DE2811414A1 - Verfahren und vorrichtung zur dotierung eines halbleiter-substrats durch implantation von ionen - Google Patents

Verfahren und vorrichtung zur dotierung eines halbleiter-substrats durch implantation von ionen

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Description

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KAItNIANWALI KÜHHORNSHOFWEG 10 „ o „
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A 92
Agence Nationale de Valorisation de la Recherche (Anvar) Neuilly-Sur-Seine (Frankreich)
Verfahren und Vorrichtung zur Dotierung eines Halbleiter-Substrats
durch Implantation von Ionen
Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Dotieren eines Halbleiter~Substrats durch Implantation von Ionen» insbesondere mit geringer9 aber genau definierter Dotierungstiefe„
Die Herstellung zahlreicher Halbleiterbauelemente erfordert eine Dotierung mittels Akzeptor= oder Donator-Verunreinigungen bis nahe an die Lösliehkeitsgrenze und bis zu einer sehr geringen Tiefe, jedoch mit genau definierter Konzentrationo So muß beispMsweise bei bestimmten integrierten Schaltungen» bestimmten Dioden? Nuklear ■= Strahlungsdetektoren und vor allem bei foto= voltaischen Zellen die Oberflächenleitfähigkeit so hoch wie möglich sein,, um die ©fernsehen Umformungsverluste gering zu halteno Die klassischen Verfahren der Oberflächendotierung durch thermische Diffusion oder Ionenimplantation stoßen auf Schwierigkeiten» wenn man dieses Ergebnis zu erzielen versucht» insbesondere bei der Herstellung von fotovoltaischen Sonnenzelleno Das zuerst genannte Verfahren ist nicht auf polykristaMne Substrate anwendbar, weil die Kornverbindungen die verfügbaren Verunreinigungen konzentrieren^ Eine direkte Ionenimplantation ist dagegen kostspielig, weil die Einrichtung kompliziert ist und die erzielbaren Xonenströme in der Regel eine zu geringe Dichte aufweisen»
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um in einer annehmbaren Zeit eine größere Oberfläche abzudecken.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Dotieren eines Halbleiter-Substrats durch Ionenbestrahlung anzugeben, daß die Herstellung ohmscher Kontakte uad die Erzielung einer hohen und homogenen Konzentration auf einfache Weise gestattet.
Zur Lösung dieser Aufgabe besteht das erfindungsgemäße Verfahren darin, daß Verunreinigungsdotierungsionen durch eine Entladung in einer Atmosphäre mit einem Verunreinigungsgas erzeugt werden und daß diese Ionen durch Anlegen einer Spannung extrahiert und beschleunigt werden, die in Abhängigkeit von der gewünschten Tiefe der Dotierung des Substrats gewählt ist. Obwohl dieses Verfahren hinsichtlich der Art der Dotierung angenähert mit den klassischen Ionenimplantationsverfahren vergleichbar ist, unterscheidet es sich doch wesentlich in der Art der Erzeugung des Ionenstrahlbündels, das anschließend in Richtung auf das Substrat beschleunigt wird.
Sodann ist es nach der Erfindung möglich, um einige Größenordnungen höhere Ionenstromstärken zu erzielen, als es bei der herkömmlichen Ionenimplantation zulässig ist.
Abhängig von der vorgesehenen Anwendung des Substrats, ist es möglich, nur eine oder beide Seiten des Substrats zu behandeln.
Zu den möglichen Anwendungsgebieten zählt die Herstellung fotovoltaischer Zellen durch Implantation von Ionen in ein Substrat aus monokristallinem, polykristalinem (der Regelfall) oder amorphem Silizium. Das Substrat kann in Form eines Bandes vorliegen, was eine besonders wirtschaftliche Herstellung ermöglicht, oder in Form von Platten, die nacheinander und kontinuierlich zugeführt werden.
