TWI644073B - 高溫處理室蓋體 - Google Patents

Abstract

本文所揭示為蓋體組件及包括蓋體組件之處理室。蓋體組件包括高溫蓋體模組及外殼。高溫蓋體模組經定位鄰近於處理室之處理襯裡。撓性外殼定位於高溫蓋體模組之周圍，且使用彈性環接合至該高溫蓋體模組。

Description

高溫處理室蓋體

本發明之實施例一般而言係關於處理室蓋體。更特定言之，本揭示案之實施例係針對處理室蓋體，該處理室蓋體防止密封材料受損，且允許在不損壞處理套組元件的情況下安裝蓋體。

在加熱腔室之蓋體時，亦加熱腔室蓋體與壁之間的彈性密封材料。此引起彈性密封材料損壞、黏著至表面、滲漏且變形。

此外，在加熱蓋體的同時，與蓋體接觸之腔室主體應保持相對較冷。熱差異引起熱蓋體膨脹，且引起蓋體相對於腔室主體的相對位移。此可在該腔室內部形成刮痕及粒子。

此外，為了保持處理區域溫度均勻性，允許熱蓋體元件觸碰處理套組元件，此將在蓋體與處理套組元件之間形成接觸，且允許熱均勻性。然而，在安裝蓋體期間，接觸可能損壞處理套組元件。

在本領域中具有對密封處理室同時最小化腔室蓋與腔室主體之間的熱差值效應的設備及方法之持續需要。

另外，在此項技術中具有對在不允許腔室蓋體接觸且潛在地損壞處理套組元件的情況下，密封處理室之設備及方法之持續需要。

本發明之一或更多個實施例係針對包含高溫蓋體模組、外殼及彈性密封O型環之蓋體組件。高溫蓋體模組具有底表面及頂表面，該底表面將經定位鄰近於處理室之處理套組。該外殼圍繞高溫蓋體模組。外殼包含中空圓筒狀壁，中空圓筒狀壁具有下端及上端，該下端將經定位鄰近於處理室主體。彈性密封O型環定位於外殼之中空圓筒狀壁之上端與高溫蓋體模組之頂表面之間。外殼為撓性的，以允許高溫蓋體模組在該外殼內的移動。

在一些實施例中，外殼之中空圓筒狀壁包含外中空圓筒狀壁、內中空圓筒狀壁、與外中空圓筒狀壁及內中空圓筒狀壁接觸之下環孔、及連接至內中空圓筒狀壁之上環孔。在一或更多個實施例中，彈性密封O型環定位於上環孔之底壁與高溫蓋體模組之頂表面之間。在一些實施例中，外中空圓筒狀壁、下環孔、內中空圓筒狀壁及上環孔係整體形成的。在一或更多個實施例中，下環孔比外中空圓筒狀壁、內中空圓筒狀壁及上環孔更薄。

在一些實施例中，下環孔、內中空圓筒狀壁及上環孔係整體形成的，而外中空圓筒狀壁係獨立形成的。在一或更多個實施例中，蓋體組件進一步包含O型環，該O型環定位於外中空圓筒狀壁之頂端與下環孔之下表面之間。

在一些實施例中，外殼具有足夠的撓性，以允許高溫蓋體模組在外殼內之移動距離長達約1吋。在一或更多個實施例中，高溫蓋體模組包含噴淋頭組件，該噴淋頭組件包括位於底表面上之複數個孔。

本發明之額外實施例係針對包含腔室主體及腔室蓋體之處理室。該腔室主體包括具有頂表面之圓筒狀腔室壁。圓筒狀腔室壁封閉處理區域，該處理區域包括晶圓支撐件及圍繞晶圓支撐件之處理襯裡。腔室蓋體包含高溫蓋體模組及外殼。高溫蓋體模組具有底表面及頂表面，該底表面經定位鄰近於處理襯裡之頂表面。外殼圍繞高溫蓋體模組，且該外殼包含中空圓筒狀壁，該中空圓筒狀壁具有下端及上端，該下端臨近於該圓筒狀腔室壁之頂表面。彈性密封O型環定位於外殼之中空圓筒狀壁之上端與高溫蓋體模組之頂表面之間。O型環定位於圓筒狀腔室壁之頂表面與外殼之中空圓筒狀壁之下端之間。當處理區域處於大氣壓力下時，高溫蓋體模組之底表面並不觸碰該處理襯裡之頂表面，而當處理區域處於減壓下時，該外殼彎曲以允許高溫蓋體模組在外殼內移動，以接觸處理襯裡之頂表面。

