DE2013625A1 - Verfahren zur Vorablagerung von Fremdstoffen auf eine Halbleiteroberfläche - Google Patents

Verfahren zur Vorablagerung von Fremdstoffen auf eine Halbleiteroberfläche

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DE2013625A1 DE19702013625 DE2013625A DE2013625A1 DE 2013625 A1 DE2013625 A1 DE 2013625A1 DE 19702013625 DE19702013625 DE 19702013625 DE 2013625 A DE2013625 A DE 2013625A DE 2013625 A1 DE2013625 A1 DE 2013625A1
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Description

Verfahren zur Vorablagerung von Fremdstoffen auf eine Halbleiteroberfläche.
Für diese Anmeldung wird die Priorität aus der entsprechenden U.S. Anmeldung Serial No. 811 116 vom 27· März 1969 in Anspruch genommen.
Die Erfindung bezieht sich allgemein auf Herstellungsverfahren von Halbleitern und insbesondere auf ein Verfahren zur gesteuerten und reproduzierbaren Herstellung einer Vorablagerung von Fremdstoffatomen in einer niedrigen Konzentration auf Silizium.
Die Vorablagerung eines Fremdstoffes auf eine Halbleiterunterlage erfolgt typischerweise dadurch, daß die Unterlage in einen angewärmten Ofen eingebracht und der Fremdstoff dem Plättchen in der Form eines Gasstroms zugetragen wird. Diese Vorablagerung "im offenen Rohr" erfolgt im allgemeinen bei Temperaturen zwischen 800 0C bis 1300 0C. Die Fremdstoffkonzentrationen, die sich vermittels dieses Verfahrens der Vorablagerung erhalten lassen, schwanken je nach dem Fremdstofftyp, der in verdampfter Form in dem Gasstrom suspendiert ist, wobei sich für unter
1 8
1 x 10 Atomen pro Kubikzentimeter (ecm) liegende Oberflächenkonzentrationen selten gleichförmige und reproduzierbare Ergebnisse erhalten lassen. Bei Verwendung von phosphorhaltigen
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Fremdstoffen läßt sich vielleicht eine einstellbare Oberflächenkonzentration von nur 1 · 10 ^ Atomen pro ecm erreichen. Wenn man jedoch versucht, die Konzentration unterhalb dieses Wertes zu senken, wird die Vorablagerung selbst unregelmäßiger und erratischer, so daß die anschließende Diffusion nicht genau steuerbar ist. In gleicher Weise ist es sehr schwierig, mit
l8 Brennofenverfahren Antimonablagerungen unterhalb etwa 1 · 10 Atomen pro ecm zu erhalten. Andere Fremdstoffe wie z.B. Bor, Aluminium und Gallium lassen sich in entsprechender Weise vorablagern und anschließend diffundieren, sind jedoch gleich-
18 falls auf Konzentrationen oberhalb von 1 * 10 Atomen pro ecm begrenzt.
In einigen Fällen werden auch andere Verfahren angewandt, von denen eines darin besteht, daß eine schwere Ablagerung des Fremdstoffes unmittelbar bei Zimmertemperatur durch Galvanisieren, Verdampfen oder durch Farbauftragung auf die Plättchen aufgebracht wird. Diese Plättchen werden anschließend erhitzt, so daß die Fremdstoffe von dieser Ablagerung aus unmittelbar in das Plättchen eindiffundiert werden. Diese Verfahren werden jedoch nur in seltenen Fällen zur Herstellung von integrierten Schaltungen verwendet, da derartige schwere Ablagerungen im allgemeinen eine Beschädigung der Oberfläche zur Folge haben.
Mit dem Fortschritt der integrierten Schaltungstechnik ist es wünschenswert geworden, Oberflächenkonzentrationen zu erzielen, die unterhalb der derzeitigen unteren Grenze von
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1 · 10 Atomen pro ecm liegen. Derartige niedrigere Konzentra-
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tionen eignen sich beispielsweise als Inversions-Schutzschichten in den Feldzonen von Halbleiterbauteilen und als n-Verarmungs-Kanäle für Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor-Bauteile.
