KR102193652B1 - 고온 공정 챔버 리드 - Google Patents

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디엔-예 우
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Abstract

프로세싱 챔버를 위한 리드 조립체들 및 리드 조립체들을 포함하는 프로세싱 챔버들이 설명된다. 리드 조립체들은 고온 리드 모듈 및 하우징을 포함한다. 고온 리드 모듈은 프로세싱 챔버의 공정 라이너에 인접하여 위치된다. 가요성인 하우징이 고온 리드 모듈 주위에 위치되고 탄성 중합 링에 의해 고온 리드 모듈에 결합된다.

Description

고온 공정 챔버 리드 {HIGH TEMPERATURE PROCESS CHAMBER LID}
[0001] 본 개시물은 공정 챔버 리드에 관한 것이다. 더 구체적으로는, 본 개시물의 실시예들은 시일링 재료들에 대한 손상을 방지하고 공정 키트 구성요소들을 손상시키지 않으면서 리드의 설치를 가능하게 하는 공정 챔버 리드들에 관한 것이다.
[0002] 챔버의 리드가 가열될 때, 챔버 리드와 벽들 사이의 탄성 중합 시일링 재료들이 또한 가열된다. 이는 탄성 중합 시일링 재료가 약해지고, 표면에 들러붙고, 누출되고 형상을 잃는 것을 야기한다.
[0003] 게다가, 리드를 가열하는 동안, 리드와 접촉하고 있는 챔버 본체는 상대적으로 저온으로(cold) 남아있어야 한다. 열 차이들은 고온 리드가 팽창하게 하고 챔버 본체에 대한 리드의 상대 변위를 야기한다. 이는 챔버 내에 스크래치들 및 입자들을 생성할 수 있다.
[0004] 또한, 공정 구역 온도를 균일하게 유지하기 위해, 고온 리드 구성요소들은 공정 키트 구성요소들에 닿도록 허용되며, 이는 리드와 공정 키트 구성요소들 사이에 접촉을 생성하고 열 균일성을 가능하게 할 것이다. 하지만, 리드의 설치 동안, 접촉은 공정 키트 구성요소들을 손상시킬 수 있다.
[0005] 당업계에는 챔버 리드와 챔버 본체 사이의 열 차이들의 효과를 최소화하면서 공정 챔버의 시일링 장치 및 방법들에 대한 계속되는 요구가 있다.
[0006] 부가적으로, 챔버 리드가 공정 키트 구성요소들에 접촉하고 공정 키트 구성요소들을 잠재적으로 손상시킬 수 있게 하지 않으면서도, 공정 챔버를 시일링하는 장치 및 방법들에 대한 계속되는 요구가 당업계에 있다.
[0007] 본 발명의 하나 또는 그 초과의 실시예들은, 고온 리드 모듈, 하우징 및 탄성 중합 시일링 O-링을 포함하는 리드 조립체에 대한 것이다. 고온 리드 모듈은 프로세싱 챔버의 프로세싱 키트에 인접하여 위치되는 바닥 표면 그리고 정상 표면을 갖는다. 하우징은 고온 리드 모듈 주위에 있다. 하우징은, 프로세싱 챔버 본체에 인접하여 위치되는 하부 단부 및 상부 단부를 갖는 중공 원통형 벽을 포함한다. 탄성 중합 시일링 O-링은 하우징의 중공 원통형 벽의 상부 단부와 고온 리드 모듈의 정상 표면 사이에 위치된다. 하우징은 하우징 내의 고온 리드 모듈의 이동을 가능하게 하기 위해 가요성(flexible)이다.
[0008] 일부 실시예들에서, 하우징의 중공 원통형 벽은 외부 중공 원통형 벽, 내부 중공 원통형 벽, 외부 중공 원통형 벽 및 내부 중공 원통형 벽과 접촉하는 하부 환형부(annulus) 그리고 내부 중공 원통형 벽에 연결되는 상부 환형부를 포함한다. 하나 또는 그 초과의 실시예들에서, 탄성 중합 시일링 O-링은 상부 환형부의 하부 벽과 고온 리드의 정상 표면 사이에 위치된다. 일부 실시예들에서, 외부 중공 원통형 벽, 하부 환형부, 내부 중공 원통형 벽 및 상부 환형부는 일체로 형성된다. 하나 또는 그 초과의 실시예들에서, 하부 환형부는 외부 중공 원통형 벽, 내부 중공 원통형 벽 및 상부 환형부보다 더 얇다.
[0009] 일부 실시예들에서, 하부 환형부, 내부 중공 원통형 벽 및 상부 환형부는 일체로 형성되고 외부 중공 원통형 벽은 별개이다. 하나 또는 그 초과의 실시예들에서, 리드 조립체는 외부 중공 원통형 벽의 정상 단부와 하부 환형부의 하부 표면 사이에 위치되는 O-링을 더 포함한다.
[0010] 일부 실시예들에서, 하우징은 최대 약 1 인치의, 하우징 내에서의 고온 리드 모듈의 이동을 가능하게 하기에 충분한 가변성(flexibility)을 갖는다. 하나 또는 그 초과의 실시예들에서, 고온 리드 모듈은 바닥 표면에 복수의 구멍들을 포함하는 샤워헤드(showerhead) 조립체를 포함한다.
