DE3221180A1 - Verfahren und vorrichtung zur herstellung einer halbleitervorrichtung - Google Patents
Verfahren und vorrichtung zur herstellung einer halbleitervorrichtungInfo
- Publication number
- DE3221180A1 DE3221180A1 DE19823221180 DE3221180A DE3221180A1 DE 3221180 A1 DE3221180 A1 DE 3221180A1 DE 19823221180 DE19823221180 DE 19823221180 DE 3221180 A DE3221180 A DE 3221180A DE 3221180 A1 DE3221180 A1 DE 3221180A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- semiconductor
- semiconductor device
- semiconductor substrate
- substrate
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 48
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 50
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- 238000011109 contamination Methods 0.000 claims description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical group [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 claims description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims 1
- 235000015250 liver sausages Nutrition 0.000 claims 1
- XYSQXZCMOLNHOI-UHFFFAOYSA-N s-[2-[[4-(acetylsulfamoyl)phenyl]carbamoyl]phenyl] 5-pyridin-1-ium-1-ylpentanethioate;bromide Chemical compound [Br-].C1=CC(S(=O)(=O)NC(=O)C)=CC=C1NC(=O)C1=CC=CC=C1SC(=O)CCCC[N+]1=CC=CC=C1 XYSQXZCMOLNHOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 210000000056 organ Anatomy 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
- H01L21/225—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer
- H01L21/2251—Diffusion into or out of group IV semiconductors
- H01L21/2254—Diffusion into or out of group IV semiconductors from or through or into an applied layer, e.g. photoresist, nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
- C30B31/18—Controlling or regulating
- C30B31/185—Pattern diffusion, e.g. by using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
- H01L21/223—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a gaseous phase
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/2636—Bombardment with radiation with high-energy radiation for heating, e.g. electron beam heating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
„ <# tu
HOFFMANN -EITLE & PARTNER
DIPL.-ING. K.FOCHSLE . DR. RER. NAT. 8. HANSEN
ARABELLASTRASSE 4 · D-8000 MONCHEN 81 . TELEFON (089) 911087 · TELEX 05-29619 (PATHE)
37 007 o/wa
- 6 -
- 6 -
MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA, TOKYO / JAPAN
Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung ~ einerHalbTeXtervcTrrichtung und Insbesondere ein Verfahren
zur Ausbildung einer leitfähigen Schicht mit
unterschiedlicher Leitfähigkeit gegenüber der des
Halbleitersubstrats -oder-^tt-unterschledlichem. liisit- _ ■ -fähigkeitstyp aufnsiiser" OBefflache des- Halbleitersubstrats in einer sehr geringen Tiefe.
unterschiedlicher Leitfähigkeit gegenüber der des
Halbleitersubstrats -oder-^tt-unterschledlichem. liisit- _ ■ -fähigkeitstyp aufnsiiser" OBefflache des- Halbleitersubstrats in einer sehr geringen Tiefe.
Für solche Zwecke wird üblicherweise eine Ionenimplantierung
angewendet. Bei diesem Verfahren wird die gewünschte Verunreinigung ionisiert und in den Halblei-
implantiert. Obwohl die Implantation bei normalen Behandlungstemperaturen
vorteilhaft verläuft, benötigt man doch ein Wärmebehandlungsverfahren von sehr hohen
Temperaturen, um die während der Ionenimplantation ausgebildeten Defekte wiederherzustellen. Weiterhin
ist es auch schwierig, eine Halbleiterschicht mit einer flachen Tiefe zu erhalten, weil die Verunreinigungen
aufgrund der Wärmebehandlung diffundieren.
Aufgabe der Erfindung ist es, die Nachteile des Standes der Technik zu vermeiden und ein Verfahren zu zeigen,
mittels dem man eine Leitfähigkeitsschicht der gewünschten flachen Tiefe bei sehr niedrigen Temperaturen
erhalten kann.
Das erfindungsgemässe Verfahren ist dadurch gekennzeichnet,
dass das Halbleitersubstrat, das wenigstens zum Teil freiliegt, in ein Gasplasma der gewünschten
Verunreinigung gelegt wird. Ein örtlicher Potentialabfall oder -anstieg wird auf das Halbleitersubstrat
einwirken gelassen, wodurch sich eine Verunreinigungsschicht hoher Konzentration auf den freiliegenden Teilen
des Halbleitersubstrats ausbildet. Nach Ausbildung der Verunreinigungsschicht auf den freiliegenden
Teilen des Halbleitersubstrats oder gleichzeitig mit der Bildung der Verunreinigungsschicht, wird das Substrat
einer Wärmebehandlung unterworfen, wodurch die Verunreinigung in das Substrat diffundiert und wobei
man die Halbleiterschicht erhält.
