DE3601711C2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- DE3601711C2 DE3601711C2 DE3601711A DE3601711A DE3601711C2 DE 3601711 C2 DE3601711 C2 DE 3601711C2 DE 3601711 A DE3601711 A DE 3601711A DE 3601711 A DE3601711 A DE 3601711A DE 3601711 C2 DE3601711 C2 DE 3601711C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- reactor
- reactor according
- distributor
- pipe
- tube
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45572—Cooled nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45578—Elongated nozzles, tubes with holes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft einen Reaktor zum Erzeugen
von aus Dämpfen erzeugten Niederschlägen auf einem
Substrat nach dem Oberbegriff des Anspruches 1. Zum
Erzeugen von Filmen oder Beschichtungen auf Substra
ten ist es allgemein bekannt, innerhalb eines Reaktors
das Substrat auf eine bestimmte Reaktionstemperatur
bei einer Atmosphäre innerhalb des Reaktors zu erhit
zen, die einen oder mehrere Reaktionsdämpfe aufweist.
Die Dämpfe bestehen hierbei aus chemischen Verbin
dungen, die mit der Oberfläche des erhitzten Substrats
reagieren, wodurch der Film bzw. die Beschichtung ab
geschieden wird. Um harte Beschichtungen beispiels
weise auf Werkzeugen, optischen Gläsern usw. zu er
zeugen, finden Reaktoren Verwendung, die aus einem
glockenförmigen Gefäß bestehen. Derartige Reaktoren
werden auch zur Erzeugung von Beschichtungen bei
Halbleitersubstraten verwendet.
Der Dampf bzw. das Dampfgemisch wird dem Reak
tor kontinuierlich zugeführt, und der verbrauchte
Dampf, der gasförmige Reaktionsnebenprodukte ent
hält, wird kontinuierlich vom Reaktor abgezogen, um
eine konstante Zirkulation des Reaktionsdampfes auf
der Oberfläche der Substrate zu erhalten. Die Substrate
werden hierbei durch Wärmeleitung, Strahlung, Induk
tion usw. erwärmt. Bei der Massenherstellung wird eine
Vielzahl von Substraten in den Reaktor eingebracht, die
auf Schiffchen oder Näpfchen angeordnet sind. Übli
cherweise wird der Reaktor durch einen ihn umgeben
den Ofen erhitzt, wobei Wärme durch Strahlung vom
Ofen über die Reaktorwandungen auf das Substrat
übertragen wird. Hierbei handelt es sich um die bekann
ten Heißwandreaktoren.
Durch das Einführen des Reaktionsdampfes baut sich
innerhalb des Reaktors ein Druck auf, wobei der ver
brauchte Dampf über einen Auslaß in einen Bereich
verminderten Drucks abströmt. Alternativ hierzu kann
mit dem Auslaß eine Vakuumpumpe verbunden sein, die
innerhalb des Reaktors einen Unterdruck erzeugt. Hier
bei handelt es sich dann um Unterdruckreaktoren.
Zur Verteilung des Reaktionsgases innerhalb des Re
aktors ist es bekannt, Rohrverteiler zu verwenden, die
eine Vielzahl von Öffnungen aufweisen. Hierdurch wird
ein gleichmäßiger Niederschlag auf den Substraten er
reicht. Einige der verwendeten Dämpfe reagieren je
doch so rasch, daß ein gleichförmiger Niederschlag auf
den Substraten bei Verwendung eines Rohrverteilers
nicht erreicht werden kann.
Da ein solcher Rohrverteiler innerhalb des Reaktors
angeordnet ist, weist er nahezu die gleiche Temperatur
auf wie die Substrate. Dies führt dazu, daß Reaktions
dämpfe bereits innerhalb des Rohrverteilers reagieren
und zu einem Niederschlag auf den Innenwänden des
Rohrverteilers führen. lnfolge dieser frühzeitigen Reak
tion innerhalb des Rohrverteilers tritt bereits ver
brauchter Dampf aus diesem aus und führt zu einem
unbefriedigenden Niederschlag des Films bzw. der Be
schichtung auf der Oberfläche der Substrate.
Bei Beschichtungen wird üblicherweise ein Dampfge
misch verwendet, bei denen die verschiedenen Dämpfe
ein unterschiedliches Reaktionsverhalten aufweisen. Bei
einem günstigen Reaktionsverhalten zersetzt sich der
Dampf rasch im Rohrverteiler, so daß aus dem Rohrver
teiler ein Dampfgemisch austritt, bei welchem der An
teil des am meist reaktiven Gasbestandteils vermindert
ist. Dies führt dazu, daß der auf dem Substrat niederge
schlagene Film eine andere Zusammensetzung aufweist
als aufgrund des Dampfgemisches zu erwarten ist, so
daß es sehr schwierig ist, die gewünschte Zusammenset
zung des niedergeschlagenen Films zu erhalten. Es ist
schwierig zu ermitteln, mit welchem Überschuß der
Dampfbestandteil zugeführt werden muß, der am ra
schesten reagiert und sich somit auf den Innenwänden
des Rohrverteilers niederschlägt.
