DE3140237A1 - Plasma-aetzeinrichtung - Google Patents

Plasma-aetzeinrichtung

Info

Publication number
DE3140237A1
DE3140237A1 DE19813140237 DE3140237A DE3140237A1 DE 3140237 A1 DE3140237 A1 DE 3140237A1 DE 19813140237 DE19813140237 DE 19813140237 DE 3140237 A DE3140237 A DE 3140237A DE 3140237 A1 DE3140237 A1 DE 3140237A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
chamber
sample
sample table
electrode
plasma etching
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19813140237
Other languages
English (en)
Other versions
DE3140237C2 (de
Inventor
Shiro Minoh Osaka Hine
Hiroshi Amagasaki Hyogo Koyama
Masahiro Itami Hyogo Yoneda
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of DE3140237A1 publication Critical patent/DE3140237A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3140237C2 publication Critical patent/DE3140237C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/16—Vessels; Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H01J37/32724—Temperature

Description

3HU237
1A-3704
ME-594 ■
(F-2133)
MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA Tokyo, Japan
Plasma-Ätzeinrichtung
Die Erfindung betrifft eine Einrichtung zum Plasmaätzen eines Werkstücks, wie eines Halbleitersubstrats.
Bei einer herkömmlichen Plasma-Ätzeinrichtung mit parallelen Plattenelektroden gemäß Fig. 1 enthält eine Kammer 1 eine obere Elektrode 2, welche, einer unteren Elektrode 3 gegenübersteht. Die untere Elektrode 3 weist einen Probentisch auf, welcher mit einem Wasserkühlrohr 4 ausgerüstet ist. Die Kammer 1 wird auf einen Druck von
etwa 10 bis 10 Torr evakuiert. Sodann wird ein Atzgas, z.B. CP^ + O2, durch einen Einlaß 5 eingespeist, wobei ein vorbestimmter Druck aufrechterhalten wird. Sodann wird von einer Stromquelle 6 elektrische Hochfrequenzenergie zwischen den Elektroden 2 und 3 eingespeist. Dabei wird ein Gasplasma gebildet. Mit diesem
3U0237
- TL -
Gasplasma wird die Oberfläche einer Probe 7, z„B. eines Halbleitersubstrats, welches auf der unteren Elektrode 3 angeordnet ist, geätzt. Bei der herkömmlichen Plasma-Ätzeinrichtung haften die beim Ätzen gebildeten Reaktions produkte an der Innenwandung der Kanuner 1. Wenn der Ätzvorgang unter diesen Bedingungen wiederholt wird, so kommt es aufgrund des anhaftenden Reaktionsproduktes zu einer Verschlechterung des Vakuums und somit zu einer Be einträchtigung der Reproduzierbarkeit. Ferner kommt ©s nachteiligerweise zu einer Verfleckung der Probe 7 durch das Reaktionsprodukt.
Es 1st Aufgabe der Erfindung, eine Plasma-Ätzeinrichtung zu schaffen, deren Kammer bei wiederholtem Gebrauch während langer Zeit in vorbestimmtem Zustand gehalten werden kann.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ©ine Plasma-Ätzeinrichtung gelöst, welche ©ine Kammer umfaßt sowie Elektroden und einen in der Kammer angeordneten Proben=- tisch für die Anordnung einer Probe, z.B. ©Ines Halbleitersubstrats , für die Durchführung der Plasmaätzung, sowie jeweils eine Heizeinrichtung für die Beheizung der Kammer, die Beheizung einer j©d®n der Elektroden und für die Beheizung des Probentisches zur Dasorption der daran adsorbierten Reaktionsprodukte»
Im folgenden wird die Erfindung anhand von Zeichnungen näher erläutert; es zeigen:
Fig. 1 eine Schnittdarstellung einer herköinmlichen Plasma-Ätzeinrichtungj und
Fig. 2 eine Schnittdarstellung ©in©r Ausführungsform der erfindungsgemäßen Plasma-Ätz©inrichtunge
1I
Im folgenden soll unter Bezugnahme auf Fig. 2 eine Ausführungsform der erfindungsgemäßen Plasma-Ätzeinrichtung ■beschrieben werden. Soweit in Fig. 2 die gleichen Bezugszeichen verwendet werden, bezeichnen sie auch die gleichen oder entsprechende Bauteile der Fig«, 1. Bei der Ausführungsform gemäß Fig. 2 ist jeweils eine Beheizungseinrichtung 8 in der Kammer 1 angeordnet sowie in der oberen Elektrode 2 und in der als Probentisch dienenden, unteren Elektrode 3·
