JPS59168642A - 半導体基板の酸化装置 - Google Patents
半導体基板の酸化装置Info
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- JPS59168642A JPS59168642A JP58042555A JP4255583A JPS59168642A JP S59168642 A JPS59168642 A JP S59168642A JP 58042555 A JP58042555 A JP 58042555A JP 4255583 A JP4255583 A JP 4255583A JP S59168642 A JPS59168642 A JP S59168642A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
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- H01L21/02238—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer group IV semiconductor silicon in uncombined form, i.e. pure silicon
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体装置の製造装置に関し、特に半導体基
板を酸化雰囲気中で加熱嫁御して基板表面に熱酸化膜を
形成する酸化装りに係るものであ 。
板を酸化雰囲気中で加熱嫁御して基板表面に熱酸化膜を
形成する酸化装りに係るものであ 。
る。
従来の哨化装置６″は、酩″素もしくは水蒸気が流れる
酸化雰囲気を熱炉中に形成し、ここに半導体基板を導入
して熱酸化を施すものである。半導体基板は加熱によっ
てのみ活性化されるＲめ、熱酸化膜の温歇が高いため処
理される半導体基板に対し加熱・冷却時に熱応力を生じ
、基板の変形不良、半導体必猶の特性不良を生じる。又
、熱酸化開始時の醇化に不均一性が生じ易（，５（１０
心上の熱酸化膜でのピンホール欠陥が多い欠炸があった
。
酸化雰囲気を熱炉中に形成し、ここに半導体基板を導入
して熱酸化を施すものである。半導体基板は加熱によっ
てのみ活性化されるＲめ、熱酸化膜の温歇が高いため処
理される半導体基板に対し加熱・冷却時に熱応力を生じ
、基板の変形不良、半導体必猶の特性不良を生じる。又
、熱酸化開始時の醇化に不均一性が生じ易（，５（１０
心上の熱酸化膜でのピンホール欠陥が多い欠炸があった
。
この発明の目的は、均一性が自〈・基数への熱応力の発
生の少ない半導体装置の酸化装置を提供することＫある
。
生の少ない半導体装置の酸化装置を提供することＫある
。
第１図はこの発明の一実施例を説明する１ヒめの製造装
置の断面図である。即ち、この発明はシリコン単結晶基
板ｌを酸化化性雰囲気に保ったチャンバー３の内部に配
置し、該基板ｌを熱ヒーター、赤外線源等の加熱手段４
で加熱し７するとき、半導体基板１の表面に紫夕１光源
５からの１８０〜２５０ｎｍの遠紫外線を含む紫外線を
照射する。この状態での酸化処理は、基板の被照射面で
の酸化速度が加速される。
置の断面図である。即ち、この発明はシリコン単結晶基
板ｌを酸化化性雰囲気に保ったチャンバー３の内部に配
置し、該基板ｌを熱ヒーター、赤外線源等の加熱手段４
で加熱し７するとき、半導体基板１の表面に紫夕１光源
５からの１８０〜２５０ｎｍの遠紫外線を含む紫外線を
照射する。この状態での酸化処理は、基板の被照射面で
の酸化速度が加速される。
一例ＶＣよればチャンバー３の内部に専大孔６から酸素
ガスを供給すると、１８０ｎｍ〜２５０ｎｍの遠紫外光
によりチャンバー内でオゾンが発光１−、オゾンの活性
力により内部での酸化処理が加速される。このオゾンの
一部は排気孔にも生ずる。オゾンの発生は紫外光源の強
度に依有し、基板表面で１．Ｏｍｗ／ｃｒ＆以−ヒであ
れ（ば基板表面に１２０〜３ｏ。
ガスを供給すると、１８０ｎｍ〜２５０ｎｍの遠紫外光
によりチャンバー内でオゾンが発光１−、オゾンの活性
力により内部での酸化処理が加速される。このオゾンの
一部は排気孔にも生ずる。オゾンの発生は紫外光源の強
度に依有し、基板表面で１．Ｏｍｗ／ｃｒ＆以−ヒであ
れ（ば基板表面に１２０〜３ｏ。
チの増速効果が観、察さ７’ｌ、る。又、遠紫夕）線Ｆ
ｉ酸化作用が黴１．いオゾンを生ずるため、半導体基板
表面の清浄化が進行し酸化直前の基板表面の状態は外部
での洗浄からさらに良好な状態となる。従って熱酸化処
理における欠陥発生の防止および表面均一酸化の実駅、
が成され、基板表面に良票の熱酸化膜（Ｓｘ０−軟）が
形成される。更に、この実施例によれば、従来と同一膜
厚を熱酸化形成するとき加熱ａｒｔを低下することがで
きるため、半導体基板の加熱冷却によ４熱収力歪の発生
