JPH0728963U

JPH0728963U - 化学的蒸着装置

Info

Publication number: JPH0728963U
Application number: JP008270U
Authority: JP
Inventors: ガイ・ブリアン; リチャード・クルティエー; エドワード・シィー．・ディー．・ダーウォール; ラズロ・ショルギーミー
Original assignee: マイテル・コーポレーション
Priority date: 1985-05-17
Filing date: 1994-07-11
Publication date: 1995-05-30
Also published as: GB8525789D0; FR2582021A1; DE3601711C2; CA1251100A; US4747368A; GB2175011A; IT8522537A0; IT1186780B; CN85109048A; DE3601711A1; GB2175011B; JPS6258639A

Abstract

(57)【要約】【目的】基板上に薄膜を良好でかつ均一に被着させる
ことができる化学的蒸着装置を提供する。【構成】密閉リアクタ内に露出された基板を有する基
板を支持するための手段と、基板をある予め決められた
反応温度で加熱するための手段と、リアクタ内に設けら
れて反応性蒸気を入力し、当該蒸気を予め決められた反
応温度で基板の表面上で反応させて基板の表面上に蒸着
させるマニフォ−ルド手段と、消費された蒸気をリアク
タから排出するための手段とを備え、マニフォールド手
段は、入力された蒸気を均等に基板に近接したところに
分配する複数の開口部を有し、当該装置は、マニフォー
ルド手段に直接に接触しかつマニフォールド手段を実質
的におおうように設けられ、冷却流動体をマニフォ−ル
ド手段の周囲を循環させ、反応性蒸気がマニフォ−ルド
手段の中で早い時間に反応しないように、マニフォール
ド手段を少なくとも反応温度以下の温度に維持する冷却
手段を備える。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は化学的蒸着装置に関し、より詳しくは、反応室内に置かれた１個又はそれ以上の基板に近接して設けられた反応性蒸気を分配するための冷却されたマニフォ−ルドに関する。

【０００２】

【従来の技術及び考案が解決しようとする課題】

化学的蒸着法(以下、ＣＶＤ法という。)は、薄膜又は被覆物を基板上に被着するための公知の方法である。この基板は典型的には、１種類又はそれ以上の種類の反応性蒸気から構成されるある気体中で、ある予め決められた適当な反応温度に( 一般にリアクタとして参照される )反応室内において加熱される。その蒸気は、加熱された基板の表面で反応する化学化合物から構成され、それによって、その基板上に薄膜又は被覆物を被着させる。

【０００３】例えばベルジャ−(belljar) 形リアクタは典型的にはツ−ル(tools) 、光学ガラス等のような基板上に硬い被覆物を被着するために用いられる。また、そのような半導体基板上に種々の被覆物を被着するためのリアクタは、詳細後述されるように、公知である。

【０００４】その蒸気はリアクタ内に連続的に入力され消費された蒸気(すなわち、ガス体の反応副産物)は、基板の表面上にある反応性蒸気を常に循環させることを維持するためにリアクタから連続的に排出される。

【０００５】基板は熱伝導、放射、誘導(inductance)等のような公知の方法によって加熱される。大量生産において、多数の基板が典型的には、リアクタに設けられた公知のボ−ト(boat)配置を利用して一列に支持される。そのとき、このリアクタは典型的には、熱が炉からリアクタの壁を通して基板に放射するように、外部の炉によって加熱される。この配置は一般に、ホット・ウォ−ル(hot wall)形ＣＶＤリアクタとして知られている。

【０００６】圧力は、典型的には、消費された空気が出力ポ−トを介して低減された圧力の領域に流れるように反応性蒸気を入力させるためのリアクタの中で高められる。またさらに、排出ポンプがそのリアクタ内を低い圧力に維持するために出力ポ− トに取り付けてもよい。この場合、そのリアクタは低圧ＣＶＤシステムとして知られている。

