DE1901819B2 - Herstellungsverfahren für polykristalline Siliciumschichten - Google Patents

Herstellungsverfahren für polykristalline Siliciumschichten

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Description

Die Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren, wie es dem Oberbegriff des Patentanspruchs I zu entnehmen ist. Ein derartiges Verfahren ist in der GB-PS 73 555 beschrieben.
Die Herstellung von polykristallinen Siliciumsehichten auf einem elektrisch isolierenden Substrat ist bereits aus der USPS 33 35 038 bekannt, wobei jedoch hie;-eine spätere Umwandlung in eine cinkristalline Schicht vorgesehen ist, so daß die Probleme, bedingt durch Korngrößen und Korngrenzen, hier unbeachtlich sind.
Die US-PS 30 13 192 bezieht sich auf ein Halbleiterbauelement, bei dem alle Schichten aus polykristallinem Silicium bestehen. Hierzu werden aufeinanderfolgend, je nnch der Anzahl von bereitzustellenden Übergängen, abwechselnd entsprechend unterschiedlich dotierte Siliciumsehichten durch Verdampfen aufgetragen. Korngrößen und Korngrenzen bereiten aber auch hier derartige Probleme, daß die Herstellung reproduzierbarer Halbleiterbauelemente einen nicht unbeachtlichen Aufwand erfordern würde.
Eine Lösung der zuletzt genannten Probleme läßt sich mit Hilfe des Verfahrens nach der GB-PS 10 73 55!) angehen, indem polykristallines Silicium auf ein isolierendes Substrat durch Reaktion aus der Dampfphase niedergeschlagen wird. Wenn auch hierdurch zwar das Korngrenzenproblem als gelöst angesehen werden kann, so bleiben doch noch Nachteile, die nicht unbeachtlich sind. So liegt die F'rozeßiemperaiur zwischen 1000 und 1200°C, was einen entsprechend hohen apparativen Aufwand mit sich bringt. Des weiteren besteht die niedergeschlageine Schicht nicht aus reinem, polykristallinem Silicium, sondern es ist hierin noch ein Anteil von 1% Siliciumcarbid und Kohlenstoff enthalten. Schließlich schwankt die Korngröße in dieser polykristallinen Schicht um zwei Zehnerpotenzen, was dazu führt, daß bei nachträglicher Diffusion von Fremdatomen keine gleichmäßige Eind.ingtiefe zu erzielen ist, so daß die Lüge des hierdurch zu bildenden PN-Übergangs sich inicht als Ebene definieren läßt, vielmehr eine unerwünschte Zackenbildung zeigt. Dies wiederum hat zur Folge, daß keine abrupte Sperrcharakteristik zu erhalten ist, wie es sich auch aus der gezeigten graphischen Darstellung in Fig.4 entnehmen läßt. Die einsprechende Funktiun zeigt insofern noch einen relativ günstigen Verlauf, als sie nicht für eine Diode gilt, die durch nachträgliches Eindiffundieren eines PN-Übergangs entstanden ist, sondern vielmehr gemäß dem in der Beschreibung ausführlich behandelten Verfahren bereitgestellt worden ist.
Aus diesem Grunde werden praktisch nur monokristalline Siliciumsehichten zur Bereitstdlurg von HaIbleiterbauelementen auch innerhalb tun integrierten Halbleiterschaltungen verwendet, wo sich die gewünschten Diodencharakteristiken mit abrupter Sperrcharakteristik relativ leicht erzielen lassen, wie es /.. B. dem Artikel »A Survey of Epitaxial Growth Processes an Equipment« in der Zeitschrift » SCP and Solid State Technology«. Bd. 10, Heft 10, Oktober l%7. S. 31 ff entnehmen läßt. Hier wird unter Anwendung eines aus Wasserstoff bestehenden Trägergases zum monokristallinen Siliciumschichtnieder.chlag pyrolitisches Zersetzen eines aus Silan bestehenden Rcakiionsgases angewendet. Auch hier wiederum sind Prozeßtemperaturen oberhalb von 1000C mit den sich hieraus ergebenden und bereits oben erwähnten Nachteilen erforderlich. Außerdem bereitet ein derartiges Verfahren Schwierigkeiten, wenn derartige Siliciumsehichten auf eine isolierende Unterlage aufzubringen sind. Vor allen Dingen aber gilt zu bedenken, daß die Herstellung monokristalliner Schichten als allgemein aufwendiger angesehen wird, als die polykristalliner Schichten.
Unter dieser Voraussetzung liegt die Aufgabe der Erfindung darin, das Verfahren gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs I so weiterzubilden, daß das Niedur schlagen polykristalliner, zur Aufnahme von Zonen unterschiedlichen Leitungstyps vorgesehener Siliciumschichten möglichst gleichmäßiger Korngrößen auf isolierende Unterlagen mit relativ geringem Aufwand möglich ist.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe gelöst, wie es dem kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs I zu entnehmen ist.
