NO832366L - Kjemisk paadampningsinnretning og fremgangsmaate. - Google Patents

Kjemisk paadampningsinnretning og fremgangsmaate.

Info

Publication number
NO832366L
NO832366L NO832366A NO832366A NO832366L NO 832366 L NO832366 L NO 832366L NO 832366 A NO832366 A NO 832366A NO 832366 A NO832366 A NO 832366A NO 832366 L NO832366 L NO 832366L
Authority
NO
Norway
Prior art keywords
reaction chamber
gas
chamber
housing
deposition
Prior art date
Application number
NO832366A
Other languages
English (en)
Inventor
Bryant A Campbell
Nicholas E Miller
Original Assignee
Anicon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Anicon Inc filed Critical Anicon Inc
Publication of NO832366L publication Critical patent/NO832366L/no

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
    • C23C16/481Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation by radiant heating of the substrate
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S505/00Superconductor technology: apparatus, material, process
    • Y10S505/80Material per se process of making same
    • Y10S505/815Process of making per se
    • Y10S505/818Coating
    • Y10S505/819Vapor deposition
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S505/00Superconductor technology: apparatus, material, process
    • Y10S505/825Apparatus per se, device per se, or process of making or operating same
    • Y10S505/826Coating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Surgical Instruments (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Infusion, Injection, And Reservoir Apparatuses (AREA)

