KR100936695B1 - 원자층 증착장치 - Google Patents

원자층 증착장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100936695B1
KR100936695B1 KR1020070137817A KR20070137817A KR100936695B1 KR 100936695 B1 KR100936695 B1 KR 100936695B1 KR 1020070137817 A KR1020070137817 A KR 1020070137817A KR 20070137817 A KR20070137817 A KR 20070137817A KR 100936695 B1 KR100936695 B1 KR 100936695B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
shower head
source gas
susceptor
atomic layer
layer deposition
Prior art date
Application number
KR1020070137817A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20090069974A (ko
Inventor
신인철
전영수
Original Assignee
주식회사 케이씨텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 케이씨텍 filed Critical 주식회사 케이씨텍
Priority to KR1020070137817A priority Critical patent/KR100936695B1/ko
Publication of KR20090069974A publication Critical patent/KR20090069974A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100936695B1 publication Critical patent/KR100936695B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45565—Shower nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

서셉터의 회전에 의해 샤워헤드에서의 소스가스의 분사 여부가 제어되는 원자층 증착 장치가 개시된다. 원자층 증착 장치는 서셉터와 샤워헤드가 구비되고, 상기 서셉터와 상기 샤워헤드를 관통하여 회전축이 구비된다. 상기 회전축은 상기 서셉터와 일체로 회전하도록 구비되고, 상기 샤워헤드에 대해서는 회전 가능하게 구비된다. 그리고, 상기 회전축 상에는 상기 샤워헤드에서 분사되는 상기 소스가스의 종류를 조절하는 분사제어부가 구비되는데, 상기 분사제어부는 상기 회전축이 회전함에 따라 상기 소스가스의 분사 여부를 제어함으로써, 상기 샤워헤드에서 상기 소스가스의 분사를 조절한다. 따라서, 상기 소스가스의 분사를 제어하기 위한 별도의 장치를 필요로 하지 않으며, 단순한 구조에 의해 효율적으로 상기 샤워헤드의 동작을 제어할 수 있다.
원자층 증착장치, ALD, 서셉터, 샤워헤드

