JPS5961175A - 半導体基板 - Google Patents
半導体基板Info
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- JPS5961175A JPS5961175A JP17124682A JP17124682A JPS5961175A JP S5961175 A JPS5961175 A JP S5961175A JP 17124682 A JP17124682 A JP 17124682A JP 17124682 A JP17124682 A JP 17124682A JP S5961175 A JPS5961175 A JP S5961175A
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- semiconductor substrate
- conductive layer
- semiconductor
- integrated circuit
- molybdenum
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
- H01L29/456—Ohmic electrodes on silicon
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明は半導体基板に係り、特に半導体基板加熱時に半
導体基板が均一に加熱されるようになされた半導体基板
に関する。
導体基板が均一に加熱されるようになされた半導体基板
に関する。
（２）技術の背景
従来から半導体の製作過程において、半導体基板を加熱
する処理は多く、例えば酸化膜形成、レジストのベーキ
ング、拡散層の熱処理等があり、ハノヂ処理等で第１図
に示すように類１内に半導体基板２を比較的間隔をつめ
て配設し、ヒータ３等で加熱すると半導体基板２は熱源
に近い周辺から熱せられて半導体基板自体での熱分布が
異なり、半導体基板に反りを生じたり、時には亀裂を生
したりする。
する処理は多く、例えば酸化膜形成、レジストのベーキ
ング、拡散層の熱処理等があり、ハノヂ処理等で第１図
に示すように類１内に半導体基板２を比較的間隔をつめ
て配設し、ヒータ３等で加熱すると半導体基板２は熱源
に近い周辺から熱せられて半導体基板自体での熱分布が
異なり、半導体基板に反りを生じたり、時には亀裂を生
したりする。
こめような欠点を除去するために、近時マイクロ波加熱
または高周波加熱により半導体基板を均一に加熱させる
ようになされている。
または高周波加熱により半導体基板を均一に加熱させる
ようになされている。
（３）従来技術と問題点
上述のマイクロ波または高周波による半導体基板加熱の
一例を第２図について説明する。
一例を第２図について説明する。
第２図は高周波加熱によって半導体基板を加熱する場合
の炉１の路線的側断面図で、炉１の外側には高周波加熱
用コイル４が巻回され、炉内にはカーボン支持台５上に
半導体基板２を平らに載置し゛Ｃ１上記高周波コイルに
電流を流し誘導加熱により、まずカーボン支持台５を加
熱した後に熱伝導により半導体基板２を加熱さ・ヒてい
るために、比較的均一に半導体基板を加熱することがで
きるが、カーボン支持台５を暖めてから半導体基板を熱
伝導等で加熱するために多くの時間がかかる欠点があっ
た。さらに、第３図にカーボン支持台５と半導体基板２
の載置状態の拡大断面図を示したように、カーボン支持
台５が誘導加熱により加熱され、半導体基板２に熱が伝
えられる場合にカーフ３ζン支持台５と半導体基Ｆｊ、
２との接触面は必ずしも一定ではなく、凹凸６等で熱の
伝わり方が一様でなくなり、半導体基板面上の温度分布
が異なる状態を生ずる欠点があった。
の炉１の路線的側断面図で、炉１の外側には高周波加熱
用コイル４が巻回され、炉内にはカーボン支持台５上に
半導体基板２を平らに載置し゛Ｃ１上記高周波コイルに
電流を流し誘導加熱により、まずカーボン支持台５を加
熱した後に熱伝導により半導体基板２を加熱さ・ヒてい
るために、比較的均一に半導体基板を加熱することがで
きるが、カーボン支持台５を暖めてから半導体基板を熱
伝導等で加熱するために多くの時間がかかる欠点があっ
た。さらに、第３図にカーボン支持台５と半導体基板２
の載置状態の拡大断面図を示したように、カーボン支持
台５が誘導加熱により加熱され、半導体基板２に熱が伝
えられる場合にカーフ３ζン支持台５と半導体基Ｆｊ、
２との接触面は必ずしも一定ではなく、凹凸６等で熱の
伝わり方が一様でなくなり、半導体基板面上の温度分布
が異なる状態を生ずる欠点があった。
（４）発明の目的
本発明は」二連の欠点に謹め、効率よく半導体基板を加
熱させると共に半導体基板表面上の温度分布が異ならな
いようにした半導体基板を提供することを目的とするも
のである。
熱させると共に半導体基板表面上の温度分布が異ならな
いようにした半導体基板を提供することを目的とするも
のである。
（５）発明の構成
本発明の特徴とするところは、半導体集積回路が形成さ
れない側の面に導電層を形成してなる半導体基板によっ
て達成される。
れない側の面に導電層を形成してなる半導体基板によっ
て達成される。
（６）発明の実施例
以下、本発明の一実施例を図面によって説明する。
第４図は本発明の半導体基板を得るためのスパッタリン
グの路線図であり、ベルジャ９内を真空状態となし、陽
極１０上に半導体基板２のシリコン基板を設置し、陰極
８にモリブデン（ＭＯ）等を用い、二つの電極間に電圧
を加えて、半導体基Ｆｊ、２の半導体集積回路が形成さ
れない一方の面上にモリブデン（ＭＯ）やタングステン
（Ｗ）をスパッタリングすることで半導体基板２上に
１００μｍ厚程度のモリブデンザイｌ” （Ｍｏ Ｓ
ｉ ２）またはタングステンシリサイド（ＷＳｉ２）等
の導電層１１を形成する。
グの路線図であり、ベルジャ９内を真空状態となし、陽
極１０上に半導体基板２のシリコン基板を設置し、陰極
８にモリブデン（ＭＯ）等を用い、二つの電極間に電圧
を加えて、半導体基Ｆｊ、２の半導体集積回路が形成さ
れない一方の面上にモリブデン（ＭＯ）やタングステン
（Ｗ）をスパッタリングすることで半導体基板２上に
１００μｍ厚程度のモリブデンザイｌ” （Ｍｏ Ｓ
ｉ ２）またはタングステンシリサイド（ＷＳｉ２）等
