DE1186952B - Verfahren und Vorrichtung zum Umwandeln von n- in p-leitendes Halbleitermaterial fuer Halbleiterbauelemente durch Beschuss mit einem Elektronenstrahl - Google Patents

Verfahren und Vorrichtung zum Umwandeln von n- in p-leitendes Halbleitermaterial fuer Halbleiterbauelemente durch Beschuss mit einem Elektronenstrahl

Info

Publication number
DE1186952B
DE1186952B DEZ8650A DEZ0008650A DE1186952B DE 1186952 B DE1186952 B DE 1186952B DE Z8650 A DEZ8650 A DE Z8650A DE Z0008650 A DEZ0008650 A DE Z0008650A DE 1186952 B DE1186952 B DE 1186952B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
electron beam
semiconductor
converted
semiconductor material
bombardment
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEZ8650A
Other languages
English (en)
Inventor
Dr Heinrich Hora
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Raytheon Technologies Corp
Original Assignee
United Aircraft Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to NL276412D priority Critical patent/NL276412A/xx
Application filed by United Aircraft Corp filed Critical United Aircraft Corp
Priority to DEZ8650A priority patent/DE1186952B/de
Priority to GB11372/62A priority patent/GB958716A/en
Priority to FR892358A priority patent/FR1318353A/fr
Priority to US182817A priority patent/US3206336A/en
Priority to CH385662A priority patent/CH402191A/de
Publication of DE1186952B publication Critical patent/DE1186952B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22FCHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
    • C22F3/00Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by special physical methods, e.g. treatment with neutrons
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/914Doping

