JPH11230036A - 真空排気システム - Google Patents
真空排気システムInfo
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- JPH11230036A JPH11230036A JP10052984A JP5298498A JPH11230036A JP H11230036 A JPH11230036 A JP H11230036A JP 10052984 A JP10052984 A JP 10052984A JP 5298498 A JP5298498 A JP 5298498A JP H11230036 A JPH11230036 A JP H11230036A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
Abstract
(57)【要約】
【課題】 真空ポンプを可能な限り共有させて稼働率を
向上させつつ設備コストを低減する。 【解決手段】 主チャンバ１０とこれに隣接する複数の
副チャンバ１２ａ，１２ｂを排気する真空排気システム
において、直列に配置された第１及び第２の真空ポンプ
部３０ａ，３０ｂと、上流側の第１の真空ポンプ部の吸
気口３４ａを前記主チャンバに連絡する主排気経路１６
と、前記第２の真空ポンプ部の吸気口３４ｃを前記副チ
ャンバに連絡する副排気経路２２ａ，２２ｂとを有す
る。
向上させつつ設備コストを低減する。 【解決手段】 主チャンバ１０とこれに隣接する複数の
副チャンバ１２ａ，１２ｂを排気する真空排気システム
において、直列に配置された第１及び第２の真空ポンプ
部３０ａ，３０ｂと、上流側の第１の真空ポンプ部の吸
気口３４ａを前記主チャンバに連絡する主排気経路１６
と、前記第２の真空ポンプ部の吸気口３４ｃを前記副チ
ャンバに連絡する副排気経路２２ａ，２２ｂとを有す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体デバ
イスの製造装置に使用される処理チャンバの排気を行な
うための真空排気システムに関する。
イスの製造装置に使用される処理チャンバの排気を行な
うための真空排気システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】図８は、半導体デバイスの製造工程にお
いて、半導体ウエハにエッチングや化学気相成長（ＣＶ
Ｄ）等を行うための真空排気システムを示すもので、主
チャンバ（プロセスチャンバ）１０の両側に、ロード・
アンロード用の副チャンバ（ロードロックチャンバ）１
２ａ，１２ｂがそれぞれゲート１４を介して連結されて
いる。各副チャンバ１２ａ，１２ｂと外部の間にもゲー
ト１５が設けられている。
いて、半導体ウエハにエッチングや化学気相成長（ＣＶ
Ｄ）等を行うための真空排気システムを示すもので、主
チャンバ（プロセスチャンバ）１０の両側に、ロード・
アンロード用の副チャンバ（ロードロックチャンバ）１
２ａ，１２ｂがそれぞれゲート１４を介して連結されて
いる。各副チャンバ１２ａ，１２ｂと外部の間にもゲー
ト１５が設けられている。
【０００３】主チャンバ１０は、バルブ２０を備えた排
気経路１６を介して真空ポンプ１８に接続され、各副チ
ャンバ１２ａ，１２ｂも同様にバルブ２６を備えた排気
経路２２を介して真空ポンプ２４に接続されている。真
空ポンプ１８，２４としては、従来は油回転式ポンプ
が、現在はドライポンプが主に使用されている。
気経路１６を介して真空ポンプ１８に接続され、各副チ
ャンバ１２ａ，１２ｂも同様にバルブ２６を備えた排気
経路２２を介して真空ポンプ２４に接続されている。真
空ポンプ１８，２４としては、従来は油回転式ポンプ
が、現在はドライポンプが主に使用されている。
【０００４】この装置では、主チャンバ１０に対して被
処理物のロード・アンロードを行なう場合には、副チャ
ンバ１２を真空排気してから境界ゲート１４を開けるよ
うにして、主チャンバ１０を大気に開放しないようにし
ている。これにより、主チャンバ１０やそれにつながる
配管系の汚染を防止したり、運転再開の際の主チャンバ
１０の排気時間を短縮して稼働率を向上させるようにし
ている。
処理物のロード・アンロードを行なう場合には、副チャ
ンバ１２を真空排気してから境界ゲート１４を開けるよ
うにして、主チャンバ１０を大気に開放しないようにし
ている。これにより、主チャンバ１０やそれにつながる
配管系の汚染を防止したり、運転再開の際の主チャンバ
１０の排気時間を短縮して稼働率を向上させるようにし
ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の技術においては、各チャンバを個別に真空
排気する真空ポンプを設けているので、真空ポンプの稼
働率が低い。また、主チャンバ（プロセスチャンバ）の
数を増やして生産性を上げようとすると、それに伴って
