JPS58155721A - 半導体への不純物拡散方法 - Google Patents
半導体への不純物拡散方法Info
- Publication number
- JPS58155721A JPS58155721A JP3072483A JP3072483A JPS58155721A JP S58155721 A JPS58155721 A JP S58155721A JP 3072483 A JP3072483 A JP 3072483A JP 3072483 A JP3072483 A JP 3072483A JP S58155721 A JPS58155721 A JP S58155721A
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- JP
- Japan
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- wafers
- semiconductor
- impurity
- variations
- diffusion
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体への不純物拡散方法、たとえばシリコン
に対するボロンの拡散法に関する。
に対するボロンの拡散法に関する。
一般にシリコンに対し、ボロンを拡散する場合Ｎ、等の
不活性ガス中Ｋ Ｂ ｔ Ｏｓを含ませた雰囲気中で不
純物を半導体表面部にデポジションして半導体表面に高
濃度の薄い拡散層をつくり、この後不純物を含まない雰
囲気中で半導体内部へ不純物を再拡散する方法がとられ
る。しかしながらこのような従来の方法においては不純
物デポジション量、言い換えれば表面比抵抗にばらつき
を生ずる。
不活性ガス中Ｋ Ｂ ｔ Ｏｓを含ませた雰囲気中で不
純物を半導体表面部にデポジションして半導体表面に高
濃度の薄い拡散層をつくり、この後不純物を含まない雰
囲気中で半導体内部へ不純物を再拡散する方法がとられ
る。しかしながらこのような従来の方法においては不純
物デポジション量、言い換えれば表面比抵抗にばらつき
を生ずる。
したがって本発明の目的はデボジシ日ンされる不純物の
量のばらつきを少なくする方法を提供するものである。
量のばらつきを少なくする方法を提供するものである。
かかる目的を達成するだめの本発明者等の研究によれば
、まず上記ばらつきの原因は。
、まず上記ばらつきの原因は。
■ 炉内に流入する不活性ガスは炉内均熱部に到達して
もその温度が均熱部の温度に達していないので炉均熱部
で加熱されたシリコンウェーノーの温度を降下させるよ
うに働き、ガスの流形に応じてシリコンウェーノ・の温
度分布を不均一にし、 ■ Ｂ、０３等のボロン不純物ガスが上記ガス流のため
に不均一に拡散されるためであるということが明らかと
なった。
もその温度が均熱部の温度に達していないので炉均熱部
で加熱されたシリコンウェーノーの温度を降下させるよ
うに働き、ガスの流形に応じてシリコンウェーノ・の温
度分布を不均一にし、 ■ Ｂ、０３等のボロン不純物ガスが上記ガス流のため
に不均一に拡散されるためであるということが明らかと
なった。
そこで前記目的を達成するため本発明においては減圧又
は真空容器内に半導体ウェー・・と不純物源とを相対向
し壬配しそれを加熱することにより。
は真空容器内に半導体ウェー・・と不純物源とを相対向
し壬配しそれを加熱することにより。
従来のような不均一なＮ、ガスの流れによる流形の影響
を受けず、かつ減圧又は真空中ではＢ、 ｏ。
を受けず、かつ減圧又は真空中ではＢ、 ｏ。
ガスの拡散長が長くなるのを利用しそのガスが均一に牛
導体つエーノ・に到達するようにしたものである。
導体つエーノ・に到達するようにしたものである。
以下本発明をその一実施例について詳細に説明する。
図面に示すように酸化ボロンを含む板状不純物源１例え
ばボロンナイトライドセラミックを若干酸化させたもの
とシリコンウェーハ２とを面対向させて治具３に立て、
その治具を容器４内に入れ。
ばボロンナイトライドセラミックを若干酸化させたもの
とシリコンウェーハ２とを面対向させて治具３に立て、
その治具を容器４内に入れ。
減圧（約１００ ｔｏｒｒ ）または真空にして密封す
る。
る。
その密封された真空容器４を一定温度に加熱された加熱
炉５の石英管６の均熱部に収納し、一定時間加熱する。
炉５の石英管６の均熱部に収納し、一定時間加熱する。
このとき上記ウェーハ２と不純物源１との間は真空であ
るため、蒸発した酸化不純物はその拡散長が長いから容
易にウェーハに到達し得る。したがって上記両者間は完
全な面対向でなくとも大きなばらつきは生じない。
るため、蒸発した酸化不純物はその拡散長が長いから容
易にウェーハに到達し得る。したがって上記両者間は完
全な面対向でなくとも大きなばらつきは生じない。
すなわち、上記実施例において半導体表面の不純物濃度
のばらつきは±２％以子であるが、上記減圧又は真空容
器を用いず、Ｎ８ガスを流してデポジションした場合の
半導体表面の不純物濃度のばらつきは±７％であった。
のばらつきは±２％以子であるが、上記減圧又は真空容
器を用いず、Ｎ８ガスを流してデポジションした場合の
半導体表面の不純物濃度のばらつきは±７％であった。