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. CL:
HOIl
Deutsche Kl.: 21g-11/02
Nummer: 1186 952
Aktenzeichen: Z 8650 VIII c/21 g
Anmeldetag: 30. März 1961
Auslegetag: 11. Februar 1965
Bei dem Herstellen von Halbleiterbauelementen der Elektronik besteht die Aufgabe, η-leitendes in p-leitendes Halbleitermaterial umzuwandeln. Es ist bekannt, zur Lösung dieser Aufgabe, dem Halbleitermaterial dotierende fremde Atome anderer chemischer Wertigkeit als das zu behandelnde Halbleitermaterial zuzuführen. Es handelt sich hierbei um eine mechanische Mikromanipulation, welche sehr sorgfältig durchgeführt werden muß und welche einen verhältnismäßig großen Zeitaufwand benötigt.
Die Änderung der Konzentration der Überschußladungsträger in einem η-leitenden Halbleitermaterial ohne Zufuhr von andersartigen Fremdatomen ist aber auch durch das Herstellen von Gitterfehlstellen möglich. So können Akzeptorstörstellen durch Einbau der von einem Gitterplatz entfernten Atome auf Zwischengitterplätzen (Frenkel-Fehlordnung) erzeugt werden. Zum Herstellen solcher Fehlordnungen, welche die Konzentration der Überschußladungsträger in Halbleiterkristallen zugunsten einer p-Leitfähigkeit verschieben, ist es bekannt, Halbleitermaterial mit geladenen oder ungeladenen Elementarteilchen (Elektronen, Neutronen, Atomkerne), die eine Energie von 0,5 bis 20 MeV besitzen, zu beschießen. Bei entsprechenden Untersuchungen wurde festgestellt, daß zum Beispiel bei Germanium die beschießenden Elektronen eine Mindestenergie von 500. keV haben sollten.
Eine Anwendung von Elektronen mit einer Energie von mehr als 500 keV zur Änderung der Konzentration von Uberschußladungsträgern in Halbleiterkristallen ist sehr kostspielig, da hierzu aufwendige Elektronenbeschleuniger bzw. Spezialgeneratoren erforderlich sind.
Das Verfahren nach der vorliegenden Erfindung dient zum Umwandeln von n- in p-leitendes Halbleitermaterial für Halbleiterbauelemente durch Beschüß mit einem Elektronenstrahl, ohne daß rotierende Fremdatome zugeführt werden. Dieses Verfahren wird erfindungsgemäß so durchgeführt, daß ein mit einer Spannung von 30 bis 200 kV beschleunigter Elektronenstrahl verwendet wird und daß zum Bilden von als Akzeptoren wirkenden Fehlstellen im Halbleiterkristall die umzuwandelnde Stelle des Halbleiterkristalls mit einer Elektronenstrahldosis von 1016 bis 1022 Elektronen pro Quadratzentimeter so beschossen wird, daß die Temperatur nicht über 500° C ansteigt. Bei einer solchen Beschießung tritt eine bleibende Änderung der Konzentration der Überschußladungsträger auf.
Elektronen, welche Energien zwischen 30 und 200 keV haben, lassen sich in verhältnismäßig ein-Verfahren und Vorrichtung zum Umwandeln
von n- in p-leitendes Halbleitermaterial für
Halbleiterbauelemente durch Beschüß mit
einem Elektronenstrahl
Anmelder:
ίο United Aircraft Corporation,
East Hartford, Conn. (V. St. A.)
Vertreter:
Dipl.-Ing. F. Weickmann,
Dr.-Ing. A. Weickmann,
Dipl.-Ing. H. Weickmann
und Dipl.-Phys. Dr. K. Fincke, Patentanwälte,
München 27, Möhlstr. 22
Als Erfinder benannt:
Dr. Heinrich Hora, Böblingen (Württ.)
fach aufgebauten Elektronenstrahlgeräten erzeugen.
Die in solchen Geräten erzeugten Elektronenstrahlen können durch elektronenoptische Mittel weitgehend beeinflußt werden, so daß es beispielsweise möglich ist, einen solchen Elektronenstrahl auf einen sehr kleinen Bereich eines Halbleiterkristalls zu konzentrieren. Es wird vorteilhaft ein Strahl gewählt, der eine Leistungsdichte von etwa 10 W/cm2 aufweist. Die Umwandlung von n- in p-Leitfähigkeit kann so auf außerordentlich kleine Bereiche eines Halbleiters beschränkt werden.
Der Beschüß des Halbleitermaterials erfolgt zweckmäßig im Vakuum. Dadurch sind von vornherein irgendwelche Verunreinigungen vermieden.
Es kann zweckmäßig sein, die Intensität des Elektronenstrahles während des Bestrahlungsvorganges zu verändern. Insbesondere kann es vorteilhaft sein, zur Vermeidung zu hoher Temperaturen des bestrahlen Materials den Elektronenstrahl intermittierend zu steuern.
Zur Umwandlung vorherbestimmter Bereiche eines Halbleiters ist es zweckmäßig, den Elektronenstrahl in vorherbestimmter Weise über die umzuwandelnde Materialstelle zu führen.
509 508/257
Das neue Bearbeitungsverfahren kann mit großem Vorteil sowohl zur Herstellung von Gleichrichtern als auch zur Herstellung von Transistoren Verwendung finden. Im letzteren Fall ist es beispielsweise bei der Beschreibung eines Halbleiter-Einkristallplättchens notwendig, zuerst eine Seite dem Elektronenstrahl auszusetzen und nach erfolgter Umwandlung eines genügend großen Materialbereiches die gegenüberliegende Seite des Halbleiterkristalls zu beschießen. Man erhält auf diese Weise einen npn-Transistor.
Um eine fortlaufende Bestrahlung möglichst vieler Halbleiterkristalle nacheinander erzielen zu können, ist es zweckmäßig, im Bearbeitungsraum des an sich bekannten Elektronenstrahlgerätes eine Transportvorrichtung vorzusehen, welche mehrere in einem Magazin angeordnete Halbleiterkristalle nacheinander zur Auftreffstelle des Strahles bewegt.
Die Erfindung wird im folgenden an Hand der ein Ausführungsbeispiel darstellenden Zeichnung näher beschrieben.
