DE2334417A1 - Halbleiterstrahlungsdetektor und verfahren zu dessen herstellung - Google Patents
Halbleiterstrahlungsdetektor und verfahren zu dessen herstellungInfo
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Description
FPHN. 6683
veer/wg GÜNTHER M. DAVID
S.V
tiÜa^FÄB
- 668* 233441 /
Anmeldung vom« 3· «Tüll
"Halbleiterstrahlungsdetektor und Verfahren zu dessen Herstellung".
Die Erfindung bezieht sich auf einen Strahlungsdetektor mit einem Halbleiterkörper mit zwei zueinander praktisch
parallelen einander gegenüber liegenden Hauptflächen,
wobei an eine erste dieser Hauptflächen eine Oberflächenschicht von einem ersten Leitfähigkeitstyp grenzt, welche
Oberflächenschicht in dem Halbleiterkörper an ein praktisch eigenleitendes Zwischengebiet grenzt, das sich durch den
Halbleiterkörper praktisch bis zu der zweiten Hauptfläche erstreckt, wobei an der zweiten Hauptfläche ein ringförmiges
Oberflächengebiet vom zweiten Leitfähigkeitstyp vorhanden ist, und wobei an der ersten Hauptfläche zwei
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praktisch konzentrische Nuten vorgesehen sind, die sich von der ersten Hauptfläche her bis zu einer Tiefe, die
grosser als die Dicke der Oberflächenschicht vom ersten
Leitfähigkeitstyp ist, in dem Halbleiterkörper erstrecken.
Die Erfindung bezieht sich weiterhin auf ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Strahlungsdetektors.
Bekanntlich wird für die Detektion und z.B. für die Spektrometrie von Strahlung oder Teilchen oft eine eigen-,
leitende Zone einer Halbleiterdiode mit NIP-Struktur verwendet. In diesem Zusammenhang ist unter dem Ausdruck
"eigenleitendes Material" jedes Halbleitermaterial zu verstehen, in dem die Dichten von Elektronen und Löchern
bei thermischem Gleichgewicht einander praktisch gleich sind, wobei das Halbleitermaterial entweder eine hohe
Reinheit aufweisen kann oder gleichzeitig Donatoren und Akzeptoren in einem derartigen Verhältnis enthalten kann,
dass sie sich praktisch ausgleichen.
Wenn ein einfallendes Teilchen in die eigenleitende Zone eindringt, bildet es dort ein oder mehrere Elektron-Loch-Paare,
wodurch ein Strom erzeugt wird, der in Form von Spannungsimpulsen, z.B. über einem geeigneten Widerstand,
entnommen und detektiert werden kann. Die erhaltenen Impulse können weiter mit speziell dazu entworfenen elektronischen
Geräten analysiert werden.
Es wurde festgestellt, dass, um eine Diode mit einer
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grossen nützlichen Wirkung zu erhalten, die Oberfläche
des Uebergangs und das nützliche Volumen der eigenleitenden Zone möglichst gross sein müssen, Aus diesem
Grunde wirdt oft ein Detektor mit einer NIP-Struktur
verwendet, der gewöhnlich aus einer aus Silicium oder Germanium bestehenden einkristallinen Scheibe, meistens
vom p-Typ, hergestellt wird, in der mit Hilfe einer Verunreinigung
vom η-Typ, z.B. Lithium, sowohl ein n-leitendes
Gebiet N als auch ein kompensiertes oder praktisch eigenleitendes Gebiet I gebildet werden.
In den meisten Fällen ist ein derartiger Detektor vom
planaren Typ und ist das Eintrittsfenster für die Strahlung dadurch erhalten, dass örtlich der verbleibende Teil der
P-leitenden Schicht entfernt wird, wobei der Rand der auf
diese Weise erhaltenen Vertiefung oder Höhlung mit einer dünnen Metallschicht aus z.B. Platin oder Gold überzogen
wird, damit an dieser Oberfläche eine gleichmässige Potentialverteilung erhalten wird.
. Weiter ist es bekannt, dass bei einem Strahlungsdetektor
die bedeutenden Parameter, die die Qualität beeinflussen, der Wert des Leckstroms, der Wert der Durchschlagspannung
und der Rauschpegel sind. Diese Parameter sind voneinander abhängig und hängen in erheblichen Masse von
der Qualität des Kristalls, aus dem der Detektor hergestellt ist, von der Qualität und der Form der verschiedenen
Gebiete N, I und P und von der Beschaffenheit des
Eintrittsfensters ab, das infolge der Bearbeitungen mit
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einer gestörten Schicht überzogen sein kann.