【０００７】リアクタ内の反応性蒸気を分配するために、複数の開口部を有するマニフォ− ルドを用いることは公知である。このマニフォ−ルドは、すべての基板上に均一に被着させることができるという利点を有している。実に、いくつかの種類の蒸気がたいへん迅速に反応するので、詳細後述されるように、マニフォ−ルドを用いることなしに合理的な均一の蒸着を行うことはできない。

【０００８】しかしながら、マニフォ−ルドはリアクタ内に設けられているので、基板をほぼ同一の温度で加熱することができる。従って、反応性蒸気はマニフォ−ルドの内壁面上に蒸着させ、マニフォ−ルド内で早い時間に反応することが知られている。この早過ぎる反応の結果、基板上に薄膜又は被覆物を不満足な形で蒸着させ、消耗され又は消費された蒸気が基板を横切って循環される。

【０００９】混合蒸気を利用したＣＶＤシステムにおいて、１種類の蒸気は典型的には他の蒸気に比較してより反応的である。より反応的である蒸気は、他の蒸気に比較して熱いマニフォ−ルドにおいて、より容易に分解し、その結果、ある変化された混合蒸気が基板に加えられる。従って、マニフォ−ルドの内壁面上に早い時間に被着されたより反応的な蒸気の成分が不足している基板上に、ある薄膜が被着される。

【００１０】熱いマニフォ−ルドのもう１つの欠点は、内壁面上に成長する薄膜がマニフォ −ルド及び、蒸気がリアクタに分配される開口部の内面積を変化させるのに十分な厚さに成長することである。この結果、基板近くの反応性の蒸気を不規則に分配させる。

【００１１】図４は従来例の化学的蒸着装置を示す図である。図４において、前述のボ−ト配置のようなある適当な固定具(図示せず)によって、２で示されたベルジャ−形リアクタの内側に支持された多くの基板１が図示されている。この基板は、上述のように、ツ−ル、光学ガラス、又は半導体から構成されている。炉又は複数の加熱管のような加熱装置３が、リアクタの壁面４を加熱しそれに応答して基板１に加熱して放射するためにリアクタ２の壁面４の外側に設けられる。５で示されている反応性の蒸気がマニフォ−ルド６に設けられた複数の開口部７を有するマニフォ−ルド６に入力される。その蒸気は開口部７を介して出力され、基板１の表面で反応して基板１に薄膜を被着させる。消費された蒸気は、出力ポ−ト８を介して取り出され、それによって、基板１上に連続的な反応性蒸気の流れを生じさせている。

【００１２】上述のように、マニフォールド６は典型的にはほぼリアクタ２内の温度に加熱され、典型的に反応性蒸気５が早い時間に反応し、マニフォールド６の内壁面上に薄膜を被着させる。その結果、消耗され又は消費された蒸気が開口部７を通って基板１上に不均一な薄膜を被着させる。

【００１３】本考案の目的は以上の問題点を解決し、基板上に薄膜を良好でかつ均一に被着させることができる化学的蒸着装置を提供することにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段及び作用】

一般に、本考案は、リアクタ内に露出された表面を有する１個又はそれ以上の基板を支持するための構造の密閉リアクタと、その基板をある予め決められた反応温度に加熱するための装置と、その基板に近接したところに入力された蒸気を均等に分配するための複数の開口部をマニフォ−ルド本体に有し１種類又はそれ以上の蒸気を入力するためのリアクタ内に設けられるマニフォ−ルドとを備えた化学的蒸着装置であって、その装置において、蒸気がその予め決められた反応温度でその基板の表面で反応し薄膜をその基板上に被着させる。本考案はさらに、消費された蒸気をリアクタから排出するための装置と、冷却装置のまわりの冷却流動体を循環させるためのマニフォ−ルドを実質上おおう冷却装置とを備え、それによって、反応性蒸気がマニフォ−ルド内で早い時間に反応しないようにマニフォ−ルドを少なくとも反応温度以下の温度に維持する。