Fig. 1 ist eine schematische Darstellung einer Vorrichtung gemäss einer Ausführungsform
der Erfindung, und
Fig. 2 ist eine schematische Darstellung einer
Vorrichtung gemäss einer zweiten Ausführungsform der Erfindung.
Fig. 1 ist eine schematische Beschreibung einer Vorrichtung zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung.
In der Figur schliesst ein monokristallines Halbleitersubstrat 1 eine Isolierschicht 1a, die an deren
Oberfläche anhaftet und öffnungen 1b aufweist, ein. Ein geschlossenes Gefäss 2 wird innen evakuiert und
eine Verunreinigung, welche die Leitfähigkeit des monokristallinen Silikonsubstrats 1 ergibt und die
Phosphor, Fluor, Arsen, Bor und/oder Antimon enthält, wird als Bestandteil der Gasatmosphäre in das geschlossene
Gefäss 2 eingebracht. Ein Unterstützungsorgan 3 wird in das geschlossenen Gefäss 2 eingebracht
und trägt das monokristalline Silikonsubstrat 1» Das
Unterstützungsorgan 3 kann auf etwa 5000C erhitzt
werden und sein Potential kann ausserhalb des geschlossenen Gefässes 2 eingestellt werden. Ein FiIament
4, das in dem verschlossenen Gefäss 2 angeordnet ist, wirkt als Elektronenerzeuger und belädt das
monokristalline Silikonsubstrat 1 mit einer negativen Polarität, wodurch das Substrat 1 ein Eigenpotential
bildet. Hochfrequenzelektroden 5 und 6 wandeln das in das geschlossene Gefäss 2 eingebrachte atmosphärische
Gas in den Plasmazustand um. Eine Elektrode 5
ist in dem verschlossenen Gefäss 2 angebracht und wird
geerdet und die andere Elektrode 6 befindet sich gegenüber der Elektrode 5 und wird mit einer Hochfrequenzquelle
8 niedriger Spannung in der Nähe von 100 V verbunden.
Eine einen Teilchenstrahl abgebende Vorrichtung 7 erzeugt einen Energiestrahl 7a, z.B. einen Laseroder
Elektronenstrahl, durch den ein bestimmter Teil des monokristallinen Silikonsubstrats unter überwachung
mittels eines'Überwachungsorgans 9, wie einem Spiegel,
bestrahlt wird.
Um die vorerwähnte Vorrichtung zur Herstellung einer
Halbleitervorrichtung zu verwenden, wird das monokristalline Silikonsubstrat 1 mit dem freiliegenden
Teil 1b auf das Unterstützungsorgan 3 aufgebracht und in das Gefäss 2 wird ein atmosphärisches Gas eingebracht,
welches die Verunreinigung enthält und durch . welches die Leitfähigkeit des monokristallinen Silikonsubstrats
1 bewirkt wird. An die Hochfrequenzquelle 8 wird Energie angelegt und das atmosphärische Gas
zwischen den Elektroden 5 und 6 in ein Plasma überführt.
Gleichzeitig werden am Filament 4 Elektronen erzeugt, durch welche das monokristalline SiIikonsubstrat 1 eine
negative Polarität erhält. Dann werden die Verunreinigungen in dem Plasma zwischen den Hochfrequenzelektroden
5 und 6 zum Mittelteil des verschlossenen Gefässes 2 diffundiert und scheiden sich an den freiliegenden
Teilen 1b des Substrates 1 ab und haften daran und eliminieren den Ladungszustand des monokristallinen
Silikonsubstrats 1.