真空ポンプの台数が増加して、装置の大型化とランニン
グコストの増大に繋がってしまうといった問題があっ
た。そして、補助チャンバの排気時間を短くしようとす
ると、大型の真空ポンプが必要となって、上記欠点が助
長されてしまうという問題があった。
ような従来の技術においては、各チャンバを個別に真空
排気する真空ポンプを設けているので、真空ポンプの稼
働率が低い。また、主チャンバ（プロセスチャンバ）の
数を増やして生産性を上げようとすると、それに伴って
真空ポンプの台数が増加して、装置の大型化とランニン
グコストの増大に繋がってしまうといった問題があっ
た。そして、補助チャンバの排気時間を短くしようとす
ると、大型の真空ポンプが必要となって、上記欠点が助
長されてしまうという問題があった。
【０００６】本発明は上述の事情に鑑みなされたもので
あり、真空ポンプを可能な限り共有させて稼働率を向上
させつつ設備コストを低減する、あるいは真空ポンプを
大型化することなく、補助チャンバの排気を迅速に行う
ことができる真空排気システムを提供することを目的と
する。
あり、真空ポンプを可能な限り共有させて稼働率を向上
させつつ設備コストを低減する、あるいは真空ポンプを
大型化することなく、補助チャンバの排気を迅速に行う
ことができる真空排気システムを提供することを目的と
する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、主チャンバとこれに隣接する複数の副チャンバを排
気する真空排気システムにおいて、直列に配置された第
１及び第２の真空ポンプ部と、上流側の第１の真空ポン
プ部の吸気口を前記主チャンバに連絡する主排気経路
と、前記第２の真空ポンプ部の吸気口を前記副チャンバ
に連絡する副排気経路とを有することを特徴とする真空
排気システムである。
は、主チャンバとこれに隣接する複数の副チャンバを排
気する真空排気システムにおいて、直列に配置された第
１及び第２の真空ポンプ部と、上流側の第１の真空ポン
プ部の吸気口を前記主チャンバに連絡する主排気経路
と、前記第２の真空ポンプ部の吸気口を前記副チャンバ
に連絡する副排気経路とを有することを特徴とする真空
排気システムである。
【０００８】これにより、主チャンバの真空排気を直列
配置した２台のポンプ部で行い、副チャンバの真空排気
を１台のポンプ部で行うことで、各ポンプ部の稼動率を
向上させるとともに、それぞれのポンプの能力をより小
さいものとして設備コストを低減させることができる。
配置した２台のポンプ部で行い、副チャンバの真空排気
を１台のポンプ部で行うことで、各ポンプ部の稼動率を
向上させるとともに、それぞれのポンプの能力をより小
さいものとして設備コストを低減させることができる。
【０００９】前記第１の真空ポンプ部と第２の真空ポン
プ部が駆動モータを共有するようにしてもよい。これに
より、多段ポンプ１台で全システムの排気をまかなうこ
とができるので、各副チャンバごとにポンプを設ける場
合に比べて真空ポンプの数を減少させることができる。
プ部が駆動モータを共有するようにしてもよい。これに
より、多段ポンプ１台で全システムの排気をまかなうこ
とができるので、各副チャンバごとにポンプを設ける場
合に比べて真空ポンプの数を減少させることができる。
【００１０】請求項２に記載の発明は、前記第１の真空
ポンプ部と第２の真空ポンプ部は、個別に駆動されるも
のであることを特徴とする請求項１に記載の真空排気シ
ステムである。
ポンプ部と第２の真空ポンプ部は、個別に駆動されるも
のであることを特徴とする請求項１に記載の真空排気シ
ステムである。
【００１１】請求項３に記載の発明は、前記主チャンバ
の圧力を測定し、その圧力変動が最小になるよう前記真
空ポンプ部の回転数を制御することを特徴とする請求項
１に記載の真空排気システムである。これにより、半導
体ウエハ等の処理を行う主チャンバ（プロセスチャン
バ）の圧力変動を最小限に抑えることができる。
の圧力を測定し、その圧力変動が最小になるよう前記真
空ポンプ部の回転数を制御することを特徴とする請求項
１に記載の真空排気システムである。これにより、半導
体ウエハ等の処理を行う主チャンバ（プロセスチャン
バ）の圧力変動を最小限に抑えることができる。
【００１２】請求項４に記載の発明は、主チャンバとこ
れに隣接する複数の副チャンバとを排気する真空排気シ
ステムにおいて、前記副チャンバの一方の真空を他方と
共有させるための開閉可能な連絡経路を有することを特
徴とする真空排気システムである。
れに隣接する複数の副チャンバとを排気する真空排気シ
ステムにおいて、前記副チャンバの一方の真空を他方と
共有させるための開閉可能な連絡経路を有することを特
徴とする真空排気システムである。
【００１３】これにより、真空雰囲気にある副チャンバ
の真空を利用して大気圧雰囲気にある副チャンバの圧力
を低下させてから真空排気を行うことで、排気時間を大