【００１５】本考案はまた、密閉リアクタの中で支持された１個又はそれ以上の基板をある予め決められた反応温度に加熱するステップと、１種類又はそれ以上の蒸気をマニフォ−ルド内に入力させるステップと、マニフォ−ルド内のその蒸気を少なくとも反応温度以下の温度に冷却するステップとを備えた化学的蒸着法であって、冷却された蒸気がマニフォ−ルド内で早い時間に反応することを防止され、マニフォールド内からの蒸気が基板に近接したところに均等して分配され、その蒸気が反応温度で反応してその基板上に被着層を形成し、消費された蒸気がリアクタから排出される。

【００１６】

【実施例】

以下、図面を参照して本考案に係る実施例について説明する。図１において、マニフォ−ルド６のマニフォ−ルド開口部７の付近にともに崩壊溶接された２本の同心状の管１０及び１１によってまわりを囲まれている又はおおわれている管状のマニフォ−ルド６を備えたマニフォ−ルドの配置が図示されている。組み立ての際、マニフォ−ルド開口部７を設けるために崩壊溶接された管を通して複数の穴が典型的にはドリルを用いてあけられる。１２で示されている冷却を行う流動体は、入力接続口１５から入力され管状のマニフォ−ルド６と隣接する同心状の管１０との間の空間を流れ、出力接続口１６を介して流れる。同心状の管１０と１１との間の空間は典型的には空にされ断熱体として動作する。この管１０は、例えば “Ｏ" リング１７のような適当なシ−ルを用いて( 図４で図示されたリアクタのような )リアクタの端壁面４間に密閉される。

【００１７】動作中において、反応性蒸気は接続口１８からマニフォ−ルド６に入力され、図４を参照して図示され記述されたように、基板に近接して設けられた、基板の表面上で反応させるための開口部７を介して、上記反応性蒸気が分配される。冷却を行う流動体１２は、マニフォ−ルド６のまわりを循環させられ、それによってマニフォ−ルド６のまわりの反応性の蒸気の温度を蒸気の反応温度よりも低いある予め決められた温度に維持する。

【００１８】リアクタ(図４のリアクタ)からマニフォ−ルドの配置に向って熱の移動が無視できるならば断熱管１１を省略することができ、この状態はたびたび生じる。特に、低圧力のリアクタの場合、リアクタの内側の蒸気によって伝導する熱の量は小さい。この熱伝導はほとんどの場合において、マニフォ−ルドの配置のまわりを囲んでいる蒸気圧は、放射された熱だけが通過する断熱シ−スとしてすぐに有効的に動作するように十分に低くされる。それによって、図３に図示された好ましい実施例を参照して詳細後述される断熱管１１は不必要となる。しかしながら、もしマニフォ−ルドの配置への熱の移動が無視することができないならば、( もし、マニフォ−ルドの表面積に対するリアクタの表面積の比が十分に大きくないならば、 )断熱管１１が必要とされる。

【００１９】図２はもう１つのマニフォ−ルドの配置を図示しており、ここで、管状のマニフォ−ルド６の両端はリアクタの壁４を通って延在している。らせん状の冷却管２１が、マニフォ−ルド６のまわりに巻かれているが、蒸気分配開口部７はその冷却管２１で巻かれていない。冷却を行う流動体はリアクタの壁４の外側にある入力口２２を介して管２１に入力され、出力口２３を介して出力される。 “Ｏ" リング１７は、図４のリアクタ２内にガスを密閉状態にさせるために、管２１の入出力部のまわり及びマニフォ−ルド６の端部に延在している。

【００２０】反応性蒸気は、上述したように、開口部７を介して分配するために接続口１８を介してマニフォ−ルド６に入力される。冷却を行う流動体は、らせん管２１内を流れ、マニフォ−ルド６内にある反応性蒸気を反応性蒸気の反応温度よりも少なくとも低いある予め決められた温度に維持する。本考案による冷却されるマニフォ−ルドは、下記の実験例によって示されるホット・ウォ−ルＣＶＤシステムにおいて特に有用である。

