JPH05275436A - シリコンウエーハの熱処理方法 - Google Patents
シリコンウエーハの熱処理方法Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｆｅを効果的にゲッタリングしてシリコンウ
エーハ中のＦｅ濃度を任意に低減させることができるシ
リコンウエーハの熱処理方法を提供すること。 【構成】 裏面にポリシリコン膜を形成して成るシリコ
ンウエーハを約４００℃〜約８００℃の範囲内の温度ま
で約３℃／ｍｉｎ以下の冷却速度で徐冷する（第１発
明）。又、同様のシリコンウエーハを範囲約４００℃〜
８００℃内の温度で所定時間保持する（第２発明）。
エーハ中のＦｅ濃度を任意に低減させることができるシ
リコンウエーハの熱処理方法を提供すること。 【構成】 裏面にポリシリコン膜を形成して成るシリコ
ンウエーハを約４００℃〜約８００℃の範囲内の温度ま
で約３℃／ｍｉｎ以下の冷却速度で徐冷する（第１発
明）。又、同様のシリコンウエーハを範囲約４００℃〜
８００℃内の温度で所定時間保持する（第２発明）。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、裏面にポリシリコン膜
を形成して成る単結晶シリコンウエーハ単にシリコンウ
エーハと称す）の熱処理方法に関する。
を形成して成る単結晶シリコンウエーハ単にシリコンウ
エーハと称す）の熱処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコンウエーハ中に含まれる重金属等
の不純物は素子特性に悪影響を及ぼすため、この種の不
純物を除去する必要がある。不純物の除去方法として
は、シリコンウエーハの裏面にＣＶＤ法によってポリシ
リコン膜を形成し、このポリシリコン膜が形成されたシ
リコンウエーハ（以下、ＰＢＳウエーハと称す）を熱処
理することによってＣｕ，Ｎｉ等の重金属をポリシリコ
ン膜に吸収させてこれをゲッタリングする方法が良く知
られている。
の不純物は素子特性に悪影響を及ぼすため、この種の不
純物を除去する必要がある。不純物の除去方法として
は、シリコンウエーハの裏面にＣＶＤ法によってポリシ
リコン膜を形成し、このポリシリコン膜が形成されたシ
リコンウエーハ（以下、ＰＢＳウエーハと称す）を熱処
理することによってＣｕ，Ｎｉ等の重金属をポリシリコ
ン膜に吸収させてこれをゲッタリングする方法が良く知
られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記方法に
よれば、シリコンウエーハ中のＣｕ，Ｎｉ等の重金属を
容易にゲッタリングすることができ、特に熱処理後の冷
却速度がゲッタリング効果に重要な影響を及ぼすことも
確認されているが、斯かる方法によっても拡散係数の小
さいＦｅを効果的にゲッタリングすることは不可能であ
った。尚、ＰＢＳウエーハのポリシリコン膜の粒径、厚
さ、熱処理条件等を変更することによってＦｅのゲッタ
リングが可能となることが期待されるが、これについて
の詳細は未解明であるのが実情であった。
よれば、シリコンウエーハ中のＣｕ，Ｎｉ等の重金属を
容易にゲッタリングすることができ、特に熱処理後の冷
却速度がゲッタリング効果に重要な影響を及ぼすことも
確認されているが、斯かる方法によっても拡散係数の小
さいＦｅを効果的にゲッタリングすることは不可能であ
った。尚、ＰＢＳウエーハのポリシリコン膜の粒径、厚
さ、熱処理条件等を変更することによってＦｅのゲッタ
リングが可能となることが期待されるが、これについて
の詳細は未解明であるのが実情であった。
【０００４】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的とする処は、Ｆｅをも効果的にゲッタリン
グしてシリコンウエーハ中のＦｅ濃度を任意に低減させ
ることができるシリコンウエーハの熱処理方法を提供す
ることにある。
で、その目的とする処は、Ｆｅをも効果的にゲッタリン
グしてシリコンウエーハ中のＦｅ濃度を任意に低減させ
ることができるシリコンウエーハの熱処理方法を提供す
ることにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく第
１発明は、裏面にポリシリコン膜を形成して成るシリコ
ンウエーハを約４００℃〜約８００℃の範囲内の温度ま
で約３℃／ｍｉｎ以下の冷却速度で徐冷することをその
特徴とする。
１発明は、裏面にポリシリコン膜を形成して成るシリコ