Dank Anwendung des Verfahrens gemäß der Erfindung läßt sich eine polykristallin!: Siliciumschicht unter Einhaltung gleichmäßiger Korngröße bereitstellen, die optimal unterhalb von 500 und maximal bei 900 ηm liegt. Zu geringe Korngrößen, wie sie sich bei Anwendung des Verfahrens nach der CjD-PS 10 73 555 ergeben, lassen nicht die Vorteile polykristalliner Schichten voll ausschöpfen, während andererseits bei
grobkörnigeren polykristallinen Halbleitermaterialien bei Erstellung von PN-Übergängen durch Diffusion keine gleichmüßige Eindringtiefe einzuhalten ist, da die Diffusionsgeschwindigkeit der Fremdateme entlang der Korngrenzen größer ist als in den einzelnen Kristalliten, so daß sich kein ebener PN-Übergang, wie es für einwandfrei und zuverlässig arbeitende Dioden erforderlich ist, ausbilden kann.
Zusätzlich v.eist also ein gemäß der Erfindung hergestelltes Halbleiterbauelement dank Erzielung optimaler Korngrößen entsprechend relativ geringe Sperrschichtkapazitäten auf.
Dadurch, daß beim Herstellungsverfahren gemäß der Erfindung die Prozeßtemperaturen um mindestens 100° C niedriger liegen, als bei der Anwendung der oben genannten, bekannten Verfahren der Fall ist, läßt sich auch der Herstellungsaufwand entsprechend niedriger halten. Die Korngröße des auf diese Weise hergestellten polykristallinen Siliciumfilms wird dabei im wesentlichen durch Regulierung der Substrat temperatur inner- _>o haib des angegebenen Temperaturbereichs eingesieih. ebenso wie der Rate der pyrolitischen Abscheidung zur Schichtbildung auf der Substratoberfläche. Dank der Regelung dieser beiden Herstellungsparameter laßt sich der polykristalline Siliciumfilm mit im wesentlichen gleichmäßiger Korngröße innerhalb des optimalen Bereichs herstellen, so daß PN-Übergange mit im wesentlichen ebener Erstreckung zu erzielen sind.
Vorteilhafte Weiterbildungen und Ausgestaltungen der Erfindung lassen sich den Unteransprüchen jo entnehmen. Anhand der Ausführungsbeispiele und der Zeichnungen wird die Erfindung näher erläutert. Es zeigl
Fig. I die schematische Darstellung einer Vorrichtung /ur Herstellung polykristallinen Schichten;
Fig. 2 den Schnitt durch die polykristalline Schicht auf einem elektrisch isolierenden Substrat mit einem PN-Übergang;
F ig. J den Schnitt durch mehrere, elektrisch voneinander isolierte polykristalline Schichten auf einem -to gemeinsamen Substrat;
Fig. 4 den Schnitt durch mehrere Halbleitervorrichtungen in einer polykristallinen Schicht auf einem elektrisch isolierenden Substrat.
Fig. I zeigt im einzelnen eine Vorrichtung 10. mit deren Hilfe eine polykristalline Schicht pyrolitisch aus der Gasphase auf einem elektrisch isolierenden Substrat niedergeschlagen werden kann.
Die Vorrichtung 10 enthält ein Reaktionsrohr 11. welches vorzugsweise aus Quarz besteht und als Ofen ->o wirkt, in welchem eine definierte Atmosphäre herrscht. Durch ein Hinlaßrohr 12 wird ein bestimmtes Gasgemisch in das Innere des Rohres Il mit Hilfe der Ansaugvorrichtunp 19, eingelassen. Das Ansaugrohr 14 liegi am Ende des Abschlußteiles 15 des Reaktionsrohres It.
Das Reaktionsrohr 11 ist von einem Heizelement 16 umgeben, vorzugsweise einer Hochfrequenzspule. Ein Träger 17, der vorzugsweise aus Graphit besteht, ist innerhalb des Rcaklionsrohrcs 11 zur Aufnahme mehrerer Substrate 18 angebracht. Er ist etwas geneigt gegen die Rohrachse, um das Material gleichmäßig auf den Substraten 18 niederzuschlagen, wenn das Gas durch das Reaktionsrohr 11 strömt. Läge der Träger 17 eben, würde das niedergeschlagene Material auf den Substraten 18 in Rich'ung des Dampfstromes abnehmen. Das Ansaugrohr 14 fiat ein Ventil 19 zur Steuerung der Ansauggeschwindigkeit. Wenn dieses Ventil 19 geöffnet ist, besteht eine Verbindung mit der äußeren Atmosphäre. Das Einlaßrohr 12 ist mit 4 unterschiedlichen Gas- oder Dampfquellen verbunden, welche die gewünschte Dampfzusammensetzung für das Reaktionsrohr 11 bereitstellen. Die verschiedenen Gasquellen 20, 21, 22, 23 enthalten trockenen Wasserstoff, Monosilan, Sauerstoff und eine bestimmte Verunreinigung. Jeder der Gasquellen 20—23 ist mit der Einlaßröhre 12 durch Röhren 24—27 verbunden. Jede der Quellen ist durch Ventile 28 dosierbar an das Einlaßrohr 12 angeschlossen.