Im folgenden soll die Arbeitsweise näher erläutert werden. Die Kammer 1, die obere Elektrode 2 und die untere Elektrode 3, welche als Probentisch dient, werden durch die Heizeinrichtungen für die Probe 7 erhitzt, und die Kammer 1 wird evakuiert. Hierdurch wird das an diesen Bauteilen adsorbierte Reaktionsprodukt desorbiert und eliminiert. Hierdurch erzielt man einen Reinigungseffekt. Wenn man nun die Elektroden 2 und 3 mit einer elektrischen Hochfrequenzenergie beaufschlagt, und zwar unter Einspeisung von Sauerstoffgas in die Kammer 1, so kommt es zur Bildung eines Plasmas und der Reinigungseffekt wird noch weiter verbessert. Nach Durchführung des Reinigungsvorgangs wird die Beheizung unterbrochen und die untere. Elektrode 3 wird mit Hilfe des Wasserkühlrohrs 4 auf eine vorbestimmte Temperatur abgekühlt. Sodann wird die Probe 7, die z.B. in einer Vakuum-Vorkammer angeordnet war, auf den unteren Elektrodentisch 3 geschoben und der Ätzvorgang wird in herkömmlicher Weise unter üblichen Bedingungen durchgeführt. Hierdurch werden die Nachteile der herkömmlichen Einrichtung überwunden.
Es ist bei dieser Ausführungsform nicht notwendig, den Ätz- und Reinigungsvorgang zu wiederholen. Es ist möglich, die Reinigung nach der Abscheidung des Reaktions-
3U0237
Produktes durchzuführen, und zwar jeweils in dem MaBe9 welches für die Eliminierung des Reaktionsproduktes erforderlich ist.
Als Heizmechanismus kann ein in die jeweiligen Bauteile eingebettetes Heizelement dienen oder aber auch ein hohler Mantel, in den ein Heizmaterial eingeführt wird, zoBo heißes Äthylenglykol. Die Temperatur beträgt bei der Beheizung vorzugsweise bis z\x 1500C. Die elektrisch© Hochfrequenz zwischen den Elektroden hat ©inen herkömmlichen Wert, z.B. 13,56 MHz, 4000 KHz und 380 KHz. Beim Abkühlen liegt die Temperatur vorzugsweise im Bereich von 10 bis 350C. Die eingespeiste elektrisch® Leitung liegt Vorzugs= weise im Bereich von 0,1 bis 1,0 Watt/cm .
Wie bereits erläutert» werden die Kammer, die oberen El©k° trode und die untere Elektrode, welche als Probentisch ^ dient, mit Heizeinrichtungen ausgerüstet s und zwar zur ;, Durchführung einer Reinigung im Wege der Eliminierung des Reaktionsprodukts, welches an diesen Bauteilen anhaftet. Diese Reinigung wird vor der nachfolgenden Ätzung durchgeführt. Auf diese Weise kann die Reproduzierbarkeit der Ätzung der Probe wesentlich verbessert w®rd©no Dar= überhinaus werden baim Ätzen ®in©s Halbleitersubstrats Verfleckungen desselben durch das Reaktionsprodukt wirksam verhindert. Der Aufbau der erfindungsgesaäß®n Einrichtung ist einfach und auch das Plasmaätzen der Probe gestaltet sich einfach,
Die Heizeinrichtung wird vorzugsweise in allan Wandungen der Kammer eingebettet sowie in dan Ob©rfläch®nplattQn der oberen Elektrode und In der Oberfläch© d©r unt©r@n * Elektrode» Das Wasserkühlrohr wird vorzugsweise üb©r d©r Heizeinrichtung in der unteren Elektrode» w©lch© als Pro-
bentisch dient, angeordnet. Die Heizeinrichtung kann ein elektrischer Widerstand sein, welcher elektrisch beheizt wird. Die Wand selbst kann als elektrischer Widerstand dienen. Vorzugsweise handelt es sich bei der Wand jedoch um eine korrosionsfeste Platte. Die Temperatur bei der Beheizung der Heizeinrichtung wird vorzugsweise je nach der Temperatur der Plasmaätzung, welche durch die elektrische Hochfrequenzleistung bewirkt wird, ausgewählt. Die Beheizungseinrichtung sollte mindestens in denjenigen Teilen eingebettet sein, an denen die Abscheidung des Reaktionsproduktes verhindert werden soll, und zwar speziell im Bereich des Einlasses und des Auslasses für das Plasmagas und im Probentisch.