Es ist daher Aufgabe der Erfindung, ein neues Verfahren zur Herstellung von Vorablagerungszonen niedriger Fremdstoffkonzentration in Halbleiterbauteilen zu schaffen. Weiterhin soll ein Verfahren zur Vorablagerung von Fremdstoffen in einer niedrigen Konzentration auf Halbleiterbauteilen angegeben werden, bei welchem vermittels der Vorablagerung und einer Diffusion äußerst niedrige Konzentrationen von Fremdstoffatomen in den Oberflächenzonen von Halbleitervorrichtungen erhalten werden.
Das vorgeschlagene Verfahren zeichnet sich erfindungsgemäß dadurch'aus, daß das Oxid von einem Abschnitt der Oberfläche eines Halbleiterplättchens oder einer Halbleiteroberfläche entfernt und ein vorbestimmter Oberflächenabschnitt des Plättchens freigelegt wird, eine oxidierende Lösung mit einer vorbestimmten Konzentration von Halbleiterfremdstoffen hergestellt und diese oxidierende Lösung für eine vorbestimmte Zeitspanne in eine kontinuierliche Berührung mit der freiliegenden Fläche des Plättchens gebracht und dadurch auf der freigelegten Oberfläche ein Oxid ausgebildet wird, das eine vorbestimmte Fremdstoffkonzentration aufweist.
Nach dem erfindungsgemäß vorgeschlagenen Verfahren zur Vorablagerung sehr niedriger Fremdstoffkonzentrationen auf einem Halbleiterplättchen wird also (1) das Halbleiterplättchen in eine
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nichtoxidierende saure Lösung eingetaucht, um das Oxid von vorbestimmten Oberflächenabschnitten des Plättchens zu entfernen und diese Abschnitte sehr reaktionsfreudig zu machen, (2) werden die reaktionsfreudigen (reaktiven) Oberflächen in entionisiertem Wasser abgespült und (3) dann wird das Plättchen in eine oxidierende Lösung, die eine eingestellte Fremdstoffkonzentration enthält, eingetaucht, um auf dem Plättchen eine neue Oxidschicht auszubilden, die gewissermaßen mit dem Fremd-" stoff "imprägniert" ist. Das Plättchen wird anschließend in einem Diffusionsofen erhitzt, damit die vorher abgelagerten Fremdstoffe aus dem Oxid in die Oberfläche des Plättchens getrieben werden.
Obwohl der Hauptvorteil dieses Verfahrens darin besteht, daß sich damit sehr niedrige Oberflächenkonzentrationen des Fremdstoffes erhalten lassen, weist dieses Verfahren im Vergleich zu bekannten Verfahren noch weitere Vorteile auf, die für den Fachmann ohne weiteres aus der nachstehenden Beschrei- |l bung eines besonderen Ausführungsbeispiels ersichtlich sind, das anhand der Zeichnungen näher erläutert wird.
Figuren 1-7 veranschaulichen ein neues Verfahren zur
Vorablagerung und Diffusion von Fremdstoffen nach der Erfindung. Figur 8 zeigt die Art und V/eise, in welcher die
Freir.dstoffe in die Halbleiterunterlage getrieben werden.
Figur 9 stellt einen Metall-Oxid-Halbleiter-Feld-
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effekttransistor-Aufbau mit einem Verarmungsn-Kanal nach der Erfindung dar.
Pig. Io stellt einen Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor-Aufbau mit einer Feldinversions-Schutzschicht nach der Erfindung dar.
Die Oberfläche eines Siliziumplättchens, das gerade in Flußwasserstoffsäure getaucht worden ist, stellt eine reaktionsfreudige Oberfläche dar, die sehr schnell eine Oxidschicht (SiOp) ausbildet, wenn das Plättchen in eine oxidierende Säure eingetaucht wird. Wenn Verbindungen eines n-Premdstoffes wie z.B. Antimon oder Arsen in der oxidierenden Säure gelöst sind, werden diese Fremdstoffatome in das entstehende Oxid eingelagert .