Weiterhin durchströmen die verschiedenen Gase die Meßgeräte 29, welche die durchtretende Gasmenge zu messen gestatten. Mit Hilfe dieser Mischvorrichtung läßt sich das Gasgemisch, welches in das Reaktionsgefäß eintritt, in weitem Maße regulieren und steuern.
Jedes der Substrate 18 enthält eine elektrische Isolationsschicht 30, wie aus F i g. 2 zu entnehmen ist. Z. B. kann das Substrat 18 aus Silicium hergestellt sein, auf welches eine Isolationsschicht .->J aus Silicium-Dioxid (SiOj), Äiuminium-Oxid (AiiOs) o''er Siiicium-Nitrid (SbN4) gebracht ist. Es ist nicht notwendig, daß das Silicium des Substrates 18 monokristallin ist oder eine bestimmte kristalline Orientierung aufweist.
Eine andere Möglichkeit besteht darin, daß das Substrat 18 aus einem elektrisch isolierenden Material hergestellt wird, so daß die Isolations-Zwischenschicht 30 überflüssig wird. Die einzige Bedingung, die an das Substrat 18 gestellt wird, ist daß ei eine elektrisch isolierende Oberfläche aufweist, auf welcher die polykristalline Schicht gebildet wird, und daß das Subs'.raimaterial den Gastemperaturen beim pyrolitischen Aufwachsen standhält.
Vor dem Aufbringen der Substrate 18 auf den Träger 17 innerhalb des Reaktionsrohrcs Il werden die Substrate gesäubert. Hierfür kann ein Ätzbad aus 7 Teilen 42%igem Ammoniumfluorid (NII4F) und einem Teil 5O°/oiger Flußsäure (HF) dienen, in welcwes die Substrate für 5 Sekunden getaucht werden. Darauf folgt ein Abspülen in deionisiertem Wasser für fünf Minuten. Anschließend erfolgt noch eine Trocknung in einem heißen Stickstoff-Dampfstrom.
Nachdem die Substrate 18 innerhalb des Reaktionsgefäßes 11 auf dem Triiger 17 befestigt sind, wird Wasserstoff-Gas aus der Gasquelle 20 durch das Reaktionsgefäß 11 geschickt. Dieses geschieht durch Öffnung der Ventile 28 und 19.
Durch den Wasserstoff-Gasstrom, welcher für etwa 5 Minuten mit 14 l/min das Reaktionsgefäß durchsetzt, wird das Gefäß einer Reinigung unterzogen. Alle Gasquellen 20—23 weisen einen Druck, welcher größer als Atmosphärendruck 'St, auf. wodurch ein Gas- oder Dimr fs'.rom aus der Gasquelle in Richtung auf das offene Rohr 14 bewirkt wird.
In der Folge wi.d das Heizelement Ib in Betrieb genommen, wodurch das Substrat 18 auf eine gewünschte Temperatur gebracht werden kann. Beim Niederschlagen von Silicium aus einer Monosilan-Gas-Atmosphäre auf einei Schicht 30 aus Silicium-Dioxid. Aluminium-Oxid oder Silicium-Nitrid beweg! sich die Temperatur des Substrates 18 zwischen 70XTC ur*d 9003C. wobei die Temperatur an der Oberfläche der Schicht 30 gemessen wird, auf welcher die Schicht 31 aufwächst. Im Temperaturgebiet zwischen 700°C und WO3C beträgt die Kristallitgröße in lateraler Richtung 300 bis 500 nm.
Die untere Grenze des Temperaturbereiches des Substrates 18 wird gegeben durch Insel-Bildung des auf
19 Ol 819
der Schicht 30 nyrolitisch niedergeschlagenen Materials. welche abhängt von der Adhäsion der beiden Schichten aufeinander und der Empfänglichkeit der Oberfläche der Schicht 30 für Verschmutzungen. Die Temperatur muß hoch genug sein, daß ein ausreichendes Wachstum der Schicht 3) auf der Oberfläche der isolierenden Schicht 30 erfolgt.
Die obere Grenzte des Temperaturbereiches des Substrates 18 wird gegeben durch die gewünschte Korngröße in lateraler Richtung innerhalb der aufgewachsenen Schicht 31. Hei Erhöhung der Substratiemperatur vergrößert sich die Korngröße der polykristallinen Schicht 31. Hei der Herstellung der pyrolilischen niedergeschlagenen Siliciumschicht auf einer Silicium-Dioxid b/w. Silicium-Nitrid-Schicht 30 liegt die obere Ciren/e der Siibstrattemperatur bei etu a 400 ( .