Description

Oppfinnelsen vedrører en kjemisk pådampingsinnretning og
en fremgangsmåte for kjemisk pådamping. Særlig vedrører oppfinnelsen en innretning og en fremgangsmåte for kjemisk pådamping av meget jevne og ikke-forurensede belegg av ut-valgte elementer og blandinger på substrater.
Kjemisk pådamping er en prosess hvor et fast materiale fra
en gassfase avsettes på et substrat ved hjelp av en kjemisk reaksjon. Avsettingsreaksjonen er vanligvis en termisk dekomponering, en kjemisk oksydering eller en kjemisk reduk-k sjon. I et eksempel med termisk dekomponering transporteres organometalliske blandinger til substratflaten som en damp og reduseres til den elementære metalltilstand på substratflaten.
Ved kjemisk reduksjon benyttes vanligvis hydrogen som reduk-sjonsmiddel, men metalldamper kan også benyttes. Substratet kan også virke som reduktant, eksempelvis som ved wolfram-heksafluorid-reduksjon med silikon. Substratet kan også
levere et element av en blanding eller legeringsavsetning. Kjemisk pådamping kan benyttes for avsetting av mange elementer og legeringer såvel som blandinger innbefattende oksyder, nitrider og karbider.
Innenfor rammen av foreliggende oppfinnelse kan pådampings-teknologien benyttes for tilveiebringelse av avsetninger på substrater for mange formål. Ifølge oppfinnelsen kan således eksempelvis wolframkarbid- og aluminiumoksyd-slitebelegg legges på skjæreverktøy, korrosjonsmotstandsdyktige belegg av tantal, boronitrid, silikonkarbid o.l. og wolframbelegg på stål for å redusere errosjon kan også pålegges under utnyttelse av oppfinnelsen. Innretningen og fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen egner seg særlig godt ved fremstilling av solid state-elektroniske anordninger og energiomdanningsanordninger.
Kjemisk pådamping av elektroniske materialer er beskrevet av
T.L. Chu et al, J.Bac. Sei. Technol. 10, 1 (1973) og B.E.Watts, Thin Solid Films 18, 1 (1973). Disse publikasjoner beskriver dannelse og pålegging av epitaksiale filmer på slike materialer som silikon, germanium og GaAs. Innenfor energiomdannings-teknikken kan man med kjemisk pådamping tilveiebringe materialer for kjernespaltings-produktretensjon, solenergioppsamling og superledning. En oversikt over kjemisk pådampingsteknikk er gitt av W.A. Bryant "The fundamentals of Chemical Vapour Deposition" i Journal of Materials Seiende 12, 1285 (1977).
Avsettingsparameterne, temperatur, trykk, reaksjonsgassforhold, og gassmengder og gassfordeling er kritisk medbestemmende for avsettingsmengdene og for et spesielt systems evne til å gi den ønskede jevnhet og kvalitet for avsetningen. De begrensninger som tidligere kjente systemer er beheftet med stammer fra deres manglende evne til adekvat kontroll av en eller flere av disse faktorer, eller fra avsettingsforurensninger.
De reaksjonskamre som benyttes for kjemisk pådamping deles vanligvis opp i systemer med henholdsvis kold vegg og varm vegg. I et koldveggsystem oppvarmes substratet med induktiv kopling, stråleoppvarming eller direkte elektrisk motstands-oppvarming av interne baereelementer. Et varmveggsystem arbeider med strålevarmeelementer som er anordnet for å tilveiebringe en oppvarmet reaksjons- og avsettingssone. For varmveggsysternet er det også kjent å benytte lednings- og konveksjonsoppvarminger.
Koldveggsystemer for kjemisk pådamping er beskrevet i US-PS 3.594.227, 3.699.298, 3.704.987 og 4.263.872. I disse systemer er halvlederbrikker plassert inne i et vakuumkammer, og på utsiden av vakuumkammeret er det plassert induksjons-viklinger. Brikkene er montert på et mottagelig materiale som egner seg for oppvarming med RF-energi. Ved at oppvarmingen lokaliseres til de umiddelbare halvleder-brikkeområder begrenses denkjemiske pådamping til de oppvarmede områder.
Da de uoppvarmede vegger befinner seg under den kjemiske pådampingstemperatur, reduseres avsetningene på veggene. Temperaturen i reaksjonssonen er vanligvis ikke så jevn som den man oppnår med varmveggsysterner.
I US-PS 3.705.567 er det beskrevet et system for doping av halvlederbrikker med en dopeforbindelse. Kammeret som inne-holder brikkene strekker seg inn i ovnen ved hjelp av et utragende armsystem. Varmeelementer er anordnet langs sidene,
og temperaturen i de sentralt plasserte brikker vil variere vesentlig i forhold til de som er plassert ved endene. Diff-usjonen av damp skjer perpendikulært på brikkeorienteringen,
og brikkene utsettes ikke for jevne konsentrasjoner av dope-forbindelsen. Den jevnhet som kreves for avanserte halvleder-anordninger fra kant mot midten, fra brikke til brikke, og fra sats til sats, kan man ikke oppnå med dette system. Slik jevnhet er særlig aktuell for såkalte VLSI (very large scale integration) anordninger. Det dreier seg om et lukket damp-avsettingssystem og det anvendes ingen positiv gasstrømming under utnyttelse av en bærergass.
De i dag mest anvendte varmveggsystemer som benyttes ved fremstilling av halvledermaterialer er for det meste konverterte dopeovner. Disse har lange rørformede reaktorer av kvarts eller lignende inert materiale, og varmen tilveiebringes ved hjelp av varmeelementer som er viklet rundt utsiden av den sylindriske del.Reaktorendene er ikke oppvarmet, og temperaturvariasjonene er så kraftige at bare en del midt i avsettingskammeret (vanligvis 1/3 av den samlede oppvarmede flate) kan utnyttes. Likevekttemperatur-variasjoner mellom deler av den begrensede reaksjonssone overskrider vanligvis 4°C. Rørveggen belegges, er vanskelig å ta ut og rengjøre, og utgjør en kilde for forurensninger. Brikkene er plassert i en skål som er uthengt i fra reaktor-enden, og brikkene omlastes ved full tilbaketrekking av den utragende bærer fra kammeret. Det gulvområde som en enkelt konvertert dopeovn og tilhørende utstyr (for en effektiv reaksjonssone på 76 cm) er ca. 6,5 til 7,5 m 2. Disse konverterte ovner egner seg dårlig for bruk ved fremstilling av avanserte integrerte kretskomponenter. Halvlederbrikkene for-urenses ofte og vrakprosenten er høy. Kraftbehovet er stort og enhetskapasiteten begrenses av den lange tid som kreves for å oppnå termisk likevekt. Det er således tidligere ikke vært tilgjengelig utstyr for fremstilling av presisjons-, høykvalitetsbelegg av den type som kreves i halvlederindustrien for de mest avanserte integrerte kretskomponenter, såsom VLSI-anordninger. Dette er en følge av de økede krav som stilles til jevne og homogene fysiske og elektriske egenskaper, såsom dielektrisk styrke, resistivitet o.l.
Foreliggende oppfinnelse vedrører en kjemisk pådampingsinnretning som innbefatter strålevarmekilder som i hovedsaken omgir et indre avsettings-reaksjonskammer og gir nøyaktig kontrollerbare betingelser i kammeret. Det indre avsettings-reaksjonskammer kan være et isotermisk kammer eller kan ha en nøyaktig styrt temperaturgradient, bestemt av operatøren. Dette indre avsettings-reaksjonskammer har et gassfordelings-system for innføring av gass i det indre kammer og for fjern-ing av gass derfra. Et vakuumkammer omgir det indre avsettings-reaksjonskammer, og vakuumkammerveggene har en avstand fra de indre kammervegger. Fortrinnsvis er vakuumkammeret utført med et kuppelformet hus, og dets vegger er av et materiale som i hovedsaken er strålegjennomtrengelig. Strålevarmekildene er fordelt over kuppelhusets ytterflate og er plassert for styrt oppvarming. Det er også anordnet bunn-strålevarmekilder, og disse kan være anordnet enten inne i vakuumkammeret eller utenfor dette. I en utførelsesform har vakuumkammerets bunn kuppelform. Ved å holde gasstrykket i rommet rundt det indre kammer høyere enn i det indre kammer, hindres unnslipping av gasskomponenter fra det indre kammer, og forurensende avleiringer på vakuumkammerets vegger reduseres.
Fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen, for kjemisk pådamping av materialet på et substrat, baserer seg på at en reaktant gass i en enkelt omgang føres over en substratflate med en strømnings-retning som i hovedsaken er parallell med flaten. Substratet er plassert i en reaksjonssone med kontrollert temperatur, hvilken sone har en avsettings-reaksjonstemperatur fra 250
til 1300°C og et trykk på 750 torr eller mindre, idet tempe-raturforskjellen på et hvilket som helst sted i reaksjons-
sonen er mindre enn 2°C i forhold til den ønskede jevne temperatur eller temperaturgradient. Avsettingsgassen fjernes fortrinnsvis etter at den har gått over flaten til et enkelt substrat. I enforetrukken utførelsesform orienteres substratene, såsom halvlederbrikker, slik at deres flater befinner seg i et vertikalplan, og reaktantgassen rettes fra en fordeler vertikalt gjennom brikkene og til en gassamler.
De kontrollerte temperaturbetingelser i reaksjonskammeret oppnås ved å varme det opp med strålevarmekilder som i hoved-
saken oppgir kammeret. Reaksjonskammerveggene er av materiale som i hovedsaken er strålegjennomtrengelig. Fordelaktig er reaksjonskammeret omgitt av et vakuumkammer som har en avstand fra reaksjonskammerveggene, og oppvarmingen skjer ved hjelp av strålevarmekilder som i hovedsaken omgir veggene i vakuumkammer et. Vakuumkammerveggen er av et materiale som i hovedsaken er strålegjennomtrengelig.
Det er en hensikt med oppfinnelsen å tilveiebringe et reelt
med styrt temperatur arbeidende kjemisk pådampingssystem
(dvs. et isotermisk system eller et system med en nøyaktig
styrt temperaturgradient) som gir en mer jevn og forurens-ningsfri avsetting på substratflåtene. En ytterligere hen-
sikt med oppfinnelsen er å tilveiebringe en innretning som opptar meget mindre gulvplass pr. enhet substratbeleggings-kapasitet. Nok en hensikt er å tilveiebringe et effektivt fyllesystem for innføring av substrater i reaksjonskammeret, slik at tiden fra innføringen av substratet og til uttagingen reduseres. Det er også en vesentlig hensikt med oppfinnelsen å muliggjøre en hurtig uttaging av komponenter i det indre
reaksjonskammer. Det er dessuten også en hensikt med oppfinnelsen å muliggjøre et kraftforbruk pr. belagt substrat som er vesentlig mindre enn ved de tidligere kjente innretninger .
På tegningene viser:
Fig. 1 et snitt gjennom en pådampingsinnretning ifølge oppfinnelsen, hvor såvel det øvre hus som bunnen er
kuppelformet,
fig. 2 viser et utsnitt av en flensutførelse i den i fig. 1
viste innretning,
fig. 3 viser et snitt etter linjen A-A-i fig. 1 og 2f fig. 4 viser et snitt gjennom en annen utførelsesform av innretningen ifølge oppfinnelsen, med et kuppel-
formet øvre hus og en plan bunnutførelse,
fig. 5 viser nok en utførelsesform av en innretning ifølge oppfinnelsen, med en strplevarmekilde plassert inne
i vakuumkammeret, mellom bunnen og reaksjonskammeret, fig. 6 viser et snitt gjennom en annen utførelsesform av oppfinnelsen, hvor det er benyttet strålevarme-lamper,
fig. 7 viser nok en utførelsesform av en innretning ifølge oppfinnelsen, med et kuppelformet øvre hus og bunn,
og
fig. 8 viser et utsnitt av en flensutførelse som benyttes
i innretningen i fig. 7.
Uttrykkene "kjemisk pådamping" og "CVD" som benyttes i denne tekst er ment å innbefatte modifikasjoner av prosessen med øking eller endring av reaktiviteten, de kjemiske egenskaper eller den kjemiske sammensetting av reaktantgassene, med bi-behold av de grunnleggende trekk ved kjemisk pådampingsteknikk. Slike prosesser som plasmaassistert kjemisk pådamping, uv-eksitert (ultrafiolett- eksitert) kjemisk pådamping, mikro-bølge-eksitert kjemisk pådamping og lignende, hvor reaktant-gassmolekylene konverteres til mer reaktive enheter, ligger således innenfor definisjonen kjemisk pådamping.
Uttrykket "strålevarmekilde" skal forståes å innbefatte
alle innretninger, systemer eller anordninger for oppvarming hvori det minste en del av varmen overføres ved stråling. Uttrykket innbefatter således varmeoverfør ing hvor det også forekommer leding og konveksjon. Den nevnte "strålevarmekilde" kan være et hvilket som helst materiale som har en høy temperatur, uten begrensninger med hensyn til hvordan temperaturøkingen foretas. Motstand-varmeelementer og-belegg, varmelamper, oppvarmede væsker og løsninger, og mikro-bølge- eller induksjonsoppvarmede materialer kan eksempelvis virke som "strålevarmekilde".
I fig. 1 er det vist et snitt gjennom en Utførelse av en kjemisk pådampingsinnretning ifølge oppfinnelsen. Vakuumkammeret 2 dannes av et kuppelformet hus 4 og en kuppelformet bunn 6. Motstands-oppvarmingselementet 8 er viklet rundt de sylindriske sidevegger og husets kuppeltopp, og rundt den kuppelformede basis 6 er det på utsiden viklet motstands-varmeelementer 10. Avstanden mellom varmeelementene 8 og 10 velges slik at man kan få styrte temperaturbetingelser (isotermiske betingelser eller styrte gradientbetingelser) inne i reaksjonskammeret 18. Mellom kuppelhuset 4 og ytterveggen 14 er det lagt inn isolasjonsmateriale 12, og isolasjonsmaterialet 12 er også lagt inn mellom ytterbunnen 16 og den kuppelformede bunn 6. CVD-reaksjonskammeret 18 begrenses av en kuppelformet reaksjonskammervegg 20 som går opp fra en reaksjonskammerbunn eller gassamler 22. Substratbærestenger 24 er festet til eller understøttet av gassamleren 22. Vertikalt orienterte substrater (såsom halvlederbrikker) 26 er plassert i skåler 25 som bæres av stenger 24. Reaktantgassfordeleren 28 til-føres gass gjennom en ledning 30 og fordeler den inngående reaktantgass i reaksjonskammeret 18. Ledningen 30 og gass-samleren 22 går gjennom gassystemveggen 32- som utgjør en del av den kuppelformede bunn 6.
Et spylegassinnløp 34 er anordnet i ringflensanordningen 36
hvor huset 4 og bunnen 6 holdes sammen på tett måte. For å hindre at tetningene ødelegges under påvirkning av den høye temperaturen i kammerveggene er flensringanordningen 36 forsynt med et sir kulasjonskjølesystem med kjølefluiduminnløp 38 og ikke viste kjølefluidumutløp. Som kjølefluidum kan eksempelvis anvendes vann eller luft.
En vakuumledning 35 kan benyttes for å redusere gasstrykket
i rommet mellom bunnen 6 og ytterbunnen 16 for om så anses påkrevet å avlaste spenningspåkjenningen på den kuppelformede bunn 6. Vakuumkammerveggen 4 har på sin innside fremspring 37 som samvirker med tilsvarende fremspring 39 på reaksjons-kammerveggén 20 for ee løfte reaksjonskammerveggen 20 og fri-legge substrat-fyllesonen når den øvre enhet fjernes for tømming og fylling.
