DE1076275B - Halbleiteranordnung mit mindestens einem flaechenhaften pn-UEbergang - Google Patents

Halbleiteranordnung mit mindestens einem flaechenhaften pn-UEbergang

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DE1076275B DES57390A DES0057390A DE1076275B DE 1076275 B DE1076275 B DE 1076275B DE S57390 A DES57390 A DE S57390A DE S0057390 A DES0057390 A DE S0057390A DE 1076275 B DE1076275 B DE 1076275B
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Description

Die Erfindung bezieht sich auf Halbleiteranordnungen mit Korngrenze bzw. mit einer zwischen einkristallinen Zonen gebildeten Grenzfläche sowie auf ein Verfahren zu ihrer Herstellung.
Es ist bereits ein Spitzengleichrichter hoher Stabilitat und Leistung bekannt, der einen vorzugsweise zylindrischen Körper aus Halbleitermaterial aufweist, bei welchem durch eine Mehrzahl linienartiger Kontaktstreifen punktartige Kontakte, wie sie für die Arbeitsweise eines Spitzengleichrichters charakteristisch sind, geschaffen werden.
Es ist ferner eine elektrisch unsymmetrisch leitende Halbleiteranordnung bekannt, die eine Mehrzahl paralleler Halbleiterkristalle umfaßt.
Ferner sind Halbleiteranordnungen mit mindestens einem flächenhaften pn-übergang, die nach dem Diffusionsverfahren so behandelt sind, daß eine Bildung verschiedener Schichten erfolgt, bekannt.
Da ein zunehmender Bedarf an Halbleiteranordnungen besteht, die im Betriebe bei hohen und immer ao höheren Frequenzen arbeiten sollen, ergibt sich die Notwendigkeit, die Anordnungen so auszubilden, daß sie gewisse Bereiche, die relativ dünn und auch oft relativ kurz sind, aufweisen. Bei Flächengleichrichtern z. B. ist die Dicke der Basisschicht bzw. der Basis- as zone für die Arbeits- oder Ansprechfähigkeit bei Hochfrequenz maßgebend. Die Abschaltfrequenz wird um so höher, je dünner die Basiszone gemacht wird. Bei Feldwirkungstransistoren ist es wichtig, die Dicke und Länge des Kanals zu vermindern, um zu erreichen, daß der Transistor bei relativ hohen Frequenzen betrieben werden kann.
Zweck der Erfindung ist es hauptsächlich, eine Halbleiteranordnung, die insbesondere für die vorgenannten Zwecke geeignet ist, mit Korngrenze sowie ein Verfahren zu ihrer Herstellung zu schaffen und dabei dafür zu sorgen, daß Bereiche mit längs Korngrenzen gebildeten Zonen von relativ kleinen Abmessungen hergestellt werden können.
Die Erfindung bezieht sich daher auf eine Halbleiteranordnung mit mindestens einem flächenhaften pn-übergang. Die Erfindung besteht darin, daß ein Halbleiterkörper vom einen Leitfähigkeitstyp mit zwei einkristallinen Zonen verwendet ist, die an einer Grenzfläche zusammenhängen, einer ersten Diffusionszone vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp auf mindestens einem Teil der Oberfläche des Halbleiterkörpers, die einen flächenhaften pn-übergang mit dem Halbleiterkörper bildet, daß über der Grenzfläche des Halbleiterkörpers eineweitereDiffusionszonevomgleichenLeitfähigkeitstyp wie der des Halbleiterkörpers gebildet ist, die sich längs der Grenzfläche indenHalbleiterkörperhineinerstrecktunddie ersteDiffusionszone vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp durchwächst.
Halbleiteranordnung
mit mindestens einem flächenhaften
pn-übergang
Anmelder:
Shockley Transistor Corporation,
Palo Alto, Calif. (V. St. A.)
Vertreter: Dipl.-Ing. F. Werdermann, Patentanwalt,
Hamburg 13, Innocentiastr. 30
Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 18. März 1957
William Shoddey, Los Altos, Calif. (V. St. Α.),
ist als Erfinder genannt worden
Im folgenden ist die Erfindung an Hand der Zeichnung beispielsweise näher erläutert.
Fig. IA bis ID zeigen eine perspektivische Darstellung der einzelnen Schritte zur Bildung einer Halbleiteranordnung mit Korngrenze gemäß der Erfindung;
Fig. 2 A bis 2 C zeigen die Schritte zur Bildung einer anderen Ausführungsform einer Halbleiteranordnung mit Korngrenze gemäß der Erfindung, und
Fig. 3 zeigt die Schritte zur Bildung noch einer weiteren Ausführungsform einer Halbleiteranordnung mit Korngrenze gemäß der Erfindung.
