DE3723865A1 - Reaktor fuer eine plasmabehandlung - Google Patents
Reaktor fuer eine plasmabehandlungInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf einen Reaktor für eine Be
handlung von Flachmaterial, beispielsweise Stoffe oder Fil
me, mit einem kalten Plasma.
In jüngster Zeit sind Verfahren zum Behandeln von Flachmate
rial wie Stoff- und Filmbahnen in einem kalten bzw. Niedrig
temperaturplasma bekanntgeworden, bei denen das Flachmate
rial zur Verbesserung seiner Eigenschaften durch eine Reak
tionskammer mit einem kalten Plasma geführt wird. Dabei
wird ein Gas in die mit Elektroden zum Erzeugen eines
kalten Plasmas versehene Kammer eingespeist. Die Elektroden
werden mit hochfrequentem Strom beispielsweise einer Fre
quenz von 13.56 MHz versorgt und das Flachmaterial durch
das kalte Plasma geführt.
Die herkömmlichen Reaktoren für die Behandlung von Flach
material mit einem kalten Plasma sind jedoch mit einer
Reihe von Nachteilen, beispielsweise einem geringen Wir
kungsgrad bei der Erzeugung des kalten Plasmas, einer min
deren Qualität des kalten Plasmas und einer unzureichenden
Brauchbarkeit behaftet. So ist es zwar möglich, in der Reak
tionskammer ein kaltes Plasma zu erzeugen, jedoch handelt
es sich bei dem für die Behandlung des Flachmaterials
verwendeten kalten Plasma nur um einen Teil des erzeugten
Gases, während die Restmenge üblicherweise verlorengeht,
worunter die Wirtschaftlichkeit des Verfahrens bzw. der
Wirkungsgrad des für die Erzeugung des Plasmas erforderli
chen hochfrequenten Stroms leidet. Des weiteren gelangt bei
den herkömmlichen Reaktoren zum kontinuierlichen Behandeln
von Flachmaterial mit einem kalten Plasma eine große Menge
Außenluft infolge unzureichender Dichtungen in die Reak
tionskammer, so daß sich die Fremdgasmenge in der Kammer
unvermeidbar erhöht. Dementsprechend viel Fremdgas wird an
der Oberfläche des Flachmaterials adsorbiert, worunter die
Wirksamkeit der Behandlung leidet.
Darüber hinaus beeinträchtigen auch Temperaturänderungen
beim kontinuierlichen Behandeln von Flachmaterial mit einem
kalten Plasma, insbesondere beim Behandeln von Textilien
wie Stoffbahnen die Qualität des behandelten Materials in
folge der schwankenden Behandlungstemperatur, was bei einer
zu starken Abweichung von der notwendigen Behandlungstempe
ratur zu Ausschuß führen kann. Daraus resultiert die Forde
rung, die Temperatur des durch die Reaktionskammer bzw. das
kalte Plasma geführten textilen Behandlungsguts während der
ganzen Behandlung auf dem vorgegebenen Niveau konstant zu
halten. Weiterhin erwärmen sich bei den herkömmlichen Reak
tionskammern beispielsweise die Führungsrollen, Plattenelek
troden und Kammerwände im Verlaufe der Behandlung; sie
übertragen zwangsläufig ihre Wärme direkt und/oder indirekt
auf das Behandlungsgut, dessen Temperatur sich somit er
höht. Die Folge davon ist eine ungleichmäßige Behandlung
mit dem kalten Plasma, so daß es zu Ausschuß kommen kann.
Unabhängig davon erfordert eine Behandlung breiten Flach
materials, beispielsweise mit einer Breite von 90 bis 180
cm in einem kalten Plasma eine große Reaktionskammer mit
entsprechend großen Elektroden, bei denen es infolge eines
Ausströmens zwischen dem Leitungsdraht und der Elektrode
leicht zu Plasmaverlusten und demgemäß zu einem verhältnis
mäßig hohen Energieverbrauch kommt. Um dem zu begegnen
ließen sich die Elektroden im Innern der Reaktionskammer
anordnen und wirksam mit einem Hochfrequenzstrom von einem
Generator außerhalb der Reaktionskammer mit Hilfe eines
ummantelten Drahtes, beispielsweise eines Koaxialkabels ver
sorgen. Die Isolierung des Leiters eines ummantelten bzw.