Die Einstellung der Premdstoffeinlagerung kann auf verschiedene Weise erfolgen. Ein wirksames Verfahren besteht darin, die Siliziumplättchen nach dem Herausnehmen aus der Flußwasserstoffsäure und vor dem Eintauchen in die dotierte saure Lösung in eine reine oxidierende Säure einzutauchen. Je'länger die Eintauchzeit in der reinen Oxidationssäure ist, desto niedriger wird die Konzentration der von der dotierten Säure eingelagerten Fremdstoffatome.
Die Einstellung kann auch dadurch erzielt werden, daß die Konzentration der Fremdstoffverbindung in der Oxidationssäure verändert wird. Bei einer gesättigten Lösung von Antimontrioxid (Sb-O,) in konzentrierter Schwefelsäure (HpSO1,) bestimmt alleine die Temperatur die Menge von Sb2O,, die in der
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Säure gelöst werden kann. Das stellt ein handliches Mittel zur Herstellung identischer Mengen von Dotierungslösungen zu verschiedenen Zeitpunkten, wie auch zur Einstellung der Fremdstoffeinlagerung dar. Je höher die Temperatur der gesättigten Dotierungslösung beim Eintauchen der Siliziumplättchen ist, desto höher wird die Konzentration der von der dotierten Säure eingelagerten Premdstoffatome.
h Ein typischer Vorablagerungs-Arbeitsablauf ist wie folgt.
Zunächst werden die Siliziumplättchen eine Minute lang in eine Lösung von zehn Teilen entionisiertem Wasser auf einen Teil konzentrierter Plußwasserstoffsäure eingetaucht. Dann werden die Plättchen zwei Minuten lang in fließendem entionisiertem Wasser abgespült und zwei Minuten lang in entionisiertem Wasser gekocht. Anschließend werden die Plättchen zehn Sekunden lang in eine reine konzentrierte Salpetersäure eingetaucht und dann unverzüglich ganz in die Dotierungslösung eingetaucht.
Nach zehn Minuten werden die Plättchen aus der Dotierungslösung herausgenommen, zehn Minuten lang in fließendem entionisiertem Wasser abgespült und anschließend zehn Minuten lang in entionisiertem Wasser gekocht, um alle Fremdstoffspuren zu entfernen, die nicht von dem Oxid gebunden sind. Dann werden die Plättchen mit sauberem, gefiltertem Stickstoff trocken geblasen und sind dann vorbereitet für eine anschließende Diffusion oder Oxidation, durch welche die in das Oxid eingelagerten Fremdstoffatome oder -ionen in das Silizium getrieben werden.
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Die Dotierungslösung wird vorher hergestellt, indem konzentrierter Schwefelsäure Antimontrioxid in einer Menge zugesetzt wird, die größer ist als die Menge, die sich bei I50 0C in der Säure löst.
Die EnIkonzentration des Fremdstoffes in dem Silizium (nach einer anschließenden dreistündigen Oxidation bei 1200 °C in nassem Sauerstoff) liegt in der Größenordnung von 1 · 10 Atomen pro ecm. Diese Konzentration läßt sich vermittels der vorstehend genannten Einstellverfahren innerhalb eines Bereiches von wenigstens 1 · 10 ■* bis 1 · 10 ' Atomen pro ecm verändern, über diesen ganzen Bereich sind die Vorablagerungen gleichförmig und reproduzierbar.
