DE102008030677A1 - Verfahen und Vorrichtung zur Diffusionsbehandlung von Werkstücken - Google Patents
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Abstract
Description
- Nachfolgend werden ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Diffusionsbehandlung von Werkstücken, beispielsweise bei der Herstellung einer Absorberschicht für photovoltaische Energiewandler, beschrieben.
- Bei bekannten Diffusionsöfen findet der Diffusionsprozess in einer Diffusionskammer statt, die gleichzeitig mehrere Funktionen, nämlich die Bereitstellung eines gasdicht von der Atmosphäre getrennten Reaktionsbereichs, die Bereitstellung einer Prozessatmosphäre in der Reaktionszone, gegebenenfalls unter einem unterhalb des Atmosphärendrucks liegenden Prozessdruck, die Erzeugung der Prozesstemperatur im Reaktionsbereich sowie die Wärmedämmung des Reaktionsbereichs gegenüber der Atmosphäre zur Aufrechterhaltung der im Reaktionsbereich herrschenden Prozesstemperatur realisiert.
- In der
deutschen Patentanmeldung 10 2008 019 429.8 wird bei einer Vorrichtung zur Diffusionsbehandlung von Werkstücken, die eine Außenkammer umfasst, wobei innerhalb der Außenkammer mindestens ein Reaktionsbereich mit Mitteln zur Evakuierung, Mitteln zur Gaszufuhr und Mitteln zur Beheizung Reaktionsbereichs angeordnet ist, vorgeschlagen, dass das Mittel zur Gaszufuhr flächig ausgebildet ist und mit geringem Abstand und parallel zur Substratebene angeordnet ist, so dass der Reaktionsbereich im Betrieb der Vorrichtung auf einer Seite durch das Mittel zur Gaszufuhr und auf der anderen Seite durch ein zu behandelndes Werkstück begrenzt ist. Das flächig ausgebildete Mittel zur Gaszufuhr sorgt dafür, dass im Bereich der zu behandelnden Oberfläche des Werkstücks, an dem der Diffusionsprozess durchgeführt werden soll, eine Prozessatmosphäre mit der benötigten Konzentration und Zusammensetzung vorhanden ist. Gleichzeitig kann eine Verunreinigung der im Reaktionsbereich herrschenden Prozessatmosphäre dadurch verhindert werden, dass die Druckverhältnisse im Reaktionsbereich im Verhältnis zum außer halb des Reaktionsbereichs herrschenden Druck beeinflusst werden. Solange der Druck der Prozessatmosphäre oberhalb der Oberfläche des Substrats größer ist als der außerhalb des Reaktionsbereichs herrschende Druck, werden zwei wichtige Ergebnisse erzielt. Einerseits wird verhindert, dass aggressive Reaktivgase aus dem Reaktionsbereich in die Außenkammer gelangen. Andererseits wird verhindert, dass Verunreinigungen in den Reaktionsbereich gelangen. In einer Ausgestaltung wird vorgeschlagen, dass der Reaktionsbereich von Wärmedämmelementen umschlossen ist, die so gestaltet sind, dass die Werkstücke in den von den Wärmedämmelementen umschlossenen Bereich hinein und daraus heraustransportiert werden können. Derartige Wärmedämmelemente sind vorzugsweise aus Materialien gefertigt, die sehr hohen Temperaturen standhalten können und sich gegenüber Prozessgasen inert verhalten. Es kann sich dabei beispielsweise um Platten oder Formteile aus keramischen Materialien handeln. - Im Hinblick auf die Beheizung des Reaktionsbereichs ist es nicht unbedingt notwendig, dass die Wärmedämmelemente so gasdicht miteinander verbunden sind, dass sie eine Reaktionskammer bilden. Es ist ausreichend, dass die Wärmedämmelemente so zusammenwirken, dass ein großer Teil der durch die Mittel zur Beheizung erzeugte Wärme im Reaktionsbereich verbleibt. Es ist technisch auch nur eingeschränkt möglich, die Wärmeisolierung so dicht auszuführen, dass eine Gasdichtigkeit gewährleistet werden kann. Eine Vielzahl von Durchbrüchen im Isoliermantel für Transportbauteile, Heizungsdurchführungen, Gasdurchführungen, Absaugöffnungen, Pyrometeröffnungen, etc. sind mit technischen Mitteln nur unvollkommen abzudichten.
