DE3314375A1 - Gasschleuse - Google Patents
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Description
Patentanwälte Dlpl.-Ing. Hans-Jürgen Müller
Dlpl.-Chem. Dr. Gerhard Schupfner
Dipl.-Ing. Hans-Peter Gauger
Energy Conversion Devices, Ine 1675 West Maple Road
Troy, Michigan 48084 U.S.A.
GASSCHLEUSE
33H375
Gasschleuse
Die Erfindung bezieht sich auf eine Einrichtung zur kontinuierlichen
Herstellung von Sperrschicht-Fotoelementen auf einer Bahn eines magnetischen Trägermaterials bzw. Substrats
durch Abscheiden aufeinanderfolgender amorpher Siliziumlegierungs-Halbleiterschichten in jeder von wenigstens
zwei aneinandergrenzenden Abscheidungskammern. Die Zusammensetzung jeder amorphen Schicht hängt von den
speziellen Reaktionsgasbestandteilen ab, die in jede Abscheidungskammer eingeleitet werden. Die in die erste
Abscheidungskammer eingeleiteten Bestandteile sind sorgfäl tig kontrolliert und werden von den in die angrenzende
Abscheidungskammer eingeleiteten Bestandteilen isoliert. Insbesondere sind die Abscheidungskammern funktionsmäßig
miteinander über eine relativ enge Gasschleuse verbunden, durch die erstens die Sübstratbahn läuft und die zweitens
die Trennung der in die erste Abscheidungskammer eingeleiteten Reaktionsgasbestandteile von den in die benachbarte
Abscheidungskammer eingeleiteten Reaktionsgasbestandteilen vornimmt. Es hat sich jedoch gezeigt, daß ungeachtet der
relativ geringen Größe des Gasdurchgangs Dotiergasbestandteile, die in die zweite Abscheidungskammer eingeleitet
wurden, zurück in die angrenzende erste Abscheidungskammer entweder strömen oder diffundieren, wodurch die in der
ersten Abscheidungskammer abgeschiedene Schicht verunreinigt wird. Das Wesen der vorliegenden Erfindung besteht
darin, die Größe des Durchlasses in der Gasschleuse zu reduzieren, um dadurch gleichzeitig das Zurückströmen oder
Diffundieren von Dotiergasbestandteilen entsprechend zu
reduzieren, so daß die Verunreinigung der in der ersten Abscheidungskammer abgeschiedenen Schicht verringert
wird.
Seit einiger Zeit werden erhebliche Anstrengungen unternommen zur Entwicklung von Verfahren für die Abscheidung
amorpher Halbleiterlegierungen, deren -jede relativ große Flächen umfassen kann und die zur Bildung von n- und
p-leitenden Materialien dotierbar sind, so daß pin-Bauelemente
hergestellt werden können, die ihren kristallinen Gegenstücken im wesentlichen äquivalent sind. Während
vieler Jahre waren die Arbeiten mit amorphen Silizium- oder Germaniumfilmen im wesentlichen unproduktiv aufgrund der
Anwesenheit von Mikroleerstellen und freien Bindungen in diesen Filmen, wodurch eine hohe Dichte lokalisierter
Zustände im Energieband erzeugt wird. Ursprünglich wurde die Reduktion der lokalisierten Zustände durch Glimmentladungs-Abscheidung
amorpher Siliziumfilme erreicht, wobei Silangas (SiH.) durch ein Reaktionsrohr geschickt wird,
in dem das Gas durch eine HF-Glimmentladung zersetzt und auf einem Substrat bei einer Substrattemperatur von ca.
500-600 K (227-327 0C) abgeschieden wird. Das so auf dem
Substrat abgeschiedene Material ist ein eigenleitendes amorphes Material, bestehend aus Silizium und Wasserstoff.
Zur Erzeugung eines dotierten amorphen Materials wird zur Erzielung einer η-Leitfähigkeit Phosphingas (PH3) bzw.
zur Erzielung einer p-Leitfähigkeit Diborangas (B3Hg)
mit dem Silangas vorgemischt und unter den gleichen Be-'
triebsbedingungen durch das Glimmentladungs-Reaktionsrohr geschickt. Das so abgeschiedene Material umfaßt vermutlich
substitutioneile Phosphor- oder Bordotierstoffe und erweist
33H375-
sich als nichteigenleitend und von n- oder p-Leitfähigkeit.
Es wurde gefunden, daß sich der Wasserstoff im Silan bei
optimaler Temperatur mit vielen der freien Bindungen des Siliziums während der Glimmentladungs-Abscheidung kombiniert,
wodurch die Dichte der lokalisierten Zustände im Bandabstand erheblich verringert wird, was eine stärkere
Angleichung des amorphen Materials an das entsprechende kristalline Material bewirkt.
Es ist nunmehr möglich, wesentlich verbesserte amorphe Siliziumlegierungen herzustellen, die in ihren Bandabständen
signifikant reduzierte Konzentrationen lokalisierter Zustände aufweisen, während gleichzeitig elektronische
Eigenschaften hoher Güte durch Glimmentladung erzielt werden. Dieses Verfahren ist vollständig in der US-PS
4 226 898 angegeben, und das Aufdampfen ist vollständig in der US-PS 4 217 374 erläutert. Wie in diesen Patentschriften
angegeben ist, wirkt in den amorphen Silizium-Halbleiter eingebautes Fluor dahingehend, daß die Dichte der
lokalisierten Zustände in diesem erheblich reduziert und die Zugabe weiterer legierungsbildender Materialien wie
Germanium erleichtert wird.
Aktiviertes Fluor diffundiert ohne weiteres in amorphes Silizium und bindet sich an dieses in einem Matrixkörper,
wodurch die Dichte lokalisierter Defektzustände in diesem erheblich verringert wird, und zwar, weil die geringe Größe
der Flüoratome es ermöglicht, daß sie ohne weiteres in eine amorphe Siliziummatrix eingebaut werden können. Das Fluor
bindet sich an die freien Bindungen des Siliziums und bildet eine teilweise ionische stabile Bindung mit flexib-
33U375
len Bindungswinkeln, was in einer stabileren und wirksameren
Kompensation oder Änderung resultiert, als sie durch Wasserstoff oder andere Kompensations- oder Änderungsmittel
gebildet werden könnte, die bisher eingesetzt wurden. Von Fluor wird angenommen, daß es ein wirksameres Kompensations-
oder Änderungselement als Wasserstoff ist, wenn es entweder für sich oder zusammen mit Wasserstoff eingesetzt
wird, und zwar wegen seiner außerordentlich geringen Größe, seiner hohen Reaktionsfreudigkeit, seiner Spezifität bei
der chemischen Bindung sowie dadurch, daß es die höchste Elektronegativitat aufweist.
Eine Kompensation kann mit Fluor entweder für sich oder in Verbindung mit Wasserstoff bei Zugabe solcher Elemente in
sehr kleinen Mengen (z. B. Bruchteilen von 1 Atom-%) erzielt werden. Die vorzugsweise eingesetzten Fluor- und
Wasserstoffmengen sind jedoch viel größer als solche geringen Prozentsätze, so daß die Elemente eine Silizium-Wasserstoff-Fluor-Legierung
bilden können. So können legierungsbildende Mengen an Fluor und Wasserstoff z. B. in
einem Bereich von 0,1-5 % oder mehr eingesetzt werden. Die so gebildete Legierung hat eine geringere Dichte von
Defektzuständen im Bandabstand, als durch die bloße Neutralisierung
freier Bindungen und ähnlicher Defektzustände erreicht werden kann. Insbesondere scheint es, daß die
Verwendung größerer Fluormengen wesentlich dazu beiträgt, eine neue Gefügekonfiguration eines amorphen siliziumhaltigen
Materials zu bewirken, und die Zugabe weiterer legierungsbildender Materialien wie Germanium erleichtert.
Zusätzlich zu den vorgenannten Eigenschaften ist Fluor ein Organisator von örtlichem Gefüge in der siliziumhaltigen
33H375
Legierung aufgrund von induktiven und ionischen Auswirkungen. Fluor beeinflußt ferner die Bindung von Wassserstoff,
indem es zu einer Verringerung der Dichte der Defektzustände,
zu denen Wasserstoff normalerweise beiträgt, führt. Die ionische Rolle, die Fluor in einer solchen Legierung
spielt, ist ein wesentlicher Faktor hinsichtlich der Beziehungen zwischen nächsten Nachbarn.
Der Gedanke der Verwendung von Mehrfachzellen zur Steigerung der Wirkungsgrade von Sperrschicht-Fotoelementen wurde
bereits 1955 von E.D. Jackson in der US-PS 2 949 498 angesprochen. Die dort angegebenen Mehrfachzellen-Strukturen
verwenden kristalline pn-Übergangs-Halbleiterelemente.
Im wesentlichen richtet sich der Gedanke auf die Verwendung von Elementen mit unterschiedlichem Bandabstand, um dadurch
verschiedene Teile des Sonnenspektrums in wirksamerer Weise einfangen und die Leerlaufspannung (Voc) steigern zu
können. Das Tandemzellen-Bauelement weist zwei oder mehr Zellen auf, wobei das Licht seriell durch jede Zelle
gerichtet wird und wobei ein Material mit großem Bandabstand von einem Material mit kleinerem Bandabstand gefolgt
ist, um das durch die erste Zelle oder Schicht fallende Licht zu absorbieren. Durch praktisches Anpassen der von
jeder Zelle erzeugten Ströme wird die Gesamt-Leerlaufspannung erhöht, ohne daß der Kurzschlußstrom wesentlich
verringert wird.
Eine große Anzahl Veröffentlichungen über kristalline
Stapelzellen sind dem Gedanken von Jackson gefolgt, und in neuerer Zeit wurden mehrere Arbeiten betreffend Si-H-Materialien
in Stapelzellen veröffentlicht. Von Marfaing wurde
Ol/ —
r/io
33H375
die Verwendung von aus Silan abgeschiedenen amorphen
Si-Ge-Legierungen in Stapelzellen vorgeschlagen, jedoch wurde über die Durchführbarkeit dieses Vorschlags nichts
gesagt (Y. Marfaing, Proc. 2nd European Communities Photovoltaic Solar Energy Conf. , Berlin, S.. 287 (1979)).
