DE2838212C2 - Verfahren zur Erzeugung von Hochvakuum in einem Rezipienten - Google Patents

Verfahren zur Erzeugung von Hochvakuum in einem Rezipienten

Info

Publication number
DE2838212C2
DE2838212C2 DE19782838212 DE2838212A DE2838212C2 DE 2838212 C2 DE2838212 C2 DE 2838212C2 DE 19782838212 DE19782838212 DE 19782838212 DE 2838212 A DE2838212 A DE 2838212A DE 2838212 C2 DE2838212 C2 DE 2838212C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
temperature
heating
recipient
walls
pumping
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE19782838212
Other languages
English (en)
Other versions
DE2838212A1 (de
Inventor
Thaddäus Dr. Triesen Kraus
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Balzers Hochvakuum 6200 Wiesbaden De GmbH
Original Assignee
Balzers Hochvakuum 6200 Wiesbaden De GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Balzers Hochvakuum 6200 Wiesbaden De GmbH filed Critical Balzers Hochvakuum 6200 Wiesbaden De GmbH
Publication of DE2838212A1 publication Critical patent/DE2838212A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2838212C2 publication Critical patent/DE2838212C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J3/00Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
    • B01J3/006Processes utilising sub-atmospheric pressure; Apparatus therefor
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Description