- Zur Beheizung der Prozesszone werden üblicherweise Heizkörper eingesetzt, die der Prozessgasatmosphäre widerstehen können, wenn diese Heizkörper mit aggressiven Prozessgasen in Berührung kommen. Beispielsweise können elektrische Widerstandheizer mit Quarzmantel eingesetzt werden. Konventionelle Mantelrohrheizer oder ähnliche Heizeinrichtungen können hingegen nur eingesetzt werden, sofern diese vor aggressiven Prozessgasen geschützt werden können.
- Daher wird bei einem Verfahren zur Diffusionsbehandlung von Werkstücken in einem von einer Außenkammer umgebenen evakuierbaren Reaktionsbereich, in welchem ein Reaktionsgasstrom über die beheizte Werkstückoberfläche geleitet wird, vorgeschlagen, über die zur Beheizung des Werkstücks verwendete Heizeinrichtung einen Inertgasstrom zu lenken. Wenn es sich bei der Heizeinrichtung um einen Flächenheizer handelt, dessen Oberfläche der zu beheizenden Oberfläche des Substrats entspricht, kann der Inertgasstrom durch Düsen oder andere geeignete Mittel möglichst gleichmäßig, beispielsweise als laminare Strömung über die Oberfläche geleitet werden. Es sind jedoch Ausgestaltungen möglich, bei denen die Heizeinrichtung selbst als Strömungsleitelement ausgebildet ist, beispielsweise als ein Hohlzylinder, der Wärme erzeugt und durch den das Inertgas in den Reaktionsbereich geleitet wird. In diesem Fall bewirkt die Heizeinrichtung, dass das Inertgas aufgeheizt wird und so Wärme in den Reaktionsbereich einträgt. Gleichzeitig bewirkt das Inertgas, dass die Oberfläche der Heizeinrichtung von einem Inertgasstrom umspült wird und so die Heizeinrichtung vor aggressiven Reaktivgasen geschützt ist.
- Dabei kann vorgesehen sein, dass zur Herstellung des Inertgasstroms Inertgas in unmittelbarer Nähe der Heizeinrichtung eingelassen wird. Auf diese Weise treten die geringsten Streuverluste auf und der erzeugte Inertgasstrom kann die Heizeinrichtung ohne weitere Hilfsmittel vollflächig umströmen. Alternativ oder zusätzlich kann vorgesehen sein, dass zur Herstellung des Inertgasstroms Inertgas außerhalb einer die Heizeinrichtung zumindest teilweise umgebenden Wandung eingelassen wird. Eine derartige Wandung kann etwa die in der
deutschen Patentanmeldung 10 2008 019 429.8 vorgeschlagene Umhüllung des Reaktionsbereichs mit Wärmedämmelementen sein, die, wie dort bereits beschrieben, selten vollständig gasdicht ist. Insofern macht sich die Vorrichtung diese Undichtigkeit zunutze, indem in den Raum zwischen der Behälterwand der Außenkammer und dem durch die Wärmedämmelemente gebildeten Heiztunnel ein Inertgas eingelassen wird, welches durch die konstruktiv bedingten Öffnungen und Spalten in das Innere des Isoliermantels gelangen und dort eine die Heizeinrichtung umspülende Inertgasströmung erzeugen. Dadurch wird der Austritt von Prozessgas durch konstruktiv bedingte Spalten aus dem Heiztunnel in den Raum zwischen Heiztunnel und Behälterwand wirksam unterbunden. Dadurch wird auch eine unerwünschte Verunreinigung der Bauteile außerhalb des Heiztunnels unterbunden. Aufwendige Reinigungsarbeiten sowie die Belastung des Personals mit Reaktions- und Zerfallsprodukten wie z. B. Feinstaub bei Instandhaltungsarbeiten entfallen oder können ganz erheblich reduziert werden. - Weiter kann vorgesehen sein, dass das Inertgas mittels Strömungsleitelementen von den Mitteln zur Inertgaszufuhr zur Heizeinrichtung oder/und über die Oberfläche der Heizeinrichtung gelenkt wird. In einer weiteren Ausgestaltung des Verfahrens wird der Inertgasstrom räumlich vom Reaktionsbereich abgeschirmt. Sind Strömungsleitelemente vorhanden, um das Inertgas von den Mitteln zur Inertgaszufuhr zur Heizeinrichtung oder/und über die Oberfläche der Heizeinrichtung zu lenken, so kann die Abschirmung durch diese Strömungsleitelemente realisiert sein. Anderenfalls sind weitere zusätzliche Blenden oder andere geeignete Mittel zur Abschirmung vorzusehen. Um die Prozessgasatmosphäre am Prozessort, d. h. im Reaktionsbereich, kann die in den Heiztunnel einschießende Inertgasströmung durch die Strömungsleitelemente so abgelenkt werden, dass der Gasimpuls nicht mehr ausreicht, um in die Prozessgasatmosphäre zwischen Halbleiterschicht und Gasdusche, d. h. den Reaktionsbereich über der Oberfläche des Werkstücks, einzudringen.