In einem Ausführingsbeispiel des Verfahrens bestand das Substrat 18 aus Silicium, welches mit einer Silicium-Dioxid-Schicht 30 beschichtet war. Die Siibstratlemperatur betrug 875 C. Bei konstanter Substrat temperatur wurde ein (ias-Strom aus Monosilan aus der Quelle 21 durch die Uöhrc 25 bei Öffnung des Ventiles 28 hergestellt. Das Reaktionsgefäß Il wurde mit 5 ml nun Monosilan bei gleichzeitigem Wasserstoff-EIuß von 14 I nun cLirchsetzt. Hierbei entstand cmc Schicht 31 auf tier Oberfläche der Schicht 30 mit einer Λ U fw ac hsgesch windigkeit \ on etwa I 50 mn-nun.
Nach der Ausbildung tier gewünschten Schichtdicken auf der Schicht 30 ei res jeden Substrates 18 wurde the Gasquelle mit Monosilan mit Hilfe des Ventils 28 abgeschaltet. Mit HiIIc des Meßinstrumentes 29 in der Zuführung 25 wird cer gewünschte Gasstrom eingestellt, um eine definierte Aufwachsgcschwindigkeit der Schuht 31 auf den mit den Schichten 30 bedeckten Substraten 18/u erreichen.
Die Dicke der aufgewachsenen Schicht 31 betragt in dem Beispiel 0.75 tun. die Dicke kann /wischen 0.1 um und 3 um umvariiert werden. W .ihreml in dem vorliegenden Beispiel eine Auf« .ichsgeschw indigkeit auf der Silicium-Dio^d-Schicht 30 von 0.15 um. min beschrieben ist. kann diese auch in anderen Beispielen bis /ti 0.5 um betragen. Auf diese Weise kann die Zeit verkürzt werden, während derer das Monosilan durch der, Reaktionsraum 11 strömt.
Nachdem die Monosilan-Gasquelle 21 abgesperrt ist. strömt Wasserstoff aus der Quelle 20 durch das Reaktionsgefäß 11. um das System zu reinigen. Der Wasserstoff strömt für 5 Minuten mit 14 l'irin über die Schicht 31. welche eine fast gleichmäßige, sehr kleine Körnung aufweist. Die Körner oder Kristallite bilden sich in Säuicn aus. deren Achsen senkrecht zur Substratoberfläche stehen. Die Kristallite weisen eine maximale Abmessung senkrecht zur Schichtoberfläche auf. welche gleich groß ist wie die Dicke der Schicht 31. d. h. 750 nm im vorliegenden Beispiel. Der Durchmesser einer jeden Säule der einzelnen Kristallite ist kleiner als 450 nm. dieses ist die Korngröße in lateraler Richtung, d. h. senkrecht zur Dicke der Filmschicht 31.
Beim pyrolitischen Aufwachsen von Silicium aus einer Monosilan-Atmosphäre wird gleichzeitig eine passende Verunreinigung, ein Dotierungsmittel, wie B2HC für P-Leitfähigkeit oder AsHs bzw. PHj für N-Leitfähigkeit zusammen mit dem Monosilan im Einlaßrohr 12 aus der Gasquelle 23 gemischt. Dabei werden die Ventile 28 im Rohr 27 gleichzeitig mit denen im Rohr 25 geöffnet.
Nach der Herstellung einer Schicht 31 mit einer entsprechenden Dotierung müssen eine oder mehrere Zonen entgegengesetzter Leitfähigkeit in diese Schicht
eindiffundicrt werden. Hierzu wird nach der Beendigung der Wasserstoffspülung eine passende Maske auf der Sehich1 31 ausgebildet. Diese kann z. B. aus Silicium-Dioxid bestehen.
Zur Herstellung der Oxidschicht 32 auf der Oberfläche der polykristallinen Schicht 31 bieten sich im allgemeinen verschiedene Verfahren an. Wenn jedoch die polykristalline Schicht 31 dünner als I μηι ist, kann zur Ausbildung der Silicium-Dioxid-Diffusionsmaskc nicht mehr die bereits bestehende Schicht teilweise oxidiert werden, da hierdurch die Schicht zu sehr abgebaut wird. Nur im lalle genügender Dicke der polykristallinen Schicht von mehr als I μηι kann mit normalen thermischen Oxidationsverfahren die Oxidschicht auf der Oberfläche der polykristallinen Schicht hergestellt werden.