Ein bereits bekanntes Verfahren zur Verringerung einiger dieser Nachteile besteht darin, dass-an der
Oberfläche des Detektors nach der Bildung der NIP-Struktur und gewöhnlich von der der -Strahlung ausgesetzten
Oberfläche her ein Sicherungsring (guard ring) rings um die empfindliche Oberfläche des Detektors angebracht
wird.
Dieser Sicherungsring kann durch örtliche Diffusion von Verunreinigungen in die der Strahlung auszusetzende
Oberfläche erhalten werden, wobei eine Zone gebildet wird, deren Leitfähi^keitstyp dem der an diese Oberfläche grenzenden
Diodenzone entgegengesetzt ist. Auch kann statt eines derartigen Sicherungsringes eine Nut angebracht
werden, die sich von einer der Hauptoberflachen des Detektors her in dem Halbleiterkörper - erstreckt, wobei die Unterseite
dieser Nut in das praktisch eigenleitende Gebiet eindringt. Mittels dieser Nut kann der Leckstromweg verlängert
und können vor allem die Oberflächenleckströme gesperrt werden. Tatsächlich werden jedoch am Umfang des
Detektors und in dem von dem Sicherungsring begrenzten Gebiet auch Elektron-Paare erzeugt, die einen Strom hervorrufen.
Dieser Strom wird bei Messsungen im empfindlichen Gebiet des Detektors entnommen und wird dann die Ergebnisse
beeinträchtigen.
Wenn der Detektor mit einer NIP-Struktur eine Höhlung
oder Vertiefung aufweist, die das Eintrittsfenster bildet,
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wird diese Höhlung gewöhnlich in zwei Schritten angebracht,
damit eine höhere Qualität der Oberfläche an der Stelle des Eintrittsfensters erhalten wird. Der
-Rand der Vertiefung weist dann eine kleine Stufe auf, an deren Stelle das Kristallgitter im allgemeinen gestört
ist. Diese Stufe oder Unebenheit grenzt an die Grenzfläche zwischen der Halbleiterschicht vom ursprünglichen
Leitfähigkeitstyp und der eigenleitenden Schicht,
was zu elektrischer Un.stabilität und zur Injektion von Ladungsträgern, also zu der Bildung parasitärer Leckströme,
Anlass gibt.
Die vorliegende Erfindung bezweckt u.a., einen Detektor für elektromagentische Strahlung und/oder Teilchen zu
schaffen, der kleine Leckströme und stabile Kennlinien aufweist.
Nach der Erfindung ist ein Strahlungsdetektor der in der Einleitung genannten Art dadurch gekennzeichnet, dass
die Nuten verschiedene Tiefen aufweisen, wobei eine erste Nut nur bis in das praktisch eigenleitende Zwischengebiet
reicht und auf der Unterseite nur an das praktisch eigenleitende Zwischengebiet grenzt, und wobei die zweite tiefere
Nut durch das praktisch eigenleitende Zwischengebiet bis zu dem ringförmigen Oberflächengebiet vom zweiten Leitfähigkeitstyp reicht, welches ringförmige Gebiet sich zwischen
der Unterseite der zweiten tieferen Nut und der zweiten Hauptfläche erstreckt.
Vorzugsweise wird ein derartiger Detektor durch ein
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Verfahren hergestellt, das 'dadurch gekennzeichnet ist,
dass an einer ersten Hauptfläche eines Halbleiterkörpers vom zweiten Leitfähigkeitstyp eine Oberflächenschicht
vom ersten Leitfähigkeitstyp angebracht wird, wonach von der ersten Hauptfläche her zwei praktisch konzentrische
Nuten ungleicher Tiefe in dem Halbleiterkörper angebracht werden, die sich wenigstens durch die Oberflächenschicht
vom ersten Leitfähigkeitstyρ hin erstrecken, wobei ein
praktisch eigenleitendes Zwischengebiet dadurch gebildet
wird, dass unter der Einwirkung eines elektrischen Feldes in der Oberflächenschicht vorhandene Verunreinigungen aus
dieser Oberflächenschicht in den angrenzenden Teil des Halbleiterkörpers eindiffundiert werden, wobei diese
Bildung des praktisch eigenleitenden Zwischengebietes mindestens einmal zum Anbringen wenigstens der ersten,
untiefen Nut unterbrochen wird, und wobei die Tiefe der ersten Nut derart gewählt wird, dass die Unterseite dieser
Nut völlig innerhalb des bereits gebildeten Teiles des praktisch eigenleitenden Zwischengebietes bleibt und dass
anschliesssend die Bildung des praktisch eigenleitenden Zwischengebietes fortgesetzt wird, bis das gebildete praktisch
eigenleitende Zwischengebiet praktisch bis zu der zweiten gegenüberliegenden Hauptfläche des Halbleiterkörpers
reicht.