- Es kann weiter vorgesehen sein, dass die Evakuierung des Reaktionsbereichs von der dem Reaktionsbereich abgewandten Seite der Heizeinrichtung her erfolgt. Auf diese Weise werden Reste des Reaktivgases vom Reaktionsbereich abgesaugt, ohne mit Bauteilen, die in der Umgebung des Reaktionsbereichs angeordnet sind, in Berührung zu kommen. Wird das Inertgas außerhalb einer den Reaktionsbereich zumindest teilweise umgebenden Wandung eingelassen, so wird dieses ebenfalls aufgrund oben beschriebenen Art der Absaugung zunächst über die Heizeinrichtung geleitet und in der Folge direkt abgesaugt. Diese erwünschten Effekte ergeben sich hinsichtlich des Reaktionsgases aus dem Druckgefälle zwischen dem Reaktionsbereich, d. h. dem Ort des Reaktionsgaseinlasses, und dem Ort der Evakuierung, und hinsichtlich des Inertgases aus dem Druckgefälle zwischen dem Ort des Inertgaseinlasses und dem Ort der Evakuierung. Damit ergibt sich die Möglichkeit, alle durch den Betrieb anfallenden Prozessgase, Restgase und Kontaminanten abzuführen. Ablagerungen von unerwünschten Reaktions- und Zerfallsprodukten im gesamten Raum innerhalb der Behälterwandungen werden durch die genannten Maßnahmen unterbunden oder stark reduziert.
- Zur Durchführung des Verfahrens wird bei einer Vorrichtung zur Diffusionsbehandlung von Werkstücken, die eine Außenkammer sowie innerhalb der Außenkammer mindestens einen Reaktionsbereich mit Mitteln zur Evakuierung, Mitteln zur Zufuhr eines Reaktionsgases und Mitteln zur Beheizung des Reaktionsbereichs umfasst, vorgeschlagen, weiterhin Mittel zur Zufuhr eines Inertgases zur Erzeugung eines Inertgasstroms über die Mittel zur Beheizung des Reaktionsbereichs vorzusehen.
- Entsprechend der beschriebenen Ausgestaltungen des Verfahrens kann bei der Vorrichtung vorgesehen sein, dass die Mittel zur Zufuhr eines Inertgases in unmittelbarer Nähe der Mittel zur Beheizung des Reaktionsbereichs angeordnet sind, oder/und dass weiterhin eine die Heizeinrichtung zumindest teilweise umgebende Wandung vorgesehen ist und die Mittel zur Zufuhr eines Inertgases außerhalb dieser Wandung angeordnet sind.
- In verschiedenen Ausgestaltungen der Vorrichtung kann weiter vorgesehen sein, dass Strömungsleitelemente zum Lenken des Inertgases zur Heizeinrichtung oder/und zum Lenken des Inertgases über die Oberfläche der Heizeinrichtung vorgesehen sind. Diese oder zusätzliche Strömungsleitelemente können zwischen dem Inertgasstrom und dem Reaktionsbereich angeordnet sein.
- In einer Weiterbildung der Vorrichtung wird vorgeschlagen, dass auf der dem Reaktionsbereich abgewandten Seite der Mittel zur Beheizung des Reaktionsbereichs eine Saugöffnung für ein Mittel zur Evakuierung des Reaktionsbereichs vorgesehen ist.
- Nachfolgend wird die vorgeschlagene Vorrichtung anhand eines Ausführungsbeispiels und zugehöriger Zeichnungen näher erläutert.