在一些實施例中，外殼之中空圓筒狀壁包含外中空圓筒狀壁、內中空圓筒狀壁、與外中空圓筒狀壁及內中空圓筒狀壁接觸之下環孔、及連接至內中空圓筒狀壁之上環孔。在一或更多個實施例中，彈性密封O型環定位於上環孔之底壁與高溫蓋體模組之頂表面之間。在一些實施例中，外中空圓筒狀壁、下環孔、內中空圓筒狀壁及上環孔係整體形成的。在一或更多個實施例中，下環孔比外中空圓筒狀壁、內中空圓筒狀壁及上環孔更薄。

在一些實施例中，下環孔、內中空圓筒狀壁及上環孔係整體形成的，而外中空圓筒狀壁係獨立形成的。一或更多個實施例進一步包含定位於外中空圓筒狀壁之頂端與下環孔之下表面之間的O型環。

在一些實施例中，外殼具有足夠的撓性，以允許高溫蓋體模組在外殼內之移動距離長達約1吋。在一或更多個實施例中，高溫蓋體模組包含噴淋頭組件，該噴淋頭組件包括位於底表面上之複數個孔。在一些實施例中，加熱後高溫蓋體模組之膨脹並未在高溫蓋體模組與外殼之間形成額外的接觸點。

第1圖圖示習知的處理室100的圖解表示。處理室100包括腔室主體112及蓋體組件120。蓋體組件120安置於腔室主體112之上端。處理室100及相關硬體可由任何適當材料製成，該材料包括但不限於例如鋁、陽極化鋁、鍍鎳鋁、鍍鎳鋁6061-T6、不銹鋼以及以上各者之組合及合金。

藉由例如O型環125在蓋體120與腔室主體112之間形成密封。蓋體120之重量及腔室100中之減壓將引起蓋體120向腔室主體112之上部分移動，壓縮O型環125且增強該密封。

支撐組件140至少部分地安置於腔室主體112之內。圖示之支撐組件140由兩個部分組成，該兩個部分為晶圓支撐件145及可移動軸147。可藉由例如致動電動機垂直地移動可移動軸147，以定位晶圓支撐件145之頂表面146，使頂表面146更接近或更遠離蓋體120之下表面121。支撐組件140亦可包括晶圓加熱器148（圖示為晶圓支撐件145內部之電極），但亦可採用其他晶圓加熱器148（例如複數個加熱燈）。

腔室主體112可包括未圖示之元件，如形成於腔室主體112之側壁中的狹縫閥開口，以提供進入處理室100之內部之通道。可有選擇地打開及關閉狹縫閥開口，以允許晶圓傳送機器人（未圖示）進入腔室主體112之內部體積。在一或更多個實施例中，可將晶圓傳入及傳出處理室100，穿過狹縫閥開口，至鄰近的移送室及/或負載鎖定腔室，或群集工具內之另一腔室。

腔室主體112亦可包括形成於腔室主體112中之通道113，通道113用於使傳熱流體流動穿過通道113。傳熱流體可為加熱流體或冷卻劑，且傳熱流體可用於在處理及基板移送期間控制腔室主體112之溫度。示例性傳熱流體包括但不限於水、乙二醇或以上兩者之混合物。示例性傳熱流體亦可包括氮氣。

腔室主體112可進一步包括襯裡133，襯裡133環繞支撐組件140。襯裡133為「處理套組」之部分，且襯裡可為可移除的，以用於維護及清理。襯裡133可由金屬（諸如鋁）或陶瓷材料製成。然而，襯裡133可為任意製程相容性材料。襯裡133可為噴擊之珠粒，以增加沉積於襯裡133上之任何材料的黏著力，進而防止材料剝落而導致處理室100之污染。在一或更多個實施例中，襯裡133包括一或更多個孔135（第6圖圖示）及泵送通道，該泵送通道與真空系統流體連通。孔135可提供流徑，該流徑允許處理氣體流入處理室100及/或用於將氣體從處理室100移除。

