DE3310545A1 - Nicht-massenalalysiertes ionenimplantationsverfahren - Google Patents

Nicht-massenalalysiertes ionenimplantationsverfahren

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DE3310545A1 DE19833310545 DE3310545A DE3310545A1 DE 3310545 A1 DE3310545 A1 DE 3310545A1 DE 19833310545 DE19833310545 DE 19833310545 DE 3310545 A DE3310545 A DE 3310545A DE 3310545 A1 DE3310545 A1 DE 3310545A1
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Description

BESCHREIBUNG
Die Erfindung bezieht sich auf die Ionenimplantation und insbesondere auf ein nicht-massenanalysiertes Ionenimplantationsverfahren, bei dem Ionen von nicht-ausgewählter Art beschleunigt und in ein Target oder einen Auffänger implantiert werden.
Heute wird die Ionenimplantation als eine der wichtigen Techniken insbesondere bei der Halbleiterherstellung ausgewertet. Herkömmlicherweise beruhten die meisten Ionenimplantationsvorrichtungen zur Behandlung von Halbleitern auf der massenanalysierten Ionenimplantation, bei der eine Massenanalyse unter Verwendung eines von einem Magneten erzeugten, statischen Magnetfeldes durchgeführt und Ionen einer ausgewählten Art als-Ionenquelle verwendet werden. Die massenanalysierte Ionenimplantation hat den Vorteil der hohen Reinheit von implantierten Verunreinigungen, erfordert
^1 -7
führt zu einer Erhöhung des Implantationsstromes, was wiederum die Irnplantationsverfahrensgeschwindigkeit erhöht.
Bei der herkömmlichen nicht-massenanalysierten Ionenimplantation werden jedoch einfach sämtliche Ionen von i> nicht-ausgewählten Arten in das Target implantiert, und es -f-reten Schwierigkeiten bei der Verwendung von zusammengesetzten Ursprungsmaterialen auf. Auch wenn ein elementares Ausgangsmaterial, wie z.B. roter Phosphor verwendet wird, benötigt man außerdem einen Phosphorverdampfer, und es ist erforderlich, eine Verfestigung des verdampften Phosphors zu verhindern, indem man eine Atmosphäre zwischen dem Phosphorverdampfer und der Ionenquelle bis zu ungefähr 400 C aufheizt.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Ionenimplantationsverfahren anzugeben, das Zusammensetzungen oder Verbindungen als Ausgangsmaterial verwenden kann, ohne vorher eine Ionensorte zu wählen.
Gemäß einem Aspekt der Erfindung werden die lonenstrahlen, die Ionen unterschiedlicher Arten enthalten und elektrisch beschleunigt werden, magnetisch abgetastet, um auf einer Targetoberfläche ein Verteilungsprofil von implantierten Xonendosen zu erhalten, das von den Ionenarten abhängt. Als Quellen- oder Ausgangsmaterial wird eine Wasserstoffverbindung ganz bevorzugt verwendet, die ein großes Ionenmassenverhältnis unter den Ionensorten besitzt und die leicht zu handhaben ist. Als Ausgangsmaterial, das für ein Silizium-Target geeignet ist, werden höchst bevorzugt Phosphin PKU oder Arsin AsH3 verwendet. Diboran B-H,- oder dergleichen kann ebenfalls verwendet werden. Zur lonenstrahlabtastung wird vorzugsweise ein Magnetabtastungssystem verwendet, das zur Handhabung von großen Ionenstrahlströmen von großer Fleckoder Flächengröße geeignet ist.
Die Erfindung wird nachstehend? auch hinsichtlich weiterer Merkmale und Vorteile, anhand der Beschreibung von Ausführungsbeispielen und unter Bezugnahme auf die beiliegende
Zeichnung näher erläutert. Die Zeichnung zeigt in Figur 1 ein Spektrum von Ionenstrahlen, die mit einer
Mikrowellen-Ionenquelle erzeugt werden,
Figur 2 ein Diagramm zur Erläuterung des Einflusses der Dosis von implantierten H -Ionen auf die Leerlauf
spannung einer Solarbatterie, und in
Figur 3 eine schematische Darstellung einer nicht-massenanalysierten Ionenimplantationsvorrichtung mit Magnetfeldabtastung, die zur Durchführung des erfindungsgemäßen Ionenimplantationsverfahrens ver
wendet wird.