Fig. 2 viser et forstørret utsnitt av flensarealet til innretningen i fig. 1. Flensringanordningen 36 innbefatter en øvre flensring 42 som har tettende kontakt med kanten til huset 4, idet det her er lagt inn en tetning 50. En mellom-flensring 44 har tettende kontakt med bunnflensen 48. Her er det lagt inn en tetning 52. En tetning 54 gir tetning mellom den øvre flensring 42 og mellomflensringen 44. En nedre flensring 58 ligger an mot flensen 48 på den kuppelformede bunn,
og her er det lagt inn en pakning 60 som gir vakuumtetning, mellom disse to delene. I den øvre flensring 42 er et kjøle-fluiduminnløp 62 hvorigjennom kjølrkanalene 64 tilføres kjøle-fluidum. Kjølefluiduminnløpet 66 er tilknyttet den nedre flensring 58 og tilfører kjølemiddel til kjølekanalen 68. Mellomflensringen 44 har en spylegass-innløpskanal 70. Tetningene 50, 52 og 54 kan være O-ringer utført av polymere materialer som beholder sine fysiske egenskaper ved høye temperaturer. Pakningen 60 kan være av et lignende polymert materiale. Tetningene kan også være metalltetninger.
Fig. 3 viser et snitt gjennom mellomflensringen etter linjen
A-A i fig. 1 og 2. Dette snittet viser kjølesirkulasjons-systemet. En kjølefluiduminnløpsledning 72 står i forbindelse med en ende av en kanal 74, og kjølefluidumutløpsled-ningen 76 står i forbindelse med den andre enden av kanalen 74. Spylegassinnløpskanalen 70 er plassert mellom kjølekanal-endene og står i forbindelse med spylegassinnløpsledningen 34. En vakuumledning 73 står i forbindelse med en vakuum-uttrekkskanal 75.
Innenfor den moderne halvlederindustri er avsettingsrenhet, absolutt forurensingsfrihet og jevn avsetting kritiske krav. Vanligvis må samtlige komponenter i pådampingsinnretningen, som vil kunne utgjøre mulige forurensningskilder, velges av materialer som er ikke-forurensende. I tillegg må visse komponenter i innretninger ifølge oppfinnelsen fortrinnsvis være laget av materialer som er i hovedsaken strålegjennomtrengelig, slik at man derved raskt kan oppnå kontrollerte temperaturbetingelser og effektiv kraftutnyttelse. Under henvisning til fig. 1 og 2 skal her derfor nevnes at kuppelhuset 4, kuppelbunnen 6, det kuppelformede reaksjonskammer 20, substratbæreren 24, skålene 25, reaktantgassledningen 30 og gassystem-veggen 32 fortrinnsvis er av kvartsglass med høy renhet eller av silikon. Silikon kan benyttes både i sin polykrystalline og sin enkeltkrystallform. Metall som utsettes for vakuum i kammeret, eksempelvis flensen 42, må
være et inert rustfritt stål, eksempelvis 316 rustfritt stål.
Ved en typisk driftssyklus vil systemet være forvarmet til ønsket driftstemperatur, vanligvis fra 250 til 1300°C. Varmeelementene 8 og 10 vil når de energiseres avgi stråler som går gjennom kvartsveggene i huset 4, bunnen 6 med veggen 32, gassamleren 22 og reaksjonskammervéggen 20. Derved stiger temperaturen raskt til det ønskede driftsnivå. De øvre komponenter i innretningen, dvs. huset 4 og de til-hørende varmeelementer 8, isolasjonsmaterialet 12 og ytterveggen 14 utgjør en enkelt enhet som når den løftes tar tak
1 fremspringene 36 og tar med seg reaksjonskammerveggen 20, slik at substrat-fyllesonen frilegges. Det indre avsettings-kammer 18 fylles så med vertikalt orienterte substrater 26
som monteres i skåler 25. Deretter senkes de øvre komponenter ned igjen til driftsstillingen. Vakuum settes på og kombi-nasjonen av vekt og lufttrykk vil da presse komponentene sammen, hvorved tetningen og pakningen sammenpresses og det oppnås en effektiv vakuumtetning. Trykket i vakuumkammeret 2 reduseres til mindre enn 0,00005 torr ved at gass trekkes ut gjennom gassamleren 22. Når temperaturen igjen har nådd likevekt på det ønskede nivå, innføres reaktantgass gjennom gassledningen 30 og fordeleren 28. Gassen går under påvirkning av overtrykket mellom de parallelle substratflater og til samleren 22. Gassene passerer sulbstratflåtene bare en gang og i en bane parallelt med flatene. Svekkingen av reaktant-ene i reaktantgassen begrenses derved til den som skjer i en enkelt omgang eller forbiføring. Dette gir en større jevnhet og styring av det avsatte belegg. Gassamleren 32
er forbundet med en vanlig vakuumpumpe med tilhørende vaskesystem (ikke vist). Et hvilket som helst vaskesystem som kan fjerne reaktantgasskomponenter og reaksjonsprodukter fra bærergassen kan benyttes, og likeledes kan en hvilket som helst egnet vakuumpumpe og tilhørende utstyr benyttes. Eksempler på gassblandinger, temperaturer og andre tilstander som kreves for de enkelte belegg finnes beskrevet i W.Brown et al, Soild State Technology, pp 51-57, 84 (July, 1979) og hos W.Kern et al, J.Vac.Sei.Technol., 14, 5 (1977).
Eksempler på prosessverdier ved gjennomsnittstemperaturer
er vist i den etterfølgende tabell.
De her gitte verdier er bare ment som eksempler og utgjør
ingen begrensning.
Spylegassen som skal føres inn gjenomm innløpet 34 er en gass som er kompatibel med reaktantgassen og kan eksempelvis være den samme som bærergassen. Gasstrykket i vakuumkammeret 2
på utsiden av reaksjonskammeret 18 er litt høyere enn trykket i kammeret 18. Derved hindres reaktantgass i å gå ut fra reaksjonskammeret 18 og inn i de omgivende deler av vakuumkammeret. Dette er vesentlig fordi innerflaten i huset 4 og for bunnen 6 kan ha samme temperatur som brikkene og således vil understøtte en avsettingsreaksjon. Slike avsettinger vil innføre forurensninger, absorbere vanndamp under fyllingen, og vil kunne redusere veggenes strålegjennomtrengningsegenskap (når det avsatte materiale er opakt), med tilhørende reduksjon av varmevirkningen. I det nye system er derfor avsettingen begrenset til substratet og til de komponenter som ligger utsatt til i reaksjonskammeret, nemlig reaksjonskammerveggen 20, gassamleren 22 med substrat 17, 24, og skålene 25. Be-lagte komponenter kan raskt byttes ut med rene komponenter,
og de brukte komponentene kan rengjøres for gjentatt anvendelse, uten at man behøver å avbryte driften av systemet. Det er således et kritisk aspekt ved oppfinnelsen at de indre reak-sjonskammerkomponenter er utført slik at de lett kan demonteres og fjernes for rengjøring.
I fig. 4 er det vist en annen utførelse av en innretning ifølge oppfinnelsen. Vakuumkammeret 80 dannes av et kuppelformet hus 82 og en plan bunn 84, fortrinnsvis fremstilt av kvarts, silikon eller lignende inerte og strålingsgjennomtrengelige materialer. Varmeelementer 86 er viklet rundt yttersiden av huset 82. Strålevarmelampen 88 , det kan dreie seg om wolframfilament-lamper eller halogenlamper med parabolske reflektorer, er plassert under bunnen 84 og er slik orientert at de retter strålene mot reaksjonskammeret 96. Varmeelementene 86 og varmelampene 88 er avstandsplassert for å gi styrte temperaturbetingelser i reaksjonskammeret 96 som er omgitt av strålevarmekildene. Isolasjonmaterialet 90 utfyller rommet mellom huset 82 og ytterveggen 92.
Det indre avsettings-reaksjonskammer 96 begrenses av en reaksjonskammervegg 98 som er plassert over gassamleren 102. Substrat-bærestenger 104 som er festet til gassamleren 102 bærer skåler 106 hvor substratene 108 er plassert med vertikal orientering. Gassfordeleren 110 tilføres gass gjennom reaktantgassledningen 112. Gassfordelingssystemet åpner mot vakuumkammeret gjennom gassystemveggen 114 som utgjør en del av eller er festet til bunnen 84.
Et spylegassinnløp 116 er plassert i ringflensanordningen 118. Huset 82 og bunnen 84 holdes tett sammen ved hjelp av denne anordning 118. Kjølefluidum sirkuleres gjennom ringflens-komponentene via egnede innløp og utløp (ikke vist), på samme måte som vist i fig. 2 og 3. Kjølesystemet beskytter tetningene mot termiske skader.
Fig. 5 viser nok en mulig utførelsesform av innretningen i-følge oppfinnelsen. Vakuumkammeret 130 dannes her av et kuppelformet hus 132 og en bunn 134. Huset 132 og bunnen 134 er fortrinnsvis laget av kvarts, silikon eller et annet inert eller kompatibelt materiale. Varmelementene 136 er viklet rundt utsiden av huset 132. Varmeelementene 138 er forseglet i kvarts for å isolere elementene og kan eksempelvist være forseglet i oppviklede kvartsrør eller være forseglet mellom to sammensmeltede kvartsplater. Den elektriske strømtilførsel skjer hensiktsmessig ved hjelp av beskyttede, ikke viste kabler. Varmeelementene 138 bæres av en plate 139. Varmekildene 136
og 138 er avstandsplasserte for derved å gi styrte temperaturbetingelser inne i reaksjonskammeret 146. Isolasjonsmaterialet 140 fyller ut rommet mellom huset 132 og ytterveggen 142 og rommet mellom bunnen 134 og den ytre bunn 144.
Det indre avsettings-reaksjonskammer 146 begrenses av den kuppelformede reaksjonskammervegg 148 og av gassamleren 150. Substrat-bærestengene 142 bærer skåler 144 som holder substratene 156 i en vertikal orientering. Disse komponenter er fortrinnsvis fremstilt av kvarts. Reaktantgassfordeleren 158 tilføres reaktantgass gjennom ledningen 160. Også her har man en yttervegg 162 for gasstransport.
Spylegass tilføres gjennom et spylegassinnløp 164. Ringflensanordningen 166 gir tetning mellom vakuumkammerets øvre og nedre komponenter. Flensringanordningen 166 er forsynt med ikke viste kjøemiddelinnløp og- utløp. Kjølingen beskytter tetningene på samme måte som beskrevet foran i forbindelse med fig. 2 og 3.
Fig. 6 viser et snitt gjennom nok en utførelsesform av oppfinnelsen, hvor det benyttes strålevarmelamper. Vakuumkammeret 180 begrenses av det kuppelformede øvre hus 182
og av en bunn 184. Strålevarmere 186 er plassert rundt huset 182 og under bunnen 184. To av de fire kvadranter er vist. Strålevarmerne 186 er avstandsplassert og anordnet slik at det kan oppnås en nøyaktig styrt temperatur i reaksjonskammeret 186. Flensringanordningen 180 gir tetnings-samvirke mellom huset 182 og bunnen 184. Et spylegassinnløp 192 og kjølefluiduminnløp og- utløp (ikke vist) er anordnet på samme måte som beskrevet foran i forbindelse med fig. 2
og 3.
Det indre avsettings-reaksjonskammer 186 og de tilhørende elementer som er vist i fig. 6 har samme utførelse som beskrevet foran i forbindelse med eksempelvis fig. 1. Også her er det en gassfordelingsvegg 194 som omgir reaksjonsgassinnløpsledningen 190 og virker som gassutløp.
Fig. 7 er et snitt gjennom nok en utførelsesform av en innretning ifølge oppfinnelsen. Vakuumkammeret 220 dannes her av et kuppelformet hus 222 og en kuppelformet bunn 224. Varmeelementer 226 og 228 er viklet rundt ytterflatene til henholdsvis huset og bunnen og gir mulighet for nøyaktig temperaturstyr ing i reaksjonskammeret 236., Isolasjonsmaterialet 230 holdes på plass mellom huset 222 og en omgivende yttervegg 232, og på samme måte er det mellom bunnen 224 og en tilhørende yttervegg 234 lagt inn isolasjonsmateriale.230.
Det indre avsettings-reaksjonskammer 236 har samme utførelse
og funksjon som foran beskrevet.
Gassfordelingsveggen 238 strekker seg opp gjennom bunnen og
er ført tett gjennom denne. Reaktantgassledningen 240 strekker seg opp inne i rommet som omsluttes av denne vegg 238. Et spylegassinnløp 242 sørger for innføring av spylegass som foran nevnt. Flensringanordningen 244, spylegassinløpet, kjøle-fluiduminnløp og tetninger er vist i fig. 8.
Fig. 8 viser et utsnitt av flensringanordningen 244 i fig. 7. Det øvre flensringtoppsegment 260 har en pakning 271, eksempelvis en O-r ing, mellom seg og husflensen 268. Det øvre flensringbunnsegment 262 har en tetning 272 mellom seg og husflensen 268. Når toppsegmentet 260 og bunnsegmentet 262 presses mot hverandre ved hjelp av bolten 278 vil tetningen 272 komprimeres og det tilveiebringes en vakkumtetning mellom disse komponenter. På lignende måte er det mellom det nedre flensringtoppsegment 264 og bunnflensen 270 anordnet en tetning 273. Det nedre flensringbunnsegment 266 har en pakning 274 mellom seg og og bunnflensen 270. Under kompresjonsvirkning utøvet av bolten 280 vil topp- og bunnsegmenter i den nedre flensring presses sammen. Tetningen 273 settes derved under kompresjon og gir en vakuumtetning mellom de motliggende flater. Nok en tetning 276 er plassert mellom det øvre flensringbunnsegment 262 og det nedre flensringtoppsegment 264. Disse tetninger kan være elastomere O-ringer eller metalltetninger med ulike muligheter for tverrsnittsutformingen, herunder X, E, D og runde tverr-snittsformer. Når den settes under kompresjon under påvirkning av vekten til det øvre hus 279 og under påvirkning av luft-trykket (når kammeret 220 evakueres) vil tetningen 276 gi en vakuumtetning. Flensringene er forsynt med kjøleinnløp 282, 284, 286 og 288. Kjøefluidet sirkulerer gjennom flens-elementene og holder dem på en temperatur som er nødvendig for å beskytte de forskjellige tetninger og pakninger mot overheting.
Innretningen ifølge oppfinnelsen byr på flere fordeler sammenlignet med tidligere kjente systemer. Gulvplassbehovet er redusert med 85%, og en typisk enhet opptar ikke mer plass enn 1,35 m 2. Elimineringen av de lange sylindriske kammerne som man kjenner fra konverterte dopeovner har også forenklet tømming og fylling. Den hensiktsmessige demonteringsprosedyre muliggjør en rask fylling med minimale varmetap, og syklustiden reduseres vesentlig. Tilsølte reaktorkomponenter kan byttes ut og rengjøres under en standard fyllesyklus, og man kan opprettholde et meget rent og forurensningsfritt avsetningsmiljø.
Det reaktormiljøet som man oppnår med innretningen ifølge oppfinnelsen er overlegen det man kjenner fra de tidligere kjente systemer. Ved eksempelvis 300°C vil temperatur-likevekten i hovedsaken være oppnådd etter 20 min. lukking av beholderen, sammenlignet med 70 min. for standard varmvegg-enheter. Etter 30 min. vil temperaturvariasjonen inne i reaktorkammeret være mindre enn 2°C (for isotermiske betingelser eller mindre enn 2°C med utgangspunkt i den ønskede gradient når en temperaturgradient er ønske.) Dette er meget bedre enn de verdier man kjenner fra tidligere varm-veggovner, hvor man etter 90 min. har variasjoner som er større enn 4°C. Systemets virkningsgrad med hensyn til kraftforbruket økes nesten ti ganger. Ved 300°C vil tidligere kjente systemer vanligvis ha et driftskraftbehov som overskrider 2000 W pr. enhet. Den nye innretning ifølge oppfinnelsen har et kraftforbruk på mindre enn 200 W.

Claims (15)

1. Avsettingsinnretning med styrt temperatur, karakterisert ved at den innbefatter strålevarmemidler som i hovedsaken omgir et indre avsettings-reaksjonskammer for derved å tilveiebringe nøyaktig styrte temperaturbetingelser deri, idet det indre avsettings-reaksjonskammer har gassfordelingsmidler for innføring av gass i det indre kammer og uttak av gass derfra, og ved at det indre avsettings-reaksjonskammer er omgitt av en vakuumkammeranordning som er anordnet i en avstand fra reaksjonskammerets vegg, for derved å opprettholde et medium-vakuum deri.
2. Kjemisk pådampingsinnretning ifølge krav 1, karakterisert ved at vakuumkammeranordningen innbefatter et kuppelformet hus og en dermed samvirkende bunn, idet materialet i huset og bunnen er i hovedsaken strålegjennomtrengelig og strålevarmemidler er plassert over ytterflaten til det kuppelformede hus og bunnen for derved å gi nøyaktig styrte temperaturer i reaksjonskammeret.
3. Kjemisk pådampingsinnretning ifølge krav 2, karakterisert ved at bunnen innbefatter en kuppelformet veggdel. .
4. Kjemisk pådampingsinnretning ifølge krav ^ karakterisert ved at vakuumkammeranordningen innbefatter et kuppelformet hus og en dermed samvirkende bunn, idet materialet i huset og bunnen er i hovedsaken strålegjennomtrengelig og strålevarmemidler er plassert over ytterflaten til det kuppelformede hus og mellom bunnen og reaksjonskammeret for tilveiebringelse av nøyaktig styrte temperaturer i reaksjonskammeret.
5. Kjemisk pådampingsinnretning ifølge krav ^ karakterisert ved at det indre avsettings-reaksjonskammer begrenses av innervegger som har en avstand i fra vakuumkammeranordningen, hvilke innervegger er av et materiale som i hovedsaken er strålegjennomtrengelig.
6. Kjemisk pådampingsinnretning ifølge krav 5, karakterisert ved at gassfordelingsmidlene innbefatter en gassfordeler og en gassamler på motsatte sider av en substratbeleggingssone for opptak av substrater.
7. Kjemisk pådampingsinnretning ifølge krav 6, karakterisert ved at gassfordeleren og gassamleren utgjør midler for retting av reaktantgasser i en enkelt omgang parallelt med substratflaten på vertikalt orienterte substrater, hvorved endringer i reaktantgass-sammensetningen minimaliseres.
8. Kjemisk pådampingsinnretning ifølge krav 5, karakterisert ved at en spylegass-trykkanordning er plassert mellom vakuumkammeret og innerkammerveggene for å hindre utslipping av gassformede komponenter fra det indre kammer.
9. Kjemisk pådampingsinnretning ifølge krav 2, karakterisert ved tetningsmidler tilknyttet huset og bunnen for tilveiebringelse av en vakuumtetning mellom disse, hvilke tetningsmidler innbefatter sirkulerende fluidum-kjøemidler for å hindre termiske skader på tetningene.
10. Fremgangsmåte for kjemisk pådamping med styrt temperatur på en substratflate, karakterisert ved at substratflaten bringes i kontakt med reaktantgass som strømmer i en retning parallelt med substratflaten i en reaksjonssone med styrt temperatur, i hvilken sone det hersker en temperatur på fra 250 til 1300°C og et trykk på mindre enn 750 mm Hg, hvor-hos temperaturforskjellene i reaksjonssonen er mindre enn 2°C sammenlignet med valgte temperaturer, idet-avsetningsgass fjernes etter at den har gått over en enkelt substratflate.
11. Fremgangsmåte ifølge krav 10, . karakterisert ved at reaksjonssonen er en isotermisk reaksjonssone og at temperaturforskjellene i reaksjonssonen er mindre enn 2°C.
12. Fremgangsmåte ifølge krav 10, karakterisert ved at flere substrater er vertikalt orientert i et plan i et reaksjonskammer med styrt temperatur, og at reaktantgassen strømmer over substratflåtene i en vertikal retning.
13. Fremgangsmåte ifølge krav 12, karakterisert ved at den styrte temperatur i reaksjonskammeret oppnås ved oppvarming ved hjelp av stråler fra strålevarmekilder som i hovedsaken omgir reaksjonskammeret, idet reaksjonskammer-1 veggene er av et materiale som i hovedsaken er strålegjennomtrengelig.
14. Fremgangsmåte ifølge krav 13, karakterisert ved at reaksjonskammeret er omgitt av et vakuumkammerhus i en avstand fra reaksjonskammerveggene, idet veggene i vakuumkammer et er bygget opp av et materiale som i hovedsaken er strålegjennomtrengelig, idet strålingen tas fra strålevarmemidler som i hovedsaken omgir vakuumkammerhuset.
15. Fremgangsmåte ifølge krav 14, karakterisert ved at den spylegass som er kompatibel med reaktantgassen innføres i rommet mellom vakuumkammerhuset og reaksjonskammeret, idet trykket i vakuumkammeret utenfor reaksjonskammeret holdes på et høyere nivå enn gasstrykket inne i reaksjonskammeret, slik at derved reaktantgasslekkasje fra reaksjonskammeret og resulterende avsettinger på vakuumkammerhuset hindres.
NO832366A 1982-08-27 1983-06-29 Kjemisk paadampningsinnretning og fremgangsmaate. NO832366L (no)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/412,237 US4545327A (en) 1982-08-27 1982-08-27 Chemical vapor deposition apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NO832366L true NO832366L (no) 1984-02-28

Family

ID=23632185

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NO832366A NO832366L (no) 1982-08-27 1983-06-29 Kjemisk paadampningsinnretning og fremgangsmaate.

Country Status (17)

Country Link
US (1) US4545327A (no)
EP (1) EP0104764B1 (no)
JP (1) JPS5959878A (no)
KR (1) KR880000472B1 (no)
AT (1) ATE47894T1 (no)
AU (1) AU538152B2 (no)
BR (1) BR8304635A (no)
CA (1) CA1196777A (no)
DE (1) DE3380823D1 (no)
DK (1) DK383683A (no)
ES (2) ES8600086A1 (no)
IL (1) IL69170A (no)
IN (1) IN159736B (no)
NO (1) NO832366L (no)
PT (1) PT77245B (no)
YU (1) YU175883A (no)
ZA (1) ZA835184B (no)

Families Citing this family (72)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6097622A (ja) * 1983-11-01 1985-05-31 Toshiba Mach Co Ltd エピタキシヤル装置
US4539933A (en) * 1983-08-31 1985-09-10 Anicon, Inc. Chemical vapor deposition apparatus
DE3502592A1 (de) * 1985-01-26 1986-07-31 Rotring-Werke Riepe Kg, 2000 Hamburg Roehrchenschreibgeraet
CA1251100A (en) * 1985-05-17 1989-03-14 Richard Cloutier Chemical vapor deposition
FR2589168B1 (fr) * 1985-10-25 1992-07-17 Solems Sa Appareil et son procede d'utilisation pour la formation de films minces assistee par plasma
DE3539981C1 (de) * 1985-11-11 1987-06-11 Telog Systems Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung von Halbleitermaterialien
US4965515A (en) * 1986-10-15 1990-10-23 Tokyo Electron Limited Apparatus and method of testing a semiconductor wafer
DE8704734U1 (de) * 1987-03-31 1987-05-14 plasma-electronic GmbH + Co, 7024 Filderstadt Vakuumkammer zur Behandlung der Oberflächen von insbesondere Substraten od.dgl. mittels ionisierter Gase
US4975561A (en) * 1987-06-18 1990-12-04 Epsilon Technology Inc. Heating system for substrates
FR2618799B1 (fr) * 1987-07-27 1989-12-29 Inst Nat Rech Chimique Reacteur de depot en phase vapeur
EP0307608B1 (de) * 1987-09-16 1992-05-13 Siemens Aktiengesellschaft Anordnung zur Durchführung eines Ausheilprozesses an einer Halbleiterscheibe und Verfahren zum Ausheilen einer Halbleiterscheibe
US5169478A (en) * 1987-10-08 1992-12-08 Friendtech Laboratory, Ltd. Apparatus for manufacturing semiconductor devices
US4854266A (en) * 1987-11-02 1989-08-08 Btu Engineering Corporation Cross-flow diffusion furnace
KR890008922A (ko) * 1987-11-21 1989-07-13 후세 노보루 열처리 장치
US4914276A (en) * 1988-05-12 1990-04-03 Princeton Scientific Enterprises, Inc. Efficient high temperature radiant furnace
KR0155545B1 (ko) * 1988-06-27 1998-12-01 고다까 토시오 기판의 열처리 장치
KR0152260B1 (ko) * 1988-07-08 1998-12-15 고다까 토시오 프로우브 장치
US4931306A (en) * 1988-11-25 1990-06-05 Vapor Technologies Inc. High penetration deposition process and apparatus
US5059770A (en) * 1989-09-19 1991-10-22 Watkins-Johnson Company Multi-zone planar heater assembly and method of operation
US5108792A (en) * 1990-03-09 1992-04-28 Applied Materials, Inc. Double-dome reactor for semiconductor processing
US5071670A (en) * 1990-06-11 1991-12-10 Kelly Michael A Method for chemical vapor deposition under a single reactor vessel divided into separate reaction chambers each with its own depositing and exhausting means
US5179677A (en) * 1990-08-16 1993-01-12 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for substrate heating utilizing various infrared means to achieve uniform intensity
US5085887A (en) * 1990-09-07 1992-02-04 Applied Materials, Inc. Wafer reactor vessel window with pressure-thermal compensation
US5320680A (en) * 1991-04-25 1994-06-14 Silicon Valley Group, Inc. Primary flow CVD apparatus comprising gas preheater and means for substantially eddy-free gas flow
US5461214A (en) * 1992-06-15 1995-10-24 Thermtec, Inc. High performance horizontal diffusion furnace system
US5580388A (en) * 1993-01-21 1996-12-03 Moore Epitaxial, Inc. Multi-layer susceptor for rapid thermal process reactors
US5444217A (en) * 1993-01-21 1995-08-22 Moore Epitaxial Inc. Rapid thermal processing apparatus for processing semiconductor wafers
AU8011394A (en) * 1993-10-13 1995-05-04 Materials Research Corporation Vacuum seal of heating window to housing in wafer heat processing machine
US5575856A (en) * 1994-05-11 1996-11-19 Sony Corporation Thermal cycle resistant seal and method of sealing for use with semiconductor wafer processing apparatus
US6093252A (en) 1995-08-03 2000-07-25 Asm America, Inc. Process chamber with inner support
WO1997008356A2 (en) * 1995-08-18 1997-03-06 The Regents Of The University Of California Modified metalorganic chemical vapor deposition of group iii-v thin layers
US5782980A (en) * 1996-05-14 1998-07-21 Advanced Micro Devices, Inc. Low pressure chemical vapor deposition apparatus including a process gas heating subsystem
US6024393A (en) * 1996-11-04 2000-02-15 Applied Materials, Inc. Robot blade for handling of semiconductor substrate
US5960158A (en) * 1997-07-11 1999-09-28 Ag Associates Apparatus and method for filtering light in a thermal processing chamber
US6780464B2 (en) * 1997-08-11 2004-08-24 Torrex Equipment Thermal gradient enhanced CVD deposition at low pressure
US5930456A (en) * 1998-05-14 1999-07-27 Ag Associates Heating device for semiconductor wafers
US5970214A (en) * 1998-05-14 1999-10-19 Ag Associates Heating device for semiconductor wafers
US6210484B1 (en) 1998-09-09 2001-04-03 Steag Rtp Systems, Inc. Heating device containing a multi-lamp cone for heating semiconductor wafers
US6771895B2 (en) 1999-01-06 2004-08-03 Mattson Technology, Inc. Heating device for heating semiconductor wafers in thermal processing chambers
US6281141B1 (en) 1999-02-08 2001-08-28 Steag Rtp Systems, Inc. Process for forming thin dielectric layers in semiconductor devices
US6383330B1 (en) 1999-09-10 2002-05-07 Asm America, Inc. Quartz wafer processing chamber
WO2002049395A2 (en) * 2000-12-12 2002-06-20 Tokyo Electron Limited Rapid thermal processing lamp and method for manufacturing the same
US7378127B2 (en) * 2001-03-13 2008-05-27 Micron Technology, Inc. Chemical vapor deposition methods
CN1405863A (zh) * 2001-08-20 2003-03-26 Asml美国公司 在反应室中隔离密封件的方法和装置
KR100431657B1 (ko) * 2001-09-25 2004-05-17 삼성전자주식회사 웨이퍼의 처리 방법 및 처리 장치, 그리고 웨이퍼의 식각방법 및 식각 장치
US7390366B2 (en) * 2001-11-05 2008-06-24 Jusung Engineering Co., Ltd. Apparatus for chemical vapor deposition
JP3984820B2 (ja) * 2001-11-16 2007-10-03 株式会社神戸製鋼所 縦型減圧cvd装置
KR100453014B1 (ko) * 2001-12-26 2004-10-14 주성엔지니어링(주) Cvd 장치
JP2003213421A (ja) * 2002-01-21 2003-07-30 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
US7229666B2 (en) * 2002-01-22 2007-06-12 Micron Technology, Inc. Chemical vapor deposition method
US6787185B2 (en) * 2002-02-25 2004-09-07 Micron Technology, Inc. Deposition methods for improved delivery of metastable species
JP4157718B2 (ja) * 2002-04-22 2008-10-01 キヤノンアネルバ株式会社 窒化シリコン膜作製方法及び窒化シリコン膜作製装置
US7468104B2 (en) * 2002-05-17 2008-12-23 Micron Technology, Inc. Chemical vapor deposition apparatus and deposition method
US6887521B2 (en) * 2002-08-15 2005-05-03 Micron Technology, Inc. Gas delivery system for pulsed-type deposition processes used in the manufacturing of micro-devices
US20040052969A1 (en) * 2002-09-16 2004-03-18 Applied Materials, Inc. Methods for operating a chemical vapor deposition chamber using a heated gas distribution plate
US6946033B2 (en) * 2002-09-16 2005-09-20 Applied Materials Inc. Heated gas distribution plate for a processing chamber
KR100481874B1 (ko) * 2003-02-05 2005-04-11 삼성전자주식회사 집적회로 제조에 사용되는 확산로 및 확산로의 냉각방법
DE10320597A1 (de) * 2003-04-30 2004-12-02 Aixtron Ag Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von Halbleiterschichten mit zwei Prozessgasen, von denen das eine vorkonditioniert ist
US20040244949A1 (en) * 2003-05-30 2004-12-09 Tokyo Electron Limited Temperature controlled shield ring
US20050098107A1 (en) * 2003-09-24 2005-05-12 Du Bois Dale R. Thermal processing system with cross-flow liner
US7169233B2 (en) 2003-11-21 2007-01-30 Asm America, Inc. Reactor chamber
US7615061B2 (en) 2006-02-28 2009-11-10 Arthrocare Corporation Bone anchor suture-loading system, method and apparatus
CA2675532A1 (en) 2007-02-01 2008-08-07 James E. Heider System and method for glass sheet semiconductor coating and resultant product
US20090191031A1 (en) * 2008-01-28 2009-07-30 Willard & Kelsey Solar Group, Llc System and method for cooling semiconductor coated hot glass sheets
US9169554B2 (en) * 2008-05-30 2015-10-27 Alta Devices, Inc. Wafer carrier track
JP5043776B2 (ja) * 2008-08-08 2012-10-10 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
CN102422394B (zh) 2009-03-16 2015-10-14 奥塔装置公司 用于气相沉积的反应器盖子组件
US8338210B2 (en) 2010-06-14 2012-12-25 Asm International N.V. Method for processing solar cell substrates
JP5541274B2 (ja) * 2011-12-28 2014-07-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
US20130196053A1 (en) * 2012-01-10 2013-08-01 State of Oregon acting by and through the State Board of Higher Education on behalf of Oregon Stat Flow cell design for uniform residence time fluid flow
US10100409B2 (en) 2015-02-11 2018-10-16 United Technologies Corporation Isothermal warm wall CVD reactor
DE102015220127A1 (de) * 2015-10-15 2017-04-20 Wacker Chemie Ag Vorrichtung zur Isolierung und Abdichtung von Elektrodenhalterungen in CVD Reaktoren

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1245334B (de) * 1962-08-30 1967-07-27 Siemens Ag Vorrichtung zur Herstellung von Halbleitereinkristallen durch Abscheiden aus der Gasphase
DE1244733B (de) * 1963-11-05 1967-07-20 Siemens Ag Vorrichtung zum Aufwachsen einkristalliner Halbleitermaterialschichten auf einkristallinen Grundkoerpern
US3456616A (en) * 1968-05-08 1969-07-22 Texas Instruments Inc Vapor deposition apparatus including orbital substrate support
DE1929422B2 (de) * 1969-06-10 1974-08-15 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Vorrichtung zum epitaktischen Abscheiden von Halbleitermaterial
GB1331912A (en) * 1971-03-12 1973-09-26 Unisearch Ltd Furnaces for production of planar transistors and integrated circuits
FR2134220A1 (fr) * 1971-04-27 1972-12-08 Snecma Procede en phase vapeur pour le recouvrement de surfaces au moyen de derives du titane
US3830194A (en) * 1972-09-28 1974-08-20 Applied Materials Tech Susceptor support structure and docking assembly
GB1452076A (en) * 1972-11-29 1976-10-06 Applied Materials Inc Process and apparatus for preparing semiconductor wafers without crystallographic slip
US3913738A (en) * 1973-05-03 1975-10-21 Illinois Tool Works Multi container package and carrier
US4098923A (en) * 1976-06-07 1978-07-04 Motorola, Inc. Pyrolytic deposition of silicon dioxide on semiconductors using a shrouded boat
JPS5337186A (en) * 1976-09-17 1978-04-06 Hitachi Ltd Chemical gas phase accumulating method
JPS5821025B2 (ja) * 1976-10-20 1983-04-26 松下電器産業株式会社 気相化学蒸着装置
US4348580A (en) * 1980-05-07 1982-09-07 Tylan Corporation Energy efficient furnace with movable end wall
US4309240A (en) * 1980-05-16 1982-01-05 Advanced Crystal Sciences, Inc. Process for chemical vapor deposition of films on silicon wafers
GB2089840B (en) * 1980-12-20 1983-12-14 Cambridge Instr Ltd Chemical vapour deposition apparatus incorporating radiant heat source for substrate

Also Published As

Publication number Publication date
AU1848083A (en) 1984-03-01
YU175883A (en) 1986-04-30
CA1196777A (en) 1985-11-19
IL69170A (en) 1987-03-31
ES525174A0 (es) 1985-10-01
KR880000472B1 (ko) 1988-04-07
JPS6256232B2 (no) 1987-11-25
DE3380823D1 (en) 1989-12-14
DK383683A (da) 1984-02-28
EP0104764B1 (en) 1989-11-08
EP0104764A2 (en) 1984-04-04
BR8304635A (pt) 1984-04-10
EP0104764A3 (en) 1984-05-16
ES8607761A1 (es) 1986-06-01
PT77245A (en) 1983-09-01
AU538152B2 (en) 1984-08-02
PT77245B (en) 1986-02-12
ZA835184B (en) 1984-03-28
ES540894A0 (es) 1986-06-01
ES8600086A1 (es) 1985-10-01
IN159736B (no) 1987-06-06
DK383683D0 (da) 1983-08-22
KR840005751A (ko) 1984-11-15
IL69170A0 (en) 1983-11-30
US4545327A (en) 1985-10-08
JPS5959878A (ja) 1984-04-05
ATE47894T1 (de) 1989-11-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NO832366L (no) Kjemisk paadampningsinnretning og fremgangsmaate.
EP0137702B1 (en) Chemical vapor deposition apparatus
US3796182A (en) Susceptor structure for chemical vapor deposition reactor
US4640223A (en) Chemical vapor deposition reactor
KR101046043B1 (ko) 노용 다중 구역 히터
EP0393809A2 (en) Pressure resistant thermal reactor system for semiconductor processing
JPH0728963U (ja) 化学的蒸着装置
US7381926B2 (en) Removable heater
KR20020061714A (ko) 샤워 헤드 및 이를 포함하는 박막 형성 장비
US8192547B2 (en) Thermally isolated cryopanel for vacuum deposition systems
CN102317500A (zh) 化学气相沉积系统和工艺
US4547404A (en) Chemical vapor deposition process
JP2021184462A (ja) 基板処理のためのフランジおよび装置
KR20070013364A (ko) 화학 기상 증착장치의 히터모듈
JP2004214283A (ja) 半導体製造装置
US5283414A (en) Plasma treatment apparatus
US4318889A (en) Impermeable cooled closing plug for processing tubes, in particular in semiconductor manufacture
JPH07273101A (ja) 枚葉式熱処理装置
KR100286330B1 (ko) 반도체의유체접촉방식복사가열장치
CA1236970A (en) Chemical vapor deposition apparatus
KR20070001639A (ko) 반도체 소자의 제조에 사용되는 종형 확산로
JPS63137416A (ja) 真空断熱加熱炉
IL305703A (en) A method for producing semiconductor wafers with an epitaxial layer in a deposition reactor cell
KR20060086601A (ko) 반도체 제조설비