處理室100可包括具有真空泵及節流閥之真空系統，以調節氣體之流動。真空泵可耦接至腔室主體112之側面或底部中之真空埠，以允許與處理室100內部之處理區域形成流體連通。

當加熱處理室100之蓋體120時，亦加熱O型環125。此可能導致組成O型環125之彈性密封材料的損壞（例如滲漏、黏著及變形）。此外，在加熱蓋體120的同時，與蓋體120接觸之腔室主體112需要保持相對較冷。舉例而言，可將蓋體120加熱至約250℃，而將腔室主體112之溫度保持在約65℃。熱蓋體與相對較冷的腔室主體之間的熱差異可能引起熱蓋體向外膨脹128。該膨脹引起蓋體120相對於腔室主體112之相對位移，且可能導致在腔室100之內部形成刮痕及/或粒子。因此，本發明之一些實施例係針對腔室蓋體，該腔室蓋體最小化熱蓋體部分與相對較冷的腔室主體的接觸。一些實施例將密封表面移動至蓋體相對冷的位置。

另外，為保持處理區域117之溫度均勻性，可允許熱蓋體120元件觸碰處理套組元件（例如，處理襯裡133），進而促進熱均勻性。然而，在蓋體120之安裝期間，蓋體120與處理套組元件之間的接觸可能損壞該等處理套組元件。為減輕潛在的損壞，本發明之實施例允許蓋體120相對於處理套組向上及向下移動。

一些實施例包括位於蓋體上的薄彈性元件，該薄彈性元件允許蓋體元件向上及向下移動。在安裝元件時，在蓋體與處理套組之間有充足的距離，以防止損壞套組。一旦腔室經抽氣至真空，彈性元件上之壓差引起蓋體向處理套組移動，且觸碰處理套組。該壓差不會引起彈性材料之永久變形，同時允許蓋體元件的充分移動。

因此，本發明之一或更多個實施例係針對在低壓處理室中使用的蓋體組件200。參看第2圖，蓋體組件200包括高溫蓋體模組220，及環繞高溫蓋體模組220之外殼250。外殼250環繞高溫蓋體模組220，但外殼250可具有任何所要的形狀。本文圖示且描述之外殼形狀僅為示例性，且其他形狀可在本發明之範疇內。

高溫蓋體模組220可為單一整合元件，或可由許多元件組成。例如，第2圖圖示之高溫蓋體模組包括噴淋頭230及氣源231。噴淋頭可包括複數個孔，以允許氣體從噴淋頭230流動至晶圓160上之處理區域117（如第4圖所示）。彼等熟習此項技術者將瞭解高溫蓋體模組220中可包括其他元件。為方便描述，該等圖式（除第2圖）將高溫蓋體模組220作為單一元件圖示。

視涉及之特定元件而定，高溫蓋體模組220之形狀及設計可為任何適當的形狀。諸圖圖示之形狀僅為一個可能形狀之表示，且不應將圖示之形狀作為本發明之範疇的限制。高溫蓋體模組220具有底表面221，該底表面221可經定位，例如，鄰近於處理室100之處理套組（例如處理襯裡133）。高溫蓋體模組220亦包括頂表面222，如下所述，頂表面222可與外殼250相互作用。

外殼250位於高溫蓋體模組220之周圍。換言之，外殼250環繞高溫蓋體模組220之外邊緣，以最小化處理期間高溫蓋體模組220之曝露於大氣之區域。外殼250包含中空圓筒狀壁251，中空圓筒狀壁251具有下端252及上端253，下端252將經定位鄰近於處理室主體112。

彈性密封O型環225定位於中空圓筒狀壁251之上端253與高溫蓋體模組220之頂表面222之間。第2圖圖示之O型環225與中空圓筒狀壁251之內表面254接觸。O型環225在外殼250之大氣側與外殼250與高溫蓋體模組220之間的內部區域216之間形成密封。