[0011] 본 발명의 부가적인 실시예들은, 챔버 본체 및 챔버 리드를 포함하는 프로세싱 챔버들에 관한 것이다. 챔버 본체는 정상 표면을 갖는 원통형 챔버 벽을 포함한다. 원통형 챔버 벽은 공정 구역을 에워싸며, 공정 구역은 웨이퍼 지지부 및 웨이퍼 지지부를 둘러싸는 공정 라이너를 포함한다. 챔버 리드는 고온 리드 모듈 및 하우징을 포함한다. 고온 리드 모듈은 공정 라이너의 정상 표면에 인접하여 위치되는 바닥 표면 및 정상 표면을 갖는다. 하우징은 고온 리드 모듈 주위에 있고, 원통형 챔버 벽의 정상 표면에 인접한 하부 단부 및 상부 단부를 갖는 중공 원통형 벽을 포함한다. 탄성 중합 시일링 O-링은 하우징의 중공 원통형 벽의 상부 단부와 고온 리드 모듈의 정상 표면 사이에 위치된다. O-링이 원통형 챔버 벽의 정상 표면과 하우징의 중공 원통형 벽의 하부 단부 사이에 위치된다. 고온 리드 모듈의 바닥 표면은 공정 구역이 대기압일 때 공정 라이너의 정상 표면에 닿지 않고 하우징은 공정 구역이 감소된 압력 하에 있을 때 공정 라이너의 정상 표면과 접촉하기 위해 고온 리드 모듈이 하우징 내에서 이동하는 것을 가능하게 하도록 휘어진다(flex).
[0012] 일부 실시예들에서, 하우징의 중공 원통형 벽은, 외부 중공 원통형 벽, 내부 중공 원통형 벽, 외부 중공 원통형 벽 및 내부 중공 원통형 벽과 접촉하는 하부 환형부 및 내부 중공 원통형 벽에 연결되는 상부 환형부를 포함한다. 하나 또는 그 초과의 실시예들에서, 탄성 중합 시일링 O-링은 상부 환형부의 하부 벽과 고온 리드의 정상 표면 사이에 위치된다. 일부 실시예들에서, 외부 중공 원통형 벽, 하부 환형부, 내부 중공 원통형 벽 및 상부 환형부는 일체로 형성된다. 하나 또는 그 초과의 실시예들에서, 하부 환형부는 외부 중공 원통형 벽, 내부 중공 원통형 벽 및 상부 환형부보다 더 얇다.
[0013] 일부 실시예들에서, 하부 환형부, 내부 중공 원통형 벽 및 상부 환형부는 일체로 형성되고, 외부 중공 원통형 벽은 별개이다. 하나 또는 그 초과의 실시예들은 외부 중공 원통형 벽의 정상 단부와 하부 환형부의 하부 표면 사이에 위치되는 O-링을 더 포함한다.
[0014] 일부 실시예들에서, 하우징은 최대 약 1 인치까지 하우징 내에서 고온 리드 모듈의 이동을 가능하게 하기에 충분한 가변성을 갖는다. 하나 또는 그 초과의 실시예들에서, 고온 리드 모듈은 바닥 표면에 복수의 구멍들을 포함하는 샤워헤드 조립체를 포함한다. 일부 실시예들에서, 가열시 고온 리드 모듈의 팽창은 고온 리드 모듈과 하우징 사이에 부가적인 접촉 지점들을 생성하지 않는다.
[0015] 본 발명의 예시적인 실시예들이 달성되고 상세하게 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간단하게 요약된 본 발명의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있는데, 이러한 실시예들은 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 특정한 주지된 공정들은 본 발명을 모호하게 하지 않기 위해 본원에서 논의되지 않는 것이 이해되어야 한다.
[0016] 도 1은 종래의 프로세싱 장치의 개략적 단면도를 도시하고;
[0017] 도 2는 본 발명의 하나 또는 그 초과의 실시예에 따른 리드 조립체의 개략적 단면도를 도시하고;
[0018] 도 3은 본 발명의 하나 또는 그 초과의 실시예에 따른 리드 조립체의 개략적 단면도를 도시하고;
[0019] 도 4는 본 발명의 하나 또는 그 초과의 실시예에 따른, 대기압에서의 프로세싱 챔버의 개략적 단면도를 도시하고;
[0020] 도 5는 본 발명의 하나 또는 그 초과의 실시예에 따른, 감소된 압력 조건들 하에서의 도 4의 프로세싱 챔버의 개략적 단면도를 도시하고;
[0021] 도 6은 본 발명의 하나 또는 그 초과의 실시예들에 따른 리드 조립체의 부분적인 단면 사시도를 도시한다.
[0022] 이해를 용이하게 하기 위해, 도면들에 공통적인 동일한 요소들을 나타내는데 동일한 참조 부호들이 사용되었다. 일 실시예의 요소들 및 피쳐들은 다른 언급 없이 다른 실시예들에 유리하게 포함될 수 있는 것으로 고려된다. 하지만, 첨부된 도면들은 본 발명의 단지 예시적인 실시예들을 도시하는 것이므로 본 발명의 범주를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 발명이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0023] 도 1은 종래의 프로세싱 챔버(100)의 개략도를 도시한다. 프로세싱 챔버(100)는 챔버 본체(112) 및 리드 조립체(120)를 포함한다. 리드 조립체(120)는 챔버 본체(112)의 상부 단부에 배치된다. 프로세싱 챔버(100) 및 연관된 하드웨어는, 예컨대 알루미늄, 양극산화된 알루미늄, 니켈 도금된 알루미늄, 니켈 도금된 알루미늄 6061-T6, 스테인리스 강뿐만 아니라 이들의 조합들 및 합금들을 포함하지만 이에 제한되지 않는 임의의 적절한 재료로 만들어질 수 있다.