In dieser Zeichnung ist mit 1 die Kathode, mit 2 der Steuerzylinder und mit 3 die geerdete Anode des Strahlerzeugungssystems bezeichnet. Im Gerät 4 wird eine Hochspannung von beispielsweise 50 kV erzeugt und mittels eines mit einem Erdmantel versehenen Hochspannungskabels dem Gerät 5 zugeführt. Dieses Gerät besteht aus einer Vorrichtung 6 zur Erzeugung der regelbaren Heizspannung, einer Vorrichtung 7 zur Erzeugung von Steuerimpulsen und einer Vorrichtung 8 zur Erzeugung der regelbaren Steuerzylindervorspannung. Diese Spannungen werden über ein Hochspannungskabel dem Strahlerzeugungssystem 1, 2, 3 zugeführt.
In Strahlrichtung gesehen unterhalb der Anode 3 ist ein Ablenksystem 9 angeordnet, welches zur Justierung des Elektronenstrahls 14 dient. Der Generator 10 dient zur Stromversorgung des Ablenksystems 9.
Unterhalb des Ablenksystems 9 ist eine Blende 11 angeordnet, welche mittels der Knöpfe 12 und 13 in der Papierebene und senkrecht zur Papierebene bewegt werden kann. Nach erfolgter Justierung des intermittierenden Elektronenstrahles 14 fällt dieser durch ein geerdetes Rohr 15 und wird mittels der elektromagnetischen Linse 16 auf das Werkstück einen Halbleiterkristall 20 fokussiert.
Unterhalb der elektromagnetischen Linse 16 ist ein Ablenksystem 17 angeordnet, welches zur Bewegung des Elektronenstrahles dient. Mittels der Generatoren 18 und 19 werden die zur Versorgung der Linse 16 und des Ablenksystems 17 dienenden regelbaren Ableokströme erzeugt.
Zur Beobachtung des Bestrahlungsvorganges dient ein optisches System, welches die mikroskopische Auflichtbeleuchtung des Werkstückes 20 erlaubt. Dieses System besteht aus einem Beleuchtungssystem 21, welches paralleles Licht liefert. Dieses Licht wird über zwei metalEsche Prismen 22 und 23 auf eine in axialer Richtung verschiebbare Linse 25 reflektiert und von dieser auf das Werkstück 20 fokussiert. Unterhalb der Linse 25 ist eine auswechselbare Glasplatte 26 angeordnet, welche die Linse 25 vor etwaigen Verunreinigungen schützt. Die Linse 25 wird zusammen mit der Glasplatte 26 mittels des Knopfes 27 in axialer Richtung bewegt.
Das von der Oberfläche des Werkstückes 20 reflektierte bzw. ausgehende Licht wird durch die Linse 25 parallel gerichtet und über den Spiegel 28 in das als Stereomikroskop ausgebildete Beobachtungssystem 29 gelenkt. Im Bearbeitungszeitraum 30 ist ein mit seitlichen Führungen versehenes endloses Band 31 angeordnet, welches gemäß der von einem Kommandogerät 33 gelieferten Kommandos mittels des Elektromotors 32 in Bewegung versetzt wird.
Ein Magazin 34 enthält mehrere aus halbleitendem Material hergestellte Werkstücke 20. Seitlich neben
ίο dem Magazin 34 ist ein Rohr 35 angeordnet, welches eine untere öffnung 36 enthält.
Mittels des Elektromotors 32 wird über ein Getriebe 37 eine Exzenterscheibe 38 gedreht. Diese drückt in der entsprechenden Stellung den Bolzen 39 nach vorne. Dabei schiebt dieser Bolzen ein Werkstück 20 aus dem Magazin 34 in das Rohr 35. In diesem Rohr fällt das Werkstück 20 auf das Band 31 und wird von diesem Band aus der öffnung 36 zur Auftreffstelle des Elektronenstrahles 14 bewegt. Nach
ao erfolgtem Beschüß des Werkstückes 20 wird das Band 31 weiterbewegt, und das behandelte Werkstück 20 fällt in einen Auffangbehälter 40.
Das Kommandogerät 33 ist so ausgebildet, daß ein Werkstück 20 nach dem Ausstoßen aus dem Magazin
34 mittels des Bandes 31 zur Auftreffstelle des Elektronenstrahles 14 bewegt wird. Sodann wird das Band 31 so lange angehalten, wie es der vorher eingestellten Bestrahlungsdauer entspricht. Nach Ablauf dieser Zeit wird der Elektromotor 32 wieder eingeschaltet, und das bearbeitete Werkstück 20 gelangt in den Sammelbehälter 40, während zugleich ein neues Werkstück zur Auftreffstelle des Elektronenstrahles bewegt wird.
Die behandelten Werkstücke 20 werden aus dem Bearbeitungsraum 30 entnommen. Sodann werden die Werkstücke beispielsweise mit Azeton gereinigt und sperrschichtfrei kontaktiert. Die so behandelten Werkstücke können sodann als Gleichrichter Verwendung finden.
Die Betriebswerte des Elektronenstrahlerzeugungssystems 1, 2, 3 sind so gewählt, daß im Durchschnitt mit einem Elektronenstrahl 14 gearbeitet wird, welcher eine Leistungsdichte von etwa 10 W/cm2 aufweist.
Bei dem Bestrahlen von Siliziumeinkristallen in Form von Klötzchen hat sich bei Beschüß mit Elektronen einer Energie von 50 KeV oder 75 KeV und einer Elektronenstrahldosis von 9 · 1016 Elektronen pro Quadratzentimeter ein Gleichrichtereffekt ergeben. Es ist also hier das ursprünglich n-leitfähige Silizium in einer Schicht, deren Dicke im wesentlichen der Eindringtiefe des Elektronenstrahles 14 entspricht, in p-leitfähiges Silizium umgewandelt worden. Bei dieser Umwandlung ist die Bearbeitungszeit so gewählt, (etwa 90 Sekunden), daß eine Erwärmung des Halbleitermaterials auf Temperaturen oberhalb derjenigen Temperatur vermieden wird, bei der im Material die vorher durch den Beschüß erzeugten Frenkel-Fehlsteüen durch thermische Prozesse gelöst werden. Wird die bestrahlte und in der bestrahlten Schicht schon in p-leitendes Material umgewandelte Probe nachträglich so bestrahlt, daß ihre Temperatur auf über 500° C ansteigt, so wird die Umwandlung von n- in p-Leitfähigkeit wieder rückgängig gemacht.
Wird in der in der Zeichnung dargestellten Einrichtung der Elektronenstrahl 14 mittels des Ablenksystems 17 über die Oberfläche des Werkstückes
bewegt, so können beispielsweise Umwandlungen der Leitfähigkeit entlang wählbarer Linien vorgenommen werden.