外殼250為撓性的，以允許高溫蓋體模組220在外殼250內移動。例如，當高溫蓋體模組220下方之壓力低於大氣壓力時，模組將向下移動。外殼250允許一定程度之移動，同時保持外殼250之初始形狀，以便在壓力平衡時，高溫蓋體模組220返回至原始位置。高溫蓋體模組220之移動量可不同。在一些實施例中，高溫蓋體模組220可從模組220之原始位置移動之距離長達約1吋。在一或更多個實施例中，高溫蓋體模組220可在以下範圍內移動：約0.1吋至約1吋之範圍內，或約0.15吋至約0.5吋之範圍內，或約0.2吋至約0.4吋之範圍內。

高溫蓋體模組220除相對於外殼250垂直移動外，高溫蓋體模組220亦可由於加熱而膨脹。若高溫蓋體模組220處於高溫下，且外殼相對較冷，溫差將導致高溫蓋體模組220相對於外殼250膨脹。在一些實施例中，高溫蓋體模組220之膨脹引起高溫蓋體模組220之外邊緣觸碰或接觸外殼250之內表面254。在一些實施例中，加熱後高溫蓋體模組220之膨脹並不在高溫蓋體模組220與外殼250之間形成額外的接觸點。

第3圖圖示外殼250之另一實施例，在該實施例中，中空圓筒狀壁251由若干部分組成。此處，中空圓筒狀壁包含外中空圓筒狀壁261及內中空圓筒狀壁263。下環孔262與外中空圓筒狀壁261及內中空圓筒狀壁263接觸。上環孔264連接至內中空圓筒狀壁263。在一些實施例中，彈性密封O型環225定位於上環孔264之底壁265與高溫蓋體模組220之頂表面222之間。

在第3圖圖示之實施例中，外中空圓筒狀壁261、下環孔262、內中空圓筒狀壁263及上環孔264係整體形成的。此意謂，此等個別元件係作為單件結構形成的。

第4圖圖示處理室100之一實施例，處理室100包括腔室主體及腔室蓋體200。腔室主體包括圓筒狀腔室壁112，圓筒狀腔室壁112具有頂表面114，頂表面114封閉處理區域117。處理區域117包括晶圓支撐件145（圖示之晶圓支撐件145支撐晶圓160），及環繞晶圓支撐件145之處理襯裡133。腔室蓋體200包含高溫蓋體模組220，高溫蓋體模組220具有底表面221，底表面221經定位鄰近於處理襯裡133之頂表面115。存在位於處理襯裡133之頂表面115與高溫蓋體模組220之底表面221之間的縫隙290。

第4圖之實施例具有外殼250，其中下環孔262、內中空圓筒狀壁263及上環孔264係整體形成的，而外中空圓筒狀壁261為獨立元件。彼等熟習此項技術者將瞭解，視組成外殼250之部分的數目或順序而定，具有整體形成及獨立部分之其他配置。例如，外圓筒狀壁261、下環孔262及內圓筒狀壁263可為整體形成，而上環孔264為獨立的。在一些實施例中，外殼250由一個不同的元件（例如，第2圖之圓頂形狀），或兩個、三個、四個（例如第4圖）、五個、六個、七個、八個、九個或更多個不同的部分組成，任何數目之此等不同部分可經整體形成。

如第4圖所示，在外中空圓筒狀壁261為獨立元件的情況下，O型環270定位於外中空圓筒狀壁261之頂端271與下環孔262之下表面272之間。此O型環270可使得外殼250之各部分能夠分別彎曲，而不會斷開處理區域與大氣之間的密封。

外殼250之厚度或外殼之部分的厚度可不同，以使得更易於或更難彎曲。在一些實施例中，如第4圖所示，外殼250之下環孔262比上環孔264更薄。因此，當高溫蓋體模組220向下移動時，外殼250圍繞下環孔262彎曲。此意謂下環孔262部分可彎曲，或經由O型環270至外圓筒狀壁261之連接可移動或彎曲，或至內圓筒狀壁部之連接可移動或彎曲。

當處理區域117未處於減壓下時，高溫蓋體模組220與處理襯裡133之間具有縫隙290。此允許將蓋體置放於腔室之上，而不具有刮擦或凹陷處理襯裡133或高溫蓋體模組220之底表面221之風險。換言之，當處理區域117處於大氣壓力下時，高溫蓋體模組220之底表面221不觸碰處理襯裡133之頂表面115。如第5圖所示，當處理區域117處於減壓下時，外殼250彎曲以允許高溫蓋體模組220在外殼250之內移動，以接觸處理襯裡133之頂表面115。在此，縫隙290變得很小至不存在，以便高溫蓋體模組220與處理襯裡133之間有直接接觸，以增強處理室內之加熱的均勻性。