Description

원자층 증착장치{ATOMIC LAYER DEPOSITION APPARATUS}
본 발명은 원자층 증착장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼에 박막을 증착하기 위한 소스가스를 공급하는 샤워헤드에서 소스가스 분사를 제어하기 위한 원자층 증착 장치에 관한 것이다.
최근 반도체 제조 공정에서 반도체 소자의 집적도가 높아짐에 따라 미세가공의 요구가 증가하고 있다. 즉, 미세 패턴을 형성하고, 하나의 칩 상에 셀들을 고도로 집적시키기 위해서는 박막 두께 감소 및 고유전율을 갖는 새로운 물질개발 등을 이루어져야 한다.
특히, 웨이퍼 표면에 단차가 형성되어 있는 경우 표면을 원만하게 덮어주는 단차도포성(step coverage)과 단차도포성 및 웨이퍼 내 균일성(within wafer uniformity)의 확보는 매우 중요하다. 이와 같은 요구사항을 충족시키기 위해 원자층 단위의 미소한 두께를 가지는 박막을 형성하는 방법인 원자층 증착(atomic layer deposition, ALD) 방법이 제안되고 있다.
원자층 증착 공정은 웨이퍼 표면에서 반응물질의 표면 포화 반응(surface saturated reaction)에 의한 화학적 흡착(chemisorption)과 탈착(desorption) 과정 을 이용하여 단원자층을 형성하는 방법으로, 원자층 수준에서 막 두께의 제어가 가능한 박막 증착 방법이다.
원자층 증착 공정은 두 가지 이상의 소스가스를 각각 교대로 유입시키고, 각 소스가스의 유입 사이에 불활성 기체인 퍼지가스를 유입시킴으로써 웨이퍼 표면에서 상기 소스가스들이 반응하여 소정의 박막이 형성된다. 즉, 하나의 소스가스가 웨이퍼 표면에 화학적으로 흡착(chemical adsorption)된 상태에서 후속하여 다른 하나의 소스가스가 제공되면, 상기 웨이퍼 표면에서 상기 두 가지 소스가스가 화학적으로 반응함으로써 상기 웨이퍼 표면에 한층의 원자층이 생성된다. 그리고, 이와 같은 공정을 한 주기로 하여 원하는 두께의 박막이 형성될 때까지 반복함으로써 소정 두께의 박막이 형성된다.
한편, 기존의 세미 배치 타입(semi-batch type)의 원자층 증착 장치는 서셉터 또는 샤워헤드가 서로에 대해 회전 가능하게 형성되고, 상기 서셉터 또는 상기 샤워헤드가 회전함에 따라 상기 웨이퍼 상으로 소스가스가 순차적으로 분사되면서 복수의 웨이퍼에 대해 동시에 원자층 증착 공정이 수행된다.
종래에는 상기와 같이 복수의 소스가스를 제공하기 위한 방법으로서 밸브 제어 방식이 있었다. 그러나, 기존의 밸브 제어 방식은 복수의 소스가스 및 퍼지가스마다 별도의 가스 공급라인 및 밸브가 구비되어야 하므로 설비가 복잡해지고, 밸브의 온/오프 동작이 여러 번 반복되므로 밸브의 수명이 단축되는 문제점이 있다. 또한, 상기 밸브의 구동을 위한 전기적 신호장치, 공압가동장치 및 밸브 온/오프장치 등의 작동순서와 시간을 일치시키기 어려운 문제가 있다.
그리고, 원자층 증착시 반복적으로 밸브가 개폐동작을 하기 때문에 하나의 밸브가 고장이 날 경우 전체 원자층 증착 장치의 동작이 중지되는 문제가 발생한다.
본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 소스가스의 공급을 제어하는 밸브를 사용하지 않고 소스가스의 분사 여부를 제어할 수 있는 원자층 증착 장치를 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 소스가스의 공급을 위한 구조를 단순화시키고, 소스가스의 분사를 제어하기가 용이한 원자층 증착 장치를 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 서셉터의 회전에 의해 소스가스의 공급 여부가 결정되는 원자층 증착장치를 제공하기 위한 것이다.
상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예들에 따르면, 서셉터의 회전에 의해 소스가스의 분사가 제어되는 샤워헤드를 구비하는 원자층 증착 장치가 개시된다. 원자층 증착 장치는 서셉터와 샤워헤드가 구비되고, 상기 서셉터와 상기 샤워헤드를 관통하여 회전축이 구비된다. 상기 회전축은 상기 서셉터와 일체로 회전하도록 구비되고, 상기 샤워헤드에 대해서는 회전 가능하게 구비된다. 그리고, 상기 회전축 상에는 상기 샤워헤드에서 분사되는 상기 소스가스의 종류를 조절하는 분사제어부가 구비되는데, 상기 분사제어부는 상기 회전축이 회전함에 따라 상기 소스가스의 분사 여부를 제어함으로써, 상기 샤워헤드에서 상기 소스가스의 분사를 조절한다.
여기서, 상기 분사제어부는 상기 회전축 상에 형성되는 소정 공간을 갖는 진공포트와, 상기 진공포트 내에 부압을 형성하는 진공제공부 및 상기 회전축의 회전에 의해 상기 샤워헤드와 상기 진공포트를 선택적으로 연통시키는 개폐부를 포함한다.
실시예에서, 상기 샤워헤드의 일측에는 상기 샤워헤드 내로 상기 복수가스가 유입되는 적어도 하나 이상의 유입홀이 형성된다. 그리고, 상기 샤워헤드와 상기 진공포트가 결합되는 상기 샤워헤드의 내주면 상에는 상기 진공포트와 연통되는 복수의 유출홀이 형성된다. 그리고, 상기 개폐부는 상기 유출홀을 개폐하도록 형성되어, 상기 개폐부가 상기 유출홀을 개폐함에 따라 상기 진공포트와 상기 샤워헤드가 선택적으로 연통되고, 상기 샤워헤드를 통해 상기 소스가스의 분사 여부가 결정된다.
