DE4421109C2 - Verfahren zum Herstellen eines polykristallinen Halbleiterdünnfilms - Google Patents
Verfahren zum Herstellen eines polykristallinen HalbleiterdünnfilmsInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur
Herstellung eines polykristallinen Halbleiterdünnfilms, wie
beispielsweise ein polykristalliner Siliziumdünnfilm, der als
Rohhalbleitermaterial für ein Halbleiterelement oder ein Ver
drahtungsmaterial verwendet wird.
Beispielsweise ist ein Niederdruck-CVD-Verfahren, d. h.
ein chemisches Dampfablagerungsverfahren unter einem niedri
gen Druck, bekannt als ein Verfahren zur Herstellung eines
polykristallinen Siliziumdünnfilms. Fig. 2 ist eine konzep
tionelle Ansicht, die eine Vorrichtung für ein
Niederdruck-CVD-Verfahren zeigt. In
der Zeichnung ist ein Quarzschiff 23, das Einkristallsi
liziumsubstrate 11 vertikal darauf angeordnet hat, in einer
transparenten Quarzröhre 22 angeordnet, die in einem rohrför
migen elektrischen Ofen 21 angeordnet ist, und die Röhre wird
durch eine Vakuumpumpe über eine Auspufföffnung 24 und ein
Ventil 25 evakuiert. Danach werden die Siliziumsubstrate 11
geheizt, und Silan (SiH₄) wird durch eine Eingangsöffnung 26
und ein Ventil 27 eingebracht. Wenn die Substrate auf eine
Temperatur geheizt sind, die größer ist als die Zerfallstem
peratur des Silans, d. h. ungefähr 600-620°C, wird das Silan
durch die Hitze in einem Gebiet nahe dem Substrat 11 zerlegt,
so daß ein polykristalliner Siliziumdünnfilm auf dem Substrat
11 abgelagert wird. Wenn dagegen das Silan zerlegt wird, wenn eine
Substratheiztemperatur 450°C erreicht wird, wird
ein amorpher Siliziumdünnfilm in dem Gebiet von 450-600°C
abgelagert.
Die Korngröße des so gewachsenen polykristallinen Sili
ziums ist jedoch so klein und liegt um die 1 µm oder weniger,
und Defekte einer hohen Dichte treten an den Korngrenzen auf.
Obwohl es ausschließlich als ein Verdrahtungsmaterial einer
integrierten Schaltung verwendet wird, hat es daher den Nach
teil, daß, wenn es für ein aktives Gebiet eines Halbleiter
elements, wie dem einer Diode oder eines Transistors, verwendet wird,
d. h. wenn es als ein Rohmaterial zum Bilden eines Halbleiter-Übergangs
verwendet wird, die Eigenschaften dieses Elements schlecht sind.
Der Grund, warum die Kristallkörner so klein sind, ist, daß,
da die kristallinen Kerne als der Ursprung des Kristallwachs
tums in verschiedenen Abschnitten des Substrats ausgebildet
werden, die Anzahl der Kristalle groß ist, und wenn sie auf
die Größe einer gewissen Ausdehnung wachsen, sie durch die
Störung anderer Kristallkörner nicht weiterwachsen können.
Ein Verfahren zur Herstellung eines polykristallinen
Halbleiterdünnfilms nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1
ist aus JP 4-186 723 A bekannt. Ein
amorpher Si-Halbleiterdünnfilm wird durch die Bestrahlung ein
zelner Bereiche mit Licht kristallisiert. Ein weiterer amor
pher Si-Film wird aufgebracht, der unter Verwendung des kri
stallinen Bereiches als Kristallisationskeime zu polykri
stallinem Silizium auskristallisiert. Hier werden also zwei
amorphe Filme aufgebracht.
Angesichts des obigen ist es die Aufgabe der vorliegenden
Erfindung, ein Verfahren zum Herstellen eines polykristalli
nen Halbleiterdünnfilms zu schaffen, das nur das Aufbringen
von einer amorphen Schicht benötigt und Korngrößen liefert,
so daß der Halbleiterdünnfilm als Material für ein aktives
Gebiet eines Halbleiterelementes verwendet werden kann.
Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren zur Herstellung eines
Halbleiterdünnfilms, das die Merkmale des Anspruchs 1 auf
weist, gelöst.
Vorteilhafte Weiterbildungen sind in den Ansprüchen 2 bis 8
enthalten.