Hochvakuum wird vor allem bei Prozessen angewendet, die sehr empfänglich für Einwirkungen gasförmiger Stoffe sind, wie beispielsweise die Herstellung Dünner Schichten durch Aufdampfen. Die flächenbezogene Stoßrate (DIN 28 400, Blatt 1) des R^stgases, insbesondere des Wasserdampfes, hat daher rast immer großen Einfluß auf Eigenschaften solcher Erzeugnisse. Läßt man den Prozeß zwecks Einsparung an Pumpzeit und Saugleistung bei zu hoher flächenbezogener Stoßrate ablaufen, dann muß man die Gefahr einer Überschreitung der Toleranzen oder eines hohen Ausschußanteils der Erzeugnisse in Kauf nehmen. Die Fertigung erfolgt daher aus Gründen der Wirtschaftlichkeit vorzugsweise bei flächenbezogenen Stoßraten, die mit einem gerade noch akzeptablen Risiko verbunden sind. Das Risiko ist großenteils darin begründet, daß die flächenbezogene Stoßrate des Restgases nicht unmittelbar an der zu behandelnden Oberfläche kontrolliert werden kann, sondern aus Meßwerten der volumenbezogenen Teilchenanzahl, des Druckes oder anderer Vakuumkenngrößen eines anderen Meßortes abgeleitet werden muß, wobei sich die Korrelation verändern kann. Folgende Maßnahmen wären daher einer guten Reproduzierbarkeit der Ergebnisse förderlich: Konstanthaltung der Temperatur, Festlegung des Prozesses auf eine bestimmte, niedrige volumenbezogene Teilchenanzahl und Beschränkung des Saugvermögens (Volumendurchflusses) der angeschlossenen Vakuumpumpenanordnung. Eine strenge Einhaltung dieser Maßnahmen ist aber unwirtschaftlich, da sie sehr lange Pumpzeiten erfordert.
Versucht man jedoch, eine bestimmte, volumenbezogene Teilchenanzahl durch Erhöhung des Saugvermögens der Pumpenanordnung in kürzerer Zeit zu erreichen, dann kann man häufig eine Zunahme des Ausschußanteiles feststellen. Dies ist darauf zurückzuführen, daß sich mit wachsendem Saugvermögen die örtlichen Unterschiede der volumenbezogenen Teilchenanzahl und der flächenbezogenen Stoßrate im Rezipienten vergrößern. Die Korrelation zwischen der flächenbezogenen StoOrate und der volumenbezogenen Teilchenanzahl wird nämlich bereits durch geringfügige Unterschiede z, B. der räumlichen Anordnung der Einbauteile, der Temperaturverteilung oder des Temperaturveriaufes stark verändert Eine Zunahme des Ausschußanteils kann man auch dann feststellen, wenn man eine Verkürzung der Pumpzeit in bekannter Weise durch Ausheizen des Rezipienten während des Abpumpens zu erreichen sucht. Die Ursache dieser Erscheinung beruht vermutlicht auf einer Zunahme der Unterschiede zwischen den Resten sortierten Dampfes an den verschiedenen Steilen der Innenwände des Rezipienten. Diese Dampfreste sind abhängig einerseits von der Temperatur, vom Dampfgehalt und von der Einwirkungsdauer der Luft, anderseits vom räumlichen und zeitlichen Verlauf der Temperatur und des Druckes beim Abpumpen. Geringfügige Unterschiede dieser Einflußgrößen können ebenfalls eine unkontrollierbare Veränderung der flächenbezogenen Stoßrate und damit eine Beeinträchtigung der Reproduzierbarkeit der Merkmaiswerie der Erzeugnisse zur Folge haben.
Die Erfindung stellt sich die Aufgabe, die Produktivität von Vakuumprozessen zu erhöhen, sei es durch Verkürzung der Pumpzeit, sei es durch Verbesserung der Reproduzierbarkeit der Merkmalswerte der Erzeugnisse. Sie geht aus von der Erkenntnis, daß bei den bisherigen Verfahren zur Erzeugung von Hochvakuum durch Ausheizen der Innenwände des Rezipienten unter gleichzeitigem Abpumpen die Steuerung der Heizleistung bzw. der Temperatur nach einem vorher festgelegtem Programm — meist einfach mit gleichbleibender Heizleistung innerhalb einer vorgegebenen Zeitspanne — erfolgte, wobei die durch die jeweiligen Anfangsbedingungen gegebenen Unterschiede der Desorption nicht genügend berücksichtigt wurden. Es wurde nämlich derart vorgegangen, daß die Temperatur langsam ansteigend sich unter allmählicher Verringerung der Geschwindigkeit des Temperaturanstieges asymptotisch einem Grenzwert näherte. Dies hatte jedoch eine ganz erhebliche Verlängerung der Pumpzeit zur Folge. Hingegen ist das erfindungsgemäße Verfahren zur Erzeugung von Hochvakuum in einem Rezipienten zur Durchführung von Vakuumprozessen, wobei sorbierte Gase durch Erhöhen der Temperatur der den Prozeßraum begrenzenden Wände unter gleichzeitigem Abpumpen entfernt werden, dadurch gekennzeichnet, daß die Beheizung der Wände nach Erreichen eines vorbestimmten Unterdruckes innerhalb eines oberen und eines unteren, vorgewählten Grenzwertes bis zur Erreichung einer vorbestimmten Temperatur der Wände gesteuert wird.
Durch eine derartige Heizungsregelung, bei der während des Ausheizens geringere Druckschwankungen als bisher und für das Ende des Ausheizens eine bestimmte Temperatur eingehalten werden, ergibt sich nicht nur eine verkürzte Pumpzeit, sondern überraschenderweise oft noch eine wesentlich bessere Reproduzierbarkeit der Merkmalrwerte der Erzeugnisse.
Der Druck und die Endtemperatur stellen überraschenderweise besonders günstige Einstellgrößen für eine zweidimensionale Parameter-Optimierung zwecks Erzielung maximaler Produktivität dar.
Um eine möglichst gute Reproduzierbarkeit zu erreichen, sollten kurze Stellzeiten der Regelung und nicht zu weite Druckgrenzen, zwischen denen der Istwert des Druckes sich verändern kann, angestrebt werden. Die anliegende Fig. I zeigt das Schema einer
Anordnung zur Durchführung des Verfahrens:
Ein Regler 1 steuert mit Hilfe eines Vakuumdruckfühlers 2 den Heizkörper 3 im Rezipienten 4 in der Weise, daß innerhalb des durch eine Verschalung 5 umgrenzten Prozeßraumes der Druck, der durch entsprechende Steuerung der Wandtemperatur und damit der Gasabgabe durch Desorption im Zusammenwirken mit der Pumpanordnung 6 aufrechterhalten wird, einen möglichst konstanten Wert annimmt, bzw. um einen Mittelwert pendelt, der durch den eingestellten Sodwert gegeben ist An der Verschalung 5 befindet sich ein Temperaturfühler 7, der über den Regler 1 die Heizung abschaltet, sobald die vorbestimmte Endtemperatur erreicht ist Der Temperaturfühler könnte zwar zwecks Vereinfachung der Anordnung fortgelassen und die Heizung nach einem festgelegtem Programm betrieben werden, jedoch würden dann Unterschiede der Anfangsbedingungen z. B. der Luftfeuchtigkeit nicht mehr so gut ausgeglichen und könnten sich nachteilig auf die Reproduzierbarkeit der Merkmalswerte der Erzeugnisse auswirken. Die beiden unabhängigen Variablen, nämlich der Druck und die Endtemperatur bzw. Dauer des Ausheizens, können so eingestellt werden, oaß eine Zielgröße, z. B. die von der Dauer des Evakuierungsprozesses und vom Ausschußanteil der Erzeugnisse abhängige Produktivität ein Maximum annimmt
Die F i g. 2 zeigt als Ausführungsbeispiel eine für die Durchführung der Erfindung geeignete Aufdampfanlage zur Herstellung dünner Schichten. 11 bezeichnet die Wand des Rezipienten, der über den Saugstutzen 12 an einem Pumpstand 13 angeschlossen ist Im Rezipienten befindet sich eine Dampfquelle 14, der über vakuumdichte Stromdurchführungen 15 Energie zugeführt wird. Die Dampfquelle ist zusätzlich von einem zweiten Heizkörper 16 umgeben, der z. B. ein zylindermantelförmiger Kohleheizkörper sein kann, der von Stromzuführungen 17 getragen und mit Heizstrom versorgt wird. (Im Schnittbild der Fig. 2 ist nur eine dieser Stromzuführungen sichtbar.)
F i g. 2 zeigt ferner eine drehbare Kalotte 18 als Haltevorrichtung für die Substrate, eine mit einem Schauglas 19 versehene Tür 20 des Rezipienten sowie eine Abschirmung 21 vor der Absaugöffnung. Wenn die Anlage geöffnet wird, und dampfhaltige Luft Zutritt zu den Innenwänden hat, dann sorbieren diese eine bestimmte Dampfmenge. Nach Schließen der Anlage werden die Innenwände zwecks Desorption durch Beheizen mittels des Heizkörpers 16 erwärmt und der von den Wänden desorbierte Dampf abgepumpt, wobei durch einen Regler, wie an Hand der F i g. 1 beschrieben, der Druck im Prozeßraum im Sinne der Erfindung gesteuert wird. Sobald eine vorbestimmte Temperatur erreicht ist, wird die Beheizung abgeschaltet, worauf die Innenwände sich abkühlen und der Druck schnell abfällt
Dieser Vorteil der Erfindung kommt ganz besonders zur Geltung bei Rezipienten, deren Innenwände duich eine dünnwandige Verschalung (22 in F i g. 2) abgedeckt sind, besonders dann, wenn beim öffnen der Anlage in den Zwischenraum zwischen der Rezipientenwand 11 und der Verschalung 22 über die Ventile 23 ein Schutzgas eingeführt wird. Bei solchen Aufdampfanlagen kann der Temperaturwechsel infolge der geringen Wärmekapazität der Verschalung sehr rasch durchgeführt und damit die für einen Evakuierungs- und Aufdampfzyk'us erforderliche Zeit wesentlich abgekürzt werden.
Beim Evakuieren der beschriebenen AuHampfaniage zwecks Fertigung von Magnesiumfluorid-Schichten wurde z. B. die Heizleistung des Heizkörpers in der Weise gesteuert daß sich ein konstanter Partialdruck des descibierten Wasserdampfes von 0,013 N/m2 (1 · ΙΟ-4 Torr) einstellte. Die Endtemperatur von 117°C wurde nach einer Heizzeit von durchschnittlich 8V2 min erreicht Nach einer Abkühlzeit von 17 see fiel der Druck auf 0,0013 N/m2 (1 · 10-5Torr). Die Gesamtdauer der Evakuierung betrug durchschnittlich 15V2 min. Um mit derselben Aufdampfanlage dieselben Merkmalswerte der Magnesiumfluorid-Schichten mit gleicher Reproduzierbarkeit jedoch durch Evakuierung bei konstanter Temperatur zu erreichen, wurden durchschnittlich etwa 34 min, also mehr als die doppelte Zeit benötigt.
Der Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht aber nicht nur in der Möglichkeit der Verkürzung der Pumpzeit sondern auch in einer besseren Reproduzierbarkeit der Merkmalswerte im Vergleich zu nicht-isobaren Ausheizmethoden.
Unter »Merkmalswerte der Erzeugnisse« werden im Rahmen dieser Anmeldung die die Eigenschafien eines Produktes kennzeichnenden quantitativen Kenngrößen (wie z. B. Brechungsindex, Härte und dgl.) verstanden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (5)