Koaxialkabels besteht jedoch üblicherweise aus einem wenig
hitzebeständigen Kunststoff wie Polyäthylen. Da die sich
in den Elektroden akumulierende Wärme zu Temperaturen von
etwa 100°C führt und auch ein derartiges Kabel erreichen
würde, kann es infolge Schmelzens der Isolierung zu einem
Kabelbruch kommen.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, einen Reak
tor für eine Behandlung von Flachmaterial mit einem kalten
Plasma ohne die Gefahr einer Verunreinigung durch Fremdgas
in der Reaktionskammer zu schaffen und somit das Flachmate
rial mit einem kalten Plasma hoher Qualität zu behandeln.
Dabei sollten die Menge des außerhalb des Transportwegs des
Flachmaterials erzeugten kalten Plasmas sowie die Leckver
luste im Hinblick auf eine hohe Wirtschaftlichkeit und
einen geringen Energieverbrauch klein sein. Weiterhin soll
te auch die Temperatur der Führungsrollen für das Flachma
terial und der Elektroden zum Erzeugen des kalten Plasmas
in der Reaktionskammer gesteuert werden, um das durch die
Reaktionskammer geführte Behandlungsgut auf der erforderli
chen Temperatur zu halten und eine gleichmäßige Behandlung
sowie eine hohe Produktqualität zu gewährleisten. Schließ
lich sollte aber auch der elektrische Anschluß der Elektro
den zum Erzeugen des kalten Plasmas frei von den obenerwähn
ten Nachteilen sein.
Im Hinblick auf die Lösung der sich aus Vorstehendem erge
benden Probleme besteht die Erfindung u.a. in einem Reaktor
mit einer evakuierbaren und geerdeten Reaktionskammer mit
mehreren geerdeten und vorzugsweise im wesentlichen ge
schlossenen Reaktionszonen, durch die das zu behandelnde
Flachmaterial geführt wird, und in denen eine an einen
Hochfrequenzgenerator außerhalb der Reaktionskammer ange
schlossene Elektrode sowie mehrere Düsen für ein Behand
lungsgas angeordnet sind.
Bei einem Reaktor der vorerwähnten Art kann die Reaktions
kammer mit mehreren Führungsrollen für das Flachmaterial
und mehreren beiderseits des Flachmaterials paarweise ange
ordneten Plattenelektroden versehen sein. Die Führungsrol
len und die Plattenelektroden können gekühlt oder beheizbar
sein; sie weisen dann Anschlüsse für ein Kühlmittel oder
einen Wärmeträger auf.
Schließlich können die Elektroden zum Erzeugen des kalten
Plasmas in der Reaktionskammer über einen gekühlten elektri
schen Anschluß und ein Mantelkabel mit einem externen Hoch
frequenzgenerator verbunden sein.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand von in der Zeichnung
dargestellten Ausführungsbeispielen des näheren erläutert.
In der Zeichnung zeigen:.
Fig. 1 einen Reaktor zum kontinuierlichen Behandeln von
bahnförmigem Gut in schematischer Darstellung,
Fig. 2 die Reaktionszone des Reaktors nach Fig. 1,
Fig. 3 die Vorderansicht der Reaktionszone nach Fig. 2,
Fig. 4 einen Reaktor zum chargenweisen Behandeln nach
der Erfindung,
Fig. 5 den Flüssigkeitsdurchgang des Reaktors nach Fig.
4,
Fig. 6 die perspektivische Ansicht einer Plattenelektro
de mit ihrem elektrischen Anschluß,
Fig. 7 eine Vorderansicht der Elektrode nach Fig. 6,
Fig. 8 einen Kabelanschluß teilweise im Schnitt, und
Fig. 9 die Vorderansicht des Kabelanschlusses nach Fig.