Wenn, wie im vorliegenden lalle, die Schicht 31 nur eine Dicke von ü.7'3 um aufweist, muß die Oxidschicht Yl auf deren Oberfläche durch das bekannte pyrolitische Abscheidungs\erfahren hergestellt werden. Zur Ausbildung der Oxidationsmaske werden innerhalb der Oxidschicht 32 die in I i g. 2 dargestellten I enster .33 mit Hilfe der bekannten photolithographischen Ätztechnik gebildet. Anschließend wurden die Substrate 18 im Beispiel wieder in das Reaktionsgefäß 11 gebracht.
Eine passende Verunreinigung zur Herstellung einer Leitfähigkeit des entgegengesetzten Typs der Schicht 31 wurde darauf durch die l'enster .33 innerhalb der Schicht 32 eindiffundiert, rtobei sich Diffusions/oncn 34 innerhalb der Schicht 31 unter Bildung von PN-I Ibergangen ausbildeten.
Wie man aus I ι g. 2 erkennt, erstrecken sich die Zonen 34 durch die dünne Schicht 31 bis auf das Substrat i0 wegen der geringen Dicke der Schicht 31. Auf diese Weise entstehen PN-Ubergänge /wischen ilen beiden Diffusionszonen nur an den senkrechten Zonengrenzen son sehr geringer Eliichenausdehnung. Da die Kapazität des PN-IÜberganges direkt proportional zur I-'lache des Überganges ist. wird seine Kapazität mit Hilfe der Diffusion durch die ganze Schicht 31 sehr klein. Das Verfahren arbeitet jedoch auch, wenn die Diftusionsiiefe der zweiten Diffusionszone geringer als die Dicke der Schicht 31 ist. insbesondere bei einer relativ dicken Schicht 31. Im Ausführungsbeispiel wurde die Schicht 31 mit P-Leitfähigkeit durch Zusatz von B2Hf, als Dotierungsmittel hergestellt. Die Verunreinigungen innerhalb der Schicht 31 bestanden also aus Bor.
Zur Herstellung der N-Leitfähigkeit der Diffusionszonen 34 wurde Phosphor verwendet. Hierzu wurde PH.-Gas aus der Gasquelle 35 in das Reaktionsgefäß eingelassen. Dabei wird die Röhre 36 mit den Ventilen 28 und dem Meßinstrument 29 in der gleichen Weise wie die anderen Gasqueller; 20—23 zugeschaltet.
Bei einer Temperatur der Schicht 31 von 10000C zerfällt das PHs-Gas pyrolitisch innerhalb des Reaktionsgefäßes 11 und bewirkt eine Phosphor-Diffusion durch die Öffnungen 33 innerhalb der Oxidschicht 32. Je nach Konzentration des Diffusionsgases PH3 entsteht innerhalb der Schicht 31 eine mehr oder weniger stark dotierte N-Dotierungszone.
Nach der Herstellung der Diffusionszonen 34 in der Schicht wurde das Reaktionsgefäß 11 wiederum in der bereits oben beschriebenen Weise durch Wasserstoffspülung gereinigt. Hierauf wurden die Substrate 18 aus dem Reaktionsgefäß 11 entnommen, so daß die Oxidschicht 32 von der Schicht 31 entfernt werden konnte.
Die Substrate 18 wurden daraufhin wieder in das
Reaktionsgefäß 11 gebracht, wo eine neue Oxidschicht 37. die in I- i g. J dargestellt ist, auf ckr Oberfläche der Schicht 31 durch pyrolitisches Niederschlagen hergestellt wurde. Die Schicht 37 erstreckt sich über die gesamte Oberfläche der Schicht 31. ί
Die Substrate 18 wurden wieder aus dem Rcaktionsgcfäi:! Il entfernt und nach einer gründlichen Reinigung des Gefäßes in der oben beschriebenen Weise. Hierauf wurden die öffnungen 38 in die Schicht 37 vorzugsweise auf photolilhographischcm Wege eingeiit/l. Im An- in Schluß daran wurde die Schicht 31 dort entfernt, wo sie keine PN-l'Jbcrgärigc beherbergte.
Hierauf ergibt sich der in I' i g. 4 dargestellte Aufbau:
Die pnlykristallinc Schicht 31 enthält eine Viel/ahl von gegeneinander isolierten Inseln, welche jeweils ΐϊ mindestens einen PN-Übergang enthalten. Aufgrund der isolierenden Schicht 30 sind die Inseln gegeneinander elektrisch gut entkoppelt. Die durch die ein/einen Inseln dargestelllen Halbleiterbauelemente müssen noch (lurch elektrische Leitungen miteinander /u einer 2n »verdrahteten« elektrischen Schaltung verbunden werden. Ks muH darauf hingewiesen werden, daß innerhalb der Inseln auch mehrere aufeinander folgende PN I Ibergänge hergestellt werden können.
In den im folgenden beschriebenen Heispielen werden >-j verschiedene Verfahren beschrieben, mil Hilfe welcher polykrisialline Dioden, welche elektrisch voneinander isoliert sind, mit der vorliegenden !Erfindung dargestellt werden.