실시예에서, 상기 샤워헤드 내부에는 서로 다른 복수의 소스가스가 각각 유입되는 복수의 캐비티가 형성되고, 상기 분사제어부는 상기 적어도 하나 이상의 캐비티와 선택적으로 연통되도록 형성된다.
본 발명에 따르면, 첫째, 서셉터의 회전축이 샤워헤드까지 연장되고, 상기 서셉터가 회전함에 따라 상기 샤워헤드와 선택적으로 연통됨으로써, 상기 샤워헤드를 통한 소스가스의 분사를 제어할 수 있다.
또한, 상기 서셉터의 회전에 의해 상기 샤워헤드에서 선택적으로 소스가스가 분사되므로, 밸브를 비롯한 소스가스의 분사를 위한 개폐구조를 생략할 수 있으며, 구조를 단순화시킬 수 있다.
둘째, 상기 회전축 상에 부압이 제공되는 진공포트를 구비하고, 상기 진공포트와 상기 샤워헤드를 선택적으로 연통시킴으로써, 상기 소스가스의 분사 여부를 제어하게 되므로, 구조가 단순하고 소스가스의 분사 제어가 용이하다.
삭제
이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착 장치를 설명하기 위한 단면도이다. 도 2 내지 도 9는 도 1의 원자층 증착 장치의 동작을 설명하기 위한 도면들로서, 도 2 내지 도 4는 제1 소스가스가 분사되는 상태를 설명하기 위한 도면들이고, 도 5와 도 6은 제2 소스가스가 분사되는 상태를 설명하기 위한 도면들이고, 도 7 내지 도 9는 퍼지가스가 분사되는 상태를 설명샤워헤드의 단면도들이고, 도 3과 도 5는 샤워헤드의 평면도들이다.
이하, 도 1 내지 도 9를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착 장치에 대해 간략하게 설명한다.
도 1을 참조하면, 원자층 증착 장치는 프로세스 챔버(10), 샤워헤드(40) 및 서셉터(20)를 포함하여 이루어진다.
상기 프로세스 챔버(10)는 복수의 웨이퍼(W)가 수용되고, 상기 웨이퍼(W)에 소정의 박막을 증착하는 원자층 증착 공정이 수행되는 공간을 제공한다.
상기 샤워헤드(40)는 상기 웨이퍼(W) 상부에 구비되어, 상기 웨이퍼(W)로 박막을 형성하기 위한 소정의 소스가스를 제공한다.
예를 들어, 상기 소스가스는 형성하고자 하는 박막을 조성하는 원료 물질을 포함하는 가스로서, 원자층 증착 방법에 의하면 서로 다른 복수의 소스가스가 제공되고, 상기 웨이퍼(W) 표면에서 화학적으로 반응함으로써 소정의 박막을 형성하게 된다. 그리고, 원자층 증착 방법에 의하면 소스가스가 제공되는 사이사이에는 상기 프로세스 챔버(10) 내에 잔류하는 미반응 소스가스를 퍼지시키기 위한 퍼지가스가 제공된다.
이하, 본 실시예에서는 편의상 서로 다른 2 종류의 소스가스(S1, S2)와 1 종류의 퍼지가스(PG)를 제공하는 원자층 증착 장치를 중심으로 설명한다.
상기 소스가스(S1, S2)는 상기 웨이퍼(W)의 종류 또는 증착하고자 하는 박막의 종류에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어, 제1 소스가스(S1)로는 알루미늄(Al), 규소(Si), 티타늄(Ti), 갈륨(Ga), 게르마늄(Ge) 등을 포함하는 가스 중 어느 하나의 가스 또는 둘 이상 혼합된 가스를 사용할 수 있다. 그리고, 제2 소스가스(S2)는 상기 제1 소스가스(S1)와 화학적으로 반응하여 박막을 구성하는 다른 물질을 포함하는 가스로서, 예를 들어, 상기 제2 소스가스(S2)로는 산소 가스(O2) 또는 수증기(H2O)를 사용할 수 있다.
그리고, 상기 퍼지가스(PG)는 미반응 소스가스(S1, S2)와 증착 공정에서 발생하는 부산물을 퍼지시키기 위한 가스로서, 상기 소스가스(S1, S2)와 화학반응이 발생하지 않는 가스를 사용한다. 예를 들어, 상기 퍼지가스(PG)로는 아르곤(Ar) 또는 질소 가스(N2)와 같은 불활성 가스를 사용할 수 있다.
상기 샤워헤드(40)는 서로 다른 2가지의 소스가스(S1, S2)가 독립적으로 유입되어 분사될 수 있도록 내부 공간이 분리되어 형성된다.
상세하게는, 상기 샤워헤드(40)는 상기 소스가스(S1, S2)의 유동이 가능하도록 복수의 제1 캐비티(412)와 제2 캐비티(432)가 형성되고, 상기 제1 캐비티(412)와 상기 제2 캐비티(432)를 구획하는 제1 분사 플레이트(41)와 제2 분사 플레이트(43)가 구비된다.
예를 들어, 상기 제1 캐비티(412)와 상기 제2 캐비티(432)는 상기 샤워헤드(40) 내부 공간을 수평 방향으로 분할한다. 즉, 상기 제1 분사 플레이트(41)와 상기 제2 분사 플레이트(43)는 상기 샤워헤드(40)의 외관에 대응되는 원형 플레이트 형태를 갖고, 상기 제1 및 제2 분사 플레이트(41, 43)가 상호 결합되어 상기 샤워헤드(40) 내부를 수평으로 분할한다.
여기서, 상기 제1 캐비티(412)와 상기 제2 캐비티(432)는 서로 독립되게 형성되고, 상기 제1 및 제2 분사 플레이트(43)에는 복수의 분사홀(411, 431)이 형성되어 있어서, 상기 소스가스(S1, S2)는 상기 각 캐비티(412, 432)로 유입되어 상기 각 분사 플레이트(41, 43)를 통해 서로 혼합되지 않고 독립적으로 분사된다.
한편, 상기에서 설명하지 않은 상기 샤워헤드(40)의 구조들에 대해서는 하기 에서 상세하게 설명하기로 한다.
상기 서셉터(20)는 상기 복수의 웨이퍼(W)가 안착된다.
상기 서셉터(20)는 회전 가능하게 구비되고, 상기 서셉터(20)의 회전을 위한 회전축(30) 및 회전 구동부(35)가 구비된다. 예를 들어, 상기 서셉터(20)는 상기 프로세스 챔버(10)의 중심을 기준으로 자전하도록 구비되고, 상기 회전축(30)은 상기 서셉터(20)를 관통하여 구비된다.