- Dabei zeigen
-
1 einen Längsschnitt durch eine Diffusionsvorrichtung, und -
2 einen Querschnitt durch die Diffusionsvorrichtung aus1 . - Nachfolgend wird die Erfindung anhand eines Ausführungsbeispiels und einer zugehörigen Zeichnung näher erläutert. Dabei zeigen
-
1 eine beispielhafte Ausführungsform der beschriebenen Vorrichtung im Längsschnitt, -
2 die Ausführungsform aus1 im Querschnitt, -
3 eine zweite Ausführungsform in einer Draufsicht, -
4 eine dritte Ausführungsform in einer Draufsicht, -
5 eine dritte Ausführungsform in einer Draufsicht. - Die Darstellung der verschiedenen Anlagenkomponenten ist in den Figuren stark schematisiert und sollte in keiner Weise einschränkend verstanden werden. Beispielsweise ist es dem Fachmann ohne weiteres geläufig, wie die Mittel zur Beheizung der Reaktionsbereiche gestaltet und angeordnet werden können, um eine möglichst gleichmäßige Temperaturverteilung zu erzielen. Hierzu können beispielsweise die Mittel zur Beheizung flächig ausgebildet sein. In analoger Weise ist es eine Routinearbeit für den Fachmann, die Form und Anordnung der anderen Komponenten, wie der Mittel zur Evakuierung, Mittel zur Gaszufuhr, Transporteinrichtung usw. so zu gestalten, dass das gewünschte Ergebnis erzielt wird.
- In dem Ausführungsbeispiel einer Vorrichtung zur Diffusionsbehandlung von Werkstücken, wie es in
1 und2 dargestellt ist, ist in einer Außenkammer1 mit einer Eintrittsschleuse13 und einer Austrittsschleuse14 ein Reaktionsbereich2 zur Durchführung eines Diffusionsprozesses angeordnet. - Vor und hinter dem Reaktionsbereich
2 sind Transferbereiche16 gebildet. Sie werden durch die jeweiligen vor und hinter dem Reaktionsbereich2 liegenden Abschnitte der Außenkammer1 repräsentiert, da die Außenkammer1 selbst evakuiert ist. - Zu diesem Zweck sind in den Bereichen der Außenkammer
1 , die die Transferbereiche16 bilden, Mittel zur Evakuierung11 angeordnet. Weiterhin sind in der Außenkammer1 unmittelbar vor und hinter dem Reaktionsbereich2 Mittel zur Gaszufuhr12 vorgesehen, die so ausgebildet sind, dass im Bereich der Eintrittsöffnung und Austrittsöffnung des Reaktionsbereichs2 Gasauslässe vorgesehen sind. Dadurch werden die Werkstücke vor und nach dem Diffusionsprozess mit einem Spülgas gespült. Die Mittel zur Evakuierung11 und die Mittel zur Gaszufuhr12 der Außenkammer1 sind getrennt und unabhängig voneinander steuerbar. Die Verunreinigung der im Reaktionsbereich2 gebildeten Prozessatmosphäre wird dadurch verhindert, dass der in dem Reaktionsbereich2 erzeugte Druck größer ist als der in den Transferbereichen16 herrschende Druck. - Der Reaktionsbereich
2 ist von einem oberen Wärmedämmelement4 und einem unteren Wärmedämmelement4 so umschlossen, dass die Werkstücke in den von ihnen umschlossenen Bereich hinein und daraus heraustransportiert werden können. Der darin gebildete Reaktionsbereich2 weist getrennt und unabhängig voneinander steuerbare Mittel zur Evakuierung21 und Mittel zur Gaszufuhr22 auf. Innerhalb des von den Wärmedämmelementen4 umschlossenen Bereichs sind weiterhin Mittel zur Beheizung23 des Reaktionsbereichs2 angeordnet. Über die zur Beheizung des Werkstücks5 verwendete Heizeinrichtung23 wird mittels eines weiteren Mittels zur Gaszufuhr24 ein Inertgasstrom gelenkt. Der Inertgasstrom wird dabei durch Düsen gleichmäßig als laminare Strömung über die Oberfläche der Heizeinrichtung23 geleitet. Das Inertgas, das die Oberfläche der Heizeinrichtung23 umspült, schützt die Heizeinrichtung vor aggressiven Reaktivgasen. - Der Reaktionsbereich