Die Konzentration einer nach dem vorstehend beschriebenen Verfahren durchgeführten Vorablagerung läßt sich vermittels wenigstens drei unterschiedlicher Verfahren ermitteln. Das erste Verfahren besteht darin, daß die Durchbruchspannung eines p-überganges gemessen wird, der in eine n-Siliziumunterlage eindiffundiert ist, welche an ihrer Oberfläche eine derartige Vorablagerung eines n-Fremdstoffes enthält. Das zweite Verfahren besteht darin, daß die Kapazitäts-Spannungs-Inversionspunkte von Metall-Oxid-Halbleiter-Ringpunkten gemessen werden. Schließlich läßt sich die Konzentration auch noch durch Messung des Scheibenwiderstandes und der übergangstiefe einer derartigen Vorablagerung (vom η-Typ) in einer p-Siliziumunterlage hohen spezifischen Widerstandes bestimmen.
Die folgende Beschreibung richtet sich auf die Figuren 1-7 der Zeichnung, welche die Anwendung des erfindungsgemäßen
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Verfahrens graphisch veranschaulichen. In Fig. 1 der Zeichnung ist ein zur Veranschaulichung dienender Querschnitt durch ein Plättchen 10 aus n-Halbleitermaterial mit einer auf seiner Oberfläche ausgebildeten Oxidschicht 12 dargestellt. Eine ausgewählte Zone oder ein ausgewählter Abschnitt 14 ist durch Ätzen entfernt worden, um die Oberfläche 18 freizulegen. Da jedoch eine freigelegte Oberfläche eines Siliziumplättchens in Luft fc auch bei Zimmertemperatur sehr reaktionsfreudig ist, bildet sich auf der Oberfläche des Abschnittes lh unvermeidlich eine dünne Oxidschicht 16 von mehreren hundert 8 Dicke aus. Das ist immer dann der Fall, wenn das Plättchen auch nur kurzzeitig der Luft ausgesetzt ist. Aus diesem Grunde ist es notwendig, diese Oxidschicht 16 unbekannter Dicke zu entfernen, um die reaktionsfreudige oder reaktive Oberfläche 18 erneut freizulegen.
Entsprechend der Erfindung wird das Plättchen IO in der in Fig. 2 dargestellten Weise angenähert eine Minute lang in eine saure Lösung eingetaucht, um die Oxidschicht l6 zu entfernen. Wie bereits ausgeführt, besteht die saure Lösung 20 typischerweise aus einer verdünnten Lösung von Flußwasserstoffsäure. Nachdem das Plättchen 10 aus der sauren Lösung 20 herausgenommen worden ist, wird es in genau bestimmter Weise abgespült und gereinigt. Ein typischer Spül- und Reinigungsvorgang besteht darin, daß das Plättchen zwei Minuten lang in entionisiertem Wasser abgespült und dann zwei Minuten lang in entionisiertem Wasser gekocht wird.
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Nach diesem Arbeitsvorgang ist die Oberfläche 18 des Plättchens 10 vollständig freigelegt, wie Fig. 3 zeigt, so daß diese Fläche jetzt sehr reaktionsfreudig ist. Das Plättchen 10 wird nun unverzüglich in die Dotierungssäure 22 eingetaucht. Wenn es sich bei der Lösung 22 um eine reine oxidierende Säure handelt, wird auf der Oberfläche l8 des Plattchens in dem freigelegten Abschnitt 14 lediglich ein reines Oxid ausgebildet. Die Lösung .22 besteht jedoch entsprechend der Erfindung typischerweise aus einer gesättigten Lösung von Salpetersäure und Phosphor, wenn in das Plättchen 10 phosphorhaltige Fremdstoffe eindiffundiert werden sollen, oder aus Schwefelsäure und Antimontrioxid, wenn in das Plättchen 10 Antimonfremdstoffe eindiffundiert werden sollen.
Das Plättchen 10 wird zwei bis zehn Minuten lang in der Lösung 22 belassen, so daß in dem Abschnitt 14 eine dotierte Oxidschicht 24 ausgebildet wird, wie in Fig. 5 der Zeichnung dargestellt ist. Die Konzentration der Fremdstoffionen in der Oxidschicht 24 wird natürlich durch die Konzentration der den Fremdstoff enthaltenden Säure in der Lösung 22 vorgegeben, die sorgfältig eingestellt ist, um die gewünschte Premdstoffkonzentration zu erhalten (zwischen 1 · 10 ^ und 1 · 10 ' Atomen pro ecm).