ンウエーハを約４００℃〜約８００℃の範囲内の温度ま
で約３℃／ｍｉｎ以下の冷却速度で徐冷することをその
特徴とする。
【０００６】又、第２発明は、裏面にポリシリコン膜を
形成して成るシリコンウエーハを範囲約４００℃〜約８
００℃内の温度で所定時間保持することを特徴とする。
形成して成るシリコンウエーハを範囲約４００℃〜約８
００℃内の温度で所定時間保持することを特徴とする。
【０００７】
【作用】本発明者等は、ポリシリコン膜によるゲッタリ
ングのメカニズムを解明する過程でゲッタリングが開始
される温度、つまりポリシリコン膜中のＦｅが析出する
温度（臨界温度）を推定した。この推定に必要なパラメ
ータは、Ｓｉ中のＦｅの拡散係数の温度依存性、シリコ
ンウエーハの冷却速度、及びゲッタリングされたＦｅの
量であって、これらのパラメータを用いて計算した結
果、Ｆｅの析出温度（臨界温度）の推定値として７１０
℃を得た。このことは、７１０℃より低温になって初め
てＦｅのゲッタリングが行なわれることを意味する。
ングのメカニズムを解明する過程でゲッタリングが開始
される温度、つまりポリシリコン膜中のＦｅが析出する
温度（臨界温度）を推定した。この推定に必要なパラメ
ータは、Ｓｉ中のＦｅの拡散係数の温度依存性、シリコ
ンウエーハの冷却速度、及びゲッタリングされたＦｅの
量であって、これらのパラメータを用いて計算した結
果、Ｆｅの析出温度（臨界温度）の推定値として７１０
℃を得た。このことは、７１０℃より低温になって初め
てＦｅのゲッタリングが行なわれることを意味する。
【０００８】他方、Ｆｅの析出温度の推定値（７１０
℃）の妥当性を実験によって検証した結果、Ｆｅの析出
温度条件としては７１０℃±２０以下が妥当であること
が結論付けられた。尚、現実には８００℃以上の温度で
ＰＢＳウエーハを炉から取り出した場合でも若干のゲッ
タリング効果が確認された。
℃）の妥当性を実験によって検証した結果、Ｆｅの析出
温度条件としては７１０℃±２０以下が妥当であること
が結論付けられた。尚、現実には８００℃以上の温度で
ＰＢＳウエーハを炉から取り出した場合でも若干のゲッ
タリング効果が確認された。
【０００９】従って、第１発明のようにＰＢＳウエーハ
を約４００℃〜約８００℃の範囲内（望ましくは、７１
０℃近傍以下）の温度まで約３℃／ｍｉｎ以下の冷却速
度で徐冷し、或いは第２発明のようにＰＢＳウエーハを
範囲約４００℃〜約８００℃内（望ましくは、７１０℃
近傍以下）の温度で所定時間保持した後にこれを炉中か
ら取り出すようにすれば、Ｆｅを効果的にゲッタリング
することが可能となり、徐冷後のウエーハ取り出し温度
又は保持温度を変えることによってシリコンウエーハ中
のＦｅ濃度を任意の値まで下げることができる。
を約４００℃〜約８００℃の範囲内（望ましくは、７１
０℃近傍以下）の温度まで約３℃／ｍｉｎ以下の冷却速
度で徐冷し、或いは第２発明のようにＰＢＳウエーハを
範囲約４００℃〜約８００℃内（望ましくは、７１０℃
近傍以下）の温度で所定時間保持した後にこれを炉中か
ら取り出すようにすれば、Ｆｅを効果的にゲッタリング
することが可能となり、徐冷後のウエーハ取り出し温度
又は保持温度を変えることによってシリコンウエーハ中
のＦｅ濃度を任意の値まで下げることができる。
【００１０】
【実施例】以下に第１発明の実施例を添付図面に基づい
て説明する。
て説明する。
【００１１】図１は第１発明に係る熱処理方法における
時間と温度との関係を示す図、図２は本実施例にて使用
された横型炉の電源を所定の温度状態（９００℃）で切
った時の炉内の冷却速度を示す冷却特性図、図３は取り
出し温度とゲッタリング効率との関係を示す図である。
時間と温度との関係を示す図、図２は本実施例にて使用
された横型炉の電源を所定の温度状態（９００℃）で切
った時の炉内の冷却速度を示す冷却特性図、図３は取り
出し温度とゲッタリング効率との関係を示す図である。
【００１２】ＰＢＳウエーハは、通常ＣＶＤ法によって
シリコンウエーハの裏面にポリシリコン膜を形成するこ
とによって得られる。ＣＶＤ法においては、例えばＳｉ
Ｈ4とＨｅとの混合ガスを、約６００℃に加熱されたシ
リコンウエーハ上を数分〜数１０分間通過させることに
よって、シリコンウエーハの裏面にポリシリコン膜が形
成される。
シリコンウエーハの裏面にポリシリコン膜を形成するこ
とによって得られる。ＣＶＤ法においては、例えばＳｉ
Ｈ4とＨｅとの混合ガスを、約６００℃に加熱されたシ
リコンウエーハ上を数分〜数１０分間通過させることに