幅に短縮することができる。
の真空を利用して大気圧雰囲気にある副チャンバの圧力
を低下させてから真空排気を行うことで、排気時間を大
幅に短縮することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の実施
の形態について説明する。図１及び図２は、本発明の第
１の実施の形態の真空排気システムを示すもので、これ
は、図８に示す従来例と同様に、例えば半導体ウエハの
エッチングや化学気相成長（ＣＶＤ）等を行なう主チャ
ンバ（プロセスチャンバ）１０の両側に、ロード・アン
ロード用の副チャンバ、すなわち、搬入側のロードロッ
クチャンバ１２ａと搬出側ロードロックチャンバ１２ｂ
がそれぞれゲート１４ａ，１４ｂを介して連結されてい
る。各副チャンバ１２ａ，１２ｂと外部の間にもゲート
１５ａ，１５ｂが設けられている。
の形態について説明する。図１及び図２は、本発明の第
１の実施の形態の真空排気システムを示すもので、これ
は、図８に示す従来例と同様に、例えば半導体ウエハの
エッチングや化学気相成長（ＣＶＤ）等を行なう主チャ
ンバ（プロセスチャンバ）１０の両側に、ロード・アン
ロード用の副チャンバ、すなわち、搬入側のロードロッ
クチャンバ１２ａと搬出側ロードロックチャンバ１２ｂ
がそれぞれゲート１４ａ，１４ｂを介して連結されてい
る。各副チャンバ１２ａ，１２ｂと外部の間にもゲート
１５ａ，１５ｂが設けられている。
【００１５】そして、３つのチャンバ１０，１２ａ，１
２ｂを排気するために、１台の２段ポンプ３４が設けら
れている。この２段ポンプ３４は、上流側の第１のポン
プ部３０ａと下流側の第２のポンプ部３０ｂを有し、こ
れらのポンプ部３０ａ，３０ｂは、回転数が制御可能な
モータ３２に連結されたシャフトを共有している。この
多段ポンプ３０は、吸気口３４ａと排気口３４ｂの他
に、ポンプ部３０ａ，３０ｂの間で開口する中間ポート
３４ｃを備えており、主チャンバ１０の排気経路１６は
バルブ２０を介して吸気口３４ａに、各副チャンバ１２
ａ，１２ｂの排気経路２２ａ，２２ｂは各中間ポート３
４ｃにバルブ２６ａ，２６ｂを介して接続されている。
２ｂを排気するために、１台の２段ポンプ３４が設けら
れている。この２段ポンプ３４は、上流側の第１のポン
プ部３０ａと下流側の第２のポンプ部３０ｂを有し、こ
れらのポンプ部３０ａ，３０ｂは、回転数が制御可能な
モータ３２に連結されたシャフトを共有している。この
多段ポンプ３０は、吸気口３４ａと排気口３４ｂの他
に、ポンプ部３０ａ，３０ｂの間で開口する中間ポート
３４ｃを備えており、主チャンバ１０の排気経路１６は
バルブ２０を介して吸気口３４ａに、各副チャンバ１２
ａ，１２ｂの排気経路２２ａ，２２ｂは各中間ポート３
４ｃにバルブ２６ａ，２６ｂを介して接続されている。
【００１６】この多段ポンプ３４は、図２に示すよう
に、その第１の回転数ｎ1で主チャンバ１０の真空排気
を行うことができ、第２のより大きい回転数ｎ2におい
て主チャンバ１０と一方の副チャンバ１２ａまたは１２
ｂの真空排気を同時に行うことができるようにその能力
が選択されている。この排気システムには、主チャンバ
１０内に配置された圧力センサ３６からの出力に基づい
てモータ３４の動作、すなわち、オン−オフや回転数を
制御する制御部３８が設けられている。回転数の制御
は、予め決められたパターンに沿ってシーケンス的に制
御してもよく、また、圧力センサ３６の出力信号に基づ
いてフィードバック制御してもよい。
に、その第１の回転数ｎ1で主チャンバ１０の真空排気
を行うことができ、第２のより大きい回転数ｎ2におい
て主チャンバ１０と一方の副チャンバ１２ａまたは１２
ｂの真空排気を同時に行うことができるようにその能力
が選択されている。この排気システムには、主チャンバ
１０内に配置された圧力センサ３６からの出力に基づい
てモータ３４の動作、すなわち、オン−オフや回転数を
制御する制御部３８が設けられている。回転数の制御
は、予め決められたパターンに沿ってシーケンス的に制
御してもよく、また、圧力センサ３６の出力信号に基づ
いてフィードバック制御してもよい。
【００１７】次に、図２を参照して、この実施の形態の
制御の真空排気システムの動作を、チャンバにおける被
処理物の流れとの関連で説明する。まず、ゲート１５ａ
を開いて副チャンバ１２ａ内に被処理物を搬入し、ゲー
ト１５ａを閉じる。次に、バルブ２６ａ，２０を開いて
２段ポンプ３４を高速の第２の回転数ｎ2で回転させ、
回転数を徐々に第１の回転数ｎ1に戻す（時間ｔ1〜
ｔ2）ことにより、副チャンバ１２ａと主チャンバ１０
の排気工程を行なう。主チャンバ１０が所定の圧力にな
った後にチャンバでの処理を開始する。
制御の真空排気システムの動作を、チャンバにおける被
処理物の流れとの関連で説明する。まず、ゲート１５ａ
を開いて副チャンバ１２ａ内に被処理物を搬入し、ゲー
ト１５ａを閉じる。次に、バルブ２６ａ，２０を開いて
