DE2838212C2 - Verfahren zur Erzeugung von Hochvakuum in einem Rezipienten - Google Patents
Verfahren zur Erzeugung von Hochvakuum in einem RezipientenInfo
- Publication number
- DE2838212C2 DE2838212C2 DE19782838212 DE2838212A DE2838212C2 DE 2838212 C2 DE2838212 C2 DE 2838212C2 DE 19782838212 DE19782838212 DE 19782838212 DE 2838212 A DE2838212 A DE 2838212A DE 2838212 C2 DE2838212 C2 DE 2838212C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- temperature
- heating
- recipient
- walls
- pumping
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J3/00—Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
- B01J3/006—Processes utilising sub-atmospheric pressure; Apparatus therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Description
Hochvakuum wird vor allem bei Prozessen angewendet, die sehr empfänglich für Einwirkungen gasförmiger
Stoffe sind, wie beispielsweise die Herstellung Dünner Schichten durch Aufdampfen. Die flächenbezogene
Stoßrate (DIN 28 400, Blatt 1) des R^stgases, insbesondere des Wasserdampfes, hat daher rast immer großen
Einfluß auf Eigenschaften solcher Erzeugnisse. Läßt man den Prozeß zwecks Einsparung an Pumpzeit und
Saugleistung bei zu hoher flächenbezogener Stoßrate ablaufen, dann muß man die Gefahr einer Überschreitung
der Toleranzen oder eines hohen Ausschußanteils der Erzeugnisse in Kauf nehmen. Die Fertigung erfolgt
daher aus Gründen der Wirtschaftlichkeit vorzugsweise bei flächenbezogenen Stoßraten, die mit einem gerade
noch akzeptablen Risiko verbunden sind. Das Risiko ist großenteils darin begründet, daß die flächenbezogene
Stoßrate des Restgases nicht unmittelbar an der zu behandelnden Oberfläche kontrolliert werden kann,
sondern aus Meßwerten der volumenbezogenen Teilchenanzahl, des Druckes oder anderer Vakuumkenngrößen
eines anderen Meßortes abgeleitet werden muß, wobei sich die Korrelation verändern kann. Folgende
Maßnahmen wären daher einer guten Reproduzierbarkeit der Ergebnisse förderlich: Konstanthaltung der
Temperatur, Festlegung des Prozesses auf eine bestimmte, niedrige volumenbezogene Teilchenanzahl und
Beschränkung des Saugvermögens (Volumendurchflusses) der angeschlossenen Vakuumpumpenanordnung.
Eine strenge Einhaltung dieser Maßnahmen ist aber unwirtschaftlich, da sie sehr lange Pumpzeiten erfordert.
Versucht man jedoch, eine bestimmte, volumenbezogene Teilchenanzahl durch Erhöhung des Saugvermögens
der Pumpenanordnung in kürzerer Zeit zu erreichen, dann kann man häufig eine Zunahme des
Ausschußanteiles feststellen. Dies ist darauf zurückzuführen, daß sich mit wachsendem Saugvermögen die
örtlichen Unterschiede der volumenbezogenen Teilchenanzahl und der flächenbezogenen Stoßrate im
Rezipienten vergrößern. Die Korrelation zwischen der flächenbezogenen StoOrate und der volumenbezogenen
Teilchenanzahl wird nämlich bereits durch geringfügige Unterschiede z, B. der räumlichen Anordnung der
Einbauteile, der Temperaturverteilung oder des Temperaturveriaufes
stark verändert Eine Zunahme des Ausschußanteils kann man auch dann feststellen, wenn
man eine Verkürzung der Pumpzeit in bekannter Weise durch Ausheizen des Rezipienten während des Abpumpens
zu erreichen sucht. Die Ursache dieser Erscheinung beruht vermutlicht auf einer Zunahme der
Unterschiede zwischen den Resten sortierten Dampfes an den verschiedenen Steilen der Innenwände des
Rezipienten. Diese Dampfreste sind abhängig einerseits von der Temperatur, vom Dampfgehalt und von der
Einwirkungsdauer der Luft, anderseits vom räumlichen und zeitlichen Verlauf der Temperatur und des Druckes
beim Abpumpen. Geringfügige Unterschiede dieser Einflußgrößen können ebenfalls eine unkontrollierbare
Veränderung der flächenbezogenen Stoßrate und damit eine Beeinträchtigung der Reproduzierbarkeit der
Merkmaiswerie der Erzeugnisse zur Folge haben.