よって、シリコンウエーハの裏面にポリシリコン膜が形
成される。
【００１３】而して、ＰＢＳウエーハに高温の熱処理を
施すことによって、これに含まれるＣｕやＮｉ等の重金
属不純物がポリシリコン膜に封じ込められてゲッタリン
グされる。例えば、複数枚のＰＢＳウエーハを積載した
ボートを９００℃に加熱された横型炉に入れ、ＰＢＳウ
エーハを３０分間Ｎ2ガス雰囲気中で加熱する（図１参
照）。すると、シリコンウエーハ中のＦｅを除くＣｕや
Ｎｉ等の重金属不純物が前述のようにポリシリコン膜に
封じ込められてゲッタリングされる。
施すことによって、これに含まれるＣｕやＮｉ等の重金
属不純物がポリシリコン膜に封じ込められてゲッタリン
グされる。例えば、複数枚のＰＢＳウエーハを積載した
ボートを９００℃に加熱された横型炉に入れ、ＰＢＳウ
エーハを３０分間Ｎ2ガス雰囲気中で加熱する（図１参
照）。すると、シリコンウエーハ中のＦｅを除くＣｕや
Ｎｉ等の重金属不純物が前述のようにポリシリコン膜に
封じ込められてゲッタリングされる。
【００１４】ところで、本発明者等は、拡散係数の小さ
いＦｅのポリシリコン膜によるゲッタリングは比較的低
温で行なわれているものとの考えから、Ｆｅのゲッタリ
ングが開始される温度、つまりポリシリコン膜中のＦｅ
が析出する温度（臨界温度）を推定した。この推定に必
要なパラメータとしては、Ｓｉ中のＦｅの拡散係数の温
度依存性、ＰＢＳウエーハの冷却速度及びゲッタリング
されたＦｅの量が挙げられ、これらのパラメータに基づ
いて計算した結果、Ｆｅのゲッタリングが開始される温
度（臨界温度）の推定値として７１０℃を得た。
いＦｅのポリシリコン膜によるゲッタリングは比較的低
温で行なわれているものとの考えから、Ｆｅのゲッタリ
ングが開始される温度、つまりポリシリコン膜中のＦｅ
が析出する温度（臨界温度）を推定した。この推定に必
要なパラメータとしては、Ｓｉ中のＦｅの拡散係数の温
度依存性、ＰＢＳウエーハの冷却速度及びゲッタリング
されたＦｅの量が挙げられ、これらのパラメータに基づ
いて計算した結果、Ｆｅのゲッタリングが開始される温
度（臨界温度）の推定値として７１０℃を得た。
【００１５】そこで、本発明者等は上述のＦｅのゲッタ
リング開始温度の推定値（７１０℃）の妥当性を実験に
よって検証した。
リング開始温度の推定値（７１０℃）の妥当性を実験に
よって検証した。
【００１６】実験では、シリコンウエーハの鏡面側表面
をスピンナー法によりＦｅ汚染させたＰＢＳウエーハを
横型炉内に入れ、これをＮ2ガス雰囲気で１０００℃に
加熱して５時間保持することによってウエーハ中にＦｅ
を拡散させ、その後９００℃のＮ2ガス雰囲気中で１時
間だけ熱処理し、図２に示す冷却曲線に沿って約３℃／
ｍｉｎ以下の冷却速度でＰＢＳウエーハを徐冷し、９０
０℃、８００℃、７００℃、６００℃、２００℃の各温
度でＰＢＳウエーハを炉から取り出した。そして、各温
度で引き出されたＰＢＳウエーハの少数キャリアの拡散
長を表面光電圧法（ＳＰＶ）により測定してＦｅのゲッ
タリング効率を求めたところ、図３に示すような結果が
得られた。尚、同様の実験を複数回試みた結果、得られ
るゲッタリング効率には高い再現性が認められた。
をスピンナー法によりＦｅ汚染させたＰＢＳウエーハを
横型炉内に入れ、これをＮ2ガス雰囲気で１０００℃に
加熱して５時間保持することによってウエーハ中にＦｅ
を拡散させ、その後９００℃のＮ2ガス雰囲気中で１時
間だけ熱処理し、図２に示す冷却曲線に沿って約３℃／
ｍｉｎ以下の冷却速度でＰＢＳウエーハを徐冷し、９０
０℃、８００℃、７００℃、６００℃、２００℃の各温
度でＰＢＳウエーハを炉から取り出した。そして、各温
度で引き出されたＰＢＳウエーハの少数キャリアの拡散
長を表面光電圧法（ＳＰＶ）により測定してＦｅのゲッ
タリング効率を求めたところ、図３に示すような結果が
得られた。尚、同様の実験を複数回試みた結果、得られ
るゲッタリング効率には高い再現性が認められた。
【００１７】図３から明らかなように、Ｆｅのゲッタリ
ング効率はＰＢＳウエーハを炉から取り出す時の温度が
低い程、高い値を示している。又、同図によれば、Ｆｅ
のゲッタリング開始温度は７１０℃近傍であるが、４０
０℃以下の温度ではゲッタリング効率はほぼ飽和値に達
し、これ以上温度を下げてもゲッタリング効率は上がら
ないことがわかる。
ング効率はＰＢＳウエーハを炉から取り出す時の温度が
低い程、高い値を示している。又、同図によれば、Ｆｅ