JO
Beispiel I
[line Silicium-Schcibe wurde zuerst einer Säuberung in Azeton, darauf in Salpeter-Säure (HNO]) und schließlich in Fluflsäure (Hl ) unterzogen, wobei nach j-, jedem Säubcrungsschrilt die Scheibe mit gründlich deionisiertem Wasser gespült wurde. Die Scheibe wurde darauf oxidiert in einer Wasserdampfatmosphärc bei 1150 C für 15 Minuten. Hierbei entstand eine Silicium-Dioxidschicht von 400 nm Dicke.
Das Aufwachsen von pol) kristallinem Silicium auf der Oberfläche der Silicium-Dioxidschicht erfolgte in einer Quarzröhrc. welche einen Durchmesser von 50 mm und eine Länge von 80 cm aufwies. Das Substrat befand sich auf einem mit Quarz umgebenden Kohle-I lochfrcquenzträger innerhalb des Rohres. Nach Anordnung des Substrates innerhalb des Rohres wurde die Kammer auf weniger als 1.33· lO-'mbar evakuiert. Daraufhin wurde für 5 Minuten eine Spülung mit Wasserstoffgas bei einem Durchtritt von 20 l/min vorgenommen.
Die Aufwachstemperatur von 875"C wurde innerhalb von 3 Minuten erreicht und stabilisiert. Im Anschluß daran begann das Aufwachsen.
Unter dem folgenden Bedingungen entstand auf der Oberfläche der Silicium-Dioxidschicht des Substrates eine P-leitende polykristalline Silicium-Schicht mit einer Dicke von 0,5 μπι und einem spezifischen Widerstand von 0,1 Ohm/cm. Das Reaktionsgefäß wurde von 7 l/min Wasserstoffgas, 5 ml/min Monosilan (SiH4) und 5 ml/min von 266 ppm B2H6 in Wasserstoff durchströmt. w> Bei einer Aufwachstemperatur von 875°C wurden diese Bedingungen für 3 Minuten eingehalten. Die so entstandene Schicht wies eine Kristallografie in lateraler Richtung zwischen 03 μπι und 0,5 μπι auf.
Ein Maskierungsoxid von 230 nm Dicke wurde darauf pyrolitisch auf der Schicht innerhalb von 4 Minuten abgeschieden. Dies geschah bei 8000C mit einem Gasstrom von 30 l/min Wasserstoffgas, 300 ml/min Sauerstoff und 155 ml/min Wasserstoffgas, welches durch 2JC warmes Tctrachlorsilan (SiCU) gesprudelt wurde, Fin derartiges Oxid weist eine Älzrate von 6nm/scc in einer gepufferten Fliißsäiirclösung auf (7 Teile 42%igc NIM': I Teil 50% III).
Diejenigen Obcrflächcngcbictc der polykristallinen Schicht, in welche Dolicrungssloffe zur Herstellung einer entgegengesetzten Leitfähigkeit cindiffundierl werden sollien. wurden darauf mit Hilfe einer Phololacktcchnik von der Siliciumdioxidschichi befreit. Line Diffusion von Verunreinigungen des N-Tsps erfolgte bei 1000 C während einer /eil von 30 Minuten, wobei als Trägergas Wasserstoff benuizi wurde, welches mit 7 l/min durch die Kummer siromie. Die N-Vcninreinigungen wurden durch einen 1Mb ppm PHi in Wasserstoff Gasstrom geliefert, welcher eine Strömung von 7 ml/min auf« ies.
Auf diese weise einstand eine Oheniächcnkonzen-(ration der Diffusions/oncn von etwa (H = 5 χ 10'" Atomen/cm-' und einer Lindringtiefe von etwa 2.5 um. Da die Dicke der polykristallinen Schicht nur 0.5 um betrug, erstreckten sich die so gebildeten Diffusionszoneu bis in das darunter liegende thermische Oxid. Auf diese Weise entstand ein PN-Übergang, welcher im wesentlichen senkrecht zu dem darunter liegenden Oxid ausgebildet w ar.
Die Isolation der durch die einzelnen PN-Übergänge gebildeten Dioden erhielt man darauf, indem man zuerst eine weitere pyrolitischc Oxidschicht sowohl über den Diffusionszonen als auch über dem eisten pyrolitischen Oxid ausbildete. Mit Hilfe der photolithographischen Ätztechnik wurden darauf die Umgebung der die PN-Übergänge enthallenden Kristall-Regionen unter Zuhilfenahme einer Ätzlösimg aus einem Teil I hißsäure. zwei Teilen Lssigsäure und 15 !eilen Salpeter-Säure fortgcälzt. Das Resultat waren elektrisch isolierte Inseln, welche eine Diffusionszone enthielten und von dem nicht weggeätzten Oxid bedeckt w aren.