Die Vorrichtung zum Dotieren eines Halbleiter-Substrats durch Implantation von Ionen eines Dotierungsmittels zeichnet sich
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erfindungsgemäß dadurch aus, daß die Vorrichtung eine Entladungskammer aufweist, die mit Mitteln zur Aufrechterhaltung einer Verunreinigungsatmosphäre unter ^iem Unterdruck und mit Mitteln zur Ausbildung einer elektrischen Entladung zwischen zwei Elektroden versehen ist, von denen die eine eine Ionenaustrittselektrode bildet und von einer öffnung zur Ex= traktion in eine Kammer durchsetzt ist9 in der das Substrat angeordnet ist, und daß eine Elektrode zur Beschleunigung der Verunreinigungsionen in unmittelbarer Nähe der Austrittselektrode zwischen dieser und dem Substrat angeordnet isto
Vorzugsweise ist dafür gesorgt, daß die das Substrat aufweisende Kammer, die Implantationskammer 0 mit Mitteln zum Zuführen und Abführen des Substrats sowie mit Mitteln zur Aufrechterhaltung
-2 =4
eines Unterdrucks von etwa 10 bis 10 mm Quecksilbersäule versehen ist. Die Dichte der Xonenströme liegt im allgemeinen zwischen etwa 0,1 mA/cm bis etwa 1 mA/cm „ zumindest vena, nur eine Austrittsöffnung vorgesehen isto Es ist jedoch auch möglich, eine Austrittselgktrode vorzusehen 9 die mehrere Aus= trittsöffnungen aufweist»/daß sich die Gesamtstromdichte erhöhte Sodann können mehrere Entladungskammern vorgesehen seinp die jeweils ein Ionenstrahlbündel in die Implantationskammer liefern«,
Die Entladungs- und Beschleunigungsspannungen liegen jeweils etwa bei einigen Kilovolt und bei einigen 10KV0
Die Ionenquelle ist sehr einfach und hat ein geringes Gewichte Sie kann so ausgebildet $ein8 daß si® als Ganzes relativ zum Substrat verschiebbar ist, so daß die Ionen in den wichtigen Flächen des Substrats durch mechanische Auslenkabtastung eingebracht werden könnexu
Aufgrund der erfindungsgemäßen Art der Ionenerzeugungteomrnt man ohne jeden Magneten zur Analysierung oder Auswahl der Energie und ohne stabilisierte Hochspamiungsversorgung auso Infolge= .dessen kann man eine verhältnismäßig einfache oder eine sdbhe
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Hochspannungsversorgungseinrichtung verwenden, bei der sich die Ausgangsspannung so ändern läßt, daß es möglich ist, inhomogene Implantationsprofile in Abhängigkeit von den Erfordernissen auszubilden.
Die Erfindung und ihre Weiterbildungen werden im folgenden anhand der schematischen Zeichnung eines bevorzugten Ausführungsbeispiels einer Vorrichtung zur Behandlung eines Bandes aus polykristalinem Silizium beschrieben. Die Zeichnung stellt einen vertikalen Axialschnitt längs der Achse der Vorrichtung dar.
Die dargestellte Vorrichtung weist als wesentliches Element eine Dotierungszelle 10 auf. Diese Zelle 10 kann getrennt verwendet werden. Es ist jedoch günstiger, insbesondere für eine kontinuierliche Behandlung, verschiedene Zellen für Behandlungen vor und nach der Implantation anzuschließen, wie es in der Zeichnung dargestellt ist.
Die Dotierungszelle weist folgende Teile auf: ein Entladungsrohr zur Erzeugung von Verunreinigungsionen, eine Beschleunigungseinrichtung, die es gestattet, die Ionen aus dem Rohr abzuziehen und ihnen eine hinreichend hohe Energie über eine kurze Distanz zu erteilen, und eine Implantationskammer.
An die Dotierungszellen sind Anschlußeinrichtungen angeschlossen, wie eine Versorgungseinrichtung, eine Regeleinrichtung und eine Verschiebungseinrichtung.
Das Entladungsrohr weist ein isolierendes Gefäß mit einem Rohr 13, zum Beispiel aus durch Abschrecken gehärtetem Glas oder Quarz, und einen ebenfalls isolierenden Boden auf, der von einer ■Stange 14a zur Lageeinstellung einer Entladungselektrode 14 durchsetzt ist, die aus einem Material besteht, das dem Ladungsträge rbeschuß widersteht, dem es im Betrieb ausgesetzt ist, Izum Beispiel aus FoIfram, Tantal oder Molybdän. Unten ist das
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Rohr 13 an einer Muffe 15 befestigt, die die zweite Entladungselektrode 16 trägt. Die Entladungselektrode 16 weist ein durchgehendes Loch mit einem Querschnitt von einigen Quadratmillimetern auf und bildet die Ionenaustrittselektrode0 In die von dem Gefäß gebildete Kammer 17 mündet eine Zuführeinrichtung für ein n- oder p-leitendes zur Implantation verwendetes Verunreinigungsgas.