Claims (4)

-JSr-Patentansprüche
1.) Einrichtung zum Plasmaätzen einer Probe, insbesondere eines Halbleitersubstrats, auf einem als Elektrode ausgebildeten Probentisch, welcher in einer Kammer gegenüber einer Gegenelektrode angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, daß in der Kammer, In der Gegenelektrode und in dem Probentisch eine Heizeinrichtung zur Desorption des an den Oberflächen dieser Bauteile adsorbierten Reaktionsproduktes angeordnet ist.
2. Einrichtung nach Anspruch 1„ dadurch gekennzsich*= net, daß die Heizeinrichtung in dem Probentisch unterhalb eines Kühltisches angeordnet 1st»
3· Einrichtung nach ©inem der Anspruch® 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Heizeinrichtung @in elektrischer Widerstand ist, welcher in dem Probentisch und in den Wandungen in der Nähe des Auslasses und des Einlasses des Plasmagases eingebettet 1st.
4. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3» dadurch gekennzeichnet, daß di® Heizeinrichtung in den Wandungen der Kammer eingebettet ist„
DE3140237A 1980-10-09 1981-10-09 Vorrichtung zum Plasmaätzen einer Probe Expired DE3140237C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP55141480A JPS6056431B2 (ja) 1980-10-09 1980-10-09 プラズマエツチング装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3140237A1 true DE3140237A1 (de) 1982-06-09
DE3140237C2 DE3140237C2 (de) 1985-06-05

Family

ID=15292867

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE3140237A Expired DE3140237C2 (de) 1980-10-09 1981-10-09 Vorrichtung zum Plasmaätzen einer Probe

Country Status (3)

Country Link
US (1) US4430547A (de)
JP (1) JPS6056431B2 (de)
DE (1) DE3140237C2 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0734047A2 (de) * 1995-03-20 1996-09-25 Hitachi, Ltd. Verfahren und Gerät zur Plasmabearbeitung

