DE1186952B - Verfahren und Vorrichtung zum Umwandeln von n- in p-leitendes Halbleitermaterial fuer Halbleiterbauelemente durch Beschuss mit einem Elektronenstrahl - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zum Umwandeln von n- in p-leitendes Halbleitermaterial fuer Halbleiterbauelemente durch Beschuss mit einem ElektronenstrahlInfo
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Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. CL:
HOIl
Deutsche Kl.: 21g-11/02
Nummer: 1186 952
Aktenzeichen: Z 8650 VIII c/21 g
Anmeldetag: 30. März 1961
Auslegetag: 11. Februar 1965
Bei dem Herstellen von Halbleiterbauelementen der Elektronik besteht die Aufgabe, η-leitendes in
p-leitendes Halbleitermaterial umzuwandeln. Es ist bekannt, zur Lösung dieser Aufgabe, dem Halbleitermaterial
dotierende fremde Atome anderer chemischer Wertigkeit als das zu behandelnde Halbleitermaterial
zuzuführen. Es handelt sich hierbei um eine mechanische Mikromanipulation, welche sehr sorgfältig
durchgeführt werden muß und welche einen verhältnismäßig großen Zeitaufwand benötigt.
Die Änderung der Konzentration der Überschußladungsträger in einem η-leitenden Halbleitermaterial
ohne Zufuhr von andersartigen Fremdatomen ist aber auch durch das Herstellen von Gitterfehlstellen
möglich. So können Akzeptorstörstellen durch Einbau der von einem Gitterplatz entfernten Atome auf
Zwischengitterplätzen (Frenkel-Fehlordnung) erzeugt werden. Zum Herstellen solcher Fehlordnungen,
welche die Konzentration der Überschußladungsträger in Halbleiterkristallen zugunsten einer p-Leitfähigkeit
verschieben, ist es bekannt, Halbleitermaterial mit geladenen oder ungeladenen Elementarteilchen
(Elektronen, Neutronen, Atomkerne), die eine Energie von 0,5 bis 20 MeV besitzen, zu beschießen.
Bei entsprechenden Untersuchungen wurde festgestellt, daß zum Beispiel bei Germanium die beschießenden
Elektronen eine Mindestenergie von 500. keV haben sollten.
Eine Anwendung von Elektronen mit einer Energie von mehr als 500 keV zur Änderung der Konzentration
von Uberschußladungsträgern in Halbleiterkristallen ist sehr kostspielig, da hierzu aufwendige
Elektronenbeschleuniger bzw. Spezialgeneratoren erforderlich sind.
Das Verfahren nach der vorliegenden Erfindung dient zum Umwandeln von n- in p-leitendes Halbleitermaterial
für Halbleiterbauelemente durch Beschüß mit einem Elektronenstrahl, ohne daß rotierende
Fremdatome zugeführt werden. Dieses Verfahren wird erfindungsgemäß so durchgeführt, daß
ein mit einer Spannung von 30 bis 200 kV beschleunigter Elektronenstrahl verwendet wird und daß zum
Bilden von als Akzeptoren wirkenden Fehlstellen im Halbleiterkristall die umzuwandelnde Stelle des Halbleiterkristalls
mit einer Elektronenstrahldosis von 1016 bis 1022 Elektronen pro Quadratzentimeter so
beschossen wird, daß die Temperatur nicht über 500° C ansteigt. Bei einer solchen Beschießung tritt
eine bleibende Änderung der Konzentration der Überschußladungsträger auf.
Elektronen, welche Energien zwischen 30 und 200 keV haben, lassen sich in verhältnismäßig ein-Verfahren
und Vorrichtung zum Umwandeln
von n- in p-leitendes Halbleitermaterial für
Halbleiterbauelemente durch Beschüß mit
einem Elektronenstrahl
von n- in p-leitendes Halbleitermaterial für
Halbleiterbauelemente durch Beschüß mit
einem Elektronenstrahl
Anmelder:
ίο United Aircraft Corporation,
ίο United Aircraft Corporation,
East Hartford, Conn. (V. St. A.)
Vertreter:
Dipl.-Ing. F. Weickmann,
Dr.-Ing. A. Weickmann,
Dipl.-Ing. H. Weickmann
und Dipl.-Phys. Dr. K. Fincke, Patentanwälte,
München 27, Möhlstr. 22
Als Erfinder benannt:
Dr. Heinrich Hora, Böblingen (Württ.)
fach aufgebauten Elektronenstrahlgeräten erzeugen.