Die Zuführeinrichtung v/eist ein mit einem lecksicheren Regelventil 18 versehenes Rohr auf, das im unteren Teil der Muffe mündet. In der Dotierungszelle v/ird ein Unterdruck von etwa o,1 mm Quecksilbersäule durch Pumpwirkung aufrechterhalten 9 sei es direkt und/oder, wie dargestellt, über die Elektrode 16„ Das zugeführte Gas ist im wesentlichen ein Verunreinigungshalogenid, zum Beispiel BF^ oder PCIc ο Eine Gleichspannungsquelle 19 ermöglicht die Aufrechterhaltung einer Spannung zwischen den Elektroden 14 und 16, die bei dem in der Kammer herrschenden Druck eine elektrische Entladung bewirkte Hierbei kann der gesamte Bereich ausgenutzt werden;, der zwischen einem einfachen Auffangen der Ladungen (bei entsprechend schwachen Strömen) und einer Bogenentladung liegt (die eine rasche Abnutzung des Geräts und Instabilitäten aufgrund der negativen Widerstandscharakteristik von Lichtbogen zur Folge hat)0 In der Regel wird man jedoch den Bereich der Bogenentladung wählen, in dem sich leicht höhere Ionenstromstärken von mehr als 10 mA erzielen lassen0 Hierfür genügt eine Spannungsquelle 19 von einigen Kilovolt„ Die Elektrode 14 ist mit Hilfe der Stange 14a zur Vermeidung von Zündschwierigkeiten verstellbare Vorzugsweise ist ein Strombegrenzungswiderstand 20 zum Schutz der Spannungsquelle 19 vorgesehen,,
Die lonenbeschleunigungsvorrichtung wird über die Elektrode an Spannung gelegte Sie waist einen Isolator 21 zwischen der Muffe 15 und einem Halter für eine Absaug= und Beschleunigungselektrode 22 auf* Zur Abdichtung sind Dichtringe vorgesehene Die Elektrode 22 ist konisch und endet in unmittelbarer
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Nähe der Elektrode 16, und zwar in einem Abstand von etwa 10 mm. Eine Hochspannungsquelle 23 von einigen 10 KV liefert die Beschleunigungsspannung zwischen den Elektroden 16 und 22. Die Abmessungen der Löcher in den Elektroden bestimmen die Divergenz des Ionenstrahlenbündels.
Wie man sieht, werden die aus der Kammer 17 austretenden Ionen über eine kurze Strecke beschleunigt, so daß ein Anschlußgerät, wie ein Magnet, entfallen kann. Dennoch kann, falls eine Fokussierung zweckmäßig ist, ein magnetisches oder elektrostatisches Linsensystem vorgesehen sein.
Die Implantationskammer wird durch die Elektrode 22, ihren Halter und einen Kasten 24, durch den das Substrat in Form eines Bandes 25 hindurchlaufen kann, begrenzt.
Der Kasten 24 ermöglicht einen kontinuierlichen Durchlauf des Substratbandes senkrecht zu den Ionenstrahlen. Zu diesem Zweck weist er einen Roll en aufweisenden Bandförderer 26 auf. Das Substrat 25 tritt in die Kammer durch eine Zuführöffnung ein, die mit einer Lippendichtung 27 zur Leckminderung versehen ist. Die Eintrittsseite des Kastens 24 ist dicht an einer Hilfskammer 28 angeschlossen, die eine Pufferkammer bildet, in die das Substrat 25 ebenfalls durch eine Lippendichtung 29 hindurch eintritt.
In ähnlicher Weise tritt das Substrat aus dem Kasten 24 in eine Hilfskammer 29a über eine Lippendichtung 30 ein.