Families Citing this family (61)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5853833A (ja) * 1981-09-26 1983-03-30 Toshiba Corp プラズマエツチング装置
JPS6049629A (ja) * 1983-08-29 1985-03-18 Mitsubishi Electric Corp 反応性イオンビ−ムエツチング装置
JPS60154529A (ja) * 1984-01-23 1985-08-14 Mitsubishi Electric Corp ドライエツチング装置
US4695700A (en) * 1984-10-22 1987-09-22 Texas Instruments Incorporated Dual detector system for determining endpoint of plasma etch process
US4870245A (en) * 1985-04-01 1989-09-26 Motorola, Inc. Plasma enhanced thermal treatment apparatus
JPH0533229Y2 (de) * 1985-04-22 1993-08-24
JPS6218028A (ja) * 1985-07-16 1987-01-27 Toshiba Corp デイスカム装置
JPS6230329A (ja) * 1985-07-31 1987-02-09 Toshiba Corp ドライエツチング装置
US4703183A (en) * 1985-12-05 1987-10-27 Eaton Corporation Ion implantation chamber purification method and apparatus
US4676865A (en) * 1986-02-07 1987-06-30 Delarge Richard S Plasma desmear/etchback system and method of use
US4795880A (en) * 1986-09-11 1989-01-03 Hayes James A Low pressure chemical vapor deposition furnace plasma clean apparatus
JP2555062B2 (ja) * 1987-04-10 1996-11-20 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置
JPS63254731A (ja) * 1987-04-13 1988-10-21 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
US4891488A (en) * 1987-07-16 1990-01-02 Texas Instruments Incorporated Processing apparatus and method
JP2641463B2 (ja) * 1987-10-21 1997-08-13 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置
JP2713956B2 (ja) * 1988-03-04 1998-02-16 株式会社日立製作所 低温ドライエッチング装置
JP2654652B2 (ja) * 1987-12-28 1997-09-17 京セラ株式会社 反応室構成部材の残留ハロゲン元素除去方法
JPH0610675Y2 (ja) * 1988-03-23 1994-03-16 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置
DE3938267C2 (de) * 1989-11-17 1997-03-27 Leybold Ag Vorrichtung zum Heizen von Substraten
DE4007123A1 (de) * 1990-03-07 1991-09-12 Siegfried Dipl Ing Dr Straemke Plasma-behandlungsvorrichtung
JP2646811B2 (ja) * 1990-07-13 1997-08-27 ソニー株式会社 ドライエッチング方法
US5192849A (en) * 1990-08-10 1993-03-09 Texas Instruments Incorporated Multipurpose low-thermal-mass chuck for semiconductor processing equipment
JPH04125924A (ja) * 1990-09-17 1992-04-27 Mitsubishi Electric Corp プラズマエッチング方法
FR2666821B1 (fr) * 1990-09-19 1992-10-23 Ugine Aciers Dispositif de traitement superficiel d'une plaque ou d'une tole d'un materiau metallique par plasma basse temperature.
JP3018532B2 (ja) * 1991-02-26 2000-03-13 ソニー株式会社 ドライエッチング方法
JP3206095B2 (ja) * 1991-04-12 2001-09-04 株式会社ブリヂストン 表面処理方法及びその装置
JP3044824B2 (ja) * 1991-04-27 2000-05-22 ソニー株式会社 ドライエッチング装置及びドライエッチング方法
US5477975A (en) * 1993-10-15 1995-12-26 Applied Materials Inc Plasma etch apparatus with heated scavenging surfaces
US6074512A (en) 1991-06-27 2000-06-13 Applied Materials, Inc. Inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna and modular confinement magnet liners
US6063233A (en) * 1991-06-27 2000-05-16 Applied Materials, Inc. Thermal control apparatus for inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna
US6077384A (en) * 1994-08-11 2000-06-20 Applied Materials, Inc. Plasma reactor having an inductive antenna coupling power through a parallel plate electrode
US6024826A (en) * 1996-05-13 2000-02-15 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with heated source of a polymer-hardening precursor material
US6238588B1 (en) 1991-06-27 2001-05-29 Applied Materials, Inc. High pressure high non-reactive diluent gas content high plasma ion density plasma oxide etch process
