DE4331937A1 - Verfahren zur Eindiffusion von Dotanten in Halbleiterfestkörper - Google Patents

Verfahren zur Eindiffusion von Dotanten in Halbleiterfestkörper

Info

Publication number
DE4331937A1
DE4331937A1 DE19934331937 DE4331937A DE4331937A1 DE 4331937 A1 DE4331937 A1 DE 4331937A1 DE 19934331937 DE19934331937 DE 19934331937 DE 4331937 A DE4331937 A DE 4331937A DE 4331937 A1 DE4331937 A1 DE 4331937A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
solid
semiconductor
medium
semiconductor body
dopant
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19934331937
Other languages
English (en)
Inventor
Ulrich Prof Dr Mohr
Hans-Joachim Prof Dr Lorkowski
Karl Dr Pfeiffer
Rainer Dipl Phys Leihkauf
Kerstin Dipl Ing Jacob
Kirsten Born
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to DE19934331937 priority Critical patent/DE4331937A1/de
Publication of DE4331937A1 publication Critical patent/DE4331937A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • H01L21/225—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer
    • H01L21/2251—Diffusion into or out of group IV semiconductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • H01L21/228—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a liquid phase, e.g. alloy diffusion processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/326—Application of electric currents or fields, e.g. for electroforming

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Eindiffusion von Dotanten in Halbleiterfestkörper, insbesondere zur Bil­ dung von Halbleiterübergängen in Siliziumkristallkörpern.
Die gebräuchlichsten Verfahren zur Dotierung von Halblei­ terfestkörpern sind Hochtemperaturfestkörperdiffusion, Ionenimplantation und die in letzter Zeit im Zusammenhang mit der Anwendung von Laserstrahlung wieder aktuelle Le­ gierungsdiffusion.
Diese Verfahren haben jeweils spezifische Nachteile. Hochtemperaturdiffusion und Ionenimplantation verursachen chemische und strukturelle Fehler im Gitteraufbau, welche die elektrischen Eigenschaften damit behafteter Bauele­ mente verschlechtern. Durch aufwendige zusätzliche Maß­ nahmen, wie genaue Temperaturverlaufssteuerung während der Aufheiz- und Abkühlphasen und Vorkehrungen zur Zu­ rückhaltung von ungewollten, meist rasch diffundierenden Stoffen bei der Hochtemperaturdiffusion können die nega­ tiven Auswirkungen begrenzt werden.
Der Ionenimplantation ist stets eine Temperaturbehandlung zur Ausheilung der durch die Implantation erzeugten Strukturdefekte nachgeschaltet, welche ähnliche Nachteile mit sich bringt wie die Hochtemperaturfestkörperdiffu­ sion.
Legierungsdiffusion, bei der sich der Dotierstoff in der Festkörperschmelze sehr schnell verteilt, führt zu sogen. steilen Profilen in dem nach dem Aufschmelzen wieder schnell erstarrenden, dotierten Gebiet. Der rasche Kon­ zentrationsabfall des Dotanten an der Grenze des dotier­ ten Bereiches ist für bestimmte Anwendungen nachteilig, z. B. sind für einen günstigen Feldverlauf, wie er für höhere Sperrspannungen nötig ist, flach auslaufende pn- Übergänge nötig.