Hamakawa u. a. berichteten über die Durchführbarkeit der
Verwendung von Si-H in einer Konfiguration, die nachstehend als Mehrfachzelle vom Kaskadentyp bezeichnet wird. Die
Kaskadenzelle wird nachstehend als Mehrfachzelle ohne Zwischentrenn- oder -isolierschicht bezeichnet. Jede Zelle
bestand aus einem Si-H-Material mit demselben Bandabstand in einer pin-Übergangskonfiguration. Die Anpassung des
Kurzschlußstroms (J ) wurde dadurch versucht, daß die
se
Dicke der Zellen im Serienstrahlengang erhöht wurde. Wie zu
erwarten war, stieg die Leerlaufspannung des Gesamtbauelements an und war der Anzahl Zellen proportional.
In einem neueren Bericht über die Erhöhung des Zellenwirkungsgrads
von Mehrfach-Übergangs-Solarzellen (Stapelzellen) aus amorphem Silizium, die aus Silangas in der vorstehend
angegebenen Weise abgeschieden waren, wurde berichtet, daß "sich (G)ermanium als schädliche Verunreinigung in Si:H
erwiesen hat, weil es dessen J exponentiell mit steigendem
Ge verringert ...". Aus den durchgeführten Arbeiten sowie den Arbeiten von Carlson, Marfaing und Hamakawa wurde
der Schluß gezogen, daß Legierungen aus amorphem Silizium, Germanium und Wasserstoff "schlechte Sperrschicht-Eigenschaften
aufweisen" und somit "neue Materialien für Sperrschicht-Zellen gefunden werden müssen, deren spektrale
Empfindlichkeit bei ca. 1 /am liegt, um wirksame Stapelzel-
33U375
len-Kombinationen mit einem Si:H zu erreichen" (J.J. Hanak,
B. Faughnan, V. Korsun und J.P. Pellican, 14th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, San Diego, Calif., 7.-10.
Jan. 1980).
Aufgrund der durch den Einbau von Fluor erzielten günstigen Eigenschaften weisen amorphe Legierungen, die zur Erzeugung
von Mehrfachzellen vom Kaskadentyp verwendet werden,
nunmehr Fluor auf, wodurch die Dichte lokalisierter Zustände verringert wird, ohne daß die elektronischen Eigenschaften
des Materials nachteilig beeinflußt werden. Weitere Bandabstand-Einstellelemente, z. B. Germanium und Kohlenstoff,
können aktiviert und in Aufdampf-, Katodenzerstäubungs-
oder Glimmentladungs-Verfahren zugefügt werden. Der Bandabstand wird in der erforderlichen Weise für bestimmte
Anwendungszwecke des Bauelements eingestellt, indem die
erforderlichen Mengen eines oder mehrerer Einstellelemente in die abgeschiedenen Legierungszellen wenigstens in den
Fotostrom-Erzeugungsbereich derselben eingeführt werden. Da die Bandabstand-Einstellelemente genau kalkuliert oder
zugeschnitten in die Zellen eingeführt werden, ohne daß dank des Einflusses von Fluor wesentliche schädliche
Zustände hinzugefügt werden, behält die Zellenlegierung hohe elektronische Qualitäten und Fotoleitfähigkeit, wenn
die Einstellelemente zugegeben werden, um die Wellenlängen-Charakteristiken des Bauelements für einen bestimmten
Lichtempfindlichkeits-Anwendungszweck maßzuschneidern. Die
Zugabe von· Wasserstoff entweder zusammen mit Fluor oder nach der Abscheidung kann die fluorkompensierte oder
-modifizierte Legierung weiter verbessern. Der Einbau von
Wasserstoff nach der Abscheidung ist vorteilhaft, wenn die
»ο α
, ι "-···-* 33U375
/IZ
höheren Abscheidungs-Substrattemperaturen, die durch Fluor möglich sind, angewandt werden sollen.
Es ist offensichtlich von großer Bedeutung, daß Sperrschicht-Fotoelemente
in Massenfertigung herstellbar sind. Im Gegensatz zu kristallinem Silizium, das für die Herstellung
von Solarzellen auf den Chargenbetrieb beschränkt ist, können amorphe Siliziumlegierungen in einer Mehrzahl
Schichten über großflächigen Substraten abgeschieden werden, wobei in einer großvolumigen kontinuierlich arbeitenden
Einrichtung Solarzellen hergestellt werden. Kontinuierliche Verarbeitungseinrichtungen dieser Art sind z. B.
in den US-Patentanmeldungen Serial-Nr. 151 301 vom 19. Mai 1980, Nr. 244 386 vom 16. März 1981, Nr. 240 493 vom 16.
März 1981, Nr. 306 146 vom 28. Sept. 1981 und Nr. 359 825 vom 19. März 1982 angegeben. Wie dort gesagt wird, kann ein
Substrat kontinuierlich durch eine Folge von Abscheidungskammern bewegt werden, wobei jede Kammer zur Abscheidung
eines speziellen Materials dient. Bei der Herstellung einer Solarzelle mit pin-Konfiguration dient die erste Kammer der
Abscheidung einer p-leitenden amorphen Siliziumlegierung, die zweite Kammer der Abscheidung einer eigenleitenden
amorphen Siliziumlegierung und die dritte Kammer der Abscheidung einer η-leitenden amorphen Siliziumlegierung.
Da jede abgeschiedene Legierung und insbesondere die Eigenleiterlegierung einen hohen Reinheitsgrad haben muß,
ist die Abscheidungsumgebung in der Eigenleiter-Abscheidungskammer gegenüber den Dotierbestandteilen in den
anderen Kammern isoliert, um die Diffusion von Dotierbestandteilen in die Eigenleiter-Abscheidungskammer zu
verhindern. In den vorgenannten Patentanmeldungen, deren
..- 33 U375
«5
Einrichtungen primär der Erzeugung von Sperrschicht-Fotoelementen dienen, wird die Trennung zwischen den Kammern
entweder durch die Verwendung von Gasschleusen erzielt, die ein Inertgas um das Substrat leiten oder das Gas über
das Substrat streichen lassen, während das Substrat die Gasschleuse durchläuft; oder durch Gasschleusen, die eine
Einrichtungsströmung des Reaktionsgasgemisches, das in die Eigenleiter-Abscheidungskammer und in die Dotierstoff-Abscheidungskammern
geleitet wird, bewirken. Die verbesserte magnetische Gasschleuse nach der Erfindung resultiert in
einem reduzierten Durchgang zwischen Kammern, der eine erhebliche Verringerung bewirkt erstens von Verunreinigungen,
die aus den Dotierstoff-Abscheidungskammern zurück in die Eigenleiter-Abscheidungskammer strömen oder diffundieren,
und zweitens einer Verformung des Substratmaterials, wodurch ein Verkratzen des Substrats reduziert und die
Erzeugung von Sperrschicht-Fotoelementen mit höherem Wirkungsgrad verbessert wird. Es ist zu beachten, daß
andere Kammern funktionsmäßig mit den Abscheidungskammern für die amorphen Schichten verbunden sein können. Z. B-.
kann eine Kammer, in der die lichtdurchlässige leitfähige Oxidschicht (die noch erläutert wird) auf die oberste
amorphe Legierungsschicht aufgebracht wird, funktionsmäßig mit der letzten Abseheidungskammer verbunden sein Da es
offensichtlich unerwünscht ist, daß erstens ein Rückströmen oder Diffundieren von Bestandteilen aus der Kammer für das
lichtdurchlässige leitfähige Oxid in die Dotierstoff-Abscheidungskammer
erfolgt und zweitens das Substratmaterial in der Kammer für das lichtdurchlässige leitfähige Oxid
waffeiförmig wird, würde die magnetische Gasschleuse nach der Erfindung auch zwischen der Kammer für das lichtdurch-
lässige leitfähige Oxid und der letzten Dotierstoff-Abscheidungskammer
angewandt werden. Vorzugsweise wird im übrigen die magnetische Gasschleuse zwischen sämtlichen
Kammern der Einrichtung eingesetzt, die zur kontinuierlichen Herstellung von amorphen Sperrschicht-Fotoelementen
funktionsmäßig miteinander verbunden sind.
Durch die Erfindung wird eine verbesserte Gasschleuse angegeben, mit der eine erhebliche Verringerung des Rückströmens
von Reaktionsgasbestandteilen aus einer von zwei aneinandergrenzenden isolierten Abseheidungskaminern in die
andere erfolgt. Die Gasschleuse umfaßt einen relativ engen Durchlaß, durch den ein Substrat aus der ersten der benachbarten
Abseheidungskammern, in der eine erste Schicht auf eine Substratseite abgeschieden wird, in die zweite Abscheidungskammer
bewegt wird, in der auf die erste Schicht eine zweite Schicht abgeschieden ist. Der Durchlaß ist
durch lange obere und untere Wandungen und relativ kurze Seitenwandungen begrenzt. Die erste Abscheidungskammer
umfaßt eine erste Leitung, durch die wenigstens ein Reaktionsgasbestandteil angrenzend an die Plasmazone eingeleitet
wird, und die zweite Abscheidungskammer umfaßt ebenfalls eine Leitung, durch die wenigstens ein weiterer
Reaktionsgasbestandteil, der in die erste Abscheidungskammer nicht eingeleitet wird, angrenzend an die Plasmazone
eingeleitet wird. Die erste Abscheidungskammer weist ferner eine zweite Leitung am Eingang des Durchlasses zur Einleitung
von Wasserstoff, Argon oder einem anderen inerten Spülgas am Vorderende der Gasschleuse auf. Eine Evakuierungspumpe
ist funktionsmäßig jeder Abscheidungskammer zugeordnet. Die Pumpe der ersten Kammer entfernt im wesent-
33U375
liehen vollständig den wenigstens einen Reaktionsgasbestandteil,
der in die Plasmazone eingeleitet wurde. Die Pumpe der zweiten Kammer entfernt im wesentlichen vollständig
den wenigstens einen weiteren Reaktionsgasbestandteil, der in die Plasmazone eingeleitet wurde. Eine zweite
Evakuierungspumpe kann angrenzend an das Hinterende der Gasschleuse zum Abzug der Spülgase vorgesehen sein.
Die Gasschleuse ist durch zusätzliches Vorsehen eines Mechanismus verbessert, der die unbeschichtete Seite eines
magnetisch anziehbaren Substrats, das durch den Durchlaß bewegt wird, ohne physischen Kontakt mit der beschichteten
Substratseite in Gleitkontakt mit entweder der oberen oder der unteren Wandung des Durchlasses beaufschlagt, so daß
der Abstand zwischen der oberen und der unteren Wandung des Durchlasses verringert werden kann, ohne daß die beschichtete
Substratoberfläche die jeweils andere Durchlaßwandung kontaktiert. Die verkleinerte Öffnung des Durchlasses hat
ein vermindertes Rückströmen von Reaktionsgasbestandteilen aus der zweiten Abscheidungskammer in die angrenzende erste
Abscheidungskammer zur Folge.