2 bildet sich zwischen der Oberfläche des zu behandelnden Werkstücks5 und dem oder den darüber angeordneten, flächig ausgebildeten Mitteln zur Gaszufuhr22 aus. Das zu behandelnden Werkstück5 wird auf einer Substratebene durch die Vorrichtung bewegt. Unterhalb dieser Substratebene sind Mittel zur Beheizung23 angeordnet, die im Ausführungsbeispiel als Flächenstrahler ausgeführt sind. Weiterhin sind, ebenfalls unterhalb der Substratebene, Mittel zur Evakuierung21 angeordnet, die die aus dem Reaktionsbereich2 über die Ränder des Werkstücks5 strömenden Gase absaugen. Der von den Mitteln zur Gaszufuhr22 und der Oberfläche des Werkstücks5 gebildete Reaktionsbereich2 sowie die Mittel zur Beheizung23 sind insgesamt von mehreren plattenförmigen, aus einem keramischen Material gebildeten Wärmedämmelementen4 umschlossen, die auf diese Weise einen Heiztunnel bilden, der den Verlust der Wärme, die durch die Mittel zur Beheizung erzeugt werden, vermindert. Diese Wärmedämmelemente4 sind jedoch nicht so zueinander angeordnet, dass dadurch eine gasdichte Reaktionskammer gebildet wird. - Weiterhin ist eine Transporteinrichtung
15 zum Transport der Werkstücke durch die Vorrichtung vorgesehen, die eine Anordnung hintereinander liegender Transportwalzen aus einem keramischen Material umfasst, deren oberste Mantellinien die Substratebene definieren. Die Transporteinrichtung15 erstreckt sich durch die gesamte Außenkammer1 und durch den Reaktionsbereich2 , wobei die im Reaktionsbereich2 liegenden Transportwalzen der Transporteinrichtung15 den von den Wärmedämmelementen umschlossenen Raum durchdringen, so dass auf ihnen die zu behandelnden Werkstücke durch den Reaktionsbereich2 transportiert werden können. - Bei der Draufsicht auf die Ausführungsbeispiele der Vorrichtung in den
3 bis5 wurde aus Übersichtlichkeitsgründen auf die Darstellung einiger Komponenten der Vorrichtung verzichtet, um den prinzipiellen Aufbau der Reaktionsbereiche2 innerhalb der Außenkammer1 zu verdeutlichen. - In
4 ist eine Ausführungsform der Vorrichtung zur Diffusionsbehandlung von Werkstücken gezeigt, bei der, ähnlich wie bei der Vorrichtung aus den1 und2 , zwei Reaktionsbereiche2 linear hintereinander angeordnet sind. Allerdings ist diese Vorrichtung modular aufgebaut. Jeder Reaktionsbereich2 ist in einer eigenen Außenkammer1 angeordnet. Jede Außenkammer1 verfügt vor dem jeweiligen Reaktionsbereich2 über einen Bereich, der im Betrieb der Vorrichtung als Transferbereich16 wirkt. Die Außenkammern1 sind so miteinander verbunden, dass sie gemeinsam einen Vakuumbehälter bilden, zu dem weiterhin ein an die zweite Außenkammer1 anschließender, separater Transferbereich3 gehört. Die Eingangsschleuse13 der Vorrichtung ist am vorderen Ende der ersten Außenkammer1 angebracht, während die Ausgangsschleuse14 am Ende des separaten Trans ferbereichs3 angebracht ist. - Der modulare Aufbau ermöglicht eine flexible Konfiguration der Vorrichtung, wobei selbstverständlich auch Vorrichtungen mit nur einer oder mehr als zwei Reaktionsbereichen
2 möglich sind. In gleicher Weise kann die Anordnung der Transferbereiche3 ,16 variiert werden oder einzelne Transferbereiche3 ,16 vergrößert oder weggelassen werden. Die Transferbereiche16 können auch ausschließlich als separate Transferkammern3 ausgeführt sein, so dass jede Außenkammer1 nur unwesentlich größer ist als der darin angeordnete Reaktionsbereich2 . - Bei dem Ausführungsbeispiel in
3 handelt es sich wiederum um die Anordnung zweier Reaktionsbereiche2 innerhalb einer gemeinsamen Außenkammer1 , wobei jedoch die Reaktionsbereiche2 nebeneinander angeordnet sind, so dass zwischen den Reaktionsbereichen2 ein Wechsel der Transportrichtung der Substrate erfolgt. Dadurch sind die Eingangsschleuse13 und die Ausgangsschleuse14 der Vorrichtung nebeneinander auf derselben Seite der Außenkammer1 angeordnet. - In ähnlicher Weise sind bei dem Ausführungsbeispiel in
5 drei Reaktionsbereiche2 innerhalb einer gemeinsamen Außenkammer1 nebeneinander angeordnet, so dass zwischen dem ersten und zweiten Reaktionsbereich2 und zwischen der zweiten und dritten Reaktionsbereich2 ein Wechsel der Transportrichtung der Substrate erfolgt. Dadurch sind bei diesem Ausführungsbeispiel die Eingangsschleuse13 und die Ausgangsschleuse14 der Vorrichtung an gegenüberliegenden Seiten der Außenkammer1 angeordnet. -
- 1
- Außenkammer
- 11
- Mittel zur Evakuierung
- 12
- Mittel zur Gaszufuhr
- 13
- Eingangsschleuse
- 14
- Ausgangsschleuse
- 15
- Transporteinrichtung
- 16
- Transferbereich/Transferkammer
- 2
- Reaktionsbereich/Reaktionskammer
- 21
- Mittel zur Evakuierung
- 22