Die Erfindung stellt sich die Aufgabe, die Produktivität von Vakuumprozessen zu erhöhen, sei es durch
Verkürzung der Pumpzeit, sei es durch Verbesserung der Reproduzierbarkeit der Merkmalswerte der Erzeugnisse.
Sie geht aus von der Erkenntnis, daß bei den bisherigen Verfahren zur Erzeugung von Hochvakuum
durch Ausheizen der Innenwände des Rezipienten unter gleichzeitigem Abpumpen die Steuerung der Heizleistung
bzw. der Temperatur nach einem vorher festgelegtem Programm — meist einfach mit gleichbleibender
Heizleistung innerhalb einer vorgegebenen Zeitspanne — erfolgte, wobei die durch die jeweiligen
Anfangsbedingungen gegebenen Unterschiede der Desorption nicht genügend berücksichtigt wurden. Es
wurde nämlich derart vorgegangen, daß die Temperatur langsam ansteigend sich unter allmählicher Verringerung
der Geschwindigkeit des Temperaturanstieges asymptotisch einem Grenzwert näherte. Dies hatte
jedoch eine ganz erhebliche Verlängerung der Pumpzeit zur Folge. Hingegen ist das erfindungsgemäße Verfahren
zur Erzeugung von Hochvakuum in einem Rezipienten zur Durchführung von Vakuumprozessen,
wobei sorbierte Gase durch Erhöhen der Temperatur der den Prozeßraum begrenzenden Wände unter
gleichzeitigem Abpumpen entfernt werden, dadurch gekennzeichnet, daß die Beheizung der Wände nach
Erreichen eines vorbestimmten Unterdruckes innerhalb eines oberen und eines unteren, vorgewählten Grenzwertes
bis zur Erreichung einer vorbestimmten Temperatur der Wände gesteuert wird.
Durch eine derartige Heizungsregelung, bei der während des Ausheizens geringere Druckschwankungen
als bisher und für das Ende des Ausheizens eine bestimmte Temperatur eingehalten werden, ergibt sich
nicht nur eine verkürzte Pumpzeit, sondern überraschenderweise oft noch eine wesentlich bessere
Reproduzierbarkeit der Merkmalrwerte der Erzeugnisse.
Der Druck und die Endtemperatur stellen überraschenderweise
besonders günstige Einstellgrößen für eine zweidimensionale Parameter-Optimierung zwecks
Erzielung maximaler Produktivität dar.
