JPH0335825B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0335825B2 JPH0335825B2 JP8779981A JP8779981A JPH0335825B2 JP H0335825 B2 JPH0335825 B2 JP H0335825B2 JP 8779981 A JP8779981 A JP 8779981A JP 8779981 A JP8779981 A JP 8779981A JP H0335825 B2 JPH0335825 B2 JP H0335825B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- substrate
- semiconductor substrate
- semiconductor
- impurities
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体装置の製造方法に関し、特に
半導体に対して半導体の導電度と異なる導電度ま
たは異なる導電型の導電層を表面の極く浅い領域
に形成する方法を与えるものである。
半導体に対して半導体の導電度と異なる導電度ま
たは異なる導電型の導電層を表面の極く浅い領域
に形成する方法を与えるものである。
従来、この種の製造方法としてはイオン注入法
があつた。これは必要な不純物をイオン化し
5KV〜100KeVに加速して、半導体中に注入する
ものである。常温で処理できる利点があつたが逆
にイオン注入時に発生する欠陥の回復のため、非
常に高温の熱処理工程が必要となり、この時不純
物が拡散するため浅い導電層を得ることが困難で
あつた。
があつた。これは必要な不純物をイオン化し
5KV〜100KeVに加速して、半導体中に注入する
ものである。常温で処理できる利点があつたが逆
にイオン注入時に発生する欠陥の回復のため、非
常に高温の熱処理工程が必要となり、この時不純
物が拡散するため浅い導電層を得ることが困難で
あつた。
本発明はこのような従来技術の欠点を除去し、
非常に低温で浅い所望の導電層を得ることができ
る製法を提供するものである。
非常に低温で浅い所望の導電層を得ることができ
る製法を提供するものである。
本発明による方法は所望の不純物のガスプラズ
マ中に少なくとも一部を露出した半導体基板を置
き極所的な電位降下または電位上昇を半導体基板
に与えることによつて高濃度の不純物層を形成
し、これをその後また同時に基板加熱することに
より比較的定温の熱処理で基板内に拡散させて導
電層を得られるようにしたことを特徴とするもの
であり、以下添付図面に示す実施例に従つて詳述
する。
マ中に少なくとも一部を露出した半導体基板を置
き極所的な電位降下または電位上昇を半導体基板
に与えることによつて高濃度の不純物層を形成
し、これをその後また同時に基板加熱することに
より比較的定温の熱処理で基板内に拡散させて導
電層を得られるようにしたことを特徴とするもの
であり、以下添付図面に示す実施例に従つて詳述
する。
図は本発明の一実施例を示すもので、例えば絶
縁層を表面に付着し一部に開口部を設けた単結晶
シリコン基板１が内部を真空にし必要な不純物を
成分にもつガスを導入された密ペイ容器２の内で
500℃程度に加熱可能な支持台３の上に保持され
ている。この支持台は接地、絶縁を外部から制御
可能である。また電子を発生させるためのフイラ
メント４がこの槽内には取りつけられており、こ
れを動作させることにより半導体ウエハーが負に
帯電する。高周波電極５，６間に発生したプラズ
マ状態の不純物は半導体ウエハーの帯電状態を解
消しつつ、ウエハー上にたい積、付着することに
なる。これを同時に外部からレーザー７によつて
レーザー光を照射することにより、ウエハー表面
で反応拡散を起こさしめることにより、所望の開
口部のみ非常に浅くて、高濃度の不純物導電層が
形成されることになる。
縁層を表面に付着し一部に開口部を設けた単結晶
シリコン基板１が内部を真空にし必要な不純物を
成分にもつガスを導入された密ペイ容器２の内で
500℃程度に加熱可能な支持台３の上に保持され
ている。この支持台は接地、絶縁を外部から制御
可能である。また電子を発生させるためのフイラ
メント４がこの槽内には取りつけられており、こ
れを動作させることにより半導体ウエハーが負に
帯電する。高周波電極５，６間に発生したプラズ
マ状態の不純物は半導体ウエハーの帯電状態を解
消しつつ、ウエハー上にたい積、付着することに
なる。これを同時に外部からレーザー７によつて
レーザー光を照射することにより、ウエハー表面
で反応拡散を起こさしめることにより、所望の開
口部のみ非常に浅くて、高濃度の不純物導電層が
形成されることになる。
上記実施例では、プラズマの発生にあたつて高
周波放電を用いたが、エレクトロンシヤワー等の
方式によつてもよい。また、プラズマを発生させ
るガスは当該不純物を成分としていれば、窒素あ
るいはアルゴン、水素等放電を生じやすくするよ
うなガスをキヤリアガスとして用いてもよい。
周波放電を用いたが、エレクトロンシヤワー等の
方式によつてもよい。また、プラズマを発生させ
るガスは当該不純物を成分としていれば、窒素あ
るいはアルゴン、水素等放電を生じやすくするよ
うなガスをキヤリアガスとして用いてもよい。
以上説明したように、本発明によれば、電子照
射によつて基板表面を負に帯電させ、これによつ
て不純物のプラズマを基板表面に付着させるよう
にしたので、高濃度の不純物層を良好に基板表面
上に形成することができる。
射によつて基板表面を負に帯電させ、これによつ
て不純物のプラズマを基板表面に付着させるよう
にしたので、高濃度の不純物層を良好に基板表面
上に形成することができる。
また、かかる高濃度不純物層は、半導体基板内
に欠陥を発生しないため、欠陥回復のための熱処
理は必要としない。従つて、低温での拡散が可能
であり、浅い接合の形成が非常に容易となり、デ
バイスの微細化への波及効果は大きい。
に欠陥を発生しないため、欠陥回復のための熱処
理は必要としない。従つて、低温での拡散が可能
であり、浅い接合の形成が非常に容易となり、デ
バイスの微細化への波及効果は大きい。
なお、本発明は、電子照射により基板を負に帯
電させることとしているので、特に導電率の低い
基板に対して有効である。
電させることとしているので、特に導電率の低い
基板に対して有効である。
図は本発明の一実施例を示す装置の断面図であ
る。 １は半導体ウエハ、２は試料槽、３は半導体ウ
エハの保持台、４は電子を発生させるためのフイ
ラメント、５は高周波放電のための接地電極、６
は高周波放電用電極、７はレーザーを示す。
る。 １は半導体ウエハ、２は試料槽、３は半導体ウ
エハの保持台、４は電子を発生させるためのフイ
ラメント、５は高周波放電のための接地電極、６
は高周波放電用電極、７はレーザーを示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ マスク手段により所定パターンでその表面の
一部が露出している半導体基板を、プラズマ発生
用電極を有する容器内に配置し、該容器内に所望
の不純物を含むガスを導入する工程と、 前記プラズマ発生用電極に高周波電力を印加し
てプラズマを発生させる工程と、 該プラズマ中の半導体基板表面を負に帯電させ
てプラズマ化した不純物を該表面上に付着させる