Ein weiterer Nachteil eines heißen Rohrverteilers be
steht darin, daß der sich im Inneren des Rohrverteilers
niederschlagende Film den Innendurchmesser des
Rohrverteilers und den Durchmesser der Öffnungen,
aus denen der Dampf abströmt, zunehmend vermindert.
Da diese Verminderung über die Länge des Rohrvertei
lers hinweg ungleichförmig ist, führt dies dazu, daß der
Reaktionsdampf in der Nähe der Substrate ungleichmä
ßig verteilt wird.
Es besteht die Aufgabe, den Reaktor so auszubilden,
daß sich kein Film auf den Innenwandungen des Rohr
verteilers niederschlägt.
Gelöst wird diese Aufgabe mit den kennzeichnenden
Merkmalen des Anspruches 1. Vorteilhafte Ausgestal
tungen sind den Unteransprüchen entnehmbar.
Ausführungsbeispiele werden nachfolgend anhand
der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigt
Fig. 1 einen Querschnitt durch einen Reaktor bekann
ter Bauart;
Fig. 2 einen Querschnitt durch eine erste Ausfüh
rungsform eines Rohrverteilers;
Fig. 3 einen Querschnitt durch eine zweite Ausfüh
rungsform eines Rohrverteilers und
Fig. 4 einen Querschnitt durch einen Reaktor bevor
zugter Ausführungsform.
Die Fig. 1 zeigt einen Reaktor in Form eines Glok
kengefäßes 2, in dessen Inneren über geeignete Befesti
gungsmittel Substrate 1 angeordnet sind. Diese Substra
te bestehen beispielsweise aus Werkzeugen, optischen
Gläsern und Halbleitern. Ein Heizgerät 3 wie beispiels
weise ein Ofen oder mehrere Heizröhren sind außer
halb der Wand 4 des Reaktors 2 angeordnet und behei
zen über die Reaktorwand 4 die Substrate 1 auf. Reak
tionsgas, das schematisch mit 5 bezeichnet ist, tritt über
einen Rohrverteiler 6 ein, der eine Vielzahl von Öffnun
gen 7 aufweist. Durch diese Öffnungen 7 tritt der Dampf
aus und reagiert an der Oberfläche der Substrate 1,
wodurch dort ein Filrn niedergeschlagen wird. Ver
brauchter Dampf wird über eine Auslaßöffnung 8 abge
zogen, so daß ein kontinuierlicher Strom des Reaktions
gases über den Substraten entsteht.
Wie vorerwähnt, wird der Rohrverteiler 6 auf eine
Temperatur erhitzt, die näherungsweise gleich der Tem
peratur innerhalb des Reaktors 2 ist, so daß das Reak
tionsgas 5 bereits innerhalb des Rohrverteilers 6 rea
giert und dort ein Film an den Innenwänden des Rohr
verteilers 6 niedergeschlagen wird, so daß das aus den
Öffnungen 7 austretende Gas bereits verbrauchtes Gas
enthält, was zu einem ungleichmäßigen Filmnieder
schlag auf den Substraten 1 führt.
Die Fig. 2 zeigt einen Rohrverteiler, der aus einem
Verteilerrohr 6 besteht, das von zwei konzentrischen
Rohren 10 und 11 umgeben wird, die um die Öffnungen
7 des Verteilerrohres 6 herum miteinander verbunden
sind. Bei der Herstellung werden die Öffnungen in das
Verteilerrohr 6 gebohrt an den Stellen, wo die beiden
Rohre 10 und 11 miteinander verbunden sind. An den
Verbindungsstellen verlaufen die Rohre 10, 11 spitz
winklig aufeinander zu. Ein Kühlmittel 12 fließt im
Raum zwischen dem Verteilerrohr 6 und dem dieses
Rohr 6 konzentrisch umgebenden Rohr 10, wobei dieses
Kühlmittel an einem Einlaßstutzen 15 eintritt und über
einen Auslaßstutzen 16 abfließt. Der Raum zwischen
den konzentrischen Rohren 10 und 11 ist evakuiert und
dient somit als Wärmeisolator. Das Rohr 10 ist abge
dichtet durch die Wand 4 des Reaktors 2 hindurch ge
führt, wobei diese Abdichtung beispielsweise mittels ei
nes O-Ringes 17 erfolgt.
Im Betrieb tritt der Reaktionsdampf über den Stutzen
18 in das Verteilerrohr 6 ein und wird über die Öffnun
gen 7 verteilt und reagiert an der Oberfläche der in
Nähe des Rohrverteilers angeordneten Substrate. Das
Kühlmedium 12 umströmt das Verteilerrohr 6 und hält
somit das Reaktionsgas auf eine Temperatur, die gerin
ger ist als die Reaktionstemperatur des Gases.