Nach dem Abscheiden und Anhaften der Verunreinigungen an die Teile 1b des HalbleiterSilikonsubstrats 1 oder
gleichzeitig zusammen mit deren Abscheidung und Anhaftung wird die Strahlenerzeugungsvorrichtung 7 in Betrieb genommen
und ein Energiestrahl 7a, der mittels der Überwachungsvorrichtung
9 überwacht wird, bestrahlt eine gewünschte Oberfläche des Substrats 1. Die an der
Oberfläche des monokristallinen Silikonsubstrats 1 abgeschiedenen und anhaftenden Verunreinigungen reagieren
und diffundieren durch die Bestrahlung mit dem Energiestrahl 7a, wodurch eine Verunreinigungsleitfähigkeitsschicht
mit einer sehr kleinen Tiefe und in hoher Konzentration innerhalb des Substrats 1 ausgebildet
wird. Durch Inbetriebnahme der'Uberwachungsvorrichtung
9 kann die Position des Strahls 7a verändert werden und infolgedessen kann die Verunreinigungsleitfähigkeitsschicht
an jedem gewünschten Teil des monokristallinen Silikonsubstrats 1 ausgebildet werden.
Untersucht man eine .auf diese Weise hergestellte Halbleitervorrichtung,
so kann man keine Defekte in der Verunreinigungsleitfähigkeitsschicht innerhalb des
monokristallinen Silikonsubstrats 1, die durch die . hochkonzentrierte Verunreinigungsschicht, die an dem
, Substrat anhaftet, gebildet wird, feststellen. Deshalb ist auch keine Wärmebehandlung zur Behebung solcher
Defekte erforderlich. Die Diffundierung kanh bei einer niedrigen Temperatur erfolgen und die Bildung einer
Lötstelle in einer geringen Tiefe lässt sich sehr einfach durchführen. Eine zweite Wirkung besteht darin,
dass die Feinheit der Vorrichtungsstruktur verbessert wird.
Fig. 2 ist eine schematische Darstellung einer zweiten
Ausführungsform einer Vorrichtung zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung. Um das monokristalline
Silikonsubstrat 1 zu beladen wird das Substrat 1 geerdet und eine Elektrode 4, die mit einer Gleichstromquelle
verbunden ist, wird oberhalb des Substrats 1 angelegt. Um innerhalb des monokristallinen Silikonsubstrats
1 eine Verunreinigungsleitfähigkeitsschicht auszubilden, unter Anwendung einer auf dem Substrat
1 abgeschiedenen und anhaftenden Verunreinigung, wird das Trägerorgan 3 erhitzt, wodurch die auf dem Substrat
1 abgeschiedene und anhaftende Verunreinigung einer Wärmebehandlung unterworfen wird. Die Auswahl der
Temperatur des Halbleitersubstrats 1 und die Zeit, d.h. die Temperatur des Trägerorgans 3 und die Erwärmungszeit,
ermöglichen die Diffusion einer gewünschten Verunreinigungsleitfähigkeitsschicht.
Die unter Verwendung der in Fig. 2 gezeigten Vorrichtung
gebildete Halbleitervorrichtung ist die gleiche, wie man sie auch unter Anwendung der Vorrichtung gemäss
Fig. 1 erhält.
Obwohl eine Hochfrequenzentladung zur Ausbildung des Plasmas bei den obigen Ausführungsformen angewendet
wird, sind auch andere Systeme, wie Elektronenschauer, geeignet. Erfindungsgemäss wird ein Halbleitersubstrat
mit einer Oberfläche, die wenigstens zum Teil freiliegt, in eine gasförmige Plasmaatmosphäre einer Verunreinigung
eingebracht und ein Potentialabfall oder -abstieg wird an das Halbleitersubstrat angelegt, wodurch sich
- 12 -
eine Verunreinigungsschicht auf den freiliegenden Teilen
der Oberfläche des Substrats bildet und dann hineindiffundiert. Da Leitfähigkeitsdefekte innerhalb des
Halbleitersubstrats einschliesslich der Verunreinigungsschicht nicht gebildet werden, kann durch die Erfindung
eine nachfolgende Wärmebehandlung zur Ausbesserung der Defekte vermieden werden. Infolgedessen ist
eine Diffundierung bei niedrigen Temperaturen möglich und man kann Lötstellen in sehr niedrigen Tiefen sehr
leicht bilden und die Feinheit der Vorrichtung wird erhöht.