In der DE-OL 35 03 264 ist ein weiteres Verfahren beschrie­ ben, welches die Änderung der lokalen atomaren Zusammen­ setzung von Festkörpern, insbesondere von Halbleitern durch Anlegen einer Gleichspannung im Volt-Bereich an den vorher dotierten Festkörper benutzt, wodurch ein Teil der Festkörperbestandteile zu einer der beiden Spannung er­ zeugenden Elektroden wandert und somit die elektrischen Eigenschaften in bestimmten Volumenbereichen eingestellt werden können. Voraussetzung für das Verfahren ist, daß sich die Dotanten bereits im Festkörper befinden. Durch das elektrische Feld erfolgt lediglich eine Umverteilung. Dieses Verfahren ist nur eingeschränkt anwendungsfähig und zwar ist es nicht geeignet, um höhere Dotierungskon­ zentrationen, wie sie z. B. für den elektrischen Anschluß von p- und n-leitenden Bereichen an der Oberfläche und in einem an die Oberfläche angrenzenden Volumengebiet gerin­ ger Tiefe benötigt werden, von außen einzubringen. Für die Schaffung von Dotierungsprofilen mit hohen Oberflä­ chenkonzentrationen müßte der Dotant vor Anlegen der Gleichspannung in den Festkörper eingebracht werden, da­ mit er als Teil der Festkörperbestandteile im elektri­ schen Feld wandern kann. Das aber bedeutet zusätzlichen Aufwand.
Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein verbessertes Verfahren zur Eindiffusion von Dotanten in oberflächenna­ he Volumenbereiche von Halbleiterfestkörpern anzugeben, und zwar in einer Weise, welche das Kristallvolumen vor schädlichen Temperatureinflüssen schützt und die mit in der Mikroelektronik gebräuchlichen Abmessungen pn-Über­ gänge mit flach auslaufendem Dotierungsprofil durch Fest­ körperdiffusion herzustellen gestattet.
Gelöst wird die Aufgabe gemäß dem kennzeichnenden Merkmal des Hauptanspruchs, also durch ein Verfahren zur Eindif­ fusion von Dotanten in Halbleiterfestkörper, insbesondere zur Dotierung von Siliziumkristallkörpern durch Anlegen einer Gleichspannung und unter Wärmeeinwirkung, bestehend aus einem das Dotierungsmaterial enthaltenden Medium, mit dem die Halbleiterfestkörperoberfläche überschichtet ist und an welches mit Hilfe einer Elektrode eine Gleichspan­ nung angelegt wird, während der Gegenpol an der gegen­ überliegenden Halbleiterfestkörperfläche direkt anliegt und der Halbleiterfestkörper bei eingeschalteter Spannung in dem Bereich des überschichteten Mediums impulsartig erwärmt wird, wobei die Dotanten aus dem Medium sich an der Grenzfläche zum Halbleiterfestkörper anreichern und in den Halbleiterfestkörper übergehen und in diesem entsprechend der Richtung des angelegten Gleichfeldes transportiert werden. Die anzuwendenden Temperaturen sind niedriger als bei der Hochtemperaturdiffusion. Besonders günstig gestaltet sich der Einsatz von Lasern zur Erwärmung des Halbleiterfestkörpers, wenn die Wellen­ länge der Strahlung so gewählt wird, daß diese das den Dotierstoff enthaltende Medium ohne wesentliche Schwä­ chung durchsetzt und in einer sehr dünnen Schicht nahe der Oberfläche des Halbleiterfestkörpers absorbiert wird. Die Erwärmung ist dann lokal begrenzt.
Günstig ist es auch, wenn das überschichtende Medium eine wäßrige Lösung einer den oder die Dotanten enthaltenden chemischen Verbindung ist, die durch eine elektrochemi­ sche Reaktion, durch die Laser-Bestrahlung oder durch die kombinierte Wirkung von beidem die Dotanten als Ionen freisetzt, die dann zur Grenzfläche Dotiermedium-Festkör­ per transportiert werden, bzw. in diesem Bereich entste­ hen und forciert eindiffundieren.
Das Dotierungsmaterial kann aber auch ein fester Film sein, der z. B. aus einer aufgetragenen Dotierflüssigkeit oder durch ein Abscheideverfahren, z. B. ein CVD-Verfah­ ren, gebildet wurde. Hierbei wird die eine Elektrode direkt mit dem festen Film verbunden. Zweckdienlich kann auch eine gut leitende, den Kontakt verbessernde und mög­ liche Unebenheiten des festen Films ausgleichende Zwi­ schenschicht sein.