のゲッタリング開始温度は７１０℃近傍であるが、４０
０℃以下の温度ではゲッタリング効率はほぼ飽和値に達
し、これ以上温度を下げてもゲッタリング効率は上がら
ないことがわかる。
【００１８】しかし、安定した高いゲッタリング効率を
得るために余りに低い温度まで徐冷却すると、図２の冷
却曲線に示すように多大な時間を要し、ゲッタリング加
工時における生産性を著しく下げる結果となる。
得るために余りに低い温度まで徐冷却すると、図２の冷
却曲線に示すように多大な時間を要し、ゲッタリング加
工時における生産性を著しく下げる結果となる。
【００１９】従って、Ｆｅのゲッタリング開始温度は、
炉内における温度分布や、温度測定上の誤差も考慮すれ
ば、８００℃近傍から４００℃位までとするのが実用上
の望ましい範囲であると考えられる。
炉内における温度分布や、温度測定上の誤差も考慮すれ
ば、８００℃近傍から４００℃位までとするのが実用上
の望ましい範囲であると考えられる。
【００２０】勿論、現実に８００℃以上の温度でＰＢＳ
ウエーハを炉から取り出した場合でも、若干のゲッタリ
ング効果があることは確認されている。
ウエーハを炉から取り出した場合でも、若干のゲッタリ
ング効果があることは確認されている。
【００２１】而して、本実施例では、図１に示すよう
に、温度９００℃での熱処理が終了した後、図１の曲線
Ａにて示すように、炉中で７００℃以下の温度まで徐冷
した後、ＰＢＳウエーハを炉中から取り出すようにして
おり、これによればＦｅについて高いゲッタリング効率
が得られる。
に、温度９００℃での熱処理が終了した後、図１の曲線
Ａにて示すように、炉中で７００℃以下の温度まで徐冷
した後、ＰＢＳウエーハを炉中から取り出すようにして
おり、これによればＦｅについて高いゲッタリング効率
が得られる。
【００２２】次に、第２発明の実施例を図４及び図５に
基づいて説明する。尚、図４は第２発明に係る熱処理方
法における時間と温度との関係を示す図、図５は保持温
度とゲッタリング効率との関係を示す図である。
基づいて説明する。尚、図４は第２発明に係る熱処理方
法における時間と温度との関係を示す図、図５は保持温
度とゲッタリング効率との関係を示す図である。
【００２３】第２発明は、任意の熱処理の後において、
ＰＢＳウエーハを炉中で範囲約４００℃〜約８００℃内
の温度で所定時間だけ保持した後にこれを炉から取り出
す方法であって、本実施例では、図４に示すように、約
４００℃〜約７００℃以下の温度に所定時間ｔだけ保持
した後、ＰＢＳウエーハを炉から取り出す。
ＰＢＳウエーハを炉中で範囲約４００℃〜約８００℃内
の温度で所定時間だけ保持した後にこれを炉から取り出
す方法であって、本実施例では、図４に示すように、約
４００℃〜約７００℃以下の温度に所定時間ｔだけ保持
した後、ＰＢＳウエーハを炉から取り出す。
【００２４】ところで、等温熱処理についての実験によ
れば、Ｆｅの拡散長（μｍ）をウエーハの厚さＷｓ（μ
ｍ）程度に保てば、ゲッタリングは平衡状態に近いこと
がわかった。ここで、Ｆｅの拡散長は（Ｄ・ｔ）
1/2（Ｄは拡散係数（μｍ2）、ｔは時間（ｍｉｎ））で
表わされるため、ＰＢＳウエーハを炉中で範囲約４００
℃〜約８００℃内（望ましくは、７００℃以下）の温度
に保つべき時間ｔは、
れば、Ｆｅの拡散長（μｍ）をウエーハの厚さＷｓ（μ
ｍ）程度に保てば、ゲッタリングは平衡状態に近いこと
がわかった。ここで、Ｆｅの拡散長は（Ｄ・ｔ）
1/2（Ｄは拡散係数（μｍ2）、ｔは時間（ｍｉｎ））で
表わされるため、ＰＢＳウエーハを炉中で範囲約４００
℃〜約８００℃内（望ましくは、７００℃以下）の温度
に保つべき時間ｔは、
【００２５】
【数１】（Ｄ・ｔ）1/2≒Ｗｓ を満足する値となる。
【００２６】ここで、第２発明に係る実験結果を以下に
示す。尚、実験には厚さＷｓ＝５１５μｍ（ポリシリコ
ン膜厚は１．１μｍ）のＰＢＳウエーハが用いられ、こ
のＰＢＳウエーハには前記第１発明に係る実験と同様に
Ｆｅが拡散されている。
示す。尚、実験には厚さＷｓ＝５１５μｍ（ポリシリコ
ン膜厚は１．１μｍ）のＰＢＳウエーハが用いられ、こ
のＰＢＳウエーハには前記第１発明に係る実験と同様に
Ｆｅが拡散されている。
【００２７】而して、Ｆｅが拡散されＰＢＳウエーハを
炉中で５５０〜８００℃の一定温度に所定時間（Ｆｅの
拡散長がＰＢＳウエーハの厚さＷｓの１．５倍の７８０
μｍに略等しくなる時間）だけ保持した後にこれを取り
出し、各ウエーハの少数キャリアの拡散長を表面光電圧
法（ＳＰＶ）により測定してＦｅのゲッタリング効率を