Claims (9)

Patentansprüche:
1. Verfahren zum Umwandeln von n- in p-leitendes Halbleitermaterial für Halbleiterbauelemente durch Beschüß mit einem Elektronenstrahl, dadurch gekennzeichnet, daß ein mit einer Spannung von 30 bis 200 kV beschleunigter Elektronenstrahl verwendet wird und daß zum Bilden von als Akzeptoren wirkenden Fehlstellen im Halbleiterkristall die umzuwandelnde Stelle des Halbleiterkristalls mit einer Elektronen-Strahldosis von 1016 bis 1022 Elektronen pro Quadratzentimeter so beschossen wird, daß die Temperatur nicht über 500° C ansteigt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Elektronenstrahl auf die umzuwandelnde Stelle des Halbleiterkristalls fokussiert und eine Leistungsdichte von etwa 10 W/cm2 verwendet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Beschüß des Halbleiterkristalls im Vakuum vorgenommen wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektronenstrahldosis während des Beschüsses verändert wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Elektronenstrahl intermittierend gesteuert wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Elektronenstrahl über die umzuwandelnde Stelle des Halbleiterkristalls geführt wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das umgewandelte Halbleitermaterial für Halbleiterkörper von Gleichrichtern verwendet wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das umgewandelte Halbleitermaterial für Halbleiterkörper von Transistoren verwendet wird.
9. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Gerät zur Erzeugung eines Elektronenstrahls im Bearbeitungsraum mit einer Transportvorrichtung versehen ist, welche mehrere in einem Magazin angeordnete Halbleiterkörper nacheinander zur Auftreffstelle des Elektronenstrahls bewegt.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Britische Patentschrift Nr. 844 747;
USA.-Patentschrift Nr. 2 816 847;
VDI-Zeitschrift, Bd. 100, 1958 Nr. 3, S. 101 bis 112.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
509 508/257 2.65 © Bundesdruckerei Berlin
DEZ8650A 1961-03-30 1961-03-30 Verfahren und Vorrichtung zum Umwandeln von n- in p-leitendes Halbleitermaterial fuer Halbleiterbauelemente durch Beschuss mit einem Elektronenstrahl Pending DE1186952B (de)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL276412D NL276412A (de) 1961-03-30
DEZ8650A DE1186952B (de) 1961-03-30 1961-03-30 Verfahren und Vorrichtung zum Umwandeln von n- in p-leitendes Halbleitermaterial fuer Halbleiterbauelemente durch Beschuss mit einem Elektronenstrahl
GB11372/62A GB958716A (en) 1961-03-30 1962-03-26 Method of transforming n-type semiconductor material into p-type semiconductor material
FR892358A FR1318353A (fr) 1961-03-30 1962-03-27 Procédé de transformation d'un semi-conducteur du type n en un semi-conducteur du type p
US182817A US3206336A (en) 1961-03-30 1962-03-27 Method of transforming n-type semiconductor material into p-type semiconductor material
CH385662A CH402191A (de) 1961-03-30 1962-03-30 Verfahren zur Umwandlung von n- in p-leitendes Halbleitermaterial

