JPS6049629A - 反応性イオンビ−ムエツチング装置 - Google Patents
反応性イオンビ−ムエツチング装置Info
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- JPS6049629A JPS6049629A JP15918583A JP15918583A JPS6049629A JP S6049629 A JPS6049629 A JP S6049629A JP 15918583 A JP15918583 A JP 15918583A JP 15918583 A JP15918583 A JP 15918583A JP S6049629 A JPS6049629 A JP S6049629A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrostatic lens
- ion beam
- reactive ion
- etching
- lens
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、反応性イオンビームエツチング装置の改良
に関するものである。
に関するものである。
従来の反応性イオンビームエツチング装置（ＲＩＢＥ）
を第１図により説明する。第１図において、１はイオン
源、２はイオンを引き出すための加速電極で、こ１によ
り引き出さｔ′Ｉたイオンビーム３をドーナツ状の金属
板からなる静電レンズ４で均一性の良いビームにしてシ
リコン（Ｓｔ）等の被エツチング基板５に照射し、所望
の物質をエツチングする。６は前記被エツチング基板５
をセットするためのカセットで・、水または他の溶剤で
冷却できるシステムを備えている。
を第１図により説明する。第１図において、１はイオン
源、２はイオンを引き出すための加速電極で、こ１によ
り引き出さｔ′Ｉたイオンビーム３をドーナツ状の金属
板からなる静電レンズ４で均一性の良いビームにしてシ
リコン（Ｓｔ）等の被エツチング基板５に照射し、所望
の物質をエツチングする。６は前記被エツチング基板５
をセットするためのカセットで・、水または他の溶剤で
冷却できるシステムを備えている。
次忙動作について説明する。イオン、源１は反応性ガス
、例えばＣＣｌ４等の塩素系ガスやＣＦ、等のフッ素系
ガスをタングステンフィラメントを熱することで生ずる
熱電子で活性化する（プラズマ状態にする）。プラズマ
中の正イオン（反応性イオン）を負の高バイアス（Ｓ
ＯＯ，〜１００ＯＶ）で引き出す。高電圧で加速された
反応性イオン、例えば塩素系またはフッ素系イオンで被
エツチング基板５上のＡ１等金属膜や５ｉｎ２．ＳｉＮ
、等の絶帆膜のエツチングを行う。このエツチング方法
は、反応性イオンビームエツチング法でエツチング速度
と選択比の大きなプラズマエツチング法（ケミカル反応
）と異方性エツチングが可能で微細加工が容易なイオン
ミーリング法（フィジカル反応）を組み合わせたもので
ある。また、エツチングの均一性をよ（するため、イオ
ン源１またはイオンの加速電極２とエツチングされる被
エツチング基板５の間忙静電レンズ４を設げている。拡
がったイオンビームなドーナツ状の金属板からなる静電
レンズ４に電圧（ポテンシャル）を印加することで集束
する。こｔｔＶＣより、均一性のよい微細パターンや従
来法（ＲＩＥ等）でエツチングが不可能であったＡ１合
金のエツチングが可能となったり ＲＩＢＥは、従来不可能であつＣＡｌ−８ｉ −Ｃｕ等
のＡｔ合金のエツチングが可能であり、１μｍ以下の微
細パターンも容易に得ることができる。
、例えばＣＣｌ４等の塩素系ガスやＣＦ、等のフッ素系
ガスをタングステンフィラメントを熱することで生ずる
熱電子で活性化する（プラズマ状態にする）。プラズマ
中の正イオン（反応性イオン）を負の高バイアス（Ｓ
ＯＯ，〜１００ＯＶ）で引き出す。高電圧で加速された
反応性イオン、例えば塩素系またはフッ素系イオンで被
エツチング基板５上のＡ１等金属膜や５ｉｎ２．ＳｉＮ
、等の絶帆膜のエツチングを行う。このエツチング方法
は、反応性イオンビームエツチング法でエツチング速度
と選択比の大きなプラズマエツチング法（ケミカル反応
）と異方性エツチングが可能で微細加工が容易なイオン
ミーリング法（フィジカル反応）を組み合わせたもので
ある。また、エツチングの均一性をよ（するため、イオ
ン源１またはイオンの加速電極２とエツチングされる被
エツチング基板５の間忙静電レンズ４を設げている。拡
がったイオンビームなドーナツ状の金属板からなる静電
レンズ４に電圧（ポテンシャル）を印加することで集束
する。こｔｔＶＣより、均一性のよい微細パターンや従
来法（ＲＩＥ等）でエツチングが不可能であったＡ１合
金のエツチングが可能となったり ＲＩＢＥは、従来不可能であつＣＡｌ−８ｉ −Ｃｕ等
のＡｔ合金のエツチングが可能であり、１μｍ以下の微
細パターンも容易に得ることができる。
さらに、イオン源１とエツチングされる被エツチング基
板５間に静電レンズ４を設けることで均一性のよいエツ
チングが可能となった。
板５間に静電レンズ４を設けることで均一性のよいエツ