求めたところ、図５に示すような結果が得られた。
炉中で５５０〜８００℃の一定温度に所定時間（Ｆｅの
拡散長がＰＢＳウエーハの厚さＷｓの１．５倍の７８０
μｍに略等しくなる時間）だけ保持した後にこれを取り
出し、各ウエーハの少数キャリアの拡散長を表面光電圧
法（ＳＰＶ）により測定してＦｅのゲッタリング効率を
求めたところ、図５に示すような結果が得られた。
【００２８】図５より明らかなように、熱処理温度が低
い程、高いゲッタリング効率が得られる。
い程、高いゲッタリング効率が得られる。
【００２９】
【発明の効果】以上の説明で明らかな如く、本発明によ
れば、裏面にポリシリコン膜を形成して成るシリコンウ
エーハを約４００℃〜約８００℃の範囲内の温度まで約
３℃／ｍｉｎ以下の冷却速度で徐冷し、或いは同様のシ
リコンウエーハを範囲約４００℃〜約８００℃内の温度
で所定時間保持するようにしたため、Ｆｅをも効果的に
ゲッタリングしてシリコンウエーハ中のＦｅ濃度を任意
に低減させることができるという効果が得られる。
れば、裏面にポリシリコン膜を形成して成るシリコンウ
エーハを約４００℃〜約８００℃の範囲内の温度まで約
３℃／ｍｉｎ以下の冷却速度で徐冷し、或いは同様のシ
リコンウエーハを範囲約４００℃〜約８００℃内の温度
で所定時間保持するようにしたため、Ｆｅをも効果的に
ゲッタリングしてシリコンウエーハ中のＦｅ濃度を任意
に低減させることができるという効果が得られる。
【図１】第１発明に係る熱処理方法における時間と温度
との関係を示す図である。
との関係を示す図である。
【図２】実施例にて使用された横型炉の電源を所定の温
度状態（９００℃）で切った時の炉内の冷却速度を示す
冷却特性図である。
度状態（９００℃）で切った時の炉内の冷却速度を示す
冷却特性図である。
【図３】ウエーハ取り出し温度とゲッタリング効率との
関係を示す図である。
関係を示す図である。
【図４】第２発明に係る熱処理方法における時間と温度
との関係を示す図である。
との関係を示す図である。
【図５】保持温度とゲッタリング効率との関係を示す図
である。
である。
Claims (3)
- 【請求項１】 裏面にポリシリコン膜を形成して成るシ
リコンウエーハを、約４００℃〜約８００℃の範囲内の
温度まで約３℃／ｍｉｎ以下の冷却速度で徐冷すること
を特徴とするシリコンウエーハの熱処理方法。 - 【請求項２】 裏面にポリシリコン膜を形成して成るシ
リコンウエーハを、範囲約４００℃〜約８００℃内の温
度で所定時間保持することを特徴とするシリコンウエー
ハの熱処理方法。 - 【請求項３】 前記シリコンウエーハを一定温度で保持
した場合の前記所定時間ｔは、Ｆｅの拡散係数をＤ、シ
リコンウエーハの厚さをＷｓとした場合に、（Ｄ・ｔ）
1/2がＷｓに略等しいか又はＷｓ以上となるような値で
あることを特徴とする請求項２記載のシリコンウエーハ
の熱処理方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9606492A JPH05275436A (ja) | 1992-03-24 | 1992-03-24 | シリコンウエーハの熱処理方法 |
| EP93302118A EP0562783A1 (en) | 1992-03-24 | 1993-03-19 | A method for heat treating a silicon wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9606492A JPH05275436A (ja) | 1992-03-24 | 1992-03-24 | シリコンウエーハの熱処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05275436A true JPH05275436A (ja) | 1993-10-22 |
Family
ID=14155003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9606492A Pending JPH05275436A (ja) | 1992-03-24 | 1992-03-24 | シリコンウエーハの熱処理方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0562783A1 (ja) |