Auf das wärmeisolierende Rohr 11 kann verzichtet
werden, wenn der Wärmeübergang vom Reaktor 2 zum
Rohrverteiler vernachlässigbar ist, eine Bedingung, die
häufig erfüllt wird. Die durch den Dampf im Inneren des
Reaktors übertragene Wärme ist gering, insbesondere
bei Niederdruckreaktoren. Diese Wärmeleitung ist in
den meisten Fällen ausreichend gering, da die Dampfat
mosphäre, die den Rohrverteiler unmittelbar umgibt, als
wärmeisolierendes Schild wirkt, durch welches lediglich
Strahlungswärme hindurchgeht, so daß gem. dem be
vorzugten Ausführungsbeispiel nach Fig. 4 auf das Wär
meisolationsrohr 11 verzichtet werden kann. In den Fäl
len jedoch, wo der Wärmeübergang zum Rohrverteiler
nicht vernachlässigbar ist, wird das Wärmeisolations
rohr 11 benötigt. Dies ist der Fall, wo das Verhältnis der
Reaktoroberfläche zur Oberfläche des Rohrverteilers
nicht ausreichend groß ist.
Die Fig. 3 zeigt einen Rohrverteiler, bei dem beide
Enden des Verteilerrohrs 6 durch die Reaktorwände 4
hindurchgehen. Ein wendelförmiges Kühlrohr 21 ist auf
dem Verteilerrohr 6 angeordnet, wobei an den Stellen,
wo das Verteilerrohr 6 nicht abgedeckt ist, die Dampf
austrittsöffnungen 7 vorgesehen sind. Das Kühlmedium
tritt am Einlaß 22 außerhalb der linken Reaktorwand 4
ein und tritt außerhalb der rechten Reaktorwand 4 über
den Auslaß 23 aus. Zur Abdichtung zwischen den Roh
ren und den Wänden 4 sind wiederum O-Ringe 17 vor
gesehen, die eine gasdichte Abdichtung zum Reaktorin
neren bewirken.
Das Reaktionsgas tritt wiederum in das Verteilerrohr
6 über den Rohrstutzen 18 ein und wird über die Öffnun
gen 7 im Reaktorinneren verteilt. Das Kühlmedium
fließt durch die Rohrwendel 21 und hält somit das Gas
innerhalb des Verteilerrohres 6 auf eine Temperatur,
welche geringer ist als die Reaktionstemperatur dieses
Reaktionsgases.
Das gekühlte Verteilerrohr bringt besondere Vorteile
bei Heißwandreaktoren, wie das nachfolgende Beispiel
erläutert:
Bor-Phosphor-Silicium-Glas wird in der Halbleiterin
dustrie weitverbreitet verwendet und wird hergestellt
durch die Ablagerung von Hydriden des Bors (B 2H6),
des Phosphors (PH3) und des Siliciums (SiH4). Siliciums
ubstrate werden in einer Reihe längs der Achse des
rohrförmigen Reaktors angeordnet, wobei diese Sub
strate auf teilweise geschlossenen Näpfchen angeordnet
sind. Ein Rohrverteiler verläuft längs des Reaktors, über
den Sauerstoff den Substraten zugeführt wird. Ein ähnli
cher oder gleicher Rohrverteiler verteilt die oben er
wähnten Hydride. Der Gasdruck innerhalb des rohrför
migen Reaktors wird auf weniger als 1 Torr reduziert, in
dem verbrauchtes Gas mittels einer Vakuumpumpe ab
gezogen wird. Der rohrförmige Reaktor wird innerhalb
eines rohrförmigen Ofens auf eine Temperatur von 300
bis 450°C erhitzt.
Die Hydride von Silicium (SiH4) und Phosphor (PH3)
sind gemischt bei einer Reaktortemperatur von 300 bis
450°C stabil. Das Hydrid des Bors (B 2H6) zersetzt sich
jedoch bereits bei einer Temperatur von 200°C in Bor
und Wasserstoff. Fließt ein Gasgemisch aus SiH4 und
B2H6 mit oder ohne PH3 längs des heißen Verteilerroh
res, dann wird auf den Innenwänden des Verteilerrohrs
ein metallischer, mit Bor angereicherter Niederschlag
erzeugt. Die Aufspaltung von B2H6 erfolgt bei einer
Temperatur von 200°C oder höher ausreichend rasch,
so daß nur ein kleiner Anteil des Gases nicht aufgespal
ten aus den Öffnungen 7 austritt und die Siliciumsub
strate im Bereich des Rohrverteilers erreicht.
Es ist allgemein bekannt, daß die Bor-Phosphor-Silici
um-Glaserzeugung bei den bekannten Heißwandreak
toren ineffizient und schwierig zu steuern ist, wenn das
Hydrid des Bors (B 2H6) verwendet wird. Wird jedoch
ein gekühlter Rohrverteiler verwendet, dann kann die
ses Hydrid wirksam verwendet werden und führt zu
einem genau kontrollierbaren Borniederschlag auf den
Substraten.