8.
Der Reaktor nach Fig. 1 eignet sich zum Behandeln von Flach
material, beispielsweise bahnförmigen Textilien, nicht ge
webter Ware oder eines Films bei sehr niedrigem Druck in
einem kalten bzw. Niedrigtemperaturplasma. Die Reaktions
kammer 1 besitzt auf einander gegenüberliegenden Seiten je
eine Einlaß- und eine Auslaßschleuse 3, durch die das
Behandlungsgut 2 geführt wird, und die gewährleisten, daß
sich in der Kammer ein sehr niedriger Druck aufrechterhal
ten läßt. Im Innern der Kammer 1 befinden sich vier flache
Reaktionszonen 4 durch die das über Führungsrollen 5 verlau
fende Behandlungsgut 2 geführt wird. Mit Hilfe einer exter
nen Vakuumpumpe 6 läßt sich die Reaktionskammer 1 evakuie
ren. Jede der Reaktionszonen 4 besitzt nach den zeichneri
schen Darstellungen in den Fig. 2 und 3 einander gegenüber
liegende Öffnungen 7 am oberen und unteren Ende für das
Behandlungsgut, die mit nicht dargestellten Dichtungen, bei
spielsweise Lippen- oder Labyrinthdichtungen versehen sind,
um das Innere der Reaktionszonen während des Durchlaufs des
Behandlungsguts auf niedrigem Druck halten zu können.
Wie sich aus den zeichnerischen Darstellungen in den Fig. 2
und 3 ergibt, ist in der Reaktionszone 4 eine Elektrode 8
zum Erzeugen eines kalten Plasmas aus einem Gas angeordnet.
Dieses Gas tritt über Leitungen 9 mit mehreren über die
Breite des Behandlungsguts verteilten Düsen 10 in das Inne
re der Reaktionszone 4 ein. Elektrische Leiter 11 verbinden
einen außerhalb der Reaktionskammer 1 angeordneten Hochfre
quenzgenerator 12 über ein Koaxialkabel 11 a mit den Elektro
den 8. Der Innenleiter ist unter Zwischenschaltung eines
Isolators beispielsweise aus Polyäthylen mit einem Draht
netz 11 b umhüllt. Der Innenleiter 11 a ist in einer weiter
unten noch zu beschreibenden Weise mit den Elektroden 8
verbunden. Die Reaktionskammer 1 und deren Reaktionszonen 4
sind im übrigen geerdet.
Beim Betrieb der Reaktionskammer 1 wird zunächst die Vakuum
pumpe 6 eingeschaltet, um den Innendruck der Kammer ein
schließlich deren Reaktionszonen 4 auf beispielsweise etwa
5 · 10-2 Torr zu bringen. Sobald die Kammer evakuiert ist,
wird ein Gas zum Erzeugen eines Plasmas über die Zuleitun
gen 9 und die Düsen 10 in die Reaktionszonen 4 geleitet und
gleichzeitig ein durch den Generator 12 erzeugter Hoch
frequenzstrom mit beispielsweise 1 KHz bis 300 MHz auf die
Elektroden 8 geschaltet. Auf diese Weise entsteht in den
Reaktionszonen 4 ein kaltes Plasma, das die Oberfläche des
durch die Reaktionszonen geführten Behandlungsguts 2 akti
viert.
Die Reaktionszonen 4 mit dem kalten Plasma sind in der Reak
tionskammer 1 geschützt, deren niedriger Innendruck mit
Hilfe der Vakuumpumpe 6 aufrechterhalten wird, während das
Gas über die Zuleitung 9 kontinuierlich in die Reaktionszo
nen 4 strömt, deren Innendruck niemals geringer als der
Innendruck der Reaktionskammer 1 ist. Demzufolge besteht
nicht die Gefahr einer Verunreinigung des Innern der Reak
tionszone 4 durch die Außenatmosphäre aus luft- oder gasför
migen Nebenprodukten. Im Innern der Reaktionszonen 4 befin
det sich daher stets eine Atmosphäre aus einem hochreinen
kalten Plasmagas, das eine sehr wirksame Behandlung des
bahnförmigen Guts 2 erlaubt.
Da die Reaktionszonen 4 einen flach-rechteckigen Quer
schnitt besitzen und nicht direkt mit der Vakuumpumpe 6
verbunden sind, läßt sich die Kontaktwirkung zwischen dem
Behandlungsgut 2 und dem kalten Plasma ohne die Gefahr ei
nes wesentlichen Plasmagasverlustes erhöhen. Das führt zu
einem hohen Ausnutzungsgrad des kalten Plasmas und zu einem
geringeren Energieverbrauch beim Erzeugen des Plasmas. Da
zudem jede Elektrode 8 mit einer leitenden, jedoch geerde
ten benachbarten Reaktionszone 4 gegeben ist und die Reak
tionszonen 4 ihrerseits von der geerdeten Reaktionskammer 1
umgeben sind, läßt sich ein Verlust an Hochfrequenzstrom
und Plasma wirksam verhindern. Demgemäß gelingt es, das
kalte Plasma nur im Innern der Reaktionszonen 4 zu erzeugen
und so dessen Ausnutzungsgrad zu verbessern, gleichzeitig
aber auch den schädlichen Einfluß hochfrequenter Ströme von
außerhalb der Reaktionskammer wirkungsvoll zu vermeiden.
Die Reaktionskammer 2 dient zwar der Behandlung bahnförmi
gen Behandlungsguts; sie eignet sich jedoch auch für ein
chargenweises Arbeiten, wenn sie auf beiden Seiten eine
Aufnahmekammer für bahnförmiges Flachmaterial besitzt.
Der in den Fig. 4 und 5 dargestellte Reaktor eignet sich
für ein chargenweises Behandeln von Stoffen oder anderen
Textilien und Filmen; er läßt sich jedoch auch für eine
kontinuierliche Behandlung bahnförmigen Guts umrüsten.
Nach Fig. 4 ist eine Reaktionskammer 21 mit einer Einlaß
kammer 22 und einer dieser gegenüberliegenden Auslaßkammer
23 versehen. Die Kammern 22, 23 stehen über einen Einlaß
schlitz bzw. einen Auslaßschlitz 24 mit dem Reaktionskammer
innern in Verbindung. Demgemäß gelangt die zu behandelnde
Stoffbahn 25 von einer Abwickelvorrichtung in der Einlaßkam
mer 22 durch die Reaktionskammer 21 zu einer Aufwickelvor
richtung in der Auslaßkammer 23. Dabei verläuft die Stoff
bahn 25 zickzackförmig über oben und unten in der Reaktions
kammer 21 angeordnete Führungsrollen 26.
Beiderseits der Stoffbahnschlingen sind jeweils paarweise
Plattenelektroden 27, 28 angeordnet. Jeweils eine Elektrode
jeden Elektrodenpaars, beispielsweise jede Plattenelektrode
27, wird von einem externen Hochfrequenzgenerator 29 mit
einem hochfrequenten Strom versorgt, während die jeweils
anderen Elektroden 28 jedes Elektrodenpaars geerdet sind.
Mit Hilfe einer Rotationspumpe 30 wird ein Gas in den mit
einem Gasauslaß 31 versehenen Reaktor 21 eingespeist. Eine
nicht dargestellte Vakuumpumpe erlaubt es, das Innere der
Reaktionskammer 21 zu evakuieren, beispielsweise auf einen
Druck von 0,6 bis 0,7 Torr einzustellen. Nach dem Evakuie
ren der Reaktionskammer 21 wird mit Hilfe der Rotationspum
pe 30 ein Gas, beispielsweise Luft oder Sauerstoff, in
einer solchen Menge in die Reaktionskammer eingespeist, daß
deren Innendruck sich auf etwa 1 Torr einstellt. Schließ
lich werden die Plattenelektroden 27 oder 28 von dem Gene
rator 29 mit einem hochfrequenten Strom mit beispielsweise
13,56 MHz versorgt, um ein kaltes Plasma zu erzeugen.
Während des Transports der Stoffbahn 25 durch die Zwi
schenräume der Plattenelektroden 27, 28 mit dem kalten Plas
ma kommt es zu einer wirksamen Plasmabehandlung.
Die Plasmabehandlung sollte während des Stoffdurchlaufs
durch das kalte Plasma gleichmäßig über die Stoffbahn wirk
sam sein; die Stoffbahn sollte daher über ihre ganze Länge
und Breite dieselbe Temperatur besitzen. Um demgemäß die
Stoffbahntemperatur in der Reaktionskammer 21 konstant zu
halten, läßt sich die Temperatur der Führungsrollen 26 für
die Stoffbahn und der Elektrodenpaare 27, 28 beiderseits
der die Kammer durchlaufenden Stoffbahn auf einen konstan
ten Wert regeln. Um das zu erreichen, sind in der Reaktions
kammer 21 vorzugsweise Hohlrollen 26 angeordnet und die
Oberflächen der Plattenelektroden 27, 28 mit Rohrschlangen
32 verbunden. Unter dem Einfluß einer Pumpe 34 strömt ein
Heiz- oder Kühlmedium durch die hohlen Führungsrollen 26
und die Rohrschlangen 32 bzw. längs den Plattenelektroden
27, 28 in einen Flüssigkeitstank 33 (vgl. Fig. 5).
Um die den Führungsrollen 26 und den Plattenelektroden 27,
28 zugeführte Menge des Heiz- oder Kühlmediums einstellen
zu können, befindet sich in der Leitung zu dem Flüssigkeits
tank 33 ein Steuerventil 35, das mit Hilfe eines Signals
von einem Steuergerät 36 gesteuert wird. Ein Temperaturfüh
ler 37 mißt die Temperatur der von den Führungsrollen 26
und den Plattenelektroden 27, 28 kommenden Flüssigkeit,
während ein Temperaturfühler 38 die Temperatur in dem mit
einem Wärmetauscher 39 versehenen Flüssigkeitstank 33 mißt.
Ein weiteres Steuerventil 40 ist in der Zuleitung des Wärme
tauschers 39 angeordnet und mit einem Steuergerät 41 verbun
den, daß das Steuerventil 40 aufgrund der vom Temperatur
fühler 38 kommenden Signale einstellt. In dem Flüssigkeits
tank 33 befindet sich entweder ein Kühlmittel, beispiels
weise Wasser oder ein Wärmeträger beispielsweise Öl. Ein
elektromagnetisches Ventil 42 für das Kühlmedium und ein
elektromagnetisches Ventil 43 für den Wärmeträger werden
automatisch in Abhängigkeit von einem Füllstandfühler 44
betätigt, um die Menge des Kühlmediums oder Wärmeträgers in
dem Flüssigkeitstank 33 konstant zu halten. Das Kühlmedium
oder der Wärmeträger gelangt über eine Drehverbindung 45 in
das Innere der Führungsrollen 26.
Soll die Temperatur der die Reaktionskammer 21 durchlaufen
den Stoffbahn auf verhältnismäßig hohem Niveau, beispiels
weise bei 80°C konstant gehalten werden, dann wird am
Steuergerät 36 eine Temperatur von 80°C und am Steuergerät
41 eine demgegenüber höhere Temperatur von beispielsweise
90 bis 100°C eingestellt und der Flüssigkeitstank 33 mit
einem Wärmeträger einer Temperatur von 90 bis 100°C ge
füllt. Alsdann wird die Reaktionskammer 21 in Betrieb ge
setzt; gleichzeitig werden die Führungsrollen 26 und die
Plattenelektroden 27, 28 mit Hilfe der Umwälzpumpe 34 er
wärmt.
Die Temperatur der Führungsrollen 26 und der Plattenelektro
den 27, 28 wird in der Weise auf einem vorgegebenen Niveau
gehalten, daß die Temperatur des die Führungsrollen und
Elektroden verlassenden Wärmeträgers mit Hilfe des Tempera
turfühlers 37 gemessen und das Steuerventil 35 in Abhän
gigkeit von der gemessenen Isttemperatur automatisch geöff
net oder geschlossen wird, um die Temperatur der Stoffbahn
während der Behandlung konstant zu halten. Auf diese Weise
läßt sich die über die Führungsrollen 26 an den Plattenelek
troden 27, 28 vorbeigeführte Stoffbahn bei hoher Temperatur
in einem kalten Plasma behandeln, um die charakteristischen
Eigenschaften, beispielsweise das Absorptionsvermögen für
Wasser oder die Haltbarkeit merklich zu verbessern.
Anders als bei dem zuvor beschriebenen Ausführungsbeispiel
läßt sich die Temperatur der die Reaktionskammer 21 durch
laufenden Stoffbahn umgekehrt auch auf niedrigem Niveau
halten. So läßt sich beispielsweise eine Stoffbahn aus Po
lyestergarn in einem kalten Plasma durch Kühlen auf Raum
temperatur oder darunter intensiv färben. Des weiteren be
steht bei einer Stoffbahn aus niedrigschmelzenden Fasern,
beispielsweise aus Polypropylen oder Vinylchlorid die Ge
fahr, daß die Fasern bei höherer Temperatur schmelzen und
damit die Stoffeigenschaften, beispielsweise das Empfinden
der Haut des Trägers beeinträchtigen. Um das zu verhindern,
sollte die durch die Reaktionskammer 21 geführte Stoffbahn
25 gekühlt werden.
Auch beim Kühlen wird an dem Steuergerät 36 zunächst die
Stoffbahntemperatur, beispielsweise 20°C, und an dem Steuer
gerät 41 eine niedrigere Temperatur von beispielsweise 15°C
eingestellt und der Flüssigkeitstank 33 mit einem Kühlme
dium einer Temperatur von etwa 15°C gefüllt. Alsdann wird
die Reaktionskammer 21 in Betrieb gesetzt, um ein kaltes
Plasma zu erzeugen. Gleichzeitig strömt das Kühlmedium un
ter dem Einfluß der Umwälzpumpe 34 durch die Führungsrollen
26 und die Rohrschlangen 32 auf den Plattenelektroden 27,
28. Auf diese Weise werden sowohl die Führungsrollen 26 als
auch die Plattenelektroden 27, 28 auf eine vorgegebene
Temperatur heruntergekühlt und unterliegt die Stoffbahn 25
einer Plasmabehandlung bei niedriger Temperatur.
Somit läßt sich bei der zuvor beschriebenen Reaktionskammer
21 die Stoffbahntemperatur während der Behandlung im kalten
Plasma auf einen bestimmten Wert einstellen und eine gleich
mäßige und wirkungsvolle Niedrigtemperaturbehandlung durch
führen.
In den Fig. 6 bis 9 ist die elektrische Versorgung der Elek
troden zum Erzeugen eines kalten Plasmas mit elektrischer
Energie einer Reaktionskammer zum Behandeln eines Flach
materials wie Stoffbahnen und Filme mit einem kalten Plasma
der zuvor beschriebenen Ausführungsbeispiele dargestellt.
Dabei besteht ein Elektrodenpaar 51 zum Erzeugen eines
kalten Plasmas aus zwei parallel zueinander angeordneten
Elektrodenplatten 52, 52′. Das Elektrodenpaar 51 ist an
einer Ecke mit einem Kabelanschluß 53 für ein ummanteltes
Kabel bzw. Koaxialkabel 57 versehen. Der kastenförmige Ka
belanschluß 53 aus einem elektrisch leitenden Werkstoff,
beispielsweise Aluminium, besteht aus einer Kühlkammer 54
mit einem Kaltwassereinlaß 55 und einem Kaltwasserauslaß
56, eine Anschlußbohrung 59 für einen Innenleiter 58 des
Koaxialkabels 57 sowie eine Aufnahme 61 für die Isolierung
60, beispielsweise aus Polypropyäthylen, des Koaxialkabels
57. Quer zu der Bohrung 59 erstreckt sich eine Schraubenboh
rung 62 zum Festlegen des Leiterendes, und quer zu der
Aufnahme 61 eine Schraubenbohrung 63 zum Festlegen der
Kabelisolierung 60. Die beiden Plattenelektroden 52, 52′
sind mit dem Kabelanschluß 53 verschweißt, um auf diese
Weise einen elektrischen Kontakt herzustellen. Die Isolie
rung 60 des Kabels ist aus Gründen der Erdung mit einem
Metallgespinst 65 umhüllt.
Beim Anschließen des Elektrodenpaars 51 wird der Innenlei
ter 58 des Kabels 57 mit dem Anschlußkasten 53 verbunden
und je ein Wasserrohr 64 aus stark wärmedämmendem Material
wie Teflon mit dem Kühlwassereinlaß 55 und dem Kühlwasser
auslaß 56 verbunden, um Kühlwasser durch die Kühlkammer 54
strömen zu lassen. Da der Anschlußkasten 53 auch dann
kontinuierlich gekühlt wird, wenn sich die Plattenelek
troden 52, 52′ infolge der Erzeugung des kalten Plasmas
beispielsweise auf nahezu 100°C erwärmen, besteht keine
Gefahr, daß sich der Anschlußkasten 53 auch nur geringfügig
erwärmt. Daher besteht auch keine Gefahr, daß die Isolier
schicht 60 des Kabels 57 schmilzt. Auf diese Weise trägt
die Beschaffenheit des elektrischen Anschlußes merklich zur
Erhöhung der Lebensdauer des Kabels bei.
Claims (5)
1. Reaktor für die Behandlung von Flachmaterial mit einem
kalten Plasma, gekennzeichnet durch eine evakuierbare,
geerdete Reaktionskammer (1, 21) mit jeweils einer
Einlaß- und einer Auslaßschleuse (3; 22, 23) sowie
mehreren geerdeten Reaktionszonen (4) mit an einen
Hochfrequenzgenerator (12) angeschlossenen Elektroden
(8; 27, 28; 52, 52′) und mehreren Düsen (10) für ein
Behandlungsgas.
2. Reaktor nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch mehrere
Führungsrollen (26) und paarweise beiderseits des zu
behandelnden Flachmaterials (2, 25) angeordneten Plat
tenelektroden (4, 8; 27, 28), jeweils mit einem An
schluß (45) für ein Kühlmedium oder einen Wärmeträger.
3. Reaktor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeich
net, daß die Reaktionskammer (1, 21) auf einander ge
genüberliegenden Seiten mit einer Einlaßkammer (22)
und einer Auslaßkammer (23) versehen ist.
4. Reaktor nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeich
net, daß die Führungsrollen (26) als Hohlrollen ausge
bildet und die Elektroden (27, 28) mit Rohrschlangen
(32) versehen sind.
5. Reaktor nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Elektrodenpaare (52, 52′) mit
einem gekühlten Anschlußkasten (53) für ein Koaxialka
bel (57) versehen sind.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16943486A JPS6328967A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 繊維製品の低温プラズマ処理方法及びその装置 |
JP16943286A JPS6327536A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | シ−ト物の低温プラズマ処理装置 |
JP16943386A JPS6327537A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 低温プラズマ処理装置における給電構造 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3723865A1 true DE3723865A1 (de) | 1988-01-28 |
Family
ID=27323173
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DE19873723865 Withdrawn DE3723865A1 (de) | 1986-07-18 | 1987-07-18 | Reaktor fuer eine plasmabehandlung |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4829189A (de) |
DE (1) | DE3723865A1 (de) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8130 | Withdrawal |