Die Implantationskammer enthält ferner eine Blende 31, die in unmittelbarer Nähe des Substrats (in einem Abstand von einigen Millimetern) angeordnet und mittels eines Halters 32 und eines Isolators 32a zur Messung des Blendenstroms an der Wand des Kastens 24 befestigt ist.
Der Kasten 24 ist mit einem Rohr 33 für den Anschluß einer
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Vakuumpumpe zur Aufrechterhaltung eines Unterdrucks von etwa
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10 bis etwa 10 torr versehen. Da die Entladungskammer 17 an der Implantationskammer über das Loch in der Elektrode 22 angeschlossen ist, braucht sie keine Mittel zur Ausbildung des Unterdrucks zu enthalten.
Die Menge der vom Substrat aufgefangenen Ionen kann mit Hilfe eines Milliampe'remeters 34 gemessen werden, das zwischen Substrat und Masse liegt. Ein zweites Milliampdremeter 35 kann zwischen Blende 31 oder Halter 32 und Masse geschaltet sein«, Die von der Entladungskammer und der Beschleunigungsvorrichtung gebildete Anordnung ist nicht starr mit dem Kasten 24 verbunden, sondern über ein Wellrohr 36, das eine Verschiebung der Anordnung relativ zum Kasten 24 ermöglicht. Diese Verschiebung kann mit herkömmlichen Mitteln bewirkt werden, zum Beispiel mittels des schematisch dargestellten Exzenters 37»
Die Dotierungsvorrichtung kann einen einzigen Kasten 24 aufweisen, vorzugsweise weist sie jedoch zwei seitliche Kästen beziehungsweise Kammern 28 und 29a, die Leckverluste zur Atmosphäre hin verringern, auf. Häufig muß das Substrat auch einer Vorbehandlung unmittelbar vor der Implantation und/oder einer Erweichungsbehandlung nach einer Implantation unterzogen werden. Bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel werden alle Behandlungen kontinuierlich in derselben Vorrichtung ausgeführt» So muß das Substrat häufig unmittelbar vor einer Ionenimplantation dekapiert (gebeizt) werden. Zu diesem Zweck besitzt die dargestellte Vorrichtung eine Dekapiereinheit 11, die einen dem Kasten 24 sehr ähnlichen Kasten 38 aufweist, der wie dieser mit einem Förderer 39 und einer Lippendichtung 40 versehen ist. Auf diesem Kasten ist ein lonenerzeuger 41 dicht angebaut5 der über ein äußerst leckarmes Ventil 42 mit Argon und aus einer geeigneten Spannungsquelle 43 versorgt wirdo Anstelle eines Argonionenerzeugers kann auch eine ähnliche Entladungskammer wie die Implantationskammer oder ein anderes Dekapierverfahren angewandt werden.
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Wenn das Substrat aus polykristallinen! Silizium besteht, muß die Oberfläche, bei einer Temperatur von etwa 8000C bis 9000C, angelassen werden, um den Oberflächenwiderstand bis auf einen so geringen Wert zu verringern, wie er für eine fotovoltaische Zelle erforderlich ist.
Dieses Anlassen oder Weichmachen geschieht mittels einer Hilfseinheit 12, die einen den anderen ähnlichen Kasten 44 aufweist, der mit einem Elektronenerzeuger 45 zur Bestrahlung des bandförmigen Substrats 25 versehen ist. Der Elektronenerzeuger (auch Elektronenkanone genannt) kann durch einen Langwellen-Laser oder sogar eine Glühlampe oder einen elektrischen Heizfaden ersetzt werden.
Schließlich weist die Vorrichtung zwei Abschlußkästen 46 auf, deren einziger Zweck darin besteht, für einen möglichst leckdichten Abschluß zu sorgen.
Alle dargestellten Kästen oder Kammern sind mit eiiem Anschlußrohr für eine Saugpumpe versehen. In bestimmten Fällen ist es möglich, diese Anschlüsse wegzulassen.