【００２１】実験例水素化ホウ素(Ｂ₂Ｈ₆)、水素化リン(ＰＨ₃) 及び水素化シリコン(ＳiＨ₄)から形成されるホウ素−リン−石英−ガラス( 以下、ＢＰＳＧという。 )の被着法が半導体デバイスの組み立て工程において公知であり広く用いられている。典型的には、シリコン基板が管状リアクタの軸に沿って、一列に設けられ、一部が閉じられたボ−ト配置で支持されている。あるマニフォ−ルドはリアクタの長さ方向に沿って延在しており、ウエハに酸素を供給する。別の類似したマニフォ−ルドが前述の水素化物を分配する。管状リアクタ内のガス圧は、典型的には、ある真空ポンプで消費された蒸気を取り除くことによって、１[Ｔorr] 以下に低減される。管状リアクタは典型的にはある管状の炉内で３００℃から４５０℃までのある温度に加熱される。

【００２２】水素化シリコン(ＳiＨ₄)及び水素化リン(ＰＨ₃)が、任意の混合比において、３００℃から４５０℃までのリアクタ温度で安定である。しかしながら、水素化ホウ素(Ｂ₂Ｈ₆)は、２００℃又はそれ以上の温度でホウ素と水素に分解する。従って、ＳiＨ₄とＢ₂Ｈ₆の混合体はＰＨ₃ の蒸気と混合されるか否かにかかわらず、熱いマニフォ−ルドに沿って流れることによって、金属ホウ素リ−チ被着がマニフォ−ルドの内壁面上に形成される。Ｂ₂Ｈ₆の分解は２００℃又はそれ以上の温度で非常に早く分解するので、ただ微量のＢ₂Ｈ₆が依然分解されず、それがマニフォ−ルドの開口部を通ってシリコン基板に到達する。

【００２３】水素化ホウ素(Ｂ₂Ｈ₆)を用いたとき、そのＢＰＳＧの被着は公知の従来技術のホット・ウォ−ルＣＶＤリアクタにおいては非効率的であり、制御することがむずかしいと言われてきた。しかしながら、本考案の冷却されたマニフォ−ルドを利用することによって、水素化物の制御された混合体とともにＢＰＳＧの被着を行うことによって効率的にかつ正確に行うことができる。

【００２４】図３において、本考案によるある好ましい実施例が図示されている。( 典型的には石英から構成されている )リアクタ管２５は、複数の基板２６を収容しており、円筒状の炉２７の中に置かれ、その中で３００℃から４５０℃までのある温度に加熱される。リアクタ管２５の出力ポ−ト２８は、典型的には消費又は消耗された蒸気を排出するための排出ポンプ(図示せず)に接続される。水素化物マニフォ−ルド２９は、基板に近接した場所において、そのマニフォ−ルド２９に設けられた蒸気分配開口部３０を備えており、蒸気を基板に均等に供給させ、基板上に均一な被着を生じさせる。酸素マニフォ−ルド(図示せず)は、水素化物マニフォ−ルドのそばに公知の通り設けられる。

【００２５】一対の同心状の管３１Ａ及び３１Ｂが、水素化物マニフォ−ルド２９をおおい、蒸気分配開口部３０に隣接したマニフォ−ルドに開口部を備えている。

【００２６】ロ−ディング・ドア・アセンブリ３５は基板２６をそう入したり取り出したりするために設けられ、例えば “Ｏ" リング２６のような公知のシ−ルを介してリアクタ管２５を密閉するように維持される。また、ある真空密閉シ−ル３７は、同心状の管３１Ａ及び３１Ｂの対を石英リアクタ管２５に密閉する。