Claims (16)
- HOFFMANN -EITLE & PARTNERPAT E N TANWALTE-DR. ING. E. HOFFMANN (1930-1976) · DIPL.. ING. W.EITLE . DR.RER. NAT. K.HOFFMANN . DIPL..JNG. W. LEHNDIPL.-ING. K.FDCHSLE · DR. RER. NAT. B. HANSEN ARABELLASTRASSE 4 · D-8000 MO NCHEN 81 . TELEFON (08?) 911087 · TELEX 05-29619 (PATHE)37 007 o/wa- 1 ■-MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA, TOKYO / JAPANVerfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer HalbleitervorrichtungPATE N TANSPR "UCHEVerfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, dadurch gekennzeichnet , dass man wenigstens einen Teil der Oberfläche eines Halbleitersubstrates freilegt, dass man eine Gasatmosphäre einschliesslich einer Verunreinigung über das Substrat leitet und die Atmosphäre in den Plasmazustand bringt, dass man eine Veränderung des Potentials in dem Halbleitersubstrat bewirkt und eine Verunreinigungsschicht auf der freiliegenden Oberfläche des Halbleitersubstrats ausbildet.
- 2. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung gemäss Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass man die Verunreinigungsschicht in dem Halbleitersubstrat durch Wärmebe- handlung eindiffundieren lässt, unter Ausbildung einer leitfähigen Schicht.
- 3. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung gemäss Anspruch 2, dadurch g e k e η η zeichnet, dass die Wärmebehandlung durchgeführt wird, indem man ausgewählte Teile der Verunreinigungsschicht mit einem Energiestrahl, wie einem Laser oder einem Elektronenstrahl, bestrahlt.
- 4. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung gemäss Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Bestrahlung gleichzeitig mit der Adhäsion der Verunreinigungen an den freiliegenden Teilen der Oberfläche des Halbleitersubstrats abläuft.
- 5. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung gemäss Ansprüchen 1, 2, 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Verunreinigung wenigstens Phosphor, Fluor, Arsen, Bor und/ oder Antimon ist.
- 6. Verfahren zur Herstellung einer-.Halbleitervor-. richtung gemäss Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Gasatmosphäre, welchedie Verunreinigungen im Plasmazustand enthält, ein Trägergas zur leichteren Abgabe enthält.
- 7. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung gemäss Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Potentialveränderung in dem Halbleitersubstrat durch die Bildung eines Eigenpotentials bewirkt wird.
- 8. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung gemäss Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Elektronen in einem Strahl oder Schauer zur indirekten Beladung des Halbleiters '■-. bestrahlt werden, wodurch der HaIbleiter negativ geladen wird und die Verunreinigungen im Plasmazustand an dem Halbleiter anhaften.
- 9. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung gemäss Anspruch 1, dadurch g e k e η η 20* zeichnet, dass die Potentialänderung in dem Halbleitersubstrat durch Anlegen eines Potentials daran aus einer äusseren Quelle bewirkt wird.
- 10. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervor-richtung gemäss Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet , dass die Bestrahlung nach der Anhaftung der Verunreinigungen auf den freiliegenden Teilen der Oberfläche des HalbleiterSubstrats abläuft.
- 11. Vorrichtung zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung,gekennzeichnet durch ein verschlössenes Gefäss (2) mit einem darin angeordneten Halbleitersubstrat (1), wobei in das Gefäss (2) ein eine Verunreinigung enthaltendes Gas eingeleitet wird; einer innerhalb des verschlossenen Gefässeszur Anlegung eines Potentials an das Halbleitersubstrat installierte Elektrode (5, 6); Mittel zum Umwandeln des Gases in ein Plasma und Mittel zur Bestrahlung einer Oberfläche des Halbleitersubstrats. 10
- 12. Vorrichtung gemäss Anspruch 1i1 / dadurch gekennzeichnet, dass die Elektrode eine Elektronenquelle für die indirekte Aufladung des Substrates ist.
- 13. Vorrichtung gemäss Anspruch 11, gekennzeichnet durch eine an einer Gleichstromquelle angeschlossene Elektrode und Mittel zum Anlegen eines Potentials an das Substrat von ausserhalb des Gefässes.
- 14. Vorrichtung gemäss Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Umwandlungsvorrichtung aus wenigstens einem Elektrodenpaar und einer Hochfrequenzniedrigspannungsquelle, die an die Elektroden angeschlossen 1st, besteht.
- 15. Vorrichtung gemäsß Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass das Bestrahlungsmittel ein Laser ist und dass Mittel zur'Überwachung der Anwendungdes Laserstrahls vorhanden sind.