- Mittel zur Gaszufuhr
- 23
- Mittel zur Beheizung
- 24
- Mittel zur Gaszufuhr
- 3
- separate Transferkammer
- 4
- Wärmedämmelement
- 5
- Werkstück
- ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Patentliteratur
-
- - DE 102008019429 [0003, 0007]
Claims (18)
- Verfahren zur Diffusionsbehandlung von Werkstücken (
5 ) in einem von einer Außenkammer (1 ) umgebenen evakuierbaren Reaktionsbereich (2 ), in welchem ein Reaktionsgasstrom über die beheizte Werkstückoberfläche geleitet wird, wobei über die zur Beheizung des Werkstücks (5 ) verwendete Heizeinrichtung (23 ) ein Inertgasstrom gelenkt wird. - Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zur Herstellung des Inertgasstroms Inertgas in unmittelbarer Nähe der Heizeinrichtung (
23 ) eingelassen wird. - Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Heizeinrichtung (
23 ) selbst als Strömungsleitelement ausgebildet ist. - Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Heizeinrichtung (
23 ) als ein Hohlzylinder ausgebildet ist, der Wärme erzeugt und durch den das Inertgas in den Reaktionsbereich (2 ) geleitet wird. - Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zur Herstellung des Inertgasstroms Inertgas außerhalb einer die Heizeinrichtung (
23 ) zumindest teilweise umgebenden Wandung (4 ) eingelassen wird. - Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass das Inertgas mittels Strömungsleitelementen zur Heizeinrichtung (
23 ) gelenkt wird. - Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Inertgas mittels Strömungsleitelementen über die Oberfläche der Heizeinrichtung (
23 ) gelenkt wird. - Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass der Inertgasstrom räumlich vom Reaktionsbereich (
2 ) abgeschirmt wird. - Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Evakuierung des Reaktionsbereichs (
2 ) von der dem Reaktionsbereich (2 ) abgewandten Seite der Heizeinrichtung (23 ) her erfolgt. - Vorrichtung zur Diffusionsbehandlung von Werkstücken (
5 ), umfassend eine Außenkammer (1 ) sowie innerhalb der Außenkammer (1 ) mindestens einen Reaktionsbereich (2 ) mit Mitteln zur Evakuierung (21 ), Mitteln zur Zufuhr eines Reaktionsgases (22 ) und Mitteln zur Beheizung (23 ) des Reaktionsbereichs (2 ), sowie Mitteln zur Zufuhr eines Inertgases (24 ) zur Erzeugung eines Inertgasstroms über die Mittel zur Beheizung (23 ) des Reaktionsbereichs (2 ). - Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Mittel zur Zufuhr eines Inertgases (
24 ) in unmittelbarer Nähe der Mittel zur Beheizung (23 ) des Reaktionsbereichs (2 ) angeordnet sind. - Vorrichtung nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Heizeinrichtung (
23 ) selbst als Strömungsleitelement ausgebildet ist. - Vorrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Heizeinrichtung (
23 ) als ein Hohlzylinder ausgebildet ist, der Wärme erzeugt und durch den das Inertgas in den Reaktionsbereich (2 ) geleitet wird. - Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass weiterhin eine die Heizeinrichtung (
23 ) zumindest teilweise umgebende Wandung (4 ) vorgesehen ist und die Mittel zur Zufuhr eines Inertgases (24 ) außerhalb dieser Wandung (4 ) angeordnet sind. - Vorrichtung nach einem der Ansprüche 10 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass Strömungsleitelemente zum Lenken des Inertgases zur Heizeinrichtung (
23 ) vorgesehen sind. - Vorrichtung nach einem der Ansprüche 10 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass Strömungsleitelemente zum Lenken des Inertgases über die Oberfläche der Heizeinrichtung (
23 ) vorgesehen sind. - Vorrichtung nach einem der Ansprüche 10 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass Strömungsleitelemente zwischen dem Inertgasstrom und dem Reaktionsbereich (
2 ) angeordnet sind. - Vorrichtung nach einem der Ansprüche 10 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass auf der dem Reaktionsbereich (
2 ) abgewandten Seite der Mittel zur Beheizung (23 ) des Reaktionsbereichs (2 ) eine Saugöffnung für ein Mittel zur Evakuierung (21 ) des Reaktionsbereichs (2 ) vorgesehen ist.