Die Fig. 4 zeigt ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel.
Ein Reaktorrohr 25, das üblicherweise aus Quarzglas
besteht, ist innerhalb eines zylindrischen Ofens 27 ange
ordnet, und in seinem Inneren sind mehrere Substrate
26 aufgestellt. Das Reaktorrohr 25 wird durch den zylin
drischen Ofen 27 auf eine Temperatur von 300 bis
450°C erhitzt. Ein Auslaßstutzen 28 des Reaktorrohres
25 ist an eine nicht dargestellte Vakuumpumpe ange
schlossen. Über diesen Auslaßstutzen wird der Dampf
vom Rohrinneren abgezogen. Ein Hydrid-Verteilerrohr
29 weist Dampfverteilungsöffnungen 30 auf, in deren
Nähe die Substrate angeordnet sind, und die eine gleich
mäßige Verteilung des Dampfes im Bereich der Sub
strate und einen gleichförmigen Niederschlag auf diesen
gewährleisten. Neben dem Hydrid-Rohrverteiler ver
läuft ein nicht dargestellter Sauerstoffverteiler in be
kannter Weise.
Das Hydridverteilerrohr 29 wird umgeben von zwei
konzentrischen Rohren 31 A und 31 B, die mit Öffnungen
versehen sind, die mit den Dampfverteileröffnungen 30
fluchten.
Zum Einsetzen und Entfernen der Substrate 26 ist
eine Türe 35 vorgesehen, welche mittels eines O-Ringes
36 gasdicht verschließbar ist. Auch sind die beiden kon
zentrischen Rohre 31 A und 31 B gegenüber dem Quarz
reaktorrohr 25 durch Dichtungen 37 gasdicht abgedich
tet.
Im Betrieb wird ein Hydriddampfgemisch dem Ver
teilerrohr 29 über den Stutzen 32 zugeführt, das über die
Öffnungen 30 in das Innere des Reaktorrohres austritt.
Das Hydriddampfgemisch reagiert mit dem Sauerstoff
an den Oberflächen der Substrate 26 und bildet somit
eine Beschichtung. Verbrauchter Dampf wird mittels
der Vakuumpumpe über die Auslaßöffnung 28 abgezo
gen. Ein Kühlmedium fließt zwischen den konzentri
schen Rohren 31 A und 31 B, das über den Einlaßstutzen 33
zugeführt und über den Auslaßstutzen 34 abgeführt
wird. Hierbei wird der Borhydriddampf (B 2H6) auf eine
Temperatur von unter 200°C abgekühlt.
Der Wärmeübergang bei einem heißwandigen Reak
tor erfolgt fast vollständig durch Strahlung, selbst bei
niedrigen Temperaturen von beispielsweise 330°C. Da
die Wärmestrahlungsabsorption proportional der Flä
che ist, absorbiert ein Rohrverteiler geringer Fläche nur
einen kleinen Wärmebetrag. Wie schon im Zusammen
hang mit Fig. 2 erwähnt, ist das Verhältnis einer großen
Reaktoroberfläche in bezug auf die Rohrverteilerober
fläche wichtig, um eine gleichförmige Temperatur in
nerhalb des Reaktors aufrechtzuerhalten.
Bei einem Prototyp betrug das Verhältnis der inneren
Oberfläche des Reaktorrohres 25 zur Oberfläche des
Rohrverteilers, d. h. Verteilerrohr 29 umgeben durch die
konzentrischen Rohre 31 A und 31 B, etwa 100. Dies be
deutet also, daß der Durchmesser des Reaktorrohres 25
etwa 10mal so groß war wie derjenige des Rohrvertei
lers. Es zeigte sich, daß die Wärmeabsorption des ge
kühlten Rohrverteilers von der Umgebungsatmosphäre
vernachlässigbar gering war. Als Kühlmedium wurde
Wasser verwendet, das mit einem Liter pro Minute den
Raum zwischen den konzentrischen Rohren 31 A und
31 B durchströmte, und das um weniger als 25°C erhitzt
wurde, wenn die Reaktortemperatur 400°C betrug. In
folge der geringen Wärmeabsorption war es nicht erfor
derlich, eine zusätzliche Wärmeisolierung, wie beispiels
weise das konzentrische Rohr 11 der Fig. 2 vorzusehen,
um die konzentrischen Rohre 31 A und 31 B zu umhüllen.
Die Gleichförmigkeit der Temperaturverteilung in der
Nähe der Substrate infolge des gekühlten Rohrvertei
lers wurde nur vernachlässigbar beeinflußt.
Auf der inneren Oberfläche des gekühlten Verteiler
rohres 29 wurde kein merkbarer Niederschlag festge
stellt. Es wurde gefunden, daß die Zusammensetzung
des auf den Substraten 26 niedergeschlagenen Films
direkt proportional mit der ursprünglichen Gaszusam
mensetzung war, die dem Verteilerrohr 29 über den
Stutzen 32 zugeführt wurde.
