KR840005751A - 화학 증착 장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

화학 증착 장치 및 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 상부 하우징(housing)및 저부가 돔형(domed) 구조로 된 본 발명의 화학 증착 장치(CVD 장치)의 횡단면도.
제2도는 제1도에 도시한 CVD 장치의 플랜지(flange) 구조를 상세하게 도시한 부분 횡단면도.
제3도는 제1도 및 제2도의 선 A-A를 따라 절취하여 도시한 횡단면도.
제4도는 돔형 상부 하우징 및 평평한 저부구조를 갖고 있는 본 발명의DVD 장치의 다른 실시예의 횡단면도.
제5도는 저부와 반응실 사이의 진공실내에 배치된 복사 가열원을 갖고 있는 본 발명의 CVD 장치의 또 다른 실시예의 도시한 도면.
제6도는 방사 가열 램프 원을 포함하는 본 발명의 다른 실시예의 횡단면도.
제7도는 돔형 상부 하우징 및 저부 구조를 갖고 있는 본 발명의 CVD장치의 또 다른 실시예를 도시한 도면.
제8도는 제7도에 도시한 장치의 플랜지 구조를 상세하게 도시한 부분 횡단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
2 : 진공실 4 : 돔형 하우징
6 : 돔형 저부 8, 10 : 저항 가열 소자
12 : 절연 물질 14 : 상부 케이싱
16 : 저부 케이싱 18 : 반응실
20 : 돔형 반응실 벽 22 : 개스 수집기
24 : 기질 지지로드(rod) 26 : 기질
28 : 반응 개스 분배기 30 : 도관
32 : 개스 시스템 케이싱 34 : 정화 개스 입구
36 : 환상 플랜지 링(ring) 조립체 37 : 돌출부
38, 62, 66 : 냉각액 입구 39 : 러그(lug) 돌출부
42 : 상부 플랜지링 44 : 중간 플랜지 링
48 : 돔형 저부 플랜지 50, 52, 54 : 미리봉 부재(seal)
58 : 저부 플랜지 링 60 : 가스켓(gasket)
64, 68 : 냉각제 통로(channel) 70 : 정화개스 입구 통로
72 : 냉각액 입구 도관 74 : 통로
75 : 진공 배기 통로 76 : 냉각액 출구 도관

Claims (16)

  1. 내부 증착 반응실내에 정확히 제어된 온도조건을 제공 하기 위해 내부 증착 반응실을 둘러싸고 있는 복사 가열장치, 개스를 내부 반응실내로 유입시키고 이 반응실로부터 개스를 제거하기 위한 개스 분배 장치를 갖고 있는 내부 증착 반응실 및 내부 증착 반응실내에 중간 진공을 유지하기 위해 내부 증착 반응실을 둘러 싸고 이 내부 증착 반응실의 벽으로부터 떨어져 있는 진공실 장치로 구성된 온도 제어 중착 장치을 특징으로 하는 화학 중착 장치.
  2. 제1항에 있어서, 진공실 장치가 돔형 하우징 및 이 하우징과 결합되는 저부로 구성되고, 돔형 하우징 및 저부를 형성하는 물질이 복사선을 투과시키며, 상기 복사 가열 장치가 반응실내에 정확히 제어된 온도를 제공하기 위해 돔형 하우징 및 저부의 외부 표면상에 배치되는 것을 특징으로 하는 화학 증착 장치.
  3. 제2항에 있어서, 저부가 돔형 벽부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 중착 장치.
  4. 제1항에 있어서, 진공실 장치가 돔형 하우징 및 이 하우징과 결합되는 저부를 포함하고, 돔형 하우징 및 저부의 물질이 복사선을 투과시키며, 상기 복사 가열 장치가 반응실내에 정확히 제어된 온도를 제공하기 위해 돔형 하우징의 외부 표면상 및 저부와 반응실 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 화학 증착 장치.
  5. 제1항에 있어서, 내부 증착 반응실이 상기 진공실 장치로부터 격설되어 있고 복사선을 투과시키는 물질로 된 내부 벽들로 형성되는 것을 특징으로 하는 화학 증착 장치.
  6. 제5항에 있어서, 개스 분배 장치가 기질을 수용하기 위해 기질 피막 지역의 대향 측면상에서 개스 분배기 및 개스 수집기를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 증착 장치.
  7. 제6항에 있어서, 개스 분배기 및 개스 수집기가 수직 배향기질의 기질 표면에 평행한 단일 통로로 반응물 개스를 보내기 위한 장치를 구성함으로써 반응물 개스 혼합물내의 변화가 최소화되는 것을 특징으로 하는 화학 증착 장치.
  8. 제5항에 있어서, 정압 정화 개스 압력 장치가 내부 반응실로부터 가스성 성분이 빠져나가는 것을 방지하기 위해 진공실과 내부 반응실 벽 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 화학 증착 장치.
  9. 제2항에 있어서, 하우징과 저부 사이를 효율적으로 진공 밀봉시키기 위해 하우징 및 저부와 결합되고, 밀봉 부재가 열에의해 손상되는 것을 방지하기 위한 순환 유체 냉각 장치를 갖고 있는 밀봉 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 증착 장치.
  10. 250 내지 1300℃의 온도 및 750mmHg 이하의 압력을 갖고 있는 온도 제어 반응 지역내에서 기질 표면에 평행한 방향으로 흐르는 반응물 개스와이 기질 표면을 접촉시키는 수단을 포함하고, 반응지역 전체에 걸친 온도차가 선정된 온도보다 2℃ 이내이고, 중착 개스는 단일 기질 표면상을 통과한 후 제거되는 것을 특징으로 하는 기질 표면상의 온도 제어 착화 증착 방법.
  11. 제10항에 있어서, 반응 지역이 등은 반응 지역이고, 반응 지역 전체에 걸친 온도편차가 2℃ 이하인 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제10항에 있어서, 다수의 기질들이 온도 제어 반응실내의 평면내의 수직으로 배향되고, 반응물 개스는 수직 방향으로 기질 표면상을 흐르는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제12항에 있어서, 반응실 내의 제어된 온도가 반응실을 둘러싸는 복사 가열원으로부터의 복사선으로 이 반응실을 가열시킴으로써 얻어지고, 반응실 벽들은 복사선을 투과시키는 물질로 구성된 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제13항에 있어서, 반응실이 반응실 벽으로부터 격설되어 있는 진공실 하우징에 의해 둘러싸여 있고, 진공실의 벽들은 복사선을 투과시키는 물질로 구성되며, 복사선은 진공실 하우징을 둘러싸는 복사 가열 장치로 부터 나오는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제14항에 있어서, 반응물 개스와 겸용할 수 있는 정화 개스가 진공실 하우징과 반응실 사이의 공간내로 유입되고, 반응실 외부가 되는 진공실내의 압력이 반응실 내부의 개스압력보다 높으므로써, 반응실 및 진공실 하우징 상의 최종 증착으로부터의 반응물 개스 누설이 방지되는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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