US6036877A (en) 1991-06-27 2000-03-14 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with heated source of a polymer-hardening precursor material
US6514376B1 (en) 1991-06-27 2003-02-04 Applied Materials Inc. Thermal control apparatus for inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna
US6488807B1 (en) 1991-06-27 2002-12-03 Applied Materials, Inc. Magnetic confinement in a plasma reactor having an RF bias electrode
US6090303A (en) * 1991-06-27 2000-07-18 Applied Materials, Inc. Process for etching oxides in an electromagnetically coupled planar plasma apparatus
US6165311A (en) 1991-06-27 2000-12-26 Applied Materials, Inc. Inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna
US5443686A (en) * 1992-01-15 1995-08-22 International Business Machines Corporation Inc. Plasma CVD apparatus and processes
US5735451A (en) * 1993-04-05 1998-04-07 Seiko Epson Corporation Method and apparatus for bonding using brazing material
TW262566B (de) * 1993-07-02 1995-11-11 Tokyo Electron Co Ltd
JP3312377B2 (ja) * 1993-12-09 2002-08-05 セイコーエプソン株式会社 ろう材による接合方法及び装置
JP3700177B2 (ja) 1993-12-24 2005-09-28 セイコーエプソン株式会社 大気圧プラズマ表面処理装置
US5798016A (en) * 1994-03-08 1998-08-25 International Business Machines Corporation Apparatus for hot wall reactive ion etching using a dielectric or metallic liner with temperature control to achieve process stability
US6006763A (en) * 1995-01-11 1999-12-28 Seiko Epson Corporation Surface treatment method
JP3521587B2 (ja) * 1995-02-07 2004-04-19 セイコーエプソン株式会社 基板周縁の不要物除去方法及び装置並びにそれを用いた塗布方法
JPH08279495A (ja) * 1995-02-07 1996-10-22 Seiko Epson Corp プラズマ処理装置及びその方法
WO1996031997A1 (fr) * 1995-04-07 1996-10-10 Seiko Epson Corporation Equipement de traitement de surface
JP3598602B2 (ja) * 1995-08-07 2004-12-08 セイコーエプソン株式会社 プラズマエッチング方法、液晶表示パネルの製造方法、及びプラズマエッチング装置
TW279240B (en) 1995-08-30 1996-06-21 Applied Materials Inc Parallel-plate icp source/rf bias electrode head
JPH09233862A (ja) * 1995-12-18 1997-09-05 Seiko Epson Corp 圧電体を用いた発電方法、発電装置および電子機器
US6036878A (en) * 1996-02-02 2000-03-14 Applied Materials, Inc. Low density high frequency process for a parallel-plate electrode plasma reactor having an inductive antenna
US6054013A (en) 1996-02-02 2000-04-25 Applied Materials, Inc. Parallel plate electrode plasma reactor having an inductive antenna and adjustable radial distribution of plasma ion density
JPH09312545A (ja) 1996-03-18 1997-12-02 Seiko Epson Corp 圧電素子、その製造方法、及び圧電振動片のマウント装置
US5918354A (en) * 1996-04-02 1999-07-06 Seiko Epson Corporation Method of making a piezoelectric element
US6132551A (en) * 1997-09-20 2000-10-17 Applied Materials, Inc. Inductive RF plasma reactor with overhead coil and conductive laminated RF window beneath the overhead coil
US6589437B1 (en) 1999-03-05 2003-07-08 Applied Materials, Inc. Active species control with time-modulated plasma
US6401652B1 (en) 2000-05-04 2002-06-11 Applied Materials, Inc. Plasma reactor inductive coil antenna with flat surface facing the plasma
US6936546B2 (en) * 2002-04-26 2005-08-30 Accretech Usa, Inc. Apparatus for shaping thin films in the near-edge regions of in-process semiconductor substrates
FR2842387B1 (fr) * 2002-07-11 2005-07-08 Cit Alcatel Chemisage chauffant pour reacteur de gravure plasma, procede de gravure pour sa mise en oeuvre
EP1876380B1 (de) 2005-04-27 2013-01-02 Eagle Industry Co., Ltd. Wahlventil