Wenn das Verbundgas eingeleitet wird,
während die Temperatur des kristallisierten Bereichs höherge
halten wird als diejenige des amorphen Bereichs und dann eine
polykristalline Schicht durch die thermische Zerlegung auf
dem gesamten Bereich wachsengelassen wird, wird der kristal
lisierte Bereich einer hohen Temperatur ein Kern, und es kann ein
polykristalliner Halbleiterdünnfilm mit Kristallkörnern einer
geringen Oberflächendichte gebildet werden. Da der kri
stallisierte Bereich einen Absorptionskoeffizienten für
Infrarotstrahlung hat, der sehr viel größer ist als derjenige
des amorphen Bereichs, ist es einfach, die Temperatur des kri
stallisierten Bereichs höher als diejenige des amorphen Be
reichs durch die Bestrahlung des gesamten Bereichs mit Infra
rotstrahlung zu halten.
Bevorzugte Ausführungsformen eines Verfahrens zur Her
stellung eines polykristallinen Halbleiterdünnfilms gemäß der
vorliegenden Erfindung werden genau unter Bezugnahme auf die
Zeichnungen beschrieben.
Die Fig. 1(a) bis 1(e) sind Querschnittsansichten,
die die aufeinanderfolgenden Schritte zur Herstellung eines
polykristallinen Siliziumdünnfilms gemäß einer Ausführungs
form der vorliegenden Erfindung zeigen, und
die Fig. 2 ist eine Querschnittsansicht, die eine kon
ventionelle Vorrichtung zur Herstellung eines polykristalli
nen Siliziumdünnfilms zeigt.
Die Fig. 1(a) bis 1(e) sind Ansichten, die das Konzept ei
nes Verfahrens zur Herstellung eines polykristallinen Sili
ziumdünnfilms auf einem transparenten Quarzglassubstrat gemäß
einer Ausführungsform der vorliegendne Erfindung zeigen. Zu
erst, nachdem ein transparentes Quarzglassubstrat 1 in einem
organischen Lösungsmittel wie Aceton oder Methanol gewaschen
wurde, während Ultraschallwellen zugeführt wurden, wurde das
Substrat mit deionisiertem Wasser gespült und getrocknet. Auf
diesem Substrat 1 wird, wie in der Fig. 1(a) dargestellt ist,
durch ein Plasma-CVD-Verfahren, in dem eine Glimmentladung in
einem Silangas erzeugt wird, ein amorpher Siliziumdünnfilm 2
von ungefähr 0,5 µm Dicke erzeugt. Die Wachstumsbedingungen
waren so, daß die Substrattemperatur 250°C, die Fluß
rate des Silangases 20 cm³/sek (konvertierter Wert in einem
Standardzustand), der Gasdruck in einer Reaktionskam
mer 50 Pa und die Leistungsdichte der Glimmentladung
15 mW/cm² betrugen. Ferner wurde Wasserstoff als Verdün
nungsgas dem Silan mit einer Flußrate von 20 cm³/sek
(konvertierter Wert in einem Standardzustand) hinzugefügt.
Unter diesen Bedingungen war die Wachstumsrate des amorphen
Siliziums 0,3 nm/sek. Danach wurde die Probe einschließlich
des so gewachsenen amorphen Siliumdünnfilms auf eine beweg
liche Ebene eines XY-Tisches angeordnet. Während das Sub
strat 1 in die Richtung des Pfeiles 3 und in die Richtung senkrecht
dazu bewegt wurde, wie es in der Fig. 2(b) gezeigt
wird, wird dieses mit einem Lichtstrahl 4 bestrahlt, der aus
einem optischen Puls der zweiten Harmonischen (Wellenlänge
0,532 µm) eines gepulsten, gütegeschalteten YAG-Lasers
bestand und der durch eine konvexe Linse gebündelt und durch einen
Schlitz geleitet wurde, so daß Bereiche 5 von 10 µm × 10 µm,
die voneinander mit einer Länge und Breite von 50 µm separiert
sind, kristallisiert wurden. Die Strahlungsbedingungen des
Laserstrahls waren so, daß die Leistung 2 J/cm², die Puls
länge 145 ns und die Wiederholfrequenz 7 kHz betrugen.