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Cited By (2)
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---|---|---|---|---|
DE102010030006A1 (de) * | 2010-06-11 | 2011-12-15 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Vakuumbeschichtungsanlage in modularer Bauweise |
WO2013017514A1 (de) * | 2011-08-01 | 2013-02-07 | Gebr. Schmid Gmbh | Vorrichtung und verfahren zur herstellung von dünnen schichten |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3314375A1 (de) * | 1982-04-29 | 1983-11-03 | Energy Conversion Devices, Inc., 48084 Troy, Mich. | Gasschleuse |
EP0874387A1 (de) * | 1997-04-22 | 1998-10-28 | IMEC vzw | Kontinuierlicher Ofen mit hohem Durchsatz für Diffusionsbehandlung mit verschiedenen Diffusionsquellen |
DE102004024207A1 (de) * | 2004-05-10 | 2005-12-15 | IHP GmbH - Innovations for High Performance Microelectronics/Institut für innovative Mikroelektronik | Verfahren und Vorrichtung zur Niedertemperaturepitaxie auf einer Vielzahl von Halbleitersubstraten |
DE69930700T2 (de) * | 1998-09-04 | 2006-11-09 | Canon K.K. | Halbleitersubstrat und Verfahren zu seiner Herstellung |
WO2007053016A2 (en) * | 2005-11-07 | 2007-05-10 | Holdingmij. Wilro B.V. | Surface and method for the manufacture of photovolataic cells using a diffusion process |
US20070218687A1 (en) * | 2001-01-25 | 2007-09-20 | Tokyo Electron Limited | Process for producing materials for electronic device |
-
2008
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3314375A1 (de) * | 1982-04-29 | 1983-11-03 | Energy Conversion Devices, Inc., 48084 Troy, Mich. | Gasschleuse |
EP0874387A1 (de) * | 1997-04-22 | 1998-10-28 | IMEC vzw | Kontinuierlicher Ofen mit hohem Durchsatz für Diffusionsbehandlung mit verschiedenen Diffusionsquellen |
DE69930700T2 (de) * | 1998-09-04 | 2006-11-09 | Canon K.K. | Halbleitersubstrat und Verfahren zu seiner Herstellung |
US20070218687A1 (en) * | 2001-01-25 | 2007-09-20 | Tokyo Electron Limited | Process for producing materials for electronic device |
DE102004024207A1 (de) * | 2004-05-10 | 2005-12-15 | IHP GmbH - Innovations for High Performance Microelectronics/Institut für innovative Mikroelektronik | Verfahren und Vorrichtung zur Niedertemperaturepitaxie auf einer Vielzahl von Halbleitersubstraten |
WO2007053016A2 (en) * | 2005-11-07 | 2007-05-10 | Holdingmij. Wilro B.V. | Surface and method for the manufacture of photovolataic cells using a diffusion process |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102010030006A1 (de) * | 2010-06-11 | 2011-12-15 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Vakuumbeschichtungsanlage in modularer Bauweise |
US9186694B2 (en) | 2010-06-11 | 2015-11-17 | Von Ardenne Gmbh | Modular-construction vacuum-coating system |
WO2013017514A1 (de) * | 2011-08-01 | 2013-02-07 | Gebr. Schmid Gmbh | Vorrichtung und verfahren zur herstellung von dünnen schichten |
CN104080946A (zh) * | 2011-08-01 | 2014-10-01 | 吉布尔·施密德有限责任公司 | 用于制造薄层的装置和方法 |
US10030307B2 (en) | 2011-08-01 | 2018-07-24 | Gebr. Schmid Gmbh | Apparatus and process for producing thin layers |
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