Bekanntlich findet eine Diffusion in Kristallen leichter längs Korngrenzen statt, als es durch den Körper oder die Masse des Kristalls hindurch geschieht. Es wird angenommen, daß dies auf die schlechte Zusammenpassung zwischen den Atomen an einer Korngrenze zurückzuführen ist. Eine gewisse Lockerheit in der Packung der Atome an der Grenze ergibt mehr Raum für Atome des diffundierenden Materials, so daß sich diese an den Atomen, welche den Kristall aufbauen, vorbeibewegen können. Im Ergebnis dringt das diffundierende Material an Korngrenzen tiefer in das Grundmaterial des Kristalls ein.
Es wurde gezeigt, daß die Leichtigkeit der Diffusion halbleitenden Materials' in Korngrenzen abhängig ist von der Richtung, in welcher die Diffusion stattfindet. Es wurde z. B. bei einer Untersuchung der Eindringtiefe von radioaktivem Zink, das in Kupfer diffun-
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diert, gefunden, daß die Diffusion in der Korngrenze leichter längs Kristallrichtungen stattfindet, die weniger gut zusammenhängen. Für eine Korngrenze in einem Kristall, in welchem ein kleiner Winkelunterschied zwischen den Körnern besteht, sind dies die Kantenverlagerungen.
Bei jedem Halbleitermaterial können Korngrenzen in einem Kristall während des Züchtungsprozesses gebildet werden. Kristalle mit Korngrenzen werden durch Einsäen eines Paares von Kristallsamen gezüchtet, die zueinander die richtige Orientierung in die Schmelze hinein haben. Wenn die Samen herausgezogen werden, wird eine Grenze oder Grenzschicht gebildet. Wenn das Kristallgitter der Samen geneigt wird, so daß ein kleiner Winkel zwischen den gemeinsamen Kubusachsen besteht, wird der gezüchtete Kristall ein Bikristall mit Kantenverlagerungen. Der Abstand der Kantenverlagerungen ist für kleine Winkel abhängig von dem Winkel.
Eine geneigte Korngrenze in einem Kristall der p-Type ist in Fig. IA dargestellt. Wie dort zu sehen ist, verläuft die Grenze 11 im wesentlichen senkrecht zur Ober- und Unterfläche. Die Kantenverlagerungen 12 treffen die Vorderflächen des Kristalls wie angedeutet. Ein Kristall der dargestellten Art kann aus einem Barren geschnitten werden, der die Korngrenze enthält, so daß die Enden der Verlagerungen die Vorderseite des Stückes treffen.
Um eine Halbleiteranordnung gemäß der Erfindung zu bilden, kann der Kristall gemäß Fig. 1A einer Diffusion unterworfen werden, bei der Verunreinigungsatome, z. B. Donatorstoffe, in das Kristallmaterial eintreten, um eine Schicht der η-Type, wie in Fig. 1B gezeigt, zu bilden. Die Donatorstoffe diffundieren leichter in der Richtung der Kantenverlagerungen. Infolgedessen dringt der Bereich oder die Schicht der η-Type an der Stelle 13 tiefer in den Kristall ein.
Anschließend an diesen Diffusionsvorgang wird der gemäß Fig. 1B eine Haut von der η-Type aufweisende Kristall einer weiteren Diffusion unterworfen. Verunreinigungsatome, z. B. Akzeptorstoffe, diffundieren in dem Kristall, um über der Schicht der η-Type eine Schicht der p-Type zu bilden. Ist die Dichte der Akzeptorstoffe relativ hoch, so wird eine Schicht der p-Type von hoher Konzentration an dem Stück gebildet. Die Schicht diffundiert wiederum leicht in den Richtungen der Kantenverlagerungen in der Korngrenze. In Fig. 1C ist zu sehen, daß die Schicht von der p-Type sich längs der Kantenverlagerung erstreckt und den Bereich 13 der η-Type kompensiert, welcher tiefer als der Rest der Schicht der η-Type eingedrungen ist. Zwischen den Enden der Schicht von der n-Type wird ein Bereich 14 von der p-Type gebildet.
Das Werkstück wird anschließend maskiert und geätzt, es werden Kontakte angebracht, und es ergibt sich der in Fig. ID gezeigte Aufbau. In diesem Aufbau kann entweder die obere Schicht der p-Type oder der innere Block der p-Type für die Basisanschlüsse benutzt werden. Die beiden Bereiche der η-Type, die durch die erste Diffusion gebildet wurden, bilden die Emitter- und die Kollektorzone des Transistors. Die Basisdicke ist äußerst gering und gestattet hierdurch einen Betrieb bei relativ hohen Frequenzen ohne Herabsetzung des Verstärkungsfaktors. Weiterhin ist die Länge der Basisschicht in Querrichtung äußerst klein, wodurch der Basiswiderstand und die Basiskapazität beträchtlich herabgesetzt werden, was die Leistungsfähigkeit bzw. Wirkungsweise noch bedeutend verbessert. Die Vorteile einer Wirkungsweise als Flächentetrode können dadurch realisiert werden, daß getrennte Anschlüsse an die Bereiche der p-Type an beiden Enden der Korngrenze hergestellt werden.