[0024] 리드(120)와 챔버 본체(112) 사이에, 예컨대 O-링(125)에 의해 시일이 형성된다. 리드(120)의 중량 및 챔버(100) 내의 감소된 압력은 리드(120)가 챔버 본체(112)의 상부 부분을 향하여 이동하게 할 것이고, 이는 O-링(125)을 압축하고 시일을 보강한다.
[0025] 지지부 조립체(140)가 적어도 부분적으로 챔버 본체(112) 내에 배치된다. 도시된 지지부 조립체(140)는 2 개의 부품들, 웨이퍼 지지부(145) 및 이동 가능한 샤프트(147)로 구성된다. 이동 가능한 샤프트(147)는 예컨대 액추에이터 모터에 의해, 웨이퍼 지지부(145)의 정상 표면(146)을 리드(120)의 하부 표면(121)에 더 가깝게 또는 리드(120)의 하부 표면(121)으로부터 더 멀게 위치시키기 위해 수직으로 이동될 수 있다. 지지 조립체(140)는, 웨이퍼 지지부(145) 내의 전극으로서 도시된 웨이퍼 히터(148)를 또한 포함할 수 있지만, 다른 웨이퍼 히터(148)들(예컨대, 복수의 가열 램프들)이 또한 이용될 수 있다.
[0026] 챔버 본체(112)는 프로세싱 챔버(100)의 내부로의 접근을 제공하기 위해, 챔버 본체(112)의 측벽에 형성되는 슬릿 밸브 개구와 같은, 도시되지 않은 구성요소들을 포함할 수 있다. 슬릿 밸브 개구는 웨이퍼 취급(handling) 로봇(도시되지 않음)에 의한 챔버 본체(112)의 내부로의 접근을 허용하기 위해 선택적으로 개방 및 폐쇄될 수 있다. 하나 또는 그 초과의 실시예에서, 웨이퍼는 슬릿 밸브 개구를 통하여 클러스터 툴 내의, 인접한 이송 챔버 및/또는 로드 록(load-lock) 챔버, 또는 다른 챔버로, 프로세싱 챔버(100)의 밖으로 그리고 안으로 운반될 수 있다.
[0027] 챔버 본체(112)는, 열 전달 유체를 통과하여 유동시키기 위한, 챔버 본체 내부에 형성되는 채널(113)을 또한 포함할 수 있다. 열 전달 유체는 가열 유체 또는 냉각제일 수 있고, 프로세싱 및 기판 이송 동안 챔버 본체(112)의 온도를 제어하는데 사용될 수 있다. 예시적인 열 전달 유체들은 물, 에틸렌 글리콜 또는 이들의 혼합물을 포함하지만, 이들로 제한되지 않는다. 예시적인 열 전달 유체는 또한 질소 가스를 포함할 수 있다.
[0028] 챔버 본체(112)는 지지부 조립체(140)를 둘러싸는 라이너(133)를 더 포함할 수 있다. 라이너(133)는 "공정 키트"의 부품이며 서비스 및 세정을 위해 제거 가능할 수 있다. 라이너(133)는 알루미늄과 같은 금속 또는 세라믹 재료로 만들어질 수 있다. 하지만, 라이너(133)는 임의의 공정 양립 가능한 재료일 수 있다. 라이너(133)는 그 위에 증착되는 임의의 재료의 접착을 증가시키기 위해 비드 블라스팅될(beed blasted) 수 있고, 이에 의해 프로세싱 챔버(100)의 오염을 초래하는 재료의 박리(flaking)를 방지한다. 하나 또는 그 초과의 실시예들에서, 라이너(133)는 하나 또는 그 초과의 구멍들(apertures)(135)(도 6에 도시됨) 및 진공 시스템과 유체 연통하는 펌핑 채널을 포함한다. 구멍들(135)은, 공정 가스들이 프로세싱 챔버(100) 안으로 유동될 수 있게 하며 그리고/또는 프로세싱 챔버(100)로부터 가스들을 제거하기 위한 유동 경로를 제공할 수 있다.
[0029] 프로세싱 챔버(100)는 가스들의 유동을 조절하기 위해 진공 펌프 및 스로틀 밸브를 갖는 진공 시스템을 포함할 수 있다. 진공 펌프는 프로세싱 챔버(100) 내의 프로세싱 영역과 유체 연통하는 것을 가능하게 하기 위해, 챔버 본체(112)의 측면 또는 바닥부의 진공 포트에 커플링될 수 있다.
[0030] 프로세싱 챔버(100)의 리드(120)가 가열될 때, O-링(125)이 또한 가열된다. 이는 O-링(125)을 만드는 탄성 중합 시일링 재료의 약화(예컨대, 누출, 들러붙음 및 형상을 잃음)를 초래할 수 있다. 게다가, 리드(120)를 가열하는 동안, 리드(120)와 접촉하는 챔버 본체(112)는 상대적으로 저온으로 유지될 필요가 있다. 예컨대, 리드(120)는 약 250℃의 온도로 가열될 수 있지만, 챔버 본체(112)는 약 65℃의 온도로 유지된다. 고온의(hot) 리드와 상대적으로 저온의 챔버 본체 사이의 이러한 열 차이는 고온의 리드가 외측으로 팽창(128)하게 할 수 있다. 팽창은 챔버 본체(112)에 대하여 리드(120)의 상대 변위를 야기하고, 챔버(100) 내측에 스크래치들 및/또는 입자들의 생성을 초래할 수 있다. 따라서, 본 발명의 일부 실시예들은, 상대적으로 저온의 챔버 본체에 대한 고온의 리드 부품들의 접촉을 최소화하는 챔버 리드에 대한 것이다. 일부 실시예들은 리드의 상대적으로 저온의 위치로 시일링 표면들을 이동시킨다.