Die Fremdstoffkonzentration in der Oxidschicht 24 kann auch, wie bereits erwähnt, durch die Eintauchzeit des Plättchens 10 in eine reine oxidierende Säure vor dem Eintauchen desselben in die dotierende Lösung 22 gesteuert werden.
Nachdem das Plättchen 10 aus der dotierenden Lösung 22
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- Io -
herausgenommen worden ist, wird es in fließendem entionisiertem Wasser angenähert zehn Minuten lang abgespült und anschließend angenähert zehn Minuten lang in entionisiertem Wasser gekocht, um alle Fremdstoffspuren zu entfernen, die nicht innerhalb der Oxidschicht 24 gebunden sind. Dann wird das Plättchen 10 mit reinem, gefiltertem Stickstoff trocken geblasen.
Um die innerhalb der Oxidschicht 24 befindlichen Fremdstoffe in das Plättchen 10 zu treiben, wird das Plättchen in einen Diffusionsofen 26 eingebracht und während einer Zeitspanne von etwa dreißig Minuten bis zu zwei Stunden auf angenähert 1200 0C erhitzt. Dadurch diffundieren die Fremdstoffionen in der Schicht 24 bis zu einer Tiefe von angenähert 3 u in die Oberfläche des Plattchens 10 und bilden damit eine η Zone 28 aus, wie in Fig. 7 der Zeichnung dargestellt ist. Dieser Vorgang ist vielleicht klarer aus Fig. 8 ersichtlich, in welcher die Oxidschicht 24, welche die Fremdstoffionen 30 in Suspension enthält, oberhalb des Plättchens 10 dargestellt ist. Wenn die Temperatur des Plättchens und des Oxids auf die Diffusionstemperatur angehoben werden, diffundieren die Fremdstoffe 30 in die Oberflächenschicht 28 des Plättchens 10 ein und bilden die gewünschte n+ Zone 28. Die Diffusionstiefe ist natürlich eine Funktion der Zeit, der Temperatur und der ursprünglichen Oberflächenkonzentration des dotierten Oxids 24. Entsprechend der Erfindung beträgt die übergangstiefe der Schicht 28 angenähert 1 bis 3 V·
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- li -
In den Figuren 9 und Io der Zeichnung sind Beispiele für die praktische Anwendung der entsprechend der Erfindung ausgebildeten dünnen Schicht dargestellt. Fig. 9 zeigt einen Querschnitt durch einen Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor-Aufbau, der typischerweise als ein Verarmungs-n-Kanal-Bauteil bezeichnet werden kann. Das Bauteil weist zwei n-Zonen 32 und 3*1 auf, die in ein p-Plättchen 36 eindiffundiert sind. Die n~ Schicht 38 ist entsprechend der Erfindung vorgesehen, um den gewünschten Verarmungs-n-Kanal zwischen der Quellzone 32 und der Entzugszone 34 zu bilden. Nachdem die Schicht 38 in der Kanalfläche ausgebildet"worden ist, wird auf dieser eine überlagernde Oxidschicht 4o ausgebildet, und der Quellzonenanschluß 42, der Entzugszonenanschluß 44 und die Torelektrode 46 werden auf der Oberfläche des Bauteils ausgebildet. Wenn dieses Bauteil in geeigneter Weise vorgespannt ist, kann eine positive Spannung V an die Torelektrode 46 angelegt werden, um den Kanal oder die Schicht 38 zu sperren (pinch-off), um den gewünschten Feldeffektbetrieb zu erhalten.