Das Volumen und die Form der verbleibenden nichtkompensierten Oberflächengebiete des Halbleiterkörpers
sind von der Tiefe -der' Nuten, von ihrer Breite und von
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ihrem gegenseitigen Abstand abhängig. Indem diese Nuten verschieden tief gemacht und die anderen Parameter mit
"Sorgfal gewählt werden, ist es möglich, ein ringförmiges Gebiet zu erhalten, dessen Grenze mit dem praktisch eigenleitenden
Gebiet eine abgerundete Form aufweist, Unter einer tiefen Nut können die kompensierenden Verunreinigungen
nicht mehr umlaufen und direkt unter dieser Nut wird also eine Insel aus ursprünglichem Material verbleiben. Unter
einer weniger tiefen Nut, die nur in den ersten Teil der eigenleitenden Schicht eindringt, laufen die Verunreinigungen
nur mit grosser Mühe um, so dass dort eine grössere Insel aus ursprünglichem Material übrigbleibt. Dadurch,
dass eine tiefe und eine weniger tiefe Nut miteinander kombiniert werden, ist es möglich, den Inseln aus ursprünglichem
Material abgerundete Formen zu geben, wodurch das Verhalten der Durchschlagspannung geändert wird, das bekanntlich
von dem Krümmungsradius des Uebergangs abhängig ist. Auf diese Weise kann auch ein Detektor erhalten werden,
bei dem der Umfang der empfindlichen Oberfläche oder des Eintrittsfensters genau definiert ist und bei dem der
Effekt der Leckströme durch das Vorhandensein zweier konzentrischer ringförmiger Oberflächengebiete vom zweiten
Leitfähigkeitstyp erheblich herabgesetzt wird.
Der von diesen beiden ringförmigen Oberflächengebieten
begrenzte Teil des praktisch eigenleitenden Zwischengebietes bildet einen wirkungsvollen Sicherungsring, der
das Eintrittsfenster für die Strahlung umgibt, aber gegen
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das empfindliche Gebiet durch die innere Nut und das
innere ringförmige Oberflächengebiet vom zweiten Leitfähigkeit
styp gut isoliert ist. Weiter kann der Strahlungsdetektor ein am Rande liegendes zweites ringförmiges Gebiet
vom zweiten Leitfähigkeitstyp aufweisen, dessen Abmessungen derartig sind, dass darauf eine Metallschicht für Kontaktierungszwecke
angebracht werden kann, wobei dieses äussere ringförmige Oberflächengebiet ausserdem zu der Verbesserung
der Durchschlagspannung des Detektors beiträgt. Um dies zu erreichen, wird die Nut, die nur in den ersten Teil der
eigentlichen Schicht eindringt und sich nicht durch diese Schicht hin erstreckt, also die weniger tiefe Nut, näher
bei dem Rande des Halbleiterkörpers und rings um die tiefere Nut angebracht. Vorzugsweise wird in dem Halbleiterkörper
an der zweiten Hauptfläche eine Vertiefung angebracht, wobei, der Boden dieser Vertiefung die Gesamtoberfläche des
Eintrittsfensters, des inneren ringförmigen Oberflächengebietes und des Sicherungsringes und einen Teil der Oberfläche
des äusseren ringförmigen Oberflächengebietes umfasst. Der scharfe zwischen dem Rand und dem Boden der
genannten Vertiefung eingeschlossene Winkel fällt dann innerhalb der äusseren ringförmigen Oberfläche; ausserdem
befindet sich die beim erneuten Abschleifen des Bodens der genannten Vertiefung gebildete Stufe oder Unebenheit
im Rande der Vertiefung nicht mehr an der Grenzfläche zwischen der Halbleiterschicht aus dem ursprünglichen
Material und dem eigenleitenden Zwischengebiet, sondern
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innerhalb des ursprünglichen Materials. Dadurch werden an der Stelle diese Unebenheit keine Leckströme mehr
auftreten.
Es sei bemerkt, dass Strahlungsdetektoren mit zwei konzentrischen Nuten an sich bekannt und z.B. in "I.E.E.E.