[0031] 부가적으로는, 공정 구역(117)의 온도를 균일하게 유지하기 위해, 고온의 리드(120) 구성요소들은 공정 키트 구성요소들(예컨대, 공정 라이너(133))과 닿도록 허용될 수 있고, 이에 의해 열 균일성을 촉진한다. 하지만, 리드(120)의 설치 동안, 리드(120)와 공정 키트 구성요소들 사이의 접촉은 공정 키트 구성요소들을 손상시킬 수 있다. 손상에 대한 잠재성을 완화하기 위해, 본 발명의 실시예들은 리드(120)가 공정 키트에 대하여 위아래로 이동하는 것을 가능하게 한다.
[0032] 일부 실시예들은 리드 상에 얇은 탄성 구성요소를 포함하며, 이는 리드 구성요소가 위아래로 이동하는 것을 가능하게 한다. 부품들이 설치될 때, 손상을 방지하기 위해 리드와 공정 키트 사이에는 충분한 거리가 있다. 일단 챔버가 진공으로 펌핑 다운되면, 탄성 구성요소들 상의 압력 차이는, 리드가 공정 키트를 향하여 이동하게 하고 공정 키트에 닿게 한다. 압력 차이는 리드 구성요소에 대한 충분한 이동을 가능하게 하면서도 탄성 재료의 영구적인 변형을 야기하지 않는다.
[0033] 따라서, 본 발명의 하나 또는 그 초과의 실시예들은 저압 프로세싱 챔버에 사용하기 위한 리드 조립체(200)들에 대한 것이다. 도 2를 참조하면, 리드 조립체(200)는 고온 리드 모듈(220) 및 이 고온 리드 모듈(220)을 둘러싸는 하우징(250)을 포함한다. 하우징(250)은 고온 리드 모듈(220)을 둘러싸지만 임의의 요구되는 형상을 가질 수 있다. 본원에 도시되고 설명된 하우징 형상들은 단지 예시적이며 다른 형상들이 본 발명의 범주 내에 있을 수 있다.
[0034] 고온 리드 모듈(220)은 단일 일체형 구성요소이거나 다수의 구성요소들로 구성될 수 있다. 예컨대, 도 2에 도시된 고온 리드 모듈은 샤워헤드(230) 및 가스 소스(231)를 포함한다. 샤워헤드는, 가스가 샤워헤드(230)로부터 (도 4에 도시된 바와 같은) 웨이퍼(160) 위의 공정 구역(117)으로 유동하는 것을 가능하게 하는 복수의 구멍을 포함할 수 있다. 당업자들은 다른 구성요소들이 고온 리드 모듈(220)에 포함될 수 있는 것을 이해할 것이다. 설명의 편의를 위해, 도 2 외의 도면들은 고온 리드 모듈(220)을 단일 구성요소로서 도시한다.
[0035] 고온 리드 모듈(220)의 형상 및 디자인은 연관된(involved) 특정 구성요소(들)에 따라 임의의 적절한 형상일 수 있다. 도면들에 도시된 형상들은 단지 하나의 가능한 형상을 나타내며 본 발명의 범주를 제한하는 것으로서 간주되지 않아야 한다. 고온 리드 모듈(220)은 예컨대 프로세싱 챔버(100)의 프로세싱 키트(예컨대 공정 라이너(133))에 인접하여 위치될 수 있는 바닥 표면(221)을 갖는다. 고온 리드 모듈(220)은 이하에 설명되는 바와 같이, 하우징(250)과 상호 작용할 수 있는 정상 표면(222)을 또한 포함한다.
[0036] 하우징(250)은 고온 리드 모듈(220) 주위에 있다. 다르게 설명하면, 하우징(250)은 프로세싱 동안 대기에 노출되는 고온 리드 모듈(220)의 구역을 최소화하기 위해 고온 리드 모듈(220)의 외부 에지들을 둘러싼다. 하우징(250)은, 프로세싱 챔버 본체(112)에 인접하여 위치될 하부 단부(252) 및 상부 단부(253)를 갖는 중공 원통형 벽(251)을 포함한다.
[0037] 탄성 중합 시일링 O-링(225)이 중공 원통형 벽(251)의 상부 단부(253)와 고온 리드 모듈(220)의 정상 표면(222) 사이에 위치된다. 도 2에 도시된 O-링(225)은 중공 원통형 벽(251)의 내부 표면(254)과 접촉한다. O-링(225)은 하우징(250)과 고온 리드 모듈(220) 사이의 내부 영역(216)과 하우징(250)의 대기 측 사이에 시일을 생성한다.
[0038] 하우징(250)은 가요성이며, 이는 고온 리드 모듈(220)이 하우징(250) 내에서 이동하는 것을 가능하게 한다. 예컨대, 고온 리드 모듈(220) 아래의 압력이 대기압보다 더 낮을 때, 모듈은 아래로 이동할 것이다. 하우징(250)은 하우징의 최초의 형상을 유지하면서 어느 정도의(a degree of) 이동을 가능하게 하여서, 압력이 동등하게 될 때, 고온 리드 모듈(220)은 원래의 위치로 다시 이동한다. 고온 리드 모듈(220)의 이동의 양은 변할 수 있다. 일부 실시예들에서, 고온 리드 모듈(220)은 고온 리드 모듈의 최초 위치로부터 최대 약 1 인치의 거리를 이동할 수 있다. 하나 또는 그 초과의 실시예들에서, 고온 리드 모듈(220)은 약 0.1 인치 내지 약 1 인치의 범위, 또는 약 0.15 인치 내지 약 0.5 인치의 범위, 또는 약 0.2 인치 내지 약 0.4 인치의 범위에서 이동할 수 있다.