Das erfindungsgemäße Verfahren braucht nicht mehr ausführlich beschrieben zu werden, da es äch bereits im wesentlichen aus der Beschreibung der Vorrichtung ergibt. Sobald in der Vorrichtung der erforderliche Unterdruck ausgebildet worden ist, werden die Argonionenerzeugungseinrichtung, die Anlaß-Elektronenerzeugungseinrichtung, die Implantationseinrichtung und die Förderer eingeschaltet, die Entladung durch Annäherung der Elektroden 14 und 16 gezündet, anschließend die Elektroden wieder bis auf den erforderlichen Abstand voneinander entfernt und die Ionenerzeuger durch Regulierung der Hochspannungsquelle 19 eingestellt, wobei die Einstellung mittels des Milliampe1 reine ters 34 überwacht werden kann.
Unter den zahlreichen Anwendungsgebieten der Erfindung sind
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die folgenden besonders hervorzuheben:
Ausbildung von pn-Übergängen durch Implantation von Donatoroder Akzeptor-Ionen in ein Material mit n- oder p-Leitfähigkeit.
Ausbildung ohmscher Kontakte durch Implantation eines n- oder p-Dotierungsmittels in ein Substrat, das bereits n« oder p-Leitfähigkeit besitzt.
Dies ist bei der Herstellung eines pn-Übergangs durch An schließen einer oder mehrerer Hilfseinrichtungen an die Substrat-Förderstrecke der Anlage möglich.
Sodann ist es möglich, durch eine Ionenimplantation Legierungen oder chemische Oberflächenverbindungen mit einem Metall zu bilden, um dessen Korrosionsfestigkeit oder mechanische Widerstandsfähigkeit zu verbessern»
Das Verfahren und die Vorrichtung eignen sich besonders zur Herstellung fotovoltaisches Sonnen2ellen9 auch Foto-Spannungszellen oder Foto-Elemente genannt, durch Implantation von Oberflechenverunreinigungen oder Dotierung mit Verunreinigungen mit einem Gehalt, der die Löslichkeitsgrenze einer Verunreinigung oder von Verunreinigungen in einem monokrista]3inen9 polykristallinen oder sogar amorphen bandförmigen oder plattenförmigen Silizium-Substrat erreicht.
So sind beispielsweise fοtovoItaische Sonnenzellen mit pnübergang in einer Atmosphäre aus BF^ und PF^ mit einer Entladungsspannung von 9 kV hergestellt worden., Die Dosis betrug
jeweils 10 und 7 (mA/cm ) χ mno Die auf diese Weise herge-
stellten Zellen lieferten bei einer Bestrahlung mit 100 mW/cm ι im Falle der in einer Atmosphäre aus BF, dotierten Zelle; V- = 500 bis 530 mV?
OC
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I = 32 bis 35 mA/cm
SC
und im Falle der in der PF,--AtmoSphäre dotierten Zelle:
γ = 500 bis 510 mV;
OC Q
I = 28 bis 29 mA/cm .
Abwandlungen des beschriebenen Ausführungsbeispiels liegen im Rahmen der Erfindung. So können mehrere aufeinanderfolgende Behandlungen (Dekapierung, Implantation und Anlassen) im selben Gefäß bei Unterdruck durchgeführt werden.
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Claims (16)

  1. Patentansprüche
    Verfahren zum Dotieren eines Halbleiter-Substrats durch Implantation von Ionen, dadurch gekennzeichnet, daß Verunreinigungsdotierungsionen durch eine Entladung in einer Atmosphäre mit einem Verunreinigungsgas erzeugt werden und daß diese Ionen durch Anlegen einer Spannung extrahiert und beschleunigt werden, die in Abhängigkeit von der gewünschten Tiefe der Dotierung des Substrats gewählt ist.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Ionen durch Entladung in einer verunreinigungshalogenhaltigen Atmosphäre unter einem Druck von etwa OS1 bis etwa 10 Quecksilbersäule erzeugt werdeno
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet 9 daß durch das Substrat ein Strom mit einer Stärke von etwa 0,1 mA/cm
    bis etwa 1 mA/cm geleitet wird»
  4. 4. Vorrichtung zum Dotieren eines Halbleiter-Substrats durch Implantation von Ionen eines Dotierungsmittels, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung eine Entladungskammer aufweist, die mit Mitteln zur Aufrechterhaltung einer Verunreinigungsatmosphäre unter einem Unterdruck und mit Mitteln zur Ausbildung einer elektrischen Entladung zwischen zwei Elektroden (14, 16) versehen ist, von denen die eine (16) eine Ionenaustrittselektrode bildet und von einer
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    Öffnung zur Extraktion in eine Kammer durchsetzt ist, in der das Substrat (25) angeordnet ist, und daß eine Elektrode (22) zur Beschleunigung der Verunreinigungsionen in unmittelbarer Nähe der Austrittselektrode (16) zwischen dieser und dem Substrat angeordnet ist.