Bevorzugt ist die Durchlaßwandung, die das magnetische Substrat kontaktiert, eine reibungsarme Borsilikatglastafel
mit geringer Wärmeleitfähigkeit. Das Substrat besteht aus einem Magnetwerkstoff und wird in Gleitkontakt mit der
Glastafel durch ein Magnetfeld beaufschlagt, das durch eine
Mehrzahl von Keramikmagneten erzeugt wird, die voneinander durch eine Mehrzahl nichtmagnetische Abstandselemente
getrennt sind.
t ' ■*
Die Gasschleuse nach der Erfindung zur Verminderung des Zurückströmens von Gasen aus einer Spezialkammer in eine
angrenzende Spezialkammer, mit einem relativ engen Durchlaß, durch den ein Substrat aus der ersten der aneinandergrenzenden.Spezialkammern,
in der eine erste Schicht auf eine Seite des Substrats abgeschieden wird, in die zweite
Abscheidungskammer, in der eine zweite Schicht auf die erste Schicht abgeschieden wird, bewegt wird, wobei der
Durchlaß durch eine jeweils lange obere und untere Wandung, die einander gegenüberliegen, und einander gegenüberliegende
relativ kurze Wandungen begrenzt ist, wobei die erste Kammer Mittel zum Einleiten wenigstens eines Gases aufweist
und die zweite Kammer Mittel zum Einleiten wenigstens eines zusätzlichen Gases aufweist und wobei den Kammern Einheiten
zum Evakuieren der Gase aus den Kammern zugeordnet sind, ist gekennzeichnet durch Elemente, die die unbeschichtete
Seite des durch den Durchlaß bewegten Substrats in Gleitkontakt mit einer der langen Durchlaßwandungen beaufschlagen,
so daß der Abstand zwischen der oberen und der unteren Durchlaßwandung verringerbar ist, ohne daß die beschichtete
Substratoberfläche in Kontakt mit der anderen langen Durchlaßwandung gelangt, wodurch das Zurückströmen von
Gasen aus der zweiten Kammer durch den Gasschleusen-Durchlaß verringerbar ist.
Eine weitere Ausbildung der Gasschleuse nach der Erfindung zum funktionsmäßigen Verbinden von zwei aneinandergrenzenden
Abscheidungskammern, mit einem relativ schmalen Durchlaß, durch den eine Substratmaterialbahn kontinuierlich
förderbar ist aus der ersten Abscheidungskammer, in der auf eine Substratseite eine dotierte amorphe Siliziumschicht
33H375
abgeschieden wird, zu der zweiten Abseheidungskammer, in
der auf die erste Schicht eine eigenleitende amorphe Siliziumlegierungsschicht abgeschieden wird, wobei der
Durchlaß durch jeweils eine in Querrichtung lange obere und untere Wandung, die einander gegenüberliegen, und zwei
relativ kurze, einander gegenüberliegende Seitenwandungen begrenzt ist, ist gekennzeichnet durch Elemente zum Erzeugen
eines Magnetfelds, das die unbeschichtete Seite einer Substratmaterialbahn, die den Durchlaß durchläuft, in
Gleitkontakt mit einer der langen Wandungen beaufschlagt,
so daß der Abstand zwischen den langen Durchlaßwandungen verringerbar ist, ohne daß. die beschichtete Substratbahnoberfläche,
die den Durchlaß durchläuft, in Kontakt mit der anderen langen Durchlaßwandung gelangt.
Anhand der Zeichnung wird die Erfindung beispielsweise näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine bruchstückhafte Querschnittsansicht eines
Tandem-Sperrschicht-Fotoelements mit einer Mehrzahl von pin-Zellen, wobei jede Schicht der
Zellen aus einer amorphen Halbleiterlegierung gemäß den Grundsätzen der Erfindung hergestellt
ist;
Fig. 2 eine schaubildliche Darstellung einer Mehrkammer-Glimmentladungseinrichtung
für die kontinuierliche Herstellung der Sperrschicht-Fotoelemente nach Fig. 1;
Fig. 3 eine Teilquerschnittsansicht einer magnetischen
Gasschleuse, wobei die Anordnung der Keramikma-
33H375
gnete in einer Ausnehmung im oberen Block der Gasschleuse gemäß der Erfindung zu sehen
ist;
Fig. 4 eine Draufsicht auf die Gasschleuse nach Fig. 3, wobei in Strichlinien die Separatoren
gezeigt sind, die zur Erzeugung des Magnetfelds beitragen, das bei der Erfindung vorteilhaft
angewandt wird; und
Fig. 5 eine schaubildliche Darstellung einer Substratmaterialbahn,
die den Gasschleusen-Durchlaß nach der Erfindung durchläuft, wobei die Konfiguration der oberen Wandung der Gasschleuse
gezeigt ist.
I. Die Sperrschicht-Fotozelle
Fig. 1 zeigt eine Sperrschicht-Fotozelle 10 vom Tandemoder Kaskadentyp, die aus aufeinanderfolgenden pin-Schichten
gebildet ist, deren jede eine amorphe Halbleiterlegierung umfaßt. Die hier angegebenen Gasschleusen wurden für
die Herstellung dieser Art von Sperrschicht-Fotoelement entwickelt, bei dem amorphe Legierungsschichten kontinuierlich
auf eine bewegte Substratmaterialbahn in aufeinanderfolgenden, voneinander isolierten Abscheidungskammern
abgeschieden werden.
Fig. 1 zeigt eine Mehrzahl von pin-Sperrschicht-Fotoelementen,
etwa Solarzellen 12a, 12b und 12c. Unter der untersten Fotozelle 12a liegt ein Substrat, das lichtdurchlässig sein
oder aus einer Folie mit Metalloberfläche bestehen kann.
Für bestimmte Anwendungszwecke kann zwar eine dünne Oxidschicht
und/oder eine Serie von Basiskontakten vor dem Aufbringen des amorphen Materials erforderlich sein; im
Rahmen der vorliegenden Anmeldung umfaßt der Ausdruck "Substrat" nicht nur einen biegsamen Film, sondern auch
alle Elemente, die dieser aufgrund von vorhergehenden Bearbeitungsverfahren aufweist. Normalerweise ist das
Substratmaterial rostfreier Stahl, Aluminium, Tantal, Molybdän oder Chrom.
Jede Zelle 12a, 12b und 12c wird mit einem amorphen Legierungskörper,
der wenigstens eine Siliziumlegierung enthält, hergestellt. Jeder Legierungskörper umfaßt eine n-leitende
Zone oder Schicht 20a, 20b und 20c; eine eigenleitende Zone oder Schicht 18a, 18b und 18c; sowie eine p-leitende Zone
oder Schicht 16a, 16b und 16c. Die Zelle 12b ist eine
Zwischenzelle, und gemäß Fig. 1 können weitere Zwischenzellen auf die gezeigten Zellen gestapelt sein, ohne daß dies
eine Abweichung von der Erfindung darstellt. Ferner sind zwar pin-Fotozellen Vom' Tandemtyp gezeigt, die angegebenen
Gasschleusen eignen sich jedoch gleichermaßen zum Einsatz in einer Vielkammereinrichtung, die zur Erzeugung von
nip-Tandemzellen eingerichtet ist, wobei nur einfach die
Abscheidungsreihenfolge der n- und p-leitenden Schichten auf dem Substrat umgekehrt wird.
In jeder Zelle 12a, 12b und 12c sind die p-leitenden Schichten lichtabsorbierende, hochleitfähige Legierungsschichten. Die eigenleitenden Legierungsschichten haben
einen eingestellten Wellenlängen-Schwellenwert für Solarlichtempfindlichkeit,
sind hochgradig lichtabsorbierend,
33Η375
haben eine geringe Dunkelleitfähigkeit und hohe Fotoleitfähigkeit sowie ausreichende Mengen eines Bandabstand-Einstellelements
bzw. solcher Elemente, so daß der Bandabstand hinsichtlich des speziellen Anwendungszwecks optimiert ist.
Bevorzugt sind die Eigenleiterschichten hinsichtlich des Bandabstands so eingestellt, daß die Zelle 12a den kleinsten
Bandabstand, die Zelle 12c den größten Bandabstand und die Zelle 12b einen zwischen den beiden anderen liegenden
Bandabstand aufweist. Die η-leitenden Schichten sind Legierungsschichten mit geringer Lichtabsorptionsfähigkeit
und hoher elektrischer Leitfähigkeit. Die Dicken der η-leitenden Schichten liegen im Bereich von ca. 25-100 8.
Die Dicken der bandabstand-eingestellten amorphen eigenleitenden Legierungsschichten liegen zwischen ca. 2000
und 3000 8. Die Dicken der p-leitenden Schichten betragen 50-200 A. Wegen der kürzeren Diffusionslänge
der Löcher sind die p-leitenden Schichten normalerweise möglichst dünn. Ferner ist die äußerste Schicht, im vorliegenden
Fall die η-leitende Schicht 20c, möglichst dünn, um eine Lichtabsorption zu vermeiden, und braucht das Bandabstands-Einstellelement
nicht zu enthalten.
Selbstverständlich kann nach dem Abscheiden der Halbleiter-Legierungsschichten
ein weiterer Abscheidungssschritt entweder in einer gesonderten Umgebung oder in einem Teil
der kontinuierlichen Herstellungseinrichtung durchgeführt werden. Dabei wird eine lichtdurchlässige leitfähige
Oxidschicht bzw. TCO-Schicht 22 zugefügt, die z. B. Indiumzinnoxid (ITO), Cadmiumstannat (Cd3SnO4) oder dotiertes
Zinnoxid (SnO2) ist. Es kann zwar ein Elektrodengitter 24
auf dem Fotoelement vorgesehen werden; bei einer Tandemzel-
λ m ο * a
Ie mit hinreichend kleiner Fläche ist jedoch die TCO-Schicht
22 normalerweise ausreichend leitfähig, so daß das Gitter 24 nicht benötigt wird. Wenn die Tandemzelle entweder
ausreichend großflächig oder die Leitfähigkeit der TCO-Schicht 22 ungenügend ist, kann das Gitter 24 auf
die Schicht 22 aufgebracht werden, um den Ladungsträgerweg zu verkürzen und den Leitungs-Wirkungsgrad zu steigern.