In Fig. Io ist eine andere Anwendung einer nach der Erfindung hergestellten dünnen Schicht dargestellt. Dieses Ausführungsbeispiel besteht aus einer η-Unterlage 5o, in weiche eine p-Quellzone 52 und eine p-Entzugszone 54 eindiffundiert sind. Außerdem ist in dem auf der rechten Seite befindlichen Abschnitt der Unterlage 50 eine weitere p-Zone 56 dargestellt, die ein Teil einer Diode, eines weiteren Feldeffekt -
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transistors oder eines anderen Halbleiterbauelementes sein kann. Quellzonenanschluß 58, Entzugszonenanschluß 6o und Steuer- oder Torelektrode 62 sind in der typischen Ausbildung · dargestellt.
Es ist bekannt, daß bei einem, über eine Feldzone wie z.B. die Peldzone 64 hinweggeführten mechanischen Anschluß die Möglichkeit besteht, daß das an den Anschluß angelegte Potential eine Inversion der Oberfläche der Feldzone hervor-
ruft, über welche der Anschluß hinweggeführt ist. Es ist ohne weiteres ersichtlich, daß bei Umkehrung der Zone 64 ein Leckstromweg zwischen der Entzugszone 54 und der p-Zone 56 gebildet wird. Ein derartiger "wilder" Stromweg hat offensichtlich unerwünschte Auswirkungen auf die Schaltung.
Entsprechend der Erfindung wird die ungewollte Inversion der Feldzone dadurch verhindert, daß in der Zone 64 eine dünne Schicht 66 von n-Fremdstoffen vorgesehen wird, um die Fremdstoffkonzentration an der Oberfläche zu steigern und in dieser ) somit eine n+ Zone zu erzeugen. Da die Inversion einer Oberflächenschicht eine Funktion des Konzentrationsgefälles in dieser Schicht ist, verhindert diese erhöhte Dotierung in der Schicht 66 die Oberflächeninversion und erhöht den Wert der Durchbruchspannung. Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich besonders gut zur Herstellung von Inversions-Schutzschichten, wie beispielsweise in Fig. Io dargestellt sind.
Durch die Erfindung wird somit ein neues Verfahren zur Vorablagerung von Fremdstoffen in einer viesentlich niedrigeren
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-U.Konzentration als nach bekannten Verfahren möglich ist, geschaffen. Wenngleich bestimmte Fremdstofftypen und bestimmte chemische Lösungen erwähnt worden sind, dienen diese lediglich zur Veranschaulichung. Die Erfindung soll sich auch auf Lösungen beziehen, welche die Donator- oder Akzeptor-Fremdstoffe wie z.B. Gallium, Bor, Aluminium, Wismut und Indium enthalten. Schließlich läßt sich das in der vorstehenden Beschreibung offenbarte erfindungsgemäße Verfahren in für den Fachmann offensichtlicher Weise auch noch für viele andere Zwecke verwenden, und es soll daher nicht auf die hier beschriebenen Anwendungsgebiete beschränkt sein.
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Claims (13)

- 14 Fatentansprüche
1. Verfahren zur Ablagerung von Fremdstoffen auf eine Halbleiteroberfläche, insbesondere auf ein Halbleiterplättchen, dadurch gekennzeichnet, daß das Oxid (16) von einem Abschnitt (14) der Oberfläche des Halbleiterplättchens (lo) entfernt und ein vorbestimmter Oberflächenabschnitt (18) des Plättchens
* freigelegt wird, eine oxidierende Lösung (22) mit einer vorbestimmten Konzentration von Kalbleiterfremdstoffen hergestellt und diese oxidierende Lösung für eine vorbestimmte Zeitspanne in eine kontinuierliche Berührung mit der freiliegenden Fläche (18) des Plättchens gebracht und dadurch auf der freigelegten Oberfläche ein Oxid (24) ausgebildet wird, das eine vorbestimmte Fremdstoffkonzentration aufweist.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Fremdstoffkonzentration in der oxidierenden Lösung
™ geringer ist als 1 · 10 Atome pro ecm.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Siliziumplättchen dem Fremdstoff und der oxidierenden sauren Lösung zwischen 2 bis Io Minuten ausgesetzt wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Fremdstoffkonzentration in der oxidierenden Lösung zwischen 1 · 10 ° bis 1 · 10 Atome pro ecm beträgt.