Patentansprüche;
1. Verfahren zur Erzeugung von Hochvakuum in einem Rezipienten zur Durchführung von Vakuumprozessen, wobei sorbierte Gase durch Erhöhen der Temperatur der den Prozeßraum begrenzenden Wände unter gleichzeitigem Abpumpen entfernt werden, dadurch gekennzeichnet, daß die Beheizung der Wände nach Erreichen eines vorbestimmten Unterdruckes innerhalb eines oberen und eines unteren, vorgewählten Grenzwertes bis zur Erreichung einer vorbestimmten Temperatur der Wände gesteuert wird.
Z Verfahren nach Anspruch I1 dadurch gekennzeichnet, daß für den oberen Grenzwert höchstens das doppelte des unteren Grenzwertes gewählt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß nach Erreichen der vorbestimmten Temperatur die Heizung abgeschaltet wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß nach Erreichen der vorbestimmten Temperatur die Innenwände gekühlt werden.
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß für die Steuerung ein Ionisationsmanometer als Druckfühler verwendet wird.
DE19782838212 1977-10-20 1978-09-01 Verfahren zur Erzeugung von Hochvakuum in einem Rezipienten Expired DE2838212C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CH1278077A CH634606A5 (de) 1977-10-20 1977-10-20 Verfahren zur erzeugung von hochvakuum zur durchfuehrung von beschichtungsprozessen.