Die bekannten Rohrverteiler bestehen bevorzugt aus
einem transparenten Material wie beispielsweise Quarz.
Die infraroten Photonen gehen bei diesen bekannten
Rohrverteilern durch deren Wandung hindurch und
werden vom Reaktionsdampf absorbiert. Der Dampf
wird hierdurch oberhalb des thermischen Energiepegels
innerhalb des Rohrverteilers aufgeladen, wodurch der
chemische Dampfniederschlag beschleunigt wird und zu
einer frühzeitigen Reaktion des Dampfes führt. Wird für
die Herstellung des Rohrverteilers ein Photonen reflek
tierendes Material, wie beispielsweise nichtrostender
Stahl, verwendet oder findet ein Kühlmedium Anwen
dung, welches Photonen absorbiert, dann wird hier
durch der Niederschlag innerhalb des Rohrverteilers
beträchtlich vermindert. Es hat sich gezeigt, daß Wasser
günstige Photonenabsorptionseigenschaften aufweist.
Die Vorrichtung ist nicht nur für die Erzeugung von
Niederschlägen mit den im Beispiel genannten Gasen
geeignet. Sie ist auch verwendbar zur Erzeugung dotier
ter Polysiliciumbeschichtungen, verschleiß- und korro
sionsfester Borbeschichtungen, oder Aluminiumbe
schichtungen von Triisobutylaluminium auf eines oder
mehrerer Substrate. Auch ist es möglich, Halbleiterma
terialien, wie beispielsweise Galliumarsenid, Gallium
phosphid usw. aus metallorganischen Verbindungen
z. B. Ga(CH3)3, Al(C2H5)3 auf Substraten niederzuschla
gen.
Claims (14)
1. Reaktor zum Erzeugen von aus Dämpfen er
zeugten Niederschlägen auf einem Substrat, das in
nerhalb des Reaktors angeordnet ist und auf eine
Temperatur erhitzt wird, bei der die Substratober
fläche mit dem über einen Rohrverteiler zugeführ
ten Dampf reagiert, der nach seiner Reaktion aus
dem Reaktor entfernt wird, wobei der Rohrvertei
ler eine Vielzahl von Austrittsöffnungen aufweist,
von denen der zugeführte Dampf sich über dem
Substrat verteilt, dadurch gekennzeichnet, daß die
Wandungen des Rohrverteilers auf eine Tempera
tur unterhalb der Reaktionstemperatur des Damp
fes abgekühlt sind.
2. Reaktor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich
net, daß der Rohrverteiler aus einem wärmereflek
tierenden Material besteht.
3. Reaktor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Wandungen des Rohrvertei
lers durch ein Kühlmedium abgekühlt sind.
4. Reaktor nach einem der Ansprüche 1 bis 3, da
durch gekennzeichnet, daß das Verteilerrohr (6, 29)
von einem ersten dazu konzentrischen Rohr (10,
31 B) umgeben ist, die um die Öffnungen (7, 30)
herum miteinander verbunden sind, wobei der
Raum zwischen den Rohren (6, 29; 10, 31 B) von
einem Kühlmedium durchflossen wird.
5. Reaktor nach Anspruch 4, dadurch gekennzeich
net, daß das erste Rohr (10) von einem dazu kon
zentrisch verlaufenden Rohr (11) umgeben ist, die
um die Öffnungen (7) herum miteinander verbun
den sind, wobei der Raum zwischen dem ersten und
dem zweiten Rohr (10, 11) evakuiert ist.
6. Reaktor nach Anspruch 4 oder 5, dadurch ge
kennzeichnet, daß im Bereich der Öffnungen (7) die
Rohre (6, 10, 11) spitzwinklig zueinander verlaufen.
7. Reaktor nach einem der Ansprüche 1 bis 3, da
durch gekennzeichnet, daß das Verteilerrohr (6)
von einem wendelförmig verlaufenden Rohr (21)
umgeben ist, das von einem Kühlmittel durch
strömt wird.
8. Reaktor nach einem der Ansprüche 1 bis 3, da
durch gekennzeichnet, daß das Verteilerrohr (29)
innerhalb zweier zueinander konzentrisch verlau
fenden Rohre (31 A, 31 B) angeordnet ist, wobei ein
Kühlmedium über das innere konzentrische Rohr
(31 B) zugeführt und über den Spalt zwischen den
beiden konzentrischen Rohren (31 A, 31 B) abge
führt wird.
9. Reaktor nach einem der Ansprüche 3 bis 8, da
durch gekennzeichnet, daß das Kühlmittel Wasser
ist.
10. Reaktor nach einem der Ansprüche 1 bis 9, da
durch gekennzeichnet, daß der Rohrverteiler aus
nichtrostendem Stahl besteht.