[0039] 하우징(250)에 대한 고온 리드 모듈(220)의 수직 이동 외에, 고온 리드 모듈(220)은 가열의 결과로서 또한 팽창할 수 있다. 고온 리드 모듈(220)이 상승된 온도에 있고 하우징이 상대적으로 차갑다면(cool), 온도 차이는 하우징(250)에 대한 고온 리드 모듈(220)의 팽창을 초래할 것이다. 일부 실시예들에서, 고온 리드 모듈(220)의 팽창은 고온 리드 모듈(220)의 외부 에지가 하우징(250)의 내부 표면(254)에 닿거나 또는 접촉하게 한다. 일부 실시예들에서, 가열시 고온 리드 모듈(220)의 팽창은 고온 리드 모듈(220)과 하우징(250) 사이의 부가적인 접촉 지점들을 생성하지 않는다.
[0040] 도 3은 중공 원통형 벽(251)이 몇몇 세그먼트들로 이루어지는 하우징(250)의 다른 실시예를 도시한다. 여기서 중공 원통형 벽은 외부 중공 원통형 벽(261) 및 내부 중공 원통형 벽(263)을 포함한다. 하부 환형부(262)가 외부 중공 원통형 벽(261) 및 내부 중공 원통형 벽(263)과 접촉한다. 상부 환형부(264)는 내부 중공 원통형 벽(263)에 연결된다. 일부 실시예들에서, 탄성 중합 시일링 O-링(225)은 상부 환형부(264)의 하부 벽(265)과 고온 리드 모듈(220)의 정상 표면(222) 사이에 위치된다.
[0041] 도 3에 도시된 실시예에서, 외부 중공 원통형 벽(261), 하부 환형부(262), 내부 중공 원통형 벽(263) 및 상부 환형부(264)는 일체로 형성된다. 이는 이러한 개별 구성요소들이 단일 피스로 형성되는 것을 의미한다.
[0042] 도 4는, 챔버 본체 및 챔버 리드(200)를 포함하는 프로세싱 챔버(100)의 실시예들을 도시한다. 챔버 본체는 공정 구역(117)을 에워싸는 정상 표면(114)을 갖는 원통형 챔버 벽(112)을 포함한다. 공정 구역(117)은, 웨이퍼(160)를 지지하는 상태로 도시된 웨이퍼 지지부(145) 그리고 웨이퍼 지지부(145)를 둘러싸는 공정 라이너(133)를 포함한다. 챔버 리드(200)는 공정 라이너(133)의 정상 표면(115)에 인접하여 위치되는 바닥 표면(221)을 갖는 고온 리드 모듈(220)을 포함한다. 공정 라이너(133)의 정상 표면(115)과 고온 리드 모듈(220)의 바닥 표면(221) 사이에는 갭(290)이 있다.
[0043] 도 4의 실시예는 하부 환형부(262), 내부 중공 원통형 벽(263) 및 상부 환형부(264)가 일체로 형성되고 외부 중공 원통형 벽(261)은 별개의 구성요소인 하우징(250)을 갖는다. 당업자들은 하우징(250)을 만드는 턴(turn)들, 또는 세그먼트들의 수에 따라, 일체로 형성되는 다른 구성들 및 별개의 섹션들이 있다는 것을 이해할 것이다. 예컨대, 외부 원통형 벽(261), 하부 환형부(262) 및 내부 원통형 벽(263)은 일체로 형성될 수 있고 상부 환형부(264)는 별개일 수 있다. 일부 실시예들에서, 하우징(250)은 하나의 별도의(distinct) 구성요소(예컨대 도 2 의 돔 형상), 또는 2, 3, 4(예컨대, 도 4), 5, 6, 7, 8, 9 또는 그 초과의 별도의 섹션들로 이루어지고, 임의의 개수의 이러한 별도의 섹션들은 일체로 형성된다.
[0044] 도 4에 도시된 바와 같이, 외부 중공 원통형 벽(261)에 의해, 별개의 구성요소, O-링(270)이 외부 중공 원통형 벽(261)의 정상 단부(271)와 하부 환형부(262)의 하부 표면(272) 사이에 위치된다. 이러한 O-링(270)은 하우징(250)의 일부들이 공정 구역과 대기 사이의 시일을 파괴하지 않으면서 별개로 휘어지는 것을 가능하게 할 수 있다.
[0045] 하우징(250) 또는 하우징의 일부들의 두께는 휨을 더 쉽게 또는 더 어렵게 하기 위해 변할 수 있다. 일부 실시예들에서, 도 4에 도시된 바와 같이, 하우징(250)의 하부 환형부(262)는 상부 환형부(264)보다 더 얇다. 따라서, 고온 리드 모듈(220)이 아래로 이동할 때, 하우징(250)은 하부 환형부(262) 주위로 휘어진다. 이는, 하부 환형부(262) 일부가 구부러질 수 있거나 O-링(270)을 통한 외부 원통형 벽(261) 또는 내부 원통형 벽으로의 연결부들이 이동되거나 휠 수 있는 것을 의미한다.