Das Dotierungsmaterial kann in den festen Film aus­ schließlich oder additiv durch Ionenimplantation einge­ bracht werden, was den Vorteil hat, daß in vorausbestimm­ baren Gebieten unterschiedliche Konzentrationen des oder der Dotanten abgelagert werden können.
Für die Erzeugung lateral strukturierter Diffusionsgebie­ te wird der Halbleiterkristallkörper nur in den Bereichen erwärmt, in denen Diffusion stattfinden soll, was z. B. durch einen gebündelten Laserstrahl erreicht werden kann. Das Muster entsteht dabei durch eine gesteuert ablaufende Relativbewegung zwischen Laserstrahl und Halbleiterkri­ stallkörper.
Dabei können bestimmte Stellen auch mehrfach vom Laser­ strahl überstrichen werden und es können auch die Laser­ parameter, die Fokussierung des Laserstrahles, bzw. der Abstand Fokus/Halbleiterfestkörperoberfläche und der Be­ wegungsablauf der Relativbewegung während des Ablaufes gezielt verändert werden, womit die Möglichkeit gegeben ist, bestimmte Dotierungsprofilverläufe zu erzeugen.
Die Erfindung wird nunmehr anhand eines Ausführungsbei­ spiels in Verbindung mit der Zeichnung näher beschrieben. In der Zeichnung zeigt
Fig. 1 eine schematische Schnittdarstellung der Einrich­ tung zur Eindiffusion von Dotanten aus einem flüssigen Medium.
Fig. 2 ein Dotantenprofil welches nach dem erfindungsge­ mäßen Verfahren mit einer der schematischen Darstellung gemäß Fig. 1 entsprechenden Einrichtung erhalten wurde.
In Fig. 1 liegt auf einem metallischen Grundkörper 1 eine zu dotierende Halbleiterkristallscheibe 2 so auf, daß diese einen guten elektrischen Kontakt mit dem Grundkörper 1 hat. Über einer elektrisch isolierenden und chemisch resistenten Dichtung 3 befindet sich ein eben­ falls elektrisch isolierender und chemisch resistenter fester Ring 4, an dessen Innenfläche in einem bestimmten Abstand von seiner Unterseite eine ringförmige Elektrode 5 angebracht ist, die z. B. aus Platin besteht.
Über die Klemmhebel 6 mit den Klemmschrauben 7 ist der Ring 4 so angedrückt, daß er den Innenraum 8 nach unten gegen Flüssigkeiten dicht abschließt. Das flüssige Medium mit dem oder den Dotanten wird bis zur Höhe 9 aufgefüllt. An die Elektroden 10 und 11 wird eine Gleichspannung an­ gelegt und der Laserstrahl 12, der in der x- und y-Rich­ tung führbar ist, durchdringt das flüssige Dotiermedium und erwärmt die Stelle der Halbleiterkristallscheibe, auf die er auftrifft.
Bei Verwendung einer 100-Siliziumscheibe (n-leitend; spez. elektr. Widerstand ca. 20 Ωcm), einer wäßrigen Bor-Dotierlösung (40 g Borsäure in 1 l Wasser gelöst), einem Abstand Ringelektrode-Oberfläche Siliziumscheibe von ca. 2 mm, einer Spannung von 30 V, (Plus-Pol am Pla­ tinring; Minus-Pol an der Siliziumscheibe) und Bestrah­ lung mit einem gütegeschalteten Nd/YAG-Laser (50 MBit- Laser, Schaltfrequenz 10 kHz, Energie des Einzelimpulses ca. 0,2 mJ) mit einer Fahrgeschwindigkeit (scan) des Laserstrahles über die polierte Siliziumober-fläche von 5 mm/s, ergab sich ein Borprofil mit einer Oberflächenkon­ zentration von ca. 1018 Atomen/cm3 und einer Eindringtiefe von 350 nm (siehe Fig. 2).
Bezugszeichenliste
Fig. 1:
 1 Grundkörper aus Metall
 2 Siliziumscheibe
 3 Dichtung aus elektrisch isolierendem Material
 4 fester Ring, der chemisch resistent ist, aus Isoliermaterial
 5 Ringelektrode aus Platin
 6 Klemmhebel
 7 Klemmschraube
 8 Innenraum für das flüssige Medium, welches das Dotiermaterial enthält
 9 Niveau, bis zu dem das flüssige Medium reicht, welches das Dotiermaterial enthält
10 elektrischer Anschluß für die Ringelektrode
11 elektrischer Anschluß für die Siliziumscheibenelektrode (Grundkörper)
12 Laserstrahl
X, Y, Z Bewegungsrichtungen des Laserstrahles