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2838212A1 DE2838212A1 (de) 1979-04-26
DE2838212C2 true DE2838212C2 (de) 1983-03-17

Family

ID=4386322

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19782838212 Expired DE2838212C2 (de) 1977-10-20 1978-09-01 Verfahren zur Erzeugung von Hochvakuum in einem Rezipienten

Country Status (5)

Country Link
CH (1) CH634606A5 (de)
DE (1) DE2838212C2 (de)
FR (1) FR2406673A1 (de)
GB (1) GB2006344B (de)
NL (1) NL172214C (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3140237A1 (de) * 1980-10-09 1982-06-09 Mitsubishi Denki K.K., Tokyo Plasma-aetzeinrichtung
DE3516933A1 (de) * 1985-05-10 1986-11-13 Deutsche Forschungs- und Versuchsanstalt für Luft- und Raumfahrt e.V., 5300 Bonn Verfahren zum aufbringen einer mos(pfeil abwaerts)2(pfeil abwaerts)-beschichtung auf ein substrat

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3512614A1 (de) * 1985-04-06 1986-10-16 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Verfahren zur inbetriebnahme und/oder regenerierung einer kryopumpe und fuer dieses verfahren geeignete kryopumpe

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH621714A5 (de) * 1976-06-08 1981-02-27 Balzers Hochvakuum