II. Die Mehrfach-Glimmentladungs-Abscheidungskammern
Fig. 2 zeigt schaubildlich eine Einrichtung 26 mit Mehrfach-Glimmentladungs-Abscheidungskammern
für die kontinuierliche Herstellung der Sperrschicht-Fotoelemente vom
Tandem-Typ. Die Einrichtung 26 umfaßt eine Mehrzahl von gegeneinander isolierten speziellen Abscheidungskammern,
die jeweils durch eine Gasschleuse miteinander verbunden s ind.
Die Einrichtung 26 dient der Herstellung eines großen
Volumens von großflächigen amorphen Sperrschicht-Fotozellen mit pin-Konfiguration auf der Abscheidungsoberflache eines
Substratmaterials 11, das kontinuierlich durch die Einrichtung von einem Substratvorratskern 11a zu einem Substrataufwickelkern
11b geführt wird. Zur Abscheidung der amorphen Legierungsschichten, die zur Erzeugung einer Tandemzelle
mit pin-Konfiguration notwendig sind, umfaßt die Einrichtung wenigstens eine Triade von Abscheidungskammern,
wobei jede Triade aufweist: eine erste Abscheidungskammer 28, in der eine p-leitende amorphe Legierungsschicht auf
die Abscheidungsoberflache des Substrats 11 während des
33H375
Durchlaufs desselben abgeschieden wird; eine zweite Abscheidungskammer
30, in der auf die p-leitende Legierungsschicht auf der Abscheidungsoberflache des Substrats eine
eigenleitende amorphe Legierungsschicht abgeschieden wird, während das Substrat 11 durchläuft; und eine dritte Abscheidungskammer
32, in der eine η-leitende Legierungsschicht auf die eigenleitende Schicht auf der Abscheidungsoberf
lache des Substrats 11 abgeschieden wird, während das Substrat 11 die Abseheidungskammer passiert.
Folgendes ist selbstverständlich: (1) Zwar wurde nur eine Abscheidungskammer-Triade beschrieben, aber die Einrichtung
kann zusätzliche Triaden oder weitere Einzelkammern aufweisen, so daß sie Sperrschicht-Fotozellen mit jeder gewünschten
Anzahl amorpher Schichten herstellen kann; (2) die Gasschleusen sind in einer Umgebung mit sogar nur zwei
aneinandergrenzenden Kammern verwendbar, wobei das Verhindern eines Rückströmens oder einer gegenseitigen Verunreinigung
von Gasen zwischen diesen Kammern erforderlich ist; (3) bei dem bevorzugten Ausführungsbeispiel ist zwar das
Substratmaterial als fortlaufende Magnetmaterialbahn beschrieben und gezeigt, der Erfindungsgedanke ist jedoch
auch auf die Abscheidung aufeinanderfolgender Schichten auf einzelne Magnetsubstratplatten anwendbar, die kontinuierlich
durch die Mehrzahl Abscheidungskammern gefördert werden können; (4) da die Länge der Bewegungsbahn des
Substrats durch einzelne Abscheidungskammern der Dicke der p-leitenden oder der eigenleitenden oder der n-leitenden
Schicht, die in einer bestimmten Kammer abgeschieden wurde, proportional ist, kann die Länge der Bewegungsbahn des
Substrats durch eine einzelne Abscheidungskammer vergrößert
..· : \.-·..· 33U375
23
oder verringert werden, um eine Schicht erwünschter Dicke auf dem Substrat abzuscheiden; und (5) können weitere
Kammern (z. B. eine Kammer zum Aufbringen einer TCO-Schicht auf die oberste Dotierschicht des Sperrschicht-Fotoelements)
funktionsmäßig mit der Glimmentladungseinrichtung 26 durch die magnetische Gasschleuse verbunden sein.
Wenn die Einrichtung 26 zur Herstellung von pin- oder nip-Sperrschicht-Fotozellen verwendet wird, werden zusätzliche
Abscheidungskammer-Triaden funktionsmäßig mit der Abscheidungskammer-Triade von Fig. 2 verbunden. In diesem
Fall umfaßt die Einrichtung 26 ferner eine Zwischenkammer (nicht gezeigt) zur Trennung des η-leitenden Reaktionsgasgemischs,
das die dritte Abscheidungskammer 32 durchströmt, und des p-leitenden Reaktionsgasgemischs, das die erste
Abscheidungskammer der nachfolgenden Triade durchströmt.
Jede Abscheidungskammer 28, 30 und 32 der Triade dient der Abscheidung einer einzigen amorphen Siliziumlegierung durch
Glimmentladungsabscheidung auf das magnetische Substrat 11. Zu diesem Zweck umfaßt jede Abscheidungskammer 28, 30 und
32: eine Katode 34a, 34b und 34c, eine Gaszufuhrleitung 36a, 36b und 36c, einen HF-Erzeuger 38a, 38b und 38c sowie
eine Mehrzahl von Strahlungsheizelementen 40a, 40b und 40c.
Die Gaszufuhrleitungen 36a-c sind funktionsmäßig den jeweiligen Katoden 34a-c zugeordnet zur Zuführung von
Reaktionsgasgemischen zu den Plasmazonen, die in jeder Abscheidungskammer 28, 30 und 32 zwischen den Katoden und
dem daran vorbeilaufenden Substrat 11 erzeugt werden. Der
Vorratskern 11a für das magnetische Substratmaterial 11 ist
zwar hier drehbar in der ersten Abseheidungskammer 28 und
der Aufwickelkern 11b für das Substratmaterial drehbar in
der dritten Abscheidungskammer 32 angeordnet gezeigt; selbstverständlich können der Vorratskern 11a und der
Aufwickelkern 11b in anderen Kammern angeordnet sein, die
funktionsmäßig mit der gezeigten Kammertriade verbunden sind.
Die HF-Erzeuger 38a-c wirken mit den Katoden 34a-cf den
Strahlungsheizelementen 40a-c und dem geerdeten Substrat zusammen zur Erzeugung der Plasmazonen durch Dissoziierung
der elementaren Reaktionsgase, die in die Abscheidungskammern 28, 30 und 32 eintreten, in Abscheidungsspezies. Die
Abscheidungsspezies werden dann als amorphe Siliziumlegierungsschichten auf dem Substrat 11 abgeschieden.
Zur Bildung der Sperrschicht-Fotozelle 10 von Fig. 1 wird eine p-leitende amorphe Siliziumschicht auf dem Substrat
in der Abscheidungskammer 28, eine eigenleitende amorphe Siliziumlegierungsschicht in der Abscheidungskammer 30 auf
der p-leitenden Schicht und eine η-leitende amorphe Siliziumlegierungsschicht
in der Abscheidungskammer 32 auf der eigenleitenden Schicht abgeschieden. Somit werden in der
Einrichtung 26 wenigstens drei amorphe Siliziumlegierungsschichten auf dem Substrat 11 abgeschieden, wobei sich die
Zusammensetzung der eigenleitenden Schicht, die in der Abscheidungskammer 30 abgeschieden wird, von den in den
Abscheidungskammern 28 und 32 abgeschiedenen Schichten unterscheidet durch die Abwesenheit von wenigstens einem
Element, das nachstehend als Dotierstoff oder Dotierart bezeichnet wird.
ύ ti «J w
β β Λ ί fι 6
33U375
24- -
25"
Es ist sehr wichtig, daß die auf dem magnetischen Substrat
11 abgeschiedenen Legierungsschichten von hoher Reinheit
sind, so daß Sperrschicht-Fotoelemente 10 mit entsprechend
hohem Wirkungsgrad erhalten werden. Somit ist es erforderlich, Mittel zum Isolieren der Eigenleiter-Abscheidungskammer
30, in die nur Eigenleitergase zur Bildung der eigenleitenden Legierungsschicht eingeleitet werden, gegenüber
den Dotierstoff-Abscheidungskammern 28 und 32, in die die
Gase mit einem Dotierstoff eingeleitet werden, vorzusehen. Die Isolierung oder Trennung muß zwar ausreichend sein, um
hinsichtlich der Konzentration der Eigenleitergase in der
3 Abscheidungskammer 30 ein Verhältnis von wenigstens 10 gegenüber den Dotierstoffgasen in den Dotierstoff-Abscheidungskammern
28 und 32 zu erzielen; es gilt jedoch, daß der Wirkungsgrad des Fotoelements umso höher ist, je besser die
Isolation ist. \
III. Die Gasschleusen
Gemäß der Erfindung wird die erforderliche Isolierung der Eigenleitergase in der Eigenleiter-Abscheidungskammer 30
gegenüber den Dotierstoffgasen in den Dotierstoff-Abscheidungskammern
28 und 32 teilweise dadurch erreicht, daß ein Einrichtungsstrom (in Richtung des Pfeils 44) aus der
Eigenleiter-Abscheidungskammer 30 in jede der Dotierstoff-Abscheidungskammern
28 und 32 ausgebildet wird. Wie aus Fig. 2 ohne weiteres ersichtlich ist, steht die Eigenleiter-Abscheidungskammer
30 in Funktionsverbindung mit den Dotierstoff-Abscheidungskammern 28 und 32 über Gasschleusen,
die als Schlitze 42a und 42b dargestellt und so
ausgelegt sind, daß das Substrat 11 durch einen Durchlaß 43
in den Gasschleusen geführt wird, während es sich kontinuierlich
von dem Vorratskern 11a durch die Abscheidungskammern 28, 30 und 32 und auf den Aufwickelkern 11b bewegt.
Bisher wurden die Abmessungen der Gasschleusen 42a und 42b so klein wie möglich gewählt, um eine Rückdiffusion oder
ein Zurückströmen der Dotierstoffgase aus den Dotierstoff-Abscheidungskammern
28 und 32 in die Eigenleiter-Abscheidungskammer
30 zu verhindern, und gleichzeitig wurden die Abmessungen so gewählt, daß sie ausreichend groß waren, so
daß die beschichtete Substratoberfläche durchlaufen konnte, ohne durch die Wandungen des Durchlasses verkratzt zu
werden. Somit stellt die Auslegung der Gasschleusen 42a und 42b einen Kompromiß zwischen verschiedenen Forderungen dar.