Claims (13)

1. Verfahren zur Eindiffusion von Dotanten in Halbleiter­ festkörper, insbesondere zur Dotierung von Silizium­ kristallkörpern durch Anlegen einer Gleichspannung und unter Wärmeeinwirkung, dadurch gekennzeichnet, daß der zu dotierende Teil der Halbleiterfestkörperoberfläche mit einem das Dotierungsmaterial enthaltenden Medium überschichtet wird, welches mit der einen Elektrode einer Gleichstromquelle verbunden ist, während die zweite den Halbleiterfestkörper kontaktiert und der Halbleiterfestkörper bei an den Elektroden anliegender Spannung in dem Bereich des überschichteten Mediums impulsartig erwärmt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die impulsartige Erwärmung auf einen oberflächennahen Volumenbereich des Halbleiterfestkörpers beschränkt erfolgt.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die impulsartige Erwärmung des Halbleiterfestkörpers durch Laser-Strahlung erfolgt.
4. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das den Dotierstoff enthaltende Medium für das Laserlicht transparent ist und die Absorption im wesentlichen im oberflächennahen Volumenbereich des Halbleiterfestkörpers stattfindet.
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das das Dotierungsmaterial enthaltende Medium eine Flüssigkeit ist.
6. Verfahren nach Anspruch 1 und 5, dadurch gekennzeich­ net, daß die das Dotierungsmaterial enthaltende Flüs­ sigkeit ein Elektrolyt ist.
7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das das Dotierungsmaterial enthaltende Medium ein fester Film ist.
8. Verfahren nach Anspruch 1 und 7, dadurch gekennzeich­ net, daß der feste Film durch eine auf die Halbleiter­ festkörperoberfläche aufgebrachte und verfestigte Do­ tierflüssigkeit gebildet wird.
9. Verfahren nach Anspruch 1 und 7, dadurch gekennzeich­ net, daß der feste Film durch eine mittels des CVD- Verfahrens abgeschiedene Schicht gebildet wird.
10. Verfahren nach den Ansprüchen 1, 7 und 9, dadurch ge­ kennzeichnet, daß das Dotierungsmaterial durch Ionenimplantation in das den Halbleiterfestkörper überschichtende Medium eingebracht ist.
11. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zum Zweck der Ausbildung eines dotierten Musters mit Hilfe von Laserlicht eine gesteuerte Relativbewegung zwischen Laserstrahl und Halbleiterfestkörperoberfläche realisiert wird.
12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß bestimmte Gebiete der Halbleiterfestkörperober­ fläche mehrfach vom Laserstrahl überfahren werden.
13. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß während der Relativbewegung Betriebsparameter des Lasers sowie Fokussierung, bzw. der Abstand Fokus- Halbleiterfestkörperoberfläche gezielt verändert wer­ den.
DE19934331937 1993-09-16 1993-09-16 Verfahren zur Eindiffusion von Dotanten in Halbleiterfestkörper Withdrawn DE4331937A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19934331937 DE4331937A1 (de) 1993-09-16 1993-09-16 Verfahren zur Eindiffusion von Dotanten in Halbleiterfestkörper

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19934331937 DE4331937A1 (de) 1993-09-16 1993-09-16 Verfahren zur Eindiffusion von Dotanten in Halbleiterfestkörper

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE4331937A1 true DE4331937A1 (de) 1994-03-17