  5. 5. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Beschleunigungselektrode (22) auf dem gleichen Potential wie das Substrat liegt und in einem Abstand von diesem angeordnet ist, der wesentlich größer als ihr Abstand von der Austrittselektrode (16) ist.
  6. 6. Vorrichtung nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Beschleunigungselektrode (22) von der Austrittselektrode einen Abstand in der Größenordnung von 1 cm hat und auf einem Potential von mehreren 10 kV relativ zu dieser liegt.
  7. 7. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 4 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die das Substrat aufweisende Kammer, die Implantationskammer, mit Mitteln zum Zuführen und Abführen des Substrats sowie mit Mitteln (33) zur Aufrechterhaltung eines Unterdrucks von etwa 10 bis 10 mm Quecksilbersäule versehen ist.
  8. 8. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 4 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß sie mehrere Entladungskammern aufweist, die jeweils ein Ionenstrahlbündel erzeugen, das auf das Substrat in der Implantationskammer gerichtet ist.
  9. 9. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 4 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Entladungskammer und die Elektroden eine Anordnung bilden, die an der Implantationskammer durch Mittel befestigt ist, die ihr eine Verschiebung gestatten, und daß Mittel vorgesehen sind, die es gestatten, dieser Anordnung eine Schwenkbewegung zu erteilen, um eine Auslenkabtastung des Substrats zu bewirken.
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  10. 10. Vorrichtung nach Anspruch 7, gekennzeichnet durch Mittel zum Befördern eines kontinuierlichen Bandes des Substrats (25) durch die Kammer senkrecht zur Richtung des Ionenstrahlbündels, das von der Beschleunigungselektrode (22) gelMert wird.
  11. 11. Vorrichtung nach Anspruch 10, gekennzeichnet durch Hilfsmittel, die in der Bahn des Bandes stromoberhalb der Implantationskammer angeordnet und mit Mitteln zum Dekapieren (Beizen) der Oberfläche des Substrats durch kathodische Pulverisierung oder Entladung versehen sind.
  12. 12. Vorrichtung nach Anspruch 8 oder 9, gekennzeichnet durch stromunterhalb der Implantationskammer in der Bahn des Bandes angeordnete Hilfsmittel (38, 41) mit einer Vorrichtung zum Weichmachen der Oberfläche des Substrats durch Elektronen- oder Fotononenbestrahlung oder durch Erwärmung.
  13. 13. Vorrichtung nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Hilfsmittel in Kammern vorgesehen sind, die von der Implantationskammer durch Dichtungen (25) getrennt sind, die von dem Substrat durchlaufen werden und einen leckarmen Weg zur Atmosphäre bilden, wobei die Kammern (28, 29a) mit Pumpmitteln versehen sind.
  14. 14. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 4 bis 13» dadurch gekennzeichnet, daß die Beschleunigungselektrode mit eine Parallelverschiebung zur Substratoberfläche gestattenden Mitteln (37) versehen ist.
  15. 15. Anwendung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 3» zur Herstellung eines pn-übergangs durch Implantation von n-p-Verunreinigungen in einem Material, vorzugsweise in p- oder η-leitendem polykristallinem Silicium.
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  16. 16. Anwendung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 3 zur Herstellung von fotovoltaischen Sonnenzellen in einem Substrat, vorzugsweise einem Silizium-Band, durch Implantation von Verunreinigungen in der Oberfläche in einer Konzentration nahe der Löslichkeitsgrenze von Verunreinigungen in Silizium.
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DE19782811414 1977-03-18 1978-03-16 Verfahren und vorrichtung zur dotierung eines halbleiter-substrats durch implantation von ionen Granted DE2811414A1 (de)

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