の導電層１１を形成する。
第５図はイオンインプランテーション１．！、によって
高濃度のドーパントをイオン注入してＷＳｉ２等の導電
１Ｖｉｌｌを形成したものである。
高濃度のドーパントをイオン注入してＷＳｉ２等の導電
１Ｖｉｌｌを形成したものである。
このように半導体基板２の一方の表面に導電層を形成し
たので、半導体基板と導電層が一体化したためにハソジ
処理等では複数の半導体基板を第２図に示すようにカー
ボン支持台５に平らに載置しなくても、第６図に示すよ
うに石英等のノースケノド１２内に縦に配置しても半導
体基板個々の導電Ｎ１１が高周波コイル４やマイクロ波
等で充分に均一に加熱され加熱能率も高くなる。
たので、半導体基板と導電層が一体化したためにハソジ
処理等では複数の半導体基板を第２図に示すようにカー
ボン支持台５に平らに載置しなくても、第６図に示すよ
うに石英等のノースケノド１２内に縦に配置しても半導
体基板個々の導電Ｎ１１が高周波コイル４やマイクロ波
等で充分に均一に加熱され加熱能率も高くなる。
（７）発明の効果
以上、説明したように本発明の半導体基板によれば、例
えばアルミニウムの蒸着時に生ずるステップカバレージ
を良くすることができ、勿論、レンストのヘーキングや
酸化等にも均一な半導体基板加熱ができるだけでなく半
導体基板表面の温度分布が異なる可能性が少なくなり、
加熱効率が向上する特徴を有する。
えばアルミニウムの蒸着時に生ずるステップカバレージ
を良くすることができ、勿論、レンストのヘーキングや
酸化等にも均一な半導体基板加熱ができるだけでなく半
導体基板表面の温度分布が異なる可能性が少なくなり、
加熱効率が向上する特徴を有する。
第１図は実施例の半導体基板の加熱手段のＩＩｌ！）線
的側断面図、第２図は従来の半導体基板の加熱手段の他
の実施例を示す側断面図、第３図は第２図のカーボン支
持台上の半導体基板載置状態を示す拡大側断面図、第４
図は本発明の半導体基板をスパックで得る方法を説明す
るための路線図、第５図は本発明の半導体基板をイオン
注入で得る方法を説明するための説明図、第６図は本発
明の半導体基板の加熱方法の説明するためのノ＼ノジ処
理システムの側断面図である。 １・・・炉、 ２・・・半導体基板、 ３・・
・ヒータ、 ４・・・高周波コイル、５・・・カー
ボン支持台、 ６・・・凹凸、８・・・陰＋ｉ、
９・・・ベルジャ、ｌＯ・・・陽極、 １１・
・・導電層、 １２・・・ハスケソト。 ｈ：ｌ’Ｈ，；’ｉデ、゛。
的側断面図、第２図は従来の半導体基板の加熱手段の他
の実施例を示す側断面図、第３図は第２図のカーボン支
持台上の半導体基板載置状態を示す拡大側断面図、第４
図は本発明の半導体基板をスパックで得る方法を説明す
るための路線図、第５図は本発明の半導体基板をイオン
注入で得る方法を説明するための説明図、第６図は本発
明の半導体基板の加熱方法の説明するためのノ＼ノジ処
理システムの側断面図である。 １・・・炉、 ２・・・半導体基板、 ３・・
・ヒータ、 ４・・・高周波コイル、５・・・カー
ボン支持台、 ６・・・凹凸、８・・・陰＋ｉ、
９・・・ベルジャ、ｌＯ・・・陽極、 １１・
・・導電層、 １２・・・ハスケソト。 ｈ：ｌ’Ｈ，；’ｉデ、゛。
Claims (5)
- （１）半導体集積回路が形成されない側の面に導電層を
形成してなることを特徴とする半導体基板。 - （２）前記導電層がモリブデンシリサイド層よりなるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体基板
。 - （３）前記導電層がタングステンシリサイ１゛層よりな
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体
基板。 - （４）前記導電層を半導体基板面にスパツクしてなると
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のユ１−専体基
板。 - （５）前記導電層を高濃度のドーパントのイオンＬ「人
によって半導体基板面に形成してなることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の半導体基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17124682A JPS5961175A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 半導体基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17124682A JPS5961175A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 半導体基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5961175A true JPS5961175A (ja) | 1984-04-07 |
Family
ID=15919753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17124682A Pending JPS5961175A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 半導体基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5961175A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01120815A (ja) * | 1987-11-05 | 1989-05-12 | Fujitsu Ltd | 半導体ウエハーの加熱方法 |
-
1982
- 1982-09-30 JP JP17124682A patent/JPS5961175A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01120815A (ja) * | 1987-11-05 | 1989-05-12 | Fujitsu Ltd | 半導体ウエハーの加熱方法 |
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