Zunächst soll eine kurze Beschreibung der Ionenimplantation anhand der Dotierung eines Halbleiters erfolgen. Zur Dotierung eines Halbleiters aus einem Element der Gruppe IV, wie z.B. Silizium, wird typischerweise ein Element der Gruppe III, wie z.B. Bor B oder Aluminium Altais Dotierungssubstanz mit p-Leitfähigkeitjund ein Element der Gruppe V, wie z.B. Phosphor P oder Arsen As. üblicherweise als Dotierungssubstanz mit n-Leitfähigkeit verwendet. Bei der Ionenimplantation werden entweder Ionen von irgendeinem dieser Elemente oder Ionen, die irgendeines dieser Elemente enthalten, in den Halbleiter implantiert. Die Ionen für diesen Zweck werden typischerweise durch Ionisierung einer Verunreinigungsquelle einer Zusammensetzung oder Verbindung durch Beheizung oder Entladung erzeugt.
Wenn beispielsweise ein Entladungsgas aus PH^ verwendet wird, werden lonenarten in der in Figur 1 dargestellten Weise erzeugt, wo die Abszisse das Massen/Ladungs-Verhältnis oder m/q-Verhältnis in willkürlichen Einheiten angibt. Aus Figur
1 ergibt sich, daß zusätzlich zu P -Ionen auch P2 / P , PH , PH- , PH^ , H , H2 und H-. -Ionen erzeugt werden. Gemäß der massenanalysierten Ionenimplantation werden selektiv P -Ionen verwendet, während gemäß der nicht-massenanalysierten Ionenimplantation sämtliche Ionen gleichzeitig in das Halbleitersubstrat implantiert werden. Eine überlagerte
Implantation von anderen Ionen als P -Ionen auf eine P Ionenimplantation wurde experimentell mit einem massenanalysierten Ionenimplantationsverfahren untersucht, um
herauszubekommen, welchen Einfluß andere Ionenarten als
die P -Ionen auf die Solarabatterieeigenschaften haben.
Es stellte sich experimentell heraus, daß Ionen, wie z.B.
P„ , P , PH , PH7 und PH, , die Phosphor enthalten, sich in wirksamer Weise als Verunreinigungsquelle verwenden
lassen. Die experimentellen Ergebnisse zeigten jedoch, daß die Implantation von H -Ionen, insbesondere bei einer Implantationsenergie von 33 keV und einer Glühtemperatur von 850 C, die für eine Dauer von 30 Minuten durchgeführt wurde, einen sehr nachteiligen Einfluß hatte. In diesem Zusammenhang darf Bezug genommen werden auf "Digest of Technical Papers of
2nd Photovoltanic Science Engineering Conference in Japan, 1980, IP-2, Seite 2 von H. Itoh et al.". Der nachteilige
oder schädliche Einfluß der H -Ionenimplantation wurde
bei Solarbatterieeigenschaften beobachtet, insbesondere der Leerlaufspannung Voc, und es stellte sich heraus, daß eine Kontrolle der Dosis der implantierten H -Ionen erforderlich war.
Zur Untersuchung der Ursache für den nachteiligen Einfluß wurden Transmissionselektronen-Mikroskopbeobachtungen und DLTS-(Übergangsspektroskopie für tiefliegende Niveaus) Messungen durchgeführt, um herauszufinden, daß die implantierten H -Ionen vom kristallinen Substrat zu ungefähr 100 % bei einer Temperatur von 7000C oder mehr verdampft wurden, aber Beschädigungen im Kristall, die durch die H -Ionenimplantation hervorgerufen wurden, erzeugten nach dem Ausglühen Kristallgitterfehler und AnlagerungsZentren, die sich in der Nähe des Überganges befanden.
Es erscheint somit einsichtig, daß in einigen Fällen
die Implantation von nicht-ausgewählten Ionenarten in das
Target zu ungünstigen Ergebnissen führt. Es war somit
wünschenswert, die oben erläuterten Probleme zu lösen,
indem man die Vorteile der nicht-massenanalysierten Ionen-
implantation nutzt, die insofern vorteilhaft ist, als Ionen in das Target mit einer hohen Dosis, innerhalb einer kurzen Zeitspanne und mit einer vereinfachten Vorrichtung implantiert werden können.
