JP2003239073A - 成膜装置 - Google Patents
成膜装置Info
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- JP2003239073A JP2003239073A JP2002039871A JP2002039871A JP2003239073A JP 2003239073 A JP2003239073 A JP 2003239073A JP 2002039871 A JP2002039871 A JP 2002039871A JP 2002039871 A JP2002039871 A JP 2002039871A JP 2003239073 A JP2003239073 A JP 2003239073A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】成膜用ガスを成膜対象物の表面から周囲に向っ
て等方的に流し、成膜対象物上に形成される膜の厚さや
組成を均一にしうる成膜装置を提供する。 【解決手段】本発明の成膜装置は、所定の成膜用ガスを
導入して排気口から排出する真空槽３を有する。排気口
から排出される成膜用ガスの流れを絞るためのスリット
状の絞り部１１が、基板２を取り囲むように全周にわた
って設けられている。このスリット状の絞り部１１は、
環状に形成され、基板２に対して同心的に設けられてい
る。
て等方的に流し、成膜対象物上に形成される膜の厚さや
組成を均一にしうる成膜装置を提供する。 【解決手段】本発明の成膜装置は、所定の成膜用ガスを
導入して排気口から排出する真空槽３を有する。排気口
から排出される成膜用ガスの流れを絞るためのスリット
状の絞り部１１が、基板２を取り囲むように全周にわた
って設けられている。このスリット状の絞り部１１は、
環状に形成され、基板２に対して同心的に設けられてい
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、真空中で膜を形成
する成膜装置に関し、特にＭＯＣＶＤ装置における膜特
性の均一化を図る技術に関する。
する成膜装置に関し、特にＭＯＣＶＤ装置における膜特
性の均一化を図る技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＶＤ法によって基板上に成膜して多数
の電子デバイスを作成する場合には、電子デバイスの特
性の均一性が重要である。
の電子デバイスを作成する場合には、電子デバイスの特
性の均一性が重要である。
【０００３】このような多数の電子デバイスの特性を均
一、即ち均一な膜を形成するためには、成膜反応面であ
る基板表面に均一に反応ガスを供給する必要がある。
一、即ち均一な膜を形成するためには、成膜反応面であ
る基板表面に均一に反応ガスを供給する必要がある。
【０００４】図４（ａ）（ｂ）は、従来の成膜装置の概
略構成を示すものである。図４（ａ）に示すように、こ
の成膜装置１０１においては、成膜室１０２内に配置さ
れた基板１０３に対し、シャワーヘッド１０４を介して
導入された反応ガス１０５が基板の表面の近傍に導かれ
た後、成膜室１０２に設けられた排気口１０６から排出
される。
略構成を示すものである。図４（ａ）に示すように、こ
の成膜装置１０１においては、成膜室１０２内に配置さ
れた基板１０３に対し、シャワーヘッド１０４を介して
導入された反応ガス１０５が基板の表面の近傍に導かれ
た後、成膜室１０２に設けられた排気口１０６から排出
される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
ＣＶＤ装置において反応ガス１０５を均一に供給するに
は、上流側のシャワーヘッド１０４のノズルにおける流
量を均一にするとともに、基板１０３から排気口１０６
に向かう反応ガス流の等方性も重要である。
ＣＶＤ装置において反応ガス１０５を均一に供給するに
は、上流側のシャワーヘッド１０４のノズルにおける流