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEZ8650A DE1186952B (de) 1961-03-30 1961-03-30 Verfahren und Vorrichtung zum Umwandeln von n- in p-leitendes Halbleitermaterial fuer Halbleiterbauelemente durch Beschuss mit einem Elektronenstrahl

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1186952B true DE1186952B (de) 1965-02-11

Family

ID=7620580

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEZ8650A Pending DE1186952B (de) 1961-03-30 1961-03-30 Verfahren und Vorrichtung zum Umwandeln von n- in p-leitendes Halbleitermaterial fuer Halbleiterbauelemente durch Beschuss mit einem Elektronenstrahl

Country Status (5)

Country Link
US (1) US3206336A (de)
CH (1) CH402191A (de)
DE (1) DE1186952B (de)
GB (1) GB958716A (de)
NL (1) NL276412A (de)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5308241A (en) * 1957-06-27 1994-05-03 Lemelson Jerome H Surface shaping and finshing apparatus and method
US5552675A (en) * 1959-04-08 1996-09-03 Lemelson; Jerome H. High temperature reaction apparatus
US3272661A (en) * 1962-07-23 1966-09-13 Hitachi Ltd Manufacturing method of a semi-conductor device by controlling the recombination velocity
NL296231A (de) * 1962-08-03
US3323947A (en) * 1964-12-17 1967-06-06 Bell Telephone Labor Inc Method for making electrode connections to potassium tantalate-niobate
US3351503A (en) * 1965-09-10 1967-11-07 Horizons Inc Production of p-nu junctions by diffusion
US3496029A (en) * 1966-10-12 1970-02-17 Ion Physics Corp Process of doping semiconductor with analyzing magnet
US3430029A (en) * 1967-01-06 1969-02-25 Smith Corp A O Rapid load system for electron beam welder
US3667116A (en) * 1969-05-15 1972-06-06 Avio Di Felice Method of manufacturing zener diodes having improved characteristics
GB1280013A (en) * 1969-09-05 1972-07-05 Atomic Energy Authority Uk Improvements in or relating to apparatus bombarding a target with ions
US3612815A (en) * 1970-01-16 1971-10-12 Smith Corp A O Electron beam apparatus
US3826889A (en) * 1970-10-12 1974-07-30 I Brukovsky System for automatic control of electron beam heating device
DE2449265A1 (de) * 1974-10-16 1976-04-22 Steigerwald Strahltech Vorrichtung zum herstellen von mittels elektronenstrahlen fein perforierten folien-zuschnitten, insbesondere schuh-oberteilen
US3951695A (en) * 1975-02-11 1976-04-20 Accelerators, Inc. Automatic end station for ion implantation system

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2816847A (en) * 1953-11-18 1957-12-17 Bell Telephone Labor Inc Method of fabricating semiconductor signal translating devices
GB844747A (en) * 1955-12-20 1960-08-17 Nat Res Dev Production of p-n junctions in semiconductors