Im allgemeinen haben Ionen von unterschiedlichen Ionenarten unterschiedliche Ladungen oder Massen. Wenn erzeugte Ionen von unterschiedlichen Arten durch das Anlegen eines elektrischen Feldes beschleunigt werden, werden die Ionen von einer Polarität gewählt, um Ionenstrahlen zu bilden, die verschiedene Ionenarten in der in Figur 1 dargestellten Weise enthalten.
Wenn ein elektromagnetisches Feld an die Ionenstrahlen angelegt wird, werden die verschiedenen lonenarten einem unterschiedlichen Einfluß durch das elektromagnetische Feld unterworfen. Wenn ein Magnetfeld in einer Richtung quer zur Flugrichtung der Ionenstrahlen angelegt wird, wirkt typischerweise die Lorentz-Kraft in einer Richtung auf die Ionen, die vertikal sowohl zur Flugrichtung als auch zur Magnetfeldrichtung steht, und sie werden entsprechend den Werten von q/m abgelenkt. Durch Abtasten bzw. Scannen des Magnetfeldes können unterschiedliche lonenarten über verschiedene Abtast- bzw. Scann-Längen abgetastet bzw. durchgefahren werden.
Das Verhältnis der Abtastlänge zwischen zwei lonenarten gleicher Ladung kann so approximiert werden, daß es im umgekehrten Verhältnis zur Quadratwurzel des Massenverhältnisses steht. Somit nimmt der prozentuale Anteil an Ionen mit einer großen Masse im mittleren Bereich der Abtastung zu, während der prozentuale Anteil an Ionen mit einer kleinen Masse an der Peripherie der Abtastung zunimmt. Wenn beispielsweise ein einwertigen Ion mit der Masse 100 über eine Breite von 1 cm abgetastet wird, so wird davon ausgegangen, daß ein einwertiges Ion von der Masse 1 (eins) über eine Breite von ungefähr 10 cm abgetastet wird.
Es wird nun angenommen, daß eine Verbindung, die
■- η - ■
Bor B und Fluor F enthält, ionisiert wird, um ein einwertiges Bor-Ion und ein einwertiges Fluor-Ion zu erzeugen. Da Bor B und Fluor F ein Atomgewicht von ungefähr 10,8 bzw. 19,0 haben, wird das Verhältnis der Abtastbreite ungefähr
ä /19,0/10,8 ss /1,76 « 1,33 sein. Bei einem im Zentrum der Abtastbreite anqeordneten Target werden die Fluor-Ionen mit einer größeren Dosis als die Bor-Ionen implantiert werden, aber bei einem in einem Endbereich der Abtastbreite angeordneten Target wird die Dosis der implantierten Ionen umgekehrt sein. Für Phosphor P und Fluor F beträgt das Massenverhältnis ungefähr 1,63, und das Verhältnis der Äbtastbreite wird ungefähr 1,28 werden. Auf diese Weise kann für ein Massenverhältnis von ungefähr 1,6 oder mehr ein Verhältnis der Abtastbreite von ungefähr 30 % oder mehr erreicht werden.
ι Für Arsen und Fluor beträgt das Massenverhältnis ungefähr 3,9 ,und das Verhältnis der Abtastbreite ist ungefähr 2, was angibt, daß ein Massenverhältnis von ungefähr 4 oder mehr ein Verhältnis der Abtastbreite von ungefähr 2 oder mehr liefern wird. Voraussichtlich wird die Dosis an implantiertem Fluor bei einem in der Mitte der Abtastbreite angeordneten Target ungefähr halbiert werden im Vergleich zu der Dosis, die durch Implantation erhalten wird, ohne der Abtastung unterworfen zu sein»
Halogenverbindungen sind korrodierend und schwierig zu handhaben. Wasserstoffverbindungen sind weniger korrodierend und leicht zu handhaben und besitzen außerdem ein großes Ionenmassenverhältnis.
Ein einwertiges Borion und ein einwertigen Wasserstoffion, die beide aus Diboran BJ9L. erzeugt werden, werden ein Massenverhältnis von ungefähr 10,8 und ein Abtastbreitenverhältnis von ungefähr 3,29 liefern«, Somit kann mit diesen Ionen die Dosis von implantierten Wasserstoffionen im Zentrum ungefähr 1/3 oder weniger sein.