Die in solchen Geräten erzeugten Elektronenstrahlen können durch elektronenoptische Mittel weitgehend
beeinflußt werden, so daß es beispielsweise möglich ist, einen solchen Elektronenstrahl auf einen sehr
kleinen Bereich eines Halbleiterkristalls zu konzentrieren. Es wird vorteilhaft ein Strahl gewählt, der
eine Leistungsdichte von etwa 10 W/cm2 aufweist. Die Umwandlung von n- in p-Leitfähigkeit kann so
auf außerordentlich kleine Bereiche eines Halbleiters beschränkt werden.
Der Beschüß des Halbleitermaterials erfolgt zweckmäßig
im Vakuum. Dadurch sind von vornherein irgendwelche Verunreinigungen vermieden.
Es kann zweckmäßig sein, die Intensität des Elektronenstrahles während des Bestrahlungsvorganges
zu verändern. Insbesondere kann es vorteilhaft sein, zur Vermeidung zu hoher Temperaturen des bestrahlen
Materials den Elektronenstrahl intermittierend zu steuern.
Zur Umwandlung vorherbestimmter Bereiche eines Halbleiters ist es zweckmäßig, den Elektronenstrahl
in vorherbestimmter Weise über die umzuwandelnde Materialstelle zu führen.
509 508/257
Das neue Bearbeitungsverfahren kann mit großem Vorteil sowohl zur Herstellung von Gleichrichtern
als auch zur Herstellung von Transistoren Verwendung finden. Im letzteren Fall ist es beispielsweise
bei der Beschreibung eines Halbleiter-Einkristallplättchens notwendig, zuerst eine Seite dem Elektronenstrahl
auszusetzen und nach erfolgter Umwandlung eines genügend großen Materialbereiches
die gegenüberliegende Seite des Halbleiterkristalls zu beschießen. Man erhält auf diese Weise einen npn-Transistor.
Um eine fortlaufende Bestrahlung möglichst vieler Halbleiterkristalle nacheinander erzielen zu können,
ist es zweckmäßig, im Bearbeitungsraum des an sich bekannten Elektronenstrahlgerätes eine Transportvorrichtung
vorzusehen, welche mehrere in einem Magazin angeordnete Halbleiterkristalle nacheinander
zur Auftreffstelle des Strahles bewegt.
Die Erfindung wird im folgenden an Hand der ein Ausführungsbeispiel darstellenden Zeichnung näher
beschrieben.
In dieser Zeichnung ist mit 1 die Kathode, mit 2 der Steuerzylinder und mit 3 die geerdete Anode des
Strahlerzeugungssystems bezeichnet. Im Gerät 4 wird eine Hochspannung von beispielsweise 50 kV erzeugt
und mittels eines mit einem Erdmantel versehenen Hochspannungskabels dem Gerät 5 zugeführt. Dieses
Gerät besteht aus einer Vorrichtung 6 zur Erzeugung der regelbaren Heizspannung, einer Vorrichtung 7
zur Erzeugung von Steuerimpulsen und einer Vorrichtung 8 zur Erzeugung der regelbaren Steuerzylindervorspannung.
Diese Spannungen werden über ein Hochspannungskabel dem Strahlerzeugungssystem 1, 2, 3 zugeführt.
In Strahlrichtung gesehen unterhalb der Anode 3 ist ein Ablenksystem 9 angeordnet, welches zur
Justierung des Elektronenstrahls 14 dient. Der Generator 10 dient zur Stromversorgung des Ablenksystems
9.
Unterhalb des Ablenksystems 9 ist eine Blende 11 angeordnet, welche mittels der Knöpfe 12 und 13 in
der Papierebene und senkrecht zur Papierebene bewegt werden kann. Nach erfolgter Justierung des
intermittierenden Elektronenstrahles 14 fällt dieser durch ein geerdetes Rohr 15 und wird mittels der
elektromagnetischen Linse 16 auf das Werkstück einen Halbleiterkristall 20 fokussiert.
Unterhalb der elektromagnetischen Linse 16 ist ein Ablenksystem 17 angeordnet, welches zur Bewegung
des Elektronenstrahles dient. Mittels der Generatoren 18 und 19 werden die zur Versorgung
der Linse 16 und des Ablenksystems 17 dienenden regelbaren Ableokströme erzeugt.