Family

ID=6498123

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19934331937 Withdrawn DE4331937A1 (de) 1993-09-16 1993-09-16 Verfahren zur Eindiffusion von Dotanten in Halbleiterfestkörper

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE4331937A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1996010264A1 (en) * 1994-09-27 1996-04-04 Nanophase Diamond Technologies, Inc. Field-enhanced diffusion using optical activation

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1267351B (de) * 1964-04-30 1968-05-02 Atomic Energy Of Canada Ltd Verfahren zum Herstellen von strahlungsempfindlichen Sperrschichtzellen mit einem pin-UEbergang
DD141378A1 (de) * 1979-01-08 1980-04-23 Geiler Hans Dieter Verfahren zur erzeugung dotierter schichten in festkoerperoberflaechen
EP0028678A2 (de) * 1979-08-29 1981-05-20 Hitachi, Ltd. Störstoffdiffusionsverfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
EP0058566A2 (de) * 1981-02-17 1982-08-25 Fujitsu Limited Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einem Diffusionsschritt
DE3221180A1 (de) * 1981-06-05 1983-01-05 Mitsubishi Denki K.K., Tokyo Verfahren und vorrichtung zur herstellung einer halbleitervorrichtung
US4392928A (en) * 1982-01-26 1983-07-12 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Method of doping a semiconductor
US4521411A (en) * 1983-11-04 1985-06-04 Theodora Koloff Analgesic composition
EP0190605A2 (de) * 1985-01-31 1986-08-13 Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Verfahren zur Änderung der lokalen, atomaren Zusammensetzung von Festkörpern, insbesondere Halbleitern
US4619036A (en) * 1984-09-28 1986-10-28 Texas Instruments Incorporated Self-aligned low-temperature emitter drive-in
US4621411A (en) * 1984-09-28 1986-11-11 Texas Instruments Incorporated Laser-enhanced drive in of source and drain diffusions
DE3610157A1 (de) * 1986-03-26 1987-10-01 Licentia Gmbh Verfahren zur herstellung mindestens eines pn-ueberganges
DE3640713A1 (de) * 1986-03-24 1987-10-08 Westinghouse Electric Corp Verfahren zur bildung von halbleiteruebergaengen
DE4223403C1 (de) * 1992-07-16 1993-12-09 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Erzeugung von strukturierten, dotierten Bereichen auf Festkörpern

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1267351B (de) * 1964-04-30 1968-05-02 Atomic Energy Of Canada Ltd Verfahren zum Herstellen von strahlungsempfindlichen Sperrschichtzellen mit einem pin-UEbergang
DD141378A1 (de) * 1979-01-08 1980-04-23 Geiler Hans Dieter Verfahren zur erzeugung dotierter schichten in festkoerperoberflaechen
EP0028678A2 (de) * 1979-08-29 1981-05-20 Hitachi, Ltd. Störstoffdiffusionsverfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
EP0058566A2 (de) * 1981-02-17 1982-08-25 Fujitsu Limited Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einem Diffusionsschritt
DE3221180A1 (de) * 1981-06-05 1983-01-05 Mitsubishi Denki K.K., Tokyo Verfahren und vorrichtung zur herstellung einer halbleitervorrichtung
US4392928A (en) * 1982-01-26 1983-07-12 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Method of doping a semiconductor
US4521411A (en) * 1983-11-04 1985-06-04 Theodora Koloff Analgesic composition
US4619036A (en) * 1984-09-28 1986-10-28 Texas Instruments Incorporated Self-aligned low-temperature emitter drive-in
US4621411A (en) * 1984-09-28 1986-11-11 Texas Instruments Incorporated Laser-enhanced drive in of source and drain diffusions
EP0190605A2 (de) * 1985-01-31 1986-08-13 Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Verfahren zur Änderung der lokalen, atomaren Zusammensetzung von Festkörpern, insbesondere Halbleitern
DE3640713A1 (de) * 1986-03-24 1987-10-08 Westinghouse Electric Corp Verfahren zur bildung von halbleiteruebergaengen
DE3610157A1 (de) * 1986-03-26 1987-10-01 Licentia Gmbh Verfahren zur herstellung mindestens eines pn-ueberganges
DE4223403C1 (de) * 1992-07-16 1993-12-09 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Erzeugung von strukturierten, dotierten Bereichen auf Festkörpern