Ein einwertiges Phosphorion und ein einwertiges Wasserstoff ion, die aus Phosphin PH., erzeugt werden, werden ein
Massenverhältnis von ungefähr 31 und ein Abtastbreitenverhältnis von ungefähr 5,6 liefern. Bei Arsin AsH^ werden die daraus erzeugten einwertigen Arsen- und Wasserstoffionen ein Massenverhältnis von ungefähr 75 und ein Abtastbreitenverhältnis von ungefähr 8,6 liefern.
Da Phosphin und Arsin in der Lage sind, ein Massenverhältnis von 25 oder mehr zu liefern, können Verunreinigungsionen in wirksamer Weise in ein Halbleitertarget implantiert werden, und die Dosis an implantierten Wasserstoffionen kann auf einen Wert von ungefähr 1/5 oder weniger gebracht werden, indem man die Breite des Targets innerhalb der Abtastbreite von einwertigen Phosphorionen oder einwertigen Arsenionen anpaßt.
Somit kann aufgrund der Abtastung oder dem Scannen der Ionenstrahlen gemäß der Erfindung eine Beschädigung des Halbleiters durch die H -Ionenimplantation in der oben beschriebenen Weise erheblich gemildert und außerdem die Verteilung der implantierten Ionen im Target gleichmäßig gemacht werden.
Bei der nicht-massenanalysierten Ionenimplantation kann leicht ein großer Ionenstrom verwendet werden. Um diesen Vorteil in wirksamer Weise auszunutzen, kann eine Ionenquelle, wie z.B. eine Mikrowellen-Ionenquelle, die in der Lage ist, ohne weiteres einen großen Ionenstrom zu liefern, bevorzugt verwendet werden, jedoch ist die Bauart der Ionenquelle nicht darauf beschränkt.
Das Zentrum der Abtastbreite ist an die bevorzugte Implantation von schweren Ionen angepaßt.und die Peripherie oder die Außenbereiche der Abtastbreite sind an die bevorzugte Implantation von leichten Ionen angepaßt.
Das Abtasten, Durchfahren 'oder Scannen von Ionenstrahlen kann ohne weiteres mittels eines Elektromagneten durchgeführt werden. Das Abtasten kann in unterschiedlicher Weise erfolgen, z.B. durch Änderung des Stromes in alternierender Weise, überlagerung einer Gleichspannungs-Vorspannung
oder Verwendung eines Sägezahn- oder Sinuswellen-Stromes. Experimentell wurden Ionenstrahlen mit einem Magnetfeld bei einem nicht-massenanalysierten Ionenimplantationsverfahren abgetastet, um aufzuzeigen, daß aufgrund der Hassendifferenz zwischen einem P -Ion und einem H -Ion die Abtastbreite für einen P -Ionenstrahl größer gemacht werden kann als für einen H -Ionenstrahl und daß das Verhältnis zwischen den Dosen von implantierten P -Ionen und H -Ionen ein Bruchteil oder weniger sein kann. Bei einer Gesamt-
15 — 2
dosis von P mit dem Wert von 5 χ 10 cm ist es möglich,
+ 14-2
die Dosis von H -Ionen auf 5 χ 10 cm zu reduzieren, die so minimal ist, daß der nachteilige Einfluß der H Ionenimplantation auf die Ausgangscharakteristiken einer Solarbatterie vernachlässigt werden kann.
Wenn Ionen in ein Halbleitersubstrat implantiert werden, das eine größere Fläche besitzt als die Strahlflächengröße, so wird der Strahl auf dem Substrat abgetastet oder durchgefahren/ und das Substrat kann kontinuierlich in einer Richtung vertikal zur Strahlabtastrichtung bewegt werden, um es auf diese Weise zu ermöglichen, daß die Dosis in der Substratoberfläche gleichmäßig gemacht wird und eine kontinuierliche Bearbeitung gewährleistet ist.