11. Reaktor nach einem der Ansprüche 1 bis 10,
dadurch gekennzeichnet, daß ein weiterer Rohr
verteiler vorgesehen ist, über dessen Öffnungen
Sauerstoff dem Inneren des Reaktors zugeführt
wird.
12. Reaktor nach Anspruch 11, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Reaktionstemperatur zwischen
300 und 450°C liegt und das Reaktionsdampfge
misch aus SiH4, PH3 und B2H6 besteht, das mit dem
Sauerstoff auf der Substratoberfläche reagiert.
13. Reaktor nach einem der Ansprüche 1 bis 12,
dadurch gekennzeichnet, daß er innerhalb eines
Ofens (27) angeordnet ist, der Wärmestrahlung
dem Reaktor (25) zuführt.
14. Reaktor nach einem der Ansprüche 1 bis 13,
dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche der
Reaktorwände etwa 100mal größer ist als die äuße
re Oberfläche des Rohrverteilers.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CA000481854A CA1251100A (en) | 1985-05-17 | 1985-05-17 | Chemical vapor deposition |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3601711A1 DE3601711A1 (de) | 1986-11-20 |
DE3601711C2 true DE3601711C2 (de) | 1987-09-10 |
Family
ID=4130515
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19863601711 Granted DE3601711A1 (de) | 1985-05-17 | 1986-01-22 | Reaktor zum erzeugen von aus daempfen erzeugten niederschlaegen auf einem substrat |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4747368A (de) |
JP (2) | JPS6258639A (de) |
CN (1) | CN85109048A (de) |
CA (1) | CA1251100A (de) |
DE (1) | DE3601711A1 (de) |
FR (1) | FR2582021A1 (de) |
GB (1) | GB2175011B (de) |
IT (1) | IT1186780B (de) |
Families Citing this family (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6784033B1 (en) | 1984-02-15 | 2004-08-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for the manufacture of an insulated gate field effect semiconductor device |
JPH0752718B2 (ja) * | 1984-11-26 | 1995-06-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜形成方法 |
US6786997B1 (en) | 1984-11-26 | 2004-09-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma processing apparatus |
US6113701A (en) | 1985-02-14 | 2000-09-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, manufacturing method, and system |
US6673722B1 (en) | 1985-10-14 | 2004-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Microwave enhanced CVD system under magnetic field |
US6230650B1 (en) | 1985-10-14 | 2001-05-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Microwave enhanced CVD system under magnetic field |
JPS6313323A (ja) * | 1986-07-04 | 1988-01-20 | Hitachi Ltd | 薄膜の製造方法およびその装置 |
US5871811A (en) * | 1986-12-19 | 1999-02-16 | Applied Materials, Inc. | Method for protecting against deposition on a selected region of a substrate |
US5000113A (en) | 1986-12-19 | 1991-03-19 | Applied Materials, Inc. | Thermal CVD/PECVD reactor and use for thermal chemical vapor deposition of silicon dioxide and in-situ multi-step planarized process |
DE3725358A1 (de) * | 1987-07-30 | 1989-02-09 | Telog Systems Gmbh | Vorrichtung und verfahren zur oberflaechenbehandlung von materialien |
US4854263B1 (en) * | 1987-08-14 | 1997-06-17 | Applied Materials Inc | Inlet manifold and methods for increasing gas dissociation and for PECVD of dielectric films |
US4997677A (en) * | 1987-08-31 | 1991-03-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Vapor phase reactor for making multilayer structures |
US4963423A (en) * | 1987-10-08 | 1990-10-16 | Anelva Corporation | Method for forming a thin film and apparatus of forming a metal thin film utilizing temperature controlling means |
WO1990010092A1 (en) * | 1989-02-24 | 1990-09-07 | Massachusetts Institute Of Technology | A modified stagnation flow apparatus for chemical vapor deposition providing excellent control of the deposition |
US5129360A (en) * | 1990-01-24 | 1992-07-14 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Actively cooled effusion cell for chemical vapor deposition |
JP2839720B2 (ja) * | 1990-12-19 | 1998-12-16 | 株式会社東芝 | 熱処理装置 |
FR2674618B1 (fr) * | 1991-03-27 | 1998-03-13 | Etudes Const Mecaniques | Procede et four de nitruration. |
US5261963A (en) * | 1991-12-04 | 1993-11-16 | Howmet Corporation | CVD apparatus comprising exhaust gas condensation means |