Zur Beobachtung des Bestrahlungsvorganges dient ein optisches System, welches die mikroskopische
Auflichtbeleuchtung des Werkstückes 20 erlaubt. Dieses System besteht aus einem Beleuchtungssystem
21, welches paralleles Licht liefert. Dieses Licht wird über zwei metalEsche Prismen 22 und 23 auf eine in
axialer Richtung verschiebbare Linse 25 reflektiert und von dieser auf das Werkstück 20 fokussiert.
Unterhalb der Linse 25 ist eine auswechselbare Glasplatte 26 angeordnet, welche die Linse 25 vor
etwaigen Verunreinigungen schützt. Die Linse 25 wird zusammen mit der Glasplatte 26 mittels des
Knopfes 27 in axialer Richtung bewegt.
Das von der Oberfläche des Werkstückes 20 reflektierte bzw. ausgehende Licht wird durch die Linse 25
parallel gerichtet und über den Spiegel 28 in das als Stereomikroskop ausgebildete Beobachtungssystem
29 gelenkt. Im Bearbeitungszeitraum 30 ist ein mit seitlichen Führungen versehenes endloses Band 31
angeordnet, welches gemäß der von einem Kommandogerät 33 gelieferten Kommandos mittels des
Elektromotors 32 in Bewegung versetzt wird.
Ein Magazin 34 enthält mehrere aus halbleitendem Material hergestellte Werkstücke 20. Seitlich neben
ίο dem Magazin 34 ist ein Rohr 35 angeordnet, welches
eine untere öffnung 36 enthält.
Mittels des Elektromotors 32 wird über ein Getriebe 37 eine Exzenterscheibe 38 gedreht. Diese
drückt in der entsprechenden Stellung den Bolzen 39 nach vorne. Dabei schiebt dieser Bolzen ein Werkstück
20 aus dem Magazin 34 in das Rohr 35. In diesem Rohr fällt das Werkstück 20 auf das Band 31
und wird von diesem Band aus der öffnung 36 zur Auftreffstelle des Elektronenstrahles 14 bewegt. Nach
ao erfolgtem Beschüß des Werkstückes 20 wird das Band 31 weiterbewegt, und das behandelte Werkstück
20 fällt in einen Auffangbehälter 40.
Das Kommandogerät 33 ist so ausgebildet, daß ein Werkstück 20 nach dem Ausstoßen aus dem Magazin
34 mittels des Bandes 31 zur Auftreffstelle des Elektronenstrahles
14 bewegt wird. Sodann wird das Band 31 so lange angehalten, wie es der vorher eingestellten
Bestrahlungsdauer entspricht. Nach Ablauf dieser Zeit wird der Elektromotor 32 wieder eingeschaltet,
und das bearbeitete Werkstück 20 gelangt in den Sammelbehälter 40, während zugleich ein neues
Werkstück zur Auftreffstelle des Elektronenstrahles bewegt wird.
Die behandelten Werkstücke 20 werden aus dem Bearbeitungsraum 30 entnommen. Sodann werden
die Werkstücke beispielsweise mit Azeton gereinigt und sperrschichtfrei kontaktiert. Die so behandelten
Werkstücke können sodann als Gleichrichter Verwendung finden.
Die Betriebswerte des Elektronenstrahlerzeugungssystems 1, 2, 3 sind so gewählt, daß im Durchschnitt
mit einem Elektronenstrahl 14 gearbeitet wird, welcher eine Leistungsdichte von etwa 10 W/cm2 aufweist.
Bei dem Bestrahlen von Siliziumeinkristallen in Form von Klötzchen hat sich bei Beschüß mit Elektronen
einer Energie von 50 KeV oder 75 KeV und einer Elektronenstrahldosis von 9 · 1016 Elektronen
pro Quadratzentimeter ein Gleichrichtereffekt ergeben. Es ist also hier das ursprünglich n-leitfähige
Silizium in einer Schicht, deren Dicke im wesentlichen der Eindringtiefe des Elektronenstrahles 14
entspricht, in p-leitfähiges Silizium umgewandelt worden. Bei dieser Umwandlung ist die Bearbeitungszeit
so gewählt, (etwa 90 Sekunden), daß eine Erwärmung des Halbleitermaterials auf Temperaturen
oberhalb derjenigen Temperatur vermieden wird, bei der im Material die vorher durch den Beschüß erzeugten
Frenkel-Fehlsteüen durch thermische Prozesse gelöst werden. Wird die bestrahlte und in der
bestrahlten Schicht schon in p-leitendes Material umgewandelte Probe nachträglich so bestrahlt, daß
ihre Temperatur auf über 500° C ansteigt, so wird die Umwandlung von n- in p-Leitfähigkeit wieder
rückgängig gemacht.