第6圖圖示根據本發明之一或更多個實施例之外殼250之部分的橫截面透視圖。在此，外殼250為包括下環孔262、內中空圓筒狀壁263及上環孔264之整合元件。圖示之外連接區域273圍繞下環孔262之外周緣。圖示之外連接區域273具有複數個孔295，經由孔295，外殼250可連接至腔室之頂部或連接至外圓筒狀壁261之頂部。該上環孔中亦有複數個孔296，孔296可用於將外殼連接至高溫蓋體模組220之頂表面。

儘管上述內容係針對本發明之實施例，在不脫離本發明之基本範疇的情況下，可設計本發明之其他及另外之實施例，且本發明之範疇由以下申請專利範圍判定。

100‧‧‧處理室

112‧‧‧腔室主體/圓筒狀腔室壁

113‧‧‧通道

114‧‧‧頂表面

115‧‧‧頂表面

117‧‧‧處理區域

120‧‧‧蓋體組件

121‧‧‧下表面

125‧‧‧O型環

128‧‧‧向外膨脹

133‧‧‧處理襯裡

135‧‧‧孔

140‧‧‧支撐組件

145‧‧‧晶圓支撐件

146‧‧‧頂表面

147‧‧‧可移動軸

148‧‧‧晶圓加熱器

160‧‧‧晶圓

200‧‧‧腔室蓋體/蓋體組件

216‧‧‧內部區域

220‧‧‧高溫蓋體模組

221‧‧‧底表面

222‧‧‧頂表面

225‧‧‧O型環

230‧‧‧噴淋頭

231‧‧‧氣源

250‧‧‧外殼

251‧‧‧中空圓筒狀壁

252‧‧‧下端

253‧‧‧上端

254‧‧‧內表面

261‧‧‧外中空圓筒狀壁

262‧‧‧下環孔

263‧‧‧內中空圓筒狀壁

264‧‧‧上環孔

265‧‧‧底壁

270‧‧‧O型環

271‧‧‧頂端

272‧‧‧下表面

273‧‧‧外連接區域

290‧‧‧縫隙

295‧‧‧孔

296‧‧‧孔

以上簡短總結的本發明之更詳細的描述可參閱本發明實施例之方式描述，其中該等實施例在附圖中圖示，以便可獲得且詳細瞭解本發明之示例性實施例。應瞭解，本文未論述某些熟知的製程，以便不模糊本發明。

第1圖圖示習知處理設備的橫截面示意圖；

第2圖圖示根據本發明之一或更多個實施例之蓋體組件的橫截面示意圖；

第3圖圖示根據本發明之一或更多個實施例之蓋體組件的橫截面示意圖；

第4圖圖示根據本發明之一或更多個實施例之大氣壓力下之處理室的橫截面示意圖；

第5圖圖示根據本發明之一或更多個實施例處於減壓條件下的第4圖之處理室的橫截面示意圖；以及

第6圖圖示根據本發明之一或更多個實施例之蓋體組件的部分橫截面透視圖。

為便於瞭解，相同元件符號儘可能用於指定諸圖共有之相同元件。可設想，一個實施例中的元件及特徵可有利地併入其它實施例，而無需進一步敘述。然而應注意，附圖僅圖示本發明之示例性實施例，且因為本發明承認其他同等有效之實施例，所以該等圖式並不欲視為本發明之範疇的限制。

國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

Claims (6)