[0046] 공정 구역(117)이 감소된 압력 하에 있지 않을 때, 고온 리드 모듈(220)과 공정 라이너(133) 사이에 갭(290)이 있다. 이는, 리드가 고온 리드 모듈(220)의 바닥 표면(221) 또는 공정 라이너(133)의 스크래칭 또는 덴팅(denting)의 위험 없이 챔버에 놓이는 것을 가능하게 한다. 다르게 설명하면, 고온 리드 모듈(220)의 바닥 표면(221)은 공정 구역(117)이 대기압일 때, 공정 라이너(133)의 정상 표면(115)에 닿지 않는다. 도 5에 도시된 바와 같이, 하우징(250)은 공정 구역(117)이 감소된 압력 하에 있을 때, 고온 리드 모듈(220)이 하우징(250) 내에서 이동하여, 공정 라이너(133)의 정상 표면(115)에 접촉하는 것을 가능하게 하도록 휘어진다. 여기서, 갭(290)은 존재하지 않을 때까지 작아졌으며, 이에 의해 공정 챔버 내에서의 가열의 균일성을 보강하기 위해 공정 라이너(133)와 고온 리드(220) 사이에 직접 접촉이 존재한다.
[0047] 도 6은 본 발명의 하나 또는 그 초과의 실시예에 따른 하우징(250)의 일부의 단면 사시도를 도시한다. 여기서, 하우징(250)은 하부 환형부(262), 내부 중공 실린더(263) 및 상부 환형부(264)를 포함하는 일체형 구성요소이다. 외부 커넥터 영역(273)이 하부 환형부(262)의 외부 주변 에지 주위에 도시된다. 도시된 외부 커넥터 영역(273)은 복수의 홀(295)들을 갖고 이 홀들을 통하여 하우징(250)은 챔버의 정상부에 또는 외부 원통형 벽(261)의 정상부에 연결될 수 있다. 상부 환형부에는 또한 복수의 홀(296)들이 있고 이들은 하우징을 고온 리드 모듈(220)의 정상 표면에 연결하는데 사용될 수 있다.
[0048] 전술한 내용이 본 발명의 실시예들에 관한 것이지만, 본 발명의 다른 그리고 추가의 실시예들이 본 발명의 기본 범주로부터 이탈함이 없이 안출될 수 있고, 본 발명의 범주는 이후의 청구범위들에 의해 결정된다.

Claims (12)

  1. 리드 조립체로서,
    프로세싱 챔버의 프로세싱 키트에 인접하여 위치되는 바닥 표면 및 정상 표면을 갖는 고온 리드 모듈;
    상기 고온 리드 모듈 주위의 하우징 ― 상기 하우징은 프로세싱 챔버 본체에 인접하여 위치되는 하부 단부 및 상부 단부를 갖는 중공 원통형 벽을 포함함 ―; 및
    상기 하우징의 중공 원통형 벽의 상기 상부 단부와 상기 고온 리드 모듈의 상기 정상 표면 사이에 위치되는 탄성 중합 시일링 O-링을 포함하고,
    상기 하우징은 상기 하우징 내에서의 상기 고온 리드 모듈의 이동을 가능하게 하기 위해 가요성이고,
    상기 하우징의 상기 중공 원통형 벽은 외부 중공 원통형 벽, 내부 중공 원통형 벽, 상기 외부 중공 원통형 벽 및 상기 내부 중공 원통형 벽과 접촉하는 하부 환형부(annulus), 그리고 상기 내부 중공 원통형 벽에 연결된 상부 환형부를 포함하고,
    상기 외부 중공 원통형 벽, 상기 하부 환형부, 상기 내부 중공 원통형 벽 및 상기 상부 환형부는 일체로 형성되는,
    리드 조립체.
  2. 리드 조립체로서,
    프로세싱 챔버의 프로세싱 키트에 인접하여 위치되는 바닥 표면 및 정상 표면을 갖는 고온 리드 모듈;
    상기 고온 리드 모듈 주위의 하우징 ― 상기 하우징은 프로세싱 챔버 본체에 인접하여 위치되는 하부 단부 및 상부 단부를 갖는 중공 원통형 벽을 포함함 ―; 및
    상기 하우징의 중공 원통형 벽의 상기 상부 단부와 상기 고온 리드 모듈의 상기 정상 표면 사이에 위치되는 탄성 중합 시일링 O-링을 포함하고,
    상기 하우징은 상기 하우징 내에서의 상기 고온 리드 모듈의 이동을 가능하게 하기 위해 가요성이고,
    상기 하우징의 상기 중공 원통형 벽은 외부 중공 원통형 벽, 내부 중공 원통형 벽, 상기 외부 중공 원통형 벽 및 상기 내부 중공 원통형 벽과 접촉하는 하부 환형부(annulus), 그리고 상기 내부 중공 원통형 벽에 연결된 상부 환형부를 포함하고,
    상기 하부 환형부, 내부 중공 원통형 벽 및 상부 환형부는 일체로 형성되고 상기 외부 중공 원통형 벽은 별개인,
    리드 조립체.