Der Durchlaß durch die Gasschleusen muß ausreichend groß sein, um (1) ein berührungsfreies Durchlaufen der beschichteten
Oberfläche des Substrats 11 zu ermöglichen und (2) eine Diffusion oder ein Rückströmen von Reaktionsgasen aus
der Eigenleiter-Abscheidungskammer 30 durch den Durchlaß zu verhindern. Die Erfindung hat sich zum Ziel gesetzt, die
Größe des Gasschleusen-Durchlasses zu minimieren, ohne daß die beschichtete Substratoberfläche verkratzt wird. Es soll
nochmals darauf hingewiesen werden, daß zwar die Anmeldung hauptsächlich auf die Vermeidung einer Verunreinigung der
eigenleitenden Legierungsschicht durch Dotierlegierungsbestandteile gerichtet ist, jedoch sollen die Dotierlegierungsschichten
auch gegen Verunreinigung geschützt werden durch Verwendung der magnetischen Gasschleuse, wodurch die
Dotierstoff-Abscheidungskammern und daran angrenzende Kammern, in denen z. B. (1) eine TCO-Schicht auf die
oberste Dotierstoffschicht aufgebracht oder (2) das
33U375
magnetische Substratmaterial vor dem Eintritt in die
Abscheidungskammern gereinigt wird, funktionsmäßig miteinander verbunden werden. Die Verwendung der magnetischen
Gasschleuse dient auch dem Zweck, eine "Waffelbildung" des Substrats in diesen anderen Kammern zu verhindern.
Um eine Diffusion der Eigenleiter-Reaktionsgase aus der Eigenleiter-Abscheidungskammer 30 in die Dotierstoff-Abscheidungskammern
28 und 32 durch die Gasschleusen 42a und 42b zu verhindern, werden die p-Dotierstoff-Abscheidungskammer
28 und die n-Dotierstoff-Abscheidungskammer 32 auf einem niedrigeren Innendruck als die Eigenleiter-Abscheidungskammer
30 gehalten. Zu diesem Zweck weist jede Abscheidungskammer automatische Drosselklappen, Pumpen und
Druckmesser (nicht gezeigt) auf. Jede Drosselklappe ist funktionsmäßig mit einer Abscheidungskammer und einer Pumpe
verbunden, so daß überschüssige und verbrauchte Abscheidungsbestandteile aus den Abscheidungskammern evakuiert
werden. Jeder Absolutdruckmesser ist funktionsmäßig mit einer Abscheidungskammer und einer Drosselklappe verbunden
zur Einstellung des Drucks in der jeweiligen Abscheidungskammer. Insbesondere wird der Druck in den Dotierstoff-Abscheidungskammern
28 und 32 bevorzugt auf ca. 0,55 Torr und der Druck in der Eigenleiter-Abscheidungskammer 30 bevorzugt
auf ca. 0,6 Torr gehalten. Somit wird eine Druckdifferenz zwischen den Dotierstoff-Abscheidungskammern 28 und 32
und der Eigenleiter-Abscheidungskammer 30 ausgebildet und aufrechterhalten, wodurch sich ein im wesentlichen in eine
Richtung verlaufender Gasstrom durch die Eigenleiter-Abscheidungskammer 30 ergibt.
*- -' - * **' " 33H375
- tr -28
Gemäß dem bevorzugten Ausführungsbeispiel umfassen die
Eigenleitergase die Eigenleiter-Ausgangsiaaterialien, aus denen die drei abgeschiedenen amorphen Siliziumlegierungsschichten erhalten werden. Z. B. können die Eigenleiter-Ausgangsgase
Siliziumtetrafluoridgas (SiF.) plus Wasserstoffgas, Siliziumtetrafluoridgas plus Silangas (SiH.),
Siliziumtetrafluoridgas für sich oder Silangas für sich umfassen. Die Eigenleiter-Ausgangsgase werden in die
Leitung 36b eingespeist und gelangen von dort in die Eigenleiter-Abscheidungskammer 30 mit einem Durchsatz, der
zusammen mit dem Durchsatz, mit dem ein Spülgas eingeleitet wird, (1) den Einrichtungsstrom durch die Gasschleusen 42a
und 42b sicherstellt, (2) die Eigenleitergase in den Dotierstoff-Abscheidungskammern 28 und 32 unterhalt und (3)
einen Rückstrom oder eine Diffusion der Dotierstoffgase in die Eigenleiter-Abscheidungskammer 30 im wesentlichen
unterbindet.
Die Dotierstoffgase, die zur Erzeugung der p- oder n-leitenden
Legierungsschichten in den Dotierstoff-Abscheidungskammern 28 und 32 notwendig sind,, werden jeweils durch die
Leitung 36a bzw. 36c eingespeist. Die Konzentration der Dotierstoffgase, die in der p-Dotierstoff-Abscheidungskammer
28 erforderlich ist zur Erzeugung der p-leitenden Legierungsschicht, beträgt ca. 0,1 Atom-%. Dieses Dotierstof
fgas ist z. B. Bor, das in Form von Diborangas (B2Hg)
eingeleitet wird. Zur Erzeugung einer p-leitenden Legierungsschicht mit vergrößertem Bandabstand können auch
Elemente wie Stickstoff, Kohlenstoff oder Sauerstoff eingeleitet werden.
I»«Ü O P β
33Η375
Die Konzentration der Dotierstoffgase, die in der n-Dotierstoff-Abscheidungskammer
32 erforderlich ist zur Herstellung der η-leitenden Legierungsschicht, beträgt ca.
0,05 Atom-%. Dieses Dotierstoffgas ist z. B. Phosphor in
Form von Phosphingas oder Arsen in Form von Arsingas.
Bei dem bevorzugten Ausführungsbeispiel wird ein Spülgas wie Wasserstoff, Argon oder ein anderes Inertgas an der
Vorderseite (also der Seite der Eigenleiter-Abscheidungskämmer)
der Gasschleusen 42a und 42b eingeführt. Das Spülgas tritt in die Kammer 30 angrenzend an die Gasschleusen
42a und 42b durch Leitungen 37a und 37b ein, die Öffnungen (nicht gezeigt) aufweisen, so daß das Spülgas auf
beide Seiten der magnetischen Substratmaterialbahn 11
gerichtet wird. Aufgrund der Druckdifferenz zwischen den Kammern 28 und 32 und der Eigenleiter-Abscheidungskammer 30
werden die Inertgase in eine Richtung durch den Durchlaß 43 der Gasschleusen 42a und 42b geleitet. Ein erheblicher
Prozentsatz der in die Eigenleiter-Kammer 30 durch die Leitung 36b eingeleiteten Eigenleiter-Reaktionsgase wird
bevorzugt auf die Plasmazone der Kammer 30 dadurch begrenzt, daß die Gase angrenzend an diese Zone eingeleitet
und abgezogen werden. In ähnlicher Weise wird ein erheblicher Prozentsatz der Reaktionsgasbestandteile, die zur
Abscheidung der Dotierungsschichten in die Dotierstoff-Abscheidungskammern
28 und 32 notwendig sind, durch die Leitungen 36a und 36c eingeleitet. Die Dotierstoffgase
werden ebenfalls im wesentlichen auf die jeweiligen Plasmazonen der Dotierstoff-Abscheidungskammern begrenzt, indem
diese Reaktxonsgasgemische angrenzend an diese Zonen eingeleitet und abgezogen werden. Nach dem Ansaugen der
1 · «t ρ » * * w
- ifr--
oo I ko I b
Inertgase durch die Gasschleusen 42a und 42b in die jeweiligen Dotierstoff-Abscheidungskammern 28 und 32 können die
Inertgase entweder im wesentlichen angrenzend an die Endseite (die Dotierstoffkämmer-Seite) der Gasschleusen 42a
und 42b abgezogen oder mit den Dotierstoffreaktionsgasen evakuiert werden. In beiden Fällen stellt der Einsatz der
Spülgase eine zusätzliche Maßnahme dar, um das Zurückströmen oder die Diffusion von Dotierstoffgasen aus den Dotierstof
f-Abscheidungskammern 28 und 32 in die Eigenleiter-Abscheidung
skammer 30 zu verhindern.
Fig. 3 ist eine größere Schnittdarstellung der bevorzugten Ausbildung der Gasschleuse 42. Die Gasschleuse 42 zeigt nur
symbolisch die allgemeine Anordnung bekannter Teile in einer typischen Gasschleuse und soll nicht sämtliche
bekannten Bauelemente dieser Gasschleuse zeigen. Die Beschreibung ist nur in bezug auf die magnetischen Elemente,
die das Wesen der Erfindung bilden, detailliert.
Die Gasschleuse 42 umfaßt einen unteren Block 44 und einen
oberen Block 46, an dessen Vorderkante eine in Querrichtung verlängerte Zylinderrollenanordnung 48 gesichert ist. Die
Länge der Zylinderrollenanordnung 48 ist bevorzugt wenigstens gleich der Breite der magnetischen Substratmaterialbahn
11, die durch die Mehrkammereinrichtung 26 läuft, so daß die Gesamtbreite des Substrats 11 einen Abschnitt des
ümfangs des Zylinderrollenmantels kontaktiert. Eine Mehrzahl Rollenlager kann zur im wesentlichen reibungsfreien
Rotation der Zylinderrollenanordnung 48 vorgesehen sein. Die Zylinderrollenanordnung 48 führt die magnetische
Substratbahn 11 durch einen relativ engen Spalt oder
33H375
Durchlaß 43, der zwischen der Oberfläche des unteren Gasschleusenblocks 44 und einem Ausschnitt des oberen
Gasschleusenblocks 46 gebildet ist. Durch Ausbildung eines Einrichtungsstroms des inerten Spülgases von der Eigenleiterkammerseite
der Gasschleuse in die benachbarten Dotierstoffkammerseiten der Gasschleuse wird eine schädliche
Verunreinigung der Eigenleiter-Abscheidungskammer 30 durch den Rückstrom oder die Diffusion von p- und n-leitenden
Dotierstoffgasen, die in die angrenzenden Abscheidungskammern
28 und 32 eingeleitet werden, vermieden. Bei dem bevorzugten Ausführungsbeispiel wird zwar eine einzige
Rollenanordnung 48 eingesetzt, die drehbar am Vorderende der Gasschleuse 42 gelagert ist, es könnte jedoch auch eine
zweite Rollenanordnung drehbar am Hinterende der Gasschleuse gesichert sein, um die Substratbahn 11 zu führen.
Der Gasschleusen-Spalt oder -Durchlaß 43 ist im Querschnitt im wesentlichen rechteckig und durch eine obere Wandung
43a, eine untere Wandung 43b und zwei Seitenwandungen 43c begrenzt. Wie bereits erwähnt, ist es erwünscht, daß die
Wandungen 43c möglichst kurz sind, um den Rückstrom oder die Diffusion von Gasen durch den Durchlaß 43 zu minimieren.