チングが可能となった。
しかしながら、静電レンズ４は塩素等のエツチングガス
にさらされることＫなり、前記した静電レンズ４０表面
に塩化物等が堆積する。このためイオンビームに対する
レンズ効果がなくなり、エツチングが不均一になる欠点
があった。
にさらされることＫなり、前記した静電レンズ４０表面
に塩化物等が堆積する。このためイオンビームに対する
レンズ効果がなくなり、エツチングが不均一になる欠点
があった。
この発明は、上記のような欠点を除去するためになされ
たもので、静電レンズに高電流を流すことができるよう
にし、こｔｌＫより高温ベークを可能にし、静電レンズ
の表面に堆積した塩化物等の不純物を除去できるように
して均一なエツチングを可能としたものである。
たもので、静電レンズに高電流を流すことができるよう
にし、こｔｌＫより高温ベークを可能にし、静電レンズ
の表面に堆積した塩化物等の不純物を除去できるように
して均一なエツチングを可能としたものである。
第２図はこの発明の一実施例を示す反応性イオンビーム
エツチング装置の構成図で、１はイオン源、２はイオン
を引き出すための加速電極、４は前記加速電極２により
引き出さｆｉ７ｃイオンの拡がりを押え、均一性のよい
イオンビーム３を得るための静電レンズである。この静
電レンズ４は、例えば中空のドーナツ状電極を２枚組み
合ろせたもので、イオン源１側を正、被エツチング基板
５側を負にバイアスするように設計したものである。
エツチング装置の構成図で、１はイオン源、２はイオン
を引き出すための加速電極、４は前記加速電極２により
引き出さｆｉ７ｃイオンの拡がりを押え、均一性のよい
イオンビーム３を得るための静電レンズである。この静
電レンズ４は、例えば中空のドーナツ状電極を２枚組み
合ろせたもので、イオン源１側を正、被エツチング基板
５側を負にバイアスするように設計したものである。
６は前記被エツチング基板５をセットするだめのカセッ
トで、水または他の溶剤で冷却できるシステムを備えて
いる。７は前記静電レンズ４に取り付けられた加熱手段
、例えばニクロム等のヒータである。
トで、水または他の溶剤で冷却できるシステムを備えて
いる。７は前記静電レンズ４に取り付けられた加熱手段
、例えばニクロム等のヒータである。
次に動作について説明する。反応性イオンは塩素または
フッ素系ガスを熱電子で活性化（プラズマ化）すること
で得られる。このイオン、例えば正イオンの場合、負の
バイアスを印加して加速する。この時イオンの拡がりを
押え、均一性のよい平行ビームを形成するために加速電
極２と被エツチング基板５間に第１図のように静電レン
ズ４を設けて加速電極２と被エツチング基板５間に電界
（ポテンシャル場）を形成することで外方向に向うイオ
ンビームの軌道を平行ビームに修正する。
フッ素系ガスを熱電子で活性化（プラズマ化）すること
で得られる。このイオン、例えば正イオンの場合、負の
バイアスを印加して加速する。この時イオンの拡がりを
押え、均一性のよい平行ビームを形成するために加速電
極２と被エツチング基板５間に第１図のように静電レン
ズ４を設けて加速電極２と被エツチング基板５間に電界
（ポテンシャル場）を形成することで外方向に向うイオ
ンビームの軌道を平行ビームに修正する。
こｔｔＫより、均一性のよいエツチングが可能となる。
しかしながら、従来は静電レンズ４を反応性イオンビー
ム内に設けであるために静電レンズ４の表面に塩化物等
の不純物が堆積する。そこで、この発明では静電レンズ
４にヒータ７を取り付は高温加熱することにより静電レ
ンズ４の表面に堆積した不純物を除去するよ５Ｋしたも
のであり、約１０００℃程度真空中で加熱することで静
電レンズ４の表面に吸着した塩化物等の不純物を除去す
る（ベーク７ワト）。ヒータ７はニクロム等の材料を使
い、高電流を流すことで上記ベーク７ワトか行われる。
ム内に設けであるために静電レンズ４の表面に塩化物等
の不純物が堆積する。そこで、この発明では静電レンズ
４にヒータ７を取り付は高温加熱することにより静電レ
ンズ４の表面に堆積した不純物を除去するよ５Ｋしたも
のであり、約１０００℃程度真空中で加熱することで静
電レンズ４の表面に吸着した塩化物等の不純物を除去す
る（ベーク７ワト）。ヒータ７はニクロム等の材料を使
い、高電流を流すことで上記ベーク７ワトか行われる。
こｔ′ＬＫより、静電レンズ４のクリーニングが行われ
、常時レンズ効果が保たれ均一性のよいイオンビームが
得ら４る。
、常時レンズ効果が保たれ均一性のよいイオンビームが
得ら４る。
以上説明したようにこの発明は、イオン源または加速電
極とエツチングされる被エツチング基板間に設げた静電
レンズに加熱手段を設けることにより、前記静電レンズ
を加熱することで前記静電レンズに吸着した塩化物等の
不純物を除去するようにしたので、安定した均一性のよ
いイオンビームを得ることができる利点がある。
極とエツチングされる被エツチング基板間に設げた静電
レンズに加熱手段を設けることにより、前記静電レンズ
を加熱することで前記静電レンズに吸着した塩化物等の
不純物を除去するようにしたので、安定した均一性のよ