Um eine möglichst gute Reproduzierbarkeit zu erreichen, sollten kurze Stellzeiten der Regelung und
nicht zu weite Druckgrenzen, zwischen denen der Istwert des Druckes sich verändern kann, angestrebt
werden. Die anliegende Fig. I zeigt das Schema einer
Anordnung zur Durchführung des Verfahrens:
Ein Regler 1 steuert mit Hilfe eines Vakuumdruckfühlers 2 den Heizkörper 3 im Rezipienten 4 in der Weise,
daß innerhalb des durch eine Verschalung 5 umgrenzten Prozeßraumes der Druck, der durch entsprechende
Steuerung der Wandtemperatur und damit der Gasabgabe durch Desorption im Zusammenwirken mit der
Pumpanordnung 6 aufrechterhalten wird, einen möglichst konstanten Wert annimmt, bzw. um einen
Mittelwert pendelt, der durch den eingestellten Sodwert
gegeben ist An der Verschalung 5 befindet sich ein Temperaturfühler 7, der über den Regler 1 die Heizung
abschaltet, sobald die vorbestimmte Endtemperatur erreicht ist Der Temperaturfühler könnte zwar zwecks
Vereinfachung der Anordnung fortgelassen und die Heizung nach einem festgelegtem Programm betrieben
werden, jedoch würden dann Unterschiede der Anfangsbedingungen z. B. der Luftfeuchtigkeit nicht mehr
so gut ausgeglichen und könnten sich nachteilig auf die Reproduzierbarkeit der Merkmalswerte der Erzeugnisse
auswirken. Die beiden unabhängigen Variablen, nämlich der Druck und die Endtemperatur bzw. Dauer
des Ausheizens, können so eingestellt werden, oaß eine Zielgröße, z. B. die von der Dauer des Evakuierungsprozesses
und vom Ausschußanteil der Erzeugnisse abhängige Produktivität ein Maximum annimmt
Die F i g. 2 zeigt als Ausführungsbeispiel eine für die
Durchführung der Erfindung geeignete Aufdampfanlage zur Herstellung dünner Schichten. 11 bezeichnet die
Wand des Rezipienten, der über den Saugstutzen 12 an einem Pumpstand 13 angeschlossen ist Im Rezipienten
befindet sich eine Dampfquelle 14, der über vakuumdichte Stromdurchführungen 15 Energie zugeführt wird.
Die Dampfquelle ist zusätzlich von einem zweiten Heizkörper 16 umgeben, der z. B. ein zylindermantelförmiger
Kohleheizkörper sein kann, der von Stromzuführungen 17 getragen und mit Heizstrom versorgt wird.
(Im Schnittbild der Fig. 2 ist nur eine dieser Stromzuführungen sichtbar.)
F i g. 2 zeigt ferner eine drehbare Kalotte 18 als Haltevorrichtung für die Substrate, eine mit einem
Schauglas 19 versehene Tür 20 des Rezipienten sowie eine Abschirmung 21 vor der Absaugöffnung. Wenn die
Anlage geöffnet wird, und dampfhaltige Luft Zutritt zu den Innenwänden hat, dann sorbieren diese eine
bestimmte Dampfmenge. Nach Schließen der Anlage werden die Innenwände zwecks Desorption durch
Beheizen mittels des Heizkörpers 16 erwärmt und der von den Wänden desorbierte Dampf abgepumpt, wobei
durch einen Regler, wie an Hand der F i g. 1 beschrieben, der Druck im Prozeßraum im Sinne der
Erfindung gesteuert wird. Sobald eine vorbestimmte Temperatur erreicht ist, wird die Beheizung abgeschaltet,
worauf die Innenwände sich abkühlen und der Druck schnell abfällt
Dieser Vorteil der Erfindung kommt ganz besonders zur Geltung bei Rezipienten, deren Innenwände duich
eine dünnwandige Verschalung (22 in F i g. 2) abgedeckt sind, besonders dann, wenn beim öffnen der Anlage in
den Zwischenraum zwischen der Rezipientenwand 11 und der Verschalung 22 über die Ventile 23 ein
Schutzgas eingeführt wird. Bei solchen Aufdampfanlagen kann der Temperaturwechsel infolge der geringen
Wärmekapazität der Verschalung sehr rasch durchgeführt und damit die für einen Evakuierungs- und
Aufdampfzyk'us erforderliche Zeit wesentlich abgekürzt werden.
Beim Evakuieren der beschriebenen AuHampfaniage
zwecks Fertigung von Magnesiumfluorid-Schichten wurde z. B. die Heizleistung des Heizkörpers in der
Weise gesteuert daß sich ein konstanter Partialdruck des descibierten Wasserdampfes von 0,013 N/m2
(1 · ΙΟ-4 Torr) einstellte. Die Endtemperatur von 117°C
wurde nach einer Heizzeit von durchschnittlich 8V2 min
erreicht Nach einer Abkühlzeit von 17 see fiel der Druck auf 0,0013 N/m2 (1 · 10-5Torr). Die Gesamtdauer
der Evakuierung betrug durchschnittlich 15V2 min. Um mit derselben Aufdampfanlage dieselben
Merkmalswerte der Magnesiumfluorid-Schichten mit gleicher Reproduzierbarkeit jedoch durch Evakuierung
bei konstanter Temperatur zu erreichen, wurden durchschnittlich etwa 34 min, also mehr als die doppelte
Zeit benötigt.