  3. 프로세싱 챔버로서,
    정상 표면을 갖는 원통형 챔버 벽을 포함하는 챔버 본체 ― 상기 원통형 챔버 벽은 공정 구역을 에워싸고, 상기 공정 구역은 웨이퍼 지지부 및 상기 웨이퍼 지지부를 둘러싸는 공정 라이너를 포함함 ―;
    챔버 리드 ― 상기 챔버 리드는,
    상기 공정 라이너의 정상 표면에 인접하여 위치되는 바닥 표면 및 정상 표면을 갖는 고온 리드 모듈,
    상기 고온 리드 모듈의 주위의 하우징 ― 상기 하우징은 상기 원통형 챔버 벽의 상기 정상 표면에 인접한 하부 단부 및 상부 단부를 갖는 중공 원통형 벽을 포함함 ―, 및
    상기 하우징의 상기 중공 원통형 벽의 상기 상부 단부와 상기 고온 리드 모듈의 상기 정상 표면 사이에 위치되는 탄성 중합 시일링 O-링을 포함함 ―; 및
    상기 원통형 챔버 벽의 상기 정상 표면과 상기 하우징의 상기 중공 원통형 벽의 상기 하부 단부 사이에 위치되는 O-링을 포함하고,
    상기 고온 리드 모듈의 상기 바닥 표면은 상기 공정 구역이 대기압일 때, 상기 공정 라이너의 정상 표면에 닿지 않고, 상기 하우징은 상기 공정 구역이 감소된 압력 하에 있을 때, 상기 고온 리드 모듈이 상기 하우징 내에서 이동하여 상기 공정 라이너의 정상 표면과 접촉하는 것을 가능하게 하도록 휘어지는,
    프로세싱 챔버.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 하우징의 상기 중공 원통형 벽은 외부 중공 원통형 벽, 내부 중공 원통형 벽, 상기 외부 중공 원통형 벽 및 상기 내부 중공 원통형 벽과 접촉하는 하부 환형부, 및 상기 내부 중공 원통형 벽에 연결되는 상부 환형부를 포함하는,
    프로세싱 챔버.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 탄성 중합 시일링 O-링은 상기 상부 환형부의 하부 벽과 상기 고온 리드 모듈의 상기 정상 표면 사이에 위치되는,
    리드 조립체.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 외부 중공 원통형 벽, 상기 하부 환형부, 상기 내부 중공 원통형 벽 및 상기 상부 환형부는 일체로 형성되는,
    프로세싱 챔버.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 하부 환형부는 상기 외부 중공 원통형 벽, 상기 내부 중공 원통형 벽 및 상기 상부 환형부보다 더 얇은,
    리드 조립체.
  8. 제 4 항에 있어서,
    상기 하부 환형부, 내부 중공 원통형 벽 및 상부 환형부는 일체로 형성되고 상기 외부 중공 원통형 벽은 별개인,
    프로세싱 챔버.
  9. 제 2 항에 있어서,
    상기 외부 중공 원통형 벽의 정상 단부와 상기 하부 환형부의 하부 표면 사이에 위치되는 O-링을 더 포함하는,
    리드 조립체.
  10. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 하우징은 최대 1 인치의, 상기 하우징 내에서의 상기 고온 리드 모듈의 이동을 가능하게 하기에 충분한 가변성을 갖는,
    리드 조립체.
  11. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 고온 리드 모듈은 상기 바닥 표면에 복수의 구멍들을 포함하는 샤워헤드 조립체를 포함하는,
    리드 조립체.
  12. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    가열시 상기 고온 리드 모듈의 팽창은 상기 고온 리드 모듈과 상기 하우징 사이의 부가적인 접촉 지점들을 생성하지 않는,
    리드 조립체.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012209278B4 (de) * 2012-06-01 2018-04-12 Kgt Graphit Technologie Gmbh Suszeptor
TWI644073B (zh) 2013-03-11 2018-12-11 美商應用材料股份有限公司 高溫處理室蓋體

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0472112A2 (en) 1990-08-16 1992-02-26 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for covering an inner region of a vacuum chamber
JP2002045683A (ja) * 2000-08-08 2002-02-12 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
US20030033978A1 (en) 1999-12-17 2003-02-20 Jun Zhao High termperature filter
US20070157683A1 (en) 2005-12-19 2007-07-12 Tokyo Electron Limited Method and system for sealing a first assembly to a second assembly of a processing system

Family Cites Families (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2948842B2 (ja) 1989-11-24 1999-09-13 日本真空技術株式会社 インライン型ｃｖｄ装置
US5766360A (en) 1992-03-27 1998-06-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP3165322B2 (ja) * 1994-03-28 2001-05-14 東京エレクトロン株式会社 減圧容器
JP3097636B2 (ja) * 1997-11-28 2000-10-10 日新電機株式会社 真空ロック室
US6203619B1 (en) 1998-10-26 2001-03-20 Symetrix Corporation Multiple station apparatus for liquid source fabrication of thin films
US6477980B1 (en) * 2000-01-20 2002-11-12 Applied Materials, Inc. Flexibly suspended gas distribution manifold for plasma chamber
US6772827B2 (en) * 2000-01-20 2004-08-10 Applied Materials, Inc. Suspended gas distribution manifold for plasma chamber
TW527678B (en) * 2002-03-07 2003-04-11 Benq Corp Wafer protection device
DE10232731A1 (de) 2002-07-19 2004-02-05 Aixtron Ag Be- und Entladevorrichtung für eine Beschichtungseinrichtung
JP2004095770A (ja) * 2002-08-30 2004-03-25 Tokyo Electron Ltd 処理装置
US6821563B2 (en) 2002-10-02 2004-11-23 Applied Materials, Inc. Gas distribution system for cyclical layer deposition
US7153388B2 (en) * 2003-03-31 2006-12-26 Lam Research Corporation Chamber for high-pressure wafer processing and method for making the same
WO2005015613A2 (en) * 2003-08-07 2005-02-17 Sundew Technologies, Llc Perimeter partition-valve with protected seals
US7214027B2 (en) 2003-10-16 2007-05-08 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Wafer handler method and system
JP4537878B2 (ja) * 2005-04-01 2010-09-08 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
US20070012251A1 (en) * 2005-07-07 2007-01-18 Martin Zucker Seal arrangement with corrosion barrier and method
KR100670762B1 (ko) 2005-10-27 2007-01-17 삼성전자주식회사 웨이퍼 후면 연마 및 테이프 부착 장치 및 방법
US7413982B2 (en) 2006-03-29 2008-08-19 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
US7456429B2 (en) 2006-03-29 2008-11-25 Eastman Kodak Company Apparatus for atomic layer deposition
JP2007277667A (ja) * 2006-04-10 2007-10-25 Sumitomo Heavy Ind Ltd 真空チャンバ及び該真空チャンバを有する基板処理装置
US20080166880A1 (en) 2007-01-08 2008-07-10 Levy David H Delivery device for deposition
US11136667B2 (en) 2007-01-08 2021-10-05 Eastman Kodak Company Deposition system and method using a delivery head separated from a substrate by gas pressure
US7789961B2 (en) 2007-01-08 2010-09-07 Eastman Kodak Company Delivery device comprising gas diffuser for thin film deposition
US8444926B2 (en) * 2007-01-30 2013-05-21 Applied Materials, Inc. Processing chamber with heated chamber liner
US8043432B2 (en) 2007-02-12 2011-10-25 Tokyo Electron Limited Atomic layer deposition systems and methods
JP2008255386A (ja) * 2007-04-02 2008-10-23 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
US7972470B2 (en) * 2007-05-03 2011-07-05 Applied Materials, Inc. Asymmetric grounding of rectangular susceptor
US20080317973A1 (en) * 2007-06-22 2008-12-25 White John M Diffuser support
KR100920324B1 (ko) 2007-08-24 2009-10-07 주식회사 케이씨텍 박막 증착장치
KR100946159B1 (ko) 2007-08-24 2010-03-11 주식회사 케이씨텍 박막 증착장치
KR100931331B1 (ko) 2007-08-24 2009-12-15 주식회사 케이씨텍 박막 증착장치의 분사유닛
KR100908987B1 (ko) 2007-08-24 2009-07-22 주식회사 케이씨텍 박막 증착장치의 기판 지지대
KR20090001924U (ko) 2007-08-24 2009-02-27 주식회사 케이씨텍 기판처리장치
US7572686B2 (en) 2007-09-26 2009-08-11 Eastman Kodak Company System for thin film deposition utilizing compensating forces
US8182608B2 (en) 2007-09-26 2012-05-22 Eastman Kodak Company Deposition system for thin film formation
US8211231B2 (en) 2007-09-26 2012-07-03 Eastman Kodak Company Delivery device for deposition
KR100949914B1 (ko) 2007-11-28 2010-03-30 주식회사 케이씨텍 원자층 증착 장치
KR100949913B1 (ko) 2007-11-28 2010-03-30 주식회사 케이씨텍 원자층 증착 장치
KR20090055443A (ko) 2007-11-28 2009-06-02 주식회사 케이씨텍 원자층 증착 장치
KR100960958B1 (ko) 2007-12-24 2010-06-03 주식회사 케이씨텍 박막 증착 장치 및 증착 방법
KR20090069075A (ko) 2007-12-24 2009-06-29 주식회사 케이씨텍 원자층 증착 장치용 서셉터 어셈블리
KR100936695B1 (ko) 2007-12-26 2010-01-13 주식회사 케이씨텍 원자층 증착장치
KR100936694B1 (ko) 2007-12-27 2010-01-13 주식회사 케이씨텍 플라즈마 발생부를 구비하는 원자층 증착 장치
JP5475261B2 (ja) * 2008-03-31 2014-04-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US8333842B2 (en) * 2008-05-15 2012-12-18 Applied Materials, Inc. Apparatus for etching semiconductor wafers
KR101473334B1 (ko) 2008-06-30 2014-12-16 주식회사 케이씨텍 원자층 증착 장치
KR101485580B1 (ko) 2008-07-01 2015-01-22 주식회사 케이씨텍 원자층 증착 장치
JP2010087467A (ja) 2008-09-04 2010-04-15 Tokyo Electron Ltd 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及びこの成膜方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
JP5276388B2 (ja) 2008-09-04 2013-08-28 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及び基板処理装置
JP5062143B2 (ja) 2008-11-10 2012-10-31 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
KR101135853B1 (ko) 2009-05-29 2012-04-16 주식회사 케이씨텍 원자층 증착장치
KR101028408B1 (ko) 2008-12-29 2011-04-13 주식회사 케이씨텍 가스분사 유닛 및 이를 구비하는 원자층 증착장치
KR101072670B1 (ko) 2009-11-09 2011-10-11 주식회사 케이씨텍 원자층 증착장치
KR101081694B1 (ko) 2009-11-10 2011-11-15 주식회사 케이씨텍 다성분 박막의 증착을 위한 원자층 증착장치
US8274017B2 (en) 2009-12-18 2012-09-25 Applied Materials, Inc. Multifunctional heater/chiller pedestal for wide range wafer temperature control
KR101095687B1 (ko) 2010-10-25 2011-12-20 주식회사 케이씨텍 8분기 구조를 갖는 원자층 증착 장치
KR101134277B1 (ko) 2010-10-25 2012-04-12 주식회사 케이씨텍 원자층 증착 장치
KR101136302B1 (ko) 2010-11-16 2012-04-19 주식회사 케이씨텍 원자층 증착 장치 및 그의 플라즈마 감지 방법
TWI644073B (zh) 2013-03-11 2018-12-11 美商應用材料股份有限公司 高溫處理室蓋體

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0472112A2 (en) 1990-08-16 1992-02-26 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for covering an inner region of a vacuum chamber
US20030033978A1 (en) 1999-12-17 2003-02-20 Jun Zhao High termperature filter
JP2002045683A (ja) * 2000-08-08 2002-02-12 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
US20070157683A1 (en) 2005-12-19 2007-07-12 Tokyo Electron Limited Method and system for sealing a first assembly to a second assembly of a processing system

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