ために電子の照射を行う工程と、 半導体基板表面に付着した不純物を、該基板内
に導入するためにエネルギ線を照射する工程とを
含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8779981A JPS57202729A (en) | 1981-06-05 | 1981-06-05 | Manufacture of semiconductor device |
| DE19823221180 DE3221180A1 (de) | 1981-06-05 | 1982-06-04 | Verfahren und vorrichtung zur herstellung einer halbleitervorrichtung |
| US06/385,137 US4465529A (en) | 1981-06-05 | 1982-06-04 | Method of producing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8779981A JPS57202729A (en) | 1981-06-05 | 1981-06-05 | Manufacture of semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57202729A JPS57202729A (en) | 1982-12-11 |
| JPH0335825B2 true JPH0335825B2 (ja) | 1991-05-29 |
Family
ID=13925021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8779981A Granted JPS57202729A (en) | 1981-06-05 | 1981-06-05 | Manufacture of semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57202729A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2611236B2 (ja) * | 1987-07-03 | 1997-05-21 | ソニー株式会社 | 半導体製造装置 |
| JPH02222545A (ja) * | 1989-02-23 | 1990-09-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜トランジスタの作製方法 |
| JPH02224341A (ja) * | 1989-02-27 | 1990-09-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜トランジスタの作製方法 |
| KR960008503B1 (en) | 1991-10-04 | 1996-06-26 | Semiconductor Energy Lab Kk | Manufacturing method of semiconductor device |
| JPH05102055A (ja) * | 1991-10-08 | 1993-04-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体作製方法 |
| US5424244A (en) | 1992-03-26 | 1995-06-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process for laser processing and apparatus for use in the same |
| JP4802364B2 (ja) * | 2000-12-07 | 2011-10-26 | ソニー株式会社 | 半導体層のドーピング方法、薄膜半導体素子の製造方法、及び半導体層の抵抗制御方法 |
| KR100464653B1 (ko) * | 2002-12-09 | 2005-01-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유전장벽 방전 플라즈마 소오스를 이용한 전자빔 큐어링장비 |
-
1981
- 1981-06-05 JP JP8779981A patent/JPS57202729A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57202729A (en) | 1982-12-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4465529A (en) | Method of producing semiconductor device | |
| JP3391410B2 (ja) | レジストマスクの除去方法 | |
| JP2687966B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US3908183A (en) | Combined ion implantation and kinetic transport deposition process | |
| KR19980079501A (ko) | 실리콘 웨이퍼의 제조 방법 및 실리콘 웨이퍼 | |
| JPH11317380A (ja) | コバルト付着の方法及び装置 | |
| JPH0335825B2 (ja) | ||
| JP3323928B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| KR100397164B1 (ko) | 불순물의도입방법 | |
| KR19980041995A (ko) | 경화층을 갖는 레지스트막을 제거하기 위한 방법 및 장치 | |
| JPH1050666A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP4405161B2 (ja) | 多結晶シリコン基板の処理方法、その方法により処理された多結晶シリコン基板および太陽電池 | |
| JPH0451971B2 (ja) | ||
| JP3212442B2 (ja) | ダイヤモンド表面吸着水素量の低減方法 | |
| JPS57202726A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPH04242933A (ja) | 酸化膜形成方法 | |
| JPS5885538A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2017037861A (ja) | プラズマドーピング装置及び方法 | |
| JP2679011B2 (ja) | 不純物原子の導入方法 | |
| JPH0133936B2 (ja) | ||
| JPS6350854B2 (ja) | ||
| JPS57118635A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS60257515A (ja) | 薄膜製造方法 | |
| JP3095190B2 (ja) | 材料の結晶欠陥除去方法 | |
| JP2558765B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 |