を防止し得られる半導体装置の？ＪＴ気的性的特性好に
保つことができる。
ｉ酸化作用が黴１．いオゾンを生ずるため、半導体基板
表面の清浄化が進行し酸化直前の基板表面の状態は外部
での洗浄からさらに良好な状態となる。従って熱酸化処
理における欠陥発生の防止および表面均一酸化の実駅、
が成され、基板表面に良票の熱酸化膜（Ｓｘ０−軟）が
形成される。更に、この実施例によれば、従来と同一膜
厚を熱酸化形成するとき加熱ａｒｔを低下することがで
きるため、半導体基板の加熱冷却によ４熱収力歪の発生
を防止し得られる半導体装置の？ＪＴ気的性的特性好に
保つことができる。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発１明の一実施例を゛欣１明するための製
造負戦の断面図で、 ■・・・・・半導体基板、２・・・・・・内部雰囲気、
３・・・・・・チャンバー、４・・・・・・加熱手段、
５・・・・・・紫外光源である。
造負戦の断面図で、 ■・・・・・半導体基板、２・・・・・・内部雰囲気、
３・・・・・・チャンバー、４・・・・・・加熱手段、
５・・・・・・紫外光源である。
Claims (1)
- 半導体基板を酸化雰囲気中て゛加熱し半導体基板の表面
に熱酸化膜を成長する酸化装置において、前記半導体基
板光面［１８０ｎｍ〜２５０ｎｍの遠紫外光を照射した
状態で熱酸化処理を施すことを特徴とする半導体基板の
酸化装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58042555A JPS59168642A (ja) | 1983-03-15 | 1983-03-15 | 半導体基板の酸化装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58042555A JPS59168642A (ja) | 1983-03-15 | 1983-03-15 | 半導体基板の酸化装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59168642A true JPS59168642A (ja) | 1984-09-22 |
Family
ID=12639291
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58042555A Pending JPS59168642A (ja) | 1983-03-15 | 1983-03-15 | 半導体基板の酸化装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59168642A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6341028A (ja) * | 1986-08-06 | 1988-02-22 | Tokyo Electron Ltd | 酸化膜形成方法 |
| EP0661110A1 (en) * | 1993-11-26 | 1995-07-05 | Ushiodenki Kabushiki Kaisha | Process for oxidation of an article surface |
| WO2004107433A1 (en) * | 2003-05-23 | 2004-12-09 | Accent Optical Technologies, Inc. | Apparatus and method for photo-thermal dopant activation in semiconductors |
-
1983
- 1983-03-15 JP JP58042555A patent/JPS59168642A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6341028A (ja) * | 1986-08-06 | 1988-02-22 | Tokyo Electron Ltd | 酸化膜形成方法 |
| EP0661110A1 (en) * | 1993-11-26 | 1995-07-05 | Ushiodenki Kabushiki Kaisha | Process for oxidation of an article surface |
| WO2004107433A1 (en) * | 2003-05-23 | 2004-12-09 | Accent Optical Technologies, Inc. | Apparatus and method for photo-thermal dopant activation in semiconductors |
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