Der gebildete Aufbau kann auch als Unipolar- oder Feldwirkungstransistor benutzt werden. An die obere Schicht der p-Type wird ein Zuflußkontakt und an den inneren Körper der p-Type ein Abflußkontakt hergestellt. Bei in der vorstehenden Weise hergestellten Anschlüssen stützt die weniger abrupte Verbindungsstelle zwischen dem Material der η-Type und dem der
ίο p-Type an der Basis die höhere Spannung, und wegen ihres allmählichen Konzentrationsgradienten ist sie für den Abflußkontakt besser geeignet. Die Bereiche der η-Type werden zur Steuerung verwendet und dienen dazu, die Raumladungsschicht in dem Kanal zu verbreitern und zu verengen.
Wird der Aufbau von Fig. ID für einen Feldwirkungstransistor angewendet, so ist die Kapazität an der Verbindungsstelle zwischen der Abfluß- und der Steuerzone relativ groß, und es werden relativ hohe Steuerspannungen benötigt, um den Transistor abzusperren. In Fig. 2 ist ein verbesserter Korngrenzentransistoraufbau gezeigt, bei dem zwischen der Abfluß- und der Steuerzone Verbindungsstellen von niedriger Kapazität gebildet sind bei einem Übergang von hoher Kapazität längs des Kanals. Dies ermöglicht eine Steuerung des Kanalstromes mit relativ niedrigen Spannungen.
In den Fig. 2 A bis 2 C sind vergrößerte Darstellungen der Umgebung der wirksamen Bereiche einer Halbleiteranordnung gezeigt. Die Diffusion der Donatorstoffe in dem Körper der p-Type sowie längs der Korngrenze wird in zwei Stufen durchgeführt. Bei der ersten Diffusionsstufe wird eine relativ niedrige Konzentration von Donatorstoffen für eine relativ lange Zeitdauer angewendet, und es wird dabei eine mit dem Symbol n— bezeichnete Schicht der n-Type gebildet. Anschließend an diese Diffusion wird eine Diffusion mi t einer höheren Konzentration von Donatorstoffen kurzzeitig durchgeführt, um die Schicht der n-Type zu bilden, die mit dem Symbol n-\- bezeichnet ist. Diese Diffusionen ergeben die beiden verschieden stark dotierten Bereiche der n-Type, die in Fig. 2A dargestellt sind.
An diese Diffusionen schließt sich eine Diffusion mit einer hohen Konzentration von Akzeptorstoffen an. Im Falle λόπ Silicium diffundieren die Akzeptoratome rascher als die Donatoratome, so daß die Akzeptorstoffe die Donatorstoffe in einem gewissen Ausmaß überholen. Im Ergebnis wird an der Korngrenze ein p-\—Kanal in dem «+-Bereich gebildet. Das resultierende Diffusionsprofil ist in Fig. 2 B dargestellt.
Anschließend an die Diffusion der Akzeptorstoffe wird die Vorrichtung maskiert und geätzt, und es werden Kontakte angebracht. Es wird die in Fig. 2 C gezeigte Vorrichtung gebildet. Wie vorher beschrieben, besteht der Vorteil dieses Aufbaues in der niedrigen Kapazität des Überganges zwischen der Abfluß- und der Steuerzone sowie der hohen Kapazität des Überganges längs des Kanals.
Es ist ohne weiteres ersichtlich, daß es durch diese Technik möglich ist, Feldwirkungstransistoren herzustellen, in denen die Kanallänge und die Kanalbreite äußerst klein sind. Dies ist wichtig für die Wirkungsweise bei Hochfrequenz.
Fig. 3 erläutert das Verfahren der Herstellung einer anderen Ausführungsform von Flächentransistoren. Es wird eine kleine Scheibe aus Material der n-Type aus einem Kristall parallel zur Korngrenze 11 herausgeschnitten. Die Scheibe wird dann einer Diffusion von Akzeptorstoffen ausgesetzt. Die Diffusion der
Akzeptorstoffe längs der Korngrenze ergibt eine Basisschicht, die sich durch das Material hindurch erstreckt, wie es Fig. 3 B zeigt. Der resultierende Aufbau wird dann an den beiden Enden abgeschnitten, geätzt oder sonstwie bearbeitet und an den Seiten ebenfalls abgeschnitten, geätzt oder sonstwie behandelt, um einen Teil der Schicht der p-Type zu entfernen und einen Aufbau von der in Fig. 3 C gezeigten Art zu schaffen. Dadurch wird an die relativ lange Basiszone auf der Oberseite oder Unterseite ein Basiskontakt angeschlossen. Kontakte für Emitter und Kollektor werden, wie dargestellt, an die Bereiche der n-Type angeschlossen.
Wenngleich hier besonders Silicium und Material von einem besonderen Leitfähigkeitstyp, wie für den Ausgangsblock, genannt wurden, so ist es doch zu beachten, daß auch andere Halbleitermaterialien und der entgegengesetzte Leitfähigkeitstyp benutzt werden können. Es ist ferner zu beachten, daß die Zeichnungen lediglich erläuternde Bedeutung haben, und daß verschiedene Abmessungen dabei im Hinblick auf die Deutlichkeit übertrieben dargestellt sind.