量を均一にするとともに、基板１０３から排気口１０６
に向かう反応ガス流の等方性も重要である。
【０００６】しかしながら、従来技術の場合、図４
（ｂ）に示すように、反応ガス１０５のガス流のベクト
ルは排気口１０６の方向へ向かうため、基板１０３表面
におけるガス流が不均一になり、反応面上のガスの濃度
にばらつきが生じて膜の特性が不均一になるという問題
がある。
（ｂ）に示すように、反応ガス１０５のガス流のベクト
ルは排気口１０６の方向へ向かうため、基板１０３表面
におけるガス流が不均一になり、反応面上のガスの濃度
にばらつきが生じて膜の特性が不均一になるという問題
がある。
【０００７】本発明は、このような従来の技術の課題を
解決するためになされたもので、成膜用ガスを成膜対象
物の表面から周囲に向って等方的に流し、成膜対象物上
に形成される膜の厚さや組成を均一にしうる成膜装置を
提供することを目的とする。
解決するためになされたもので、成膜用ガスを成膜対象
物の表面から周囲に向って等方的に流し、成膜対象物上
に形成される膜の厚さや組成を均一にしうる成膜装置を
提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
になされた請求項１記載の発明は、所定の成膜用ガスを
導入して排気口から排出する真空槽を有する成膜装置で
あって、前記排気口から排出される成膜用ガスの流れを
絞るための絞り部を有し、該絞り部が、前記真空槽内に
配置される成膜対象物を取り囲むように連続的に設けら
れている成膜装置である。請求項２記載の発明は、請求
項１記載の発明において、前記絞り部が、スリット状に
形成されている成膜装置である。請求項３記載の発明
は、請求項１又は２のいずれか１項記載の発明におい
て、前記絞り部が、環状に形成されている成膜装置であ
る。請求項４記載の発明は、請求項１乃至３のいずれか
１項記載の発明において、前記絞り部が、前記成膜対象
物に対して同心的に設けられている成膜装置である。請
求項５記載の発明は、請求項１乃至４のいずれか１項記
載の発明において、前記絞り部が、前記真空槽内に配設
された環状のダクト部材の内周側の部位に設けられてい
る成膜装置である。請求項６記載の発明は、請求項１乃
至５のいずれか１項記載の発明において、前記排気口と
前記絞り部との間に、前記排気口から排出されるガスを
分散させるための分散部が設けられている成膜装置であ
る。
になされた請求項１記載の発明は、所定の成膜用ガスを
導入して排気口から排出する真空槽を有する成膜装置で
あって、前記排気口から排出される成膜用ガスの流れを
絞るための絞り部を有し、該絞り部が、前記真空槽内に
配置される成膜対象物を取り囲むように連続的に設けら
れている成膜装置である。請求項２記載の発明は、請求
項１記載の発明において、前記絞り部が、スリット状に
形成されている成膜装置である。請求項３記載の発明
は、請求項１又は２のいずれか１項記載の発明におい
て、前記絞り部が、環状に形成されている成膜装置であ
る。請求項４記載の発明は、請求項１乃至３のいずれか
１項記載の発明において、前記絞り部が、前記成膜対象
物に対して同心的に設けられている成膜装置である。請
求項５記載の発明は、請求項１乃至４のいずれか１項記
載の発明において、前記絞り部が、前記真空槽内に配設
された環状のダクト部材の内周側の部位に設けられてい
る成膜装置である。請求項６記載の発明は、請求項１乃
至５のいずれか１項記載の発明において、前記排気口と
前記絞り部との間に、前記排気口から排出されるガスを
分散させるための分散部が設けられている成膜装置であ
る。
【０００９】本発明の形態の場合、成膜の際に真空槽内
に導入され成膜対象物の表面に供給された成膜用ガス
は、成膜対象物を取り囲むように連続的に設けられた絞
り部を介して排気口から排出されることから、排気方向
の負圧が成膜対象物の円周方向へ均一に分布し、その結
果、成膜用ガスが成膜対象物の表面からその円周方向に
等方的に流れるようになる。
に導入され成膜対象物の表面に供給された成膜用ガス
は、成膜対象物を取り囲むように連続的に設けられた絞
り部を介して排気口から排出されることから、排気方向
の負圧が成膜対象物の円周方向へ均一に分布し、その結
果、成膜用ガスが成膜対象物の表面からその円周方向に
等方的に流れるようになる。
【００１０】したがって、本発明によれば、成膜対象物
上に形成される膜の厚さや組成を均一にすることができ
る。
上に形成される膜の厚さや組成を均一にすることができ
る。
【００１１】本発明にあっては、絞り部をスリット状に
形成すること、絞り部を環状に形成すること、又は絞り
部を成膜対象物に対して同心的に設けることによって、
成膜用ガスの流れをより一層均一にすることができる。
形成すること、絞り部を環状に形成すること、又は絞り
部を成膜対象物に対して同心的に設けることによって、
成膜用ガスの流れをより一層均一にすることができる。
【００１２】また、本発明においては、排気口と絞り部
との間に分散部を設けるようにすれば、排気口の排気圧
力が例えばダクト部内をより均一に伝播し、絞り部の全
周にわたってより均一な圧力が作用させることが可能に
なる。
との間に分散部を設けるようにすれば、排気口の排気圧
力が例えばダクト部内をより均一に伝播し、絞り部の全
周にわたってより均一な圧力が作用させることが可能に
なる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る成膜装置の好
ましい実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
ましい実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
【００１４】図１は、本発明の実施の形態であるＭＯＣ
ＶＤ装置の概略全体構成図である。図１に示すように、
本実施の形態のＭＯＣＶＤ装置１は、成膜対象物である
基板２に対して成膜を行うためのほぼ円筒形状の真空槽
３を有し、この真空槽３は、図示しない真空排気系に接
続されている。
ＶＤ装置の概略全体構成図である。図１に示すように、
本実施の形態のＭＯＣＶＤ装置１は、成膜対象物である
基板２に対して成膜を行うためのほぼ円筒形状の真空槽
３を有し、この真空槽３は、図示しない真空排気系に接
続されている。
【００１５】本実施の形態の場合、例えばヘリウム（Ｈ
ｅ）ガスの圧力によって原料供給器４から送出される有
機金属材料を例えば窒素（Ｎ2）ガスによって気化器５
に送り込み、この気化器５によって気化された原料ガス
に酸素（０2）ガスを加えて反応ガス（成膜用ガス）８
とし、真空槽３の上部に設けられたシャワーヘッド６に
供給するように構成されている。
ｅ）ガスの圧力によって原料供給器４から送出される有
機金属材料を例えば窒素（Ｎ2）ガスによって気化器５
に送り込み、この気化器５によって気化された原料ガス
に酸素（０2）ガスを加えて反応ガス（成膜用ガス）８
とし、真空槽３の上部に設けられたシャワーヘッド６に
供給するように構成されている。
【００１６】真空槽３内の成膜室３０には昇降自在の円
柱形状のステージ７が設けられ、このステージ７上に基
板２が載置される。ステージ７内には図示しないヒータ
が設けられ、このヒータによって基板２を所定の温度に
加熱する。なお、ステージ７と成膜室３０の壁面との距
離（クリアランス）は、後述する条件に従って設定され
る。
柱形状のステージ７が設けられ、このステージ７上に基
板２が載置される。ステージ７内には図示しないヒータ
が設けられ、このヒータによって基板２を所定の温度に
加熱する。なお、ステージ７と成膜室３０の壁面との距
離（クリアランス）は、後述する条件に従って設定され
る。
【００１７】上記シャワーヘッド６に供給された反応ガ
ス８は、シャワーヘッド６に設けた多数のノズルを介し
て基板２の表面に向って吹き出され、これにより基板２
の表面に反応ガス８を供給するようになっている。
ス８は、シャワーヘッド６に設けた多数のノズルを介し
て基板２の表面に向って吹き出され、これにより基板２
の表面に反応ガス８を供給するようになっている。
【００１８】基板２の表面に供給された反応ガス８は、
真空槽３の下部に設けられた排気管９を介して成膜室３
０の外部に排出されるようになっている。
真空槽３の下部に設けられた排気管９を介して成膜室３
０の外部に排出されるようになっている。
【００１９】図１に示すように、本実施の形態において
は、成膜室３０の下部に、ダクト部材１０が配設されて
いる。このダクト部材１０は、中空の環状の部材からな
るもので、その断面は、矩形形状に形成されている。
は、成膜室３０の下部に、ダクト部材１０が配設されて
いる。このダクト部材１０は、中空の環状の部材からな
るもので、その断面は、矩形形状に形成されている。
【００２０】図２（ａ）は、本実施の形態のダクト部材
の部分断面斜視図、図２（ｂ）は、同ダクト部材の内部
構成を示す断面図である。
の部分断面斜視図、図２（ｂ）は、同ダクト部材の内部
構成を示す断面図である。
【００２１】図２（ａ）（ｂ）に示すように、このダク
ト部材１０の内周側の部位には、全周にわたってスリッ
ト状の絞り部１１が設けられている。この絞り部１１
は、所定の幅を有し、直線状に連続的に形成されてい
る。
ト部材１０の内周側の部位には、全周にわたってスリッ
ト状の絞り部１１が設けられている。この絞り部１１
は、所定の幅を有し、直線状に連続的に形成されてい
る。
【００２２】本実施の形態の場合、ダクト部材１０は、
その内径がステージ７の外径より大きくなるように設定
され、これにより絞り部１１が基板２を取り囲むように
なっている。
その内径がステージ７の外径より大きくなるように設定
され、これにより絞り部１１が基板２を取り囲むように
なっている。
【００２３】また、ダクト部材１０は、ステージ７上に
載置される基板２に対して同心的に配設され、これによ
り絞り部１１の各部位と基板２との距離がほぼ等しくな
るように構成されている。
載置される基板２に対して同心的に配設され、これによ
り絞り部１１の各部位と基板２との距離がほぼ等しくな
るように構成されている。
【００２４】ダクト部材１０の外周側の所定の部位（本
実施の形態の場合は２ヶ所）には、排気管９が設けら
れ、この排気管９の排気口１２を介してダクト部材１０
内の反応ガス８を排出するようになっている。
実施の形態の場合は２ヶ所）には、排気管９が設けら
れ、この排気管９の排気口１２を介してダクト部材１０
内の反応ガス８を排出するようになっている。
【００２５】本発明の場合、ダクト部材１０の大きさ、
形状、及び絞り部１１の幅は、ステージ７と成膜室３０
の壁面とのクリアランスとの関係において定めることが
好ましい。
形状、及び絞り部１１の幅は、ステージ７と成膜室３０
の壁面とのクリアランスとの関係において定めることが
好ましい。
【００２６】すなわち、ダクト部材１０の内部の流路抵
抗をＲｄとし、絞り部１１の流路抵抗をＲｓとすると、
ダクト部材１０の内部の流路抵抗Ｒｄが、絞り部１１の
流路抵抗Ｒｓより十分小さくなるように設定することが
好ましい。
抗をＲｄとし、絞り部１１の流路抵抗をＲｓとすると、
ダクト部材１０の内部の流路抵抗Ｒｄが、絞り部１１の
流路抵抗Ｒｓより十分小さくなるように設定することが
好ましい。
【００２７】この場合、ダクト部材１０の内部の流路抵
抗Ｒｄに対する絞り部１１の流路抵抗Ｒｓの比は、１０
≦Ｒｓ／Ｒｄ≦４０の範囲に設定することが好ましい。
抗Ｒｄに対する絞り部１１の流路抵抗Ｒｓの比は、１０
≦Ｒｓ／Ｒｄ≦４０の範囲に設定することが好ましい。
【００２８】これにより排気口の排気圧力がダクト部材
１０内を均一に伝播し、スリット状の絞り部１１の全周
にわたって均一な圧力が作用するようになる。
１０内を均一に伝播し、スリット状の絞り部１１の全周
にわたって均一な圧力が作用するようになる。
【００２９】また、ステージ７と成膜室３０の壁面との
クリアランスの流路抵抗をＲｃとすると、このクリアラ
ンスの流路抵抗Ｒｃが、絞り部１１の流路抵抗Ｒｓより
十分小さくなるように設定することが好ましい。
クリアランスの流路抵抗をＲｃとすると、このクリアラ
ンスの流路抵抗Ｒｃが、絞り部１１の流路抵抗Ｒｓより
十分小さくなるように設定することが好ましい。
【００３０】この場合、クリアランスの流路抵抗Ｒｃに
対する絞り部１１の流路抵抗Ｒｓの比は、１００≦Ｒｓ
／Ｒｃ≦２０００の範囲に設定することが好ましい。
対する絞り部１１の流路抵抗Ｒｓの比は、１００≦Ｒｓ
／Ｒｃ≦２０００の範囲に設定することが好ましい。
【００３１】また、クリアランスの流路抵抗Ｒｃに対す
るダクト部材１０の内部の流路抵抗Ｒｄの比は、１０≦
Ｒｄ／Ｒｃ≦５００の範囲に設定することが好ましい。
るダクト部材１０の内部の流路抵抗Ｒｄの比は、１０≦
Ｒｄ／Ｒｃ≦５００の範囲に設定することが好ましい。
【００３２】これによりダクト部材１０の絞り部１１の
排気圧力は上記クリアランス内を均一に伝播し、基板２
周囲に作用する排気圧力が均一に分布するようになる。
排気圧力は上記クリアランス内を均一に伝播し、基板２
周囲に作用する排気圧力が均一に分布するようになる。
【００３３】なお、本実施の形態の場合、Ｒｃ、Ｒｄ、
Ｒｓは、以下の計算によって得られた概算値である。
Ｒｓは、以下の計算によって得られた概算値である。
【００３４】
Ｒｄ＝８・μ・Ｄｄ・((Ｈｄ＋Ｗｄ)/Ａｄ)4
Ｒｓ＝１２・μ・Ｌｔ/(Ｌｒｔ・Ｗｔ3)
Ｒｓ＝１２８・μ・Ｌｃ/π・(Ｄｃ4-Ｄｓ4-(Ｄｃ2-Ｄｓ2)
2/ｌｎ(Ｄｃ/Ｄｓ)))
2/ｌｎ(Ｄｃ/Ｄｓ)))
【００３５】Ｄｃ：成膜室内径 Ｄｓ：ステージ外径
Ｌｓ：シャワーヘッド〜基板間距離 Ｌｃ：クリアランス長 Ｄｄ：ダクト部材中心径 Ｌ
ｔ：スリット断面長 Ｗｔ：スリット断面幅 Ｌｒｔ＝π(Ｄｄ-Ｗｄ-Ｌｔ)：
スリット周囲長 Ｈｄ：ダクト部材内断面高さ Ｗｄ：
ダクト部材内断面幅 Ａｄ：ダクト部材内断面積 μ：ガスの粘性係数
Ｌｓ：シャワーヘッド〜基板間距離 Ｌｃ：クリアランス長 Ｄｄ：ダクト部材中心径 Ｌ
ｔ：スリット断面長 Ｗｔ：スリット断面幅 Ｌｒｔ＝π(Ｄｄ-Ｗｄ-Ｌｔ)：
スリット周囲長 Ｈｄ：ダクト部材内断面高さ Ｗｄ：
ダクト部材内断面幅 Ａｄ：ダクト部材内断面積 μ：ガスの粘性係数
【００３６】一方、図２（ａ）（ｂ）に示すように、ダ
クト部材１０内の排気口１２と絞り部１１との間には、
分散部材１３が設けられている。本実施の形態の場合、
この分散部材１３は、平板状に形成され、排気口１２に
対向する位置において排気口１２を遮るように構成さ
れ、これにより反応ガス８は一旦流れの方向を変えた後
に排気口１２から排出される。
クト部材１０内の排気口１２と絞り部１１との間には、
分散部材１３が設けられている。本実施の形態の場合、
この分散部材１３は、平板状に形成され、排気口１２に
対向する位置において排気口１２を遮るように構成さ
れ、これにより反応ガス８は一旦流れの方向を変えた後
に排気口１２から排出される。
【００３７】このような構成を有する本実施の形態の場
合、成膜の際に成膜室３０内に導入され基板２の表面に
供給された反応ガス８は、ダクト部材１０の絞り部１１
を介してダクト部材１０内に導入された後に排気管９を
介して外部に排出される。
合、成膜の際に成膜室３０内に導入され基板２の表面に
供給された反応ガス８は、ダクト部材１０の絞り部１１
を介してダクト部材１０内に導入された後に排気管９を
介して外部に排出される。
【００３８】この場合、絞り部１１はダクト部材１０の
全周にわたって形成されているため、排気方向の負圧が
基板２の円周方向へ均一に分布し、その結果、図３に示
すように、反応ガス８は基板２の表面から基板２円周方
向に等方的に流れるようになる。
全周にわたって形成されているため、排気方向の負圧が
基板２の円周方向へ均一に分布し、その結果、図３に示
すように、反応ガス８は基板２の表面から基板２円周方
向に等方的に流れるようになる。
【００３９】したがって、本実施の形態によれば、基板
２上に形成される膜の厚さや組成を均一にすることがで
きる。
２上に形成される膜の厚さや組成を均一にすることがで
きる。
【００４０】特に、本実施の形態においては、ダクト部
材１０内の排気口１２と絞り部１１との間に分散部材１
３が設けられていることから、排気口１２の排気圧力が
ダクト部材１０内をより均一に伝播し、絞り部１１の全
周にわたってより均一な圧力が作用させることが可能に
なる。
材１０内の排気口１２と絞り部１１との間に分散部材１
３が設けられていることから、排気口１２の排気圧力が
ダクト部材１０内をより均一に伝播し、絞り部１１の全
周にわたってより均一な圧力が作用させることが可能に
なる。
【００４１】なお、本発明は上述の実施の形態に限られ
ることなく、種々の変更を行うことができる。例えば、
上述の実施の形態においては、絞り部の形状を直線状の
スリットにしたが、本発明はこれに限られず、曲線状に
することも可能である。
ることなく、種々の変更を行うことができる。例えば、
上述の実施の形態においては、絞り部の形状を直線状の
スリットにしたが、本発明はこれに限られず、曲線状に
することも可能である。
【００４２】また、スリットの代わりに、ダクト部材の
内周に沿って多数の孔を連続的に配置することも可能で
ある。
内周に沿って多数の孔を連続的に配置することも可能で
ある。
【００４３】さらに、本発明においては、絞り部を設け
たダクト部材を成膜室内に配置してもよく、また成膜室
に直接絞り部とダクト部を設けてもよい。
たダクト部材を成膜室内に配置してもよく、また成膜室
に直接絞り部とダクト部を設けてもよい。
【００４４】ただし、成膜室内における乱流を抑えるた
めには、成膜室に直接絞り部とダクト部を設けることが
好ましい。
めには、成膜室に直接絞り部とダクト部を設けることが
好ましい。
【００４５】さらにまた、本発明はＭＯＣＶＤ装置に限
らず、等方のガス流の制御を必要とする他のＣＶＤ装置
や種々の真空処理装置に適用することができる。
らず、等方のガス流の制御を必要とする他のＣＶＤ装置
や種々の真空処理装置に適用することができる。
【００４６】ただし、ガス流の制御が有効な１Ｐａ〜１
００００Ｐａの圧力範囲で使用される減圧ＭＯＣＶＤ装
置に適用した場合に最も有効なものである。
００００Ｐａの圧力範囲で使用される減圧ＭＯＣＶＤ装
置に適用した場合に最も有効なものである。
【００４７】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、成膜
用ガスを成膜対象物の表面から周囲に向って等方的に流
することができ、成膜対象物上に形成される膜の厚さや
組成を均一にすることができる。
用ガスを成膜対象物の表面から周囲に向って等方的に流
することができ、成膜対象物上に形成される膜の厚さや
組成を均一にすることができる。
【図１】本発明の実施の形態であるＭＯＣＶＤ装置の概
略全体構成図
略全体構成図
【図２】（ａ）：本実施の形態のダクト部材の部分断面
斜視図 （ｂ）：同ダクト部材の内部構成を示す断面図
斜視図 （ｂ）：同ダクト部材の内部構成を示す断面図
【図３】本発明の作用を説明するための図
【図４】（ａ）：従来の成膜装置の概略構成図
（ｂ）：従来技術の課題を説明するための図
１…ＭＯＣＶＤ装置 ２…基板（成膜対象物） ３…真
空槽 ８…反応ガス（成膜用ガス） １０…ダクト部材
１１…絞り部 １２…排気口 １３…排気管
空槽 ８…反応ガス（成膜用ガス） １０…ダクト部材
１１…絞り部 １２…排気口 １３…排気管
フロントページの続き
(72)発明者 増田 健
静岡県裾野市須山1220−１ 株式会社アル
バック半導体技術研究所内
(72)発明者 梶沼 雅彦
静岡県裾野市須山1220−１ 株式会社アル
バック半導体技術研究所内
(72)発明者 山田 貴一
静岡県裾野市須山1220−14 株式会社アル
バック富士裾野工場内
Ｆターム(参考） 4K030 AA11 EA05 EA06 EA11 KA12
5F045 AA04 BB02 EB02 EG01
Claims (6)
- 【請求項１】所定の成膜用ガスを導入して排気口から排
出する真空槽を有する成膜装置であって、 前記排気口から排出される成膜用ガスの流れを絞るため
の絞り部を有し、該絞り部が、前記真空槽内に配置され
る成膜対象物を取り囲むように連続的に設けられている
成膜装置。 - 【請求項２】請求項１記載の発明において、前記絞り部
が、スリット状に形成されている成膜装置。 - 【請求項３】請求項１又は２のいずれか１項記載の発明
において、前記絞り部が、環状に形成されている成膜装
置。 - 【請求項４】請求項１乃至３のいずれか１項記載の発明
において、前記絞り部が、前記成膜対象物に対して同心
的に設けられている成膜装置。 - 【請求項５】請求項１乃至４のいずれか１項記載の発明
において、前記絞り部が、前記真空槽内に配設された環
状のダクト部材の内周側の部位に設けられている成膜装
置。 - 【請求項６】請求項１乃至５のいずれか１項記載の発明
において、前記排気口と前記絞り部との間に、前記排気
口から排出されるガスを分散させるための分散部が設け
られている成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002039871A JP2003239073A (ja) | 2002-02-18 | 2002-02-18 | 成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002039871A JP2003239073A (ja) | 2002-02-18 | 2002-02-18 | 成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003239073A true JP2003239073A (ja) | 2003-08-27 |
Family
ID=27780767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002039871A Pending JP2003239073A (ja) | 2002-02-18 | 2002-02-18 | 成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003239073A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0778749A (ja) * | 1993-09-06 | 1995-03-20 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
| JPH08227859A (ja) * | 1994-11-30 | 1996-09-03 | Applied Materials Inc | Ｃｖｄ処理チャンバ |
| JPH1055968A (ja) * | 1996-08-08 | 1998-02-24 | Nippon Asm Kk | 半導体処理装置 |
| JP2001267304A (ja) * | 2000-03-22 | 2001-09-28 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置 |
-
2002
- 2002-02-18 JP JP2002039871A patent/JP2003239073A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0778749A (ja) * | 1993-09-06 | 1995-03-20 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
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