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5. Verfahren zur Herstellung einer "Vorablagerung niedriger Konzentration von Fremdstoffatomen auf Silizium bei Zimmertemperatur, dadurch gekennzeichnet, daß das Oberflächenoxid (16) von einem vorbestimmten Abschnitt (1*0 des Siliziumplättchens entfernt und dessen Oberfläche (18) freigelegt wird, eine oxidierende saure Lösung (22) mit einer vorbestimmten Konzentration von Fremdstoffatomen hergestellt, die freigelegte Oberfläche des Siliziumplättchens für eine vorbestimmte Zeitspanne der oxidierenden Lösung ausgesetzt und auf dieser freigelegten Oberfläche eine Oxidschicht (24) zur Ausbildung gebracht wird, die eine vorbestimmte Konzentration von Fremdstoffatomen in Suspension enthält.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das auf dem ausgewählten Oberflächenabschnitt (I1O des Siliziumplättchens zunächst vorhandene Oxid (16) durch Eintauchen des Abschnittes in eine saure Lösung (2o) entfernt wird.
7· Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Siliziumplättchen nach dem Entfernen der zunächst vorhandenen Oxidschicht und vor dem Aufbringen der Fremdstoff- und Oxidationslösung auf das Plättchen in entionisiertem Wasser abgespült und gereinigt wird.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Fremdstoffkonzentration in der Oxidationslösung (22)
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weniger als 1 * 10 Atome pro ecm beträgt.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Fremdstoff- und Oxidationslösung aus einem Gemisch von Antimontrioxid und Schwefelsäure besteht.
10. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Fremdstoff- und Oxidationslösung aus einem Gemisch von
fe Phosphorsäure und Salpetersäure besteht.
11. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß das Siliziumplättchen der Fremdstoff- und Oxidationslösung etwa 2 bis Io Minuten lang ausgesetzt wird.
12. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Konzentration der Fremdstoffatome in der Oxidationslösung zwischen 1 * 10 ** bis 1 · 10 Atome pro ecm beträgt.
™
13. Verfahren zur Herstellung einer Diffusionsschicht
niedriger Konzentration in einer Halbleiterunterlage, dadurch gekennzeichnet, daß das Oberflächenoxid (12, 16) von einem vorbestimmten Oberflächenabschnitt der Halbleiterunterlage (lo) entfernt und ein reaktionsfreudiger Oberflächenabschnitt (18) der Unterlage freigelegt wird, eine Oxidationslösung (22) mit einer vorbestimmten Konzentration von Fremdstoffatomen in der Lösung hergestellt, der freigelegte Oberflächenabschnitt der Siliziur.unterlage bei im wesentlichen Zimmertemperatur für eine
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vorbestimmte Zeitspanne in Flüssigkeitsberührung mit der Qxidationslösung gebracht und auf dem freigelegten Oberflächenabschnitt eine Oxidschicht (24) ausgebildet wird, die eine vorbestimmte Konzentration von Fremdstoffatomen in Suspension enthält, und die Siliziumunterlage für eine vorbestimmte Zeitspanne einer vorbestimmten erhöhten Temperatur ausgesetzt wird und die Fremdstoffatome in die Oberfläche der Siliziumunterlage eindiffundiert werden.
m. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Konzentration der Fremdstoffe in der Oxidationslösung weniger als 1 · 10 Atome pro ecm beträgt.
15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Siliziumunterlage zwischen 2 bis Io Minuten der Fremdstoff-oxidierenden sauren Lösung ausgesetzt wird.
16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß die Fremdstoff- und Oxidationslösung aus einem Gemisch von Äntimontrioxid und Schwefelsäure besteht.
17« Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß die Fremdstoff- und Oxidationslösung aus einem Gemisch von Phosphorsäure und Salpetersäure besteht.
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18. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß der Fremdstoff ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Antimon, Phosphor, Gallium, Bor, Aluminium, Wismut und Indium.
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