- 16. Vorrichtung gemäss Anspruch 11, dadurch g e k e η η zeichnet, dass das Bestrahlungsmittel eine Elektronenstrahlvorrichtung ist.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8780081A JPS57202726A (en) | 1981-06-05 | 1981-06-05 | Manufacture of semiconductor device |
JP8779981A JPS57202729A (en) | 1981-06-05 | 1981-06-05 | Manufacture of semiconductor device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3221180A1 true DE3221180A1 (de) | 1983-01-05 |
DE3221180C2 DE3221180C2 (de) | 1989-11-23 |
Family
ID=26429044
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19823221180 Granted DE3221180A1 (de) | 1981-06-05 | 1982-06-04 | Verfahren und vorrichtung zur herstellung einer halbleitervorrichtung |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4465529A (de) |
DE (1) | DE3221180A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4331937A1 (de) * | 1993-09-16 | 1994-03-17 | Ulrich Prof Dr Mohr | Verfahren zur Eindiffusion von Dotanten in Halbleiterfestkörper |
Families Citing this family (50)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4618381A (en) * | 1983-05-26 | 1986-10-21 | Fuji Electric Corporate Research And Development Ltd. | Method for adding impurities to semiconductor base material |
US4698104A (en) * | 1984-12-06 | 1987-10-06 | Xerox Corporation | Controlled isotropic doping of semiconductor materials |
US4912065A (en) * | 1987-05-28 | 1990-03-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma doping method |
KR930003857B1 (ko) * | 1987-08-05 | 1993-05-14 | 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤 | 플라즈마 도우핑방법 |
US5180690A (en) * | 1988-12-14 | 1993-01-19 | Energy Conversion Devices, Inc. | Method of forming a layer of doped crystalline semiconductor alloy material |
AU5977190A (en) * | 1989-07-27 | 1991-01-31 | Nishizawa, Junichi | Impurity doping method with adsorbed diffusion source |
EP0417456A3 (en) * | 1989-08-11 | 1991-07-03 | Seiko Instruments Inc. | Method of producing semiconductor device |
CA2031254A1 (en) * | 1989-12-01 | 1991-06-02 | Kenji Aoki | Doping method of barrier region in semiconductor device |
EP0505877A2 (de) * | 1991-03-27 | 1992-09-30 | Seiko Instruments Inc. | Dotierungsverfahren mittels einer adsorbierten Diffusionsquelle |
JP3285934B2 (ja) * | 1991-07-16 | 2002-05-27 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
US5424244A (en) * | 1992-03-26 | 1995-06-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process for laser processing and apparatus for use in the same |
JP3430552B2 (ja) * | 1993-05-07 | 2003-07-28 | ソニー株式会社 | ダイヤモンド半導体の製造方法 |
US5543356A (en) * | 1993-11-10 | 1996-08-06 | Hitachi, Ltd. | Method of impurity doping into semiconductor |
US5851906A (en) * | 1995-08-10 | 1998-12-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Impurity doping method |
JP3080867B2 (ja) | 1995-09-25 | 2000-08-28 | 日本電気株式会社 | Soi基板の製造方法 |
TW371776B (en) * | 1995-10-15 | 1999-10-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Laser irradiation apparatus and method |
US6451674B1 (en) | 1998-02-18 | 2002-09-17 | Matsushita Electronics Corporation | Method for introducing impurity into a semiconductor substrate without negative charge buildup phenomenon |
US7294563B2 (en) * | 2000-08-10 | 2007-11-13 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor on insulator vertical transistor fabrication and doping process |
US6893907B2 (en) | 2002-06-05 | 2005-05-17 | Applied Materials, Inc. | Fabrication of silicon-on-insulator structure using plasma immersion ion implantation |
US7166524B2 (en) * | 2000-08-11 | 2007-01-23 | Applied Materials, Inc. | Method for ion implanting insulator material to reduce dielectric constant |
US7223676B2 (en) | 2002-06-05 | 2007-05-29 | Applied Materials, Inc. | Very low temperature CVD process with independently variable conformality, stress and composition of the CVD layer |
US6939434B2 (en) | 2000-08-11 | 2005-09-06 | Applied Materials, Inc. | Externally excited torroidal plasma source with magnetic control of ion distribution |
US7094670B2 (en) | 2000-08-11 | 2006-08-22 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation process |
US7320734B2 (en) * | 2000-08-11 | 2008-01-22 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation system including a plasma source having low dissociation and low minimum plasma voltage |