２段ポンプ３４を高速の第２の回転数ｎ2で回転させ、
回転数を徐々に第１の回転数ｎ1に戻す（時間ｔ1〜
ｔ2）ことにより、副チャンバ１２ａと主チャンバ１０
の排気工程を行なう。主チャンバ１０が所定の圧力にな
った後にチャンバでの処理を開始する。
【００１８】次に、主チャンバの処理と並行して副チャ
ンバ１２ｂの真空排気を行う。すなわち、多段ポンプ３
４を高速の第２の回転数ｎ2で回転させ、回転数を徐々
に第１の回転数ｎ1に戻す（時間ｔ2〜ｔ3）。副チャン
バの排気が終わった後は、多段ポンプ３４をｄ1の回転
数ｎ1で回転させ（時間ｔ3〜ｔ4）、主チャンバ１０で
の処理を完了する。
ンバ１２ｂの真空排気を行う。すなわち、多段ポンプ３
４を高速の第２の回転数ｎ2で回転させ、回転数を徐々
に第１の回転数ｎ1に戻す（時間ｔ2〜ｔ3）。副チャン
バの排気が終わった後は、多段ポンプ３４をｄ1の回転
数ｎ1で回転させ（時間ｔ3〜ｔ4）、主チャンバ１０で
の処理を完了する。
【００１９】次に、ゲート１４ｂを開いて主チャンバ１
０から処理済みの被処理物を副チャンバ１２ｂに搬出す
る（時間ｔ4）。主チャンバにおける処理中に、副チャ
ンバ１２ａではゲート１５ａを開いて新たな被処理物が
搬入されており、内部は大気圧になっている。そこで、
上述したｔ1からのステップが繰り返して行われる。こ
の間に、副チャンバ１２ｂでは、ゲート１５ｂが開かれ
て処理済みの被処理物が外部へ搬出される。
０から処理済みの被処理物を副チャンバ１２ｂに搬出す
る（時間ｔ4）。主チャンバにおける処理中に、副チャ
ンバ１２ａではゲート１５ａを開いて新たな被処理物が
搬入されており、内部は大気圧になっている。そこで、
上述したｔ1からのステップが繰り返して行われる。こ
の間に、副チャンバ１２ｂでは、ゲート１５ｂが開かれ
て処理済みの被処理物が外部へ搬出される。
【００２０】以上のような工程によって、この実施の形
態の排気システムでは、１台の真空ポンプによって主チ
ャンバと副チャンバを適宜に切り換えて排気し、ロード
ロック機能を確実に行なうことができる。また、ポンプ
を多段として主チャンバの排気機能を優先するように接
続しているので、主チャンバの排気作用が低下すること
がないようにされている。
態の排気システムでは、１台の真空ポンプによって主チ
ャンバと副チャンバを適宜に切り換えて排気し、ロード
ロック機能を確実に行なうことができる。また、ポンプ
を多段として主チャンバの排気機能を優先するように接
続しているので、主チャンバの排気作用が低下すること
がないようにされている。
【００２１】なお、上記においては回転数の制御を予め
定めたパターンでシーケンス的に行ったが、圧力センサ
３６の出力信号を基にフィードバック制御してもよい。
すなわち、バルブ２６ａ，２０を開いて副チャンバ１２
ａと主チャンバ１０の排気行程を行なう際に、バルブ２
６ａを開くと、ポンプ３４の中間室３５の圧力が上昇
し、ポンプ３４の性能が低下し、主チャンバ１０の圧力
も上昇する。このような主チャンバ１０の圧力の変動を
避けるために、主チャンバ１０の圧力を圧力センサ３６
でモニターし、ポンプ３４を高速の第２の回転数ｎ2と
低速の第１の回転数ｎ1の間で制御する。
定めたパターンでシーケンス的に行ったが、圧力センサ
３６の出力信号を基にフィードバック制御してもよい。
すなわち、バルブ２６ａ，２０を開いて副チャンバ１２
ａと主チャンバ１０の排気行程を行なう際に、バルブ２
６ａを開くと、ポンプ３４の中間室３５の圧力が上昇
し、ポンプ３４の性能が低下し、主チャンバ１０の圧力
も上昇する。このような主チャンバ１０の圧力の変動を
避けるために、主チャンバ１０の圧力を圧力センサ３６
でモニターし、ポンプ３４を高速の第２の回転数ｎ2と
低速の第１の回転数ｎ1の間で制御する。
【００２２】図３は、第１の実施の形態の変形例を示す
もので、これは、真空ポンプとして、２台のポンプを直
列に連結して用いているものである。すなわち、第１段
のブースタポンプ４２と、メインポンプ４６とを直列に
連結している。各ポンプは、それぞれ回転数の制御が可
能なモータ４０、４４によって駆動され、制御部３８か
らの出力信号をモータ４０，４４に入力して制御するよ
うになっている。
もので、これは、真空ポンプとして、２台のポンプを直
列に連結して用いているものである。すなわち、第１段
のブースタポンプ４２と、メインポンプ４６とを直列に
連結している。各ポンプは、それぞれ回転数の制御が可
能なモータ４０、４４によって駆動され、制御部３８か
らの出力信号をモータ４０，４４に入力して制御するよ
うになっている。
【００２３】主チャンバ１０の排気経路１６はバルブ２
０を介してブースタポンプ４２の吸気口４２ａに接続さ
れ、ブースタポンプ４２の排気口とメインポンプ４６の
吸気口とは中間ポート５２を有する連結管５０を介して
連結されている。副チャンバ１２ａ，１２ｂの排気経路
２２ａ，２２ｂはバルブ２６ａ，２６ｂを介して中間ポ
ート５２に接続されている。この実施の形態では、図１
の場合の２段ポンプの替わりに２台のポンプを用いたも
ので、作用は同様であるので、説明を省略する。
０を介してブースタポンプ４２の吸気口４２ａに接続さ
れ、ブースタポンプ４２の排気口とメインポンプ４６の
吸気口とは中間ポート５２を有する連結管５０を介して
連結されている。副チャンバ１２ａ，１２ｂの排気経路
２２ａ，２２ｂはバルブ２６ａ，２６ｂを介して中間ポ
ート５２に接続されている。この実施の形態では、図１
の場合の２段ポンプの替わりに２台のポンプを用いたも
ので、作用は同様であるので、説明を省略する。
【００２４】この例においても、上述したように圧力セ
ンサ３６の出力に基づいてポンプの回転数をフィードバ
ック制御することができる。この例においては、メイン
ポンプ４６とブースターポンプ４２の回転数を独立に制
御することができ、より精度の高い制御が可能となる。
ンサ３６の出力に基づいてポンプの回転数をフィードバ
ック制御することができる。この例においては、メイン
ポンプ４６とブースターポンプ４２の回転数を独立に制
御することができ、より精度の高い制御が可能となる。
【００２５】図４は、本発明の他の実施の形態を示すも
ので、これは、図１に示す第１の実施の形態において、
両副チャンバ１２ａ，１２ｂを連絡して一方の真空を他
方と共有させる連絡経路６０と、該連結経路６０を開閉
するバルブ６２とを設けたものである。このバルブ６２
は、制御部３８によって一方の副チャンバ１２ａまたは
１２ｂの真空排気に先だって開くように制御される。
ので、これは、図１に示す第１の実施の形態において、
両副チャンバ１２ａ，１２ｂを連絡して一方の真空を他
方と共有させる連絡経路６０と、該連結経路６０を開閉
するバルブ６２とを設けたものである。このバルブ６２
は、制御部３８によって一方の副チャンバ１２ａまたは
１２ｂの真空排気に先だって開くように制御される。
【００２６】この実施の形態の排気システムでは、例え
ば、被処理物を受け入れた後の大気圧状態の副チャンバ
１２ａの真空排気を行う時に、バルブ２６ａを開いて多
段ポンプ３４で真空排気を行う前にバルブ６２を開く
（時間ｔ5）。ここで、副チャンバ１２ｂは主チャンバ
からの処理済みの被処理物を受け入れた状態であり、内
部は所定の真空状態を維持している。従って、バルブ６
２を開くことにより、副チャンバ１２ａから副チャンバ
１２ｂへ空気が流れ、２つの副チャンバは大気圧と真空
の中間の同一圧力になる。
ば、被処理物を受け入れた後の大気圧状態の副チャンバ
１２ａの真空排気を行う時に、バルブ２６ａを開いて多
段ポンプ３４で真空排気を行う前にバルブ６２を開く
（時間ｔ5）。ここで、副チャンバ１２ｂは主チャンバ
からの処理済みの被処理物を受け入れた状態であり、内
部は所定の真空状態を維持している。従って、バルブ６
２を開くことにより、副チャンバ１２ａから副チャンバ
１２ｂへ空気が流れ、２つの副チャンバは大気圧と真空
の中間の同一圧力になる。
【００２７】この後、バルブ６２を閉じ、図１の実施の
形態と同じように、多段ポンプ３４を高速回転数ｎ2で
回転させ（時間ｔ6）、副チャンバ１２ａと主チャンバ
の排気を行なう。副チャンバの当初圧力が大気圧より低
いので、排気時間が先の図１の場合に比較して短くな
る。副チャンバ１２ｂではゲート１５ｂを開いて処理済
みの被処理物を外部に搬出する。このような動作工程に
より、外部に捨てられる服チャンバ１２ｂの真空を活用
して、副チャンバ１２ａの排気時間を短くし、装置の全
体の稼働率の向上に寄与する。
形態と同じように、多段ポンプ３４を高速回転数ｎ2で
回転させ（時間ｔ6）、副チャンバ１２ａと主チャンバ
の排気を行なう。副チャンバの当初圧力が大気圧より低
いので、排気時間が先の図１の場合に比較して短くな
る。副チャンバ１２ｂではゲート１５ｂを開いて処理済
みの被処理物を外部に搬出する。このような動作工程に
より、外部に捨てられる服チャンバ１２ｂの真空を活用
して、副チャンバ１２ａの排気時間を短くし、装置の全
体の稼働率の向上に寄与する。
【００２８】同様に、副チャンバ１２ｂの真空排気を行
う時には、これに先立ってバルブ６２を一旦開き（時間
ｔ7）、副チャンバ１２ａの被処理物の受け入れ前の真
空を副チャンバ１２ｂに導入し（時間ｔ7〜ｔ8）、副チ
ャンバ１２ｂを低圧にした後、多段ポンプ３４を高速で
回転させる。これにより、副チャンバ１２ｂの排気時間
を短くすることができる。
う時には、これに先立ってバルブ６２を一旦開き（時間
ｔ7）、副チャンバ１２ａの被処理物の受け入れ前の真
空を副チャンバ１２ｂに導入し（時間ｔ7〜ｔ8）、副チ
ャンバ１２ｂを低圧にした後、多段ポンプ３４を高速で
回転させる。これにより、副チャンバ１２ｂの排気時間
を短くすることができる。
【００２９】図６は、図４の実施の形態の変形例を示す
もので、これは、図３に示す第１の実施の形態の変形例
に、連絡経路６０と、一方の副チャンバ１２ａまたは１
２ｂの真空排気に先だって開くように制御されるバルブ
６２を配置したものである。
もので、これは、図３に示す第１の実施の形態の変形例
に、連絡経路６０と、一方の副チャンバ１２ａまたは１
２ｂの真空排気に先だって開くように制御されるバルブ
６２を配置したものである。
【００３０】図７は、本発明の第３の実施の形態を示す
もので、これは、それぞれ個別の真空ポンプ２４ａ，２
４ｂを有する排気経路２２ａ，２２ｂを有する副チャン
バ１２ａ，１２ｂを連結経路６０で連結し、この連結経
路６０内に、一方の副チャンバ１２ａまたは１２ｂの真
空排気に先だって開くように制御されるバルブ６２を配
置したものである。これによっても、図３や図６の実施
の形態と同様に、捨てられる真空を活用して副チャンバ
１２ａ，１２ｂの排気時間の短縮化を図ることができ
る。
もので、これは、それぞれ個別の真空ポンプ２４ａ，２
４ｂを有する排気経路２２ａ，２２ｂを有する副チャン
バ１２ａ，１２ｂを連結経路６０で連結し、この連結経
路６０内に、一方の副チャンバ１２ａまたは１２ｂの真
空排気に先だって開くように制御されるバルブ６２を配
置したものである。これによっても、図３や図６の実施
の形態と同様に、捨てられる真空を活用して副チャンバ
１２ａ，１２ｂの排気時間の短縮化を図ることができ
る。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
主チャンバの真空排気を直列配置した２台のポンプ部で
行い、副チャンバの真空排気を１台のポンプ部で行うこ
とで、真空ポンプを可能な限り共有させて各ポンプ部の
稼動率を向上させ、それによりそれぞれのポンプの能力
をより小さいものとして設備コストを低減させることが
できる。特に、２つのポンプ部を１つの駆動モータで駆
動するいわゆる多段ポンプを用いることにより、ポンプ
台数を大幅に減らして設備コストを低減させることがで
きる。
主チャンバの真空排気を直列配置した２台のポンプ部で
行い、副チャンバの真空排気を１台のポンプ部で行うこ
とで、真空ポンプを可能な限り共有させて各ポンプ部の
稼動率を向上させ、それによりそれぞれのポンプの能力
をより小さいものとして設備コストを低減させることが
できる。特に、２つのポンプ部を１つの駆動モータで駆
動するいわゆる多段ポンプを用いることにより、ポンプ
台数を大幅に減らして設備コストを低減させることがで
きる。
【図１】本発明の第１の実施の形態の真空排気システム
を示す図である。
を示す図である。
【図２】図１に示す第１の実施の形態の制御工程を示す
タイムチャートである。
タイムチャートである。
【図３】第１の実施の形態の真空排気システムの変形例
を示す図である。
を示す図である。
【図４】第２の実施の形態の真空排気システムを示す図
である。
である。
【図５】図４に示す第２の実施の形態の制御工程を示す
タイムチャートである。
タイムチャートである。
【図６】第２の実施の形態の真空排気システムの変形例
を示す図である。
を示す図である。
【図７】第３の実施の形態の真空排気システムを示す図
である。
である。
【図８】従来の真空排気システムを示す図である。
１０ 主チャンバ（プロセスチャンバ） １２ａ，１２ｂ 副チャンバ（ロードロックチャンバ） １４ａ，１４ｂ，１５ａ，１５ｂ ゲート １３，２２ａ，２２ｂ 排気経路 １８，２４ａ，２４ｂ 真空ポンプ ３０ａ，３０ｂ ポンプ部 ３２，４０，４４ モータ ３４ 多段ポンプ（真空ポンプ） ３４ａ，４２ａ 吸気口 ３４ｂ，４６ａ 排気口 ３４ｃ，５２ 中間ポート ３６ 圧力センサ ３８ 制御部 ４２ ブースタポンプ ４６ メインポンプ ５０ 連結管 ６０ 連結経路 ６２ バルブ
Claims (4)
- 【請求項１】 主チャンバとこれに隣接する複数の副チ
ャンバを排気する真空排気システムにおいて、 直列に配置された第１及び第２の真空ポンプ部と、 上流側の第１の真空ポンプ部の吸気口を前記主チャンバ
に連絡する主排気経路と、 前記第２の真空ポンプ部の吸気口を前記副チャンバに連
絡する副排気経路とを有することを特徴とする真空排気
システム。 - 【請求項２】 前記第１の真空ポンプ部と第２の真空ポ
ンプ部は、個別に駆動されるものであることを特徴とす
る請求項１に記載の真空排気システム。 - 【請求項３】 前記主チャンバの圧力を測定し、その圧
力変動が最小になるよう前記真空ポンプ部の回転数を制
御することを特徴とする請求項１に記載の真空排気シス
テム。 - 【請求項４】 主チャンバとこれに隣接する複数の副チ
ャンバとを排気する真空排気システムにおいて、 前記副チャンバの一方の真空を他方と共有させるための
開閉可能な連絡経路を有することを特徴とする真空排気
システム。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10052984A JPH11230036A (ja) | 1998-02-18 | 1998-02-18 | 真空排気システム |
| US09/252,236 US6251192B1 (en) | 1998-02-18 | 1999-02-18 | Vacuum exhaust system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10052984A JPH11230036A (ja) | 1998-02-18 | 1998-02-18 | 真空排気システム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11230036A true JPH11230036A (ja) | 1999-08-24 |
Family
ID=12930186
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10052984A Pending JPH11230036A (ja) | 1998-02-18 | 1998-02-18 | 真空排気システム |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6251192B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11230036A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2005505697A (ja) * | 2001-10-11 | 2005-02-24 | ライボルト ヴァークウム ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 真空下で対象物を処理するためのマルチチャンバ装置並びにこのようなマルチチャンバ装置を排気する方法並びにそのための排気システム |
| US7090741B2 (en) * | 2001-08-31 | 2006-08-15 | Tokyo Electron Limited | Semiconductor processing system |
| JP2014512672A (ja) * | 2011-03-01 | 2014-05-22 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 共有ポンプを備えた真空チャンバ |
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| US6602323B2 (en) * | 2001-03-21 | 2003-08-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and apparatus for reducing PFC emission during semiconductor manufacture |
| JP2002350925A (ja) * | 2001-05-30 | 2002-12-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | カメラの絞り切換え装置 |
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| US7585141B2 (en) * | 2005-02-01 | 2009-09-08 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Load lock system for ion beam processing |
| GB0615722D0 (en) * | 2006-08-08 | 2006-09-20 | Boc Group Plc | Apparatus for conveying a waste stream |
| US8082741B2 (en) * | 2007-05-15 | 2011-12-27 | Brooks Automation, Inc. | Integral facet cryopump, water vapor pump, or high vacuum pump |
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| CN102414775A (zh) * | 2009-02-22 | 2012-04-11 | 迈普尔平版印刷Ip有限公司 | 用于在真空腔中实现真空的方法和配置 |
| US10360143B2 (en) * | 2010-07-01 | 2019-07-23 | Qualcomm Incorporated | Parallel use of integrated non-volatile memory and main volatile memory within a mobile device |
| US20130017317A1 (en) * | 2011-07-13 | 2013-01-17 | Ring Kenneth M | Load lock control method and apparatus |
| US9575494B2 (en) * | 2013-11-14 | 2017-02-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Mechanisms for processing wafer |
| EP3067560B1 (de) * | 2015-03-12 | 2020-11-18 | Pfeiffer Vacuum GmbH | Vakuumpumpe mit wenigstens einer Pumpstufe |
| CN110408913B (zh) * | 2019-08-26 | 2021-09-10 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 管式pecvd设备的压力控制装置 |
| CN111026176B (zh) * | 2019-12-19 | 2022-12-09 | 北京航天益森风洞工程技术有限公司 | 一种高精度自适应的真空度控制系统 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| KR950007378B1 (ko) | 1990-04-06 | 1995-07-10 | 가부시끼 가이샤 히다찌 세이사꾸쇼 | 진공펌프 |
| JP3200668B2 (ja) | 1991-08-09 | 2001-08-20 | 東京エレクトロン株式会社 | クライオポンプ及び微細加工装置における排気方式 |
| NL9200076A (nl) | 1992-01-16 | 1993-08-16 | Leybold B V | Werkwijze, droge meertrapspomp en plasmascrubber voor het omvormen van reactieve gassen. |
| JPH05218176A (ja) | 1992-02-07 | 1993-08-27 | Tokyo Electron Tohoku Kk | 熱処理方法及び被処理体の移載方法 |
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| US5443644A (en) | 1994-03-15 | 1995-08-22 | Kashiyama Industry Co., Ltd. | Gas exhaust system and pump cleaning system for a semiconductor manufacturing apparatus |
| US5685963A (en) | 1994-10-31 | 1997-11-11 | Saes Pure Gas, Inc. | In situ getter pump system and method |
| US5558717A (en) | 1994-11-30 | 1996-09-24 | Applied Materials | CVD Processing chamber |
| JP3270852B2 (ja) | 1995-04-20 | 2002-04-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 圧力調整装置及びこれを用いた部屋の連通方法 |
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-
1998
- 1998-02-18 JP JP10052984A patent/JPH11230036A/ja active Pending
-
1999
- 1999-02-18 US US09/252,236 patent/US6251192B1/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6251192B1 (en) | 2001-06-26 |
| US20010001950A1 (en) | 2001-05-31 |
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Legal Events
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| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040723 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040824 |