Transactions on Nuclear Science", Juni I966, S. 214-220
beschrieben sind. In diesem Falle sind die Nuten aber nach der Bildung des eigenleitenden Zwischengebietes angebracht
und beeinflussen sie die Form dieses Gebietes nicht. Ausserdem sind diese Nuten gleich tief und dienen sie
nur zur Unterbrechung der Oberflächenschicht vom ersten Leitfähigkeitstyp, die durch diese Nuten in drei voneinander
getrennte, mit je einem elektrischen Anschluss versehene Teile unterteilt ist.
Vorzugsweise ist der Halbleiterkörper ein einkristalliner P-leitender Körper aus Germanium, Silicium oder
Cadmiumtellurid, wobei die η-leitende Oberflächenschicht und das praktisch eigenleitende Zwischengebiet durch Ablagerung
und Diffusion von Lithium gebildet werden.
Die Erfindung wird nachstehend an einem Ausführungsbeispiel an Hand der Zeichnung näher erläutert.
Figuren 1-5 zeigen verschiedene Stufen der Herstellung eines Detektors nach der Erfindung unter Anwendung
des Verfahrens gemäss der Erfindung. Es sei bemerkt, dass in den Figuren die Abmessungen der Deutlichkeit halber
nicht masstäblich gezeichnet sind.
Der Strahlungsdetektor, der im Querschnitt schematisch
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in Fig. 5 dargestellt ist und dessen Herstellung an Hand
der Figuren 1 - k beschrieben wird, enthält ein Gebiet 1 (Fig. 1), das ursprünglich völlig vom zweiten Leitfähigkeitstyp,
z.B. vom p-Typ, ist, und eine Schicht 2 vom entgegengesetzten, ersten Leitfähigkeitstyp, also in diesem
Falle vom η-Typ. Von der Oberfläche der Schicht 2 her werden zwei ringförmige Nuten k und 5 angebracht und an der der
Strahlung auszusetzenden anderen Häuptfläche wird eine Vertiefung (Fig. 5) angebracht. Der Detektor nach Fig. 5 weist
zwei ringförmige konzentrische Oberflächengebiete 1a und 1b
vom ursprünglichen Leitfähigkeitstyp, also vom p-Typ, auf. Zwei Metallschichten 7a und Jh, die auf den an die Oberfläche
grenzenden Teilen 3a und 3t> des praktisch eigenleitenden Zwischengebietes angebracht sind, dienen zur
Kontaktierung. Zum Erhalten eines derartigen Detektors kann von einem einkristallinen Körper 1 vom zweiten Leitfähigkeitstyp,
z.B. aus P-leitendem Silicium, ausgegangen werden. Auf einer der Hauptflächen wird z.B. durch Diffusion eine
Schicht 2 mit den ersten Leitfähigkeitstyp, also den n-Typ,
herbeiführenden Verunreinigungen angebracht.
Fig. 1 zeigt den Halbleiterkörper nach dieser Bearbeitung. Auf an sich bekannte leise kann nun der gebildete
pn-Uebergang zwischen dem P-leitenden Gebiet und der nleitenden Oberflächenschicht 2 in der Sperrichtung vorgespannt
werden, wodurch ein elektrisches Feld erzeugt wird, unter dessen Einwirkung Verunreinigungen aus der Oberflächenschicht
weiter in den Körper eindif,fundieren, wobei
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durch Kompensation ein an die Oberflächenschicht 2 grenzendes
praktisch eigenleitendes Gebiet erhalten wird.