Die Erfindung wird nachstehend anhand eines Aus-'führungsbeispiels und unter Bezugnahme auf Figur 3 näher erläutert. Ein Target 8 bestand aus einem Siliziumsubstrat mit p-Leitfähigkeit und einem spezifischen Widerstand von 3 fi*cm. Eine nicht-massenanalysierte Ionenimplantationsvorrichtung weist eine Mikrowellen-Ionenquelle 1, einen Strahlabtastmagnetbereich 2 und eine Implantationskammer auf. Die Ionenquelle 1 umfaßt eine Ionerierzeugungskammer und einen Beschleunigungsbereich 5. Die Beschleunigungsenergie lag normalerweise in der Größenordnung von keV oder mehr. Magnete sind oberhalb und unterhalb der Zeichenebene angeordnet, und das Target 8 wird vertikal zur Zeichenebene bewegt. Als Entladungsgas wurde PH3 verwendet, und der Ionenstrahl wurde so abgetastet oder durchgefahren, daß das
Verhältnis zwischen einer Strahlstromdichte, die nicht der Abtastung unterworfen war und derjenigen, die der Abtastung unterworfen war, ungefähr 0,6 bis 0,7 betrugt; die Gesamt-
15 — 2
dosis wurde auf 5 χ 10 cm eingestellt.
Wie schematisch in Figur 3 dargestellt, ist die Abtastbreite von P -Ionen mit dem Bezugszeichen 6 und die Abtastbreite von H -Ionen mit dem Bezugszeichen 7 bezeichnet. Das Verhältnis zwischen der Gesamtdosis und der Dosis von H -Ionen, wenn sie nicht der Strahlabtastung unterworfen waren, betrug 0,2, aber es ging auf 0,1 oder weniger, wenn es der Strahlabtastung unterworfen war. Nach der Ionenimplantation wurde das Target 8 in einer Atmosphäre von trockenem N0-GaS bei einer Temperatur von 85O°C geglüht, um einen η p-übergang herzustellen. Elektroden wurden auf den vorderen und rückseitigen Oberflächen des Targets mit einem Druckvorgang ausgebildet, und es wurde ein Anti-Reflexions-Beschichtungsfilm hergestellt, um auf diese Weise eine Solarbatterie zu vervollständigen. Die so hergestellte Solarbatterie zeigt einen Umwandlungswirkungsgrad von 14 bis 14,5 % unter der Bedingung eines AMl Solarsimulators, wobei dieser Umwandlungswirkungsgrad vergleichbar ist mit dem einer Solarbatterie, die mit massenanalysierter Ionenimplantation hergestellt wird. Das bedeutet, daß der nachteilige Einfluß der H -Ionenimplantation im wesentlichen beseitigt werden kann. Der Ausdruck AMl bezeichnet das Solarspektrum auf der Erdoberfläche unter optimalen Bedingungen auf Meereshöhe mit der Sonne im Zenith.
Für die Ionenimplantation in ein Kristallplättchen mit 100 mm Durchmesser benötigt man üblicherweise 20 bis zu einigen 10 Sekunden im Falle der inassenanalysierten Ionenimplantation, aber nur einige Sekunden im Falle der nichtmassenanalyiserten Ionenimplantation. Das bedeutet, daß die Kristallplättchen-Verarbeitungsgeschwindigkeit erhöht werden kann und die pn-t'bergangherstellungskosten reduziert werden können. Das Entladungsgas einer Wasserstoffverbindung,
die bei dieser Ausführungsform verwendet wird, ist einfach zu handhaben. Außerdem verringert die Abtastung oder das Durchfahren der Ionenstrahlen mit dem Magnetfeld die Dosis von H+-Ionen im Vergleich zu der Dosis des Dotierungsions, so daß der nachteilige Einfluß der H -Ionenimplantation vernachlässigt werden kann. Darüber hinaus ist die Strahlabtastung dahingehend wirksam, daß die Ionenimplantation in das Substrat gleichförmig gemacht wird.
Die Ionenimplantationsvorrichtung, bei der der Massenanalysator entfällt, kann vereinfacht und weniger kostspielig hergestellt werden, und die Beseitigung eines Magnetfeldgenerators für die Massenanalyse kann die laufenden Kosten verringern. Außerdem kann die reduzierte Ionenstrahllaüfstrecke eine Verringerung oder Reduzierung des Strahlstromes auf dem Wege der Laufstrecke unterdrücken und somit den Wert des Strahlstromes erhöhen. Vorteilhafterweise können die Ionenimplantations-Verarbeitungsgeschwindigkeit erhöht und die Verarbeitungskosten reduziert werden.
-IG-
Leerseite

Claims (15)

  1. !■•ATKNTANWÄJ/tK : '..„"'. " - ··
    STREIIL SCHfmicr/lK)]vF "SCUÜL'Z
    WIDENMAYEKSTRASSE 17. D HOCK) MÜNCHEN 22
    H 1'"TACHI, LTD.