| JP (1) | JPH05275436A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6372611B1 (en) | 1997-01-24 | 2002-04-16 | Nec Corporation | Semiconductor manufacturing method including gettering of metal impurities |
| US6562733B2 (en) | 1997-09-30 | 2003-05-13 | Nec Corporation | Semiconductor device manufacturing method |
| CN100466200C (zh) * | 2004-05-07 | 2009-03-04 | Memc电子材料有限公司 | 减少硅晶片中的金属杂质的方法 |
| DE112021003124T5 (de) | 2020-06-04 | 2023-03-16 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitereinheit |
Families Citing this family (2)
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|---|---|---|---|---|
| WO2011156961A1 (zh) * | 2010-06-18 | 2011-12-22 | 常州天合光能有限公司 | 多晶硅的两步吸杂工艺 |
| CN104269456A (zh) * | 2014-09-05 | 2015-01-07 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种新型太阳电池p扩散吸杂的工艺 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0574784A (ja) * | 1991-09-17 | 1993-03-26 | Mitsubishi Materials Corp | シリコン基板の製造方法 |
Family Cites Families (3)
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|---|---|---|---|---|
| DE3485808T2 (de) * | 1983-02-14 | 1993-03-04 | Memc Electronic Materials | Materialien fuer halbleitersubstrate mit moeglichkeit zum gettern. |
| DD222449A1 (de) * | 1983-12-29 | 1985-05-15 | Adw Der Ddr Inst F Physik Der | Verfahren zur herstellung von halbleiterbauelementen hoher zuverlaessigkeit |
| DD232138A1 (de) * | 1984-11-23 | 1986-01-15 | Univ Berlin Humboldt | Verfahren zur getterung von verunreinigungen und kristallstoerungen in halbleiterbauelementestrukturen |
-
1992
- 1992-03-24 JP JP9606492A patent/JPH05275436A/ja active Pending
-
1993
- 1993-03-19 EP EP93302118A patent/EP0562783A1/en not_active Withdrawn
Patent Citations (1)
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| DE112021003124T5 (de) | 2020-06-04 | 2023-03-16 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitereinheit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0562783A1 (en) | 1993-09-29 |
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