Claims (6)

PATENTANSPRÜCHE:
1. Halbleiteranordnung mit mindestens einem flächenhaften pn-übergang, dadurch gekennzeichnet, daß ein Halbleiterkörper vom einen Leitfähigkeitstyp mit zwei einkristallinen Zonen verwendet ist, die an einer Grenzfläche zusammenhängen, einer ersten Diffusionszone vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp auf mindestens einem Teil der Oberfläche des Halbleiterkörpers, die einen flächenhaften pn-übergang mit dem Halbleiterkörper bildet, daß über der Grenzfläche des Halbleiterkörpers eine weitere Diffusionszone vom gleichen Leitfähigkeitstyp wie der des Halbleiterkörpers gebildet ist, die sich längs der Grenzfläche in den Halbleiterkörper hinein erstreckt und die erste Diffusionszone vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp durchwächst.
2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Diffusionszone vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp Teile mit verschiedenen Fremdstoffkonzentrationen enthält.
3. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Diffusionszone vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp sich an der Grenzfläche tiefer in den Halbleiterkörper als außerhalb des Bereiches der Grenzfläche erstreckt.
4. Halbleiteranordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Diffusionszone vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp sich so tief an der Grenzfläche in den Halbleiterkörper erstreckt, daß sie den Halbleiterkörper in zwei Teile aufteilt.
5. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine verlängerte Diffusion in Abwesenheit von Fremdstoffen eine relativ dünne Zone vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp längs der Grenzfläche bildet.
6. Halbleiteranordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die äußere weitere Diffusionszone teilweise entfernt ist und Basis-, Emitter- und Kollektorelektroden angebracht sind.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschrift Nr. 935 382;
USA.-Patentschrift Nr. 2 362 545;
deutsche Auslegeschrift L 16497 VIIIc/21g
kanntgemacht am 5. 4. 1956).
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
909 757/400 2.
DES57390A 1957-03-18 1958-03-17 Halbleiteranordnung mit mindestens einem flaechenhaften pn-UEbergang Pending DE1076275B (de)