1. 一種處理室，該處理室包含：一腔室主體，該腔室主體包括具有一頂表面之一圓筒狀腔室壁，該圓筒狀腔室壁封閉一處理區域，該處理區域包括一晶圓支撐件及環繞該晶圓支撐件之一處理襯裡；一腔室蓋體，該腔室蓋體包含：一高溫蓋體模組，該高溫蓋體模組具有一底表面及一頂表面，該底表面經定位鄰近於該處理襯裡之一頂表面，一外殼，該外殼位於該高溫蓋體模組之周圍，該外殼包含一中空圓筒狀壁，該中空圓筒狀壁具有一下端及一上端，該下端鄰近於該圓筒狀腔室壁之該頂表面，該中空圓筒狀壁包含一外中空圓筒狀壁、一內中空圓筒狀壁、與該外中空圓筒狀壁及該內中空圓筒狀壁接觸之一下環孔，及連接至該內中空圓筒狀壁之一上環孔，該外中空圓筒狀壁、該下環孔、該內中空圓筒狀壁及該上環孔係整體形成的，及一彈性密封O型環，該彈性密封O型環定位於該上環孔之一底壁與該高溫蓋體模組之該頂表面之間；及一第一O型環，該第一O型環定位於該圓筒狀腔室壁之該頂表面與該外殼之該中空圓筒狀壁之該下端之間，其中，當該處理區域處於大氣壓力下時，該高溫蓋體模組之該底表面並不觸碰該處理襯裡之該頂表面，而當該處理區域處於減壓下時，該外殼彎曲以允許該高溫蓋體模組在該外殼內移動，以接觸該處理襯裡之該頂表面。
2. 一種處理室，該處理室包含：一腔室主體，該腔室主體包括具有一頂表面之一圓筒狀腔室壁，該圓筒狀腔室壁封閉一處理區域，該處理區域包括一晶圓支撐件及環繞該晶圓支撐件之一處理襯裡；一腔室蓋體，該腔室蓋體包含：一高溫蓋體模組，該高溫蓋體模組具有一底表面及一頂表面，該底表面經定位鄰近於該處理襯裡之一頂表面，一外殼，該外殼位於該高溫蓋體模組之周圍，該外殼包含一中空圓筒狀壁，該中空圓筒狀壁具有一下端及一上端，該下端鄰近於該圓筒狀腔室壁之該頂表面，該中空圓筒狀壁包含一外中空圓筒狀壁、一內中空圓筒狀壁、與該外中空圓筒狀壁及該內中空圓筒狀壁接觸之一下環孔，及連接至該內中空圓筒狀壁之一上環孔，其中該下環孔、該內中空圓筒狀壁及該上環孔係整體形成的，而該外中空圓筒狀壁係獨立的，及一彈性密封O型環，該彈性密封O型環定位於該外殼之該中空圓筒狀壁之該上端與該高溫蓋體模組之該頂表面之間；及一第一O型環，該第一O型環定位於該圓筒狀腔室壁之該頂表面與該外殼之該中空圓筒狀壁之該下端之間，其中，當該處理區域處於大氣壓力下時，該高溫蓋體模組之該底表面並不觸碰該處理襯裡之該頂表面，而當該處理區域處於減壓下時，該外殼彎曲以允許該高溫蓋體模組在該外殼內移動，以接觸該處理襯裡之該頂表面。
3. 如請求項2所述之處理室，進一步包含一第二O型環，該第二O型環定位於該外中空圓筒狀壁之一頂端與該下環孔之一下表面之間。
4. 一種處理室，該處理室包含：一腔室主體，該腔室主體包括具有一頂表面之一圓筒狀腔室壁，該圓筒狀腔室壁封閉一處理區域，該處理區域包括一晶圓支撐件及環繞該晶圓支撐件之一處理襯裡；一腔室蓋體，該腔室蓋體包含：一高溫蓋體模組，該高溫蓋體模組具有一底表面及一頂表面，該底表面經定位鄰近於該處理襯裡之一頂表面，一外殼，該外殼位於該高溫蓋體模組之周圍，該外殼包含一中空圓筒狀壁，該中空圓筒狀壁具有一下端及一上端，該下端鄰近於該圓筒狀腔室壁之該頂表面，該中空圓筒狀壁包含一外中空圓筒狀壁、一內中空圓筒狀壁、與該外中空圓筒狀壁及該內中空圓筒狀壁接觸之一下環孔，及連接至該內中空圓筒狀壁之一