いイオンビームを得ることができる利点がある。
第１図は従来の反応性イオンビームエッチンク装置の構
成図、第２図はこの発明の一実施例を示す反応性イオン
ビームエツチング装置の構成図である。 図中、１はイオン源、２は加速電極、３はイオンビーム
、４は静電レンズ、５は被エツチング基板、６はカセッ
ト、７はヒータである。 なお、図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 （外２名） 第１図 第２図 ■ １４９−
成図、第２図はこの発明の一実施例を示す反応性イオン
ビームエツチング装置の構成図である。 図中、１はイオン源、２は加速電極、３はイオンビーム
、４は静電レンズ、５は被エツチング基板、６はカセッ
ト、７はヒータである。 なお、図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 （外２名） 第１図 第２図 ■ １４９−
Claims (1)
- イオン源または加速電極と被エツチング基板間に静電レ
ンズを備え、前記イオン源からのイオンを均一なイオン
ビーム忙して前記被エツチング基板をエツチングする反
応性イオンビームエツチング装置において、前記静電レ
ンズに加熱手段を設けたことを特徴とする反応性イオン
ビームエツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15918583A JPS6049629A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | 反応性イオンビ−ムエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15918583A JPS6049629A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | 反応性イオンビ−ムエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6049629A true JPS6049629A (ja) | 1985-03-18 |
Family
ID=15688167
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15918583A Pending JPS6049629A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | 反応性イオンビ−ムエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6049629A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20170009763A (ko) * | 2015-07-15 | 2017-01-25 | 수스 마이크로텍 리소그라피 게엠바하 | 웨이퍼 조명 유닛을 위한 스페이서 변위 디바이스 및 웨이퍼 조명 유닛 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS566441A (en) * | 1979-06-29 | 1981-01-23 | Ibm | Reactive ion beam etching method |
| JPS5693330A (en) * | 1979-12-26 | 1981-07-28 | Nec Corp | Ion beam etching |
| JPS5767173A (en) * | 1980-10-09 | 1982-04-23 | Mitsubishi Electric Corp | Plasma etching device |
-
1983
- 1983-08-29 JP JP15918583A patent/JPS6049629A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS566441A (en) * | 1979-06-29 | 1981-01-23 | Ibm | Reactive ion beam etching method |
| JPS5693330A (en) * | 1979-12-26 | 1981-07-28 | Nec Corp | Ion beam etching |
| JPS5767173A (en) * | 1980-10-09 | 1982-04-23 | Mitsubishi Electric Corp | Plasma etching device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20170009763A (ko) * | 2015-07-15 | 2017-01-25 | 수스 마이크로텍 리소그라피 게엠바하 | 웨이퍼 조명 유닛을 위한 스페이서 변위 디바이스 및 웨이퍼 조명 유닛 |
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