Danach wird die Probe einschließlich der teilweise kri
stallisierten Bereiche 5, wie dargestellt in der Fig. 1(b),
in einen Heizofen mit einer infraroten Lampe gesetzt, und die
gesamte Oberfläche wurde bei einem Silangasdruck von 100 Pa
mit Infrarotstrahlen 6 von einer Infrarotlampe bestrahlt, wie
es in der Fig. 1(c) dargestellt ist. Ein optischer Absorpti
onskoeffizient für die infrarote Strahlung der Wellenlänge
1,2 µm ist 102 cm-1 für das polykristalline Silizium des kri
stallisierten Bereichs 5, während er 1 cm-1 oder weniger
für das amorphe Silizium des anderen Bereichs 2 ist, welches
um zwei Größenordnungen oder mehr geringer ist als der er
stere, so daß die kristallisierten Bereiche 5 selektiv ge
heizt werden und der amorphe Siliziumbereich 2 wegen deren
Wärmeleitung beheizt wird. Durch das Berechnen der erzeugten
Wärmemenge unter Verwendung des optischen Absorptionskoeffi
zienten der Infrarotstrahlung des amorphen Siliziumdünnfilms
und dem des polykristallinen Siliziumdünnfilms und das Lösen
einer Wärmeleitungsgleichung basierend auf der Wärmemenge,
stellt es sich heraus, daß die Temperatur des kristallisier
ten Bereichs ungefähr 630°C durch die infrarote Strahlung
wurde, die die Intensität hat, durch die die Temperatur des
Substrats und des amorphen Bereichs ungefähr 550°C wurde. In
der Praxis unter den Bedingungen, bei denen die Temperatur
des amorphen Bereichs ungefährt 500°C wurde, wie es in der
Fig. 1(d) dargestellt ist, wurde beobachtet, daß ein poly
kristalliner Siliziumdünnfilm 7 durch eine teilweise thermi
sche CVD wuchs. Die thermische CVD wurde nur in den Bereichen
5 beobachtet, die durch die optischen Pulse des YAG-Lasers
kristallisiert wurden. Das heißt, es wurde beobachtet, daß
selektives Kristallwachstum auftrat, wobei die kristalli
sierten Bereiche als die Kerne des Kristallwachstums dienten.
Während das polykristalline Silizium wächst, nimmt die Fläche
des amorphen Siliziums ab und die Fläche des polykristallinen
Siliziums nimmt zu, so daß eine mittlere Absorptionsmenge der
Infrarotstrahlung durch die Probe zunimmt und die Temperatur
des Substrates zunimmt. Daher wurde die Temperatur des Sub
strates unter Verwendung eines Infrarot-Strahlungsthermome
ters gemessen, so daß die Stärke der infraroten Strahlung
rückgekoppelt gesteuert war. Auf diese Weise, dargestellt in
der Fig. 1(e), wuchs der polykristalline Siliziumdünnfilm 7
von ungefähr 50 µm Dicke auf der gesamten Oberfläche des
amorphen Siliziumdünnfilmsfilms 2. Der polykristalline Silizium
dünnfilm 7 wurde durch ein optisches Mikroskop beobachtet,
und sehr große Kristallkörner mit einer mittleren Korngröße
von ungefähr 50 µm wurden beobachtet.
In der obigen Ausführungsform wurde ein transparentes
Quarzsubstrat 1 verwendet. Jedoch können andere Substrate
verwendet werden, falls sie keinen Kristallkern von Silizium
auf der Oberfläche haben, der thermische Ausdehnungskoeffizi
ent nahe demjenigen von Silizium ist und die Wärmeleitfähig
keit gering ist. Beispielsweise können ähnliche Resultate er
zielt werden, selbst wenn das Substrat derart ist, daß ein
SiO₂-Dünnfilm geformt wird durch thermisches CVD auf einem
Einkristallsiliziumsubstrat oder einem SiO₂-Dünnfilm durch
thermische CVD auf einem Siliziumsubstrat metallüblicher Reinheit,
das eine sehr viel geringere Reinheit hat, aber viel bil
liger ist als eines mit halbleiterüblicher Reinheit. Da die Temperaturdiffe
renzen zwischen dem kristallisierten Bereich und dem amorphen
Bereich jedoch so groß sein können für ein Substrat mit einer
geringen Absorptionsmenge von Infrarotstrahlung, ist es vor
teilhaft, das Einkristallsiliziumsubstrat zu verwenden.
Ferner, selbst wenn sichtbare Strahlung von einem konti
nuierlichen Laser für die optischen Pulse zum teilweisen Kri
stallisieren des amorphen Siliziumdünnfilms, beispielsweise
die sichtbare Strahlung der Wellenlänge 515 nm von einem Ar
gon-Ionen-Laser oder die sichtbare Strahlung der Wellenlänge
488 nm, die kürzer ist als die erstere, verwendet wird, wie sie ist
oder nachdem sie zerhackt worden ist, um zu diskontinuierli
chen Strahlungen konvertiert zu werden, können ähnliche Er
gebnisse erzielt werden. In dem Falle, entsprechend der
kontinuierlichen Strahlung, wird die amorphe Siliziumschicht
im Gegensatz zu der oben beschriebenen Ausführungsform linear
kristallisiert. Es ist überflüssig zu sagen, daß die Wellen
länge des verwendeten Laserstrahls derart ist, daß der opti
sche Absorptionskoeffizient in dem amorphen Bereich groß ist.