上環孔，該外中空圓筒狀壁、該下環孔、該內中空圓筒狀壁及該上環孔係整體形成的，及一彈性密封O型環，該彈性密封O型環定位於該外殼之該中空圓筒狀壁之該上端與該高溫蓋體模組之該頂表面之間；及一第一O型環，該第一O型環定位於該圓筒狀腔室壁之該頂表面與該外殼之該中空圓筒狀壁之該下端之間，其中，當該處理區域處於大氣壓力下時，該高溫蓋體模組之該底表面並不觸碰該處理襯裡之該頂表面，而當該處理區域處於減壓下時，該外殼彎曲以允許該高溫蓋體模組在該外殼內移動，以接觸該處理襯裡之該頂表面，其中該外殼具有充分的撓性，以允許該高溫蓋體模組在該外殼內之移動長達約1吋。
5. 一種處理室，該處理室包含：一腔室主體，該腔室主體包括具有一頂表面之一圓筒狀腔室壁，該圓筒狀腔室壁封閉一處理區域，該處理區域包括一晶圓支撐件及環繞該晶圓支撐件之一處理襯裡；一腔室蓋體，該腔室蓋體包含：一高溫蓋體模組，該高溫蓋體模組具有一底表面及一頂表面，該底表面經定位鄰近於該處理襯裡之一頂表面，一外殼，該外殼位於該高溫蓋體模組之周圍，該外殼包含一中空圓筒狀壁，該中空圓筒狀壁具有一下端及一上端，該下端鄰近於該圓筒狀腔室壁之該頂表面，該中空圓筒狀壁包含一外中空圓筒狀壁、一內中空圓筒狀壁、與該外中空圓筒狀壁及該內中空圓筒狀壁接觸之一下環孔，及連接至該內中空圓筒狀壁之一上環孔，該外中空圓筒狀壁、該下環孔、該內中空圓筒狀壁及該上環孔係整體形成的，及一彈性密封O型環，該彈性密封O型環定位於該外殼之該中空圓筒狀壁之該上端與該高溫蓋體模組之該頂表面之間；及一第一O型環，該第一O型環定位於該圓筒狀腔室壁之該頂表面與該外殼之該中空圓筒狀壁之該下端之間，其中，當該處理區域處於大氣壓力下時，該高溫蓋體模組之該底表面並不觸碰該處理襯裡之該頂表面，而當該處理區域處於減壓下時，該外殼彎曲以允許該高溫蓋體模組在該外殼內移動，以接觸該處理襯裡之該頂表面，其中該高溫蓋體模組包含一噴淋頭組件，該噴淋頭組件包括在該底表面上之複數個孔。
6. 一種處理室，該處理室包含：一腔室主體，該腔室主體包括具有一頂表面之一圓筒狀腔室壁，該圓筒狀腔室壁封閉一處理區域，該處理區域包括一晶圓支撐件及環繞該晶圓支撐件之一處理襯裡；一腔室蓋體，該腔室蓋體包含：一高溫蓋體模組，該高溫蓋體模組具有一底表面及一頂表面，該底表面經定位鄰近於該處理襯裡之一頂表面，一外殼，該外殼位於該高溫蓋體模組之周圍，該外殼包含一中空圓筒狀壁，該中空圓筒狀壁具有一下端及一上端，該下端鄰近於該圓筒狀腔室壁之該頂表面，該中空圓筒狀壁包含一外中空圓筒狀壁、一內中空圓筒狀壁、與該外中空圓筒狀壁及該內中空圓筒狀壁接觸之一下環孔，及連接至該內中空圓筒狀壁之一上環孔，該外中空圓筒狀壁、該下環孔、該內中空圓筒狀壁及該上環孔係整體形成的，及一彈性密封O型環，該彈性密封O型環定位於該外殼之該中空圓筒狀壁之該上端與該高溫蓋體模組之該頂表面之間；及一第一O型環，該第一O型環定位於該圓筒狀腔室壁之該頂表面與該外殼之該中空圓筒狀壁之該下端之間，其中，當該處理區域處於大氣壓力下時，該高溫蓋體模組之該底表面並不觸碰該處理襯裡之該頂表面，而當該處理區域處於減壓下時，該外殼彎曲以允許該高溫蓋體模組在該外殼內移動，以接觸該處理襯裡之該頂表面，其中加熱後該高溫蓋體模組之膨脹並不在該高溫蓋體模組與該外殼之間形成額外的接觸點。