【００２７】動作中、水素化物混合蒸気が接続口３２からマニフォ−ルド２９に入力され、開口部３０を通って排出される。水素化物混合蒸気は、基板２６の表面で酸素と反応し、上述のように基板上に被覆物を形成する。消費された蒸気は、排出ポンプの動作に応答して出力ポ−ト２８を通って排出される。冷却を行う流動体は、ポ−ト３３から入力され、同心状の管３１Ａ及び３１Ｂを通って流れ、接続口３４から排出される。それによって、水素化ホウ素の蒸気(Ｂ₂Ｈ₆)を少なくとも２００℃以下のある温度に冷却を行う。

【００２８】ホット・ウォ−ルＣＶＤリアクタにおける熱の移動は、３３０℃のような低温度においてでさえ、ほとんど放射によって行われているということがわかっている。なぜなら、熱の放射吸収は表面積に比例し、マニフォ−ルドの配置においてその表面は小さいので、ある小量の熱しか吸収しないからである。従って、図１を参照して上述したように、マニフォ−ルドの表面積に対するリアクタの表面積の比が大きいということが、リアクタ内で均一な温度に維持するために重要である。

【００２９】本考案の好ましい実施例によれば、マニフォ−ルドの配置( すなわち、同心状の管３１Ａ及び３１Ｂによってまわりを囲まれるマニフォ−ルド２９ )の表面積に対するリアクタ管２５の内部表面積の比が、約１００であった。言い換えれば、リアクタ管２５の直径はマニフォ−ルドの配置の直径の約１０倍であった。マニフォ−ルドの配置を囲む周囲の大気によって冷却されたマニフォ−ルドの配置における熱吸収は、無視することができるということがわかった。特に、冷却を行う流動体として水を用いた場合、同心状の管３１Ａ及び３１Ｂ内を１分当り１ｌの速さで流すことによって、その水の温度上昇は、４００℃のリアクタ温度において、２５℃以下になることがわかった。従って、(図１における同心状の管１１のような )付加的な断熱が同心状の管３１Ａ及び３１Ｂのまわりに必要としない、極めて小さな熱吸収が生じた。基板に近接したところでの温度の均一性は、冷却されたマニフォ−ルドの配置があるところで無視できる程度で変化していた。

【００３０】さらに、冷却されたマニフォ−ルド２９の内部表面上には目に見えるほどの被着が生じなかった。事実、基板上に被着された薄膜の混合物の量は、接続口３２を介してマニフォ−ルド２９にはいる元のガス混合物の量に正比例していた。

【００３１】従来技術のマニフォ−ルドは、典型的には、石英のような透明な材料によって組み立てられていた。赤外線の光子は典型的には従来技術のマニフォ−ルドを通って送られ、反応性蒸気によって吸収されるということがわかっている。それに応答して、その蒸気は典型的にはマニフォ−ルド内の熱エネルギ−レベル以上にエネルギ−を持つことになり、それによって、化学的蒸着を加速させるとともに、たいへん速い蒸気の反応を生じさせることができる。(ステンレス鋼のような) ある光子反射材料とともにマニフォ−ルドの配置を組み立てるか、もしくは光子を吸収する能力を有する冷却を行う流動体を用いることによって、マニフォ−ルドの内部での被着を著しく減少させる。実用的な目的に対して、水は、十分に光子を吸収する性質を示すということがわかっている。

【００３２】本考案を理解することができる当該技術分野の専門家は、数多くの変形例又は代替例を考えることができるかもしれない。

【００３３】例えば、上述の実験例において、特定の化合物を用いた化学的蒸着法を有効にするための本考案の使用法について図示したが、本考案はそれらの化合物に限定して使用するものではなく、本考案によれば多くの他の薄膜又は被覆物が、良好に被着される。例えば、本考案は、１個又はそれ以上の基板に対して、不純物が注入されたポリシリコン被覆物、耐被着性でかつ耐腐食性のホウ素薄膜被覆物、又はトリイソブチルアルミニウム(tri−isobutilaluminum) との反応によって形成されるアルミニウム被着物に適用することができる。またさらに、(ガリウムひ素、ガリウムリン等の)半金属性の半導体は、(Ｇa(ＣＨ₃)₃, Ａｌ(Ｃ₂Ｈ₅)₃等の )有機金属化合物と反応させ基板上に被着させることができる。