Anstatt der in der Fig. 1(c) gezeigten Bestrahlung mit In
frarotstrahlung 6 kann ein Energiestrahl teilweise dem kri
stallisierten Bereich 5 zugeführt werden, um den Bereich zu
erhitzen. In diesem Falle, falls der kristallisierte Bereich
5 vergrößert ist, muß der Bereich der Bestrahlung ausgedehnt
werden.
Claims (8)
1. Verfahren zur Herstellung eines polykristallinen Halblei
terdünnfilms, das die Schritte aufweist:
Aufbringen eines amorphen Halbleiterdünnfilms (2) auf einem Substrat (1);
teilweises Kristallisieren des amorphen Halbleiterdünnfilms durch Bestrahlung mit Licht (4) in einer Vielzahl von Berei chen (5) des amorphen Halbleiterdünnfilms (2);
dadurch gekennzeichnet, daß
die bestrahlten Bereiche (5) im wesentlichen durch den glei chen Abstand voneinander getrennt sind; und das Verfahren weiterhin den folgenden Schritt umfaßt:
Wachsen einer polykristallinen Schicht (7) durch thermisches Zerlegen eines Verbundgases auf einer gesamten Oberfläche der kristallisierten Bereiche (5) und der amorphen Bereiche, während eine Temperatur der kristallisierten Bereiche (5) höher gehalten wird als diejenige der amorphen Bereiche.
Aufbringen eines amorphen Halbleiterdünnfilms (2) auf einem Substrat (1);
teilweises Kristallisieren des amorphen Halbleiterdünnfilms durch Bestrahlung mit Licht (4) in einer Vielzahl von Berei chen (5) des amorphen Halbleiterdünnfilms (2);
dadurch gekennzeichnet, daß
die bestrahlten Bereiche (5) im wesentlichen durch den glei chen Abstand voneinander getrennt sind; und das Verfahren weiterhin den folgenden Schritt umfaßt:
Wachsen einer polykristallinen Schicht (7) durch thermisches Zerlegen eines Verbundgases auf einer gesamten Oberfläche der kristallisierten Bereiche (5) und der amorphen Bereiche, während eine Temperatur der kristallisierten Bereiche (5) höher gehalten wird als diejenige der amorphen Bereiche.
2. Verfahren zum Herstellen eines polykristallinen Halblei
terdünnfilms nach Anspruch 1, worin der amorphe Halbleiter
dünnfilm (2) teilweise durch die Bestrahlung mit einem Infrarot
strahl kristallisiert wird.
3. Verfahren zur Herstellung eines polykristallinen Halb
leiterdünnfilms nach Anspruch 1, worin der amorphe Halblei
terdünnfilm (2) teilweise durch die Bestrahlung mit einem sicht
baren Strahl kristallisiert wird.
4. Verfahren zur Herstellung eines polykristallinen Halb
leiterdünnfilms nach Anspruch 1, wobei die Temperatur der
entsprechenden kristallisierten Bereiche (5) durch die Bestrah
lung mit einem Infrarotstrahl (6) auf die gesamte Oberfläche der
kristallisierten Bereiche (5) und der amorphen Bereiche höher ge
halten wird als diejenigen der entsprechenden amorphen
Bereiche.
5. Verfahren zur Herstellung eines polykristallinen Halb
leiterdünnfilms nach Anspruch 1, wobei die Temperatur der
entsprechenden kristallisierten Bereiche (5) durch Bestrahlung
mit einem Energiestrahl auf die kristallisierten Bereiche hö
her gehalten wird als diejenige der entsprechenden amorphen
Bereiche.
6. Verfahren zur Herstellung eines polykristallinen Halb
leiterdünnfilms nach Anspruch 1, worin der Halbleiterdünnfilm
aus Silizium besteht.
7. Verfahren zur Herstellung eines polykristallinen Halb
leiterdünnfilms nach Anspruch 1, worin die Temperatur der
entsprechenden kristallisierten Bereiche (5) höher gehalten wird
als eine thermische Zerlegungstemperatur des Verbundgases.
8. Verfahren zur Herstellung eines polykristallinen Halb
leiterdünnfilms nach Anspruch 1, worin das Verbundgas aus
Silan besteht.
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