특히, 상기 회전축(30)은 상기 서셉터(20)뿐만 아니라 상기 샤워헤드(40)까지 관통하도록 연장된다. 여기서, 상기 회전축(30)은 상기 서셉터(20)와 일체로 회전하도록 형성되지만, 상기 샤워헤드(40)는 상기 프로세스 챔버(10)에 대해 고정된다. 따라서, 상기 회전축(30)은 상기 샤워헤드(40)를 관통하여 상기 샤워헤드(40) 내에서 회전 가능하게 구비된다.
상기 회전축(30) 상에는 상기 회전축(30)의 회전에 의해 상기 샤워헤드(40)에서 상기 소스가스(S1, S2)가 선택적으로 분사되도록 제어하는 분사제어부(60)가 구비된다.
상기 분사제어부(60)는 상기 회전축(30) 상에 형성된 소정 체적을 갖는 진공포트(61)와 상기 진공포트(61) 내에 부압(負壓)을 제공하는 진공제공부(65)로 이루어진다.
상기 진공포트(61)에는 상기 샤워헤드(40)와 연통되는 복수의 홀이 형성되어 있어서, 상기 회전축(30)이 회전함에 따라 상기 샤워헤드(40)의 상기 캐비티(412, 432)와 선택적으로 연통된다.
즉, 상기 진공포트(61)와 상기 샤워헤드(40)가 연통되면 상기 진공포트(61) 내의 부압에 의해 상기 캐비티(412, 432) 내의 소스가스(S1, S2)는 상기 진공포트(61)로 유입되므로 상기 소스가스(S1, S2)가 상기 프로세스 챔버(10)로 제공되지 않는다. 그리고, 상기 진공포트(61)와 상기 샤워헤드(40)가 연통되지 않은 상태에서는 상기 캐비티(412, 432) 내의 소스가스(S1, S2)는 상기 분사홀(411, 431)을 통해 상기 프로세스 챔버(10)로 분사된다.
더불어, 상기 분사제어부(60)는 상기 샤워헤드(40)를 통해 상기 프로세스 챔버(10) 내의 배기가스를 흡입하여 상기 프로세스 챔버(10) 외부로 배출시키는 배기부의 역할을 한다. 즉, 상기 진공포트(61)와 상기 샤워헤드(40)가 연통되었을 때는 상기 진공포트(61) 내의 부압에 의해 상기 분사홀(411, 431)을 통해 상기 프로세스 챔버(10) 내의 배기가스 역시 상기 진공포트(61)로 유입된다.
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 분사제어부(60)의 구성과 동작에 대해 도 2 내지 도 9를 참조하여 상세하게 설명하기로 한다.
도면을 참조하면, 상기 샤워헤드(40)는 소정 높이를 갖는 원반 형태를 갖고, 상기 샤워헤드(40) 내부는 수평 방향으로 상기 제1 캐비티(412)와 상기 제2 캐비티(432)로 분할된다.
상기 샤워헤드(40)의 외주면에는 상기 소스가스(S1, S2)가 공급되는 소스라인(51, 52)과 상기 퍼지가스(PG)가 공급되는 퍼지라인(53, 54)이 연결된다. 상기 제1 캐비티(412) 및 상기 제2 캐비티(432)와 연통되도록 상기 샤워헤드(40)의 외측면을 관통하여 적어도 하나 이상의 유입홀(511, 512, 521, 522)이 형성된다. 그리 고, 상기 제1 캐비티(412)에는 상기 제1 소스가스(S1)가 공급되는 제1 소스라인(51) 및 상기 퍼지라인(53)이 연결되고, 상기 제2 캐비티(432)에는 상기 제2 소스가스(S2)가 공급되는 제2 소스라인(52) 및 상기 퍼지라인(54)이 연결된다.
상기 샤워헤드(40)의 중앙에는 상기 회전축(30)이 관통하여 삽입된다. 또한, 상기 샤워헤드(40)에서 상기 제1 캐비티(412)와 상기 제2 캐비티(432)는 각각 하나의 공간으로 형성된다. 즉, 상기 제1 캐비티(412)와 상기 제2 캐비티(432)는 도넛 형태의 공간을 형성한다.
상기 샤워헤드(40)와 상기 진공포트(61)의 결합부에는 상기 샤워헤드(40)를 관통하는 복수의 유출홀(513, 514, 523, 524)이 형성된다. 그리고, 상기 진공포트(61) 내측면을 관통하여 상기 유출홀(513, 514, 523, 524)을 선택적으로 개폐시키는 복수의 개폐부(611, 612)가 형성된다. 예를 들어, 상기 개폐부(611, 612)는 상기 유출홀(513, 514, 523, 524)에 대응되게 위치에서 상기 진공포트(61)의 내측면 일부가 개구되어 형성된다. 따라서, 상기 회전축(30)의 회전에 상기 개폐부(611, 612)의 개구된 부분이 상기 유출홀(513, 514, 523, 524)의 위치에 위치되면 상기 캐비티(412, 432)와 상기 진공포트(61)가 연통되어, 상기 캐비티(412, 432) 내의 소스가스(S1, S2)가 상기 진공포트(61)로 유입된다. 그리고, 상기 개폐부(611, 612)의 폐쇄된 부분이 상기 유출홀(513, 514, 523, 524)의 위치에 위치되면 상기 캐비티(412, 432)에서 상기 진공포트(61)로의 상기 소스가스(S1, S2)의 유입을 차단시킨다.
상세하게는, 상기 샤워헤드(40)의 외주면을 따라 상기 제1 캐비티(412)로 상 기 제1 소스가스(S1)를 유입시키는 제1 유입홀(511)과 상기 퍼지가스(PG)를 유입시키는 제2 유입홀(512)이 형성된다. 여기서, 상기 제1 유입홀(511)과 상기 제2 유입홀(512)은 소정 간격 이격되어 형성된다. 그리고, 상기 샤워헤드(40)의 내주면을 따라 상기 제1 캐비티(412)와 상기 진공포트(61)를 연통시키는 제1 유출홀(513)과 제2 유출홀(514)이 형성된다. 또한, 상기 제1 유출홀(513)과 상기 제2 유출홀(514)은 소정 간격 이격되어 형성된다.
마찬가지로, 상기 샤워헤드(40)의 외주면에서 상기 제2 캐비티(432)에 대응되는 위치에는, 상기 제2 캐비티(432)로 상기 제2 소스가스(S2)를 유입시키는 제3 유입홀(521)과 상기 퍼지가스(PG)를 유입시키는 제4 유입홀(522)이 형성된다. 또한, 상기 샤워헤드(40)의 내주면에는 상기 제2 캐비티(432)와 상기 진공포트(61)를 연통시키는 제3 유출홀(523) 및 제4 유출홀(524)이 형성된다.
상기 제1 유입홀(511)은 상기 샤워헤드(40)의 4 지점을 통해 상기 제1 소스가스(S1)가 유입될 수 있도록 형성된다. 이는 본 실시예에서 동시에 원자층 증착 장치에 수용되는 웨이퍼(W)의 수가 4 장이기 때문으로서 상기 제1 유입홀(511)의 수는 1개 이거나, 2개 또는 상기 웨이퍼(W)의 수에 대응되는 복수개일 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 유입홀(511)은 0°, 90°, 180° 및 270° 위치에 4개가 형성된다. 그리고, 상기 제2 유입홀(512)은 상기 제1 유입홀(511)과 22.5° 이격된 위치에 각각 형성된다.
그러나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 제1 유입홀(511)과 상기 제2 유입홀(512)은 상기 제1 캐비티(412)로 상기 제1 소스가스(S1)와 상기 퍼지 가스(PG)를 유입시킬 수 있는 임의의 위치에 형성될 수 있다. 또한, 상기 제1 유입홀(511)과 상기 제2 유입홀(512)의 수 역시 하나의 홀이거나 복수의 홀이 형성될 수 있을 것이다.
상기 제1 유출홀(513)과 상기 제2 유출홀(514)은 상기 제1 유입홀(511)과 상기 제2 유입홀(512)에 각각 대응되는 위치에 형성된다. 즉, 0°, 90°, 180° 및 270° 위치에 4개의 제1 유출홀(513)이 형성되고, 상기 제1 유출홀(513)에서 22.5° 이격된 위치에 각각 제2 유출홀(514)이 형성된다. 따라서, 상기 서셉터(20)가 회전함에 따라 순차적으로 상기 제1 유출홀(513)과 상기 제2 유출홀(514)이 개폐된다.
그리고, 상기 샤워헤드(40)의 외주면을 따라 4개의 제3 유입홀(521)과 제 4 유입홀(522)이 형성될 수 있다. 여기서, 상기 제3 유입홀(521)은 상기 제1 유입홀(511)과 45° 이격된 위치에 형성될 수 있다. 그리고, 상기 제4 유입홀(522)은 상기 제3 유입홀(521)에서 22.5° 이격된 위치에 각각 형성된다.
물론, 상기 제3 유입홀(521)과 상기 제4 유입홀(522)의 위치와 수는 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 제2 캐비티(432)로 상기 제2 소스가스(S2)와 상기 퍼지가스(PG)를 유입시킬 수 있는 임의의 위치에 형성될 수 있다. 또한, 상기 제3 유입홀(521)과 상기 제4 유입홀(522)은 하나의 홀이거나 복수개의 홀일 수 있을 것이다.
상기 제3 유출홀(523)은 상기 제1 유출홀(513)과 45° 이격된 위치에 형성되고, 상기 제4 유출홀(524)은 상기 제3 유출홀(523)에서 22.5° 이격된 위치에 각각 형성될 수 있다.
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 샤워헤드(40)의 동작을 상세하게 설명한다. 이하에서는 상기 제1 소스가스(S1)와 상기 제2 소스가스(S2) 및 상기 퍼지가스(PG)가 분사될 때의 상기 샤워헤드(40)와 상기 분사제어부(60) 사이의 위치를 설명한다.
먼저, 도 2 내지 도 4를 참조하여, 상기 제1 소스가스(S1)가 분사되는 경우의 상기 샤워헤드(40)의 동작에 대해 설명한다.
도 2는 상기 제1 캐비티(412)를 기준으로 절단한 상기 샤워헤드(40)의 평면도이고, 도 3은 상기 제2 캐비티(432)를 기준으로 절단한 상기 샤워헤드(40)의 평면도이다. 그리고, 도 4는 도 2 및 도 3의 I-I` 선을 기준으로 절단한 상기 샤워헤드(40)의 측단면도이다.
도면을 참조하면, 상기 제1 유출홀(513)은 폐쇄되고, 상기 제2 내지 제 4 유출홀(514, 523, 524)은 개방되면, 상기 제1 캐비티(412)로 유입된 상기 제1 소스가스(S1)는 제1 분사홀(411)을 통해 상기 웨이퍼(W)로 제공된다. 그리고, 상기 제2 소스가스(S2)는 상기 진공포트(61) 내의 부압에 의해 상기 진공포트(61)로 흡입된다. 마찬가지로 상기 퍼지가스(PG) 역시 상기 진공포트(61)로 흡입되므로, 상기 웨이퍼(W)에는 상기 제1 소스가스(S1)만 제공된다.
다음으로, 도 5와 도 6을 참조하여 상기 제2 소스가스(S2)가 분사되는 경우의 상기 샤워헤드(40)의 동작에 대해 설명한다.
도 5는 상기 제2 캐비티(432)를 기준으로 절단한 상기 샤워헤드(40)의 평면도이고, 도 6은 도 5의 I-I` 선을 기준으로 절단한 상기 샤워헤드(40)의 측단면도이다.
도면을 참조하면, 상기 회전축(30)이 회전하여 상기 제3 유출홀(523)이 폐쇄되면 상기 제2 캐비티(432)로 유입된 제2 소스가스(S2)가 상기 제2 분사홀(431)을 통해 상기 웨이퍼(W)로 제공된다. 그리고, 상기 제4 유출홀(524)은 개방되어 상기 퍼지가스(PG)가 상기 진공포트(61)로 유입된다.
본 실시예에서는 상기 제1 캐비티(412)를 기준으로 절단한 상기 샤워헤드(40)의 평면도는 생략하였으나, 상술한 실시예를 참조하면, 상기 제3 유출홀(523)이 폐쇄되었을 때, 상기 제1 유출홀(513) 및 제2 유출홀(514)은 개방되어 상기 제1 소스가스(S1)는 상기 웨이퍼(W)로 제공되지 않는다. 또한, 상기 제1 캐비티(412)로 유입된 상기 퍼지가스(PG) 역시 상기 진공포트(61)로 유입된다. 따라서, 상기 제1 소스가스(S1)와 상기 제2 소스가스(S2)가 동시에 상기 웨이퍼(W)로 제공됨으로써, 상기 제1 소스가스(S1)와 상기 제2 소스가스(S2)가 기체 상태에서 혼합되는 것을 방지하고, 그로 인해 파티클이 발생하거나 박막의 증착 품질이 저하되는 것을 방지한다.
한편, 본 실시예에서는 상기 제1 유출홀(513)과 상기 제3 유출홀(523)은 서로 45° 이격된 위치에 형성되므로, 상기 회전축(30)이 상기 제1 소스가스(S1)가 분사되는 위치에서 45° 회전하면 상기 제2 소스가스(S2)가 분사된다. 그리고, 상기 회전축(30)이 계속 회전함에 따라 45° 회전할 때마다 상기 제1 소스가스(S1)와 상기 제2 소스가스(S2)가 교대로 분사된다.
즉, 상기 제1 유출홀(513)과 상기 제3 유출홀(523) 사이의 위치 관계에 따라 상기 회전축(30)의 회전각이 결정된다. 예를 들어, 상기 제1 유출홀(513)과 상기 제3 유출홀(523)이 90° 이격되게 형성된 경우에는 상기 회전축(30)이 90° 회전할 때마다 상기 제1 소스가스(S1)와 상기 제2 소스가스(S2)가 교대로 분사된다.
마지막으로, 도 7 내지 도 9를 참조하여 상기 퍼지가스(PG)가 분사되는 경우의 상기 샤워헤드(40)의 동작에 대해 설명한다.
도 7은 상기 제1 캐비티(412)를 기준으로 절단한 상기 샤워헤드(40)의 평면도이고, 도 8은 상기 제2 캐비티(432)를 기준으로 절단한 상기 샤워헤드(40)의 평면도이다. 그리고, 도 9는 도 7 및 도 8의 I-I` 선을 기준으로 절단한 상기 샤워헤드(40)의 측단면도이다.
도면을 참조하면, 상기 회전축(30)이 회전하여 상기 제2 유출홀(514)과 상기 제4 유출홀(524)이 폐쇄되면 상기 제1 분사홀(411)과 상기 제2 분사홀(431)을 통해 상기 퍼지가스(PG)가 제공된다. 그리고, 상기 제1 유출홀(513)과 상기 제3 유출홀(523)은 개방되어 상기 제1 소스가스(S1)와 상기 제2 소스가스(S2)는 상기 진공포트(61)로 흡입된다.
한편, 본 실시예에서는 상기 제2 유출홀(514) 및 상기 제4 유출홀(524)은 상기 제1 유출홀(513)과 상기 제3 유출홀(523)에 대해 각각 22.5° 이격된 위치에 형성되므로, 상기 회전축(30)이 상기 제1 소스가스(S1) 또는 상기 제2 소스가스(S2)가 분사되는 위치에서 22.5° 회전하면 상기 퍼지가스(PG)가 분사된다. 그리고, 상 기 회전축(30)이 회전할 때 마다 최초 상기 퍼지가스(PG)가 분사된 위치에서 45° 회전된 위치에서는 상기 퍼지가스(PG)가 분사된다. 따라서, 상기 샤워헤드(40)는 상기 제1 소스가스(S1)가 분사되고, 상기 회전축(30)이 22.5° 회전하면 상기 퍼지가스(PG)가 분사되고, 다시 22.5° 회전시 상기 제2 소스가스(S2)가 분사되고, 다시 22.5° 회전하면 상기 퍼지가스(PG)가 분사되는 것을 1 사이클로 하여 계속적으로 상기 사이클이 반복된다.
그러나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 제1 유출홀 내지 상기 제4 유출홀(513, 514, 523, 524) 사이의 위치 관계에 따라 상기 회전축(30)의 회전각이 결정되고, 상기 제1 소스가스(S1)와 상기 제2 소스가스(S2) 및 상기 퍼지가스(PG)가 분사되는 회전각이 결정된다.
한편, 상기 유출홀이 개방된 부분에서는 상기 캐비티 내부뿐만 아니라 상기 프로세스 챔버(10) 일부에도 상기 진공포트(61)의 부압이 영향을 미치게 된다. 따라서, 상기 퍼지가스(PG)가 상기 진공포트(61)로 유입됨과 더불어 상기 프로세스 챔버(10) 내의 배기가스도 상기 진공포트(61)를 통해 배출된다.
즉, 도시하지는 않았으나, 상기 제1 내지 상기 제4 유출홀(513, 514, 523, 524)이 모두 개방된 경우에는 상기 프로세스 챔버(10) 내의 배기가스를 배출시키는 상태가 된다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착장치를 설명하기 위한 단면도;
도 2와 도 3은 도 1의 샤워헤드에서 제1 소스가스가 분사되는 상태를 설명하기 위한 평면도들;
도 4는 도 2와 도 3의 상태에서의 샤워헤드 단면도;
도 5는 도 1의 샤워헤드에서 제2 소스가스가 분사되는 상태를 설명하기 위한 평면도;
도 6은 도 5의 상태에서의 샤워헤드 단면도;
도 7과 도 8은 도 1의 샤워헤드에서 퍼지가스가 분사되는 상태를 설명하기 위한 평면도들;
도 9는 도 7과 도 8의 상태에서의 샤워헤드 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10: 프로세스 챔버 20: 서셉터
30: 회전축 35: 회전 구동부
40: 샤워헤드 41, 43: 분사 플레이트
50: 가스공급부 51, 52: 소스라인
53, 54: 퍼지라인 60: 분사제어부
61: 진공포트 65: 진공제공부
411, 431: 분사홀 412, 432: 캐비티
511, 512, 521, 522: 유입홀
513, 514, 523, 524: 유출홀
611, 612: 개폐부 PG: 퍼지가스
S1, S2: 소스가스 W: 웨이퍼

Claims (6)

  1. 프로세스 챔버;
    웨이퍼가 안착되는 서셉터;
    상기 웨이퍼 상부에 구비되어 상기 웨이퍼로 소스가스를 분사하는 샤워헤드;
    상기 서셉터 및 상기 샤워헤드를 관통하여 구비되되 상기 서셉터와 일체로 회전 가능하도록 결합되고, 상기 샤워헤드에 대해 회전 가능하게 구비된 회전축; 및
    상기 회전축 상에 구비되어 상기 회전축의 회전에 의해 상기 샤워헤드를 통해 상기 소스가스를 선택적으로 분사시키는 분사제어부;
    를 포함하는 원자층 증착장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 분사제어부는,
    상기 회전축 상에 형성된 진공포트;
    상기 진공포트 내에 부압을 형성하는 진공제공부; 및
    상기 회전축의 회전시 상기 샤워헤드와 선택적으로 연통되는 개폐부;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 샤워헤드의 일측에는 상기 샤워헤드 내로 상기 복수가스가 유입되는 적어도 하나 이상의 유입홀이 형성된 것을 특징으로 하는 원자층 증착장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 샤워헤드와 상기 진공포트의 결합부에는 상기 진공포트와 연통되는 복수의 유출홀이 형성되고, 상기 개폐부는 상기 유출홀을 개폐하도록 형성된 것을 특징으로 하는 원자층 증착장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 샤워헤드 내부에는 서로 다른 복수의 소스가스가 각각 유입되는 복수의 캐비티가 형성되고, 상기 분사제어부는 상기 적어도 하나 이상의 캐비티와 선택적으로 연통되는 것을 특징으로 하는 원자층 증착장치.
  6. 삭제
KR1020070137817A 2007-12-26 2007-12-26 원자층 증착장치 KR100936695B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070137817A KR100936695B1 (ko) 2007-12-26 2007-12-26 원자층 증착장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070137817A KR100936695B1 (ko) 2007-12-26 2007-12-26 원자층 증착장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090069974A KR20090069974A (ko) 2009-07-01
KR100936695B1 true KR100936695B1 (ko) 2010-01-13

Family

ID=41321565

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070137817A KR100936695B1 (ko) 2007-12-26 2007-12-26 원자층 증착장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100936695B1 (ko)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101306627B1 (ko) 2012-12-03 2013-09-11 (주)대흥정밀산업 원자층 고속 증착장치
US8955547B2 (en) 2011-10-19 2015-02-17 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for providing uniform flow of gas
US9109754B2 (en) 2011-10-19 2015-08-18 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for providing uniform flow of gas
US9353440B2 (en) 2013-12-20 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Dual-direction chemical delivery system for ALD/CVD chambers
US9514933B2 (en) 2014-01-05 2016-12-06 Applied Materials, Inc. Film deposition using spatial atomic layer deposition or pulsed chemical vapor deposition
US9631277B2 (en) 2011-03-01 2017-04-25 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition carousel with continuous rotation and methods of use
US9748125B2 (en) 2012-01-31 2017-08-29 Applied Materials, Inc. Continuous substrate processing system
US9831109B2 (en) 2013-03-11 2017-11-28 Applied Materials, Inc. High temperature process chamber lid

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101866970B1 (ko) * 2016-09-06 2018-06-14 주식회사 엔씨디 다수의 롤을 구비하는 롤투롤 원자층 증착 장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030042614A (ko) * 2001-11-23 2003-06-02 주성엔지니어링(주) Ｃｖｄ 장치의 멀티섹터 평판형 샤워헤드
KR20050015931A (ko) * 2003-08-05 2005-02-21 주성엔지니어링(주) 균일한 막 증착을 위한 챔버 및 샤워 헤드
KR100497748B1 (ko) * 2002-09-17 2005-06-29 주식회사 무한 반도체소자 제조용 원자층 증착 장치 및 원자층 증착 방법
KR100558922B1 (ko) * 2004-12-16 2006-03-10 (주)퓨전에이드 박막 증착장치 및 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030042614A (ko) * 2001-11-23 2003-06-02 주성엔지니어링(주) Ｃｖｄ 장치의 멀티섹터 평판형 샤워헤드
KR100497748B1 (ko) * 2002-09-17 2005-06-29 주식회사 무한 반도체소자 제조용 원자층 증착 장치 및 원자층 증착 방법
KR20050015931A (ko) * 2003-08-05 2005-02-21 주성엔지니어링(주) 균일한 막 증착을 위한 챔버 및 샤워 헤드
KR100558922B1 (ko) * 2004-12-16 2006-03-10 (주)퓨전에이드 박막 증착장치 및 방법

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9631277B2 (en) 2011-03-01 2017-04-25 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition carousel with continuous rotation and methods of use
US8955547B2 (en) 2011-10-19 2015-02-17 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for providing uniform flow of gas
US9109754B2 (en) 2011-10-19 2015-08-18 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for providing uniform flow of gas
USRE48994E1 (en) 2011-10-19 2022-03-29 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for providing uniform flow of gas
USRE47440E1 (en) 2011-10-19 2019-06-18 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for providing uniform flow of gas
US10236198B2 (en) 2012-01-31 2019-03-19 Applied Materials, Inc. Methods for the continuous processing of substrates
US9748125B2 (en) 2012-01-31 2017-08-29 Applied Materials, Inc. Continuous substrate processing system
KR101306627B1 (ko) 2012-12-03 2013-09-11 (주)대흥정밀산업 원자층 고속 증착장치
US9831109B2 (en) 2013-03-11 2017-11-28 Applied Materials, Inc. High temperature process chamber lid
US10879090B2 (en) 2013-03-11 2020-12-29 Applied Materials, Inc. High temperature process chamber lid
US9765432B2 (en) 2013-12-20 2017-09-19 Applied Materials, Inc. Dual-direction chemical delivery system for ALD/CVD chambers
US10400335B2 (en) 2013-12-20 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Dual-direction chemical delivery system for ALD/CVD chambers
US9353440B2 (en) 2013-12-20 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Dual-direction chemical delivery system for ALD/CVD chambers
US9514933B2 (en) 2014-01-05 2016-12-06 Applied Materials, Inc. Film deposition using spatial atomic layer deposition or pulsed chemical vapor deposition

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090069974A (ko) 2009-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100936695B1 (ko) 원자층 증착장치
KR101562396B1 (ko) 성막 장치 및 기판 처리 장치
KR100949914B1 (ko) 원자층 증착 장치
US8092598B2 (en) Apparatus and method for thin film deposition
US8034723B2 (en) Film deposition apparatus and film deposition method
US20070218701A1 (en) Semiconductor-processing apparatus with rotating susceptor
US20090324826A1 (en) Film Deposition Apparatus, Film Deposition Method, and Computer Readable Storage Medium
US20070218702A1 (en) Semiconductor-processing apparatus with rotating susceptor
CN101736318A (zh) 成膜装置
US20100229797A1 (en) Film deposition apparatus
TWI701736B (zh) 利用氣化原料供給裝置的基板處理裝置
JP5262452B2 (ja) 成膜装置及び基板処理装置
TWI721227B (zh) 成膜裝置及成膜方法
US10472719B2 (en) Nozzle and substrate processing apparatus using same
TW201705275A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
KR101804128B1 (ko) 기판처리장치
KR100949913B1 (ko) 원자층 증착 장치
KR20140049170A (ko) 기판처리장치
US20190271077A1 (en) Film deposition method and film deposition apparatus
WO2020131193A1 (en) Ald process and hardware with improved purge efficiency
US11339472B2 (en) Substrate processing apparatus
KR20140101049A (ko) 기판 처리 장치
KR101741688B1 (ko) 박막 제조방법 및 그 제조장치
KR101839409B1 (ko) 가스 공급 장치, 가스 공급 방법 및 이를 구비하는 기판 처리 장치
KR102193667B1 (ko) 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121206

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131115

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141215

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160104

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170102

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180103

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190103

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200102

Year of fee payment: 11