US5264245A (en) * | 1991-12-04 | 1993-11-23 | Howmet Corporation | CVD method for forming uniform coatings |
US5461214A (en) * | 1992-06-15 | 1995-10-24 | Thermtec, Inc. | High performance horizontal diffusion furnace system |
JP3362432B2 (ja) * | 1992-10-31 | 2003-01-07 | ソニー株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
TW509985B (en) * | 1996-05-10 | 2002-11-11 | Sumitomo Chemical Co | Device for production of compound semiconductor |
US6221164B1 (en) | 2000-01-25 | 2001-04-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of in-situ cleaning for LPCVD teos pump |
US6564810B1 (en) | 2000-03-28 | 2003-05-20 | Asm America | Cleaning of semiconductor processing chambers |
US6666924B1 (en) | 2000-03-28 | 2003-12-23 | Asm America | Reaction chamber with decreased wall deposition |
JP3404023B2 (ja) * | 2001-02-13 | 2003-05-06 | 株式会社半導体先端テクノロジーズ | ウエハ熱処理装置及びウエハ熱処理方法 |
US6902623B2 (en) | 2001-06-07 | 2005-06-07 | Veeco Instruments Inc. | Reactor having a movable shutter |
US6793966B2 (en) | 2001-09-10 | 2004-09-21 | Howmet Research Corporation | Chemical vapor deposition apparatus and method |
KR100829327B1 (ko) * | 2002-04-05 | 2008-05-13 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치 및 반응 용기 |
WO2006093136A1 (ja) * | 2005-03-01 | 2006-09-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法 |
KR100974134B1 (ko) * | 2006-03-28 | 2010-08-04 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치 |
DE102007063363B4 (de) | 2007-05-21 | 2016-05-12 | Centrotherm Photovoltaics Ag | Vorrichtung zur Dotierung und Beschichtung von Halbleitermaterial bei niedrigem Druck |
US20090071406A1 (en) * | 2007-09-19 | 2009-03-19 | Soo Young Choi | Cooled backing plate |
US20090071403A1 (en) * | 2007-09-19 | 2009-03-19 | Soo Young Choi | Pecvd process chamber with cooled backing plate |
JP5568212B2 (ja) * | 2007-09-19 | 2014-08-06 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、そのコーティング方法、基板処理方法及び半導体デバイスの製造方法 |
US20120279943A1 (en) * | 2011-05-03 | 2012-11-08 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber with cooled gas delivery line |
KR101402236B1 (ko) * | 2012-05-25 | 2014-06-02 | 국제엘렉트릭코리아 주식회사 | 노즐 유닛 및 그 노즐 유닛을 갖는 기판 처리 설비 |
US20140144380A1 (en) * | 2012-11-28 | 2014-05-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Gas supply pipes and chemical vapor deposition apparatus |
JP6559706B2 (ja) | 2014-01-27 | 2019-08-14 | ビーコ インストルメンツ インコーポレイテッド | 化学蒸着システム用の複合半径を有する保持ポケットを有するウェハキャリア |
JP6320824B2 (ja) * | 2014-03-31 | 2018-05-09 | 株式会社東芝 | ガス供給管、およびガス処理装置 |
KR20210043810A (ko) * | 2019-10-14 | 2021-04-22 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조 장비 |
KR20240074669A (ko) * | 2022-11-18 | 2024-05-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 인젝터 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2700365A (en) * | 1951-10-08 | 1955-01-25 | Ohio Commw Eng Co | Apparatus for plating surfaces with carbonyls and other volatile metal bearing compounds |
US2909148A (en) * | 1956-09-13 | 1959-10-20 | Nat Res Corp | Coating |
US3098763A (en) * | 1961-05-29 | 1963-07-23 | Raytheon Co | Chemical reactor |
US3481781A (en) * | 1967-03-17 | 1969-12-02 | Rca Corp | Silicate glass coating of semiconductor devices |
CH544274A (de) * | 1971-10-27 | 1973-11-15 | Balzers Patent Beteilig Ag | Einrichtung zum Kühlen von Werkstücken, die einer Behandlung im Vakuum unterworfen werden |
US3862397A (en) * | 1972-03-24 | 1975-01-21 | Applied Materials Tech | Cool wall radiantly heated reactor |
US4047496A (en) * | 1974-05-31 | 1977-09-13 | Applied Materials, Inc. | Epitaxial radiation heated reactor |
US4030964A (en) * | 1976-04-29 | 1977-06-21 | The United States Of America As Represented By The United States Energy Research And Development Administration | Temperature cycling vapor deposition HgI2 crystal growth |
DE2626446C3 (de) * | 1976-06-12 | 1978-12-14 | Hobeg Hochtemperaturreaktor-Brennelement Gmbh, 6450 Hanau | Verfahren zur Beschichtung von Teilchen für die Herstellung von Brenn- und/oder Absorberelementen für Kernreaktoren und Vorrichtung dazu |
US4167915A (en) * | 1977-03-09 | 1979-09-18 | Atomel Corporation | High-pressure, high-temperature gaseous chemical apparatus |
JPS5524424A (en) * | 1978-08-09 | 1980-02-21 | Kokusai Electric Co Ltd | Forming device of pressure-reduced epitaxial layer |