Nach der Bildung eines ersten Teiles 3 (Fig. 2) des eigenleitenden Zwischengebietes wird die Bearbeitung unterbrochen
und werden dann zwei konzentrische Nuten k und 5, z.B. duroh Schleifen angebracht. Wie in Fig. 3 dargestellt
ist, reicht die Nut k durch den genannten ersten Teil 3 des
eigenleitenden Zwischengebietes hindurch, während die Nut 5 in diesem Teil 3 endet. Durch Fortsetzung der Bildung des
praktisch eigenleitenden Zwischengebietes wird die in Fig. h gezeigte Struktur mit einem inneren ringförmigen
Gebiet 1a unter der Nut k und einem ringförmigen am Umfang des einkristallinen Halblexterkorpers liegenden Oberflächengebiet
1b erhalten. Die beiden Oberflächengebiete 1a und Ib
und die Nuten k und 5 unterteilen des eigenleitende Zwischengebiet
in zwei konzentrische Teile, und zwar in den ersten Teil 3a» der das empfindliche Volumen des Detektors
bildet, und in den zweiten Teil 3b, der als Sicherungsring
dienen kann. In dem Beispiel wird anschliessend eine Vertiefung 6 in der zweiten Hauptfläche des Detektors angebracht
. -Diese Vertiefung bezweckt einerseits, die Oberflächenschicht,
wo das Kristalgitter durch die verschiedenen durchgeführten Vorgänge gestört sein kann, zu entfernen,
und andererseits,'ein Eintrittsfenster (Fig. 5) für
die Strahlung mit geringer Dicke und genauer Difinition zu erhalten. Um die Kontaktierung zu erleichtern und die Kennlinien
des Detektors zu verbessern, wird auf dem Boden
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und auf dem Rand der Vertiefung 6 und auf den Teilen
3a und 3b des eigenleitenden Zwischengebietes 3 eine Metallschicht
7a bzw. 7t>» z.B. aus Platin oder Gold, angebracht.
Durch das Vorhandensein der Nut 5 ist eine an Umfang
liegende ringförmige Zone 1b erhalten, wobei der scharfe zwischen dem Rand und dem Boden der Vertiefung 6 eingeschlossene
Winkel sowie die (nicht dargestellte) Unebenheit im Rande der Vertiefung, die dadurch erhalten ist,
dass die Vertiefung meistens in zwei Schritten angebracht wird, innerhalb dieser ringförmigen Zone 1b fallen, wodurch
an diesem Rande keine Leckströme auftreten werden.
Weiter werden die Leckströme durch die Nuten h und 5»
die an des praktisch eigenleitende Zwischengebiet grenzen, und durch den Sicherungsring, der durch den Teil 3b des
eigenleitenden Zwischengebietes 3 gebildet.wird,herabgesetzt
.
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Claims (3)
- -13- FPHN. 6683Patentansprüche:/ 1. )Strahlungsdetektor mit einem Halbleiterkörper mit zwei zueinander praktisch parallelen einander gegenüber liegenden Hauptflächen, wobei an eine erste dieser Hauptflächen eine Oberflächenschicht von einem ersten Leit — fähigkeitstyp grenzt, welche Oberflächenschicht in dem Halbleiterkörper an ein praktisch eigenleitendes Zwischengebiet grenzt, das sich durch den Halbleiterkörper praktisch bis zu der zweiten Hauptfläche erstreckt, wobei an der zweiten Hauptfläche ein ringförmiges Oberflächengebiet vom zweiten Leitfähigkeitstyp vorhanden ist, während an der ersten Hauptfläche zwei praktisch konzentrische Nuten vorgesehen sind, die sich von der ersten Hauptfläche her bis zu einer Tiefe, die grosser als die Dicke der Oberflächenschicht vom ersten Leitfähigkeitstyp ist, in dem Halbleiterkörper erstrecken,dadurch gekennzeichnet, dass die Nuten verschiedene Tiefen aufweisen, wobei eine erste Nut nur bis in das praktisch eigenleitende Zwischengebiet reicht und auf der Unterseite nur an das praktisch eigen-■ leitende Zwischengebiet grenzt, wobei die zweite tiefere Nut durch das praktisch eigenleitende Zwischengebiet bis zu dem ringförmigen Oberflächengebiet vom zweiten Leitfähigkeitstyp reicht, welches ringförmige Gebiet sich zwischen der Unterseite der zweiten tieferen Nut und der zweiten Hauptfläche erstreckt.309884/1385-Of- FPHN. 66832334A17
- 2. Strahlungsdetektor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass, auf die erste Hauptfläche gesehen, die tiefere zweite Nut innerhalb der ersten untieferen Nut liegt, wobei an der zweiten Hauptfläche ausser dem bereits genannten ersten ringförmigen Oberflächengebiet vom zweiten Leitfähigkeitstyρ ein zweites ringförmiges Oberflächengebiet vom zweiten Leitfähigkeitstyp vorhanden ist, das sich wenigstens teilweise zwischen der Unterseite der ersten Nut und der zweiten Hauptfläche erstreckt und das durch das praktisch eigenleitende Zwischengebiet von der ersten Nut getrennt ist.