Der Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht aber nicht nur in der Möglichkeit der
Verkürzung der Pumpzeit sondern auch in einer besseren Reproduzierbarkeit der Merkmalswerte im
Vergleich zu nicht-isobaren Ausheizmethoden.
Unter »Merkmalswerte der Erzeugnisse« werden im Rahmen dieser Anmeldung die die Eigenschafien eines
Produktes kennzeichnenden quantitativen Kenngrößen (wie z. B. Brechungsindex, Härte und dgl.) verstanden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (5)
1. Verfahren zur Erzeugung von Hochvakuum in einem Rezipienten zur Durchführung von Vakuumprozessen,
wobei sorbierte Gase durch Erhöhen der Temperatur der den Prozeßraum begrenzenden
Wände unter gleichzeitigem Abpumpen entfernt werden, dadurch gekennzeichnet, daß die
Beheizung der Wände nach Erreichen eines vorbestimmten Unterdruckes innerhalb eines oberen
und eines unteren, vorgewählten Grenzwertes bis zur Erreichung einer vorbestimmten Temperatur
der Wände gesteuert wird.
Z Verfahren nach Anspruch I1 dadurch gekennzeichnet,
daß für den oberen Grenzwert höchstens das doppelte des unteren Grenzwertes gewählt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß nach Erreichen der vorbestimmten Temperatur die Heizung abgeschaltet wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß nach Erreichen der vorbestimmten Temperatur die Innenwände gekühlt werden.
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß für die Steuerung ein Ionisationsmanometer
als Druckfühler verwendet wird.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CH1278077A CH634606A5 (de) | 1977-10-20 | 1977-10-20 | Verfahren zur erzeugung von hochvakuum zur durchfuehrung von beschichtungsprozessen. |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2838212A1 DE2838212A1 (de) | 1979-04-26 |
DE2838212C2 true DE2838212C2 (de) | 1983-03-17 |
Family
ID=4386322
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19782838212 Expired DE2838212C2 (de) | 1977-10-20 | 1978-09-01 | Verfahren zur Erzeugung von Hochvakuum in einem Rezipienten |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
CH (1) | CH634606A5 (de) |
DE (1) | DE2838212C2 (de) |
FR (1) | FR2406673A1 (de) |
GB (1) | GB2006344B (de) |
NL (1) | NL172214C (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3140237A1 (de) * | 1980-10-09 | 1982-06-09 | Mitsubishi Denki K.K., Tokyo | Plasma-aetzeinrichtung |
DE3516933A1 (de) * | 1985-05-10 | 1986-11-13 | Deutsche Forschungs- und Versuchsanstalt für Luft- und Raumfahrt e.V., 5300 Bonn | Verfahren zum aufbringen einer mos(pfeil abwaerts)2(pfeil abwaerts)-beschichtung auf ein substrat |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3512614A1 (de) * | 1985-04-06 | 1986-10-16 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Verfahren zur inbetriebnahme und/oder regenerierung einer kryopumpe und fuer dieses verfahren geeignete kryopumpe |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH621714A5 (de) * | 1976-06-08 | 1981-02-27 | Balzers Hochvakuum |
-
1977
- 1977-10-20 CH CH1278077A patent/CH634606A5/de not_active IP Right Cessation
-
1978
- 1978-01-06 NL NL7800199A patent/NL172214C/xx not_active IP Right Cessation
- 1978-09-01 DE DE19782838212 patent/DE2838212C2/de not_active Expired
- 1978-09-14 GB GB7836912A patent/GB2006344B/en not_active Expired
- 1978-10-19 FR FR7829740A patent/FR2406673A1/fr active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3140237A1 (de) * | 1980-10-09 | 1982-06-09 | Mitsubishi Denki K.K., Tokyo | Plasma-aetzeinrichtung |