US7183177B2 (en) * | 2000-08-11 | 2007-02-27 | Applied Materials, Inc. | Silicon-on-insulator wafer transfer method using surface activation plasma immersion ion implantation for wafer-to-wafer adhesion enhancement |
US7430984B2 (en) * | 2000-08-11 | 2008-10-07 | Applied Materials, Inc. | Method to drive spatially separate resonant structure with spatially distinct plasma secondaries using a single generator and switching elements |
US7465478B2 (en) | 2000-08-11 | 2008-12-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation process |
US7288491B2 (en) * | 2000-08-11 | 2007-10-30 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation process |
US7303982B2 (en) * | 2000-08-11 | 2007-12-04 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation process using an inductively coupled plasma source having low dissociation and low minimum plasma voltage |
US7479456B2 (en) | 2004-08-26 | 2009-01-20 | Applied Materials, Inc. | Gasless high voltage high contact force wafer contact-cooling electrostatic chuck |
US7094316B1 (en) | 2000-08-11 | 2006-08-22 | Applied Materials, Inc. | Externally excited torroidal plasma source |
US7137354B2 (en) * | 2000-08-11 | 2006-11-21 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation apparatus including a plasma source having low dissociation and low minimum plasma voltage |
US7037813B2 (en) * | 2000-08-11 | 2006-05-02 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation process using a capacitively coupled plasma source having low dissociation and low minimum plasma voltage |
US20050211547A1 (en) * | 2004-03-26 | 2005-09-29 | Applied Materials, Inc. | Reactive sputter deposition plasma reactor and process using plural ion shower grids |
US7244474B2 (en) | 2004-03-26 | 2007-07-17 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition plasma process using an ion shower grid |
US7695590B2 (en) | 2004-03-26 | 2010-04-13 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition plasma reactor having plural ion shower grids |
US7291360B2 (en) | 2004-03-26 | 2007-11-06 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition plasma process using plural ion shower grids |
US8058156B2 (en) | 2004-07-20 | 2011-11-15 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation reactor having multiple ion shower grids |
US7767561B2 (en) | 2004-07-20 | 2010-08-03 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation reactor having an ion shower grid |
US7666464B2 (en) * | 2004-10-23 | 2010-02-23 | Applied Materials, Inc. | RF measurement feedback control and diagnostics for a plasma immersion ion implantation reactor |
US7428915B2 (en) * | 2005-04-26 | 2008-09-30 | Applied Materials, Inc. | O-ringless tandem throttle valve for a plasma reactor chamber |
US7312162B2 (en) * | 2005-05-17 | 2007-12-25 | Applied Materials, Inc. | Low temperature plasma deposition process for carbon layer deposition |
US20060260545A1 (en) * | 2005-05-17 | 2006-11-23 | Kartik Ramaswamy | Low temperature absorption layer deposition and high speed optical annealing system |
US7422775B2 (en) * | 2005-05-17 | 2008-09-09 | Applied Materials, Inc. | Process for low temperature plasma deposition of an optical absorption layer and high speed optical annealing |
US7109098B1 (en) | 2005-05-17 | 2006-09-19 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor junction formation process including low temperature plasma deposition of an optical absorption layer and high speed optical annealing |
US7312148B2 (en) * | 2005-08-08 | 2007-12-25 | Applied Materials, Inc. | Copper barrier reflow process employing high speed optical annealing |
US7429532B2 (en) * | 2005-08-08 | 2008-09-30 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate process using an optically writable carbon-containing mask |
US7323401B2 (en) * | 2005-08-08 | 2008-01-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate process using a low temperature deposited carbon-containing hard mask |
US7335611B2 (en) * | 2005-08-08 | 2008-02-26 | Applied Materials, Inc. | Copper conductor annealing process employing high speed optical annealing with a low temperature-deposited optical absorber layer |
KR20090106617A (ko) * | 2007-01-19 | 2009-10-09 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 플라스마 함침 챔버 |
Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US361734A (en) * | 1887-04-26 | Bekghe | ||
US2816847A (en) * | 1953-11-18 | 1957-12-17 | Bell Telephone Labor Inc | Method of fabricating semiconductor signal translating devices |
US3428546A (en) * | 1966-09-27 | 1969-02-18 | Atomic Energy Commission | Apparatus for vacuum deposition on a negatively biased substrate |
US3540925A (en) * | 1967-08-02 | 1970-11-17 | Rca Corp | Ion bombardment of insulated gate semiconductor devices |
US3907616A (en) * | 1972-11-15 | 1975-09-23 | Texas Instruments Inc | Method of forming doped dielectric layers utilizing reactive plasma deposition |
DE2513034A1 (de) * | 1974-03-27 | 1975-10-02 | Anvar | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von dotierten duennen halbleiterschichten |
DE2457969A1 (de) * | 1974-12-07 | 1976-06-10 | Philips Patentverwaltung | Verfahren zur ausbildung einer diffundierten zone an der oberflaeche eines halbleiterkoerpers |
DE2824564A1 (de) * | 1977-06-06 | 1978-12-14 | Thomson Csf | Verfahren zum herstellen von elektronischen einrichtungen |
US4147563A (en) * | 1978-08-09 | 1979-04-03 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Method for forming p-n junctions and solar-cells by laser-beam processing |
DE1955130B2 (de) * | 1968-11-04 | 1979-11-29 | International Business Machines Corp., Armonk, N.Y. (V.St.A.) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen mit eindiffundierten Störstellenfronten geringer Eindringtiefe und mit hoher Störstellendichte an der Halbleiteroberfläche |
DE2944382A1 (de) * | 1978-11-02 | 1980-05-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | Verfahren zur herstellung eines duennfilmphotoleiters |
US4229232A (en) * | 1978-12-11 | 1980-10-21 | Spire Corporation | Method involving pulsed beam processing of metallic and dielectric materials |
EP0028678A2 (de) * | 1979-08-29 | 1981-05-20 | Hitachi, Ltd. | Störstoffdiffusionsverfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung |
DD150479A1 (de) * | 1979-01-29 | 1981-09-02 | Hans Bruchlos | Verfahren und vorrichtung zum aufbringen von duennen schichten |
DE3117252A1 (de) * | 1980-05-02 | 1982-08-12 | Nippon Telegraph & Telephone Public Corp., Tokyo | Plasmaauftragvorrichtung |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3576685A (en) * | 1968-03-15 | 1971-04-27 | Itt | Doping semiconductors with elemental dopant impurity |
US3718502A (en) * | 1969-10-15 | 1973-02-27 | J Gibbons | Enhancement of diffusion of atoms into a heated substrate by bombardment |
JPS568816A (en) * | 1979-07-04 | 1981-01-29 | Fujitsu Ltd | Manufacture of amorphous silicon film |
US4340617A (en) * | 1980-05-19 | 1982-07-20 | Massachusetts Institute Of Technology | Method and apparatus for depositing a material on a surface |
US4364778A (en) * | 1980-05-30 | 1982-12-21 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Formation of multilayer dopant distributions in a semiconductor |
US4342631A (en) * | 1980-06-16 | 1982-08-03 | Illinois Tool Works Inc. | Gasless ion plating process and apparatus |
-
1982
- 1982-06-04 US US06/385,137 patent/US4465529A/en not_active Expired - Lifetime
- 1982-06-04 DE DE19823221180 patent/DE3221180A1/de active Granted
Patent Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US361734A (en) * | 1887-04-26 | Bekghe | ||
US2816847A (en) * | 1953-11-18 | 1957-12-17 | Bell Telephone Labor Inc | Method of fabricating semiconductor signal translating devices |
US3428546A (en) * | 1966-09-27 | 1969-02-18 | Atomic Energy Commission | Apparatus for vacuum deposition on a negatively biased substrate |
US3540925A (en) * | 1967-08-02 | 1970-11-17 | Rca Corp | Ion bombardment of insulated gate semiconductor devices |
DE1955130B2 (de) * | 1968-11-04 | 1979-11-29 | International Business Machines Corp., Armonk, N.Y. (V.St.A.) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen mit eindiffundierten Störstellenfronten geringer Eindringtiefe und mit hoher Störstellendichte an der Halbleiteroberfläche |
US3907616A (en) * | 1972-11-15 | 1975-09-23 | Texas Instruments Inc | Method of forming doped dielectric layers utilizing reactive plasma deposition |
DE2513034A1 (de) * | 1974-03-27 | 1975-10-02 | Anvar | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von dotierten duennen halbleiterschichten |
DE2457969A1 (de) * | 1974-12-07 | 1976-06-10 | Philips Patentverwaltung | Verfahren zur ausbildung einer diffundierten zone an der oberflaeche eines halbleiterkoerpers |
DE2824564A1 (de) * | 1977-06-06 | 1978-12-14 | Thomson Csf | Verfahren zum herstellen von elektronischen einrichtungen |
US4147563A (en) * | 1978-08-09 | 1979-04-03 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Method for forming p-n junctions and solar-cells by laser-beam processing |
DE2944382A1 (de) * | 1978-11-02 | 1980-05-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | Verfahren zur herstellung eines duennfilmphotoleiters |
US4229232A (en) * | 1978-12-11 | 1980-10-21 | Spire Corporation | Method involving pulsed beam processing of metallic and dielectric materials |
DD150479A1 (de) * | 1979-01-29 | 1981-09-02 | Hans Bruchlos | Verfahren und vorrichtung zum aufbringen von duennen schichten |
EP0028678A2 (de) * | 1979-08-29 | 1981-05-20 | Hitachi, Ltd. | Störstoffdiffusionsverfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung |
DE3117252A1 (de) * | 1980-05-02 | 1982-08-12 | Nippon Telegraph & Telephone Public Corp., Tokyo | Plasmaauftragvorrichtung |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4331937A1 (de) * | 1993-09-16 | 1994-03-17 | Ulrich Prof Dr Mohr | Verfahren zur Eindiffusion von Dotanten in Halbleiterfestkörper |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3221180C2 (de) | 1989-11-23 |
US4465529A (en) | 1984-08-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3221180A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur herstellung einer halbleitervorrichtung | |
DE3118785C2 (de) | ||
DE1621599C2 (de) | Einrichtung zum Abtragen von Verunrei nigungen einer auf einem Halbleiterkörper aufgebrachten metallischen Schicht im Be reich von kleinen Offnungen einer Isolier schicht durch Kathodenzerstäubung | |
DE2902875C2 (de) | Vorrichtung zur kontaktlosen Kontaktkopie | |
DE2824564A1 (de) | Verfahren zum herstellen von elektronischen einrichtungen | |
DE1564963C3 (de) | Verfahren zum Herstellen eines stabilisierten Halbleiterbauelements | |
DE2647242A1 (de) | Elektrolithographische vorrichtung | |
DE2160427C3 (de) | ||
DE2546697A1 (de) | Verfahren zum elektrochemischen abscheiden eines materials auf einem halbleiterkoerper | |
DE2726003A1 (de) | Verfahren zur herstellung von mis- bauelementen mit versetztem gate | |
EP0002472B1 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum Aufbringen von dotiertem Halbleitermaterial auf die Oberfläche eines Halbleitersubstrats | |
DE2917654A1 (de) | Anordnung und verfahren zum selektiven, elektrochemischen aetzen | |
DE2904171C2 (de) | ||
DE19534574C2 (de) | Dotierverfahren zur Herstellung von Homoübergängen in Halbleitersubstraten | |
DE3310545C2 (de) | Nicht-massenanalysiertes Ionenimplantationsverfahren | |
DE2231891C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer wannenartigen, amorphen Halbleiterschicht | |
DE19708766A1 (de) | Lithographiemaske und Verfahren zur Herstellung derselben | |
DE2811414A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur dotierung eines halbleiter-substrats durch implantation von ionen | |
DE2023936B2 (de) | Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE3542111A1 (de) | Verfahren zur durchfuehrung eines glimmprozesses | |
DE3015362A1 (de) | Solarbatterie | |
DE1186952B (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Umwandeln von n- in p-leitendes Halbleitermaterial fuer Halbleiterbauelemente durch Beschuss mit einem Elektronenstrahl | |
DE69033271T2 (de) | Verfahren zur Erzeugung eines ohmischen Metall-/Halbleiter-Kontakts | |
DE3132080A1 (de) | Verfahren zum herstellen integrierter schaltungen | |
DE3006716A1 (de) | Verfahren zum elektroplattieren |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OR8 | Request for search as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law | ||
8125 | Change of the main classification |
Ipc: H01L 21/225 |
|
8126 | Change of the secondary classification |
Free format text: H01L 21/268 H05H 1/46 |
|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8320 | Willingness to grant licences declared (paragraph 23) |