KR960019503A - 화학증착법을 이용한 가공 챔버 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 처리하고자 하는 기판위에 360°의 원형의 가스 및 진공분배를 제공하는 가공 챔버에 관한 것으로, 처리하고자 하는 상기 기판은 가열되고 그리고 임의적으로 냉각된 받침대 조립체상에서 지지되고, 상기 기판은 상기 가공 챔버의 진공 환경 외면의 RF동력 공급부에 접속된 하나의 부품의 가스 분배 면판과 면하게 되고, 상기 펌핑 채널 관측 포트는 가공 챔버 내부 표면상에서의 표면 중착의 정도와 관련하여 기구를 사용 판독하여 확인을 하도록 하고, (상기 가스 분배 면판을 제외하고는) 가공하는 동안 플라즈마가 존재하게 될 위치와 면하는 모든 가공 챔버의 벽 표면은 세라믹이어서 그리고 이에 따라 부식에 매우 저항성이 있으며, 상기 받침대 비아노드화된 금속은 또한 상기 처리하고자 하는 웨이퍼와 상기 상기 받침대의 웨이퍼 표면사이에 동심성을 유지하도록 하는 장치 형태부를 갖춘 세라믹 표면과 느슨하게 맞추어지도록 커버되며, 밸브 본체는 상기 가공 챔버의 벽내에 포함되어 진공 통로 표면내에서 응축시키거나 또는 냉각시키는 휘발성 가공 가스 구성물을 응축시키도록 하여 상기 유효 표면적을 감소시키고 그리고 상기 진공 도관을 통해 뒤로 이동될 경우 상기 가공 챔버를 오염시키게 된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 PECVD가공 챔버의 단면도.
Claims (37)
- a) 기판 가공 위치에서 기판을 가공하는 진공 가공 챔버와, b) 상기 기판 가공 위치에서 상기 기판을 지지하는 기판 지지체와, 그리고, c) 가공 가스를 상기 기판 가공 위치로 정향하도록 상기 기판 지지체에 일반적으로 평행하게 그리고 대향으로 되어 있는 가스 분배 면판을 포함하는 장치에 있어서, 상기 챔버는 상기 기판 가공 위치를 에워싸고 그리고 인접한 내부 챔버면을 구비하고, 상기 내부 챔버 표면상의 하나 또는 그 이상의 개구가 상기 챔버의 벽내의 진공 도관과 소통되고, 상기 도관은 일반적으로 상기 기판 가공 위치를 에워싸고, 상기 진공 도관은 진공 시스템에 접속되고, 상기 하나 또는 그 이상의 개구는 상기 웨이퍼 가공위치에 지지된 기판의 중앙 축의 주변을 360도로 고르게 분포되고, 상기 하나 또는 그 이상의 개구의 각각을 통한 흐름의 초크 영역은 일반적으로 상기 기판의 중앙 측으로부터 고르게 분포되는 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 내부 챔버면내의 하나 또는 그 이상의 개구가 상기 기판 가공 위치에 놓인 기판의 중앙으로부터 일반적으로 동일한 거리에 있도록 배치되는 장치.
- 제2항에 있어서, 상기 내부 챔버 벽 내에서의 하나 또는 그 이상의 개구는 상기 챔버의 뚜껑과 본체사이의 360개의 슬롯이고, 상기 슬롯너머의 진공 도관은 상기 챔버 본체의 상부 표면과 상기 챔버의 상기 뚜껑의 하부면사이에 배치되는 장치.
- 상단 및 하부 영역을 구비한 반도체 가공 챔버에서의 반도체 기판의 표면을 가로질러 가공가스 분배를 제어하는 방법 있어서, a) i) 가공 가스원과, ii) 상기 상단의 챔버 영역의 외주를 중심으로 연속적으로 배치되고 가공챔버의 상단영역에 위치되며 그 위치 및 형상은 일반적으로 기판을 가공하는 동안 상기 기판의 표면을 가로질러 가스흐름의 균일성을 제공하는 배기 플리넘과, 그리고 iii) 상기 가공 챔버로부터 상기 배출 플리넘안으로 그리고 상기 가공 챔버 밖으로 가공 가스를 유도하기 위한 상기 배기 플리넘과 소통되는 진공 포트를 구비한 가공 챔버를 제공하는 단계와, b) 가공 가스를 상기 가공챔버안으로 도입하는 단계와, 그리고 c) 상기 가공 챔버로부터 상기 연속적인 주변 배기 플리넘안으로 가공가스를 직접 유도하는 단계를 포함하는 방법.
- 제4항에 있어서, 연속적인 주변의 배기 플리넘은 일반적으로 원형의 형상을 갖춘 방법.
- 상부의 전극을 포함하는 상부 영역과 서셉터 및 기판을 포함하는 하부를 갖춘 반도체 가공 챔버내에서 반도체 기판의 표면을 가로지르는 가공가스의 분배를 제어하는 방법에 있어서, a) i) 가공 가스원과, ii) 상기 가공가스 상단영역내에 위치되고 그 위치 및 배치는 일반적으로 기판을 가공하는 동안 상기 기판의 표면을 가로지르는 가스흐름의 균일성을 향상시키는 원주형 배기 도관과, 그리고, iii) 상기 가공 챔버로부터 상기 배출 도관안으로 그리고 상기 가공챔버 밖으로 가공 가스를 유도하기 위해 상기 배기 도관과 소통되는 진공 포트를 구비한 가공 챔버를 제공하는 단계와, b) 가공 가스를 상기 가공챔버안으로 도입하는 단계와, 그리고 c) 상기 가공 챔버로부터 상기 연속적인 주변 배기 도관안으로 가공가스를 직접 유도하는 단계를 포함하는 방법.
- 제7항에 있어서, 상기 원주형 배기 도관은 일반적으로 원형의 형상을 갖춘 방법.
- a) 기판을 가공하기 위한 진공 가공 챔버와, b) 상기 기판 가공 챔버 내에서의 기판 가공 위치에서 상기 기판을 지지하는 기판 지지체와, 그리고 c) 상기 기판을 가공하도록 상기 가공가스를 상기 가공 챔버로 공급하기 위한 가스유입부를 포함하는 장치에 있어서, 상기 챔버는 챔버의 벽의 진공 도관과 소통되는 내부 챔버면의 하나 또는 그 이상의 개구를 포함하고, 상기 진공 도관이 진공 시스템에 접속되어 있고, 상기 도관으로부터 진공 시스템으로의 접속은 상기 가공 챔버의 진공 도관 측면 연장부분을 통해 부분적으로 통과되도록 형상화되고, 상기 측면 연장 부분의 표면은 상기 챔버의 벽을 관통하는 관측 윈도우 포트를 구비하고, 상기 관측 윈도우 포트는 밀봉되어 상기 진공 통로의 측면 연장 부분의 내면이 상기 관측 윈도우 포트의 부분으로서 작용하는 윈도우를 통해 관찰함에 의해 관측될 수 있도록 하는 장치.
- 제8항에 있어서, 관측할 수 있는 시일부분으로서 작용하는 상기 윈도우는 사파이어인 장치.
- 제8항에 있어서, 상기 가공 챔버가 뚜껑 부분과 본체 부분을 구비하고, 상기 진공 도관이 상기 뚜껑 부분과 상기 본체 부분사이에 배치되는 장치.
- 제10항에 있어서, 상기 측면 연장부는 상기 뚜껑 부분과 상기 본체 부분사이에 배치되는 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 관측 윈도우 포트가 상기 뚜껑인 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 뚜껑 하부의 상기 측면 연장 부분이 상기 뚜겅을 관통하는 관측 윈도우 포트를 구비하고, 상기 뚜껑의 상단상의 상기 관측 윈도우 포트가 밀봉되어 상기 진공 통로의 측면 연장부분의 내면은 상기 관측 윈도우 부분으로서 작용하는 윈도우를 통해 관찰함에 의해 관측될 수 있도록 하는 장치.
- 기판 기공 챔버의 내면상에서의 표면 조건을 결정하는 방법으로서, a) 상기 챔버내의 가공 가스가 진공 시스템에 의해 소개되는 가공 챔버의 벽 내에서 진공 도관을 제공하는 단계와, b) 진공 도관 측면 연장 부분을 통해 상기 진공 도관으로부터 상기 진공 시스템으로 상기 가공 가스를 전달하는 단계와, 그리고 c) 상기 측면 연장 부분으로 열려진 관측 포트 개구의 윈도우를 통해 상기 측면 연장 부분의 내면상의 표면조건을 관측하는 단계를 포함하는 방법.
- a) 상기 웨이퍼 지지체 판의 배면으로부터 연장되는 가열기 요소로부터 배선되어 장착된 가열기 요소를 구비한 열전도성 재료로 구성되고, 상기 웨이퍼 지지체 판의 상기 배면으로 개방된 온도 센서 수용홀을 구비한 웨이퍼 지지체 판과, b) 하나 또는 그 이상의 개구를 갖추어서 상기 가열기 배관 및 상기 온도센서 수용 홀안으로 연장되는 온도 센서를 위한 통로를 제공하고, 상기 웨이퍼 지지체 판의 상기 배면에 대해 단단히 가스 밀봉되고 고정되어, 상기 가열기 배선이 연장되고 그리고 상기 온도 센서 수용 홀이 상기 웨이퍼 지지체 판의 배면상에 개방되는 위치를 포함하여, 장치가 상기 스탬의 하부 부분에 부착된 장치 지지체 부재에 의해 단지 고정되고 지지될 수 있고 그리고 상기 하나 또는 그 이상의 개구를 구비한 상기 스탬의 중앙 코어는 대기 조건에 노출될 수 있는 한편 상기진공 가공 챔버내에 밀봉되어 설치될 때 상기 스탬의 외부 표면의 실제부분이 상기 진공 가공 챔버내에서 진공 조건에 노출되는 스탬과, 그리고 c) 상기 웨이퍼 지지체 판의 상단 표면의 중앙 부분을 실질적으로 커버하고 그리고 지지되며, 상기 웨이퍼 지지체 판의 상단 표면내의 대응되는 중앙 허브 수용 홀에 맞추어지게 되는 중앙 허브를 구비하고, 상기 웨이퍼 지지체 판내의 핀 홀을 상승시키도록 대응되는 위치에서 웨이퍼 리프트 핀 지지체 형태부를 구비한, 세라믹 라이너 판을 포함하고, 상기 형태부들의 각각의 형태부는 상기 커버 라이너의 판의 뒷면으로부터 돌출되는 경사진 허브를 포함하고, 상기 적어도 상기 경사진 허브는 상기 중앙 허브 수용 홀로부터 상기 허브의 지름의 크기와 일반적으로 유사한 상기 기다란 홀로 동일한 방향으로 상기 방사상 라인에 대해 수직인 폭크기를 갖추지만, 상기 기다란 혼을 상기 방사상 라인을 따라 상기 웨이퍼 리프트 지지체 형태부의 지름의 크기보다 실질적으로 더 큰 상기 방사상 라인의 방향을 따른 크기의 길기를 갖추어서, 상기 커버 라이너 판 및 웨이퍼 지지체 판이 기판 가공 환경내의 온도 조건에 노출될 때 상기 커버 라이너 판과 상기 웨이퍼 지지체 판사이의 열팽창 차로 인해 상기 중앙의 허브가 상기 중앙 허브 수용 홀내에 위치될 때 상기 커버 라이너 판과 상기 웨이퍼 지지체 판사이의 운동차의 범위가 간섭을 받지 않고 상기 커버 라이너 판과 웨이퍼 지지체 판사이의 운동을 수용하도록 하는 장치.
- 제15항에 있어서, 상기 기다란 홀내에서 맞추어지도록 배치된 상기 적어도 하나의 경사진 허브외의 다른 모든 경사진 허브는 적어도 하나의 경사진 허브외의 다른 상기 모든 경사진 허브의 측면과 상기 웨이퍼 리프트 핀 홀의 에지가 접촉되지 않고서 상기 적어도 하나의 경사진 허브외의 다른 각각의 상기 모든 경사진 허브를 수용하도록 형상화된 웨이퍼 핀 홀에 수용되는 장치.
- 제15항에 있어서, L형의 영역을 갖춘 에지로서, 이것은 세라믹 재료로 이루어져서, 상기 L형 영역의 제1레그는 상기 커버 라이너 판의 외부 에지와 겹치는 외주 링을 형성하고 그리고 상기 L형 영역의 제2레그는 상기 웨이퍼 지지체 판의 외부 표면 둘레로 스커트를 형성하는 장치.
- 제15항에 있어서, 상기 세라믹 커버 라이너 판은 그것의 상부의 중앙 면적내에서 기판 수용 표면을 에워싸는 상승된 링을 구비하는 장치.
- 제17항에 있어서, 상기 세라믹 커버 라이너 판은 그것의 상부의 중앙 면적내에서 기판 수용 표면을 에워싸는 상승된 링을 구비하고, 상기 커버 라이너 판은 상기 상승된 링의 외부의 외주 영역을 더 포함하고, 상기 L형의 영역의 제1레그가 상가 상승된 링의 외부의 상기 주변 면적과 겹치게 되는 장치.
- 제19항에 있어서, 상기 L형 영역의 제1레그는 상기 상승된 링과 겹치지 않는 장치.
- 제19항에 있어서, 상기 커버 라이너 판이 알루미늄 질화물이고 그리고 상기 에지 링이 알루미늄 산화물인 장치.
- 웨이퍼 지지체 판을 구비하는 장치로서, 이것은 상기 웨이퍼 지지체 판의 배면으로부터 연장되는 상기 가열기 요소로부터 배선되어 장착된 가열기 요소를 구비한 열전도성 재료로 포함하고, 상기 웨이퍼 지지체판의 상기 배면에 대해 홀을 개방하여 수용하도록 한 온도 센서를 구비하도록 된 웨이퍼 지지체 판을 구비하고, 열 전도성 재료가 장착된 상기 가열기 요소는 단일의 연속적인 가열기 루프를 구비하고, 상기 가열기 루프는 가열기 요소가 일반적으로 상기 웨이퍼 지지체 판의 중앙에 있는 동심 원의 라인을 따라 서로 평행하게 가동되도록 배치되고, 가열기 요소는 서로 교차하지 않으며, 상기 가열기 요소의 외부 부분이 상기 외부 요소의 경로에 동심으로 있는 원의 경로를 따라 상기 외부 경로로부터 예정된 거리에서 가동되는 상기 가열기 요소의 내부 부분에 대해 그것의 단부에서 상기 지지체 판과 루프의 주변에 인접하게 가동되어, 일반적으로 상기 웨이퍼 지지체 판의 표면을 가로질러 일반적으로 균일한 온도로 유지되도록 하는 패턴으로 상기 웨이퍼 지지체 판에 열 에너지를 제공하는 장치.
- 제22항에 있어서, 상기 가열기 요소로부터의 배관은 상기 배관이 상기 웨이퍼 지지체 판의 상기 배면에서부터 나오게 되도록 된 위치로부터 대체된 위치에서 상기 웨이퍼 지지체 판내의 상기 가열기 요소에 접속되는 장치.
- 제23항에 있어서, 하나 또는 그 이상의 개구를 갖추어서 상기 가열기 배관 및 상기 온도센서 수용 홀안으로 연장되는 온도 센서를 위한 통로를 제공하는 스탭을 또한 포함하고, 상기 스텝은 상기 웨이퍼 지지체 판의 배면에 대해 단단히 가스 밀봉되고 고정되어, 상기 가열기 배선이 연장되고 그리고 상기 온도 센서 수용홀이 상기 웨이퍼 지지체 판의 뒷면상에 개방되는 위치를 포함하여, 장치가 상기 스탬의 하부 부분에 부착된 장치 지지체 부재에 의해 단지 고정되고 지지될 수 있고 그리고 상기 하나 또는 그 이상의 개구를 구비한 상기 스탬의 중앙 코어는 대기 조건에 노출될 수 있는 한편 상기 진공 가공 챔버내에 밀봉되어 설치될 때 상기 스탬의 외부 표면의 실제부분이 상기 진공 가공 챔버내에서 진공 조건에 노출되는 스탬장치.
- 제24항에 있어서, 상기 웨이퍼 지지체 판의 상단 표면의 중앙 부분을 실질적으로 커버하고 그리고 지지된 세라믹 커버 라이너를 또한 포함하고, 상기 커버 라이너 판은 웨이퍼 지지체 판의 상부 표면내의 대응되는 중앙 허브 수용 홀에 맞추어지게 되는 중앙 허브를 구비하고, 상기 지지체 라이너 판은 상기 웨이퍼 지지체 판내의 핀 홀을 상승시키도록 대응되는 위치에서 웨이퍼 리프트 핀 지지체 형태부를 구비하고, 상기 형태부들의 각각의 형태부는 상기 커버 라이너의 판의 뒷면으로부터 돌출되는 경사진 허브를 포함하고, 상기 적어도 상기 경사진 허브는 상기 중앙 허브 수용 홀로부터 상기 허브의 지름의 크기와 일반적으로 유사한 상기 기다란 홀로 동일한 방향으로 상기 방사상 라인에 대해 수직인 폭 크기를 갖추지만, 상기 기다란 홀은 상기 방사상 라인을 따라 상기 웨이퍼 리프트 지지체 형태부의 지름의 크기보다 실질적으로 더 큰 상기 방사상 라인의 방향을 따른 크기의 길이를 갖추어서, 상기 커버 라이너 판 및 웨이퍼 지지체 판이 기판 가공 환경내의 온도 조건에 노출될 때 상기 커버 라이너 판과 상기 웨이퍼 지지체 판사이의 열팽창 차로 인해 상기 중앙의 허브가 상기 중앙 허브 수용 홀내에 위치될 때 상기 커버 라이너 판과 상기 웨이퍼 지지체 판사이의 운동차의 범위가 간섭을 받지 않고 상기 커버 라이너 판과 웨이퍼 지지체 판사이의 운동을 수용하도록 하는 장치.
- 제22항에 있어서, 상기 냉각 튜브는 또한 상기 웨이퍼 지지체 판내에 장착되고, 상기 냉각 튜브는 상기 가열기 요소로부터의 배관이 상기 웨이퍼 지지체 판으로부터 나오도록 되는 위치에서 상기 판의 뒷면으로부터 연장되는 튜브 단부를 구비하는 장치.
- 제26항에 있어서, 상기 냉각 튜브는 상기 가열기 요소의 내부부분과 상기 외부 부분에 의해 이어지는 동심의 원형의 경로에 동심인 원을 따라 가동되도록 배치되고, 상기 가열기 요소를 따라 상기 가열기 튜브가 가동되는 상기 동심의 원은 상기 가열기 요소의 외부 부분에 이어지는 동심원의 지름보다 더 작고 그리고 상기 가열기 요소의 내부 부분에 의해 이어지는 상기 동심원의 내부 지름보다 더 큰 지름을 갖춘 장치.
- 제27항에 있어서, 상기 냉각 튜브는 상기 가열기 요소보다 상기 웨이퍼 지지체 판의 표면으로부터의 거리가 더 큰 평면에서 상기 지지체 판내에 장착되는 장치.
- 제26항에 있어서, 하나 또는 그 이상의 개구를 갖추어서 상기 가열기 배관 및 상기 온도센서 수용 홀안으로 연장되는 온도 센서를 위한 통로를 제공하는 스탬을 또한 포함하고, 상기 스탬은 상기 웨이퍼 지지체 판의 상기 배면에 대해 단단히 가스 밀봉되고 고정되어, 상기 가열기 배선이 연장되고 그리고 상기 온도 센서 수용 홀이 상기 웨이퍼 지지체 판의 뒷면상에 개방되는 위치를 포함하여, 장치가 상기 스탬의 하부 부분에 부착된 장치 지지체 부재에 의해 단지 고정되고 지지될 수 있고 그리고 상기 하나 또는 그 이상의 개구를 구비한 상기 스탬의 중앙 코어는 대기 조건에 노출될 수 있는 한편 상기 진공 가공 챔버내에 밀봉되어 설치될 때 상기 스탬의 외부 표면의 실제부분이 상기 진공 가공 챔버내에서 진공 조건에 노출되는 스팸을 더 포함하는 장치.
- 제29항에 있어서, 상기 웨이퍼 지지체 판의 상단 표면의 중앙 부분을 실질적으로 커버하고 그리고 지지된 세라믹 커버 라이너판을 또한 포함하고, 상기 커버 라이너 판은 상기 웨이퍼 지지체 판의 상부 표면내의 대응되는 중앙 허브 수용 홀에 맞추어지게 되는 중앙 허브를 구비하고, 상기 지지체 라이너 판은 상기 웨이퍼 지지체 판내의 핀 홀을 상승시키도록 대응되는 위치에서 웨이퍼 리프트 핀 지지체 형태부를 구비하고, 상기 형태부들의 각각의 형태부는 상기 커버 라이너의 판의 뒷면으로부터 돌출되는 경사진 허브를 포함하고, 상기 적어도 상기 경사진 허브는 상기 중앙 허브 수용 홀로부터 상기 허브의 지름의 크기와 일반적으로 유사한 상기 기다란 홀로 동일한 방향으로 상기 방사상 라인에 대해 수직인 폭 크기를 갖추지만, 상기 기다란 홀은 상기 방사상 라인을 따라 상기 웨이퍼 리프트 지지체 형태부의 지름의 크기보다 실질적으로 더 큰 상기 방사상 라인의 방향을 따른 크기의 길이를 갖추어서, 상기 커버 라이너 판 및 웨이퍼 지지체 판이 기판 가공 환경내의 온도 조건에 노출될 때 상기 커버 라이너 판과 상기 웨이퍼 지지체 판사이의 열 팽창 차로 인해 상기 중앙의 허브가 상기 중앙 허브 수용 홀내에 위치될 때 상기 커버 라이너 판과 상기 웨이퍼 지지체 판사이의 운동차의 범위가 간섭을 받지 않고 상기 커버 라이너 판과 웨이퍼 지지체 판사이의 운동을 수용하도록 하는 장치.
- 제15항에 있어서, 상기 장치가 가스 분배 면판에 대칭되는 진공 가공 챔버내의 기판 가공 위치에서 기판을 지지하고, 상기 챔버는 상기 기판 가공 위치를 에워싸고 그리고 인접한 내부 챔버 표면을 구비하고, 상기 내부 챔버 표면내에서 하나 또는 그 이상의 개구는 상기 기판 가공 위치를 밀봉하는 진공 도관과 소통되고, 상기 진공 도관이 진공 시스템에 접속되고, 상기 챔버내에서 상기 하나 또는 그 이상의 개구는 상기 기판 가공 위치에서 상기 기판위의 가스 흐름의 일반적으로 균일한 분배를 제공하도록 배치되어 가공 가스가 상기 가스의 분배 면판내의 홀의 셋트로부터 상기 챔버내에서 상기 하나 또는 그 이상의 개구로 흐르게 되는 장치.
- a) 기판을 가공하는 진공 가공 챔버와, b) 상기 진공 가공 챔버내의 기판 가공 위치에서 기판을 지지하는 기판 지지체와, 그리고 c) 기판을 가공하기 위해 가공 가스를 상기 가공 챔버로 공급하는 가스 유입부를 포함하는 장치로서, 상기 챔버가 상기 챔버내의 벽내에서 진공 도관과 소통되는 상기 내부 챔버 표면내에서 하나 또는 그 이상의 개구를 구비하고, 상기 진공 도관은 상기 진공 시스템에 접속되고, 상기 내부 챔버 표면은 상기 기판 가공 위치에 인접한 세라믹 라이닝을 구비하여, 상기 가공 위치에 인접한 상기 가공 챔버의 본체의 주변 벽이 가공을 하는 동안 상기 기판 가공 위치에 있는 플라즈마에 직접적으로 노출되는 것을 방지하는 장치.
- 제32항에 있어서, 상기 기판 가공 위치에서부터 상기 하나 또는 그 이상의 개구로 이루어진 상기 진공 도관으로 형성되어 있는 360의 슬롯 개구는 상기 본체내의 상기 세라믹 라이닝의 상단 표면의 상단과 상기 뚜껑에서의 절연체 링의 하부 표면사이의 상기 가공챔버의 본체와 뚜껑사이에 배치되고, 상기 절연체 링이 세라믹 재료로 구성된 장치.
- 제32항에 있어서, 상기 세라믹 라이닝이 상기 기판 가공 위치에 인접한 상기 가공 챔버의 벽에 대해 내부에 배치되는 하나 또는 그 이상의 해체 가능한 링을 구비하는 장치.
- 기판 가공 챔버의 벽을 보호하는 방법으로서, 전기적으로 접지된 기판 받침대에 대칭되는 에너지가 가해져 있는 가스 분배 면판을 제공하는 단계와, 그리고, 상기 가공 챔버의 전기적으로 접지된 벽을 라이닝하는 해체 가능한 세라믹 링을 제공하는 단계를 포함하는 방법.
- a) 기판을 가공하는 진공 가공 챔버와, b) 상기 진공 가공 챔버내의 기판 가공 위치에서 기판을 지지하는 기판 지지체와, 그리고 c) 기판을 가공하기 위해 가공 가스를 상기 가공 챔버로 공급하는 가스 유입부를 포함하는 장치로서, 상기 챔버가 상기 챔버내의 벽내에서 진공 도관과 소통되는 상기 내부 챔버 표면내에서 하나 또는 그 이상의 개구를 구비하고, 상기 진공도관은 상기 진공시스템에 접속되고, 상기 도관으로부터 상기 진공 시스템으로의 상기 접속은 상기 본체내에서 진공 접속 통로로 그리고 상기 본체내에서 진공 밸브 본체 수용 개구로 통과되도록 적어도 부분적으로 배치되고, 상기 진공 밸브 수용 개구는 진공 밸브 본체 수용 개구내에 위치되고 그리고 상기 밸브가 차단되어 상기 챔버의 상기 본체내의 상기 밸브 시이트 표면이 밀봉되도록 될 때, 상기 진공 시스템으로부터 상기 본체내에서 상기 진공 접속 통로를 밀봉하기 위한 밸브 시이트를 구비하는 장치.
- 적어도 부분적으로 차단될 때 진공 시스템으로부터 기판 가공 챔버를 격리하여 상기 가공 챔버를 소개시키는 진공차단밸브를 가열하는 방법으로서, a) 상기 가공 챔버로부터 진공 챔버로 가스를 소개시키는 상기 기판 가공 챔버의 본채내에 통로를 제공하는 단계와, b) 상기 본체내에서 상기 차단 밸브를 위한 밸브 시이트를 제공하는 단계와, 그리고 c) 상기 밸브가 차단될 때 이것은 상기 밸브 시이트상에서 밀봉시키고 그리고 상기 본체로부터 열 에너지는 상기 본체와 일체식으로 되어 잇는 경우 상기 밸브에 전달되도록 상기 본체내에 밸브를 제공하는 단계로 이루어진 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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