DE3516933A1 (de) * | 1985-05-10 | 1986-11-13 | Deutsche Forschungs- und Versuchsanstalt für Luft- und Raumfahrt e.V., 5300 Bonn | Verfahren zum aufbringen einer mos(pfeil abwaerts)2(pfeil abwaerts)-beschichtung auf ein substrat |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2406673B1 (de) | 1982-10-29 |
CH634606A5 (de) | 1983-02-15 |
DE2838212A1 (de) | 1979-04-26 |
NL172214B (nl) | 1983-03-01 |
FR2406673A1 (fr) | 1979-05-18 |
NL172214C (nl) | 1983-08-01 |
GB2006344B (en) | 1982-04-07 |
NL7800199A (nl) | 1979-04-24 |
GB2006344A (en) | 1979-05-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1446199A1 (de) | Verfahren zum UEberziehen von Scheiben in einer evakuierten Vakuumkammer | |
DE2838212C2 (de) | Verfahren zur Erzeugung von Hochvakuum in einem Rezipienten | |
US4181161A (en) | Method of producing a high vacuum in a container | |
DE2410400C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Metalldampfentladungslampe | |
DE20321795U1 (de) | Vorrichtung zum Reinigen wenigsten einer Prozesskammer zum Beschichten wenigstens eines Substrats | |
DE2823911A1 (de) | Vakuumaufdampfanlage | |
DE411313C (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Entlueften von Massen, insbesondere fuer die Herstellung von Kunstseide | |
DE1142262B (de) | Vorrichtung zur Erzeugung von duennen Metallschichten durch Ionenneutralisation | |
DE19500019A1 (de) | Evakuierbare und mit Sprühwasserduschen versehene Kühlkammer zum Abkühlen von metallischem Wärmebehandlungsgut | |
DE1298833B (de) | Vorrichtung zum Vakuumaufdampfen einer Vielzahl von festhaftenden Schichten bestimmter Dicke aus verschiedenen Materialien auf eine Unterlage mittels Elektronenbeschuss | |
DE4414083C2 (de) | Vorrichtung zum Herstellen dünner Schichten auf Kunststoff-Substraten und zum Ätzen solcher Substrate | |
DE2816612A1 (de) | Verfahren zur erzeugung von hochvakuum | |
DE4237335A1 (de) | Verfahren und Einrichtung zur Trocknung eines mit einer Reinigungsflüssigkeit behandelten Werkstücks | |
DE2325727A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum evakuieren geschlossener systeme | |
DE731328C (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Metallisieren von metallischen Gegenstaenden mittels Kathodenzerstaeubung | |
DE19605315C1 (de) | Verfahren und Einrichtung zur Regelung eines Vakuumbeschichtungsprozesses | |
EP1253389A1 (de) | Verfahren zum Trocknen eines Aktivteils und Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens | |
DE2305359A1 (de) | Anordnung zur aufdampfung duenner schichten unter gleichzeitiger einwirkung eines ionisierten gases | |
DE3836948C2 (de) | ||
DE841626C (de) | Einrichtung zum Aufdampfen reflexmindernder Schichten auf die Oberflaechen von optischen Teilen, insbesondere aus Glas | |
EP2884824A1 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Kleinteilen mittels Plasma | |
DD233279A3 (de) | Verfahren zur substratheizung | |
DE1446199C (de) | Kontinuierliches Verfahren zum Über ziehen von Gegenstanden, insbesondere Glas scheiben, durch Vakuumaufdampfen und Vornch tung zur Durchfuhrung des Verfahrens | |
DE466235C (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Einfuehrung von Wasser in die Schmelzzone eines Schachtofens | |
DE840415C (de) | Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Entladungsapparates mit einer Quecksilber enthaltenden Gasatmosphaere |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8363 | Opposition against the patent | ||
8366 | Restricted maintained after opposition proceedings | ||
8305 | Restricted maintenance of patent after opposition | ||
D4 | Patent maintained restricted | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |