DE2513034A1 - Verfahren und vorrichtung zur herstellung von dotierten duennen halbleiterschichten - Google Patents

Verfahren und vorrichtung zur herstellung von dotierten duennen halbleiterschichten

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DE2513034A1 DE19752513034 DE2513034A DE2513034A1 DE 2513034 A1 DE2513034 A1 DE 2513034A1 DE 19752513034 DE19752513034 DE 19752513034 DE 2513034 A DE2513034 A DE 2513034A DE 2513034 A1 DE2513034 A1 DE 2513034A1
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Description

DlPtT-ING. MEINKE P A T fT N T Λ Ν: VV A L T
46OO D ο P ":* r■·■" :j N D WEoTi :. ν- -L. .. .·; ;--. ,,· β 7 TELEFO N 1*6010
AGENGE NATICIiAIE DE VALOkISATION DE LA RECHERCHE (ANVAB)
0116 75 B
Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von dotierten dünnen Halbleiterschichten.
Die Erfindung betrifft die Verfahren und Vorrichtungen zur Herstellung von dünnen mit metallischen Verunreinigungen dotierten Halbleiterlegierungen, insbesondere zur Bildung von Grenzflächen p-n oder n-p·
Sie betrifft auch die erhaltenen dünnen Schichten oder Grenzflächen sowie die mittels derartiger dünner Schichten oder Grenzflächen hergestellten Halbleitervorrichtungen, insbesondere solche mit einer großen aktiven Oberfläche, welche
2 2
im allgemeinen größer als 1 mm oder sogar 1 cm ist.
Sie bezweckt insbesondere, derartige Verfahren und Vorrichtungen so auszubilden, daß sie besser als bisher den verschiedenen Erfordernissen der Praxis entsprechen und insbesondere eine einfachere und zuverlässigere Massenfertigung von
509840/0797
\ - 2 - 0116 75 E
ι dünnen Schichten der angegebenen Art ermöglichen, wo leno ;.ro::j j Oberflächen und hohe elektrische und mechanische Leiste .vor., uz-{ ben können, insbesondere hinsichtlich der -irnpfindlichkoit -zur I Feststellung von Infrarotstrahlen der mittels derartiger düruör • Schichten hergestellten Detektoren.
{ Die Erfindung verbessert das durch die fr ana ö-
j sische Patentsehrift Nr. 1.447.257 bekannte Verfahren, welches darin besteht, dünne Schichten nib großen Cberf liiclien dadurch her zu ste Ilen, daß auf eine geeignete, in einer Kxu-iaer mit homogener Temperatur angeordnete Unterlage eine Substanz aufgebracht und einen epitaxialen Urachstum ausgesetzt wird, v.-olehe von einer ebenfalls in dieser Kaznner befindlichen Quelle oder "Treffplai/bG" aus verflüchtigt wird.
! Das erfin dungσgemäße Verfahren ist dadurch ge-
kennzeichnet, daß man auf eine, derartige , in einer derartigen j Kammer angeordnete Unterlage eine dünne Schicht aufbringt und wachsen lässt, welche nicht nur eine von einer nachstehend "Haupttreffρlatte" genannten Treffplatte aus verflüchtigte Halbleitersubstanz enthält, sondern auch gleichseitig eine metallische "Dotierungssubstanz", welche von einer in der gleichen Kammer angeordneten Hilfstreffplatte aus verflüchtigt wird.
Die Vorrichtung zur Ausübung dieses Verfahrens enthält eine Vakuumkammer mit überwachter Temperatur, eine in dieser Kammer gehaltene Unterlage, Mittel, welche diese Unterlage gegebenenfalls erwärmen oder kühlen, eine ebenfalls in dieser Kammer angeordnete Hauptquelle oder "Haupttreffplatte" aus einem Halbleitermaterial, welche auf ein negatives Potential gebracht und wirksam gekühlt wird, und Mittel, welche in der Kammer ein Ionenplasma erzeugen, und ist dadurch gekennzeichnet, daß sie außerdem wenigstens eine ebenfalls in der obigen Kammer angeordnete metallische Hilfstreffplatte aufweist, welche dem die Haupttreff platte bildenden Halbleiter bei der Aufbringung desselben auf die Unterlage Dotierungsverunreinigungen liefern kann, sowie Mittel, welche diese Hilfstreffplatte auf ein vorzugsweise beliebig regelbares negatives Potential bringen.
Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung
weisen außerdem das eine und/oder das andere der nachstehenden Merkmale auf:
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- 3 ~ CIG 7;5 :>
Die Karjner· enthält zv-ex iiiiistre.i. C.i'j uoi^n,
welche der auf die Untor-lass aufgebrachten dünnen. Haiti ei tsr-.schicht s\;ei Art ei: von dotierenden Atoiier. cirfcr;ügange£i-n;:vi;cr Polaritäten (.d.h* Donoren bzw. Akzeptoren) liefern können, sov/ie Mittel, welche abwechselnd die wirkisasikeit dieser beiden Treffplatten für die Dotierung neutralisioren.
"Die Mittel zur ileutralisierung einer Jeden
Treffplatte enthalten einen Mechanismus, welcher diese 'lTeffplatte so trägt, daß sie beliebig den lonenplas^a ausgesetzt oder von diesen entfernt gehalten werden kann, insbesondere dadurch, daß man sie in das Innere eines in der Kammer enthaltenen Schirns mit einem fliegenden Potential bringt.
Die beiden Hilfstreffplatten werden durch
flache Scheiben gebildet, welche in ihrer Mitte eine Öffnung enthalten und Je so angebracht sind, daß sie die Oberseite der Haupttreffρlatte wenigstens bei ihrer Benutzung für die Dotierung uiageben.
Die Aufbringung der dotierten dünnen Schichten auf die Unterlage erfolgt durch Öffnungen hindurch, welche in Spezialabdeckungen ausgebildet sind, v/elche vorzugsweise elastisch gegen die Unterlage gedruckt werden, j Eine gewisse Zahl von dünnen Halbleitersehich-
! ten, welche abwechselnd positiv und negativ dotiert sind, wird j nacheinander auf die gleiche Unterlage in der oben angegebenen V/eise aufgebracht·
Die Erfindung ist nachstehend unter Bezugnahme auf die Zeichnung beispielshalber erläutert.
Fig. 1 zeigt in einem schematiseheη lotrechten Schnitt eine Vorrichtung zur erfindungsgemäßen Herstellung von dünnen dotierten Schichten.
Fig. 2 und 3 zeigen in lotrechten Schnitten zv/ei Einzelheiten dieser Vorrichtung in größerem Maßstab.
Fig. 4- zeigt eine Ausführungsabwandlung dieser Einzelheiten.
Die Vorrichtung zur Herstellung von dünnen
Schichten der genannten Art enthält eine Vakuumkammer 1, welche auf ihrem ganzen Umfang durch eine Doppelwand 2 begrenzt wird, v/elche von einen Unlauf von Wasser oder einem anderen Kühlmittel durchströmt wird, welcher gestattet, gleichzeitig den In-
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halt der Kammer zu kühlen und in dieser während, der ganzen Y.?.-* handlimg eine konstante Temperatur und einen konstanten D:uvclz aufre ch t zuer ha 1 te η«
In dieser Kairimer "befinden sieb ein oberer Halter 5, welcher an dem Deckel der Kammer aufgehängt und mit Heiaoder Kühlmitteln 4- beliebiger gewünschter Art ausgerüstet ist, eine an diesem Kalter, d.h. bei der dargestellten Ausführung unter diesem, angebrachte Unterlage 5> auf welche wenigstens eine dünne dotierte Halbleiter schicht 6 aufgebracht v/erden soll, und ein unterer Halter 7 aus einem die Wärme und die Elektrizität leitenden Werkstoff, dessen Oberseite die Form einer Schale 8 besitzt, welche mittels einer gleichseitig die Wärme und j die Elektrizität leitenden Flüssigkeit 9 (insbesondere Quecksilber) ein Stück 10 einer die Hauptquelle oder "Haupttreffρlatte" bildenden Halbleiterlegierung enthält.
Ferner sind Mittel 11 vorgesehen, welche den
Halter 7 auf ein negatives elektrisches Potential bringen, sowie Mittel, welche in der Kammer ein Ionenplasma P erzeugen.
Diese Mittel zur Erzeugung des Plasmas können
ΓΛ'-f beliebige gewünschte Weise ausgebildet sein und insbesondere mit Funkfrequenz arbeiten.
Bei der dargestellten Ausführungsf orni enthalten die Mittel zur Einführung eines Quecksilberdampfstroms unter geringem Druck in die Kammer 1 Mittel, welche in diesen Dampf Elektronen schicken, so daß dieser ionisiert wird und das Plasma P entsteht,und Mittel zur Begrenzung dieses Plasmas. '
!Bn einzelnen enthalten diese Mittel einen ; durch eine Wicklung 1$ erwärmten Quecksilberbehälter 12, welcher mit der Hammer 1 über einen Hahn 14- mit regelbarer Leckströmung in Verbindung steht, wobei das Vakuum in der Kammer durch eine Quecksilberdiffusionspumpe 15 erzeugt wird, welche mit einer Falle mit flüssigem Stickstoff versehen und mit der Kammer 1 durch eine Leitung 16 verbunden ist.
Eine Elektronenkanone 17 enthält hier ζ v/ei
Wolframfäden 18, einen Schirm 19» welcher durch einen Wasserumlauf 20 gekühlt wird (um das verdampfte Wolfram niederzuschlagen und so die Verseuchung der Kammer zu verhindern) und eine (nicht dargestellte) Zündelektrode, wobei eine Anode 21 an dem Ende der Kammer angeordnet ist, welches dem die Elektronenkanone
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j enthaltenden Ende entgegengesetzt ist, und durch einen l'/asser- ; umlauf 22 gekühlt wird.
i Schließlich ermöglicht eine Anordnung von
! Schirmen 25 mit fliegendem Potential die Begrenzung dec so erj haltenen Plasmas, wobei äußere I.'agn et spulen 24 ebenfalls auf die Konzentration und die Homogenität des Plasmas einwirken.
Mittels dieser Vorrichtung kann man auf die
Unterlage 5 dünne Schichten aufbringen und durch Epitaxie wachsen lassen, welche durch Atome gebildet werden, welche aus der Auftreffplatte 10 durch die Ionen des Plasmas P herausgerissen sind.
Bisher erfolgte die "Dotierung" der auf
diese V/eise gebildeten dünnen Halbleiterschichten durch metallische Verunreinigungen, welche ihnen eine Leitfähigkeit des Typs η oder des Typs £ erteilen konnten, unabhängig von der Bildung dieser Schichten, insbesondere durch thermische Diffusion dieser Verunreinigungen in die gebildeten Schichten.
Erfindungsgemäß wird das Verfahren der
Bildung selbst benutzt, um auf der Unterlage eine dünne Schicht abzulegen und wachsen zu lassen, welche gleichzeitig das Halbleitergitter und in dieses Gitter eingebaute metallische Dotierungsverunreinigungen enthält.
Hierfür v/ird erfindungsgemäß in die obige
Kammer wenigstens eine zweite Treff platte oder "Hilfstreffplatte" eingeführt, welche aus dem gewünschten Dotierungsmetall besteht und eine solche Stellung hat, daß sie wie die Treffplatte 10 dem Ionenplasma ausgesetzt ist oder ausgesetzt werden kann, wobei die Treffplatten elektrisch mit einer Quelle eines elek- ; trischen Potentials verbunden sind. ;
Erfindungsgemäß kann so eine sehr homogene
Dotierung und gleichzeitig ein sehr hoher Dotierungsanteil erhalten werden. \
Bei den dargestellten Ausführungsformen
sind zwei Hilf streff platt en 25 und 26 vorhanden, welche mit zwei vorzugsweise regelbaren Quellen elektrischen Potentials 27 und 28 verbunden sind, und diese Hilfstreffplatten sind so beschaffen, daß die eine die die Treffplatte 10 bildende Halbleitersubstanz negativ dotieren kann, indem sie dem Gitter derselben Verunreinigungen des Typs "Donor" zusetzt, während
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i die andere diese Substanz positiv dotieren, kann, indem sirj i"iii*e;.i Gitter Verunreinigungen des Typs "Akzeptor" zusetzt.
Selbstverständlich müssen dies3 beiden Hilfε™ treffplatten abwechselnd und nicht gleichseitig zur Einwirkunr;
j gebracht werden, so daß die von ihnen bewirkten Dotierungen sich nicht aufheben.
Es sind daher Mittel vorgesehen, welche eine von ihnen zeitweilig neutralisieren, wenn die andere in Tätig«
j keit ist,und umgekehrt.
Auf den Figuren sind zwei AusführungsfOKiiüii
derartiger Mittel dargestellt, wobei die ersteron eine mechanische und elektrische Ileutralisierung und die zweiten eine rein elektrische Keütralisierung benutzen.
Bei der ersten, in Fig» 1 und 2 dargestellten Ausführungsforra ist jede der beiden Hilf streff platt en um eine lotrechte Achse A bzw. B an einer Welle 29 bzw. 30 schwenkbar, welche durch die untere Wand der Kaniner in einer geeigneten Dichtung tritt, und jede Treff platte ist in Bezug auf die sie tragende Welle exzentrisch, so daß sie durch eine einfache Br e-
j hung derselben um ihre Acnse aus einer ersten Stellung, in welcher sie dem Plasma P ausgesetzt; ist (Fall der Treffρlatte 25 in Fig. 1 und 2), in eine zweite Stellung übergehen kann, in welcher sie von dem Plasma isoliert ist, wofür sie in eine Aushöhlung gebracht wird, welche durch einen der Schirme 23 mit fliegendem Potential gebildet wird (Fall der Treffplatte 26 in Fig. 1).
Jede Treffplatte 25» 26 hat hier die Form
einer flachen Scheibe mit lotrechter Achse, welche in ihrer Mitte eine öffnung aufweist und so angebracht ist, daß sie die Oberseite der Treff platte 10 umgibt, wenn sie sich in der ausgesetzten Stellung befindet, wobei der axiale Abstand zwischen den beiden dann gl eichachsigen Treff platten vorzugsweise ein für allemal durch Einstellung der axialen Stellung der betreffenden Welle 29, 50 eingestellt werden kann.
Alle Oberflächen der Fassungen und ßtromzuführungen, welche nicht für die gewünschte "Zerstäubung11 oder "•Verflüchtigung" benutzt werden, sind durch Glasteile 31 abgedeckt.
Bei der zweiten, in Fig· 3 dargestellten Aus-
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ung werden die beiden Hilf streif platten vriedsrun durch flache» in ihrer lli'ute mit einer Öffnung versehene Lochscheiben ; mit lotrechter Achse gebildet, sie sind jedcch hier ortsfest und. beide zu der Haupttreff platte 10 cl-ichachsig, v/ob ei sie in aufeinanderfolgenden ringförmigen Stufen angeordnet sind.
Die obere Treffplatte mit größerem Durchmesser v/ird ihrerseits an Umfang durch eine Gliinnierscheibe 32 abge- ! deckt.
j Die Durchmesser der Löcher in den beiden Hilfs-
treffplatten und in der Scheibe 32 bestimmen die dem Plasma P ι ausgesetzten Oberflächen der drei Treffplatten, an v/elche die DotierungsanteilG gebunden sind.
Jede Hilfstreffρlatte ruht hier auf einem
Zylinder 33* 3;+ aus rostfreiem. Staiii, d.h. einem Material, bei welchem keine Gefahr einer Amalgarobildung mit dem Quecksilber besteht, und die konzentrischen Zylinder sind voneinander und von dem mittleren Kalter 7 durch Glaszylinder 35 isoliert.
Die axialen Abstände zwischen den aufeinanderfolgenden Treff platten 10, 25 und 26 betragen z.B. grössenox-dnungsmäpig einen halben Millimeter.
Auch hier sind die Stromzuführungen und ganz allgemein die nicht für die Zerstäubung benutzten Oberflächen durch Glasteile 31 abgedeckt. :
Ferner sieht man in Fig. 2 und 3 eine untere j Tragplatte 36, welche aus dem obigen Grunde zweckmäßig aus ! rostfreiem Stahl besteht. ι
f Bei besonders vorteilhaften Ausführungsformen ist außerdem eine Abdeckung 37 vorgesehen, um die Bereiche der Unterlage 5, auf welche die dünne Schicht aufgebracht werden soll, nach Belieben auf genau lokalisierte Oberflächen abzudecken oder zu begrenzen. ;
Hoch besser wird ein Satz derartiger Abdeckungen vorgesehen, welcher gestattet, nach Belieben die Unterlage 5 vollständig von dem Plasma P zu isolieren oder ihre Oberfläche teilweise oder vollständig freizulegen, um sie dem Plasma auszusetzen. ;
In dem Falle einer gelochten Abdeckung ist
es interessant, die Ränder der Lochungen unmittelbar gegen die zu überziehende Oberfläche legen zu können, um die Umriße der
Cnno/n / λ *i η *i
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aufgebrachten Abschnitte der dünnen Schichten genau zu definieren.
Dieser Vorteil ist besonders bei "mosaikartigen" Ablagerungen wertvoll.
Hierfür wird erf indungsgeriäß die bei 38 gelochte Abdeckung 37 (Fig. 4) mittels einer elastischen Anordnimg 39 an einem Gestell 40 angebracht, welches seinerseits an einer drehbaren Welle 41 mit lotrechter Achse C angebracht ist, welche in einer geeigneten Dichtung durch den Deckel der Kammer tritt.
Dieses Gestell 40 trägt seinerseits die gesamte Abdeckung und die anderen Teilabdeckungen, wenn solche vorgesehen sind.
) Die elastische Anordnung 39 kann durch einen Satz
j von drei oder vier strahlenförmig angeordneten Federblättern ge-· bildet werden.
Die Welle 41 ebenso wie die obigen Wellen 29 und j 30 können um ihre Achse von Hand oder mittels eines Motors beliebiger gewünschter Bauart verdreht v/erden.
Beispielshalber luid ohne irgendeine beschränkende
Absicht ist nachstehend die Herstellung von dünnen dotierten Halbleiterschichten mittels der obigen Vorrichtung beschrieben. Die Unterlage 5 ist eine kristalline Halbleiterplatte aus Silizium oder einer Legierung CdxHg^_χΤβ (in dieser Formel bezeichnet χ eine zwischen 0 und 1 liegende Zahl, welche vorzugsweise zwischen 0,15 und 0,35 liegt und z.B. grössenordnungsmäßig 0,20 für die bevorzugten, die Detektion von Infrarotstrahlen betreffenden Anwendungen beträgt).
Sie kann auf eine Temperatur von größenordnungsmäßig 50 bis 300° G erwärmt und auf ein geringes positives Potential gebracht werden.
Das Plasma P ist ein Quecksilberplasma, wie oben ausgeführt, und steht unter einem Druck von größenordnungsmäßig 10 ^ mm Hg.
Die Treffplatte 10, welche eine Pastille von nur 8 mm Durchmesser sein kann, besteht aus einer Halbleiterlegierung Od Hg,, Te (worin j eine der gleichen Definition wie oben χ gehorchende Zahl ist), und v/ird auf eine zwischen -500 und -1000 V liegende Spannung gebracht. Diese Treffplatte ist unter der Unterlage 5 in einer Entfernung von etwa 50 mm ange-
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- 9 - 0116 15 B ordnet.
Die Anorde 21 wird auf eine Spannung von +50 V gebracht. Der Entladestrom beträgt grössenordnungsmäßig 5 A. Das j durch die Spulen 24 erzeugte Hagnetfeld beträgt größenordnungsmäßig 100 G. I
Die erste Hilfstreffplatte 25 für eine Dotierung des
! Typs η besteht aus Aluminium und/oder Indium und/oder Gallium und/oder einer Legierung dieser drei Metalle und wird auf eine zwischen -5 und -200 V (für Aluminium) liegende Spannung gebracht.
Die zweite Hilfstreffplatte 26 für eine Dotierung des Typs £ besteht aus Gold und/oder Kupfer und/oder Silber und/oder einer Legierung dieser drei Metalle und wird auf eine zwischen -1 und -12 V (für Gold) liegende Spannung gebracht. Diese verschiedenen Spannungen sind in Bezug auf den Körper und nicht in Bezug auf das Plasma angegeben, welches seinerseits auf eine Spannung von +30 oder +40 V gegenüber dem : Körper gebracht wird.
: Um die Vorrichtung in Betrieb zu nehmen, setzt man
; Ciö verschiedenen Piunporgane und die Systeme zur thermischen und magnetischen Regelung in Gang und gibt die geeignete elektrische Vorspannung der Haupttreffplatte 10, der Elektronenkanone [ 17, der Anode 21, gegebenenfalls der Unterlage 5 und nur einer j der beiden Hilfstreffplatten, z.B. der Treffplatte 25. { Man achtet darauf, nicht auch der anderen Hilfs-
treffplatte 26 eine Vorspannung zu geben, die dann automatisch auf das fliegende Potential des Plasmas kommt, wie die Schirme 23. Man kann sogar an diese letztere Treffplatte ein leicht positives Potential anlegen.
Der Verflüchtigungsgrad dieser anderen Treffplatte 26 ist dann sehr gering, selbst wenn diese Treffplatte ortsfest ist und dem Plasma ausgesetzt bleibt, wie in Fig. 3· Diese Erscheinung ist jedoch nicht störend, da sich allmählich ein Amalgam auf der Oberfläche der Treff platte bildet, welches praktisch ihre Verflüchtigung nach 15 bis 20 Minuten verhindert · j
Während dieser Vorbereitungsphase wird die Unterlage 5 vollständig abgedeckt, und die erste Treffplatte 25 erhält eine kräftige Vorspannung (indem sie z.B. bei Aluminium
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j - 10 - 0116 75 B
j auf -550 V oder bei Gold auf -150 V gebracht wird), v/odurch die J Treffplatte durch einen kräftigen ionischen fjir^-lff ab£-jbel;?f. j und befähigt v/ird, sich bei der nachfolgenden Dotieruiit-:rjphu,o^ '■ zu verflüchtigen.
I . Hierauf wird die Welle 41 um ihre Achse C vor-
; dreht, um die Bereiche der Unterlage 5 freizulegen, welche mit j einer dünnen dotierten Schicht überzogen werden sollen, j Diese Schicht lagert sich dann allmählich mit
; einer Geschwindigkeit von 1 Mikron Dicke je Stunde ab. j Yienn die Dicke der so aufgebrachten dünnen
I dotierten Schicht 6 den im allgemeinen zwischen 0,5 und 5 Mikron liegenden gewünschten Wert erreicht hat, v/ird die Welle 4-1 von neuem so verdreht, daß die mit dieser Schicht überzogene Unterlage vollständig abgedeckt wird, worauf man die Hilfstreffplatten 25 und 26 vertauscht, indem man entweder einfach ihre Polaritäten wechselt (Fall der Fig. 5)» oder indem man außerdem die Wellen 29 und 50 so verdreht (Fall der Fig. 1 und 2), daß die Treff platte 25 in ihre Aushöhlung und die Treff ρ latte 2G über die Treffplatte 10 kommt.
Hierauf v/erden, gegebenenfalls i^ch einer neuen Vorbereitungsphase, die Bereiche der Schicht 6 und/oder der Unterlage 5 von neuem freigelegt, auf welche eine zweite dünne Schicht 6f aufgebracht werden soll, welche entgegengesetzt wie die erste dotiert ist.
Die so mit zwei gegensinnig dotierten Halbleiterschichten überzogenen Platten bilden Grenzflächen p-n (oder n-p).
Diese Platten können nach dem Ausschneiden eine gewisse Zahl von Halbleiterelementen mit der gewünschten Größe und mit identischen Kenngrößen liefern.
Jedes dieser Elemente kann anschließend auf
beliebige gewünschte Weise behandelt werden, um eine verwertbare Halbleitervorrichtung zu bilden, insbesondere durch Herstellung von elektrischen Verbindungen mit den beiden Schichten und der Unterlage.
Die so erhaltenen Vorrichtungen können insbesondere zur Detektion von Infrarotstrahlen benutzt werden, und zwar mit einer außergewöhnlichen Empfindlichkeit? welche grosser als alle Empfindlichkeiten ist* welche bisher mit den glei-
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- 11 - 0116 ?5 B " ί
! chen, gemäß den bekannten Methoden dotierten Halbleitern beobachi tot vvumen.
ί Die hergestellten dünnen Schichten beritzon ausgezeichnete physikalische (Homogenität) und elektrische iifionrohaften. Insbesondere kann der Dotieriui^sgrad mit einer grossen GeiiauiHr.uit durch Beeinflussung der Vorspannungen der Kilfstrci'fplatteu bestimmt werden. Dieser Grad kann außerdem verhältnif.-'iäßig hoch sein und einige Zehntel Prozent oder sogar* einige Prozent erreichen, was"Überdotierungen" entspricht, ohne daß die so mit Verunreinigungen "überdotierten11 Schichten als Ie-
: gierungen angesehen werden können. So kann man bei dem obigen Beispiel mit einer Vorspannung von -10 V eine Goldkonzentration von 0,5 % an Hasse (entsprechend 10~ Atomen/cnr) entholten, welche erheblich höher als der Höchstwert (von größenordnungsmäßig 0,1 %) ist, welcher der Löslichlreitsgrenze von durch thermische Diffusion in den betreffenden Halbleiter eingeführtem Gold entspricht. Ebenso kann man mit einer Vorspannung von -150V
. eine ungewöhnliche Aluminium!: onzen tr ation von 0,07 % an Hasse
?O 5
erhalten, welche ebenfalls 10 Atomen/err entspricht.
Außerdem ermöglicht das obige Verfahren der
"gleichzeitigen Zerstäubung", unmittelbar Grenzflächen "in situ" herzustellen, und nicht durch Diffusion von der Oberfläche aus, was schlecht definierte Grenzflächen ergibt und Spuren in den durchdrungenen Schichten hinterlässt.
■ Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich aus- ; serdem sehr gut zur Herstellung von Schichten, welche sich über
■ große Oberflächen erstrecken.
\ Man kann auch bemerkenswerte Photodioden zur
Detektion von Infrarotstrahlen herstellen (Strahlungen, deren Wellenlängen im allgemeinen zwischen 2 und 14· Mikron liegen), welche sich besonders gut zur infraroten Abbildung eignen.
Man kann z.B. auf die obige V/eise einen Detektor herstellen, welcher für eine Infrarotstrahlung mit einer Wellenlänge von 10,6 Mikron empfindlich ist, dessen spezifi-
10 1/P —1
sehe Empfindlichkeit 5.10 u cm χ Hz u^ χ W ist, dessen quantitativer Wirkungsgrad in der Nähe von 60% liegt, und dessen Ansprechfrequenz einige Gigahertz für eine empfindliche Oberfläche von größenordnungsmäßig 5-1Cr Quadratmikron und für einen Gesichtswinkel von 40 Grad beträgt, wobei der Detektor
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. auf der Temperatur des flüssigen Stickstoffs gehalten wird, de auf--77° K.
Die Unterlage 5 kann ihrerseits vorher auf
beliebige gewünschte Weiss sowohl positiv als auch negativ dotiert sein»
: Man kann in sie auch vorher Elemente zur
■ Speicherung oder Verstärkung von elektrischen Signalen ein haben=, welche anschließend leicht auf beliebige geminsehte VIeI-
■ se mit den dünnen Schichten oder den anderen Bestandteilen der
■ mit diesen Schi elite η versehenen Stromkreise verbunden werden : können*
: Man kann auch auf dieser mit wenigstens ei-
." ner dotierten Schicht überzogenen Unterlage ein Mosaik von iden ' tischen ode?? nicht M ent i sehen Detektorelementen durch Phot ο-
■ gravure oder chemischen Angriff herstellen, wie es in der Technik der Herstellung von Halbleitern des Typs "Mesa" oder "PIane.rf: bekannt ist. Die Anwendung dieser Techniken ist besonders interessant in dem Rahmen der Erfindung, welche die Herstellung
; von Grensflachen mit großer Oberfläche gestattet. ! Man kann auch die zweite Schicht 6* nur auf
! einen Teil der- ersten Schicht 6 aufbringen, wobei die bei den j beiden entsprechenden Arbeitssohritten benutzten Abdeckungen getrennt oder gegeneinander versetzt sein können. :
Man kann auch durch Anwendung der oben beschriebenen Technik "der Aufbringung und des epitaxialen Wachstums Transistoren oder Phototransistoren des Typs mit doppelter Grenzfläche ρ-η-ρ oder n-p-n oder sogar verwickeitere Strukturen des Typs p-n-p-n oder n-p-n-p herstellen, welche durch genau gesteuerte und lokalisierte Ablagerungen von aufeinanderfolgenden dünnen Halbleiterschichten hergestellt werden, welche abwechselnd positiv oder negativ dotiert sind.
Die Erfindung kann natürlich abgewandelt
werden.
So können die Hilfstreffplatten andere Formen und/oder Lagen als die oben beschriebenen haben, wobei es nur wesentlich ist, daß sie sich in der Vakuumkammer befinden und wenigstens zeitweilig in dieser dem Plasma ausgesetzt werden können.
Ferner können die den Halbleiter, das Plasma
Et)QRLO
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und die Dctierun^verunreiiiifjurLgen bildenden Substanzen von den obe:?. erwähnten verscideden sein. So kann z.B. der Halbleiter
aus Kadaiumtellurid, Zinktellurid oder einer anderen Verbindung ' II - VI bestehen, weim das Plasma aus Argon besteht, eier auch aus Galliuanitrid oder Indiumnitrid, wenn das Plasma aus Stickstoff besteht, odor auch aus !Cadmiumsulfid, wenn das Plasma aus Slip besteht, oder auch aus Indiumoxyd oder Zinnoxyd (wobei dann die Verunreinigung Antimon sein kann), v/enn das Plasma aus Sauerstoff besteht.
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Claims (1)

  1. - 14 - 0116 75 H
    ΡΑΤΕΝΪϋϊ SPRÜCHE
    Verfahren zur Herstellung einer dünnen, rv.it
    einer metallischen Verunreinigung dotierten Halbleiter schicht j bei welchem man auf eine in einer Vakuumkammer angeordnete Unterlage eine Halbleitersubstans aufbi'ingt, welche von einer· ebenfalls in dieser Kammer befindlichen Treffρlatte aus verflüchtigt wird, dadurch gekennzeichnet, daß gleichseitig auf diese-Unterlage metallische Dotiermigsverunreiniguiigen aufgebracht : werden, welche von einer ebenfalls in der gleichen Eairmier ange- ; ordneten Hilfstreffplatte aus verflüchtigt v/erden, ι 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn-
    j zeichnet, daß nacheinender auf die Unterlage mehrere dünne überj einanderliegende, abwechselnd positiv und negativ dotierte j Schichten aufgebracht werden.
    3« Vorrichtung aur Herstellung einer dünnen, mit eines: metallischen Verunreinig;-ag dotierten Halbleiter— schicht genäß dem Verfahren nach Anspruch. 1 oder 2 mit einer Vakuumkammer mit überwachter !Temperatur, eines? innerhalb dieser Kammer gehaltenen Unterlage, Mitteln, um diese Unterlage, gegebenenfalls KU erwärmen oder zu kühlen, einer Hauptquelle oder "Haupttreffplatte" aus einem Halbleitermaterial, welche ebenfalls in dieser Kammer angeordnet, auf ein negatives Potential gebracht und wirksam, gekühlt ist, und Mitteln, um in der Kammer ein- Ionenplasma zu erzeugen, gekennzeichnet durch wenig- ! stens eine metallische Hilfstreffplatte (25, 26), welche ebenj falls in der Kammer angeordnet ist und dem die Haupttreffplatte (10) bildenden Kalbleiter bei der Ablagerung desselben auf der Unterlage (5) Dotierungsverunreinigungen liefern kann, und Mittel, um diese Hilfstreffplatte auf ein vorzugsweise beliebig regelbares negatives Potential zu bringen.
    4. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Kammer zwei Hilfstreffplatten enthält, welche der dünnen, auf die Unterlage aufgebrachten Halbleiterschicht zv/ei Arten von Dotierungsatomen entgegengesetzter Polaritäten (d.h. Donoren bzw. Akzeptoren) liefern können, sowie Mittel, welche abwechselnd die Wirksamkeit dieser beiden Treffplatten für die Dotierung neutralisieren.
    5. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch ge-
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    kennzeichnet, daß die Hittel zur Neutralisierung einer jeden 1 Treffplatte einen Lecrianisnus umfassen, welcher diese Treffplatto so trägt, daß diese nach Belieben dem I one np X a so. a ausgesetzt oder im Gegenteil diesem entzogen werden kann, insbesondere .; diirch Unterbringung in einem in der Kammer enthaltenen Schirm ί (23) mit fliegendem Potential·
    ! 6. Vorrichtung nach Anspruch 4- oder 5» da-
    , durch gekennzeichnet, daß die beiden Hilfstreffplatten (2?, 26) ; durch flache, in ihrer Lütte gelochte Scheiben gebildet werden, 1 deren jede so angebracht ist, daß sie die Oberseite der ^aupt- ! treffplatte (10) wenigstens bei ihrer Verwendung für die Do-• tierung umgibt.
    7. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 3
    bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Aufbringung der dotierten dünnen Schichten (6, 61) auf die Unterlage (5) durch Öffnungen (38) hindurch erfolgt, welche in Spezialabdeckungen (37) ausgebildet sind, welche vorzugsweise elastisch gegen die Unterlage (5) gedruckt werden.
    8. Mittels der Vorrichtung nach einem der
    Ansprüche 3 bis 7 ausgeübtes Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Ionenplasma ein Quecksilberplasma ist, daß die Haupttreff platte durch eine Legierung CdxKg ^x Te gebildet wird (wobei χ eine zwischen 0 und 1 liegende Zahl ist), daß die erste Hilfstreffplatte Aluminium, Indium, und/oder Gallium enthält,und daß die zweite Hilfstreffplatte Gold, Kupfer und/oder Silber enthält.
    9. Dotierte Halbleiterschicht, dadurch gekennzeichnet, daß sie gemäß dem Verfahren nach einem, der Ansprüche 1, 2 und 8 hergestellt ist.
    10. Grenzfläche p-n oder n-p, dadurch gekennzeichnet, daß sie mittels der Halbleiterschicht nach Anspruch 9 gebildet ist.
    11. Halbleitervorrichtung, dadurch gekennzeichnet, daß sie eine Grenzfläche gemäß Anspruch 10 enthält.
    12. Vorrichtung zur Detektion von Infrarotstrahlen, gekennzeichnet durch Anwendung der Ansprüche 8 bis 11.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0047395A2 (de) * 1980-09-10 1982-03-17 International Business Machines Corporation Einrichtung zur reaktiven Ionenätzung
DE3221180A1 (de) * 1981-06-05 1983-01-05 Mitsubishi Denki K.K., Tokyo Verfahren und vorrichtung zur herstellung einer halbleitervorrichtung
DE19581488B4 (de) * 1994-01-26 2007-05-03 Gestamp Hardtech Aktiebolag Stossstangenanordnung

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4057476A (en) * 1976-05-26 1977-11-08 General Dynamics Corporation Thin film photovoltaic diodes and method for making same
US4188709A (en) * 1977-02-07 1980-02-19 Honeywell Inc. Double sided hybrid mosaic focal plane
US4104674A (en) * 1977-02-07 1978-08-01 Honeywell Inc. Double sided hybrid mosaic focal plane
JPS5811370B2 (ja) * 1977-03-14 1983-03-02 箕村 茂 金属間化合物の金属的変態物質とその製造法
JPS53123659A (en) * 1977-04-05 1978-10-28 Futaba Denshi Kogyo Kk Method of producing compound semiconductor wafer
US4111783A (en) * 1977-11-08 1978-09-05 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Triode sputtering system
US4201654A (en) * 1978-10-06 1980-05-06 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Anode assisted sputter etch and deposition apparatus
CA1110421A (en) * 1978-11-09 1981-10-13 Horst E. Hirsch Cadmium mercury telluride sputtering targets
CH636647A5 (de) * 1979-02-01 1983-06-15 Balzers Hochvakuum Vakuumbedampfungsanlage.
US4400409A (en) * 1980-05-19 1983-08-23 Energy Conversion Devices, Inc. Method of making p-doped silicon films
USRE34806E (en) * 1980-11-25 1994-12-13 Celestech, Inc. Magnetoplasmadynamic processor, applications thereof and methods
US4682564A (en) * 1980-11-25 1987-07-28 Cann Gordon L Magnetoplasmadynamic processor, applications thereof and methods
US4574733A (en) * 1982-09-16 1986-03-11 Energy Conversion Devices, Inc. Substrate shield for preventing the deposition of nonhomogeneous films
US5780313A (en) * 1985-02-14 1998-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating semiconductor device
US6784033B1 (en) 1984-02-15 2004-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for the manufacture of an insulated gate field effect semiconductor device
US4515668A (en) * 1984-04-25 1985-05-07 Honeywell Inc. Method of forming a dielectric layer comprising a gettering material
US4596645A (en) * 1984-10-23 1986-06-24 California Institute Of Technology Reactively-sputtered zinc semiconductor films of high conductivity for heterojunction devices
US5268085A (en) * 1992-04-24 1993-12-07 Itt Corporation Self-aligned sputter deposition masking device and method
US6784080B2 (en) 1995-10-23 2004-08-31 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device by sputter doping
US6280563B1 (en) * 1997-12-31 2001-08-28 Lam Research Corporation Plasma device including a powered non-magnetic metal member between a plasma AC excitation source and the plasma
GB2342927B (en) * 1998-10-23 2003-05-07 Trikon Holdings Ltd Apparatus and methods for sputtering
US20070209927A1 (en) * 2004-07-09 2007-09-13 Masayuki Kamei Magnetron Sputtering Device In which Two Modes Of Magnetic Flux Distribution (Balanced Mode/Unbalanced Mode) Can Be Switched From One To The Other And Vice Versa, A Film Formation Method For Forming A Film From An Inorganic Film Formation Material Using The Device, And A Dual Mode Magnetron Sputtering Device And Film Formation Method For Forming A Film From An Inorganic Film Formation Material At A Low Temperature Using The Device
US7842534B2 (en) * 2008-04-02 2010-11-30 Sunlight Photonics Inc. Method for forming a compound semi-conductor thin-film
CN115110048B (zh) * 2022-06-20 2023-05-02 肇庆市科润真空设备有限公司 基于磁控溅射的pecvd镀膜装置及方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3061712A (en) * 1959-08-31 1962-10-30 Inoue Kiyoshi Method of producing semiconductors and semiconductor elements utilizing electric spark discharge
FR1447257A (fr) * 1965-05-25 1966-07-29 Centre Nat Rech Scient Procédé pour effectuer des dépôts de matériaux volatils par croissance cristalline sur des supports solides
US3437888A (en) * 1966-07-01 1969-04-08 Union Carbide Corp Method of providing electrical contacts by sputtering a film of gold on a layer of sputtered molybdenum
DE1589959A1 (de) * 1966-07-15 1970-01-02 Ibm Verfahren zum Herstellen von Schottky-Dioden

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3261726A (en) * 1961-10-09 1966-07-19 Monsanto Co Production of epitaxial films
US3324019A (en) * 1962-12-11 1967-06-06 Schjeldahl Co G T Method of sputtering sequentially from a plurality of cathodes
US3531335A (en) * 1966-05-09 1970-09-29 Kewanee Oil Co Method of preparing films of controlled resistivity
US3615931A (en) * 1968-12-27 1971-10-26 Bell Telephone Labor Inc Technique for growth of epitaxial compound semiconductor films
US3716424A (en) * 1970-04-02 1973-02-13 Us Navy Method of preparation of lead sulfide pn junction diodes
US3751310A (en) * 1971-03-25 1973-08-07 Bell Telephone Labor Inc Germanium doped epitaxial films by the molecular beam method
US3765940A (en) * 1971-11-08 1973-10-16 Texas Instruments Inc Vacuum evaporated thin film resistors
US3911469A (en) * 1974-02-25 1975-10-07 Texas Instruments Inc Method of forming P-N junction in PbSnTe and photovoltaic infrared detector provided thereby

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3061712A (en) * 1959-08-31 1962-10-30 Inoue Kiyoshi Method of producing semiconductors and semiconductor elements utilizing electric spark discharge
FR1447257A (fr) * 1965-05-25 1966-07-29 Centre Nat Rech Scient Procédé pour effectuer des dépôts de matériaux volatils par croissance cristalline sur des supports solides
US3437888A (en) * 1966-07-01 1969-04-08 Union Carbide Corp Method of providing electrical contacts by sputtering a film of gold on a layer of sputtered molybdenum
DE1589959A1 (de) * 1966-07-15 1970-01-02 Ibm Verfahren zum Herstellen von Schottky-Dioden

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0047395A2 (de) * 1980-09-10 1982-03-17 International Business Machines Corporation Einrichtung zur reaktiven Ionenätzung
EP0047395A3 (en) * 1980-09-10 1982-04-07 International Business Machines Corporation System for reactive ion etching
DE3221180A1 (de) * 1981-06-05 1983-01-05 Mitsubishi Denki K.K., Tokyo Verfahren und vorrichtung zur herstellung einer halbleitervorrichtung
DE19581488B4 (de) * 1994-01-26 2007-05-03 Gestamp Hardtech Aktiebolag Stossstangenanordnung

Also Published As

Publication number Publication date
DE2513034C2 (de) 1984-05-03
JPS50131462A (de) 1975-10-17
FR2265872A1 (de) 1975-10-24
GB1501263A (en) 1978-02-15
JPS5755211B2 (de) 1982-11-22
FR2265872B1 (de) 1977-10-14
US4013533A (en) 1977-03-22

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