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1006691B (de) * 1955-02-09 1957-04-18 Heraeus Gmbh W C Anlage zur Vakuumaufdampfung und Kathodenzerstaeubung
DE2617483A1 (de) * 1975-05-22 1976-12-09 Ibm Reaktive ionenaetzung von halbleitern und metallen
DE2838212C2 (de) * 1977-10-20 1983-03-17 Balzers Hochvakuum Gmbh, 6200 Wiesbaden Verfahren zur Erzeugung von Hochvakuum in einem Rezipienten

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1006691B (de) * 1955-02-09 1957-04-18 Heraeus Gmbh W C Anlage zur Vakuumaufdampfung und Kathodenzerstaeubung
DE2617483A1 (de) * 1975-05-22 1976-12-09 Ibm Reaktive ionenaetzung von halbleitern und metallen
DE2838212C2 (de) * 1977-10-20 1983-03-17 Balzers Hochvakuum Gmbh, 6200 Wiesbaden Verfahren zur Erzeugung von Hochvakuum in einem Rezipienten

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Physik dünner Schichten, Teil 1, 1950, S.15 u. 16 *
US-Z: Scanning Electron Microscopy, 1978, Vol. 1, S. 543-554 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0734047A2 (de) * 1995-03-20 1996-09-25 Hitachi, Ltd. Verfahren und Gerät zur Plasmabearbeitung
EP0734047A3 (de) * 1995-03-20 1997-04-02 Hitachi Ltd Verfahren und Gerät zur Plasmabearbeitung

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5767173A (en) 1982-04-23
US4430547A (en) 1984-02-07
JPS6056431B2 (ja) 1985-12-10
DE3140237C2 (de) 1985-06-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3140237A1 (de) Plasma-aetzeinrichtung
DE1621599C2 (de) Einrichtung zum Abtragen von Verunrei nigungen einer auf einem Halbleiterkörper aufgebrachten metallischen Schicht im Be reich von kleinen Offnungen einer Isolier schicht durch Kathodenzerstäubung
DE69924415T2 (de) Heizelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102004001099B4 (de) Oxidationsverfahren mit hochdichtem Plasma
DE69825630T2 (de) Fokusringe
DE102008019023B4 (de) Vakuum-Durchlaufanlage zur Prozessierung von Substraten
DE3614384A1 (de) Verfahren zur beschichtung von substraten in einer vakuumkammer
DE3725358A1 (de) Vorrichtung und verfahren zur oberflaechenbehandlung von materialien
DE3217708A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung amorpher siliciumfilme
DE3913463A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur plasmabehandlung
DE3417192A1 (de) Vorrichtung zur bildung eines amorphen siliziumfilms
DE3402971A1 (de) Vorrichtung zur beschichtung eines substrates mittels plasma-chemical vapour deposition oder hochfrequenz-kathodenzerstaeubung
DE3433874A1 (de) Vorrichtung zur plasmabedampfung
DE1155759B (de) Vorrichtung zur Gewinnung reinsten kristallinen Halbleitermaterials fuer elektrotechnische Zwecke
DE60307062T2 (de) Verfahren zum plasmareinigen von mit einer organischen substanz beschichteten materialoberflächen und vorrichtung dafür
DE3507337A1 (de) Vorrichtung zur durchfuehrung von prozessen im vakuum
DE102008028542A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden einer Schicht auf einem Substrat mittels einer plasmagestützten chemischen Reaktion
DE4105103A1 (de) Verfahren zum anisotropen aetzen und vorrichtung zu dessen durchfuehrung
EP1038306B1 (de) Verfahren und vorrichtung zum vergüten von oberflächen
DE3629000C1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Ausbilden einer Schicht durch plasmachemischen Prozess
DE4135326C1 (en) Coating components by thermal spraying - using preheating kiln to heat workpiece before plasma spraying in vacuum chamber
EP1854907B1 (de) Vorrichtung zur plasmagestützten chemischen Oberflächenbehandlung von substraten im Vakuum
DE19601436A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung von Werkstücken
EP0301604A2 (de) Vorrichtung zur Beschichtung eines Substrates mittels Plasma-Chemical Vapour Deposition oder Kathodenzerstäubung und damit ausgeführtes Verfahren
DE3614398A1 (de) Anordnung zum behandeln von werkstuecken mit einer evakuierbaren kammer

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
D2 Grant after examination
8363 Opposition against the patent
8331 Complete revocation