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3140237A1 (de) * 1980-10-09 1982-06-09 Mitsubishi Denki K.K., Tokyo Plasma-aetzeinrichtung
DE3516933A1 (de) * 1985-05-10 1986-11-13 Deutsche Forschungs- und Versuchsanstalt für Luft- und Raumfahrt e.V., 5300 Bonn Verfahren zum aufbringen einer mos(pfeil abwaerts)2(pfeil abwaerts)-beschichtung auf ein substrat

Also Published As

Publication number Publication date
FR2406673B1 (de) 1982-10-29
CH634606A5 (de) 1983-02-15
DE2838212A1 (de) 1979-04-26
NL172214B (nl) 1983-03-01
FR2406673A1 (fr) 1979-05-18
NL172214C (nl) 1983-08-01
GB2006344B (en) 1982-04-07
NL7800199A (nl) 1979-04-24
GB2006344A (en) 1979-05-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1446199A1 (de) Verfahren zum UEberziehen von Scheiben in einer evakuierten Vakuumkammer
DE2838212C2 (de) Verfahren zur Erzeugung von Hochvakuum in einem Rezipienten
US4181161A (en) Method of producing a high vacuum in a container
DE2410400C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer Metalldampfentladungslampe
DE20321795U1 (de) Vorrichtung zum Reinigen wenigsten einer Prozesskammer zum Beschichten wenigstens eines Substrats
DE2823911A1 (de) Vakuumaufdampfanlage
DE411313C (de) Verfahren und Vorrichtung zum Entlueften von Massen, insbesondere fuer die Herstellung von Kunstseide
DE1142262B (de) Vorrichtung zur Erzeugung von duennen Metallschichten durch Ionenneutralisation
DE19500019A1 (de) Evakuierbare und mit Sprühwasserduschen versehene Kühlkammer zum Abkühlen von metallischem Wärmebehandlungsgut
DE1298833B (de) Vorrichtung zum Vakuumaufdampfen einer Vielzahl von festhaftenden Schichten bestimmter Dicke aus verschiedenen Materialien auf eine Unterlage mittels Elektronenbeschuss
DE4414083C2 (de) Vorrichtung zum Herstellen dünner Schichten auf Kunststoff-Substraten und zum Ätzen solcher Substrate
DE2816612A1 (de) Verfahren zur erzeugung von hochvakuum
DE4237335A1 (de) Verfahren und Einrichtung zur Trocknung eines mit einer Reinigungsflüssigkeit behandelten Werkstücks
DE2325727A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum evakuieren geschlossener systeme
DE731328C (de) Verfahren und Vorrichtung zum Metallisieren von metallischen Gegenstaenden mittels Kathodenzerstaeubung
DE19605315C1 (de) Verfahren und Einrichtung zur Regelung eines Vakuumbeschichtungsprozesses
EP1253389A1 (de) Verfahren zum Trocknen eines Aktivteils und Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens
DE2305359A1 (de) Anordnung zur aufdampfung duenner schichten unter gleichzeitiger einwirkung eines ionisierten gases
DE3836948C2 (de)
DE841626C (de) Einrichtung zum Aufdampfen reflexmindernder Schichten auf die Oberflaechen von optischen Teilen, insbesondere aus Glas
EP2884824A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Kleinteilen mittels Plasma
DD233279A3 (de) Verfahren zur substratheizung
DE1446199C (de) Kontinuierliches Verfahren zum Über ziehen von Gegenstanden, insbesondere Glas scheiben, durch Vakuumaufdampfen und Vornch tung zur Durchfuhrung des Verfahrens
DE466235C (de) Verfahren und Vorrichtung zur Einfuehrung von Wasser in die Schmelzzone eines Schachtofens
DE840415C (de) Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Entladungsapparates mit einer Quecksilber enthaltenden Gasatmosphaere

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
D2 Grant after examination
8363 Opposition against the patent
8366 Restricted maintained after opposition proceedings
8305 Restricted maintenance of patent after opposition
D4 Patent maintained restricted
8339 Ceased/non-payment of the annual fee