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
et.al.: Laser-stimulated diffusion on gold in silicon. In: Sov.Phys.Semicond.26,No.7,July 1992, S.715-718 *
SINGER, Pete: Trends in Liquid Sources. In: Semi- conductor Intrnational 1993, Vol.6, S.92-97 *
ZAKIROV, A.S. *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1996010264A1 (en) * 1994-09-27 1996-04-04 Nanophase Diamond Technologies, Inc. Field-enhanced diffusion using optical activation
US5597762A (en) * 1994-09-27 1997-01-28 Nonophase Diamond Technologies, Inc. Field-enhanced diffusion using optical activation

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE949512C (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterkoerpern
DE3135993A1 (de) "verfahren zur herstellung von kontakten mit geringem widerstand in halbleitervorrichtungen"
DE2917654A1 (de) Anordnung und verfahren zum selektiven, elektrochemischen aetzen
DE2036139A1 (de) Dunnfümmetallisierungsverfahren fur Mikroschaltungen
DE2326751A1 (de) Halbleiter-speichervorrichtung und feldeffekttransistor, der fuer die verwendung in dieser vorrichtung geeignet ist
DE2354523C3 (de) Verfahren zur Erzeugung von elektrisch isolierenden Sperrbereichen in Halbleitermaterial
DE1696075B2 (de) Verfahren zur partiellen Galvanisierung einer Halblefterschicht
DE1131329B (de) Steuerbares Halbleiterbauelement
DE1024640B (de) Verfahren zur Herstellung von Kristalloden
DE1514055A1 (de) Kuehlvorrichtung mit mindestens zwei zueinander parallel verlaufenden Kuehlblechen,insbesondere fuer Injektionslaser
DE2628381C3 (de)
DE2123595A1 (de) Halbleiteranordnung
DE2943863A1 (de) Halbleiterbauelement und verfahren zur kontaktierung eines teilbereichs einer halbleiterflaeche
EP0982768A1 (de) Verfahren zur Einstellung der Trägerlebensdauer in einem Halbleiterbauelement
DE1229650B (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-bauelementes mit pn-UEbergang nach der Planar-Diffusionstechnik
DE4331937A1 (de) Verfahren zur Eindiffusion von Dotanten in Halbleiterfestkörper
DE2816517B2 (de) Verfahren zur Änderung der Konzentration eines Fremdstoffes in einem Festkörper
EP1104033B1 (de) Verfahren zur Erzeugung einer supraleitfähigen Schicht
DE1963131A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterelementen
DE3114181A1 (de) Beruehrungsfreie technik fuer galvanische roentgenstrahllithographie
EP0018556B1 (de) Anordnung und Verfahren zum selektiven, elektrochemischen Ätzen
DE2013625A1 (de) Verfahren zur Vorablagerung von Fremdstoffen auf eine Halbleiteroberfläche
DE1544200C3 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterkörpern
EP0168771A1 (de) Verfahren zur gezielten Erzeugung von lateralen Dotierungs-gradienten in scheibenförmigen Siliziumkristallen für Halbleiterbauelemente
DE1129624B (de) Verfahren zum Herstellen eines Drift-Transistors mit einem plaettchen-foermigen Halbleiterkoerper mit einem Widerstandsgradienten entlang seiner Dicke

Legal Events

Date Code Title Description
OAV Applicant agreed to the publication of the unexamined application as to paragraph 31 lit. 2 z1
OR8 Request for search as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law
8122 Nonbinding interest in granting licenses declared
8105 Search report available
8139 Disposal/non-payment of the annual fee