Um dies zu erreichen, besteht die obere Wandung 43a des Durchlasses 43 aus einem relativ harten Werkstoff, der
außerdem einen geringen Oberflächen-Reibungswiderstand und eine niedrige Wärmeleitfähigkeit aufweist. Bei dem bevorzugten
Ausführungsbeispiel weist eine wärmebehandelte Glastafel 62, z. B. PYREX (Wz der Corning Glass Works für
ein Borsilikatglas mit einer Erweichungstemperatur von 820 °C, einer oberen Arbeitstemperatur im Normalbetrieb
von 230 0C und einer Ritzhärte von 120), die erforderli-
t · -λ it
' 33U375
chen Eigenschaften auf und wird daher zur Herstellung der oberen Durchlaßwandung 43a verwendet. Bai dem bevorzugten
Ausführungsbeispiel ist zwar die obere Wandung 43a aus einem Werkstoff mit geringem Oberflächen-Reibungswiderstand
und niedriger Wärmeleitfähigkeit ausgebildet (da dies die Fläche der oberen Wandung 43a ist, die die unbeschichtete
Seite des Substrats 11 kontaktiert), die untere Wandung 43b könnte jedoch ebenfalls so ausgebildet sein (wenn die
Schichten auf die Oberseite des Substrats 11 abgeschieden wären), ohne daß dies eine Abweichung von der Erfindung
darstellt. In weiterer bevorzugter Ausbildung kann die magnetische Gasschleuse nach der Erfindung auch mit einer
vertikal angeordneten Katodeneinheit (statt mit der hier gezeigten horizontalen Katode) verwendet werden. Im Fall
einer vertikalen Katode kann jede Wandung der Gasschleuse aus einem Werkstoff geringer Reibung und niedriger Wärmeleitfähigkeit
bestehen.
Nach den Fig. 3 und 5 läuft die magnetische Substratbahn durch den Durchlaß 43 der Gasschleuse 42. Fig. 5 zeigt die
Substratbahn 11 in Gleitkontakt mit der oberen Glaswandung 43a des Durchlasses 43. Dabei ist speziell die geringfügige
Rundung 45 von ca. 3,2 mm zu beachten, die an der Einlaufkante der oberen Glaswandung 43a ausgebildet ist. Der Zweck
der Rundung 45 ist es, ein Ritzen der Substratbahn 11 durch
die Einlaufkante der Wandung 43a zu verhindern.
Wie bereits erläutert, ist der Durchlaß 43 teilweise durch eine Ausnehmung 64 im oberen Block 46 gebildet, in der
mehrere Elemente gesichert sind, die das Substrat 11 in
Gleitkontakt mit der Unterseite der Glastafel 62 beauf-
• » I |
" * ■ ·' "* 33U375
- Tar-
schlagen. Im einzelnen ist dabei zuerst eine Aluminiumplatte 66 mit einer Dicke von 6,3 mm, einer Breite von 41,9 cm
und einer Tiefe von 19,05 cm in die Ausnehmung eingesetzt; dann ist in die Ausnehmung 64 anliegend an die Aluminiumplatte 66 ein Gehäuse 68 aus rostfreiem Stahl Nr. 304 mit
einer Breite von 40,6 cm, einer Tiefe von 20,3 cm und einer Dicke von 9,5 mm angeordnet; schließlich ist anstoßend an
das Gehäuse 68 die Glasplatte 62 mit einer Dicke von 6,35 mm, einer Breite von 40,6 cm und einer Tiefe von
20,3 cm in die Ausnehmung 64 eingesetzt. Zwei lange Abstandselemente
70 von 3,17 mm bilden (1) die Seitenwandungen 43c des Durchlasses 43 und (2) entwickeln und bestimmen
die Tiefe der Durchlaßöffnung. Es ist zu beachten, daß die bevorzugte Höhe der Abstandselemente 70 zwar 3,17 mm ist,
daß jedoch die Höhenabmessung in der Praxis auf einen so geringen Wert wie 1,58 mm reduziert worden ist.
Die bevorzugte Höhenabmessung von 3,17 mm stellt eine ganz
erhebliche Verringerung der Öffnung des Durchlasses dar, da bisherige Öffnungen nicht kleiner als ca. 6,35 mm waren.
Wie ohne weiteres ersichtlich ist, wird die rückströmende oder durch den Durchlaß 43 aus den Dotierstoff-Abscheidungskammern
28 und 32 diffundierende Dotiergasmenge mit zunehmender Tiefenabmessung entsprechend verringert. Es
wurde festgestellt, daß eine Verringerung der Duchlaßöffnung von der vorherigen Abmessung von 6,35 mm auf den Wert
von 1,58 mm, die durch die Erfindung möglich ist,, in einer Veringerung von aus der p-Dotierstoff-Abseheidungskammer 28
oder der n-Dotierstoff-Abscheidungskammer 32 in die Eigenleiter-Abscheidungskammer
30 rückströmenden oder diffundierenden Verunreinigungen um einen Paktor von wenigstens 100
resultiert.
* ' ** " "··"" 33H375
Aus der vorstehenden Erläuterung geht die Wichtigkeit der Ausbildung der oberen Wandung 43a des Durchlasses 43 aus
einem Material hervor, das bei den für die Abscheidung erforderlichen höheren Betriebstemperaturen und Temperaturänderungen
im wesentlichen eben bleibt. Folgendes würde eintreten, wenn die Oberfläche der oberen Wandung 43a in
der Lage wäre, sich infolge von Temperaturschwankungen zu verziehen: (1) Abschnitte der beschichteten Oberfläche des
magnetischen Substrats 11 würden die untere Wandung 43b des
Durchlasses 43 beim Durchlaufen durch diesen kontaktieren, so daß eine oder mehrere der darauf abgeschiedenen amorphen
Schichten verkratzt oder anderweitig beschädigt werden würde, was wiederum den Wirkungsgrad eines daraus hergestellten
Sperrschicht-Bauelements entsprechend nachteilig beeinflußt; und (2) das gegen die obere Wandung 43a angezogene
magnetische Substrat 11 würde sich an deren Oberfläche anpassen, was möglicherweise eine wellige oder verzogene
Substratkonfiguration zur Folge hätte, auf der ungleichmäßige Halbleiterschichten abgeschieden werden würden, was
ebenfalls den Wirkungsgrad des Sperrschicht-Bauelements verschlechtert. Demzufolge ist es also erforderlich, daß
der Werkstoff, aus dem die obere Wandung 43a besteht, relativ hart ist, so daß er bei erhöhten Betriebstemperaturen
im wesentlichen eben bleibt.
In dem rostfreien Stahlgehäuse 68 ist eine Mehrzahl Magnete 72 in Reihen und Spalten mittels einer Mehrzahl von horizontal
und vertikal angeordneten Magnetseparatoren 74 angeordnet. Die Magnete 72 bestehen bevorzugt aus Keramik,
da Keramikwerkstoffe leichte, relativ billige Magnete ergeben, die bei höheren Temperaturen beständig sind und
ein starkes Magnetfeld erzeugen. Bei dem bevorzugten
Ausführungsbeispiel sind die Magnete 72 zwar als rechteckige Keramikstäbe mit einer Breite von 2,54 cm und einer
Länge von 5,08 cm gezeigt; die Magnete 72 sind jedoch weder auf Keramikwerkstoffe noch auf irgendeine bestimmte Abmessung
oder Konfiguration beschränkt. Es ist nur erforderlich,
daß die Magnete 72 ein starkes Magnetfeld bei den für die Abscheidung erforderlichen hohen Betriebstemperaturen
erzeugen können. Bevorzugt wird eine Mehrzahl Stabmagnete eingesetzt, um das Gesamtmagnetfeld zu erzeugen, weil der
größte Magnetfluß an den Enden der Stabmagnete 7 2 erzeugt wird und daher gilt, daß die Anziehungskraft umso größer
und das Magnetfeld umso gleichmäßiger sind, je mehr Magnete eingesetzt werden.
Die Magnetseparatoren 74 sind im wesentlichen flache lange nichtmagnetische Elemente, z. B. Aluminiumplatten mit einer
Dicke von 1,58 mm. Die Separatoren 74 wirken mit der Mehrzahl Magnete 72 zusammen zur Vergleichmäßigung des
Magnetfelds. Bei dem bevorzugten Ausführungsbeispiel sind insgesamt 64 Keramikmagnete 72 von 2,54 χ 5,08 cm durch
nichtmagnetische Separatoren 74 so voneinander beabstandet, daß die Enden der Randmagnete 72 mit der Kante der magnetischen
Substratmaterialbahn 11, die den Durchlaß 43 durchläuft, koinzidieren. Indem die Magnete 72 relativ zu dem
magnetischen Substrat 11 derart angeordnet werden, ergibt sich durch die Anordnung nach der Erfindung der weitere
Vorteil, daß das Magnetfeld der Zentrierung des Substrats 11 auf seiner Bahn durch die Gasschleuse 42 dient. Der
obere Block 46 umfaßt eine zweiteilige Halterung 84 (vgl. Fig. 4) zum Halten der Magnete 72 und der Separatoren 74 in
33U375
dem vorbestimmten Muster. Der obere Abschnitt der Halterung 84 wirkt mit deren Seitenabschnitten über eine Mehrzahl
Schrauben 86 zusammen.
Die magnetische Gasschleuse 42 bietet noch einen weiteren erheblichen Vorteil. Die Zylinderrollenanordnung 48 ist
drehbar gelagert und positioniert die Substratmaterialbahn 11 auf ihrem Weg durch den Durchlaß 43 der Gasschleuse 42
ca. 0,5 mm unter der oberen Wandung 43a des Durchlasses. Ungeachtet der Tatsache, daß das Substrat 1 unter mechanischer
Spannung gehalten ist, zeigt das Substrat 11 die unerwünschte Tendenz, infolge der hohen Betriebstemperaturen,
denen es ausgesetzt ist, sich zu biegen oder zu wölben, und zwar entweder über seine Breite oder seine
Länge. Dadurch ergibt sich die Gefahr, daß ungleichmäßige Schichten auf dem Substrat abgeschieden werden. Durch
Ausbildung eines Magnetfelds wird die Substratbahn 11 unter höherer mechanischer Spannung gehalten, da sie durch das
Magnetfeld nach oben in Kontakt mit der oberen Wandung 43a des Durchlasses angezogen wird. Diese zusätzliche mechanische
Spannung reduziert ein Durchbiegen der Substratbahn 11, so daß darauf gleichförmige Schichten abgeschieden
werden können.