【００３４】ここに開示された原理を用いたこれら及びすべての他の実施例又は変形例は、ここに記述された実用新案登録請求の範囲において示された本考案の範囲内であると考えられる。

【００３５】

【考案の効果】

以上詳述したように、本考案によれば、マニフォールド手段を本考案に係る冷却手段を用いることによって冷却することによって、従来技術の熱いマニフォールドにおいて基板表面上に不均一な薄膜を蒸着させるという欠点を解決するとともに、上記マニフォールド手段は、入力された蒸気を均等に上記基板に近接したところに分配する複数の開口部を有するように構成したので、基板表面上に良好でかつ均一に薄膜を形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案に係る第１の実施例であるマニフォ−
ルドの配置を示す縦断面図である。

【図２】本考案に係る第２の実施例であるマニフォ−
ルドの配置を示す縦断面図である。

【図３】本考案に係る好ましい実施例である化学的蒸
着装置を示す縦断面図である。

【図４】従来例のリアクタ、マニフォ−ルド及び基板
を示す縦断面図である。

【符号の説明】

１…基板、２…リアクタ、３…加熱装置、４…リアクタの壁面、５…反応性蒸気、６…マニフォ−ルド、７…開口部、８…出力ポ−ト、１０, １１…同心状の管、１２…冷却流動体、１５…入力接続口、１６…出力接続口、１７…Ｏリング、１８…接続口、２１…らせん状の管、２２…入力口、２３…出力口、２５…リアクタ管、２６…基板、２７…円筒炉、２８…出力ポ−ト、２９…水素化物マニフォ−ルド、３０…蒸気分配開口部、３１Ａ, ３１Ｂ…同心状の管、３２…接続口、３３…ポ−ト、３４…出力接続口、３５…ロ−ディング・ドア・アセンブリ、３６…Ｏリング、３７…真空密閉シ−ル。

フロントページの続き (72)考案者リチャード・クルティエーカナダ国ケベック、ジェイ２ジィー８シィー７、グランビー、アール．・アール. ２、デニソン・ストリート1007番 (72)考案者エドワード・シィー．・ディー．・ダーウォールカナダ国ケベック、ジェイ０イー２エヌ０、シェフォード、モン・シェフォード・ロード640番 (72)考案者ラズロ・ショルギーミーカナダ国ケベック、ジェイ０イー１エル０、ブロモン、シャンプレン・ストリート 72番