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Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3103455A (en) * 1963-09-10 N-type
US3180766A (en) * 1958-12-30 1965-04-27 Raytheon Co Heavily doped base rings
NL249774A (de) * 1959-03-26
US3146135A (en) * 1959-05-11 1964-08-25 Clevite Corp Four layer semiconductive device
US2937114A (en) * 1959-05-29 1960-05-17 Shockley Transistor Corp Semiconductive device and method
NL250955A (de) * 1959-08-05
US3117260A (en) * 1959-09-11 1964-01-07 Fairchild Camera Instr Co Semiconductor circuit complexes
US3126505A (en) * 1959-11-18 1964-03-24 Field effect transistor having grain boundary therein
US3105177A (en) * 1959-11-23 1963-09-24 Bell Telephone Labor Inc Semiconductive device utilizing quantum-mechanical tunneling
DE1100177B (de) * 1959-12-08 1961-02-23 Sueddeutsche Telefon App Kabel Halbleiterdiode mit veraenderlicher Kapazitaet fuer parametrische Verstaerker
US3114864A (en) * 1960-02-08 1963-12-17 Fairchild Camera Instr Co Semiconductor with multi-regions of one conductivity-type and a common region of opposite conductivity-type forming district tunneldiode junctions
NL262176A (de) * 1960-03-11 1900-01-01
US3189798A (en) * 1960-11-29 1965-06-15 Westinghouse Electric Corp Monolithic semiconductor device and method of preparing same
US3242395A (en) * 1961-01-12 1966-03-22 Philco Corp Semiconductor device having low capacitance junction
NL297002A (de) * 1962-08-23 1900-01-01
US3307984A (en) * 1962-12-07 1967-03-07 Trw Semiconductors Inc Method of forming diode with high resistance substrate
US3473979A (en) * 1963-01-29 1969-10-21 Motorola Inc Semiconductor device
US3575644A (en) * 1963-01-30 1971-04-20 Gen Electric Semiconductor device with double positive bevel
US3246214A (en) * 1963-04-22 1966-04-12 Siliconix Inc Horizontally aligned junction transistor structure
US3254280A (en) * 1963-05-29 1966-05-31 Westinghouse Electric Corp Silicon carbide unipolar transistor
US3332810A (en) * 1963-09-28 1967-07-25 Matsushita Electronics Corp Silicon rectifier device
US3274462A (en) * 1963-11-13 1966-09-20 Jr Keats A Pullen Structural configuration for fieldeffect and junction transistors
US3430113A (en) * 1965-10-04 1969-02-25 Us Air Force Current modulated field effect transistor
US3440114A (en) * 1966-10-31 1969-04-22 Texas Instruments Inc Selective gold doping for high resistivity regions in silicon
US3593069A (en) * 1969-10-08 1971-07-13 Nat Semiconductor Corp Integrated circuit resistor and method of making the same
JPS5134268B2 (de) * 1972-07-13 1976-09-25

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2362545A (en) * 1942-01-29 1944-11-14 Bell Telephone Labor Inc Selenium rectifier and method of making it
DE935382C (de) * 1949-10-06 1955-11-17 Standard Elek Zitaets Ges Ag Spitzengleichrichter hoher Stabilitaet und Leistung

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE500302A (de) * 1949-11-30
US2793145A (en) * 1952-06-13 1957-05-21 Sylvania Electric Prod Method of forming a junction transistor
US2795742A (en) * 1952-12-12 1957-06-11 Bell Telephone Labor Inc Semiconductive translating devices utilizing selected natural grain boundaries

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2362545A (en) * 1942-01-29 1944-11-14 Bell Telephone Labor Inc Selenium rectifier and method of making it
DE935382C (de) * 1949-10-06 1955-11-17 Standard Elek Zitaets Ges Ag Spitzengleichrichter hoher Stabilitaet und Leistung

Also Published As

Publication number Publication date
FR1193425A (fr) 1959-11-03
GB847705A (en) 1960-09-14
US2954307A (en) 1960-09-27

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