Die Oberfläche des unteren Blocks 44 der Gasschleuse 42
bildet die untere Wandung 43b des Durchlasses 43. In den unteren Block 44 sind mehrere Bohrungen 76 eingearbeitet
zur Aufnahme von langen Heizelementen (nicht gezeigt), deren genaue Anzahl von der Leistung jedes Heizelements und
der erwünschten Temperatur abhängt, auf der das Substrat 11 beim Durchlaufen durch den Durchlaß 43 gehalten werden
33Κ375
soll. Sowohl der untere Block 44 als auch der obere Block 46 der Gasschleuse 42 weisen mehrere Öffnungen 78 in
Platten 80a und 80b auf, die zur Befestigung der Gasschleuse 42 an den Abscheidungskammern dienen. Ferner ist der
obere Block 46 und die Aluminiumplatte 66 durch eine Öffnung 82 zugänglich zur Herstellung einer Verbindung mit
der Ausnehmung 64. Auf diese Weise kann die Ausnehmung 64 mit einem Spülgas gespült werden, nachdem die magnetische
Gasschleusenvorrichtung eingesetzt ist, und die Öffnung 82 kann mit einem Stopfen 83 dicht verschlossen werden, um
eine Verunreinigung der Abscheidungskammern durch die keramikmagnete 72 auszuschließen.
IV. Die Funktionsweise
Im Betrieb verläuft die magnetische Substratmaterialbahn
unter mechanischer Spannung von dem Vorratskern 11a wie folgt: (1) durch die p-Dotierstoff-Abscheidungskammer 28,
in der eine p-leitende Legierungsschicht, z. B. 16a, auf die Bahnunterseite abgeschieden wird; (2) durch die erste
Gasschleuse 42a; (3) durch die Eigenleiter-Abscheidungskammer 30, in der eine eigenleitende Legierungsschicht, z. B.
18a, auf die p-leitende Schicht abgeschieden wird; (4) durch die zweite Gasschleuse 42b; (5) durch die n-Dotierstoff-Abscheidungskammer
32, in der eine η-leitende Legierungsschicht, z. B. 20a, auf die eigenleitende Schicht
abgeschieden wird; und (5) schließlich wird sie auf den Aufwickelkern 11b gewickelt. Die Gasschleusen 42a und 42b
verbinden funktionsmäßig an die Eigenleiter-Abscheidungskammer 30 angrenzende Dotierstoff-Abscheidungskammern und
verhindern ferner das Zurückströmen oder die Diffusion von Reaktionsgasen aus der p-Dotierstoff-Abseheidungskammer 28
und der n-Dotierstoff-Abseheidungskammer 32 in die Eigenleiter-Abscheidungskammer
30. Wenn weitere Verfahrensschritte, z. B. das Aufbringen einer TCO-Schicht 22 auf die
Dotierstoffschicht 20cf in weiteren Kammern, die mit der
Abscheidungskammer-Triade 28, 30, 32 funktionsmäßig verbunden sind, erfolgen, werden die Gasschleusen 42 nach der
Erfindung auch zwischen diesen weiteren Kammern und daran angrenzenden Abscheidungskammern vorgesehen, um (1) eine
Verunreinigung der Dotierstoff-Abscheidungskammern und (2) eine Verwerfung des magnetischen Substratmaterials 11 zu
vermeiden.
Das von den Keramikmagneten 72 erzeugte Magnetfeld beaufschlagt die unbeschichtete Seite der magnetischen Substratbahn
11 (die aus einem Werkstoff wie rostfreiem Stahl Nr. 430 besteht), die den Durchlaß 43 in der Gasschleuse 42
durchläuft, in Gleitkontakt mit der Oberfläche der oberen Wandung 43a. Da die obere Wandung 43a aus einem relativ
harten Werkstoff mit geringer Reibung und niedriger Wärmeleitfähigkeit, z. B. aus einer PYREX-Glasplatte, besteht,
wird die Unterseite des Substrats nicht nachteilig beeinflußt. Die Keramikmagnete 72 erzeugen ein gleichmäßiges
Magnetfeld mit sehr starken Kräften senkrecht zu der ebenen Oberfläche des durch den Durchlaß 43 bewegten Substrats 11,
jedoch mit relativ geringen Kräften parallel zu der ebenen Substratoberfläche. Die magnetische Substratbahn 11 wird
somit gleichzeitig (1) gegen die Oberfläche der Glasplatte 43a gezogen, während sie (2) beim Durchlaufen des Durchlasses
43 an dieser entlanggleiten kann.
33H375
Indem die Magnete 72 das magnetische Substrat 11 in Gleitkontakt
mit der speziell ausgebildeten oberen Wandung 43a des Durchlasses 43 beaufschlagen, ermöglichen sie eine
Verringerung der Breite der öffnung des Durchlasses. D. h.f
spezielle Toleranzen, die ein Verkratzen der unbeschichteten Substratoberfläche verhindern sollen, werden nicht
benötigt, und mit verringerter Breite der öffnung des Durchlasses wird das Zurückströmen oder die Diffusion von
Dotierstoffgasen aus den Dotierstoff-Abscheidungskammern
entsprechend vermindert, wodurch eine Verunreinigung der Eigenleiterschicht ganz wesentlich verringert und ein
Sperrschicht-Fotoelement mit höherem Wirkungsgrad erzeugt wird.
Claims (8)
- 33H375Patentansprüche\/. Gasschleuse zur Verminderung des Zurückströmens von Gasen aus einer Spezialkammer in eine angrenzende Spezialkammer, miteinem relativ engen Durchlaß, durch den ein Substrat aus der ersten der aneinandergrenzenden Spezialkammern, in der eine erste Schicht auf eine Seite des Substrats abgeschieden wird, in die zweite Abscheidungskammer, in der eine zweite Schicht auf die erste Schicht abgeschieden wird, bewegt wird;wobei der Durchlaß durch jeweils eine lange obere und untere Wandung, die einander gegenüberliegen, und einander gegenüberliegende relativ kurze Wandungen begrenzt ist; wobei die erste Kammer Mittel zum Einleiten wenigstens eines Gases aufweist und die zweite Kammer Mittel zum Einleiten wenigstens eines zusätzlichen Gases aufweist undwobei den Kammern Einheiten zum Evakuieren der Gase aus den Kammern zugeordnet sind,
gekennzeichnet durch Elemente (72), die die unbeschichtete Seite des durch den Durchlaß (43) bewegten Substrats (11) in Gleitkontakt mit einer der langen Durchlaßwandungen (43a, 43b) beaufschlagen, so daß der Abstand zwischen der oberen und der unteren Durchlaßwandung verringerbar ist, ohne daß die beschichtete Substratoberfläche in Kontakt mit der anderen langen Durchlaßwandung gelangt, wodurch das Zurückströmen von Gasen aus der zweiten Kammer (30) durch den Gasschleusen-Durchlaß verringerbar ist.— Ο — - 2. Gasschleuse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Durchlaßwandung (43a, 43b), die die unbeschichtete Seite des Substrats (11) kontaktiert, aus einem Werkstoff mit geringer Reibung und niedriger Wärmeleitfähigkeit besteht.
- 3. Gasschleuse nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die das Substrat kontaktierende Wandung (43a, 43b) eine Borsilikatglasplatte ist.
- 4. Gasschleuse nach einem der Ansprüche 1-3, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (11) aus einem Magnetwerkstoff besteht und durch magnetische Anziehungskraft in Gleitkontakt mit der Glasplatte (43a, 43b) beaufschlagt wird.
- 5. Gasschleuse nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die magnetische Anziehungskraft von einer Mehrzahl Magnete (72) erzeugt wird.
- 6. Gasschleuse nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Magnete (72) durch eine Mehrzahl von nichtmagnetischen Separatoren (74) voneinander beabstandet sind.
- 7. Gasschleuse nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die aneinandergrenzenden Spezialkammern (28, 30, 32)ft« · e · · «»ο-ο««• ο ν > · » ο tu ρ ■*, ·..- : ·„··..· 33Η375zum Abscheiden amorpher«Legierungsschichten (16a-c, 18a-c, 20a-c) eingerichtet sind.
- 8. Gasschleuse zum funktionsmäßigen Verbinden von zwei aneinandergrenzenden Abscheidungskammern, mit einem relativ schmalen Durchlaß, durch den eine Substratmaterialbahn kontinuierlich förderbar ist aus der ersten Abscheidungskammer, in der auf eine Substratseite eine dotierte amorphe Siliziumschicht abgeschieden wird, zu der zweiten Abscheidungskammer, in der auf die erste Schicht eine eigenleitende amorphe Siliziumlegierungsschicht abgeschieden wird, wobei der Durchlaß durch jeweils eine in Querrichtung lange obere und untere Wandung, die einander gegenüberliegen, und zwei relativ kurze, einander gegenüberliegende Seitenwandungen begrenzt ist, gekennzeichnet durch Elemente (72) zum Erzeugen eines Magnetfelds, das die unbeschichtete Seite einer Substratmaterialbahn (11), die den Durchlaß (43) durchläuft, in Gleitkontakt mit einer der langen Wandungen (43a, 43b) beaufschlagt, so daß der Abstand zwischen den langen Durchlaßwandungen (43a, 43b) verringerbar ist, ohne daß die beschichtete Substratbahnoberfläche, die den Durchlaß (43) durchläuft, in Kontakt mit der anderen langen Durchlaßwandung (4 3b) gelangt.