Wird in der in der Zeichnung dargestellten Einrichtung der Elektronenstrahl 14 mittels des Ablenksystems
17 über die Oberfläche des Werkstückes
bewegt, so können beispielsweise Umwandlungen der Leitfähigkeit entlang wählbarer Linien vorgenommen
werden.
Claims (9)
1. Verfahren zum Umwandeln von n- in p-leitendes Halbleitermaterial für Halbleiterbauelemente
durch Beschüß mit einem Elektronenstrahl, dadurch gekennzeichnet, daß ein
mit einer Spannung von 30 bis 200 kV beschleunigter Elektronenstrahl verwendet wird und daß
zum Bilden von als Akzeptoren wirkenden Fehlstellen im Halbleiterkristall die umzuwandelnde
Stelle des Halbleiterkristalls mit einer Elektronen-Strahldosis von 1016 bis 1022 Elektronen pro
Quadratzentimeter so beschossen wird, daß die Temperatur nicht über 500° C ansteigt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Elektronenstrahl auf die
umzuwandelnde Stelle des Halbleiterkristalls fokussiert und eine Leistungsdichte von etwa
10 W/cm2 verwendet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Beschüß des Halbleiterkristalls
im Vakuum vorgenommen wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektronenstrahldosis
während des Beschüsses verändert wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Elektronenstrahl
intermittierend gesteuert wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Elektronenstrahl
über die umzuwandelnde Stelle des Halbleiterkristalls geführt wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das umgewandelte
Halbleitermaterial für Halbleiterkörper von Gleichrichtern verwendet wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das umgewandelte
Halbleitermaterial für Halbleiterkörper von Transistoren verwendet wird.
9. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch
gekennzeichnet, daß das Gerät zur Erzeugung eines Elektronenstrahls im Bearbeitungsraum mit
einer Transportvorrichtung versehen ist, welche mehrere in einem Magazin angeordnete Halbleiterkörper
nacheinander zur Auftreffstelle des Elektronenstrahls bewegt.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Britische Patentschrift Nr. 844 747;
USA.-Patentschrift Nr. 2 816 847;
VDI-Zeitschrift, Bd. 100, 1958 Nr. 3, S. 101 bis 112.
Britische Patentschrift Nr. 844 747;
USA.-Patentschrift Nr. 2 816 847;
VDI-Zeitschrift, Bd. 100, 1958 Nr. 3, S. 101 bis 112.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
509 508/257 2.65 © Bundesdruckerei Berlin
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL276412D NL276412A (de) | 1961-03-30 | ||
DEZ8650A DE1186952B (de) | 1961-03-30 | 1961-03-30 | Verfahren und Vorrichtung zum Umwandeln von n- in p-leitendes Halbleitermaterial fuer Halbleiterbauelemente durch Beschuss mit einem Elektronenstrahl |
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CH385662A CH402191A (de) | 1961-03-30 | 1962-03-30 | Verfahren zur Umwandlung von n- in p-leitendes Halbleitermaterial |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEZ8650A DE1186952B (de) | 1961-03-30 | 1961-03-30 | Verfahren und Vorrichtung zum Umwandeln von n- in p-leitendes Halbleitermaterial fuer Halbleiterbauelemente durch Beschuss mit einem Elektronenstrahl |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1186952B true DE1186952B (de) | 1965-02-11 |
Family
ID=7620580
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEZ8650A Pending DE1186952B (de) | 1961-03-30 | 1961-03-30 | Verfahren und Vorrichtung zum Umwandeln von n- in p-leitendes Halbleitermaterial fuer Halbleiterbauelemente durch Beschuss mit einem Elektronenstrahl |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3206336A (de) |
CH (1) | CH402191A (de) |
DE (1) | DE1186952B (de) |
GB (1) | GB958716A (de) |
NL (1) | NL276412A (de) |
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