Claims

【実用新案登録請求の範囲】

【請求項１】密閉リアクタと、上記リアクタ内に露出された基板を有する１個又はそれ
以上の基板を支持するための手段と、上記基板をある予め決められた反応温度で加熱するため
の手段と、上記リアクタ内に設けられ、１種類又はそれ以上の反応
性蒸気を入力し、上記入力された蒸気を上記予め決めら
れた反応温度で上記基板の表面上で反応させて上記基板
の表面上に蒸着させるマニフォ−ルド手段と、消費された蒸気を上記リアクタから排出するための手段
とを備えた化学的蒸着装置において、上記マニフォールド手段は、入力された蒸気を均等に上
記基板に近接したところに分配する複数の開口部を有
し、上記化学的蒸着装置は、上記マニフォールド手段に直接に接触しかつ上記マニフ
ォールド手段を実質的におおうように設けられ、冷却流
動体を上記マニフォ−ルド手段の周囲を循環させ、上記
反応性蒸気がマニフォ−ルド手段の中で早い時間に反応
しないように、上記マニフォールド手段を少なくとも上
記反応温度以下の温度に維持する冷却手段を備えたこと
を特徴とする化学的蒸着装置。
【請求項２】上記マニフォ−ルド手段及び冷却手段が
熱反射材料から構成されることを特徴とする請求項１記
載の化学的蒸着装置。
【請求項３】上記冷却流動体が、加熱するための上記
手段によって発生される熱を吸収するための十分な熱容
量を有することを特徴とする請求項１記載の化学的蒸着
装置。
【請求項４】上記冷却手段が上記マニフォ−ルド手段
のまわりを囲み上記冷却流動体が循環される空間を設け
るための第１の同心状の管を備え、上記複数の開口部の
まわりに上記マニフォ−ルド手段とともに崩壊溶接され
ることを特徴とする請求項１、２又は３記載の化学的蒸
着装置。
【請求項５】上記冷却手段が上記マニフォ−ルド手段
のまわりを囲み上記冷却流動体が循環される空間を設け
るための第１の同心状の管と、上記第１の管を囲み上記
第１の管と加熱するための上記手段との間を断熱させる
ための第１と第２の管の間の空にされた空間を設けるた
めの第２の同心状の管とを備え、上記第１と第２の同心
状の管が上記複数の開口部のまわりの上記マニフォ−ル
ド手段とともに崩壊溶接されることを特徴とする請求項
１、２又は３記載の化学的蒸着装置。
【請求項６】上記冷却手段が上記冷却流動体を循環さ
せるための上記マニフォ−ルド手段のまわりに巻かれた
らせん状の管を備えていることを特徴とする請求項１、
２又は３記載の化学的蒸着装置。
【請求項７】上記冷却手段が上記マニフォ−ルド手段
のまわりを囲み上記複数の開口部に近接してその管に複
数の開口部を有し上記冷却流動体が上記マニフォ−ルド
手段のまわりを循環する同心状の流動路を設けるための
１対の同心状の管を備えていることを特徴とする請求項
１、２又は３記載の化学的蒸着装置。
【請求項８】上記冷却流動体が水であることを特徴と
する請求項１、２又は３記載の化学的蒸着装置。
【請求項９】上記マニフォ−ルド手段及び冷却手段が
ステンレス鋼から構成されていることを特徴とする請求
項１、２又は３記載の化学的蒸着装置。
【請求項１０】酸素を入力するための上記リアクタ内
に設けられ上記基板に近接したところに上記入力された
酸素を均等に分配するための付加的なマニフォ−ルド手
段に設けられる複数の開口部を有する付加的なマニフォ
−ルド手段をさらに含み、それによって、上記蒸気が上記予め決められた反応温度
で上記基板の表面で酸素と反応し、上記薄膜を上記基板
上に被着させることを特徴とする請求項１記載の化学的
蒸着装置。
【請求項１１】反応温度が３００℃から４５０℃の間
の範囲であり、上記反応性蒸気が酸素と反応するＳi
Ｈ₄, ＰＨ₃ 及びＢ₂Ｈ₆から構成され、それによって、
上記反応温度で上記基板の表面上にホウ素−リン−石英
−ガラスの薄膜が被着されることを特徴とする請求項１
０記載の化学的蒸着装置。
【請求項１２】加熱するための上記手段が、上記リア
クタと上記マニフォ−ルド手段との間の熱の移動を事実
上防止するため、上記冷却手段の表面積に比較して十分
に大きな表面積を有する上記リアクタの壁面を介して熱
を放射するための手段を備えたことを特徴とする請求項
１、２又は３記載の化学的蒸着装置。
【請求項１３】加熱するための上記手段が、上記冷却
手段の表面積の約１００倍の表面積を有する上記リアク
タの壁面を介して熱を放射するための手段を備え、それ
によって、上記リアクタと上記マニフォ−ルド手段との
間の熱の移動量を無視できうる量に減少させることを特
徴とする請求項１、２又は３記載の化学的蒸着装置。