Zur Passivierung der Seiten wurde darauf eine weitere pyrolitischc Oxidschicht auf der polykristallinen Schicht abgelagert. Zur Herstellung ohinscher Kontaktpunkte wurden mit Hilfe gepufferter Flußsäure I-'enstcr über den Diffusionsgebieicn geöffnet, d. h. über der mit 34 in F i g. 4 bezeichneten Flache, andererseits über einem Teil der Oberfläche der Schicht 31 innerhalb der elektrisch isolierten Inseln, in welchem die Diffusionszone 34 ausgebildet ist. Die ohmschen Koniakte entstanden durch Ablagern einer Aluminiumschicht über der gesamten Fläche des Substrats. Mit Hilfe der bekannten photolithographischen Ätztechnik wurden diejenigen Aluminiumflächen wiederum fortgeätzt, welche nicht zur Ausbildung des gewünschten Leitungsmusters benötigt wurden.
Die derart hergestellten Dioden weisen eine extrem kleine PN-Übcrgangs-Fläche auf. welche auf die Seitenwände der Diffusionszonen beschränkt ist. Daraus folgt, daß die Kapazität des PN-Überganges äußerst gering ist. Diese geringe Kapazität und die vielen Rekombinationszentren in den Korngrenzen der polykristallinen Schicht ergeben eine extrem kurze Dioden-Erholzeit. Die gemessene Erholzeit betrug 2 χ 10-9s. Die Sperrspannung betrug 7 Volt.
Bei sonst gleichen Bedingungen und Parametern, wie in Beispiels 1, ergibt sich durch Verändern der Aufwachstemperatur auf 11000C eine Korngröße der polykristallinen Schicht in lateraler Richtung von etwa 0,8 μιτι. Bei dieser relativ großen Kristallitgröße lassen sich nur ziemlich schlechte Dioden erhalten, wie die
Praxis zeigt. Das Anwenden einer zu hohen Prozcßtemperatur führt demnach zu schlechten Ergebnissen.
Beispiel 2
Dieselben Bedingungen und gleichen Parameter wie in Beispiel I wurden hier verwendet, bis auf die Tatsache, daß ('ic Schicht aus N-Ieitfahigem polykristallinen Material bestand, welches mit einer P-Verunreinigung dotiert wurde. Es entstand also ein Aufbau met komplementärer Leitfähigkeit zur im Beispiel I beschriebenen Anordnung. Beim Aufwachsen der polykristallinen Schicht wurde ein Gasstrom, enthaltend 146 ppM PI Ij in Wasserstoff, mit einer Geschwindigkeit von I ml/min durch das Reaktionsrohr geführt, im Gegensatz /u einer Strömung von 5 ml/min des Wassersioffgemisches mit 2bh ppM B>Ht,. Zur Diffusion wurde dann eine Gasströmung von 12 ml/min eines 2b6-ppM- IM lh-Wasserstoffgemisches anstelle einer Gasströmung von 7 nil/min des 1%-ppM-l'H,- Wasserstoffgeniisches verwendet. Es ergaben sich die gleichen Resultate wie im Beispiel I.
In den oben beschriebenen Ausführungsbeispielen sind nur Dioden angeführt, Es sei jedoch darauf hingewiesen, daß daneben auch noch andere 1 lalbleilerbauelemente. insbesondere Transistoren, hiermit /isammen in der polykristallinen Schicht 31 hergestel'.t werden können. Hier/u können z. B. nach Bildung der Diffusionszoneri 14 weiiere PN-Übergange innerhalb dieser Zonen mit Hilfe der bekannten Masken- und Diffusionstechnik (Planartechnik) eingebracht wcrJen.
Durch genaues Einhalten des Temperaturbereichs des Substrats 18 und der Aufwachsgcschwindigkeit des pyrolitischen Materials auf der Oberfläche der Schicht 30 des Substrats 18 wird also in vorteilhafter Weise erreicht, daß die Korngrenzen bei zu hoher Temperatur nicht ungleichmäßig werden und daß bei niedriger Temperatur nicht die Zcrsetzungstemperalur für das Gas erreicht wird, das das auf de- Oberfläche der Schicht 30 pyrolitisch abzuscheidende A.ifwachsmaterial enthält. Außerdem liegt die untere Temperaturgren-/e oberhalb der für das Einsetzen von lincibildungen auf Schicht 30 maßgeblichen Temperatur.
Ein Vorteil vorliegender Erfindung liegt in der Vermeidung von Zacken und llngleichniaßigkeilen ii den eingebrachten PN-Ubergängen, welche sich sonst im polykristallinen Material ausbilden. Ein weiterer Vorteil ist deswegen darin zu sehen, dal! es nun nicht mehr unbedingt notwendig ist. monokristallmes Halbleitermaterial zur Herstellung von PN-l'lbergängen zu verwenden. Daneben lassen sich auch eine Reihe win sehr kritischen Verfahrensschritten vermeiden, die sonst im allgemeinen zur vollständigen Isolation zwischen den einzelnen Halbleiterbauelementen in einer integrierten I lalbleiterschaltung notwendig sind.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (3)

Patentansprüche:
1. Verfahren zum Herstellen von polykristallinen Siliciumsehichten mit pn-Übergüngen auf einem eine isolierende Oberfläche aufweisenden Substrat durch pyrolytisehes Abscheiden aus der Gasphase, indem einem Gemisch aus einem Träger- und einem Reaktionsgas ein zum Dotieren der aufzuwachsenden polykristallinen Siliciumschicht geeigneter Anteil entsprechender Fremdatome zugefügt wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Substrate (18) nach intensivem Reinigen in einem Reaktionsrohr (11) auf etwa 7000C bis 9000C, gemessen am für einen Schichtniederschlag vorgesehenen Oberflächenbereich, aufgeheizt werden, daß eine die Dotierungsfremdatome enthaltende Gasströmung mit 7 l/min Wasserstoff als Trägergas zuammen mit 5 ml/min Monosilan (S1H4) als Reaktionsgas durch das Reaktionsrohr (II) geleitet wird, bis sich bei einer sich daüurch einstellenden Niederschlagsrate von 0,!5 μηι/min bis 0,5 μηΐ/ηιί,ι maxima! eine Schichtdicke von etwa 3 μπι ergibt und daß nach dem Schichtniederschlag weitere Fremdatome über Masken in die polykristalline Siliciumschicht (31) zur Bildung von Zonen (34) entgegengesetzten Leitungstyps eindiffundiert werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in der Reaktionsgas-Strömung zum Niederschlagen einer P-Ieitenden Schicht ein Anteil von 5 ml/min Wasserstoff mit 266 ppm B2H6 und zum Niedersc!''agen einer N-Ieitenden Schicht eine Wasserstoffströmung mit 19b npm PHj oder mit einem geeigneten Anteil von AsHj-Molekülen vorgesehen wird.
3. Verfahren nach Anspruch i oder 2. dadurch gekennzeichnet, daß die Zonen (34) entgegengesetzten Leitungstyps in die P- oder N-Ieitende polykristalline Siliciumschicht (31) mit einer Eiridringtiefe eingebracht werden, die nicht kleiner als die Schichtdicke der polykristallinen Siliciumschicht (31) ist.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0301567A2 (de) * 1987-07-30 1989-02-01 Telog Systems GmbH Vorrichtung und Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Materialien

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3894893A (en) * 1968-03-30 1975-07-15 Kyodo Denshi Gijyutsu Kk Method for the production of monocrystal-polycrystal semiconductor devices
JPS503780A (de) * 1973-05-15 1975-01-16
US3874920A (en) * 1973-06-28 1975-04-01 Ibm Boron silicide method for making thermally oxidized boron doped poly-crystalline silicon having minimum resistivity
DE2449688C3 (de) * 1974-10-18 1980-07-10 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren zur Herstellung einer dotierten Zone eines Leitfähigkeitstyps in einem Halbleiterkörper
JPS51126587U (de) * 1975-04-09 1976-10-13
DE2536174C3 (de) * 1975-08-13 1983-11-03 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum Herstellen von polykristallinen Siliciumschichten für Halbleiterbauelemente
US4157418A (en) * 1978-02-08 1979-06-05 Minnesota Mining And Manufacturing Company Acrylic functional aminocarboxylic acids and derivatives as components of pressure sensitive adhesives
US4358326A (en) * 1980-11-03 1982-11-09 International Business Machines Corporation Epitaxially extended polycrystalline structures utilizing a predeposit of amorphous silicon with subsequent annealing
US4467519A (en) * 1982-04-01 1984-08-28 International Business Machines Corporation Process for fabricating polycrystalline silicon film resistors
US5164338A (en) * 1988-04-28 1992-11-17 U.S. Philips Corporation Method of manufacturing a polycrystalline semiconductor resistance layer of silicon on a silicon body and silicon pressure sensor having such a resistance layer
US4975469A (en) * 1989-03-20 1990-12-04 Amoco Corporation Oriented porous polypropylene films
US5176953A (en) * 1990-12-21 1993-01-05 Amoco Corporation Oriented polymeric microporous films
US6690103B1 (en) 1999-07-21 2004-02-10 Alan K. Uke Incandescent light bulb with variable pitch coiled filament

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0301567A2 (de) * 1987-07-30 1989-02-01 Telog Systems GmbH Vorrichtung und Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Materialien
EP0301567A3 (de) * 1987-07-30 1989-06-14 Telog Systems GmbH Vorrichtung und Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Materialien

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Publication number Publication date
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JPS5322422B1 (de) 1978-07-08
DE1901819C3 (de) 1980-07-24
DE1901819A1 (de) 1969-09-11
GB1253294A (en) 1971-11-10

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