- 3. Strahlungsdetektor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass an der zweiten Hauptfläche eine Vertiefung angebracht ist, wobei sowohl der sich im wesentlichen innerhalb der zweiten tieferen Nut erstreckende Teil des praktisch eigenleitenden Zwischengebietes als auch der im wesentlichen ausserhalb dieser Nut liegende Teil der .Zwischenschicht innerhalb der Vertiefung praktisch bis zu der zweiten Hauptfläche reichen, wobei diese Teile an dieser Hauptfläche durch das zwischen der Unterseite der zweiten Nut und der zweiten Hauptfläche liegende ringförmige Oberflächengebiet vom zweiten Leitfähigkeitstyρ voneinander getrennt sind, und wobei auch das zweite ringförmige Oberflächengebiet vom zweiten Leitfähigkeitstyp teilweise innerhalb der Vertiefung an die zweite Hauptfläche grenzt.k. Strahlungsdetektor nach Anspruch 3, Sadurch gekennzeichnet, dass der Rand der Vertiefung völlig und ausschliesslich an das zweite ringförmige Oberflächengebiet30988A/1385-15- FPHN. 6683vom zweiten Leitfähigkeitstyp grenzt.5. Verfahren zur Herstellung eines Strahlungsdetektors nach einem oder mehreren der vorangehenden Ansprüche,, dadurch gekennzeichnet, dass an einer ersten Hauptfläche eines Halbleiterkörpers vom zweiten Leitfähigkeitstyp eine Ober.flächenschicht vom ersten Leitfähigkeitstyp angebracht wird, wonach von der ersten Hauptfläche her zwei praktisch konzentrische Nuten ungleicher Tiefe in dem Halbleiterkörper angebracht werden, die wenigstens durch die Oberflächenschicht vom ersten Leitfähigkeitstyp hin reichen, wobei ein praktisch eigenleitendes Zwischengebiet dadurch gebildet wird, dass unter der Einwirkung eines elektrischen Feldes in der Oberflächenschicht vorhandene Verunreinigungen aus dieser Oberflächenschicht in den angrenzenden Teil des Halbleiterkörpers eindiffundiert werden, wobei diese Bildung des praktisch eigenleitenden Zwischengebietes mindestens einmal zu Anbringen wenigstens der ersten untiefen Nut unterbrochen wird, und wobei die Tiefe der ersten Nut derart gewählt wird, dass die Unterseite dieser Nut völlig innerhalb des bereits gebildeten Teiles des praktisch eigenleitenden Zwischengebietes bleibt, wonach die Bildung des praktisch eigenleitenden. Zwischengebietes fortgesetzt wird, bis das gebildete praktisch eigenleitende Zwischengebiet praktisch bis zu der zweiten gegenüberliegenden Haupt— fläche des Halbleiterkörpers reicht.309884/1385-16- FPHN. 66836. Verfahren nach Anspruch 5> dadurch gekennzeichnet, dass von einem einkristallinen P-leitenden Halbleiterkörper ausgegangen wird, der aus einem Material besteht, das zur der durch Germanium, Silicium und Cadmiumtellurid gebildeten Gruppe gehört, wobei die n—leitende Oberflächenschicht und das praktisch eigenleitende Zwischengebiet durch Diffusion von Lithium gebildet werden.7. Verfahren nach Anspruch 5.oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass die beiden Nuten ungleicher Tiefe während derselben Unterbrechung der Bildung des praktisch eigenleitenden Zwischengebietes angebracht werden, wobei die tiefere Nut völlig durch den bereits gebildeten Teil des praktisch eigenleitenden Zwischengebietes bis in den noch verbleibenden P-leitenden Teil des Halbleiterkörpers reicht.8. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 5, 6 und 7) dadurch gekennzeichnet, dass die innere der beiden praktisch konzentrischen Nuten tiefer als die äussere dieser Nuten gemacht wird, und dass an der zweiten Hauptfläche nach der Bildung des praktisch eigenleitenden Zwischengebietes eine Vertiefung angebracht wird, die derart gross ist, dass innerhalb des Randes dieser Vertiefung der sich im wesentlichen innerhalb der inneren tieferen Nut erstreckende Teil des praktisch eigenleitenden Zwischengebietes, der sich ausserhalb dieser inneren Nut befindende Teil des Zwischengebietes, ein309884/1385-17- ' FPHN. 6683diese Teile voneinander trennendes, zwischen der tieferen Nut und der zweiten Hauptfläche liegendes inneres ringförmiges Oberflächengebiet vom zweiten Leitfähigkeits— . typ und ein Teil eines zweiten äusseren ringförmigen Oberflächengebietes vom zweiten Leitfähigkeitstyp an die zweite Hauptfläche grenzen.309884/1385
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