JPS6016757B2 (ja) * | 1978-10-11 | 1985-04-27 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JPS5618415A (en) * | 1979-07-24 | 1981-02-21 | Sanyo Electric Co Ltd | Apparatus for epitaxial growth |
US4315479A (en) * | 1980-06-27 | 1982-02-16 | Atomel Corporation | Silicon wafer steam oxidizing apparatus |
US4545327A (en) * | 1982-08-27 | 1985-10-08 | Anicon, Inc. | Chemical vapor deposition apparatus |
US4565157A (en) * | 1983-03-29 | 1986-01-21 | Genus, Inc. | Method and apparatus for deposition of tungsten silicides |
US4557950A (en) * | 1984-05-18 | 1985-12-10 | Thermco Systems, Inc. | Process for deposition of borophosphosilicate glass |
JPS6168393A (ja) * | 1984-09-11 | 1986-04-08 | Touyoko Kagaku Kk | ホツトウオ−ル形エピタキシヤル成長装置 |
-
1985
- 1985-05-17 CA CA000481854A patent/CA1251100A/en not_active Expired
- 1985-10-18 GB GB08525789A patent/GB2175011B/en not_active Expired
- 1985-10-18 IT IT22537/85A patent/IT1186780B/it active
- 1985-11-12 CN CN198585109048A patent/CN85109048A/zh active Pending
-
1986
- 1986-01-22 DE DE19863601711 patent/DE3601711A1/de active Granted
- 1986-04-11 FR FR8605324A patent/FR2582021A1/fr not_active Withdrawn
- 1986-05-15 JP JP61112420A patent/JPS6258639A/ja active Pending
-
1987
- 1987-04-06 US US07/035,032 patent/US4747368A/en not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-07-11 JP JP008270U patent/JPH0728963U/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2582021A1 (fr) | 1986-11-21 |
IT8522537A0 (it) | 1985-10-18 |
CN85109048A (zh) | 1986-11-05 |
CA1251100A (en) | 1989-03-14 |
JPS6258639A (ja) | 1987-03-14 |
JPH0728963U (ja) | 1995-05-30 |
GB8525789D0 (en) | 1985-11-20 |
IT1186780B (it) | 1987-12-16 |
GB2175011B (en) | 1989-01-11 |
GB2175011A (en) | 1986-11-19 |
DE3601711A1 (de) | 1986-11-20 |
US4747368A (en) | 1988-05-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3601711C2 (de) | ||
DE3317349C2 (de) | ||
DE3336064C2 (de) | Vorrichtung zur Erzeugung einer Schicht auf einem Substrat | |
DE4421109C2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines polykristallinen Halbleiterdünnfilms | |
DE3923390C2 (de) | ||
EP0102489A2 (de) | Supraleitendes Faserbündel und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE4039352C2 (de) | ||
DE3525211C2 (de) | ||
DE102005040330A1 (de) | Vorrichtung zum Messen des Korrosionsverlustes | |
DE102009003441B4 (de) | Verfahren zum Betrieb einer Einkoppeleinheit eines Mikrowellenreaktors für die Pyrolyse von kohlenstoffhaltigem Material | |
DE3736917A1 (de) | Geraet zum ausbilden einer funktionellen aufdampfungsduennschicht unter anwendung eines chemischen aufdampfungsverfahrens mittels mikrowellenplasma | |
DE3644654A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer elektronischen vorrichtung mit einer mehrschichtstruktur und eine hieraus erhaltene elektronische vorrichtung | |
EP1001050B1 (de) | Verfahren zur Innenbeschichtung von Kapillaren und deren Verwendung | |
DE10241965A1 (de) | Beschichtungsgaserzeuger und Verfahren | |
DE102015219845A1 (de) | Wärmestrahl-Schichterzeugungsvorrichtung | |
DE102016101856B4 (de) | Verfahren zum Abscheiden einer CdTe-Schicht auf einem Substrat | |
CH641428A5 (en) | Process for the production of glass fibre optical waveguides | |
DE19735399C2 (de) | Gasleitungssystem für einen Prozeßreaktor, insbesondere Vertikalofen, zur Behandlung von Wafern und Verfahren zur Behandlung von Wafern in einem Prozeßreaktor | |
DE102007031416B4 (de) | Substrat aus einem polymeren Werkstoff und mit einer wasser- und sauerstoff- undurchlässigen Barrierebeschichtung sowie dazugehöriges Herstellungsverfahren | |
DE102019129788A1 (de) | Verwendung eines CVD Reaktors zum Abscheiden zweidimensionaler Schichten | |
WO2008012098A2 (de) | Silan freie plasmagestützte cvd-abscheidung von siliziumnitrid als anti-reflektierendem film und zur wasserstoffpassivierung von auf siliziumwafem aufgebauten photozellen | |
DE102008030677A1 (de) | Verfahen und Vorrichtung zur Diffusionsbehandlung von Werkstücken | |
EP2175045B1 (de) | CVD-Beschichtungsverfahren | |
DE3035992C2 (de) | ||
DE10016971A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten und/oder Behandeln eines Substrats |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |