CN117230431B - Cvd晶圆镀膜设备 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种CVD晶圆镀膜设备，包括工作室、承载机构、第一作业板、第二作业板、供气装置、供电装置、抽气装置、散热板、风扇和加热棒；通过供气装置、第一作业板、第二作业板和抽气装置，能够调控反应腔内的压力、确保反应气体均匀地作用于晶圆；通过散热板、风扇和加热棒，能够调控反应腔内的温度，确保晶圆在所需温度下进行反应；本申请提供的CVD晶圆镀膜设备高效集成了气控、温控和电场发生等机构，能够有效、可靠地构建晶圆气相沉积镀膜所需的环境，提高镀膜效率、优化镀膜效果。

Description

CVD晶圆镀膜设备

技术领域

本申请涉及晶圆化学气相沉积设备技术领域，尤其是一种CVD晶圆镀膜设备。

背景技术

化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition)是指通过化学气体或蒸汽在基质表面反应、合成涂层或纳米材料的方法。目前，CVD是半导体工业中应用较为广泛的一种沉积技术。

CVD法制备薄膜过程为：反应气体向基片表面扩散、并吸附于基片表面，反应气体在基片表面发生化学反应，在基片表面生成的气相副产物脱离、向空间扩散或者被抽气系统抽走，在基片表面留下的不挥发的固相反应产物成为基片的氧化膜。

CVD镀膜工艺中，反应气体在晶圆表面的分布均匀性、压力和反应温度是决定镀膜效果的重要条件。常规的CVD设备多存在腔体内的反应气体分布不均；电场设计不合理，维护难度和成本高；腔内的温度、气压难以高效控制等问题，上述因素都会影响晶圆镀膜的均匀性、进而影响镀膜质量。

发明内容

本申请的目的是在于克服现有技术中存在的不足，提供一种CVD晶圆镀膜设备。

为实现以上技术目的，本申请提供了一种CVD晶圆镀膜设备，包括：工作室，工作室内具有反应腔，工作室的一侧设有进出口，晶圆能够通过进出口进入或离开反应腔；承载机构，用于支撑进入反应腔的晶圆；第一作业板，设于反应腔上方，第一作业板上密布有进气孔；第二作业板，设于第一作业板上，第一作业板和第二作业板之间具有辅腔，第二作业板内设有气道，气道连通辅腔；供气装置，连通气道，反应气体能够通过气道进入辅腔、再通过进气孔进入反应腔；供电装置，用于对第二作业板通电；抽气装置，用于抽出反应腔内的气体；散热板，设于第二作业板上方，第二作业板工作生热后，热量传递给散热板；风扇，设于散热板上方，用于对散热板上方的空间进行散热，以便于散热板向上散热；多个加热棒，分布在工作室内；

其中，供气装置包括：反应气体配置机构，用于供给预设的反应气体；供气管道，自下而上穿入工作室、连通所述气道；部分加热棒环绕供气管道设置；所述供气管道上还设有测温件。

进一步地，工作室包括：箱体，反应腔形成于箱体内；盖体，可翻转地设于箱体一侧、用于封闭反应腔；其中，箱体的底部设有活动孔，活动孔用于安装承载机构；箱体内壁上设有第一台阶，第一台阶上设有第一加强块，进出口贯穿箱体和第一加强块；箱体内壁上还设有抽气通道，抽气通道设于进出口上方，抽气装置连通抽气通道。

进一步地，工作室还包括：开盖驱动件，用于驱使盖体体旋转、以便于盖体靠近或远离箱体；和/或，锁紧器，锁紧器包括锁紧状态和释放状态，锁紧器处于锁紧状态时能够紧固箱体与盖体，锁紧器处于释放状态时能够相对箱体转动盖体、以开放或者封闭反应腔；和/或，定位器，用于确保箱体与盖体准确连接。

进一步地，抽气通道环绕反应腔设置；抽气通道靠近反应腔的一侧受到第二加强块的遮挡，第二加强块与箱体之间形成环状的抽气通道；第二加强块上设有连通反应腔的间隙，间隙环绕反应腔设置呈环形。

进一步地，抽气通道的顶壁设有第二台阶；第二加强块包括筒状主体和设于筒状主体一端的环形支撑翼，第二加强块能够通过环形支撑翼挂设于第二台阶上；第二加强块悬于第一加强块上方，第二加强块和第一加强块之间具有间隙。

进一步地，盖体包括：安装部，用于与箱体密封连接；盖部，设于安装部上；其中，第一作业板和第二作业板设于安装部，散热板和风扇设于盖部；安装部包括：外支座，外支座上设有能够连通反应腔的安装通道，外支座靠近反应腔的底部设有第三台阶；内支座，内支座包括筒状内圈和设于筒状内圈一端的环形外翼，使得筒状内圈插入安装通道中、环形外翼能够抵靠第三台阶；限位环，设于第三台阶上、并处于外支座和内支座之间；内支座与外支座密封连接；第一作业板与内支座密封连接。

进一步地，箱体和外支座采用铝材制备；第一加强块、第二加强块、内支座和限位环采用陶瓷制备。

进一步地，供气管道设于箱体内，供气管道内设有两道气管，其中一道气管连通反应气体配置机构中的氦气供应管路，其中另一道气管连通反应气体配置机构中的混合气体供应管路；供气装置还包括供气块，供气块设于盖体内，供气块内设有两道气路，气路与气管一一对应、实现连通；其中，供气块和供气管道密封连接；供气块和第二作业板密封连接；箱体内设有安装通道，安装通道沿竖直方向贯穿箱体，供气管道穿设于安装通道中；供气装置还包括：第一密封块，设于箱体底部、用于遮挡安装通道的一端，第一密封块和供气管道密封连接；第二密封块，嵌设于箱体顶部、用于遮挡安装通道的另一端，第二密封块上设有插孔，供气管道的端部设有插块，插孔用于插设插块中。

进一步地，抽气装置包括：负压机构，用于抽除气体；负压管道，贯穿工作室的箱体、连通反应腔，负压管道的一端连通负压机构、另一端设有V字型加工端口；工作室还包括端口盖板，端口盖板用于遮盖V字型加工端口。

进一步地，抽气装置还包括两个真空计，两个真空计均用于检测反应腔内的气压；两个真空计的检测范围不同。

本申请提供了一种CVD晶圆镀膜设备，包括工作室、承载机构、第一作业板、第二作业板、供气装置、供电装置、抽气装置、散热板、风扇和加热棒；工作室为晶圆镀膜提供了一个相对密闭的空间，晶圆通过进出口进入反应腔，承载机构接取晶圆、能够为晶圆提供稳定的作业位置；本申请提供的CVD晶圆镀膜设备具有以下优点：

（1）反应气体通过气道进入辅腔，反应气体充盈辅腔后能够均匀流动、并较为均衡地进入各个进气孔，密布的进气孔还有利于反应气体均匀地进入反应腔、作用于晶圆，从而保证晶圆镀膜的均匀性；

（2）通过供电装置对第二作业板通电，第二作业板用作电场发生器，通过第二作业板构建电场、能够促进镀膜反应；

（3）通过设置抽气装置，作业前能够对反应腔内抽真空、控制镀膜环境，作业过程中又能够调控反应腔内的气压、优化镀膜环境；

（4）通过在第二作业板上方设置散热板，散热板既增加了散热面积、有利于散热效果，又能够阻止风扇直接作用于第二作业板，有利于降低散热强度、提高散热均匀性；

（5）通过在工作室内布设加热棒，能够多位置控温、保证反应腔内达到作业温度；同时，根据反应需要，还能够指定位置进行独立控温，满足更多样的温控需要。

附图说明

图1为本申请提供的一种CVD晶圆镀膜设备的结构示意图；

图2为图1所示的镀膜设备的另一角度结构示意图；

图3为图1所示的镀膜设备的结构剖视图；

图4为图1所示的镀膜设备中工作室的结构剖视图；

图5为图4所示的工作室中箱体的结构剖视图；

图6为图5所示的箱体的结构爆炸图；

图7为图1所示的镀膜设备中工作室内的部件结构示意图；

图8为图1所示的镀膜设备中供气装置与第二作业板的结构爆炸图。

具体实施方式

为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请。但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。

本申请提供了一种CVD晶圆镀膜设备，包括：工作室100，工作室100内具有反应腔101，工作室100的一侧设有进出口102，晶圆能够通过进出口102进入或离开反应腔101；承载机构200，用于支撑进入反应腔101的晶圆。

具体地，工作室100为晶圆镀膜提供了一个相对密闭的空间，以便于控制镀膜环境。作业时，晶圆通过进出口102进入反应腔101，承载机构200接取晶圆、为晶圆提供稳定的作业位置；完成镀膜后，晶圆通过进出口102离开反应腔101。

本申请提供的CVD晶圆镀膜设备还包括：第一作业板310，设于反应腔101上方，第一作业板310上密布有进气孔311；第二作业板320，设于第一作业板310上，第一作业板310和第二作业板320之间具有辅腔312，第二作业板320内设有气道320a，气道320a连通辅腔312；供气装置400，连通气道320a，反应气体能够通过气道320a进入辅腔312、再通过进气孔311进入反应腔101。

具体地，第一作业板310和第二作业板320均设于工作室100内、并悬于承载机构200上方；第一作业板310和第二作业板320之间的辅腔312是一个相对密封的腔体；作业时，反应气体通过气道320a进入辅腔312，反应气体能够在辅腔312中漫延、进而充盈辅腔312，由此，反应气体能够均匀流动、并较为均衡地进入各个进气孔311，密布的进气孔311还有利于反应气体均匀地进入反应腔101、作用于晶圆，从而保证晶圆镀膜的均匀性。

本申请提供的CVD晶圆镀膜设备还包括：供电装置500，用于对第二作业板320通电；抽气装置600，用于抽出反应腔101内的气体。

通过供电装置500对第二作业板320通电，第二作业板320用作电场发生器，通过第二作业板320构建电场、能够促进镀膜反应。

通过设置抽气装置600，作业前能够对反应腔101内抽真空、控制镀膜环境，作业过程中又能够调控反应腔101内的气压、优化镀膜环境。

本申请提供的CVD晶圆镀膜设备还包括：散热板330，设于第二作业板320上方；风扇340，设于散热板330上方。

需要解释的是，由于第二作业板320既用于供反应气体流通、又用作电场发生器，因此，作业过程中，第二作业板320会产生热量，若不加以控制，第二作业板320自身的温度既容易影响反应温度、进而影响晶圆镀膜，又容易损害自身结构、影响设备使用安全。因此，需要对第二作业板320进行温度控制。

还需要解释的是，若设置风扇340直接对第二作业板320工作，一方面，为保证均匀散热，需要采用能够覆盖第二作业板320表面的风扇340，风扇340构型大，不仅需要较大的安装空间、还会增加成本，另一方面，风扇340直接用作容易造成温度不稳定。

通过在第二作业板320上方设置散热板330，第二作业板320工作生热后，热量优先传递给散热板330，散热板330为面积较大的平面板，散热板330上的热量能够快速向外传递；同时，使得散热板330遮挡第二作业板320，第二作业板320上各处的热量均能够传递给散热板330，也就保证了第二作业板320上的温度均匀。

进一步在散热板330上方设置风扇340，风扇340主要用于对散热板330上方的空间进行散热，以便于散热板330向上散热；此时，风扇340的构型不受限制，一般在散热板330中心正上方设置一个小风扇即可满足散热需要。

散热板330的设计既增加了散热面积、有利于散热效果，又能够阻止风扇340直接作用于第二作业板320，有利于降低散热强度、提高散热均匀性。

本申请提供的CVD晶圆镀膜设备还包括多个加热棒350，分布在工作室100内。

需要解释的是，温度是晶圆镀膜的重要影响因素。通过在工作室100内布设加热棒350，能够多位置控温、保证反应腔101内达到作业温度；同时，根据反应需要，还能够指定位置进行独立控温，满足更多样的温控需要。

本申请提供了一种CVD晶圆镀膜设备，通过供气装置400、第一作业板310、第二作业板320和抽气装置600，能够调控反应腔101内的压力、确保反应气体均匀地作用于晶圆；通过散热板330、风扇340和加热棒350，能够调控反应腔101内的温度，确保晶圆在所需温度下进行反应。本申请提供的CVD晶圆镀膜设备高效集成了气控、温控和电场发生等机构，能够有效、可靠地构建晶圆气相沉积镀膜所需的环境，提高镀膜效率、优化镀膜效果。

为方便各机构的组装和后期维护，一实施方式中，工作室100设置为分体结构、分体部位可拆或者可相对移动。

例如，工作室100包括：箱体110，反应腔101形成于箱体110内；盖体120，可翻转地设于箱体110一侧、用于封闭反应腔101。

具体可参照图1至图6，图示实施例中，工作室100包括箱体110和盖体120两部分；箱体110大致呈方框状，框内形成反应腔101，反应腔101的顶部开放；盖体120亦大致呈方框状，盖体120通过转轴141与箱体110转动连接，第一作业板310和第二作业板320设置在盖体120的底部；盖体120封闭箱体110时，第一作业板310正对反应腔101；需要进行检修等处理时，翻转盖体120、使之远离箱体110，第一作业板310和第二作业板320被掀开，反应腔101的顶部被开放。

分体设计更易造型、安装和后续维护。

可选地，工作室100还包括开盖驱动件142，用于驱使盖体120旋转、以便于盖体120靠近或远离箱体110。

图1和图2所示的实施例中，箱体110顶部的一侧设有转轴141，盖体120可绕转轴141旋转；沿转轴141的轴向，箱体110的两侧分别设有一个开盖驱动件142，开盖驱动件142采用伸缩缸，伸缩缸的一端与箱体110转动连接、另一端与盖体120转动连接；两个开盖驱动件142同步动作，即可抬起或者放下盖体120。

开盖驱动件142还可以采用电机等驱动构件，本申请并不限定实现盖体120的开合的具体方式。

可选地，工作室100还包括锁紧器143，锁紧器143包括锁紧状态和释放状态；锁紧器143处于锁紧状态时，能够紧固箱体110与盖体120；锁紧器143处于释放状态时，能够相对箱体110转动盖体120、以开放或者封闭反应腔101。

图1和图2所示的实施例中，锁紧器143采用按压式锁扣，按压式锁扣包括锁头和压扣，锁头和压扣中的一者设于箱体110上、另一者设于盖体120上，盖体120靠近箱体110、封闭反应腔101后，使得压扣扣在锁头上、并压紧压扣，即可紧固箱体110与盖体120、并加强二者之间的密封性。

可选地，工作室100还包括定位器144，用于确保箱体110与盖体120准确连接。

图1和图2所示的实施例中，定位器144包括定位孔和定位销，定位孔和定位销中的一者箱体110上、另一者设于盖体120上，盖体120靠近箱体110、封闭反应腔101后，定位销正对定位孔，将定位销插入定位孔中，既能够确认盖体120封闭到位、又能够进一步紧固箱体110与盖体120。

一具体实施例中，参照图1和图2，箱体110顶部设有转轴141，盖体120通过转轴141与箱体110转动连接；沿转轴141的轴向，工作室100的两侧分别设有一组锁紧器143；除了转轴141所在的一侧，工作室100的其他三侧分别设有至少一组定位器144。盖体120靠近箱体110、封闭反应腔101后，使得锁紧器143进入锁紧状态、紧固箱体110与盖体120，此时，定位销对准定位孔，使得定位销插入对应的定位孔中，多组定位器144进一步紧固箱体110与盖体120。

进一步地，箱体110的底部设有活动孔111，活动孔111用于安装承载机构200。

部分承载机构200处于反应腔101中、另有部分反应腔101处于工作室100外。处于反应腔101中的部分用于承托晶圆、为晶圆反应提供合适的作业位置；处于工作室100外的部分用于实现对外连接。

为了加强工作室100的结构，箱体110内壁上设有第一台阶112，第一台阶112上设有第一加强块131，进出口102贯穿箱体110和第一加强块131。

具体可参照图4和图5，图示实施例中，反应腔101大致呈圆柱状，第一加强块131大致呈圆环状，第一加强块131贴合箱体110内壁设置，既能够很好地支撑箱体110、保证反应腔101稳定，又能够加强进出口102、防止进出口102附近变形。

通过在箱体110的内壁上构建第一台阶112，既能够限定第一加强块131的安装位置、便于安装定型，并能够避免第一加强块131的厚度影响反应腔101的构型。

箱体110内壁上还设有抽气通道103，抽气通道103设于进出口102上方，抽气装置600连通抽气通道103。

其中，抽气通道103可以是一个贯穿箱体110壁的孔，孔的一端连通抽气装置600、另一端连通反应腔101；或者，抽气通道103包括多个贯穿箱体110壁的孔，多个孔沿圆周方向间隔设置在箱体110上，任一孔的一端连通抽气装置600、另一端连通反应腔101。多孔的设计有利于抽气装置600均匀地抽出反应腔101内的气体，避免只有一个孔或者少数孔时，反应腔101内的气体集中向特定位置的孔流动、进而影响反应腔101内的气体均匀性。

一具体实施方式中，抽气通道103环绕反应腔101设置。

例如，抽气通道103设于箱体110的壁内，抽气通道103沿箱体110一周、环绕呈圈；此时，进出口102上方，箱体110的壁内设有一圈抽气通道103；同时，箱体110的内壁上连通反应腔101和抽气通道103的孔，箱体110的外壁上设有连通抽气装置600和抽气通道103的孔。抽气通道103的设置，避免了抽气装置600直通反应腔101，有利于保持反应腔101内的气压；多孔抽气时还能够均匀抽力、避免孔与孔之间的抽气速度差距过大。

进一步地，箱体110的内壁上设有槽，槽环绕内壁一圈设置呈环状，槽用作抽气通道103；抽气通道103靠近反应腔101的一侧（即槽连通反应腔101的开放侧）受到第二加强块132的遮挡，第二加强块132与箱体110之间形成环状的抽气通道103。

容易理解地，若直接在箱体110的壁内开设环形通道，加工难度大；相较而言，在箱体110的内壁加工槽更简单；在槽的开放侧设置第二加强块132，能够封闭槽的开放侧、使得槽变作环形通道。

可选地，在第二加强块132上开孔，即可通过孔连通反应腔101与抽气通道103。

可选地，第二加强块132上设有连通反应腔101的间隙，间隙环绕反应腔101设置呈环形。此时，第二加强块132面向反应腔101的壁上设有一圈间隙，抽气装置600工作时，反应腔101内的气体能够就近流向间隙、从而均匀地从四面八方被抽出；同时，间隙的尺寸较小，有利于控制抽气强度。

为便于安装第二加强块132，抽气通道103的顶壁设有第二台阶113；第二加强块132包括筒状主体和设于筒状主体一端的环形支撑翼，第二加强块132能够通过环形支撑翼挂设于第二台阶113上。

安装时，将第二加强块132置入反应腔101中，环形支撑翼即可抵靠第二台阶113，第二台阶113支撑第二加强块132，既能够限定第二加强块132的安装位置，又能够方便第二加强块132的装备，同时，台阶挂靠的安装形式还能够提高二者连接处的密封性。

图3和图4所示的实施例中，第二加强块132悬于第一加强块131上方，第二加强块132和第一加强块131之间具有间隙。

容易理解的，由于第一加强块131和第二加强块132均为独立的、用于与箱体110组装的部件，因此，制备第一加强块131和第二加强块132时，预先设定好二者的尺寸，将第一加强块131置入第一台阶112、第二加强块132挂设于第二台阶113后，即可预留出供反应气体流通的间隙，从而减少后期加工量和加工难度。

可选地，盖体120包括：安装部120a，用于与箱体110密封连接；盖部120b，设于安装部120a上；其中，第一作业板310和第二作业板320设于安装部120a，散热板330和风扇340设于盖部120b。

具体可参照图3，图示实施例中，安装部120a大致呈方块状，沿竖直方向，安装部120a上设有圆柱形通道，第一作业板310安装在圆柱形通道内、第二作业板320安装在第一作业板310上。

具体参照图4，盖部120b内设有吊装支架120c，散热板330通过吊装支架120c吊装在第二作业板320上方。

盖体120的进一步分体设置能够方便第一作业板310、第二作业板320、散热板330和风扇340的安装和后续维护。

同时，安装部120a加厚设置，有利于结构的稳定性、并满足与箱体110密封连接的需要；盖部120b做大做薄，有利于散热和美观、还能够减少用料并减小整个盖体120的质量。

可选地，散热板330与第二作业板320之间的距离可调。

例如，图3和图4所示的实施例中，散热板330通过吊装支架120c吊装在第二作业板320上方；吊装支架120c包括螺杆和螺纹孔板，螺纹孔板固定设置在盖部120b内，螺杆能够与螺纹孔板上的螺孔螺纹连接，散热板330设置在螺杆上，通过调整螺杆与螺纹孔板的连接位置、即可调整散热板330的吊装高度。

通过使得散热板330可靠近或远离第二作业板320，实际装配时，能够根据设备、场地、工艺等情况对散热板330进行适应性位置调节，以便于散热板330高效发挥散热作用。

其他实施例中，还可以使得吊装支架120c能够在盖部120b内沿竖直方向移动、从而调节散热板330与第二作业板320的距离。

本申请并不限定散热板330与第二作业板320之间距离调节的方式。

吊装支架120c的设置既能够方便散热板330的安装，又能够加强盖部120b结构、在盖部120b构型较大较薄的情况下起到支持盖部120b的作用、能够避免盖部120b变形。

进一步地，安装部120a包括：外支座121，外支座121上设有能够连通反应腔101的安装通道，外支座121靠近反应腔101的底部设有第三台阶；内支座122，内支座122包括筒状内圈和设于筒状内圈一端的环形外翼，使得筒状内圈插入安装通道中、环形外翼能够抵靠第三台阶；限位环123，设于第三台阶上、并处于外支座121和内支座122之间；内支座122与外支座121密封连接；第一作业板310与内支座122密封连接。

具体可参照图3，图示实施例中，外支座121设于箱体110上，外支座121与箱体110之间设有密封圈。内支座122通过环形外翼挂靠在第三台阶上，内支座122与第三台阶之间设有密封圈。第一作业板310挂靠在内支座122上、并处于筒状内圈中；第一作业板310和内支座122之间设有密封圈。挂靠的安装形式有利于各部件连接处的密封性，第一作业板310通气后，气体不易从盖部120b逸出。

继续参照图3，限位环123插设于外支座121和内支座122之间，有利于校准外支座121和内支座122的相对位置，还能够避免外支座121和内支座122相互磨损。

可选地，限位环123的厚度可调。例如，限位环123设置为气囊形式，通过控制充气量，即可调控限位环123的厚度。又例如，限位环123设置为可堆叠的形式，通过堆叠量的调整，即可调控限位环123的厚度。本申请并不限定限位环123厚度的调节方式。

通过使得限位环123的厚度可调，外支座121、内支座122和/或第一作业板310的尺寸存在偏差时，适应性调控限位环123的厚度，以便于内支座122将第一作业板310固定于晶圆作业位置的正上方。

可选地，箱体110、盖部120b和外支座121采用铝材制备。铝材易加工、易成型，有较好的硬度、成本低，而且铝材的散热性能好，尤其是盖部120b采用铝材制备时、配合风扇340更利于散热。

可选地，第一加强块131、第二加强块132、内支座122和限位环123采用陶瓷制备。陶瓷材料具备优越的刚度和硬度耐磨耐用，同时，陶瓷耐高温，高温下陶瓷材料的稳定性好，增设陶瓷材料制备的部件有利于工作室100的结构稳定性，另外，陶瓷材料具备一定隔热作用，在温度较高的工位附近增设陶瓷材料制备的部件还能够保护外部的金属制部件。

为满足更多样的晶圆镀膜需要，一实施方式中，供气装置400包括反应气体配置机构410，用于供给预设的反应气体。

具体可参照图2，图示实施例中，反应气体配置机构410包括多种气体供应管及配套的阀门、监测器等配件。作业时，根据沉积需要，反应气体配置机构410能够输出和适量的单种气体或者多种气体的混合气。

图2和图3所示的实施例中，工作室100包括箱体110和盖体120，第一作业板310和第二作业板320设于盖体120内，反应气体配置机构410连通第二作业板320上的气道320a。

可选地，反应气体配置机构410的出气管直连气道320a。

可选地，供气装置400还包括供气管道420，供气管道420自下而上穿入工作室100、连通气道320a。由于工作室100内分布有加热棒350，反应气体通过供气管道420向上流通的过程中、加热棒350能够对反应气体进行加热，以便于反应气体具备合适的反应温度，进一步有利于气相沉积反应。

图2和图3所示的实施例中，盖体120可相对箱体110翻转，为适应箱体110和盖体120的开合，可选地，供气管道420包括：第一供气部，设于箱体110中；第二供气部，设于盖体120中并连通气道320a；盖体120封闭箱体110时，第一供气部连通第二供气部，反应气体能够通过第一供气部、进入第二供气部、再进入气道320a；盖体120远离箱体110时，第一供气部远离第二供气部。

可选地，供气装置400包括：供气管道420，设于箱体110内；供气块430，设于盖体120内并连通气道320a；盖体120封闭箱体110时，供气管道420连通供气块430；盖体120远离箱体110时，供气管道420与供气块430分离。

进一步地，供气管道420内设有至少一道气管421，气管421连通反应气体配置机构410，供气块430内设有至少一道气路431，气路431连通气管421和气道320a。

图7和图8所示的实施例中，供气管道420内设有两道气管421，其中一道气管421连通反应气体配置机构410中的氦气供应管路，其中另一道气管421连通反应气体配置机构410中的混合气体供应管路。

继续参照图7和图8，供气块430内设有两道气路431；气路431与气管421一一对应、实现连通。

作业时，根据反应需要、选择所需气体进行流通；不同的气体通过不同的管路进行流通，能够避免相互污染，有利于气体供应的准确性和可靠性。

若有需要，还可以在供气管道420和供气块430内开设更多道的气体路径，进而满足更多样的送气需要。

为避免反应气体外逸，使得供气块430和供气管道420密封连接；供气块430和第二作业板320密封连接。

具体可参照图8，图示实施例中，供气块430内设有两道气路431，气路431贯穿供气块430、以便于连通气管421和气道320a。在供气块430的底部，任一气路431的外周设有一个圆形安装槽、用于安装密封圈；盖体120封闭箱体110时，供气块430抵靠供气管道420，密封圈被压缩，既能够保证二者之间的密封性，又能够避免二者相互压损。

进一步地，供气块430用于连接第二作业板320的侧面设有矩形连接块432，气管421的一端贯穿矩形连接块432、用于连通气道320a；矩形连接块432表面，两个气管421的出口被腰型安装槽包围、腰型安装槽用于安装密封圈。

进一步地，矩形连接块432上还设有沉头孔，第二作业板320上设有螺孔，安装供气块430与第二作业板320时，使得矩形连接块432紧贴第二作业板320、并使得矩形连接块432上的沉头孔对准第二作业板320上的螺孔，自沉头孔向螺孔栓入螺钉、即可紧固供气块430与第二作业板320；腰型安装槽中的密封圈被压紧在矩形连接块432与第二作业板320之间，能够有效密封供气块430与第二作业板320的连接处。

继续参照图8，供气块430内设有两道气路431，第二作业板320中仅设有一道气道320a，为确保两个气路431的气体均能够进入气道320a，气道320a的开口处设有汇流槽322；矩形连接块432与第二作业板320相连后，两道气路431同时连通汇流槽322，气体通过汇流槽322进入气道320a。

为便于安装供气管道420，箱体110内设有安装通道，安装通道沿竖直方向贯穿箱体110，供气管道420穿设于安装通道中。供气装置400还包括：第一密封块440，设于箱体110底部、用于遮挡安装通道的一端，第一密封块440和供气管道420密封连接；第二密封块450，嵌设于箱体110顶部、用于遮挡安装通道的另一端，第二密封块450上设有插孔451，供气管道420的端部设有插块422，插孔451用于插设插块422。

具体可参照图8，图示实施例中，第一密封块440连接供气管道420的进气端；供气管道420内设有两道气管421，第一密封块440上设有两个孔、孔与气管421一一对应连通，反应气体配置机构410的供气管道穿过第一密封块440上的孔连通气管421。第一密封块440面向供气管道420的一侧，两个孔的外周均设有一个圆形安装槽、用于安装密封圈；第一密封块440上还设有安装孔，箱体110的底部设有螺孔，安装第一密封块440时，使得第一密封块440上的安装孔对准箱体110底部的螺孔、栓入螺钉即可紧固二者；第一密封块440和供气管道420安装到位后，密封圈被压紧在二者之间、保证密封效果。

结合参照图6，箱体110的顶部设有安装槽115，安装槽115连通安装通道；安装槽115用于设置第二密封块450；第二密封块450上设有安装孔，安装槽115内设有螺孔，安装第二密封块450时，使得第二密封块450上的安装孔对准安装槽115内的螺孔、栓入螺钉即可紧固二者。

继续参照图8，第二密封块450上设有呈腰型的插孔451，插块422能够插入插孔451中、并通过插孔451对外暴露、以便于连接供气块430。

设置第一密封块440和第二密封块450，既有利于固定供气管道420、限定供气管道420的位置、保证反应气体流通的准确性和稳定性，又有利于保证供气管道420通气的密封性。

可选地，部分加热棒350环绕供气管道420设置。

具体可参照图7，图示实施例中，供气管道420穿设于箱体110内，三根加热棒350围绕供气管道420设置。近距离安装加热棒350，加热棒350工作，能够很好地加热供气管道420内的反应气体，以便于反应气体具备合适的反应温度、促进气相沉积反应发生。

可选地，供气管道420上还设有测温件360。

测温件360的检测端插入供气管道420中，能够准确地获知供气管道420内反应气体的温度，通过温度反馈，控制系统还能够反向控制供气管道420附近的加热棒350的功率，以便反应气体具备所需温度。

可选地，抽气装置600包括：负压机构610，用于抽除气体；负压管道620，贯穿工作室100的箱体110、连通反应腔101，负压管道620的一端连通负压机构610、另一端设有V字型加工端口620a；工作室100还包括端口盖板114，端口盖板114用于遮盖V字型加工端口620a。

其中，负压机构610可采用抽真空设备。

具体可参照图6，图示实施例中，负压管道620沿厚度方向贯穿箱体110；负压管道620的底端连通负压机构610、顶端设有V字型加工端口620a；V字型加工端口620a的开口端面向反应腔101；V字型加工端口620a位于箱体110的顶部；抽气通道103设于V字型加工端口620a下方；V字型加工端口620a的设置有利于铣刀加工、以便于构建用作抽气通道103的槽。为限制抽气时气流的流向，V字型加工端口620a上盖有端口盖板114。

可选地，抽气装置600还包括真空计630，真空计630用于检测反应腔101内的气压，以便于确认反应腔101内的作业环境是否合适。

进一步地，抽气装置600包括两个真空计630，两个真空计630均用于检测反应腔101内的气压；两个真空计630的检测范围不同。

增设真空计630，一方面，能够满足更多样的作业环境需要、并有利于保证检测精度，另一方面，若两个真空计630的检测范围有重叠，还能够确认检测准确性。

以上实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种CVD晶圆镀膜设备，其特征在于，包括：

工作室（100），所述工作室（100）内具有反应腔（101），所述工作室（100）的一侧设有进出口（102），晶圆能够通过所述进出口（102）进入或离开所述反应腔（101）；

承载机构（200），用于支撑进入所述反应腔（101）的晶圆；

第一作业板（310），设于所述反应腔（101）上方，所述第一作业板（310）上密布有进气孔（311）；

第二作业板（320），设于所述第一作业板（310）上，所述第一作业板（310）和所述第二作业板（320）之间具有辅腔（312），所述第二作业板（320）内设有气道（320a），所述气道（320a）连通所述辅腔（312）；

供气装置（400），连通所述气道（320a），反应气体能够通过所述气道（320a）进入所述辅腔（312）、再通过所述进气孔（311）进入所述反应腔（101）；

供电装置（500），用于对所述第二作业板（320）通电；

抽气装置（600），用于抽出所述反应腔（101）内的气体；

散热板（330），设于所述第二作业板（320）上方，所述第二作业板（320）工作生热后，热量传递给所述散热板（330）；

风扇（340），设于所述散热板（330）上方，用于对所述散热板（330）上方的空间进行散热，以便于所述散热板（330）向上散热；

多个加热棒（350），分布在所述工作室（100）内；

其中，所述供气装置（400）包括：

反应气体配置机构（410），用于供给预设的反应气体；

供气管道（420），自下而上穿入所述工作室（100）、连通所述气道（320a）；

部分所述加热棒（350）环绕所述供气管道（420）设置；

所述供气管道（420）上还设有测温件（360）。

2.根据权利要求1所述的CVD晶圆镀膜设备，其特征在于，所述工作室（100）包括：

箱体（110），所述反应腔（101）形成于所述箱体（110）内；

盖体（120），可翻转地设于所述箱体（110）一侧、用于封闭所述反应腔（101）；

其中，所述箱体（110）的底部设有活动孔（111），所述活动孔（111）用于安装所述承载机构（200）；

所述箱体（110）内壁上设有第一台阶（112），所述第一台阶（112）上设有第一加强块（131），所述进出口（102）贯穿所述箱体（110）和所述第一加强块（131）；

所述箱体（110）内壁上还设有抽气通道（103），所述抽气通道（103）设于所述进出口（102）上方，所述抽气装置（600）连通所述抽气通道（103）。

3.根据权利要求2所述的CVD晶圆镀膜设备，其特征在于，所述工作室（100）还包括：

开盖驱动件（142），用于驱使所述盖体（120）体旋转、以便于所述盖体（120）靠近或远离所述箱体（110）；

和/或，锁紧器（143），所述锁紧器（143）包括锁紧状态和释放状态，所述锁紧器（143）处于锁紧状态时能够紧固所述箱体（110）与所述盖体（120），所述锁紧器（143）处于释放状态时能够相对所述箱体（110）转动所述盖体（120）、以开放或者封闭所述反应腔（101）；

和/或，定位器（144），用于确保所述箱体（110）与所述盖体（120）准确连接。

4.根据权利要求2所述的CVD晶圆镀膜设备，其特征在于，所述抽气通道（103）环绕所述反应腔（101）设置；

所述抽气通道（103）靠近所述反应腔（101）的一侧受到第二加强块（132）的遮挡，所述第二加强块（132）与所述箱体（110）之间形成环状的所述抽气通道（103）；

所述第二加强块（132）上设有连通所述反应腔（101）的间隙，所述间隙环绕所述反应腔（101）设置呈环形。

5.根据权利要求4所述的CVD晶圆镀膜设备，其特征在于，所述抽气通道（103）的顶壁设有第二台阶（113）；

所述第二加强块（132）包括筒状主体和设于筒状主体一端的环形支撑翼，所述第二加强块（132）能够通过所述环形支撑翼挂设于所述第二台阶（113）上；

所述第二加强块（132）悬于所述第一加强块（131）上方，所述第二加强块（132）和所述第一加强块（131）之间具有间隙。

6.根据权利要求5所述的CVD晶圆镀膜设备，其特征在于，所述盖体（120）包括：

安装部（120a），用于与所述箱体（110）密封连接；

盖部（120b），设于所述安装部（120a）上；

其中，所述第一作业板（310）和所述第二作业板（320）设于所述安装部（120a），所述散热板（330）和所述风扇（340）设于所述盖部（120b）；

所述安装部（120a）包括：

外支座（121），所述外支座（121）上设有能够连通所述反应腔（101）的安装通道，所述外支座（121）靠近所述反应腔（101）的底部设有第三台阶；

内支座（122），所述内支座（122）包括筒状内圈和设于所述筒状内圈一端的环形外翼，使得所述筒状内圈插入所述安装通道中、所述环形外翼能够抵靠所述第三台阶；

限位环（123），设于所述第三台阶上、并处于所述外支座（121）和所述内支座（122）之间；

所述内支座（122）与所述外支座（121）密封连接；

所述第一作业板（310）与所述内支座（122）密封连接。

7.根据权利要求6所述的CVD晶圆镀膜设备，其特征在于，所述箱体（110）和所述外支座（121）采用铝材制备；

所述第一加强块（131）、所述第二加强块（132）、所述内支座（122）和所述限位环（123）采用陶瓷制备。

8.根据权利要求2所述的CVD晶圆镀膜设备，其特征在于，所述供气管道（420）设于所述箱体（110）内，所述供气管道（420）内设有两道气管（421），其中一道所述气管（421）连通所述反应气体配置机构（410）中的氦气供应管路，其中另一道所述气管（421）连通所述反应气体配置机构（410）中的混合气体供应管路；

所述供气装置（400）还包括供气块（430），所述供气块（430）设于所述盖体（120）内，所述供气块（430）内设有两道气路（431），所述气路（431）与所述气管（421）一一对应、实现连通；

其中，所述供气块（430）和所述供气管道（420）密封连接；

所述供气块（430）和所述第二作业板（320）密封连接；

所述箱体（110）内设有安装通道，所述安装通道沿竖直方向贯穿所述箱体（110），所述供气管道（420）穿设于所述安装通道中；

所述供气装置（400）还包括：

第一密封块（440），设于所述箱体（110）底部、用于遮挡所述安装通道的一端，所述第一密封块（440）和所述供气管道（420）密封连接；

第二密封块（450），嵌设于所述箱体（110）顶部、用于遮挡所述安装通道的另一端，第二密封块（450）上设有插孔（451），所述供气管道（420）的端部设有插块（422），所述插孔（451）用于插设所述插块（422）中。

9.根据权利要求1所述的CVD晶圆镀膜设备，其特征在于，所述抽气装置（600）包括：

负压机构（610），用于抽除气体；

负压管道（620），贯穿所述工作室（100）的箱体（110）、连通所述反应腔（101），所述负压管道（620）的一端连通所述负压机构（610）、另一端设有V字型加工端口（620a）；

所述工作室（100）还包括端口盖板（114），所述端口盖板（114）用于遮盖所述V字型加工端口（620a）。

10.根据权利要求9所述的CVD晶圆镀膜设备，其特征在于，所述抽气装置（600）还包括两个真空计（630），两个所述真空计（630）均用于检测所述反应腔（101）内的气压；

两个所述真空计（630）的检测范围不同。