Applications Claiming Priority (1)
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
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PH (1) | PH19617A (de) |
SE (1) | SE457357B (de) |
ZA (1) | ZA832572B (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3723865A1 (de) * | 1986-07-18 | 1988-01-28 | Sando Iron Works Co | Reaktor fuer eine plasmabehandlung |
DE102008030677A1 (de) * | 2008-04-17 | 2009-10-29 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Verfahen und Vorrichtung zur Diffusionsbehandlung von Werkstücken |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4537795A (en) * | 1982-09-16 | 1985-08-27 | Sovonics Solar Systems | Method for introducing sweep gases into a glow discharge deposition apparatus |
JPS60119784A (ja) * | 1983-12-01 | 1985-06-27 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 絶縁金属基板の製法およびそれに用いる装置 |
US6784033B1 (en) | 1984-02-15 | 2004-08-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for the manufacture of an insulated gate field effect semiconductor device |
US5780313A (en) * | 1985-02-14 | 1998-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating semiconductor device |
US4678679A (en) * | 1984-06-25 | 1987-07-07 | Energy Conversion Devices, Inc. | Continuous deposition of activated process gases |
JPS6179755A (ja) * | 1984-09-28 | 1986-04-23 | Nisshin Steel Co Ltd | 溶融めつき真空蒸着めつき兼用の連続めつき装置 |
US4664951A (en) * | 1985-07-31 | 1987-05-12 | Energy Conversion Devices, Inc. | Method provided for corrective lateral displacement of a longitudinally moving web held in a planar configuration |
US6673722B1 (en) | 1985-10-14 | 2004-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Microwave enhanced CVD system under magnetic field |
US6230650B1 (en) | 1985-10-14 | 2001-05-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Microwave enhanced CVD system under magnetic field |
JPH0193129A (ja) * | 1987-10-02 | 1989-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | 化学気相成長装置 |
JPH02291072A (ja) * | 1989-04-25 | 1990-11-30 | Koufu Nippon Denki Kk | 手形・小切手類処理装置 |
US5271631A (en) * | 1989-05-31 | 1993-12-21 | Atsushi Yokouchi | Magnetic fluid seal apparatus |
JPH0419081A (ja) * | 1990-05-15 | 1992-01-23 | Seiko Instr Inc | 真空内搬送ロボット |
JP2975151B2 (ja) * | 1991-03-28 | 1999-11-10 | キヤノン株式会社 | 半導体素子の連続的製造装置 |
US5157851A (en) * | 1991-10-02 | 1992-10-27 | United Solar Systems Corporation | Pinching gate valve |
US5374313A (en) * | 1992-06-24 | 1994-12-20 | Energy Conversion Devices, Inc. | Magnetic roller gas gate employing transonic sweep gas flow to isolate regions of differing gaseous composition or pressure |
US5946587A (en) * | 1992-08-06 | 1999-08-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Continuous forming method for functional deposited films |
DE9407482U1 (de) * | 1994-05-05 | 1994-10-06 | Balzers und Leybold Deutschland Holding AG, 63450 Hanau | Funktionseinrichtung für eine Vakuumanlage für die Behandlung von scheibenförmigen Werkstücken |
JPH08194847A (ja) * | 1995-01-20 | 1996-07-30 | Chugoku Nippon Denki Software Kk | 手形自動発行装置 |
WO2006053218A2 (en) * | 2004-11-10 | 2006-05-18 | Daystar Technologies, Inc. | Pressure control system in a photovoltaic substrate deposition |
WO2006053128A2 (en) * | 2004-11-10 | 2006-05-18 | Daystar Technologies, Inc. | Pallet based system for forming thin-film solar cells |
JP2009046710A (ja) * | 2007-08-16 | 2009-03-05 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 半導体素子の連続的製造装置 |
US7972898B2 (en) * | 2007-09-26 | 2011-07-05 | Eastman Kodak Company | Process for making doped zinc oxide |
KR20090088056A (ko) * | 2008-02-14 | 2009-08-19 | 삼성전기주식회사 | 가스공급 유닛 및 화학기상증착 장치 |
EP2292339A1 (de) * | 2009-09-07 | 2011-03-09 | Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Beschichtungsverfahren und Beschichtungsvorrichtung |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3814983A (en) * | 1972-02-07 | 1974-06-04 | C Weissfloch | Apparatus and method for plasma generation and material treatment with electromagnetic radiation |
DE2811414A1 (de) * | 1977-03-18 | 1978-09-21 | Anvar | Verfahren und vorrichtung zur dotierung eines halbleiter-substrats durch implantation von ionen |
DE3119481A1 (de) * | 1980-05-19 | 1982-01-28 | Energy Conversion Devices, Inc., 48084 Troy, Mich. | Verfahren zum herstellen einer p-leitfaehigen halbleiterlegierung |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2925062A (en) * | 1953-05-15 | 1960-02-16 | Heraeus Gmbh W C | Coating apparatus |
GB763541A (en) * | 1953-09-29 | 1956-12-12 | Siemens Ag | Improvements in or relating to apparatus for the continuous treatment in vacuo of wire or other strip-like material |
US3227132A (en) * | 1962-12-31 | 1966-01-04 | Nat Res Corp | Apparatus for depositing coatings of tin on a flexible substrate |
DE1282411B (de) * | 1964-12-28 | 1968-11-07 | Hermsdorf Keramik Veb | Vorrichtung zur kontinuierlichen Herstellung und Bearbeitung von Bauelementen der Elektronik unter Vakuum, insbesondere zum Aufdampfen von Schichten |
GB1168641A (en) * | 1966-05-19 | 1969-10-29 | British Iron Steel Research | Formation of Polymer Coatings on Substrates. |
GB1252882A (de) * | 1967-10-17 | 1971-11-10 | ||
US3648383A (en) * | 1969-12-01 | 1972-03-14 | Eastman Kodak Co | Sealing apparatus for transport of material between regions at different pressures |
US3645545A (en) * | 1970-07-30 | 1972-02-29 | Ibm | Entrance-exit atmospheric isolation device |
JPS4834798A (de) * | 1971-09-06 | 1973-05-22 | ||
LU69013A1 (de) * | 1973-03-07 | 1974-02-22 | ||
GB1428993A (en) * | 1973-07-03 | 1976-03-24 | Electricity Council | Continuous heat treatment of wire or rod |
LU69164A1 (de) * | 1974-01-15 | 1974-04-08 | ||
US4048955A (en) * | 1975-09-02 | 1977-09-20 | Texas Instruments Incorporated | Continuous chemical vapor deposition reactor |
US4065137A (en) * | 1976-08-24 | 1977-12-27 | Armstrong Cork Company | Plasma-process vacuum seal |
FR2409428A1 (fr) * | 1977-11-19 | 1979-06-15 | Dornier Gmbh Lindauer | Dispositif d'etancheite destine a empecher des gaz oxydants, explosifs ou toxiques de s'echapper d'un tunnel de traitement d'une matiere en bande |
US4346669A (en) * | 1979-10-12 | 1982-08-31 | General Engineering Radcliffe 1979 Limited | Vacuum chamber seals |
JPS5736437A (en) * | 1980-08-14 | 1982-02-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | Producing device of magnetic recording medium |
US4389970A (en) * | 1981-03-16 | 1983-06-28 | Energy Conversion Devices, Inc. | Apparatus for regulating substrate temperature in a continuous plasma deposition process |
-
1982
- 1982-04-29 US US06/372,937 patent/US4462332A/en not_active Expired - Lifetime
-
1983
- 1983-04-06 IE IE782/83A patent/IE54234B1/en not_active IP Right Cessation
- 1983-04-13 ZA ZA832572A patent/ZA832572B/xx unknown
- 1983-04-14 IL IL68390A patent/IL68390A0/xx unknown
- 1983-04-20 EG EG242/83A patent/EG15947A/xx active
- 1983-04-20 BR BR8302060A patent/BR8302060A/pt unknown
- 1983-04-20 AU AU13693/83A patent/AU554982B2/en not_active Ceased
- 1983-04-21 DE DE19833314375 patent/DE3314375A1/de active Granted
- 1983-04-21 IT IT20732/83A patent/IT1173664B/it active
- 1983-04-21 FR FR8306541A patent/FR2527384B1/fr not_active Expired
- 1983-04-22 JP JP58071319A patent/JPS58199571A/ja active Granted
- 1983-04-22 IN IN478/CAL/83A patent/IN158452B/en unknown
- 1983-04-22 ES ES521774A patent/ES8407248A1/es not_active Expired
- 1983-04-22 PH PH28809A patent/PH19617A/en unknown
- 1983-04-22 MX MX197027A patent/MX158211A/es unknown
- 1983-04-22 NL NL8301437A patent/NL8301437A/nl not_active Application Discontinuation
- 1983-04-22 SE SE8302275A patent/SE457357B/sv not_active IP Right Cessation
- 1983-04-25 GB GB08311173A patent/GB2119406B/en not_active Expired
- 1983-04-29 KR KR1019830001828A patent/KR840004831A/ko not_active Application Discontinuation
- 1983-04-29 CA CA000426993A patent/CA1186787A/en not_active Expired
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3814983A (en) * | 1972-02-07 | 1974-06-04 | C Weissfloch | Apparatus and method for plasma generation and material treatment with electromagnetic radiation |
DE2811414A1 (de) * | 1977-03-18 | 1978-09-21 | Anvar | Verfahren und vorrichtung zur dotierung eines halbleiter-substrats durch implantation von ionen |
DE3119481A1 (de) * | 1980-05-19 | 1982-01-28 | Energy Conversion Devices, Inc., 48084 Troy, Mich. | Verfahren zum herstellen einer p-leitfaehigen halbleiterlegierung |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3723865A1 (de) * | 1986-07-18 | 1988-01-28 | Sando Iron Works Co | Reaktor fuer eine plasmabehandlung |
DE102008030677A1 (de) * | 2008-04-17 | 2009-10-29 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Verfahen und Vorrichtung zur Diffusionsbehandlung von Werkstücken |
DE102008030679A1 (de) * | 2008-04-17 | 2009-12-03 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Vorrichtung zur Diffusionsbehandlung von Werkstücken |
DE102008030677B4 (de) * | 2008-04-17 | 2016-01-14 | Von Ardenne Gmbh | Verfahen und Vorrichtung zur Diffusionsbehandlung von Werkstücken |
DE102008030679B4 (de) * | 2008-04-17 | 2016-01-28 | Von Ardenne Gmbh | Vorrichtung zur Diffusionsbehandlung von Werkstücken |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SE8302275D0 (sv) | 1983-04-22 |
ZA832572B (en) | 1984-01-25 |
FR2527384B1 (fr) | 1988-07-22 |
FR2527384A1 (fr) | 1983-11-25 |
DE3314375C2 (de) | 1992-04-09 |
KR840004831A (ko) | 1984-10-24 |
GB2119406A (en) | 1983-11-16 |
NL8301437A (nl) | 1983-11-16 |
IT1173664B (it) | 1987-06-24 |
BR8302060A (pt) | 1983-12-27 |
ES521774A0 (es) | 1984-04-01 |
PH19617A (en) | 1986-05-30 |
IL68390A0 (en) | 1983-07-31 |
JPS649746B2 (de) | 1989-02-20 |
GB2119406B (en) | 1986-01-29 |
IN158452B (de) | 1986-11-22 |
IE54234B1 (en) | 1989-07-19 |
AU554982B2 (en) | 1986-09-11 |
US4462332A (en) | 1984-07-31 |
MX158211A (es) | 1989-01-16 |
IE830782L (en) | 1983-10-29 |
CA1186787A (en) | 1985-05-07 |
IT8320732A0 (it) | 1983-04-21 |
ES8407248A1 (es) | 1984-04-01 |
JPS58199571A (ja) | 1983-11-19 |
SE457357B (sv) | 1988-12-19 |
SE8302275L (sv) | 1983-10-30 |
EG15947A (en) | 1986-09-30 |
IT8320732A1 (it) | 1984-10-21 |
GB8311173D0 (en) | 1983-06-02 |
AU1369383A (en) | 1983-11-03 |
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