JPH05136069A - 半導体基板支持具 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体集積回路製造装置の熱処理炉におい
て、ウェハースの面内均一性を向上する。 【構成】 ボート１．５にウェハース１．６を傾斜させ
て支持することにより、プロセスチューブ１．１内に導
入されたプロセスガス１．３はヒータ１．２により温め
られたプロセスガスのウェハース間への回り込みがよく
なり、熱酸化膜及び成長膜の面内均一性を良くすること
が可能であるとともに、バッチ内が従来と同雰囲気であ
っても酸化及び成長レートを上げることが可能である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造装置に
関し、特に半導体基板（以下、ウェハースという）の熱
処理及び薄膜成長を行う縦型電気炉において使用するボ
ートに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、図３に示す縦型炉は、図４に示す
横型炉での入出炉の際に巻き込みにより形成される自然
酸化膜を抑えるため、又ゴミの低減等という目的で開発
された。

【０００３】図４に示す横型炉は、ヒータ４．２を備え
たプロセスチューブ４．１を有し、プロセスチューブ
４．１内にボート４．５上のウェハース４．６を配置
し、ガス導入口４．４よりプロセスガス４．３を導入す
る構造のものであった。

【０００４】従来の縦型炉は図３に示すように、ガス導
入口３．４よりプロセスガス３．３をプロセスチューブ
３．１内へ取り入れウェハース３．６と化学反応させる
ことにより酸化膜の形成及び薄膜成長を行っており、ウ
ェハース３．６は単に図３に示すようにボート３．５に
水平姿勢で並べて置くだけであった。３．２はヒータで
ある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上述したように従来の
縦型炉は図３のようにガス導入口３．４よりプロセスチ
ューブ３．１内へプロセスガス３．３を取り入れウェハ
ースと化学反応させて酸化膜を形成しているが、ボート
３．５はウェハース３．６を水平姿勢に支持しているた
め、ガス導入口３．４より取り入れられたプロセスガス
３．３は、排気口である炉口に向かって流れるのみでウ
ェハース間への回り込みが悪い。

【０００６】一方、横型炉は図４に示すようにガス導入
口４．４よりプロセスチューブ４．１内へ取り入れたプ
ロセスガス４．３はヒーター４．２により暖められ上昇
するため、ウェハース間への回り込みが良い。よって、
従来の縦型電気炉は、横型電気炉に比べ膜厚の面内均一
性が劣るという問題があった。

【０００７】本発明の目的は、膜厚の面内均一性を向上
する半導体基板支持具を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体基板支持具においては、複数の
半導体基板を一括して縦置きのプロセスチューブ内で熱
処理又は薄膜成長を行う縦型処理炉に使用する半導体基
板支持具であって、半導体基板を支持するボートを有
し、該ボートは、半導体基板を傾斜姿勢で支持するもの
である。

【０００９】

【作用】ウェハース間へのプロセスガスの回り込みをよ
くするためにボートにウェハースを傾斜させて支持す
る。

【００１０】

【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。

【００１１】（実施例１）図１は、本発明の実施例１を
示す縦断面図である。

【００１２】図１において、縦置きのプロセスチューブ
１．１内に差込むボート１．５には、ウェハース１．６
を傾斜姿勢で支持する溝が設けられている。

【００１３】ガス導入口１．４よりプロセスガス１．３
をプロセスチューブ１．１内に流すと、プロセスガス
１．３はヒーター１．２により温められ上昇する。その
際、ウェハース１．６が水平に対して傾斜しているた
め、ウェハー１．６間へプロセスガス１．３が回り込み
やすくなり、図３のような従来の縦型炉に比べてウェハ
ース１．６の膜厚の面内均一性を上げることが可能であ
る。

【００１４】上記作用によりウェハースの面内均一性を
上げるとともに、ウェハースの熱酸化膜及びＬＰＣＶＤ
成長膜の形成ともに、従来とバッチ内が同雰囲気であっ
ても、酸化及び成長レートは早くなり、スループットを
上げることが可能である。

【００１５】一例として、図１に示すようにガス導入口
１．４をプロセスチューブ１．１の下側に設け、ウェハ
ース１．６を水平方向に対して２０〜４０度傾けて、Ｄ
ｒｙＯ₂ で膜化した場合、従来方式に比べて２０〜６０
％酸化及び成長膜厚の面内均一性を上げることが可能で
あり、処理時間も５〜１０％程度短縮することが可能で
ある。

【００１６】（実施例２）図２は、本発明の実施例２を
示す縦断面図である。

【００１７】本実施例では、図１の実施例に対して、ガ
ス導入口の位置を換えて処理を行っている。一例として
図２にガス導入口２．４をプロセスチューブ２．１上側
にし、処理を行っている。２．２はヒータである。

【００１８】この場合も、実施例１と同様にガス導入口
２．４よりプロセスチューブ２．１内に流されたプロセ
スガス２．３は、ボート２．５上のウェハース２．６間
への回り込みがよく、従来の縦型炉に比べ２０〜６０％
酸化及び成長膜厚の面内均一性を良くすることが可能で
あり、処理時間も５〜１０％程度短縮することが可能で
ある。

【００１９】

【発明の効果】以上説明したように本発明は、縦型電気
炉においてボートにウェハースを傾斜させて支持するこ
とにより、熱酸化膜及びＬＰＣＶＤ薄膜の形成の際、膜
厚の面内均一性を向上できる。また、バッチ内雰囲気が
従来と同じであっても酸化及び成長レートを上げること
ができるという効果を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１に係る縦型電気炉を示す縦断
面図である。

【図２】本発明の実施例２に係る縦型電気炉を示す縦断
面図である。

【図３】従来の縦型電気炉を示す断面図である。

【図４】横型電気炉を示す断面図である。

【符号の説明】

１．１，２．１，３．１，４．１ プロセスチューブ １．２，２．２，３．２，４．２ ヒータ １．３，２．３，３．３，４．３ プロセスガス １．４，２．４，３．４，４．４ ガス導入口 １．５，２．５，３．５，４．５ ボート １．６，２．６，３．６，４．６ ウェハース

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数の半導体基板を一括して縦置きのプ
   ロセスチューブ内で熱処理又は薄膜成長を行う縦型処理
   炉に使用する半導体基板支持具であって、 半導体基板を支持するボートを有し、 該ボートは、半導体基板を傾斜姿勢で支持するものであ
   ることを特徴とする半導体基板支持具。