    DEA-26057 23. März 1983
    Nicht-massenanalyisertes Ionenimplantationsverfahren
    P ATFJNTAN SPRÜCHE
    /1/. Nicht-massenanalysiertes Ionenimplantationsverfahren, bei dem Ionen verwendet werden, die aus einer Verbindung erzeugt werden, ohne eine einzelne Ionensorte zu wählen, gekennzeichnet durch folgende Verfahrensschritte: Erzeugen (4) von Ionen aus einem Verbindungs-Ausgangsmaterial,
    Beschleunigen (5) der Ionen,
    elektromagnetisches und wiederholtes Abtasten (2) der beschleunigten Ionen, um sie in einer Richtung quer zur Beschleunigungsrichtung abzulenken (6, 7), und
    Implantieren der Strahlen von abgetasteten oder durchgefahrenen Ionen in ein Target (8).
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Ionen verwendet werden, die mindestens
    zwei Arten von Ionen derselben Polarität mit unterschiedlichen Ionenmassen umfassen.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß ein Massenverhältnis zwischen den mindestens zwei Sorten von Ionen so gewählt wird, daß es ungefähr 1,6 oder mehr ausmacht.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß ein Massenverhältnis von ungefähr 3,9 oder mehr verwendet wird.
  5. 5. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet , daß ein Massenverhältnis von 25 oder mehr verwendet wird.
  6. 6. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet , daß beim Abtastschritt ein Magnetfeld verwendet wird, das sich in einer Richtung vertikal zur Flugrichtung der Ionenstrahlen periodisch ändert.
  7. 7. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6, dadurc h gekennzeichnet, daß eine Verbindung verwendet wird, die eine Wasserstoffverbindung mit einem Element der Gruppen III und V enthält.
  8. 8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet , daß eine Wasserstoffverbindung verwendet wird:, die aus Phosphin oder Arsin besteht.
  9. 9. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet , daß beim Schritt der Ionenerzeugung eine Plasmaentladung verwendet wird.
  10. 10p Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet , daß beim Schritt der Beschleunigung ein elektrisches Feld an die Ionen angelegt wird, um die Ionen der einen Polarität mit einer Beschleuni gungsenergie·in der Größenordnung von zumindest einigen keV zu beaufschlagen.
  11. 11. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis .10, dadurch gekennzeichnet , daß das Target in einer Richtung im wesentlichen senkrecht zur Abtastrichtung bewegt wird.
  12. 12. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 11,, dadurch gekennzeichnet, daß eine Verbindung verwendet wird, die aus einer Wasserstoffverbindung mit einem Element der Gruppen III und V besteht, daß mindestens zwei Arten von Ionen derselben Polarität verwendet
    werden, die ein einwertiges Ion des einen Elementes und ein einwertiges Wasserstoffion umfassen, und daß das Target innerhalb eines Bereiches angeordnet wird, über den das einwertige Ion des einen Elementes abgetastet wird.
  13. 13. Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung, dadurch gekennzeichnet , daß eine Verunreinigung für eine Leitfähigkeit in ein Halbleitersubstrat (8) durch nicht-massenanalysierte Ionenimplantation eindotiert wird, daß ein Entladungsgas aus einer Wasserstoffverbindung der Verunreinigung zur Erzeugung von Ionenstrahlen (4) verwendet wird, und daß die erzeugten Ionenstrahlen mit einem Magnetfeld (2) abgetastet oder durchgefahren werden, um die Dosis von H+-Ionen relativ zur Dosis von Ionen der Verunreinigung zu reduzieren.
  14. 14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet , daß als Verunreinigung für die eine Leitfähigkeit As oder P verwendet wird, und daß ein Entladungsgas verwendet wird, das AsH3 oder PH3 enthält.
  15. 15. Verfahrennach Anspruch 13 oder 14, dadurch gekennzeichnet, daß eine Verunreinigung für die eine Leitfähigkeit verwendet wird, die aus Phosphor P besteht, daß mit einer Gesamtdosis von P gearbeitet wird, die
    1 x 1O15 cm 2 bis 3 χ 1O16 cm 2 beträgt, und daß die H -Ionen mit einem Magnetfeld in der Weise abgetastet wer-
    15 ~2 den, daß diese eine Dosis von 1 χ 10 cm oder weniger ausmachen.
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