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2666814A (en) * 1949-04-27 1954-01-19 Bell Telephone Labor Inc Semiconductor translating device
BE500536A (de) * 1950-01-31
US2771568A (en) * 1951-01-31 1956-11-20 Zeiss Carl Utilizing electron energy for physically and chemically changing members
DE891113C (de) * 1951-09-08 1953-09-24 Licentia Gmbh Verfahren zur Herstellung elektrisch unsymmetrisch leitender Systeme
GB778383A (en) * 1953-10-02 1957-07-03 Standard Telephones Cables Ltd Improvements in or relating to the production of material for semi-conductors
US2860251A (en) * 1953-10-15 1958-11-11 Rauland Corp Apparatus for manufacturing semi-conductor devices
US2803569A (en) * 1953-12-03 1957-08-20 Jacobs Harold Formation of junctions in semiconductors
US2743200A (en) * 1954-05-27 1956-04-24 Bell Telephone Labor Inc Method of forming junctions in silicon
US2883544A (en) * 1955-12-19 1959-04-21 Sprague Electric Co Transistor manufacture
US2868988A (en) * 1955-12-22 1959-01-13 Miller William Method of reducing transient reverse current
US2968723A (en) * 1957-04-11 1961-01-17 Zeiss Carl Means for controlling crystal structure of materials
US2989385A (en) * 1957-05-14 1961-06-20 Bell Telephone Labor Inc Process for ion bombarding and etching metal
DE1119428B (de) * 1958-08-30 1961-12-14 Zeiss Carl Fa Einrichtung zur Objektbeobachtung in Geraeten zur Materialbearbeitung mittels Ladungstraegerstrahl
US3049608A (en) * 1959-08-24 1962-08-14 Air Reduction Electron beam welding
US3118050A (en) * 1960-04-06 1964-01-14 Alloyd Electronics Corp Electron beam devices and processes

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2816847A (en) * 1953-11-18 1957-12-17 Bell Telephone Labor Inc Method of fabricating semiconductor signal translating devices
GB844747A (en) * 1955-12-20 1960-08-17 Nat Res Dev Production of p-n junctions in semiconductors

Also Published As

Publication number Publication date
US3206336A (en) 1965-09-14
NL276412A (de)
CH402191A (de) 1965-11-15
GB958716A (en) 1964-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2412102C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen einer dotierten Halbleiterzone und einer ohmschen Kontaktdoppelschicht hierauf
DE1186952B (de) Verfahren und Vorrichtung zum Umwandeln von n- in p-leitendes Halbleitermaterial fuer Halbleiterbauelemente durch Beschuss mit einem Elektronenstrahl
DE2043865C2 (de) Vorrichtung zum Beschießen eines Targets mit Ionen
DE2425184A1 (de) Verfahren und anordnung zur erzeugung von ionen
DE3221180A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung einer halbleitervorrichtung
DE1185305B (de) Verfahren zum Loeten, Schweissen und Abtragen von Materialien mittels eines Ladungstraegerstrahls
DE1106893B (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines elektronischen Bauelementes
DE2937004A1 (de) Chromatisch korrigierte ablenkvorrichtung fuer korpuskularstrahlgeraete
DE1198465B (de) Ionenquelle fuer feste Substanzen
DE1544211A1 (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleitervorrichtungen
DE2335821A1 (de) Teilchenbeschleuniger
DE2811414C2 (de)
DE2138339C3 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Anspitzen und/oder Reinigen einer
DE3310545A1 (de) Nicht-massenalalysiertes ionenimplantationsverfahren
DE102016122791B3 (de) Ionenimplantationsanlage, Filterkammer und Implantationsverfahren unter Einsatz eines Energiefilterelements
DE1125096B (de) Verfahren zum Herstellen einer Schweisszone gewuenschter Querschnittsform beim Ladungstraegerstrahl-Schweissen
DE1177257B (de) Verfahren zum Betrieb einer Hochleistungs-roentgenroehre mit grossflaechiger Durchstrahlanode
DE3709448C2 (de)
DE1033816B (de) Verfahren zum Bohren feiner Loecher
DE102007058103A1 (de) Bestrahlung mit hochenergetischen Ionen zur Oberflächenstrukturierung und Behandlung oberflächennaher Bereiche von optischen Elementen
DE1218411B (de) Verfahren zur Herstellung eines duennen einkristallinen Plaettchens
DE102019203493A1 (de) Verfahren zur ultrahochaufgelösten Modifikation, insbesondere zur physischen Materialabtragung oder internen Materialänderung, eines Werkstücks
DE3124987C2 (de) Verfahren zur Oberflächenbehandlung eines Substrats sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
DE102019112773B4 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Implantation von Teilchen in ein Substrat
EP0432612A2 (de) Verfahren zur Erzeugung von Ladungsträgerlebensdauerprofilen in einem Halbleiter