖所述氧化层，栅极结构以及鳍部的侧墙层；
刻蚀栅极结构侧壁上的侧墙层，直到所述侧墙层沿垂直于栅极结构侧壁方向的厚度达到预定尺寸；
刻蚀所述覆盖栅极结构和氧化层的侧墙层，直到栅极结构顶部和氧化层上的侧墙被去除。
7.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述第一牺牲层的材料为：底部抗反射涂层(BARC，bottomanti-reflectivecoating)、先进图膜(APF，advancedpatterningfilm)、SiO2、Si3N4、SiON或者多晶硅。
8.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述第一牺牲层的材料为BARC或者APF。
9.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述保护侧墙的材料为：底部抗反射涂层(BARC，bottomanti-reflectivecoating)、先进图膜(APF，advancedpatterningfilm)、SiO2、Si3N4、SiON或者多晶硅。
10.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述保护侧墙的材料为BARC或者APF。
11.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，还包括：刻蚀去除保护侧墙。
12.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，去除所述部分第一牺牲层形成第二牺牲层采用的工艺为刻蚀工艺，刻蚀气体为Cl2和O2，刻蚀工艺参数包括：温度30-200℃，压力为1～30个毫大气压，Cl2的流量为10-300sccm，O2的流量为5-300sccm。
13.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，去除所述第二牺牲层和鳍部侧墙的工艺为刻蚀工艺，刻蚀气体为CH3F和O2，刻蚀工艺参数包括：温度30-65℃，压力为1～50个毫大气压，CH3F的流量为50-300sccm，O2的流量为5-300sccm。
14.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，还包括：在形成鳍部以后，对所述鳍部进行氧化工艺和退火工艺。
15.如权利要求14所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述氧化工艺的参数范围为：在温度为600℃-800℃的环境下，通入O2，氧化时间为2-4min。
16.如权利要求15所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述退火工艺的参数范围为：在温度为600℃-800℃的环境下，通入N2，退火时间为2-4min。
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| CN103943484B (zh) * | 2014-04-28 | 2016-08-17 | 上海华力微电子有限公司 | 自对准的栅极分离方法 |
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| CN108281427A (zh) * | 2017-01-06 | 2018-07-13 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 闪存器件及其制造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102148199A (zh) * | 2010-02-08 | 2011-08-10 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 静态随机存取存储器的制造方法与半导体装置的制造方法 |
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-
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Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102148199A (zh) * | 2010-02-08 | 2011-08-10 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 静态随机存取存储器的制造方法与半导体装置的制造方法 |
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