以上の説明から明らかなように本発明は真空容器内に不
純物源と半導体ウェーハとをその主面がほぼ面対向する
ように配した状態で加熱するものであるから、他の不純
物の拡散層の半導体へのデボシフＢン拡散にも利用でき
る。また上述のようにしてデポジション拡散を行なった
ウェーハを真空容器より取り出し、デポジションされた
ガラス層をエッチし、しかる後一般の開管加熱すなわち
減圧させない雰囲気中での加熱で表面酸化および引きの
ばし拡散を行なえばばらつきの少ない半導体装置を得る
ことができる。
純物源と半導体ウェーハとをその主面がほぼ面対向する
ように配した状態で加熱するものであるから、他の不純
物の拡散層の半導体へのデボシフＢン拡散にも利用でき
る。また上述のようにしてデポジション拡散を行なった
ウェーハを真空容器より取り出し、デポジションされた
ガラス層をエッチし、しかる後一般の開管加熱すなわち
減圧させない雰囲気中での加熱で表面酸化および引きの
ばし拡散を行なえばばらつきの少ない半導体装置を得る
ことができる。
すなわち、デポジション時点では極めて浅く、かつ均一
な状態で不純物が半導体内に入り込んでいる。このため
、ガラス層を除去しても、その半導体内に入り込んだ均
一な状態の不純物が基礎となって引き伸し拡散される。
な状態で不純物が半導体内に入り込んでいる。このため
、ガラス層を除去しても、その半導体内に入り込んだ均
一な状態の不純物が基礎となって引き伸し拡散される。
このように本発明によれば、引き伸し拡散にあ２ては板
状不純物源すなわちボロンナイトライドセラミックが存
在しない状態で、かつ減圧でない状態の加熱によっても
均一な拡散が成され、しかもデポジション時に被着した
ガラス層を除去しているために、引き伸し拡散時にはガ
ラス層自体からの不純物の追加拡散がされることがない
。それユニ、ウェーハ間においてばらつきのない拡散層
が得られる。
状不純物源すなわちボロンナイトライドセラミックが存
在しない状態で、かつ減圧でない状態の加熱によっても
均一な拡散が成され、しかもデポジション時に被着した
ガラス層を除去しているために、引き伸し拡散時にはガ
ラス層自体からの不純物の追加拡散がされることがない
。それユニ、ウェーハ間においてばらつきのない拡散層
が得られる。
図は本発明の方法を実施するのに有効なデポジション炉
の一例を示す断面図である。 １・・・不純物源、２・・・シリコンウェーハ１．３・
・・治具、４・・・真空容器、５・・・加熱炉、６・・
・石英管。
の一例を示す断面図である。 １・・・不純物源、２・・・シリコンウェーハ１．３・
・・治具、４・・・真空容器、５・・・加熱炉、６・・
・石英管。
Claims (1)
- 減圧または真空状態で半導体の表面部に不純物をデボジ
シ日ンし、しかる後その半導体を上記状態から解放した
状態で加熱処理し、上記不純物を上記半導体の所定深さ
まで引き伸し拡散することを特徴とする半導体への不純
物拡散方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3072483A JPS58155721A (ja) | 1983-02-28 | 1983-02-28 | 半導体への不純物拡散方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3072483A JPS58155721A (ja) | 1983-02-28 | 1983-02-28 | 半導体への不純物拡散方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP48014696A Division JPS49108969A (ja) | 1973-02-07 | 1973-02-07 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58155721A true JPS58155721A (ja) | 1983-09-16 |
Family
ID=12311593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3072483A Pending JPS58155721A (ja) | 1983-02-28 | 1983-02-28 | 半導体への不純物拡散方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58155721A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008311102A (ja) * | 2007-06-15 | 2008-12-25 | Kenwood Corp | 携帯電子機器のスイッチ作動用ゴムキーの防水構造 |
-
1983
- 1983-02-28 JP JP3072483A patent/JPS58155721A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008311102A (ja) * | 2007-06-15 | 2008-12-25 | Kenwood Corp | 携帯電子機器のスイッチ作動用ゴムキーの防水構造 |
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